JP2000012186A - サージアブソーバ - Google Patents
サージアブソーバInfo
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- JP2000012186A JP2000012186A JP10171469A JP17146998A JP2000012186A JP 2000012186 A JP2000012186 A JP 2000012186A JP 10171469 A JP10171469 A JP 10171469A JP 17146998 A JP17146998 A JP 17146998A JP 2000012186 A JP2000012186 A JP 2000012186A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １００Ｖ以下の低い直流放電開始電圧を実現
することができ、従って、インパルス応答電圧を低くす
ることができ、放電電極の耐久性に優れ、また、電子放
出材料の選択範囲を拡大することができるサージアブソ
ーバを提供する。 【解決手段】 放電ギャップ２Ａを介して対置された放
電電極２を有するサージアブソーバにおいて、ダイヤモ
ンドよりなる放電開始電極３０を設ける。
することができ、従って、インパルス応答電圧を低くす
ることができ、放電電極の耐久性に優れ、また、電子放
出材料の選択範囲を拡大することができるサージアブソ
ーバを提供する。 【解決手段】 放電ギャップ２Ａを介して対置された放
電電極２を有するサージアブソーバにおいて、ダイヤモ
ンドよりなる放電開始電極３０を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電話機、モデムな
どの電子機器が通信線と接続する部分、或いはＣＲＴ駆
動回路など、雷サージや静電気等の異常電圧による電撃
を受けやすい部分に接続し、異常電圧によって電子機器
が破壊されるのを防ぐために使用されるサージアブソー
バに係り、特に、１００Ｖ以下の低い直流放電開始電圧
を実現することができるサージアブソーバに関する。
どの電子機器が通信線と接続する部分、或いはＣＲＴ駆
動回路など、雷サージや静電気等の異常電圧による電撃
を受けやすい部分に接続し、異常電圧によって電子機器
が破壊されるのを防ぐために使用されるサージアブソー
バに係り、特に、１００Ｖ以下の低い直流放電開始電圧
を実現することができるサージアブソーバに関する。
【０００２】
【従来の技術】電話機、ファクシミリ、電話交換機、モ
デム等の通信機器用の電子機器に印加されるサージ電圧
を吸収したり、継続的な過電圧又は過電流が電子機器に
侵入して当該電子機器やこれを搭載するプリント基板が
熱的損傷又は発火するのを防止したりするためのサージ
アブソーバとしては、従来、次のようなものが提供され
ている。
デム等の通信機器用の電子機器に印加されるサージ電圧
を吸収したり、継続的な過電圧又は過電流が電子機器に
侵入して当該電子機器やこれを搭載するプリント基板が
熱的損傷又は発火するのを防止したりするためのサージ
アブソーバとしては、従来、次のようなものが提供され
ている。
【０００３】 図７（ａ）に示す如く、円柱状のセラ
ミック素体１の表面に放電ギャップ２Ａを介して導電層
２が形成された放電ギャップ式サージ吸収素子３の両端
に、キャップ電極４Ａ，４Ｂを被着したものを、鉛ガラ
スからなるガラス管５等の絶縁管内に不活性ガスと共に
挿入し、ガラス管５の両端を封止電極６Ａ，６Ｂで封止
した放電ギャップ型サージアブソーバ。７Ａ，７Ｂはリ
ード線を示す。
ミック素体１の表面に放電ギャップ２Ａを介して導電層
２が形成された放電ギャップ式サージ吸収素子３の両端
に、キャップ電極４Ａ，４Ｂを被着したものを、鉛ガラ
スからなるガラス管５等の絶縁管内に不活性ガスと共に
挿入し、ガラス管５の両端を封止電極６Ａ，６Ｂで封止
した放電ギャップ型サージアブソーバ。７Ａ，７Ｂはリ
ード線を示す。
【０００４】 図７（ｂ）に示す如く、図７（ａ）の
サージアブソーバの動作電圧をより高めるために、多重
放電ギャップ方式としたもの。このサージアブソーバ
は、セラミック素体１の表面の導電性層２に、放電ギャ
