KR100290056B1 - 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로 - Google Patents

자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로 Download PDF

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Abstract

자기 저항 소자가 자기 기억 매체에 접촉한 것을 검출하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로를 개시한다. 그 방법은 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하여, 출력 레벨의 m배(m〉1)의 슬라이스 레벨을 작성한다. 자기 저항 소자의 출력으로부터, 출력의 상대치의 슬라이스 레벨을 작성하기 때문에, 각 자기 저항 소자의 출력 레벨에 따른 크기의 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있다. 각 자기 저항 소자의 특성에 따른 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있기 때문에, 각 자기 저항 소자의 서멀 애스패러티를 정확히 검출할 수 있다.

Description

자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로
본 발명은 자기 저항 소자에 의해 자기 기억 매체의 데이터를 판독하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로에 관한 것이다.
자기 디스크 장치에 있어서는, 자기 헤드가, 회전하는 자기 디스크로부터 데이터를 독출하여 기록한다. 이 자기 헤드는 자기 디스크의 회전에 의해 부상(浮上:float)한다. 이 자기 디스크 장치의 기억 밀도의 고밀도화를 가능하게 하기 위해서, 자기 저항 소자가 자기 헤드의 판독 소자로서 사용되고 있다.
자기 저항 소자(MR[Magnetic Resistance] 소자)는 자계의 강도에 따라서, 저항치가 변화하는 소자이다. 이 자기 헤드는 자기 디스크로부터 부상한 상태에서, 자기 디스크의 데이터를 판독한다. 기억 밀도를 향상시키기 위해서, 자기 디스크로부터의 자계의 누설(leakage)을 작게 할 필요가 있다. 이 때문에, 자기 헤드의 부상량을 작게 할 필요가 있어, 부상량(floating quantity)은 수십 미크론까지 작아져 있다.
한편, 자기 디스크의 표면에는, 수 미크론∼수십 미크론 정도의 요철이 있어, 완전하게 평평하지 않다. 이 자기 디스크의 요철에 의해, 자기 헤드가 자기 디스크에 접촉하는 일이 있다. 자기 저항 소자는 이 접촉에 의해, 열을 발생시킨다. 이 접촉열에 의해, 자기 저항 소자의 저항치가 변화하여, 판독 출력 베이스라인이 변화한다. 이것을 서멀 애스패러티(TA[Thermal Asperity])라고 한다. 이 때문에, 정상적으로 신호를 독출할 수 없다.
이 때문에, 자기 저항 소자가, 자기 디스크에 접촉한 것을 검출하여, 독출 신호에 어떠한 대처를 해야 할 필요가 있어, 서멀 애스패러티를 검출하는 기술이 필요하게 된다.
도 12는 종래의 판독 회로의 구성도, 도 13은 종래의 TA(서멀 애스패러티) 검출 회로의 구성도, 도 14는 종래 기술의 파형도이다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 자기 헤드(91-1, 91-2)는 회전하는 자기 디스크(90)의 데이터를 판독하여 기록한다. 1장의 자기 디스크(90)에 대하여, 2개의 자기 헤드(91-1, 91-2)가 설치된다. 이 자기 헤드(91-1, 91-2)는 판독 소자로서 자기 저항 소자를 갖는다.
자기 디스크 장치의 전부의 자기 헤드(자기 저항 소자)에 대하여, 1개의 판독 회로(98)가 설치된다. 스위치(97)는 1개의 판독 회로(98)에, 선택된 자기 헤드를 접속한다. 판독 증폭기(92)는 선택된 자기 헤드(자기 저항 소자)(91-1, 91-2)의 판독 신호를 증폭한다.
서멀 애스패러티 검출 회로(93)는 자기 헤드(91-1, 91-2)의 판독 출력으로부터 서멀 애스패러티를 검출한다. 고역 필터(94)는 판독 증폭기(92)에서 증폭된 판독 신호의 저주파수 성분을 차단한다. 아날로그/디지탈 변환기(95)는 판독 신호를 디지탈치로 변환한다. 판독 채널 회로(96)는 마이크로프로세서로 구성되어 있다. 판독 채널 회로(96)는 디지탈치의 판독 신호를 원상 회복하여, 판독 데이터를 출력한다.
이 종래의 서멀 애스패러티 검출 회로(93)는 도 13에 도시하는 바와 같이, 슬라이스 레벨 SL을 발생시키는 전위원(100)과, 자기 헤드(자기 저항 소자)(91-1, 91-2)의 판독 신호 레벨과, 슬라이스 레벨 SL을 비교하는 비교 회로(99)로 구성되어 있었다.
