JP2000011305A - 磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路 - Google Patents
磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路Info
- Publication number
- JP2000011305A JP2000011305A JP10171144A JP17114498A JP2000011305A JP 2000011305 A JP2000011305 A JP 2000011305A JP 10171144 A JP10171144 A JP 10171144A JP 17114498 A JP17114498 A JP 17114498A JP 2000011305 A JP2000011305 A JP 2000011305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- circuit
- output
- thermal
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/24—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor for reducing noise
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B19/04—Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/027—Analogue recording
- G11B5/035—Equalising
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗素子が、磁気記憶媒体に接触したこ
とを検出する磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出
方法及びその回路に関し、各磁気抵抗素子の特性に応じ
たスライスレベルにより、サーマルアスピリティを検出
する。 【解決手段】 磁気抵抗素子２ー１、２ー２の出力の振
幅を検出して、出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライス
レベルを作成する。磁気抵抗素子の出力から、出力の相
対値のスライスレベルを作成するため、各磁気抵抗素子
の出力レベルに応じた大きさのスライスレベルを自動作
成できる。各磁気抵抗素子の特性に応じたスライスレベ
ルを自動作成できるため、各磁気抵抗素子のサーマルア
スピリティを正確に検出できる。
とを検出する磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出
方法及びその回路に関し、各磁気抵抗素子の特性に応じ
たスライスレベルにより、サーマルアスピリティを検出
する。 【解決手段】 磁気抵抗素子２ー１、２ー２の出力の振
幅を検出して、出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライス
レベルを作成する。磁気抵抗素子の出力から、出力の相
対値のスライスレベルを作成するため、各磁気抵抗素子
の出力レベルに応じた大きさのスライスレベルを自動作
成できる。各磁気抵抗素子の特性に応じたスライスレベ
ルを自動作成できるため、各磁気抵抗素子のサーマルア
スピリティを正確に検出できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子によ
り、磁気記憶媒体のデータを読み取る磁気記憶装置のサ
ーマルアスピリティ検出方法及びその回路に関する。
り、磁気記憶媒体のデータを読み取る磁気記憶装置のサ
ーマルアスピリティ検出方法及びその回路に関する。
【０００２】磁気ディスク装置においては、磁気ヘッド
が、回転する磁気ディスクからデータを読み出し、書き
込む。この磁気ヘッドは、磁気ディスクの回転により浮
上する。この磁気ディスク装置の記憶密度の高密度化を
可能とするため、磁気抵抗素子が、磁気ヘッドの読み取
り素子として用いられている。
が、回転する磁気ディスクからデータを読み出し、書き
込む。この磁気ヘッドは、磁気ディスクの回転により浮
上する。この磁気ディスク装置の記憶密度の高密度化を
可能とするため、磁気抵抗素子が、磁気ヘッドの読み取
り素子として用いられている。
【０００３】磁気抵抗素子（ＭＲ素子）は、磁界の強さ
に応じて、抵抗値が変化する素子である。この磁気ヘッ
ドは、磁気ディスクから浮上した状態で、磁気ディスク
のデータを読み取る。記憶密度を向上するため、磁気デ
ィスクからの磁界のもれを小さくする必要がある。この
ため、磁気ヘッドの浮上量を小さくする必要があり、浮
上量は、数十ミクロンまで小さくなっている。
に応じて、抵抗値が変化する素子である。この磁気ヘッ
ドは、磁気ディスクから浮上した状態で、磁気ディスク
のデータを読み取る。記憶密度を向上するため、磁気デ
ィスクからの磁界のもれを小さくする必要がある。この
ため、磁気ヘッドの浮上量を小さくする必要があり、浮
上量は、数十ミクロンまで小さくなっている。
【０００４】一方、磁気ディスクの表面には、数ミクロ
ン〜数十ミクロン程度の凹凸があり、完全な平らでな
い。この磁気ディスクの凹凸により、磁気ヘッドが磁気
ディスクに接触することがある。磁気抵抗素子は、この
接触により、熱を生じる。この接触熱により、磁気抵抗
素子の抵抗値が変化して、読み取り出力のベースライン
が変化する。これをサーマルアスピリティ（ＴＡ）とい
う。このため、正常に信号を読みだすことができない。
ン〜数十ミクロン程度の凹凸があり、完全な平らでな
い。この磁気ディスクの凹凸により、磁気ヘッドが磁気
ディスクに接触することがある。磁気抵抗素子は、この
接触により、熱を生じる。この接触熱により、磁気抵抗
素子の抵抗値が変化して、読み取り出力のベースライン
が変化する。これをサーマルアスピリティ（ＴＡ）とい
う。このため、正常に信号を読みだすことができない。
【０００５】このため、磁気抵抗素子が、磁気ディスク
に接触したことを検出して、読み出し信号に何らかの対
処をする必要があり、サーマルアスピリティ（Thermal
Asperity) を検出する技術が必要となる。
に接触したことを検出して、読み出し信号に何らかの対
処をする必要があり、サーマルアスピリティ（Thermal
Asperity) を検出する技術が必要となる。
【０００６】
【従来の技術】図１２は、従来のリード回路の構成図、
図１３は、従来のＴＡ（サーマルアスピリティ）検出回
路の構成図、図１４は、従来技術の波形図である。
図１３は、従来のＴＡ（サーマルアスピリティ）検出回
路の構成図、図１４は、従来技術の波形図である。
【０００７】図１２に示すように、磁気ヘッド９１ー
１、９１ー２は、回転する磁気ディスク９０のデータを
読み取り、書き込む。１枚の磁気ディスク９０に対し、
２つの磁気ヘッド９１ー１、９１ー２が設けられる。こ
の磁気ヘッド９１ー１、９１ー２は、読み取り素子とし
て磁気抵抗素子を有する。
１、９１ー２は、回転する磁気ディスク９０のデータを
読み取り、書き込む。１枚の磁気ディスク９０に対し、
２つの磁気ヘッド９１ー１、９１ー２が設けられる。こ
の磁気ヘッド９１ー１、９１ー２は、読み取り素子とし
て磁気抵抗素子を有する。
【０００８】磁気ディスク装置の全部の磁気ヘッド（磁
気抵抗素子）に対し、１つのリード回路９８が設けられ
る。スイッチ９７は、１つのリード回路９８に、選択さ
れた磁気ヘッドを接続する。リードアンプ９２は、選択
された磁気ヘッド（磁気抵抗素子）９１ー１、９１ー２
の読み取り信号を増幅する。
気抵抗素子）に対し、１つのリード回路９８が設けられ
る。スイッチ９７は、１つのリード回路９８に、選択さ
れた磁気ヘッドを接続する。リードアンプ９２は、選択
された磁気ヘッド（磁気抵抗素子）９１ー１、９１ー２
の読み取り信号を増幅する。
【０００９】サーマルアスピリティ検出回路９３は、磁
気ヘッド９１ー１、９１ー２の読み取り出力からサーマ
ルアスピリティを検出する。ハイパスフィルタ９４は、
リードアンプ９２で増幅された読み取り信号の低周波数
成分をカットする。アナログ／デジタル変換器９５は、
読み取り信号をデジタル値に変換する。リードチャネル
回路９６は、マイクロプロセッサで構成されている。リ
ードチャネル回路９６は、デジタル値の読み取り信号を
復調して、リードデータを出力する。
気ヘッド９１ー１、９１ー２の読み取り出力からサーマ
ルアスピリティを検出する。ハイパスフィルタ９４は、
リードアンプ９２で増幅された読み取り信号の低周波数
成分をカットする。アナログ／デジタル変換器９５は、
読み取り信号をデジタル値に変換する。リードチャネル
回路９６は、マイクロプロセッサで構成されている。リ
ードチャネル回路９６は、デジタル値の読み取り信号を
復調して、リードデータを出力する。
【００１０】この従来のサーマルアスピリティ検出回路
９３は、図１３に示すように、スライスレベルＳＬを発
生する電位源１００と、磁気ヘッド（磁気抵抗素子）９
１ー１、９１ー２の読み取り信号レベルと、スライスレ
ベルＳＬとを比較する比較回路９９とで構成されてい
た。
９３は、図１３に示すように、スライスレベルＳＬを発
生する電位源１００と、磁気ヘッド（磁気抵抗素子）９
１ー１、９１ー２の読み取り信号レベルと、スライスレ
ベルＳＬとを比較する比較回路９９とで構成されてい
た。
【００１１】図１４に示すように、磁気ディスク９０に
接触しない時の磁気抵抗素子の読み取り出力ＲＳー１
は、ベースラインが一定である。しかし、磁気抵抗素子
が、磁気ディスク９０に接触した場合には、読み取り出
力は、図１４のＲＳー２のように変化する。即ち、磁気
抵抗素子が、磁気ディスク９０に接触すると、磁気抵抗
素子の熱により、磁気抵抗素子の読み取り出力ＲＳー２
のベースラインは、急激に上昇する。そして、ベースラ
インは、磁気抵抗素子の熱の低下に伴い、次第元の値に
戻る。
接触しない時の磁気抵抗素子の読み取り出力ＲＳー１