ップ２Ａを多数形成し、両端にリード線付きキャップ電
極８Ａ，８Ｂを被着したものをガラス管９内に不活性ガ
スで封入したものである。
サージアブソーバの動作電圧をより高めるために、多重
放電ギャップ方式としたもの。このサージアブソーバ
は、セラミック素体１の表面の導電性層２に、放電ギャ
ップ２Ａを多数形成し、両端にリード線付きキャップ電
極８Ａ，８Ｂを被着したものをガラス管９内に不活性ガ
スで封入したものである。
【０００５】 図７（ｃ）に示す如く、セラミックス
基板１０上に放電ギャップ２Ａを有する導電層２を形成
し、放電室形成用のセラミック基体１１でこの放電ギャ
ップ２Ａを覆い両端に導電層１２を設けて端子電極１３
Ａ，１３Ｂを取り付け、不活性ガスを封入したチップ型
サージアブソーバ。１４Ａ，１４Ｂは主放電電極であ
る。
基板１０上に放電ギャップ２Ａを有する導電層２を形成
し、放電室形成用のセラミック基体１１でこの放電ギャ
ップ２Ａを覆い両端に導電層１２を設けて端子電極１３
Ａ，１３Ｂを取り付け、不活性ガスを封入したチップ型
サージアブソーバ。１４Ａ，１４Ｂは主放電電極であ
る。
【０００６】 図７（ｄ）に示す如く、セラミックス
管１５の両端に、放電電極１６Ａ，１６Ｂを形成した封
止電極１７Ａ，１７Ｂを配置し、内部に不活性ガスを封
入したボタン型アレスタ。１８Ａ，１８Ｂはリード線で
ある。
管１５の両端に、放電電極１６Ａ，１６Ｂを形成した封
止電極１７Ａ，１７Ｂを配置し、内部に不活性ガスを封
入したボタン型アレスタ。１８Ａ，１８Ｂはリード線で
ある。
【０００７】 図７（ｅ）に示す如く、一対の放電電
極１９Ａ，１９Ｂをガラス管２０内に配置して不活性ガ
スを封入したネオン型サージアブソーバ。２１Ａ，２１
Ｂはリード線である。
極１９Ａ，１９Ｂをガラス管２０内に配置して不活性ガ
スを封入したネオン型サージアブソーバ。２１Ａ，２１
Ｂはリード線である。
【０００８】これらの従来のサージアブソーバでは、放
電電極ないし放電電極としての導電層の形成材料として
は、金属系の電子放出材料が用いられている。
電電極ないし放電電極としての導電層の形成材料として
は、金属系の電子放出材料が用いられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】電子機器にあっては、
１００Ｖ以下の低い電圧であっても、サージ対策が必要
とされる場合があるが、放電電極ないし放電電極として
の導電層の形成材料として、金属系の電子放出材料が用
いられている従来のサージアブソーバでは、１００Ｖ以
下の低い直流放電開始電圧を実現することが困難であっ
た。
１００Ｖ以下の低い電圧であっても、サージ対策が必要
とされる場合があるが、放電電極ないし放電電極として
の導電層の形成材料として、金属系の電子放出材料が用
いられている従来のサージアブソーバでは、１００Ｖ以
下の低い直流放電開始電圧を実現することが困難であっ
た。
【００１０】また、サージアブソーバの電子放出材料に
は、放電時において電子を放出し易くするために、仕事
関数が低いこと、及び、大電流を通すことができるよう
に低抵抗であることが求められているが、この低仕事関
数かつ低抵抗の両特性を兼備する材料であるとの制約を
受けるために、電子放出材料の選択範囲が狭いという問
題もあった。
は、放電時において電子を放出し易くするために、仕事
関数が低いこと、及び、大電流を通すことができるよう
に低抵抗であることが求められているが、この低仕事関
数かつ低抵抗の両特性を兼備する材料であるとの制約を
受けるために、電子放出材料の選択範囲が狭いという問
題もあった。
【００１１】更に、放電電極の耐久性についてもより一
層の向上が望まれている。
層の向上が望まれている。
【００１２】本発明は上記従来の問題点を解決し、１０
０Ｖ以下の低い直流放電開始電圧を実現することがで
き、従って、インパルス応答電圧を低くすることがで
き、放電電極の耐久性に優れ、また、電子放出材料の選
択範囲を拡大することができるサージアブソーバを提供
することができる。
０Ｖ以下の低い直流放電開始電圧を実現することがで
き、従って、インパルス応答電圧を低くすることがで
き、放電電極の耐久性に優れ、また、電子放出材料の選