도 14에 도시하는 바와 같이, 자기 디스크(90)에 접촉하지 않을 때의 자기 저항 소자의 판독 출력(RS-1)은 베이스라인이 일정하다. 그러나, 자기 저항 소자가 자기 디스크(90)에 접촉한 경우에는, 판독 출력은 도 14의 RS-2와 같이 변화한다. 즉, 자기 저항 소자가 자기 디스크(90)에 접촉하면, 자기 저항 소자의 열에 의해, 자기 저항 소자의 판독 출력(RS-2)의 베이스라인은 급격히 상승한다. 그리고, 베이스라인은 자기 저항 소자의 열의 저하에 따라서, 점차 원래의 값으로 되돌아간다.
종래, 이러한 출력 변화를 나타내는 서멀 애스패러티를 검출하기 위해서, 판독 신호와, 각 헤드에 공통의 일정한 슬라이스 레벨 SL을 비교하였다. 그리고, 판독 레벨이, 슬라이스 레벨 SL을 넘으면, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 발생하였다.
이 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF는 판독 채널 회로(96)에 통지되어, 판독 채널 회로(96)는 판독 신호 베이스라인을 보정하는 처리를 행한다. 예컨대, 판독 채널 회로(96)는 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 수신하면, 판독 재시도를 행하고, 다시 그 트랙의 판독을 행한다.
그리고, 판독 재시도시에는, 판독 채널 회로(96)는 고역 필터(94)를 동작하여, 판독 신호(RS-2)의 저주파수 성분을 차단한다. 베이스라인의 변화의 주파수는 판독 신호의 데이터 부분의 주파수에 비하여 낮다. 이 때문에, 판독 신호 (RS-2)는 도 14에 도시하는 파형 RS-3과 같이, 베이스라인의 변화한 부분의 저주파수 성분이 차단된다. 이로써, 베이스라인의 변화한 부분의 시간(길이)을 작게 한다.
이 베이스라인의 변화한 부분은 작으므로, 이 부분의 데이터가 비정상이라고 판정되어도, 후단의 에러 정정에 의해 구제할 수 있다. 또한, 서멀 애스패러티를 검출하였을 때에만, 고역 필터를 동작시키는 이유는, 상시 고역 필터를 동작시키면, 상시 판독 신호의 저주파수 성분이 차단되고, 신호 레벨이 저하하여, 읽기 에러가 많아지기 때문이다. 서멀 애스패러티를 검출하였을 때에만, 고역 필터를 동작시킴으로써, 신호 레벨의 저하를 최소한의 범위로 억제할 수 있다.
이와 같이, 종래는 슬라이스 레벨을 각 헤드에 공통의 절대치로 설정하였다.
그렇지만, 종래 기술에서는, 다음 문제가 있었다.
첫째, 판독 회로(98) (서멀 애스패러티 검출 회로(93))는 자기 디스크 장치의 각 헤드에 대하여, 1개 설치된다. 그런데, 각 자기 헤드(자기 저항 소자)의 출력 레벨은, 자기 저항 소자의 저항치나, 센스 전류의 상이에 따라서 다르다. 종래는, 이러한 각 자기 저항 소자마다 다른 출력 레벨에 대하여, 공통의 슬라이스 레벨을 설정하였기 때문에, 각 자기 저항 소자의 서멀 애스패러티를 정확히 검출할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
둘째, 이 문제를 피하기 위해서는, 각 자기 저항 소자의 출력 레벨을 측정하고, 각 자기 저항 소자의 서멀 애스패러티 검출의 슬라이스 레벨을 설정하는 방법을 취할 필요가 있다. 이 방법에서는, 자기 디스크 장치내의 각 자기 저항 소자의 특성을 측정하여, 슬라이스 레벨을 결정해야 한다고 하는 문제가 있었다. 더구나, 이 방법에서는, 각 자기 저항 소자의 슬라이스 레벨을 메모리에 저장하고, 자기 헤드(자기 저항 소자)의 선택시에, 선택된 자기 헤드(자기 저항 소자)의 슬라이스 레벨을, 서멀 애스패러티 검출 회로에 설정해야 한다고 하는 문제가 있었다. 이로써, 서멀 애스패러티의 검출을 위해서, 측정에 번거로움이 많고, 또한 헤드 선택시에, 제어가 필요하다고 하는 문제가 발생된다.
본 발명의 목적은 각 자기 저항 소자의 특성에 따른 슬라이스 레벨에 의해, 서멀 애스패러티를 검출하기 위한 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 각 자기 저항 소자의 특성을 측정하지 않고, 각 자기 저항 소자의 특성에 따른 슬라이스 레벨에 의해, 서멀 애스패러티를 검출하기 위한 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 헤드 선택시에, 각 자기 저항 소자의 슬라이스 레벨을 설정하는 일 없이, 각 자기 저항 소자의 특성에 따른 슬라이스 레벨에 의해, 서멀 애스패러티를 검출하기 위한 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법 및 그 회로를 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 회로도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 파형도.
도 3은 본 발명의 제2 실시 형태의 회로도.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태의 파형도.
도 5는 본 발명의 제3 실시 형태의 회로도.