は、ベースラインが一定である。しかし、磁気抵抗素子
が、磁気ディスク９０に接触した場合には、読み取り出
力は、図１４のＲＳー２のように変化する。即ち、磁気
抵抗素子が、磁気ディスク９０に接触すると、磁気抵抗
素子の熱により、磁気抵抗素子の読み取り出力ＲＳー２
のベースラインは、急激に上昇する。そして、ベースラ
インは、磁気抵抗素子の熱の低下に伴い、次第元の値に
戻る。
【００１２】従来、このような出力変化を示すサーマル
アスピリティを検出するため、読み取り信号と、各ヘッ
ドに共通の一定のスライスレベルＳＬとを比較してい
た。そして、読み取りレベルが、スライスレベルＳＬを
越えると、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦを発生
していた。
アスピリティを検出するため、読み取り信号と、各ヘッ
ドに共通の一定のスライスレベルＳＬとを比較してい
た。そして、読み取りレベルが、スライスレベルＳＬを
越えると、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦを発生
していた。
【００１３】このサーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦ
は、リードチャネル回路９６に通知され、リードチャネ
ル回路９６は、読み取り信号のベースラインを補正する
処理を行う。例えば、リードチャネル回路９６は、サー
マルアスピリティ検出信号ＴＡＦを受けると、リードリ
トライを行い、再度そのトラックの読み取りを行う。
は、リードチャネル回路９６に通知され、リードチャネ
ル回路９６は、読み取り信号のベースラインを補正する
処理を行う。例えば、リードチャネル回路９６は、サー
マルアスピリティ検出信号ＴＡＦを受けると、リードリ
トライを行い、再度そのトラックの読み取りを行う。
【００１４】そして、リードリトライ時には、リードチ
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳー２の低周波数成分をカットする。ベ
ースラインの変化の周波数は、読み取り信号のデータ部
分の周波数に比し、低い。このため、読み取り信号ＲＳ
ー２は、図１４に示す波形ＲＳー３のように、ベースラ
インの変化した部分の低周波数成分がカットされる。こ
れにより、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）
を小さくする。
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳー２の低周波数成分をカットする。ベ
ースラインの変化の周波数は、読み取り信号のデータ部
分の周波数に比し、低い。このため、読み取り信号ＲＳ
ー２は、図１４に示す波形ＲＳー３のように、ベースラ
インの変化した部分の低周波数成分がカットされる。こ
れにより、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）
を小さくする。
【００１５】このベースラインの変化した部分は、小さ
いので、この部分のデータが異常と判定されても、後段
のエラー訂正により救済することができる。尚、サーマ
ルアスピリティを検出した時のみに、ハイパスフィルタ
を動作させる理由は、常時ハイパスフィルタを動作させ
ると、常時読み取り信号の低周波数成分がカットされ、
信号レベルが低下して、読み取りエラーが多くなるから
である。サーマルアスピリティを検出した時のみに、ハ
イパスフィルタを動作させることにより、信号レベルの
低下を最小限の範囲に抑えることができる。
いので、この部分のデータが異常と判定されても、後段
のエラー訂正により救済することができる。尚、サーマ
ルアスピリティを検出した時のみに、ハイパスフィルタ
を動作させる理由は、常時ハイパスフィルタを動作させ
ると、常時読み取り信号の低周波数成分がカットされ、
信号レベルが低下して、読み取りエラーが多くなるから
である。サーマルアスピリティを検出した時のみに、ハ
イパスフィルタを動作させることにより、信号レベルの
低下を最小限の範囲に抑えることができる。
【００１６】このように、従来は、スライスレベルを各
ヘッドに共通の絶対値で設定していた。
ヘッドに共通の絶対値で設定していた。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、次の問題があった。
術では、次の問題があった。
【００１８】第１に、リード回路９８（サーマルアスピ
リティ検出回路９３）は、磁気ディスク装置の各ヘッド
に対し、１つ設けられる。ところが、各磁気ヘッド（磁
気抵抗素子）の出力レベルは、磁気抵抗素子の抵抗値
や、センス電流の相違に応じて、異なる。従来は、この
ような各磁気抵抗素子毎に異なる出力レベルに対し、共
通のスライスレベルを設定していたため、各磁気抵抗素
子のサーマルアスピリティを正確に検出することができ
ないという問題があった。
リティ検出回路９３）は、磁気ディスク装置の各ヘッド
に対し、１つ設けられる。ところが、各磁気ヘッド（磁
気抵抗素子）の出力レベルは、磁気抵抗素子の抵抗値
や、センス電流の相違に応じて、異なる。従来は、この
ような各磁気抵抗素子毎に異なる出力レベルに対し、共
通のスライスレベルを設定していたため、各磁気抵抗素
子のサーマルアスピリティを正確に検出することができ
ないという問題があった。
【００１９】第２に、この問題を避けるためには、各磁
気抵抗素子の出力レベルを測定し、各磁気抵抗素子のサ
ーマルアスピリティ検出のスライスレベルを設定する方
法をとる必要がある。この方法では、磁気ディスク装置
内の各磁気抵抗素子の特性を測定して、スライスレベル
を決定する必要があるという問題があった。しかも、こ
の方法では、各磁気抵抗素子のスライスレベルをメモリ
に格納し、磁気ヘッド（磁気抵抗素子）の選択時に、選
択された磁気ヘッド（磁気抵抗素子）のスライスレベル
を、サーマルアスピリティ検出回路に設定する必要があ
るという問題があった。これにより、サーマルアスピリ
ティの検出のため、測定の手間がかり、且つヘッド選択
時に、制御が必要となるという問題が生じる。
気抵抗素子の出力レベルを測定し、各磁気抵抗素子のサ
ーマルアスピリティ検出のスライスレベルを設定する方
法をとる必要がある。この方法では、磁気ディスク装置
内の各磁気抵抗素子の特性を測定して、スライスレベル
を決定する必要があるという問題があった。しかも、こ
の方法では、各磁気抵抗素子のスライスレベルをメモリ
に格納し、磁気ヘッド（磁気抵抗素子）の選択時に、選
択された磁気ヘッド（磁気抵抗素子）のスライスレベル
を、サーマルアスピリティ検出回路に設定する必要があ
るという問題があった。これにより、サーマルアスピリ
ティの検出のため、測定の手間がかり、且つヘッド選択
時に、制御が必要となるという問題が生じる。
【００２０】本発明の目的は、各磁気抵抗素子の特性に
応じたスライスレベルにより、サーマルアスピリティを
検出するための磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検
出方法及びその回路を提供することにある。
応じたスライスレベルにより、サーマルアスピリティを
検出するための磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検
出方法及びその回路を提供することにある。
【００２１】本発明の他の目的は、各磁気抵抗素子の特
性を測定することなく、各磁気抵抗素子の特性に応じた
スライスレベルにより、サーマルアスピリティを検出す
るための磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法
及びその回路を提供することにある。
性を測定することなく、各磁気抵抗素子の特性に応じた
スライスレベルにより、サーマルアスピリティを検出す
るための磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法
及びその回路を提供することにある。
【００２２】本発明の更に他の目的は、ヘッド選択時
に、各磁気抵抗素子のスライスレベルを設定することな
く、各磁気抵抗素子の特性に応じたスライスレベルによ
り、サーマルアスピリティを検出するための磁気記憶装
置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路を提供
することにある。
に、各磁気抵抗素子のスライスレベルを設定することな
く、各磁気抵抗素子の特性に応じたスライスレベルによ
り、サーマルアスピリティを検出するための磁気記憶装
置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路を提供
することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記憶装置の
サーマルアスピリティ検出方法は、磁気抵抗素子の出力
の振幅を検出して、前記出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）の
スライスレベルを作成する第１のステップと、磁気抵抗
素子の出力信号と、前記スライスレベルとを比較して、
サーマルアスピリティ検出信号を発生する第２のステッ
プとを有する。
サーマルアスピリティ検出方法は、磁気抵抗素子の出力
の振幅を検出して、前記出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）の
スライスレベルを作成する第１のステップと、磁気抵抗
素子の出力信号と、前記スライスレベルとを比較して、
サーマルアスピリティ検出信号を発生する第２のステッ
プとを有する。
【００２４】又、本発明の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出回路は、磁気抵抗素子の出力の振幅を検出
して、前記出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレベ
ルを作成するスライスレベル作成回路と、磁気抵抗素子