択範囲を拡大することができるサージアブソーバを提供
することができる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のサージアブソー
バは、放電ギャップを介して対置された放電電極を有す
るサージアブソーバにおいて、ダイヤモンドよりなる放
電開始電極を設けたことを特徴とする。
バは、放電ギャップを介して対置された放電電極を有す
るサージアブソーバにおいて、ダイヤモンドよりなる放
電開始電極を設けたことを特徴とする。
【００１４】ダイヤモンドは仕事関数が小さく、電子を
放出し易いため、ダイヤモンドよりなる放電開始電極を
設けることにより、この放電開始電極からの電界電子放
出により容易に初期電子が放出される。従って、１００
Ｖ以下の低電圧でも電子が放出されるようになり、低電
圧作動のサージアブソーバを実現できる。
放出し易いため、ダイヤモンドよりなる放電開始電極を
設けることにより、この放電開始電極からの電界電子放
出により容易に初期電子が放出される。従って、１００
Ｖ以下の低電圧でも電子が放出されるようになり、低電
圧作動のサージアブソーバを実現できる。
【００１５】また、初期電子を供給する放電開始電極が
ダイヤモンドであるため、耐久性に優れる。
ダイヤモンドであるため、耐久性に優れる。
【００１６】更に、電子の放出に関しては、ダイヤモン
ドよりなる放電開始電極が担うため、放電電極を構成す
る電子放出材料については、仕事関数の値に制約を受け
ることなく、低抵抗の材料を選択すれば良く、材料の選
択範囲の拡大を図ることができる。
ドよりなる放電開始電極が担うため、放電電極を構成す
る電子放出材料については、仕事関数の値に制約を受け
ることなく、低抵抗の材料を選択すれば良く、材料の選
択範囲の拡大を図ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１８】図１〜５は本発明のサージアブソーバの実
施の形態を示す断面図である。なお、図１〜５におい
て、図７に示す部材と同一機能を奏する部材には同一符
号を付してある。
施の形態を示す断面図である。なお、図１〜５におい
て、図７に示す部材と同一機能を奏する部材には同一符
号を付してある。
【００１９】図１のサージアブソーバは、図７（ａ）に
示す放電ギャップ型サージアブソーバに本発明を適用し
たものであり、セラミックス素体１の表面にダイヤモン
ド層よりなる放電開始電極３０を介して導電層２が形成
されている点が図７（ａ）に示すサージアブソーバと異
なり、その他は同様の構成とされている。なお、放電開
始電極３０の端縁は、放電電極となる導電層２の端縁よ
りも、放電ギャップ２Ａ側へ延出している。
示す放電ギャップ型サージアブソーバに本発明を適用し
たものであり、セラミックス素体１の表面にダイヤモン
ド層よりなる放電開始電極３０を介して導電層２が形成
されている点が図７（ａ）に示すサージアブソーバと異
なり、その他は同様の構成とされている。なお、放電開
始電極３０の端縁は、放電電極となる導電層２の端縁よ
りも、放電ギャップ２Ａ側へ延出している。
【００２０】図２のサージアブソーバは、図７（ｂ）に
示す多重ギャップ方式のサージアブソーバに本発明を適
用したものであり、セラミックス素体１の表面にダイヤ
モンド層よりなる放電開始電極３０を介して導電層２が
形成されている点が図７（ｂ）に示すサージアブソーバ
と異なり、その他は同様の構成とされている。
示す多重ギャップ方式のサージアブソーバに本発明を適
用したものであり、セラミックス素体１の表面にダイヤ
モンド層よりなる放電開始電極３０を介して導電層２が
形成されている点が図７（ｂ）に示すサージアブソーバ
と異なり、その他は同様の構成とされている。
【００２１】図３のサージアブソーバは、図７（ｃ）に
示すチップ型サージアブソーバに本発明を適用したもの
であり、セラミックス基板１０の表面にダイヤモンド層
よりなる放電開始電極３０を介して導電層２が形成され
ている点が図７（ｃ）に示すサージアブソーバと異な
り、その他は同様の構成とされている。
示すチップ型サージアブソーバに本発明を適用したもの
であり、セラミックス基板１０の表面にダイヤモンド層