도 6은 본 발명의 제3 실시 형태의 파형도.
도 7은 본 발명의 제4 실시 형태의 회로도.
도 8은 본 발명의 제5 실시 형태의 회로도.
도 9는 본 발명의 제6 실시 형태의 회로도.
도 10은 본 발명의 제7 실시 형태의 회로도.
도 11은 본 발명의 제8 실시 형태의 회로도.
도 12는 종래의 판독 회로의 구성도.
도 13은 종래의 TA 검출 회로의 구성도.
도 14는 종래 기술의 파형도.
〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 〉
1 : 자기 디스크
2-1, 2-2 : 자기 헤드(자기 저항 소자)
3 : 스위치
4 : 판독 증폭기
5 : 진폭 검출 회로
6 : 저역 필터
7 : 증폭 회로
8 : 비교 회로
본 발명의 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법은 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하여, 상기 출력 레벨의 m배(m〉1)의 슬라이스 레벨을 작성하는 제1 단계와, 자기 저항 소자의 출력 신호와, 상기 슬라이스 레벨을 비교하여, 서멀 애스패러티 검출 신호를 발생시키는 제2 단계를 가진다.
또한, 본 발명의 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로는 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하여, 상기 출력 레벨의 m배(m〉1)의 슬라이스 레벨을 작성하는 슬라이스 레벨 작성 회로와, 자기 저항 소자의 출력 신호와, 상기 슬라이스 레벨을 비교하여, 서멀 애스패러티 검출 신호를 발생시키는 비교 회로를 가진다.
본 발명은 자기 저항 소자의 출력으로부터 슬라이스 레벨을 작성한다. 즉, 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하여, 출력 레벨의 m배(m〉1)의 슬라이스 레벨을 작성한다. 이와 같이, 자기 저항 소자의 출력으로부터, 출력의 상대치의 슬라이스 레벨을 작성하기 때문에, 각 자기 저항 소자의 출력 레벨에 따른 크기의 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있다.
이 때문에, 각 자기 저항 소자의 특성에 따른 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있기 때문에, 각 자기 저항 소자의 서멀 애스패러티를 정확히 검출할 수 있다. 더구나, 각 자기 저항 소자의 특성을 측정하는 일 없이, 실현할 수 있기 때문에, 측정의 수고를 덜 수 있다. 또한, 헤드 선택시의 슬라이스 레벨의 설정 제어가 불필요하기 때문에, 펌웨어의 부담을 경감할 수 있다.
본 발명의 다른 태양에서는, 제1 단계는 자기 저항 소자의 출력의 레벨을 m 배(m〉1)로 하는 단계를 가진다.
본 발명의 또다른 태양에서는, 제1 단계는 자기 저항 소자의 출력의 소정의 주파수 성분을 제거하는 단계를 가진다.
본 발명의 또다른 태양에서는, 제거하는 단계는 상기 자기 저항 소자의 출력의 저주파수 성분을 제거하는 단계로 구성되어 있다.
본 발명의 또다른 태양에서는, 제거하는 단계는 자기 저항 소자의 출력의 고주파수 성분을 제거하는 단계로 구성되어 있다.
본 발명의 또다른 태양에서는, 제1 단계는 서멀 애스패러티 검출 신호에 따라서, 상기 자기 저항 소자의 출력 레벨을 유지하는 단계를 가진다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 다음 상세한 설명으로 명백해질 것이다.
첨부 도면은 명세서의 일부를 이루며, 상기 주어진 일반적인 설명과 함께 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내고, 바람직한 실시예의 상세한 설명은 이하에 기술되어 있고 본 발명을 설명한다.
발명의 실시 형태
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 회로도, 도 2는 도 1의 구성의 파형도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 자기 디스크(1)는 도시하지 않은 스핀들 모터에 의해 회전된다. 자기 디스크(1)의 표면과 이면에, 한쌍의 자기 헤드(2-1, 2-2)가 설치되어 있다. 이 자기 헤드(2-1, 2-2)는 판독 소자로서 자기 저항 소자를 가진다.
스위치(3)는 자기 헤드(2-1, 2-2)를 전환하는 것이다. 판독 증폭기(4)는 자기 헤드(자기 저항 소자)(2-1, 2-2)의 판독 출력을 증폭하여, 고역 필터(94)(도 12참조)에 출력한다.
서멀 애스패러티 검출 회로(9)는 진폭 검출 회로(5)와, 저역 필터(6)와, 증폭 회로(7)와, 비교 회로(8)로 구성되어 있다. 진폭 검출 회로(5)는 판독 신호 RS의 진폭을 검출하는 것이고, 정류기로 구성되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 진폭 검출 출력 AS는 판독 신호(입력 신호) RS의 포락선(envelope)을 나타낸다.