の出力信号と、前記スライスレベルとを比較して、サー
マルアスピリティ検出信号を発生する比較回路とを有す
る。
ピリティ検出回路は、磁気抵抗素子の出力の振幅を検出
して、前記出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレベ
ルを作成するスライスレベル作成回路と、磁気抵抗素子
の出力信号と、前記スライスレベルとを比較して、サー
マルアスピリティ検出信号を発生する比較回路とを有す
る。
【００２５】本発明は、磁気抵抗素子の出力からスライ
スレベルを作成する。即ち、磁気抵抗素子の出力の振幅
を検出して、出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレ
ベルを作成する。このように、磁気抵抗素子の出力か
ら、出力の相対値のスライスレベルを作成するため、各
磁気抵抗素子の出力レベルに応じた大きさのスライスレ
ベルを自動作成できる。
スレベルを作成する。即ち、磁気抵抗素子の出力の振幅
を検出して、出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレ
ベルを作成する。このように、磁気抵抗素子の出力か
ら、出力の相対値のスライスレベルを作成するため、各
磁気抵抗素子の出力レベルに応じた大きさのスライスレ
ベルを自動作成できる。
【００２６】このため、各磁気抵抗素子の特性に応じた
スライスレベルを自動作成できるため、各磁気抵抗素子
のサーマルアスピリティを正確に検出できる。しかも、
各磁気抵抗素子の特性を測定することなく、実現できる
ため、測定の手間を省くことができる。更に、ヘッド選
択時のスライスレベルの設定制御が不要なため、ファー
ムウェアの負担を軽減できる。
スライスレベルを自動作成できるため、各磁気抵抗素子
のサーマルアスピリティを正確に検出できる。しかも、
各磁気抵抗素子の特性を測定することなく、実現できる
ため、測定の手間を省くことができる。更に、ヘッド選
択時のスライスレベルの設定制御が不要なため、ファー
ムウェアの負担を軽減できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態の回路図、図２は、図１の構成の波形図である。
態の回路図、図２は、図１の構成の波形図である。
【００２８】図１に示すように、磁気ディスク１は、図
示しないスピンドルモータにより回転される。磁気ディ
スク１の表裏面に、一対の磁気ヘッド２ー１、２ー２が
設けられている。この磁気ヘッド２ー１、２ー２は、読
み取り素子として磁気抵抗素子を有する。
示しないスピンドルモータにより回転される。磁気ディ
スク１の表裏面に、一対の磁気ヘッド２ー１、２ー２が
設けられている。この磁気ヘッド２ー１、２ー２は、読
み取り素子として磁気抵抗素子を有する。
【００２９】スイッチ３は、磁気ヘッド２ー１、２ー２
を切り換えるものである。リードアンプ４は、磁気ヘッ
ド（磁気抵抗素子）２ー１、２ー２の読み取り出力を増
幅して、ハイパスフィルタ９４（図１２参照）に出力す
る。
を切り換えるものである。リードアンプ４は、磁気ヘッ
ド（磁気抵抗素子）２ー１、２ー２の読み取り出力を増
幅して、ハイパスフィルタ９４（図１２参照）に出力す
る。
【００３０】サーマルアスピリティ検出回路９は、振幅
検出回路５と、ローパスフィルタ６と、増幅回路７と、
比較回路８とで構成されている。振幅検出回路５は、読
み取り信号ＲＳの振幅を検出するものであり、整流器で
構成されている。図２に示すように、振幅検出出力ＡＳ
は、読み取り信号（入力信号）ＲＳのエンベロープを示
す。
検出回路５と、ローパスフィルタ６と、増幅回路７と、
比較回路８とで構成されている。振幅検出回路５は、読
み取り信号ＲＳの振幅を検出するものであり、整流器で
構成されている。図２に示すように、振幅検出出力ＡＳ
は、読み取り信号（入力信号）ＲＳのエンベロープを示
す。
【００３１】ローパスフィルタ６は、整流出力の高周波
数成分を除去する。このローパスフィルタ６は、磁気ヘ
ッドの接触直後に生じる高周波数成分を除去したフィル
タ出力ＢＳ（図２参照）を発生する。増幅回路７は、フ
ィルタ出力ＢＳのレベルをｍ倍（ｍ＞１）して、スライ
スレベルＳＬを作成する。
数成分を除去する。このローパスフィルタ６は、磁気ヘ
ッドの接触直後に生じる高周波数成分を除去したフィル
タ出力ＢＳ（図２参照）を発生する。増幅回路７は、フ
ィルタ出力ＢＳのレベルをｍ倍（ｍ＞１）して、スライ
スレベルＳＬを作成する。
【００３２】比較回路８は、入力信号ＲＳとスライスレ
ベルＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレベル
ＳＬを越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡ
Ｆを発生する。
ベルＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレベル
ＳＬを越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡ
Ｆを発生する。
【００３３】この回路の動作を説明する。読み取り信号
ＲＳは、振幅検出回路５で、振幅検出され、振幅検出信
号ＡＳを発生される。この振幅検出信号ＡＳは、ローパ
スフィルタ６で、高周波数成分を除去する。この理由
は、サーマルアスピリティによりＤＣレベルが急激に変
動して、振幅検出回路５が、その変動に追従すると、サ
ーマルアスピリティの立ち上がりを検出できないおそれ
があるからである。
ＲＳは、振幅検出回路５で、振幅検出され、振幅検出信
号ＡＳを発生される。この振幅検出信号ＡＳは、ローパ
スフィルタ６で、高周波数成分を除去する。この理由
は、サーマルアスピリティによりＤＣレベルが急激に変
動して、振幅検出回路５が、その変動に追従すると、サ
ーマルアスピリティの立ち上がりを検出できないおそれ
があるからである。
【００３４】このため、図２のローパスフィルタ出力Ｂ
Ｓに示すように、ローパスフィルタ６により、振幅検出
回路５の出力ＡＳの高周波数成分を除去し、スライスレ
ベルが、読み取り信号ＲＳのＤＣレベルの急激な変動に
追従しないようにした。これにより、スライスレベル
が、読み取り信号の変動に追従し、誤動作を起こすこと
を最小限に抑えることができる。
Ｓに示すように、ローパスフィルタ６により、振幅検出
回路５の出力ＡＳの高周波数成分を除去し、スライスレ
ベルが、読み取り信号ＲＳのＤＣレベルの急激な変動に
追従しないようにした。これにより、スライスレベル
が、読み取り信号の変動に追従し、誤動作を起こすこと
を最小限に抑えることができる。
【００３５】このローパスフィルタ出力ＢＳは、増幅回
路７で、ｍ倍（ｍ＞１）に増幅され、スライスレベルＳ
Ｌが作成される。比較回路８は、入力信号ＲＳとスライ
スレベルＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレ
ベルＳＬを越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号
ＴＡＦを発生する。
路７で、ｍ倍（ｍ＞１）に増幅され、スライスレベルＳ
Ｌが作成される。比較回路８は、入力信号ＲＳとスライ
スレベルＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレ
ベルＳＬを越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号
ＴＡＦを発生する。
【００３６】このサーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦ
は、リードチャネル回路９６（図１２参照）に入力す
る。リードチャネル回路９６は、前述したように、読み
取り信号のベースラインを補正する処理を行う。例え
ば、リードチャネル回路９６は、サーマルアスピリティ
検出信号ＴＡＦを受けると、リードリトライを行い、再
度そのトラックの読み取りを行う。
は、リードチャネル回路９６（図１２参照）に入力す
る。リードチャネル回路９６は、前述したように、読み
取り信号のベースラインを補正する処理を行う。例え
ば、リードチャネル回路９６は、サーマルアスピリティ
検出信号ＴＡＦを受けると、リードリトライを行い、再
度そのトラックの読み取りを行う。
【００３７】そして、リードリトライ時には、リードチ
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳの低周波数成分を除去する。これによ
り、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）を小さ
くする。このベースラインの変化した部分は、小さいの
で、この部分のデータが異常と判定されても、後段のエ
ラー訂正により救済することができる。
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳの低周波数成分を除去する。これによ
り、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）を小さ
くする。このベースラインの変化した部分は、小さいの
で、この部分のデータが異常と判定されても、後段のエ
ラー訂正により救済することができる。
【００３８】又、この実施の形態では、サーマルアスピ
リティによる読み取り信号の立ち上がりの時点で、検出
信号ＴＡＦを発生できるため、リードリトライを行わず
に、直ちに、ハイパスフィルタを動作することができ
る。
リティによる読み取り信号の立ち上がりの時点で、検出
信号ＴＡＦを発生できるため、リードリトライを行わず
に、直ちに、ハイパスフィルタを動作することができ
る。
【００３９】このようにして、磁気抵抗素子の読み取り
信号の振幅を検出して、ｍ倍のスライスレベルを作成す
るため、各磁気抵抗素子の読み取り信号レベルの相対値
としてのスライスレベルを作成できる。このため、磁気
抵抗素子の出力レベルに対応した最適のスライスレベル
を自動作成できる。従って、磁気抵抗素子の出力レベル
が相違しても、正確にサーマルアスピリティを検出する