よりなる放電開始電極３０を介して導電層２が形成され
ている点が図７（ｃ）に示すサージアブソーバと異な
り、その他は同様の構成とされている。
【００２２】図２，３のサージアブソーバにおいても、
放電開始電極３０の端縁は、放電電極となる導電層２の
端縁よりも放電ギャップ２Ａ側へ延出している。
放電開始電極３０の端縁は、放電電極となる導電層２の
端縁よりも放電ギャップ２Ａ側へ延出している。
【００２３】図１〜３のサージアブソーバでは、電圧が
印加されると、まず、仕事関数の低いダイヤモンド層よ
りなる放電開始電極３０，３０間の放電ギャップにおい
て、ダイヤモンドから電界電子が放出され、これにより
容易に初期放電が開始し、放電電極の導電層２，２間で
の放電が引き起こされる。
印加されると、まず、仕事関数の低いダイヤモンド層よ
りなる放電開始電極３０，３０間の放電ギャップにおい
て、ダイヤモンドから電界電子が放出され、これにより
容易に初期放電が開始し、放電電極の導電層２，２間で
の放電が引き起こされる。
【００２４】図４に示すサージアブソーバは、図７
（ｄ）に示すボタン型アレスタに本発明を適用したもの
であり、セラミックス管１５の内面や放電電極１６Ａ，
１６Ｂの表面の任意の箇所にダイヤモンド層よりなる放
電開始電極３０（３０ａ〜３０ｉ）が設けられている。
（ｄ）に示すボタン型アレスタに本発明を適用したもの
であり、セラミックス管１５の内面や放電電極１６Ａ，
１６Ｂの表面の任意の箇所にダイヤモンド層よりなる放
電開始電極３０（３０ａ〜３０ｉ）が設けられている。
【００２５】なお、このボタン型アレスタにおいて、放
電開始電極３０は、放電を開始し易い対向面に少なくと
も一組設けられていれば良く、例えば、図４において、
放電開始電極３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄのみを設
けたもの、或いは、放電開始電極３０ｆ〜３０ｊのみを
設けたものなどであっても良い。
電開始電極３０は、放電を開始し易い対向面に少なくと
も一組設けられていれば良く、例えば、図４において、
放電開始電極３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄのみを設
けたもの、或いは、放電開始電極３０ｆ〜３０ｊのみを
設けたものなどであっても良い。
【００２６】図５に示すサージアブソーバは、図７
（ｅ）に示すネオン管型サージアブソーバに本発明を適
用したものであり、放電電極１９Ａ，１９Ｂの表面及び
ガラス管２０の内面にダイヤモンド層よりなる放電開始
電極３０（３０ｋ〜３０ｒ）が設けられている。
（ｅ）に示すネオン管型サージアブソーバに本発明を適
用したものであり、放電電極１９Ａ，１９Ｂの表面及び
ガラス管２０の内面にダイヤモンド層よりなる放電開始
電極３０（３０ｋ〜３０ｒ）が設けられている。
【００２７】このサージアブソーバにおいても、放電開
始電極３０は、放電を開始し易い対向面に少なくとも一
組設ければ良く、放電開始電極３０ｋ，３０ｌのみ、放
電開始電極３０ｍ，３０ｎのみ、或いは放電開始電極３
０ｏ〜３０ｐのみ、放電開始電極３０ｋ，３０ｌ，３０
ｒのみであっても良い。
始電極３０は、放電を開始し易い対向面に少なくとも一
組設ければ良く、放電開始電極３０ｋ，３０ｌのみ、放
電開始電極３０ｍ，３０ｎのみ、或いは放電開始電極３
０ｏ〜３０ｐのみ、放電開始電極３０ｋ，３０ｌ，３０
ｒのみであっても良い。
【００２８】また、図４，５において、放電開始電極
は、放電電極表面に散点状に設けられていても良い。
は、放電電極表面に散点状に設けられていても良い。
【００２９】図４，５のサージアブソーバであっても、
電圧が印加されると、まず、仕事関数の低いダイヤモン
ド層の放電開始電極３０，３０間の放電ギャップにダイ
ヤモンドから電界電子が放出され、これにより容易に初
期放電が開始し、放電電極間での放電が引き起こされ
る。
電圧が印加されると、まず、仕事関数の低いダイヤモン
ド層の放電開始電極３０，３０間の放電ギャップにダイ
ヤモンドから電界電子が放出され、これにより容易に初
期放電が開始し、放電電極間での放電が引き起こされ
る。
【００３０】なお、放電電極は、一般に、アルカリ金