저역 필터(6)는 정류 출력의 고주파수 성분을 제거한다. 이 저역 필터(6)는 자기 헤드의 접촉 직후에 생기는 고주파수 성분을 제거한 필터 출력 BS(도 2참조)를 발생시킨다. 증폭 회로(7)는 필터 출력(BS)의 레벨을 m배(m〉1)하여, 슬라이스 레벨 SL을 작성한다.
비교 회로(8)는 입력 신호 RS와 슬라이스 레벨 SL을 비교하여, 입력 신호 RS가 슬라이스 레벨 SL을 넘었을 때에, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 발생시킨다.
이 회로의 동작을 설명한다. 판독 신호 RS는 진폭 검출 회로(5)에서, 진폭검출되고, 진폭 검출 신호 AS가 발생된다. 이 진폭 검출 신호 AS는 저역 필터(6)에서, 고주파수 성분을 제거한다. 이 이유는, 서멀 애스패러티에 의해 DC 레벨이 급격히 변동하여, 진폭 검출 회로(5)가 그 변동에 추종하면, 서멀 애스패러티의 산승을 검출할 수 없을 우려가 있기 때문이다.
이 때문에, 도 2의 저역 필터 출력 BS에 나타내는 바와 같이, 저역 필터(6)에 의해, 진폭 검출 회로(5)의 출력 AS의 고주파수 성분을 제거하여, 슬라이스 레벨이, 판독 신호 RS의 DC 레벨의 급격한 변동에 추종하지 않도록 하였다. 이에 따라, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 따라, 오동작을 일으키는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
이 저역 필터 출력 BS는 증폭 회로(7)에서, m배(m〉1)로 증폭되고, 슬라이스 레벨 SL이 작성된다. 비교 회로(8)는 입력 신호 RS와 슬라이스 레벨 SL을 비교하여, 입력 신호 RS가 슬라이스 레벨 SL을 넘었을 때에, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 발생시킨다.
이 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF는, 판독 채널 회로(96)(도 12참조)에 입력한다. 판독 채널 회로(96)는 상술한 바와 같이, 판독 신호 베이스라인을 보정하는 처리를 행한다. 예컨대, 판독 채널 회로(96)는 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 수신하면, 판독 재시도를 하여, 다시 그 트랙의 판독을 행한다.
그리고, 판독 재시도시에는, 판독 채널 회로(96)는, 고역 필터(94)를 동작하여, 판독 신호 RS의 저주파수 성분을 제거한다. 이로써, 베이스라인의 변화한 부분의 시간(길이)를 작게 한다. 이 베이스라인의 변화한 부분은 작기 때문에, 이 부분의 데이터가 비정상이라고 판정되어도, 후단의 에러 정정에 의해 구제할 수 있다.
또한, 이 실시 형태에서는, 서멀 애스패러티에 의한 판독 신호의 상승 시점에서, 검출 신호 TAF를 발생시킬 수 있기 때문에, 판독 재시도를 행하지 않고서, 즉시,고역 필터를 동작시킬 수 있다.
이렇게하여, 자기 저항 소자의 판독 신호의 진폭을 검출하여, m배의 슬라이스 레벨을 작성하기 때문에, 각 자기 저항 소자의 판독 신호 레벨의 상대치로서의 슬라이스 레벨을 작성할 수 있다. 이 때문에, 자기 저항 소자의 출력 레벨에 대응한 최적의 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있다. 따라서, 자기 저항 소자의 출력 레벨이 상이하더라도, 정확히 서멀 애스패러티를 검출할 수 있다.
또한, 저역 필터(6)에 의해, 고주파수 성분을 제거하였기 때문에, 슬라이스 레벨이 판독 신호 RS의 DC 레벨이 급격한 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 슬라이스 레벨이, 판독 신호의 변동에 추종하여, 오동작을 일으키는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 형태의 회로도, 도 4는 도 3의 구성의 파형도이다.
도 3에 있어서, 도 1에서 도시하는 것과 동일한 것은, 동일한 기호로 표시되어 있다. 고역 필터(10)는 진폭 검출 회로(5)의 전단에 설치되어, 판독 신호 RS의 저주파수 성분을 제거한다.
이 회로의 동작을 설명한다. 판독 신호 RS는 고역 필터(10)에서, 저주파수 성분이 제거된다. 이 이유는 서멀 애스패러티에 의해 DC 레벨이 급격히 변동하여, 진폭 검출 회로(5)가 그 변동에 추종하면, 서멀 애스패러티에 의한 판독 신호의 변동을 검출할 수 없을 우려가 있기 때문이다.