ことができる。
信号の振幅を検出して、ｍ倍のスライスレベルを作成す
るため、各磁気抵抗素子の読み取り信号レベルの相対値
としてのスライスレベルを作成できる。このため、磁気
抵抗素子の出力レベルに対応した最適のスライスレベル
を自動作成できる。従って、磁気抵抗素子の出力レベル
が相違しても、正確にサーマルアスピリティを検出する
ことができる。
【００４０】又、ローパスフィルタ６により、高周波数
成分を除去したので、スライスレベルが、読み取り信号
ＲＳのＤＣレベルの急激な変動に追従することを防止で
きる。これにより、スライスレベルが、読み取り信号の
変動に追従し、誤動作を起こすことを最小限に抑えるこ
とができる。
成分を除去したので、スライスレベルが、読み取り信号
ＲＳのＤＣレベルの急激な変動に追従することを防止で
きる。これにより、スライスレベルが、読み取り信号の
変動に追従し、誤動作を起こすことを最小限に抑えるこ
とができる。
【００４１】図３は、本発明の第２の実施の形態の回路
図、図４は、図３の構成の波形図である。
図、図４は、図３の構成の波形図である。
【００４２】図３において、図１で示したものと同一の
ものは、同一の記号で示してある。ハイパスフィルタ１
０は、振幅検出回路５の前段に設けられ、読み取り信号
ＲＳの低周波数成分を除去する。
ものは、同一の記号で示してある。ハイパスフィルタ１
０は、振幅検出回路５の前段に設けられ、読み取り信号
ＲＳの低周波数成分を除去する。
【００４３】この回路の動作を説明する。読み取り信号
ＲＳは、ハイパスフィルタ１０で、低周波数成分を除去
する。この理由は、サーマルアスピリティによりＤＣレ
ベルが急激に変動して、振幅検出回路５が、その変動に
追従すると、サーマルアスピリティのによる読み取り信
号の変動を検出できないおそれがあるからである。
ＲＳは、ハイパスフィルタ１０で、低周波数成分を除去
する。この理由は、サーマルアスピリティによりＤＣレ
ベルが急激に変動して、振幅検出回路５が、その変動に
追従すると、サーマルアスピリティのによる読み取り信
号の変動を検出できないおそれがあるからである。
【００４４】このため、図４のハイパスフィルタ出力Ｃ
Ｓに示すように、ハイパスフィルタ１０により、信号振
幅レベルに影響のない低周波数成分をカットオフする。
これにより、スライスレベルが、読み取り信号ＲＳのＤ
Ｃレベルの変動に追従しないようにした。これにより、
スライスレベルが、読み取り信号の変動に追従し、誤動
作を起こすことを最小限に抑えることができる。
Ｓに示すように、ハイパスフィルタ１０により、信号振
幅レベルに影響のない低周波数成分をカットオフする。
これにより、スライスレベルが、読み取り信号ＲＳのＤ
Ｃレベルの変動に追従しないようにした。これにより、
スライスレベルが、読み取り信号の変動に追従し、誤動
作を起こすことを最小限に抑えることができる。
【００４５】このハイパスフィルタ１０の出力ＣＳは、
振幅検出回路５で、振幅検出され、振幅検出信号ＤＳを
発生される。この振幅検出信号ＤＳは、増幅回路７で、
ｍ倍（ｍ＞１）に増幅され、スライスレベルＳＬが作成
される。比較回路８は、入力信号ＲＳとスライスレベル
ＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレベルＳＬ
を越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦを
発生する。
振幅検出回路５で、振幅検出され、振幅検出信号ＤＳを
発生される。この振幅検出信号ＤＳは、増幅回路７で、
ｍ倍（ｍ＞１）に増幅され、スライスレベルＳＬが作成
される。比較回路８は、入力信号ＲＳとスライスレベル
ＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレベルＳＬ
を越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦを
発生する。
【００４６】このサーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦ
は、図１の例と同様に、リードチャネル回路９６（図１
２参照）に入力して、リードチャネル回路９６は、前述
したように、読み取り信号のベースラインを補正する処
理を行う。例えば、リードチャネル回路９６は、サーマ
ルアスピリティ検出信号ＴＡＦを受けると、リードリト
ライを行い、再度そのトラックの読み取りを行う。
は、図１の例と同様に、リードチャネル回路９６（図１
２参照）に入力して、リードチャネル回路９６は、前述
したように、読み取り信号のベースラインを補正する処
理を行う。例えば、リードチャネル回路９６は、サーマ
ルアスピリティ検出信号ＴＡＦを受けると、リードリト
ライを行い、再度そのトラックの読み取りを行う。
【００４７】そして、リードリトライ時には、リードチ
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳの低周波数成分を除去する。これによ
り、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）を小さ
くする。
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳの低周波数成分を除去する。これによ
り、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）を小さ
くする。
【００４８】このようにして、磁気抵抗素子の読み取り
信号の振幅を検出して、ｍ倍のスライスレベルを作成す
るため、各磁気抵抗素子の読み取り信号レベルの相対値
としてのスライスレベルを作成できる。このため、磁気
抵抗素子の出力レベルに対応した最適のスライスレベル
を自動作成できる。従って、磁気抵抗素子の出力レベル
が相違しても、正確にサーマルアスピリティを検出する
ことができる。
信号の振幅を検出して、ｍ倍のスライスレベルを作成す
るため、各磁気抵抗素子の読み取り信号レベルの相対値
としてのスライスレベルを作成できる。このため、磁気
抵抗素子の出力レベルに対応した最適のスライスレベル
を自動作成できる。従って、磁気抵抗素子の出力レベル
が相違しても、正確にサーマルアスピリティを検出する
ことができる。
【００４９】又、ハイパスフィルタ１０により、低周波
数成分を除去したので、スライスレベルが、読み取り信
号ＲＳのＤＣレベルの変動に追従することを防止でき
る。これにより、スライスレベルが、読み取り信号の変
動に追従し、誤動作を起こすことを最小限に抑えること
ができる。
数成分を除去したので、スライスレベルが、読み取り信
号ＲＳのＤＣレベルの変動に追従することを防止でき
る。これにより、スライスレベルが、読み取り信号の変
動に追従し、誤動作を起こすことを最小限に抑えること
ができる。
【００５０】図５は、本発明の第３の実施の形態の回路
図、図６は、図５の構成の波形図である。
図、図６は、図５の構成の波形図である。
【００５１】図５において、図１及び図３で示したもの
と同一のものは、同一の記号で示してある。図５におい
て、ホールド回路１１は、振幅検出回路５の振幅検出レ
ベルを、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦに応じて
ホールドする。
と同一のものは、同一の記号で示してある。図５におい
て、ホールド回路１１は、振幅検出回路５の振幅検出レ
ベルを、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦに応じて
ホールドする。
【００５２】この回路の動作を説明する。読み取り信号
ＲＳは、振幅検出回路５で、振幅検出され、振幅検出信
号ＡＳを発生される。この振幅検出信号ＡＳは、サーマ
ルアスピリティ検出信号ＴＡＦの発生時に、レベルをホ
ールドするホールド回路１１により、レベルホールドさ
れる。
ＲＳは、振幅検出回路５で、振幅検出され、振幅検出信
号ＡＳを発生される。この振幅検出信号ＡＳは、サーマ
ルアスピリティ検出信号ＴＡＦの発生時に、レベルをホ
ールドするホールド回路１１により、レベルホールドさ
れる。
【００５３】この理由は、サーマルアスピリティにより
ＤＣレベルが急激に変動して、振幅検出回路５が、その
変動に追従すると、サーマルアスピリティの立ち上がり
を検出できないおそれがあるからである。
ＤＣレベルが急激に変動して、振幅検出回路５が、その
変動に追従すると、サーマルアスピリティの立ち上がり
を検出できないおそれがあるからである。
【００５４】このため、図６のホールド出力ＥＳに示す
ように、サーマルアスピリティ検出信号の発生時に、ホ
ールド回路１１により、振幅検出回路５の出力ＡＳ（図
２参照）のレベルをホールドし、読み取り信号ＲＳのＤ
Ｃレベルの変動の時定数が長くても、スライスレベルが
その変動に追従しないようにした。これにより、スライ
スレベルが、読み取り信号の変動に追従し、誤動作を起
こすことを最小限に抑えることができる。
ように、サーマルアスピリティ検出信号の発生時に、ホ
ールド回路１１により、振幅検出回路５の出力ＡＳ（図
２参照）のレベルをホールドし、読み取り信号ＲＳのＤ
Ｃレベルの変動の時定数が長くても、スライスレベルが
その変動に追従しないようにした。これにより、スライ
スレベルが、読み取り信号の変動に追従し、誤動作を起
こすことを最小限に抑えることができる。
【００５５】このホールド出力ＥＳは、増幅回路７で、
ｍ倍（ｍ＞１）に増幅され、スライスレベルＳＬが作成
される。比較回路８は、入力信号ＲＳとスライスレベル
ＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレベルＳＬ
を越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦを
発生する。
ｍ倍（ｍ＞１）に増幅され、スライスレベルＳＬが作成
される。比較回路８は、入力信号ＲＳとスライスレベル
ＳＬとを比較して、入力信号ＲＳがスライスレベルＳＬ
を越えた時に、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦを
発生する。
【００５６】このサーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦ
は、リードチャネル回路９６（図１２参照）に入力す
る。リードチャネル回路９６は、前述したように、読み
取り信号のベースラインを補正する処理を行う。例え
ば、リードチャネル回路９６は、サーマルアスピリティ
検出信号ＴＡＦを受けると、リードリトライを行い、再
度そのトラックの読み取りを行う。
は、リードチャネル回路９６（図１２参照）に入力す
る。リードチャネル回路９６は、前述したように、読み
取り信号のベースラインを補正する処理を行う。例え
ば、リードチャネル回路９６は、サーマルアスピリティ
検出信号ＴＡＦを受けると、リードリトライを行い、再
度そのトラックの読み取りを行う。
【００５７】そして、リードリトライ時には、リードチ
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳの低周波数成分を除去する。これによ
り、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）を小さ
くする。このベースラインの変化した部分は、小さいの
で、この部分のデータが異常と判定されても、後段のエ
ラー訂正により救済することができる。
ャネル回路９６は、ハイパスフィルタ９４を動作して、
読み取り信号ＲＳの低周波数成分を除去する。これによ
り、ベースラインの変化した部分の時間（長さ）を小さ
くする。このベースラインの変化した部分は、小さいの
で、この部分のデータが異常と判定されても、後段のエ
ラー訂正により救済することができる。
【００５８】又、この実施の形態では、サーマルアスピ
リティによる読み取り信号の立ち上がりの時点で、検出
信号ＴＡＦを発生できるため、リードリトライを行わず
に、直ちに、ハイパスフィルタを動作することができ
る。
リティによる読み取り信号の立ち上がりの時点で、検出
信号ＴＡＦを発生できるため、リードリトライを行わず
に、直ちに、ハイパスフィルタを動作することができ
る。
【００５９】このようにして、磁気抵抗素子の読み取り
信号の振幅を検出して、ｍ倍のスライスレベルを作成す
るため、各磁気抵抗素子の読み取り信号レベルの相対値
としてのスライスレベルを作成できる。このため、磁気
抵抗素子の出力レベルに対応した最適のスライスレベル
を自動作成できる。従って、磁気抵抗素子の出力レベル
が相違しても、正確にサーマルアスピリティを検出する
ことができる。
信号の振幅を検出して、ｍ倍のスライスレベルを作成す
るため、各磁気抵抗素子の読み取り信号レベルの相対値
としてのスライスレベルを作成できる。このため、磁気
抵抗素子の出力レベルに対応した最適のスライスレベル
を自動作成できる。従って、磁気抵抗素子の出力レベル
が相違しても、正確にサーマルアスピリティを検出する
ことができる。
【００６０】又、ホールド回路１１により、検出時のレ
ベルをホールドしたので、スライスレベルが、読み取り
信号ＲＳのＤＣレベルの急激な変動に追従することを防
止できる。これにより、スライスレベルが、読み取り信
号の変動に追従し、誤動作を起こすことを最小限に抑え
ることができる。
ベルをホールドしたので、スライスレベルが、読み取り
信号ＲＳのＤＣレベルの急激な変動に追従することを防
止できる。これにより、スライスレベルが、読み取り信
号の変動に追従し、誤動作を起こすことを最小限に抑え
ることができる。
【００６１】図７は、本発明の第４の実施の形態の回路
図である。
図である。
【００６２】図７において、図１、図３、図５で示した
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、読み取り信号ＲＳを増幅器１２でｎ倍（ｎ＜
ｍ）して、比較回路８に入力している。そして、振幅検
出回路５の前段に増幅回路７を設け、読み取り信号ＲＳ
をｍ倍（ｍ＞１）している。更に、第１の実施の形態で
説明したローパスフィルタ６を振幅検出回路５の後段に
設け、第３の実施の形態で説明したホールド回路１１を
このローパスフィルタ６の後段に設けている。
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、読み取り信号ＲＳを増幅器１２でｎ倍（ｎ＜
ｍ）して、比較回路８に入力している。そして、振幅検
出回路５の前段に増幅回路７を設け、読み取り信号ＲＳ
をｍ倍（ｍ＞１）している。更に、第１の実施の形態で
説明したローパスフィルタ６を振幅検出回路５の後段に
設け、第３の実施の形態で説明したホールド回路１１を
このローパスフィルタ６の後段に設けている。
【００６３】この実施の形態では、第１の実施の形態で
説明したように、ローパスフィルタ６により、振幅検出
回路５の振幅検出出力の高周波数成分を除去し、第３の
実施の形態で説明したように、ホールド回路で、検出時
のレベルをホールドする。
説明したように、ローパスフィルタ６により、振幅検出
回路５の振幅検出出力の高周波数成分を除去し、第３の
実施の形態で説明したように、ホールド回路で、検出時
のレベルをホールドする。
【００６４】このため、第１の実施の形態で説明したよ
うに、スライスレベルが読み取り信号の変動に追従する
ことを防止でき、且つ第３の実施の形態で説明したよう
に、変動の時定数が長くても、スライスレベルが読み取
り信号の変動に追従することを防止できる。
うに、スライスレベルが読み取り信号の変動に追従する
ことを防止でき、且つ第３の実施の形態で説明したよう
に、変動の時定数が長くても、スライスレベルが読み取
り信号の変動に追従することを防止できる。
【００６５】図８は、本発明の第５の実施の形態の回路
図である。
図である。
【００６６】図８において、図１、図３、図５で示した
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、読み取り信号ＲＳを増幅回路７でｍ倍（ｍ＞
１）した後、比較回路８の入力は、、アッテネータ（減
衰器）１３でレベルを減衰される。更に、第２の実施の
形態で説明したハイパスフィルタ１０を振幅検出回路５
の前段に設け、第３の実施の形態で説明したホールド回
路１１をこの振幅検出回路５の後段に設けている。
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、読み取り信号ＲＳを増幅回路７でｍ倍（ｍ＞
１）した後、比較回路８の入力は、、アッテネータ（減
衰器）１３でレベルを減衰される。更に、第２の実施の
形態で説明したハイパスフィルタ１０を振幅検出回路５
の前段に設け、第３の実施の形態で説明したホールド回
路１１をこの振幅検出回路５の後段に設けている。
【００６７】この実施の形態では、第２の実施の形態で
説明したように、ハイパスフィルタ１０により、読み取
り信号ＲＳの低周波数成分を除去し、第３の実施の形態
で説明したように、ホールド回路で、検出時のレベルを
ホールドする。
説明したように、ハイパスフィルタ１０により、読み取
り信号ＲＳの低周波数成分を除去し、第３の実施の形態
で説明したように、ホールド回路で、検出時のレベルを
ホールドする。
【００６８】このため、第２の実施の形態で説明したよ
うに、スライスレベルが読み取り信号の変動に追従する
ことを防止でき、且つ第３の実施の形態で説明したよう
に、変動の時定数が長くても、スライスレベルが読み取
り信号の変動に追従することを防止できる。
うに、スライスレベルが読み取り信号の変動に追従する
ことを防止でき、且つ第３の実施の形態で説明したよう
に、変動の時定数が長くても、スライスレベルが読み取
り信号の変動に追従することを防止できる。
【００６９】図９は、本発明の第６の実施の形態の回路
図である。
図である。
【００７０】図９において、図１、図３、図５で示した
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、図１の振幅検出回路をデジタル処理回路で構
成している。即ち、振幅検出回路は、アナログ読み取り
信号をデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換器
１４と、波形のエンベロープを演算するエンベロープ演
算器１５とで構成されている。又、ローパスフィルタ６
は、デジタルローパスフィルタで構成されている。更
に、デジタル／アナログ変換器１６は、デジタルのロー
パスフィルタ出力をアナログのスライスレベルＳＬに変
換する。
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、図１の振幅検出回路をデジタル処理回路で構
成している。即ち、振幅検出回路は、アナログ読み取り
信号をデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換器
１４と、波形のエンベロープを演算するエンベロープ演
算器１５とで構成されている。又、ローパスフィルタ６
は、デジタルローパスフィルタで構成されている。更
に、デジタル／アナログ変換器１６は、デジタルのロー
パスフィルタ出力をアナログのスライスレベルＳＬに変
換する。
【００７１】この実施例は、サーマルアスピリティ検出
回路をデジタル回路で構成したものであり、第１の実施
の形態と同様の作用効果を奏する。又、サーマルアスピ
リティ検出信号ＴＡＦにより、アナログ／デジタル変換
器１４を制御しているため、アナログ／デジタル変換器
１４は、第３の実施の形態で示したホールド回路の機能
を奏する。
回路をデジタル回路で構成したものであり、第１の実施
の形態と同様の作用効果を奏する。又、サーマルアスピ
リティ検出信号ＴＡＦにより、アナログ／デジタル変換
器１４を制御しているため、アナログ／デジタル変換器
１４は、第３の実施の形態で示したホールド回路の機能
を奏する。
【００７２】図１０は、本発明の第７の実施の形態の回
路図である。
路図である。
【００７３】図９において、図１、図３、図７で示した
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、図３の振幅検出回路をデジタル処理回路で構