属、アルカリ土類金属、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔｂ，
Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮ，ＳｎＯ2，ＢａＡｌ4，ＳｉＣ等の１
種又は２種以上の導電性材料で形成されるが、本発明に
おいては、ダイヤモンド層よりなる放電開始電極を設け
ることから、この放電電極形成用材料には低抵抗性を重
視して、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等の低抵抗材料を用いても良
い。
属、アルカリ土類金属、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔｂ，
Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮ，ＳｎＯ2，ＢａＡｌ4，ＳｉＣ等の１
種又は２種以上の導電性材料で形成されるが、本発明に
おいては、ダイヤモンド層よりなる放電開始電極を設け
ることから、この放電電極形成用材料には低抵抗性を重
視して、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等の低抵抗材料を用いても良
い。
【００３１】図１〜３に示すサージアブソーバにおい
て、放電電極となる導電層２の膜厚は１〜２０μｍ、特
に１〜３μｍ程度とするのが好ましい。
て、放電電極となる導電層２の膜厚は１〜２０μｍ、特
に１〜３μｍ程度とするのが好ましい。
【００３２】また、放電開始電極のダイヤモンド層は、
例えば、ＣＶＤ法、或いは、天然又は人工のダイヤモン
ド粉のスラリーの塗布、乾燥（焼結）により形成するこ
とができる。ＣＶＤによるダイヤモンド層の形成に当っ
ては、予め、ダイヤモンドスラリーを塗布しておくのが
好ましい。
例えば、ＣＶＤ法、或いは、天然又は人工のダイヤモン
ド粉のスラリーの塗布、乾燥（焼結）により形成するこ
とができる。ＣＶＤによるダイヤモンド層の形成に当っ
ては、予め、ダイヤモンドスラリーを塗布しておくのが
好ましい。
【００３３】このようにして形成されるダイヤモンド層
の厚さには特に制限はなく、本発明では、ごく薄いダイ
ヤモンド層であっても十分に放電開始電極としての機能
を得ることができる。通常の場合、ダイヤモンド層の成
膜安定性と、コスト等を考慮した上で、放電開始電極と
してのダイヤモンド層は０．０１〜１０μｍ程度の厚さ
に形成される。
の厚さには特に制限はなく、本発明では、ごく薄いダイ
ヤモンド層であっても十分に放電開始電極としての機能
を得ることができる。通常の場合、ダイヤモンド層の成
膜安定性と、コスト等を考慮した上で、放電開始電極と
してのダイヤモンド層は０．０１〜１０μｍ程度の厚さ
に形成される。
【００３４】また、図１〜３のサージアブソーバにおい
て、放電ギャップ２Ａにおける放電電極の導電層２から
の放電開始電極３０の延出幅（図３のＷ）は０〜５ｍ
ｍ、特に０〜３５μｍ程度とするのが好ましい。
て、放電ギャップ２Ａにおける放電電極の導電層２から
の放電開始電極３０の延出幅（図３のＷ）は０〜５ｍ
ｍ、特に０〜３５μｍ程度とするのが好ましい。
【００３５】次に図６（ａ）〜（ｆ）を参照して本発明
のサージアブソーバの製造方法の一例を説明する。
のサージアブソーバの製造方法の一例を説明する。
【００３６】図６（ａ）〜（ｆ）は、図３に示すチップ
型サージアブソーバのセラミックス基板１０への放電開
始電極及び放電電極の形成方法を説明する断面図であ
る。
型サージアブソーバのセラミックス基板１０への放電開
始電極及び放電電極の形成方法を説明する断面図であ
る。
【００３７】まず、アルミナ、ムライト等のセラミック
ス基板３０上に、ＣＶＤ法等によりダイヤモンド薄膜３
１を形成する（図１（ａ），（ｂ））。このダイヤモン
ド薄膜３１上にマスク３２を置いて（図１（ｃ））、放
電電極用の導電性材料の薄膜３３をスパッタ法や焼き付
け法等により形成する（図１（ｄ））。その後、マスク
３２を取り外し（図１（ｅ））、マスク３２の部分に形
成されたギャップ３４にレーザーを照射してダイヤモン