이 때문에, 도 4의 고역 필터 출력 CS에 도시하는 바와 같이, 고역 필터(10)에 의해, 신호 진폭 레벨에 영향이 없는 저주파수 성분을 차단 오프한다. 이에 따라, 슬라이스 레벨이 판독 신호 RS의 DC 레벨의 변동에 추종하지 않도록 하였다. 이로써, 슬라이스 레벨이, 판독 신호의 변동에 따라, 오동작을 일으키는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
이 고역 필터(10)의 출력 CS는 진폭 검출 회로(5)에서, 진폭 검출되어 진폭검출 신호 DS가 발생된다. 이 진폭 검출 신호 DS는 증폭 회로(7)에서, m배(m〉 1)로 증폭되고, 슬라이스 레벨 SL이 작성된다. 비교 회로(8)는 입력 신호 RS와 슬라이스 레벨 SL을 비교하여, 입력 신호 RS가 슬라이스 레벨 SL을 넘었을 때에, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 발생시킨다.
이 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF는, 도 1의 예와 마찬가지로, 판독 채널 회로(96)(도 12 참조)에 입력하여, 판독 채널 회로(96)는 상술한 바와 같이, 판독 신호 베이스라인을 보정하는 처리를 행한다. 예컨대, 판독 채널 회로(96)는 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 수신하면, 판독 재시도를 행하고, 다시 그 트랙의 판독을 행한다.
그리고, 판독 재시도시에는, 판독 채널 회로(96)는, 고역 필터(94)를 동작하여, 판독 신호 RS의 저주파수 성분을 제거한다. 이에 따라, 베이스라인의 변화한 부분의 시간(길이)를 작게 한다.
이렇게 하여, 자기 저항 소자의 판독 신호의 진폭을 검출하여, m배의 슬라이스 레벨을 작성하기 때문에, 각 자기 저항 소자의 판독 신호 레벨의 상대치로서의 슬라이스 레벨을 작성할 수 있다. 이 때문에, 자기 저항 소자의 출력 레벨에 대응한 최적의 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있다. 따라서, 자기 저항 소자의 출력 레벨이 상이하더라도, 정확히 서멀 애스패러티를 검출할 수 있다.
또한, 고역 필터(10)에 의해, 저주파수 성분을 제거하였기 때문에, 슬라이스 레벨이 판독 신호 RS의 DC 레벨의 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 슬라이스 레벨이, 판독 신호의 변동에 추종하여, 오동작을 일으키는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 형태의 회로도, 도 6는 도 5의 구성의 파형도이다.
도 5에 있어서, 도 1 및 도 3에서 도시한 것과 동일한 것은, 동일한 기호로 표시되어 있다. 도 5에 있어서, 홀드 회로(11)은 진폭 검출 회로(5)의 진폭 검출레벨을 서멀 애스패러티 검출 신호(TAF)에 따라서 홀드한다.
이 회로의 동작을 설명한다. 판독 신호 RS는 진폭 검출 회로(5)에서, 진폭검출되어, 진폭 검출 신호 AS가 발생된다. 이 진폭 검출 신호 AS는, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF의 발생시에, 레벨을 홀드하는 홀드 회로(11)에 의해, 레벨 이 홀드된다.
이 이유는, 서멀 애스패러티에 의해 DC 레벨이 급격히 변동하여, 진폭 검출 회로(5)가, 그 변동에 추종하면, 서멀 애스패러티의 상승을 검출할 수 없을 우려가 있기 때문이다.
이 때문에, 도 6의 홀드 출력 ES에 도시하는 바와 같이, 서멀 애스패러티 검출 신호의 발생시에, 홀드 회로(11)에 의해, 진폭 검출 회로(5)의 출력 AS(도 2 참조)의 레벨을 홀드하고, 판독 신호 RS의 DC 레벨의 변동의 시정수가 길어도, 슬라이스 레벨이 그 변동에 추종하지 않도록 하였다. 이로써, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 추종하여, 오동작을 일으키는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
이 홀드 출력 ES는 증폭 회로(7)에서, m배(m〉1)로 증폭되고, 슬라이스 레벨 SL이 작성된다. 비교 회로(8)는 입력 신호 RS와 슬라이스 레벨 SL을 비교하여, 입력 신호 RS가 슬라이스 레벨 SL을 넘었을 때에, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 발생시킨다.
이 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF는 판독 채널 회로(96)(도 12참조)에 입력한다. 판독 채널 회로(96)은 전술한 바와 같이, 판독 신호 베이스라인을 보정하는 처리를 행한다. 예컨대, 판독 채널 회로(96)는 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF를 수신하면, 판독 재시도를 행하여, 다시 그 트랙의 판독을 행한다.
그리고, 판독 재시도시에는, 판독 채널 회로(96)는 고역 필터(94)를 동작하여, 판독 신호 RS의 저주파수 성분을 제거한다. 이로써, 베이스라인의 변화한 부분의 시간(길이)를 작게 한다. 이 베이스라인의 변화한 부분은 작기 때문에, 이 부분의 데이터가 비정상이라고 판정되어도, 후단의 에러 정정에 의해 구제할 수 있다.