成している。即ち、振幅検出回路は、アナログハイパス
フィルタ出力をデジタル値に変換するアナログ／デジタ
ル変換器１４と、波形のエンベロープを演算するエンベ
ロープ演算器１５とで構成されている。デジタル／アナ
ログ変換器１６は、デジタルのエンペロープ演算出力を
アナログのスライスレベルＳＬに変換する。
ものと同一のものは、同一の記号で示してある。この実
施例では、図３の振幅検出回路をデジタル処理回路で構
成している。即ち、振幅検出回路は、アナログハイパス
フィルタ出力をデジタル値に変換するアナログ／デジタ
ル変換器１４と、波形のエンベロープを演算するエンベ
ロープ演算器１５とで構成されている。デジタル／アナ
ログ変換器１６は、デジタルのエンペロープ演算出力を
アナログのスライスレベルＳＬに変換する。
【００７４】この実施例は、サーマルアスピリティ検出
回路をデジタル回路で構成したものであり、第２の実施
の形態と同様の作用効果を奏する。又、サーマルアスピ
リティ検出信号ＴＡＦにより、アナログ／デジタル変換
器１４を制御しているため、アナログ／デジタル変換器
１４は、第３の実施の形態で示したホールド回路の機能
を奏する。
回路をデジタル回路で構成したものであり、第２の実施
の形態と同様の作用効果を奏する。又、サーマルアスピ
リティ検出信号ＴＡＦにより、アナログ／デジタル変換
器１４を制御しているため、アナログ／デジタル変換器
１４は、第３の実施の形態で示したホールド回路の機能
を奏する。
【００７５】図１１は、本発明の第８の実施の形態の回
路図である。
路図である。
【００７６】図１１において、図１、図７、図９で示し
たものと同一のものは、同一の記号で示してある。この
実施例でも、図１の振幅検出回路をデジタル処理回路で
構成している。即ち、振幅検出回路は、アナログ読み取
り信号をデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換
器１４と、波形のエンベロープを演算するエンベロープ
演算器１５とで構成されている。又、ローパスフィルタ
６は、デジタルローパスフィルタで構成されている。更
に、デジタル／アナログ変換器１６は、デジタルのロー
パスフィルタ出力をアナログのスライスレベルＳＬに変
換する。
たものと同一のものは、同一の記号で示してある。この
実施例でも、図１の振幅検出回路をデジタル処理回路で
構成している。即ち、振幅検出回路は、アナログ読み取
り信号をデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換
器１４と、波形のエンベロープを演算するエンベロープ
演算器１５とで構成されている。又、ローパスフィルタ
６は、デジタルローパスフィルタで構成されている。更
に、デジタル／アナログ変換器１６は、デジタルのロー
パスフィルタ出力をアナログのスライスレベルＳＬに変
換する。
【００７７】更に、読み取り信号ＲＳは、増幅回路７で
ｍ倍（ｍ＞１）される。そして、増幅回路７の出力は、
アッテネータ（減衰器）１３でレベル減衰された後、比
較回路８に入力する。又、増幅回路７の出力は、アナロ
グ／デジタル変換器１４に入力される。
ｍ倍（ｍ＞１）される。そして、増幅回路７の出力は、
アッテネータ（減衰器）１３でレベル減衰された後、比
較回路８に入力する。又、増幅回路７の出力は、アナロ
グ／デジタル変換器１４に入力される。
【００７８】この実施例は、サーマルアスピリティ検出
回路をデジタル回路で構成したものであり、第１の実施
の形態及び第６の実施の形態と同様の作用効果を奏す
る。又、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦにより、
アナログ／デジタル変換器１４を制御しているため、ア
ナログ／デジタル変換器１４は、第３の実施の形態で示
したホールド回路の機能を奏する。
回路をデジタル回路で構成したものであり、第１の実施
の形態及び第６の実施の形態と同様の作用効果を奏す
る。又、サーマルアスピリティ検出信号ＴＡＦにより、
アナログ／デジタル変換器１４を制御しているため、ア
ナログ／デジタル変換器１４は、第３の実施の形態で示
したホールド回路の機能を奏する。
【００７９】上述の実施の態様の他に、本発明は、次の
ような変形が可能である。
ような変形が可能である。
【００８０】(1) 磁気記憶装置を、磁気ディスク装置で
説明したが、磁気カード装置、磁気テープ装置等他の磁
気記憶装置に適用できる。
説明したが、磁気カード装置、磁気テープ装置等他の磁
気記憶装置に適用できる。
【００８１】(2) ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タ、ホールド回路を適宜組み合わせたサーマルアスピリ
ティ検出回路を構成することもできる。
タ、ホールド回路を適宜組み合わせたサーマルアスピリ
ティ検出回路を構成することもできる。
【００８２】以上、本発明の実施の形態により説明した
が、本発明の主旨の範囲内で種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
が、本発明の主旨の範囲内で種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次の効果を奏する。
次の効果を奏する。
【００８４】(1) 磁気抵抗素子の出力から、出力の相対
値のスライスレベルを作成するため、各磁気抵抗素子の
出力レベルに応じた大きさのスライスレベルを自動作成
できる。このため、各磁気抵抗素子の特性に応じたスラ
イスレベルを自動作成できるため、各磁気抵抗素子のサ
ーマルアスピリティを正確に検出できる。
値のスライスレベルを作成するため、各磁気抵抗素子の
出力レベルに応じた大きさのスライスレベルを自動作成
できる。このため、各磁気抵抗素子の特性に応じたスラ
イスレベルを自動作成できるため、各磁気抵抗素子のサ
ーマルアスピリティを正確に検出できる。
【００８５】(2) 各磁気抵抗素子の特性を測定すること
なく、実現できるため、測定の手間を省くことができ
る。
なく、実現できるため、測定の手間を省くことができ
る。
【００８６】(3) ヘッド選択時のスライスレベルの設定
制御が不要なため、ファームウェアの負担を軽減でき
る。
制御が不要なため、ファームウェアの負担を軽減でき
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の回路図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の波形図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の回路図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の波形図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の回路図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の波形図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の回路図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態の回路図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態の回路図である。
【図１０】本発明の第７の実施の形態の回路図である。
【図１１】本発明の第８の実施の形態の回路図である。
【図１２】従来のリード回路の構成図である。
【図１３】従来のＴＡ検出回路の構成図である。
【図１４】従来技術の波形図である。
１ 磁気ディスク（磁気記憶媒体） ２ー１、２ー２ 磁気ヘッド（磁気抵抗素子） ４ リードアンプ ５ 振幅検出回路 ６ ローパスフィルタ ７ 増幅回路 ８ 比較回路
Claims (13)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子により、磁気記憶媒体のデ
ータを読み取る磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検
出方法において、 前記磁気抵抗素子の出力の振幅を検出して、前記出力レ
ベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレベルを作成する第１
のステップと、 前記磁気抵抗素子の出力信号と、前記スライスレベルと
を比較して、サーマルアスピリティ検出信号を発生する
第２のステップとを有することを特徴とする磁気記憶装
置のサーマルアスピリティ検出方法。 - 【請求項２】 請求項１の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出方法において、 前記第１のステップは、 前記磁気抵抗素子の出力のレベルをｍ倍（ｍ＞１）する
ステップを有することを特徴とする磁気記憶装置のサー
マルアスピリティ検出方法。 - 【請求項３】 請求項１の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出方法において、 前記第１のステップは、 前記磁気抵抗素子の出力の所定の周波数成分を除去する
ステップを有することを特徴とする磁気記憶装置のサー
マルアスピリティ検出回路。 - 【請求項４】 請求項３の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出方法において、 前記除去するステップは、 前記磁気抵抗素子の出力の低周波数成分を除去するステ
ップで構成されていることを特徴とする磁気記憶装置の
サーマルアスピリティ検出方法。 - 【請求項５】 請求項３の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出方法において、 前記除去するステップは、 前記磁気抵抗素子の出力の高周波数成分を除去するステ
ップで構成されていることを特徴とする磁気記憶装置の