ド薄膜３１を部分的に除去して放電ギャップ３５を形成
する。
ス基板３０上に、ＣＶＤ法等によりダイヤモンド薄膜３
１を形成する（図１（ａ），（ｂ））。このダイヤモン
ド薄膜３１上にマスク３２を置いて（図１（ｃ））、放
電電極用の導電性材料の薄膜３３をスパッタ法や焼き付
け法等により形成する（図１（ｄ））。その後、マスク
３２を取り外し（図１（ｅ））、マスク３２の部分に形
成されたギャップ３４にレーザーを照射してダイヤモン
ド薄膜３１を部分的に除去して放電ギャップ３５を形成
する。
【００３８】図３に示すサージアブソーバは、このよう
にして放電電極及び放電開始電極を形成したセラミック
ス基板と放電室形成用のセラミックス基体とを用いて、
常法に従って作製することができる。
にして放電電極及び放電開始電極を形成したセラミック
ス基板と放電室形成用のセラミックス基体とを用いて、
常法に従って作製することができる。
【００３９】なお、図１〜５に示すサージアブソーバ
は、本発明のサージアブソーバの実施の形態の一例を示
すものであって、本発明は図示のもの以外の各種のサー
ジアブソーバにも適用できることは言うまでもない。
は、本発明のサージアブソーバの実施の形態の一例を示
すものであって、本発明は図示のもの以外の各種のサー
ジアブソーバにも適用できることは言うまでもない。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のサージアブ
ソーバによれば、ダイヤモンドを電子放出材料として用
いることにより、放電開始電圧を低く、従って、インパ
ルス応答電圧を低くすることができる。また、放電のト
リガーとなる初期電子を供給するものがダイヤモンドで
あるため、従来の電子放出材料に比較して耐久性に優れ
る。しかも、従来の電子放出材料では、低仕事関数で低
抵抗であることが求められていたが、本発明では初期電
子放出の役割をダイヤモンドが担うため、仕事関数の値
に縛られず、放電電極の電子放出材料として低抵抗の物
質を任意に選択することができる。
ソーバによれば、ダイヤモンドを電子放出材料として用
いることにより、放電開始電圧を低く、従って、インパ
ルス応答電圧を低くすることができる。また、放電のト
リガーとなる初期電子を供給するものがダイヤモンドで
あるため、従来の電子放出材料に比較して耐久性に優れ
る。しかも、従来の電子放出材料では、低仕事関数で低
抵抗であることが求められていたが、本発明では初期電
子放出の役割をダイヤモンドが担うため、仕事関数の値
に縛られず、放電電極の電子放出材料として低抵抗の物
質を任意に選択することができる。
【図１】本発明のサージアブソーバの実施の形態を示す
放電ギャップ型サージアブソーバの断面図である。
放電ギャップ型サージアブソーバの断面図である。
【図２】本発明のサージアブソーバの実施の形態を示す
多重ギャップ方式のサージアブソーバの断面図である。
多重ギャップ方式のサージアブソーバの断面図である。
【図３】本発明のサージアブソーバの実施の形態を示す
チップ型サージアブソーバの断面図である。
チップ型サージアブソーバの断面図である。
【図４】本発明のサージアブソーバの実施の形態を示す
ボタン型アレスタの断面図である。
ボタン型アレスタの断面図である。
【図５】本発明のサージアブソーバの実施の形態を示す
ネオン管型サージアブソーバの断面図である。
ネオン管型サージアブソーバの断面図である。
【図６】本発明のサージアブソーバの製造方法を説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図７】従来のサージアブソーバを示す断面図である。
１ セラミックス素体 ２ 導電層 ２Ａ 放電ギャップ ４Ａ，４Ｂ キャップ型電極 ５ ガラス管 ６Ａ，６Ｂ 封止電極 ８Ａ，８Ｂ リード線付きキャップ電極 ９ ガラス管 １０ セラミックス基板 １１ セラミックス基体 １２ 導電層 １３Ａ，１３Ｂ 端子電極 １４Ａ，１４Ｂ 主放電電極 １５ セラミックス管 １６Ａ，１６Ｂ 放電電極 １７Ａ，１７Ｂ 封止電極 １９Ａ，１９Ｂ 放電電極 ２０ ガラス管 ３０ 放電開始電極
Claims (5)
- 【請求項１】 放電ギャップを介して対置された放電電