또한, 이 실시 형태에서는, 서멀 애스패러티에 의한 판독 신호의 상승 시점에서, 검출 신호 TAF를 발생시킬 수 있기 때문에, 판독 재시도를 하지 않고서, 즉시, 고역 필터를 동작할 수 있다.
이렇게 하여, 자기 저항 소자의 판독 신호의 진폭을 검출하여, m배의 슬라이스 레벨을 작성하기 때문에, 각 자기 저항 소자의 판독 신호 레벨의 상대치로서의 슬라이스 레벨을 작성할 수 있다. 이 때문에, 자기 저항 소자의 출력 레벨에 대응한 최적의 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있다. 따라서, 자기 저항 소자의 출력 레벨이 상이하더라도, 정확히 서멀 애스패러티를 검출할 수 있다.
또한, 홀드 회로(11)에 의해, 검출시의 레벨을 홀드하였기 때문에, 슬라이스 레벨이 판독 신호 RS의 DC 레벨이 급격한 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 따라, 오동작을 일으키는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시 형태의 회로도이다.
도 7에 있어서, 도 1, 도 3, 도 5에서 도시하는 것과 동일한 것은, 동일한 기호로 표시되어 있다. 본 실시예에서는, 판독 신호 RS를 증폭기(12)에서 n배(n〈m)하여, 비교 회로(8)에 입력하고 있다. 그리고, 진폭 검출 회로(5)의 전단에 증폭 회로(7)를 설치하여, 판독 신호 RS를 m배(m〉1)하고 있다. 또한, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 저역 필터(6)를 진폭 검출 회로(5)의 후단에 설치하여, 제3 실시 형태에서 설명한 홀드 회로(11)를 이 저역 필터(6)의 후단에 설치하고 있다.
본 실시 형태에서는, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 저역 필터(6)에 의해, 진폭 검출 회로(5)의 진폭 검출 출력의 고주파수 성분을 제거하여, 제3 실시 형태로 설명한 바와 같이, 홀드 회로에서, 검출시의 레벨을 홀드한다.
이 때문에, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있고, 또한 제3 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 변동의 시정수가 길어도, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제5 실시 형태의 회로도이다.
도 8에 있어서, 도 1, 도 3, 도 5에서 도시한 것과 동일한 것은, 동일한 기호로 표시되어 있다. 본 실시예에서는, 판독 신호 RS를 증폭 회로(7)에서 m배(m〉 1)한 후, 비교 회로(8)의 입력은 감쇠기(attenuator)(13)에서 레벨이 감쇠된다. 또한, 제2 실시 형태에서 설명한 고역 필터(10)를 진폭 검출 회로(5)의 전단에 설치하고, 제3 실시 형태에서 설명한 홀드 회로(11)를 이 진폭 검출 회로(5)의 후단에 설치하고 있다.
본 실시 형태에서는, 제2 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 고역 필터(10)에 의해, 판독 신호 RS의 저주파수 성분을 제거하여, 제3 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 홀드 회로에서, 검출시의 레벨을 홀드한다.
이 때문에, 제2 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있고, 또한 제3 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 변동의 시정수가 길더라도, 슬라이스 레벨이 판독 신호의 변동에 추종하는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제6 실시 형태의 회로도이다.
도 9에 있어서, 도 1, 도 3, 도 7에서 도시한 것과 동일한 것은, 동일한 기호로 표시되어 있다. 본 실시예에서는, 도 1의 진폭 검출 회로를 디지탈 처리 회로에서 구성하고 있다. 즉, 진폭 검출 회로는 아날로그 판독 신호를 디지탈치로 변환하는 아날로그/디지탈 변환기(14)와, 파형의 포락선을 연산하는 포락선(envelope) 연산기(15)로 구성되어 있다. 또한, 저역 필터(6)는 디지탈 저역 필터로 구성되어 있다. 더욱, 디지탈/아날로그 변환기(16)는 디지탈의 저역 필터 출력을 아날로그의 슬라이스 레벨 SL로 변환한다.
본 실시예는, 서멀 애스패러티 검출 회로를 디지탈 회로에서 구성한 것으로, 제1 실시 형태와 같은 작용 효과를 나타낸다. 또한, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF에 의해, 아날로그/디지탈 변환기(14)를 제어하고 있기 때문에, 아날로그/디지탈 변환기(14)는 제3 실시 형태에서 나타내는 홀드 회로의 기능을 발휘한다.
도 10은 본 발명의 제7 실시 형태의 회로도이다.
도 9에 있어서, 도 1, 도 3, 도 7에서 도시한 것과 동일한 것은, 동일한 기호로 표시되어 있다. 본 실시예에서는, 도 3의 진폭 검출 회로를 디지탈 처리 회로에서 구성하고 있다. 즉, 진폭 검출 회로는 아날로그 고역 필터 출력을 디지탈치에 변환하는 아날로그/디지탈 변환기(14)와, 파형의 포락선을 연산하는 포락선 연산기(15)로 구성되어 있다. 디지탈/아날로그 변환기(14)는 디지탈의 포락선 연산 출력을 아날로그의 슬라이스 레벨 SL로 변환한다.