サーマルアスピリティ検出方法。 - 【請求項６】 請求項１の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出方法において、 前記第１のステップは、 前記サーマルアスピリティ検出信号に応じて、前記磁気
抵抗素子の出力レベルをホールドするステップを有する
ことを特徴とする磁気記憶装置のサーマルアスピリティ
検出方法。 - 【請求項７】 磁気抵抗素子により、磁気記憶媒体のデ
ータを読み取る磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検
出回路において、 前記磁気抵抗素子の出力の振幅を検出して、前記出力レ
ベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレベルを作成するスラ
イスレベル作成回路と、 前記磁気抵抗素子の出力信号と、前記スライスレベルと
を比較して、サーマルアスピリティ検出信号を発生する
比較回路とを有することを特徴とする磁気記憶装置のサ
ーマルアスピリティ検出回路。 - 【請求項８】 請求項７の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出回路において、 前記スライスレベル作成回路は、 前記磁気抵抗素子の出力の振幅を検出する振幅検出回路
を有することを特徴とする磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出回路。 - 【請求項９】 請求項７の磁気記憶装置のサーマルアス
ピリティ検出回路において、 前記スライスレベル作成回路は、 前記磁気抵抗素子の出力のレベルをｍ倍（ｍ＞１）する
増幅回路を有することを特徴とする磁気記憶装置のサー
マルアスピリティ検出回路。 - 【請求項１０】 請求項７の磁気記憶装置のサーマルア
スピリティ検出回路において、 前記スライスレベル検出回路は、 前記磁気抵抗素子の出力の所定の周波数成分を除去する
ためのフィルターを有することを特徴とする磁気記憶装
置のサーマルアスピリティ検出回路。 - 【請求項１１】 請求項１０の磁気記憶装置のサーマル
アスピリティ検出回路において、 前記フィルターは、 前記磁気抵抗素子の出力の低周波数成分を除去するハイ
パスフィルターで構成されていることを特徴とする磁気
記憶装置のサーマルアスピリティ検出回路。 - 【請求項１２】 請求項１０の磁気記憶装置のサーマル
アスピリティ検出回路において、 前記フィルターは、 前記磁気抵抗素子の出力の高周波数成分を除去するロー
パスフィルターで構成されていることを特徴とする磁気
記憶装置のサーマルアスピリティ検出回路。 - 【請求項１３】 請求項７の磁気記憶装置のサーマルア
スピリティ検出回路において、 前記スライスレベル検出回路は、 前記サーマルアスピリティ検出信号に応じて、前記磁気
抵抗素子の出力レベルをホールドするホールド回路を有
することを特徴とする磁気記憶装置のサーマルアスピリ
ティ検出回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171144A JP2000011305A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路 |
| US09/206,472 US6265869B1 (en) | 1998-06-18 | 1998-12-07 | Method of detecting thermal asperity of magnetic storage device and circuit thereof |
| KR1019980061678A KR100290056B1 (ko) | 1998-06-18 | 1998-12-30 | 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로 |
| DE19900433A DE19900433C2 (de) | 1998-06-18 | 1999-01-08 | Verfahren zum Detektieren der thermischen Unebenheit einer Magnetspeichervorrichtung und Schaltung dafür |
| CN99101726A CN1124591C (zh) | 1998-06-18 | 1999-02-01 | 检测磁存储器的热不平度的方法及其电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171144A JP2000011305A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000011305A true JP2000011305A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15917810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10171144A Withdrawn JP2000011305A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6265869B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000011305A (ja) |
| KR (1) | KR100290056B1 (ja) |
| CN (1) | CN1124591C (ja) |
| DE (1) | DE19900433C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8730602B2 (en) | 2010-03-26 | 2014-05-20 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for detecting touch-down and contact between a head and a storage medium using a sensor, and a disk drive and storage medium using the method |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501611B1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Data recovery apparatus, method and memory medium for a magnetic memory read/write channel |
| US20030002193A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Echere Iroaga | Method of providing a programmable voltage bias during multi channel servo mode |
| KR100442864B1 (ko) * | 2001-09-04 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 시스템에서의 불안정성 헤드 판단에 의한회복 방법 및 장치 |
| AU2002323295A1 (en) | 2002-03-29 | 2003-10-20 | Seagate Technology Llc | Mr head thermal asperity cancellation |
| US7595948B1 (en) | 2003-10-24 | 2009-09-29 | Marvell International Ltd. | Thermal asperity detection for perpendicular magnetic recording |
| US7626777B2 (en) * | 2005-09-23 | 2009-12-01 | Agere Systems Inc. | Variable threshold bipolar signal peak detector |
| US20080278838A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-13 | Broadcom Corporation | Thermal asperity detector and methods for use therewith |
| JP2010271091A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Seiko Epson Corp | 周波数測定装置 |
| JP5517033B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定装置 |
| JP5440999B2 (ja) | 2009-05-22 | 2014-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定装置 |
| JP5582447B2 (ja) | 2009-08-27 | 2014-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気回路、同電気回路を備えたセンサーシステム、及び同電気回路を備えたセンサーデバイス |
| JP5815918B2 (ja) | 2009-10-06 | 2015-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定方法、周波数測定装置及び周波数測定装置を備えた装置 |
| JP5876975B2 (ja) | 2009-10-08 | 2016-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定装置及び周波数測定装置における変速分周信号の生成方法 |