極を有するサージアブソーバにおいて、 ダイヤモンドよりなる放電開始電極を設けたことを特徴
とするサージアブソーバ。 - 【請求項２】 請求項１において、絶縁性基体上に前記
放電電極が薄層状に設けられ、該放電電極の前記放電ギ
ャップに臨む部分に前記放電開始電極が設けられている
ことを特徴とするサージアブソーバ。 - 【請求項３】 請求項２において、前記放電開始電極
は、前記基体上に層状に設けられていることを特徴とす
るサージアブソーバ。 - 【請求項４】 請求項２又は３において、前記放電開始
電極は、前記放電電極と基体との間から前記ギャップに
延出していることを特徴とするサージアブソーバ。 - 【請求項５】 請求項１において、前記放電開始電極は
前記放電電極の表面に部分的に設けられていることを特
徴とするサージアブソーバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171469A JP2000012186A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | サージアブソーバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171469A JP2000012186A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | サージアブソーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012186A true JP2000012186A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15923696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10171469A Pending JP2000012186A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | サージアブソーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012186A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002534763A (ja) * | 1998-12-23 | 2002-10-15 | ジェンセン エレクトロニック アーベー | 放電管 |
| WO2004091060A1 (ja) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Okaya Electric Industries Co., Ltd. | 放電管及びサージ吸収素子 |
| WO2017061078A1 (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 放電管 |
| CN108604777A (zh) * | 2016-04-26 | 2018-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 浪涌防护元件 |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP10171469A patent/JP2000012186A/ja active Pending
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| EP3361585A4 (en) * | 2015-10-09 | 2019-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | DISCHARGE TUBE |
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| CN107949960B (zh) * | 2015-10-09 | 2019-12-06 | 三菱综合材料株式会社 | 放电管 |
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