이 실시예는, 서멀 애스패러티 검출 회로를 디지탈 회로에서 구성한 것으로, 제2 실시 형태와 같은 작용 효과를 나타낸다. 또한, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF에 의해, 아날로그/디지탈 변환기(14)를 제어하고 있기 때문에, 아날로그/디지탈 변환기(14)는 제3 실시 형태에서 나타내는 홀드 회로의 기능을 발휘한다.
도 11은 본 발명의 제8 실시 형태의 회로도이다.
도 11에 있어서, 도 1, 도 7, 도 9에서 나타내는 것과로 동일한 것은 동일한 기호로 표시되어 있다. 본 실시예라도, 도 1의 진폭 검출 회로를 디지탈 처리 회로에서 구성하고 있다. 즉, 진폭 검출 회로는 아날로그 판독 신호를 디지탈치로 변환하는 아날로그/디지탈 변환기(14)와, 파형의 포락선을 연산하는 포락선 연산기(15)로 구성되어 있다. 또한, 저역 필터(6)는 디지탈 저역 필터로 구성되어 있다. 또한, 디지탈/아날로그 변환기(16)는 디지탈의 저역 필터 출력을 아날로그의 슬라이스 레벨 SL로 변환한다.
또한, 판독 신호 RS는 증폭 회로(7)에서 m배(m〉1)된다. 그리고, 증폭 회로(7)의 출력은 감쇠기(13)에서 레벨이 감쇠된 후, 비교 회로(8)에 입력한다. 또한, 증폭 회로(7)의 출력은 아날로그/디지탈 변환기(14)에 입력된다.
본 실시예는, 서멀 애스패러티 검출 회로를 디지탈 회로에서 구성한 것으로, 제1 실시 형태 및 제6 실시 형태와 같은 작용 효과를 나타낸다. 또한, 서멀 애스패러티 검출 신호 TAF에 의해, 아날로그/디지탈 변환기(14)를 제어하고 있기 때문에, 아날로그/디지탈 변환기(14)는 제3 실시 형태에서 나타내는 홀드 회로의 기능을 나타낸다.
상술한 실시 태양 외에, 본 발명은 다음과 같은 변형이 가능하다.
(1) 자기 기억 장치를, 자기 디스크 장치에서 설명하였지만, 자기 카드 장치, 자기 테이프 장치 등 다른 자기 기억 장치에 적용할 수 있다.
(2) 저역 필터, 고역 필터, 홀드 회로를 적절하게 조합한 서멀 애스패러티 검출 회로를 구성할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 의해 설명하였지만, 본 발명의 주지의 범위내에서 여러가지의 변형이 가능하고, 이들을 본 발명의 범위로부터 배제할만한 것이아니다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 다음 효과를 나타낸다.
(1) 자기 저항 소자의 출력으로부터, 출력의 상대치의 슬라이스 레벨을 작성하기 때문에, 각 자기 저항 소자의 출력 레벨에 따른 크기의 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있다. 이 때문에, 각 자기 저항 소자의 특성에 따른 슬라이스 레벨을 자동으로 작성할 수 있기 때문에, 각 자기 저항 소자의 서멀 애스패러티를 정확히 검출할 수 있다.
(2) 각 자기 저항 소자의 특성을 측정하지 않고, 실현할 수 있기 때문에, 측정의 수고를 덜 수 있다.
(3) 헤드 선택시의 슬라이스 레벨의 설정 제어가 불필요하기 때문에, 펌웨어의 부담을 경감할 수 있다.

Claims (13)

  1. 자기 저항 소자에 의해 자기 기억 매체의 데이터를 독출하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법에 있어서,
    상기 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하여, 상기 출력 레벨의 m배(m〉 1)의 슬라이스 레벨을 작성하는 제1 단계와,
    상기 자기 저항 소자의 출력 신호와 상기 슬라이스 레벨을 비교하여, 서멀 애스패러티 검출 신호를 발생시키는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 단계는 상기 자기 저항 소자의 출력 레벨을 m 배(m〉1)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티검출 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 단계는 상기 자기 저항 소자의 출력의 소정의 주파수 성분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 주파수 성분 제거 단계는 상기 자기 저항 소자의 출력의 저주파수 성분을 제거하는 단계로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 주파수 성분 제거 단계는 상기 자기 저항 소자의 출력의 고주파수 성분을 제거하는 단계로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 단계는 상기 서멀 애스패러티 검출 신호에 따라서, 상기 자기 저항 소자의 출력 레벨을 홀드하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 방법.
  7. 자기 저항 소자에 의해 자기 기억 매체의 데이터를 판독하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로에 있어서,
    상기 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하여 상기 출력 레벨의 m배(m〉 1)의 슬라이스 레벨을 작성하는 슬라이스 레벨 작성 회로와,
    상기 자기 저항 소자의 출력 신호와 상기 슬라이스 레벨을 비교하여, 서멀 애스패러티 검출 신호를 발생시키는 비교 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 슬라이스 레벨 작성 회로는 상기 자기 저항 소자의 출력의 진폭을 검출하는 진폭 검출 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 슬라이스 레벨 작성 회로는 상기 자기 저항 소자의 출력의 레벨을 m배(m〉1)하는 증폭 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 슬라이스 레벨 검출 회로는 상기 자기 저항 소자의 출력의 소정의 주파수 성분을 제거하기 위한 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 필터는 상기 자기 저항 소자의 출력의 저주파수 성분을 제거하는 고역 필터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
  12. 제10항에 있어서, 상기 필터는 상기 자기 저항 소자의 출력의 고주파수 성분을 제거하는 저역 필터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
  13. 제7항에 있어서, 상기 슬라이스 레벨 검출 회로는 상기 서멀 애스패러티 검출 신호에 따라서, 상기 자기 저항 소자의 출력 레벨을 홀드하는 홀드 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치의 서멀 애스패러티 검출 회로.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501611B1 (en) * 1999-04-27 2002-12-31 International Business Machines Corporation Data recovery apparatus, method and memory medium for a magnetic memory read/write channel
US20030002193A1 (en) * 2001-06-28 2003-01-02 Echere Iroaga Method of providing a programmable voltage bias during multi channel servo mode
KR100442864B1 (ko) * 2001-09-04 2004-08-02 삼성전자주식회사 데이터 저장 시스템에서의 불안정성 헤드 판단에 의한회복 방법 및 장치
AU2002323295A1 (en) 2002-03-29 2003-10-20 Seagate Technology Llc Mr head thermal asperity cancellation
US7595948B1 (en) 2003-10-24 2009-09-29 Marvell International Ltd. Thermal asperity detection for perpendicular magnetic recording
US7626777B2 (en) * 2005-09-23 2009-12-01 Agere Systems Inc. Variable threshold bipolar signal peak detector
US20080278838A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Broadcom Corporation Thermal asperity detector and methods for use therewith
JP2010271091A (ja) 2009-05-20 2010-12-02 Seiko Epson Corp 周波数測定装置
JP5517033B2 (ja) * 2009-05-22 2014-06-11 セイコーエプソン株式会社 周波数測定装置
JP5440999B2 (ja) 2009-05-22 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 周波数測定装置
JP5582447B2 (ja) 2009-08-27 2014-09-03 セイコーエプソン株式会社 電気回路、同電気回路を備えたセンサーシステム、及び同電気回路を備えたセンサーデバイス
JP5815918B2 (ja) 2009-10-06 2015-11-17 セイコーエプソン株式会社 周波数測定方法、周波数測定装置及び周波数測定装置を備えた装置
JP5876975B2 (ja) 2009-10-08 2016-03-02 セイコーエプソン株式会社 周波数測定装置及び周波数測定装置における変速分周信号の生成方法
KR101592195B1 (ko) 2010-03-26 2016-02-05 시게이트 테크놀로지 인터내셔날 센서를 이용한 터치-다운 및 헤드/미디어 접촉 검출 방법 및 장치와 이를 적용한 디스크 드라이브 및 저장매체
JP5883558B2 (ja) 2010-08-31 2016-03-15 セイコーエプソン株式会社 周波数測定装置及び電子機器
US8523312B2 (en) 2010-11-08 2013-09-03 Seagate Technology Llc Detection system using heating element temperature oscillations
CN103098133B (zh) 2010-11-17 2016-08-03 希捷科技有限公司 具有用于头-介质间距和接触检测的多个电阻温度传感器的头换能器
US9679595B1 (en) 2016-03-30 2017-06-13 Seagate Technology Llc Thermal asperity detection apparatus and method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4898760A (ko) 1972-03-29 1973-12-14
JP3175415B2 (ja) * 1993-08-09 2001-06-11 株式会社日立製作所 磁気記録再生装置
US5701314A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Cirrus Logic, Inc. On-the-fly error correction using thermal asperity erasure pointers from a sampled amplitude read channel in a magnetic disk drive
US5822139A (en) * 1996-05-10 1998-10-13 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Method of detecting thermal asperity error of MR head and magnetic disk certifier using the same method
JP3268729B2 (ja) * 1996-06-27 2002-03-25 株式会社東芝 磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置におけるエラー訂正方法
US5898532A (en) * 1996-07-02 1999-04-27 Seagate Technology Inc. MR head thermal asperity recovery
JPH1049806A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Toshiba Corp 磁気ディスク装置及び同装置のノイズ補償方法

Also Published As

Publication number Publication date
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JP2000011305A (ja) 2000-01-14
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CN1124591C (zh) 2003-10-15

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