| JP5883558B2 (ja) | 2010-08-31 | 2016-03-15 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定装置及び電子機器 |
| US8523312B2 (en) | 2010-11-08 | 2013-09-03 | Seagate Technology Llc | Detection system using heating element temperature oscillations |
| WO2012068396A1 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-24 | Seagate Technology Llc | Asperity and head-media contact detection using multi-stage temperature coefficient of resistance sensor |
| US9679595B1 (en) | 2016-03-30 | 2017-06-13 | Seagate Technology Llc | Thermal asperity detection apparatus and method |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4898760A (ja) | 1972-03-29 | 1973-12-14 | ||
| JP3175415B2 (ja) * | 1993-08-09 | 2001-06-11 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録再生装置 |
| US5701314A (en) * | 1995-12-21 | 1997-12-23 | Cirrus Logic, Inc. | On-the-fly error correction using thermal asperity erasure pointers from a sampled amplitude read channel in a magnetic disk drive |
| US5822139A (en) * | 1996-05-10 | 1998-10-13 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Method of detecting thermal asperity error of MR head and magnetic disk certifier using the same method |
| JP3268729B2 (ja) * | 1996-06-27 | 2002-03-25 | 株式会社東芝 | 磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置におけるエラー訂正方法 |
| US5898532A (en) * | 1996-07-02 | 1999-04-27 | Seagate Technology Inc. | MR head thermal asperity recovery |
| JPH1049806A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Toshiba Corp | 磁気ディスク装置及び同装置のノイズ補償方法 |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP10171144A patent/JP2000011305A/ja not_active Withdrawn
- 1998-12-07 US US09/206,472 patent/US6265869B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-30 KR KR1019980061678A patent/KR100290056B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-08 DE DE19900433A patent/DE19900433C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-01 CN CN99101726A patent/CN1124591C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8730602B2 (en) | 2010-03-26 | 2014-05-20 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for detecting touch-down and contact between a head and a storage medium using a sensor, and a disk drive and storage medium using the method |
| KR101592195B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2016-02-05 | 시게이트 테크놀로지 인터내셔날 | 센서를 이용한 터치-다운 및 헤드/미디어 접촉 검출 방법 및 장치와 이를 적용한 디스크 드라이브 및 저장매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000004891A (ko) | 2000-01-25 |
| DE19900433C2 (de) | 2002-07-18 |
| DE19900433A1 (de) | 1999-12-23 |
| KR100290056B1 (ko) | 2001-05-15 |
| US6265869B1 (en) | 2001-07-24 |
| CN1240286A (zh) | 2000-01-05 |
| CN1124591C (zh) | 2003-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000011305A (ja) | 磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路 | |
| JP5059218B2 (ja) | ディスクファイルプレアンプ周波数応答及び時間遅延の補正 | |
| US8359527B1 (en) | Averaging signals to improve signal interpretation | |
| JP3553292B2 (ja) | サーマルアスペリティ除去方法及び磁気ディスク装置 | |
| US6175460B1 (en) | Magnetic recording and reproduction apparatus | |
| US7062698B2 (en) | Method and apparatus to control head instability in a data storage system | |
| US7483227B1 (en) | Detecting a thermal asperity condition of a disk drive head responsive to data value transitions | |
| US7852584B2 (en) | Head IC, read circuit, and media storage device | |
| US20120033316A1 (en) | Systems and Methods for Format Efficient Calibration for Servo Data Based Harmonics Calculation | |
| US7616394B2 (en) | Storage apparatus, control method and control apparatus | |
| JP2002298315A (ja) | ディスクドライブの不安定性ヘッド回復装置及び方法 | |
| JP2005293829A (ja) | サーマルアスペリティ過渡的状態制御を具備する読取ヘッド前置増幅器 | |
| JP3924405B2 (ja) | データ・ブロックの書き込み方法、装置、及び記憶媒体 | |
| US6762895B2 (en) | Magnetic disk drive and position error signal generation method | |
| JP3501898B2 (ja) | 磁気記録情報再生装置および信号処理回路 | |
| JP2002530797A (ja) | 記録キャリアからの情報読取り装置 | |
| KR100396660B1 (ko) | 광 기록매체의 결함영역 제어 방법 및 장치 | |
| US20090296259A1 (en) | Automatic gain control for magnetic disk-drive preamplifier | |
| JP3075353B2 (ja) | 情報記録再生装置および情報記録再生方法 | |
| JP2007335016A (ja) | ヘッドスラップ検出装置、記憶装置、ヘッドスラップ検出方法、およびヘッドスラップ検出プログラム | |
| JP2009516320A (ja) | 放射線源の電力を制御するシステム及び方法 | |
| JP3006683B2 (ja) | Ｍｒヘッド用の再生信号波形制御装置 | |
| JPH11213307A (ja) | 磁気ディスク装置及び同装置に適用される熱アスペリティキャンセル方法 | |
| JPH10320723A (ja) | Ｍｒヘッドにおける上下振幅非対称の補償回路および上下振幅非対称の調整方法 | |
| JP5243915B2 (ja) | データスライス回路及びこれを用いた光ディスク装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |