JP2000010668A

JP2000010668A - メモリカード供給電圧制御方式

Info

Publication number: JP2000010668A
Application number: JP10170770A
Authority: JP
Inventors: Junichi Funatsu; 淳一船津
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Information Technology Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Information Technology Co Ltd
Priority date: 1998-06-18
Filing date: 1998-06-18
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】【課題】メモリカードを搭載する情報処理装置におい
て、メモリカードの電源電圧が、その装置仕様で決めら
れた単一のものであり、この電源電圧と異なるメモリカ
ードの搭載では動作できなかった。【解決手段】メモリスロット１から４には、電源電圧可
変設定部９から通常３．３Ｖが供給される。メモリカー
ド７がメモリスロット６に搭載されているため、このメ
モリカードに対してメモリテストを実施する。もし、７
の動作電源電圧が３．３Ｖであれば、テストは正常終了
するため、現電源電圧を維持する。７の動作電源電圧が
５Ｖであれば、エラーとなり正常終了せず、システムは
供給する電源電圧が異なっていると判断し、９は 1に
供給する電源電圧を３．３Ｖから５Ｖに切り替える。切
り替え後、再度テストを実施し、これでも正常終了しな
い場合には、ＤＲＡＭの不良と判断しエラーとする。以
上の動作をスロット単位に実施し、異種電源電圧メモリ
カードの混在搭載を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータやワークステーション等の情報処理機器におい
て、メモリカードを搭載する構成を持つ場合のメモリカ
ード電源電圧制御方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術では、ある情報処理装置での
メモリカードの動作電圧は、製品仕様として決定されて
いた。

【０００３】メモリカードを搭載する情報処理装置のＨ
／Ｗとして、メモリカードに供給する電源電圧は、固定
的で不可変的なものである。また、メモリカードにして
も、そのカードに搭載されたＤＲＡＭ素子の動作電源電
圧が、５Ｖ、３．３Ｖと決まっている。

【０００４】また、特開平０６−３３２５８０のように
メモリカードから出力される信号を感知し、そのメモリ
バスを制御するドライバの電源特性を変化させるものも
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来の方法に
は、次のような問題がある。

【０００６】もし異種電源電圧のメモリカードを混在さ
せた場合、情報処理機器の仕様以外のメモリカードは動
作しないというものである。これは、メモリカードを搭
載するスロットが、そのＨ／Ｗとして供給される電源電
圧が固定であることが原因である。

【０００７】例えば、情報処理機器仕様が５Ｖであるの
に３．３Ｖのメモリカードを搭載した場合、メモリカー
ドに搭載されたＤＲＡＭ素子の最大動作電源電圧以上に
印可されてしまい、最悪ではＤＲＡＭ破壊に至る場合も
ある。これでは、パーソナルコンピュータ等を新しく購
入した場合、以前所有していた装置とのメモリカードの
動作電源電圧に相違があれば、そのメモリカードは、新
しい装置への搭載は不可能になるという問題があった。

【０００８】例えば、特開平０６−３３２５８０もこの
点を解決する発明である。しかし次の課題をもってい
る。特開平０６−３３２５８０は、メモリカードから出
力される電源電圧情報信号を感知し、その信号によって
メモリバスを制御するドライバの電源特性を変化させる
ものもあるが、この場合、メモリバスを制御するドライ
バの電源を変化させるために、メモリカードスロットに
供給される電源電圧は一つの電位に決まり、電源電圧の
異なる複数のメモリスロットを動作させることはできな
い。つまり、メモリバス上に複数のメモリカードを搭載
する場合、搭載されたメモリカードすべてが同一の電源
電位で動作する必要がある。搭載また、メモリカード自
身に電源電圧情報信号を必要とすることで、バス以外の
個別信号の増加につながり、搭載されるメモリカード数
が多ければ、それも顕著となる。例えば、メモリカード
個別に電源電圧の認識信号等を持つようにする場合、メ
モリカードのＳＩＭＭ、ＤＩＭＭ等のインタフェースが
決まっている今日において、メモリカードの汎用性は無
くなり、これも、違うインタフェースを持つ他の装置で
の動作ができなくなるという問題もある。

【０００９】このため、従来のメモリカードを搭載する
場合の制御方法では、どのメモリカードスロットに、ど
の動作電源電圧を持つメモリカードが搭載されたかの認
識及び、その電源電圧の自動的な設定が困難であった。

【００１０】本発明は、電源電圧が異なる複数のメモリ
カードを任意のスロットに搭載した場合であっても制御
可能なメモリカード電源電圧制御方式の提供である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明では、メモリカー
ドを搭載することで構成されるインタフェース制御回路
において、このメモリバス上にメモリカードを搭載する
スロットである各々のコネクタに対し、第１電源電圧と
第２電源電圧のうち一方を供給でき、また他方への切り
替えができる電源電圧変換手段を有し、また、各々のコ
ネクタにどの電源電圧動作するメモリカードが搭載され
ているかを判断し、その結果から、電源電圧変更手段に
対して電源電圧の維持、または可変を指示する機能を有
する制御手段を有す。また、この制御手段には、メモリ
バスコントローラとしての機能である、記憶データの読
み出し、書き込み、ＥＣＣやパリティチェックといった
エラー検出等の制御手段を持っても良い。

【００１２】本機能において、全てのメモリカードには
第１電源電圧がデフォルトで供給され、初期テストにお
いて、各々のスロットに対し、メモリカードの搭載可否
を調査する。そして、メモリカードが搭載されているス
ロットに対し、個々にメモリテストを実施する。このテ
ストでエラーになったスロットには、そのコネクタに供
給する電圧を第１電源電圧から第２電源電圧に変更す
る。そして、再び各々のスロットに対して、メモリカー
ドの搭載可否を確認することで、第２電源電圧で動作す
るメモリカードが搭載されたスロットでは、メモリカー
ドの搭載を認識できることになる。これでも認識できな
いスロットでは、メモリカードが未搭載として判断す
る。この場合、メモリカードに搭載されたＤＲＡＭの破
壊等を防止するためにも、第１電源電圧の方が第２電源
電圧よりも低い電圧を持つようにすると良い。

【００１３】このように、メモリカードの電源電圧の認
識を、そのスロットでメモリカードの搭載を認識できる
かによって判断し、認識できないスロットに対しての
み、そのコネクタに供給する電源電圧を可変させること
が可能になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を詳細に
説明する。

【００１５】図１は、本発明におけるメモリバス周辺の
ブロック図の一実施例である。本実施例は、メモリに対
し、そのメモリインタフェースに対応したデータ読み出
し及び書き込みを実施するメモリバスコントローラ５
が、コネクタ６に搭載されたメモリカード７及び１０に
対して、データの記憶または、記憶データの読み出しを
メモリバス８を伝送路として行うものである。メモリバ
ス８は、本実施例においては、信号レベルを３．３Ｖの
インタフェース信号で伝送する。３．３Ｖインタフェー
スにおいては、信号のＨｉｇｈレベルが基本的には３．
３Ｖであり、３．３Ｖの電源電圧で動作するメモリカー
ドは、同一インタフェースであり問題はなく、また、５
Ｖの電源電圧を持つメモリカードであってもＶｏｈの最
小は２Ｖ程度であり、その信号を認識することは容易で
ある。この場合、コネクタ１から４をメモリスロットと
呼び、本図においては、メモリスロット１から４までの
４個にて構成されている。また、メモリスロット１から
４に対して、そのメモリスロットに搭載されたメモリカ
ードが必要とする電源電圧を設定し供給する電源電圧可
変供給部９を備えている。尚、本図においてメモリスロ
ットは４個であるが、これはその装置任意であり、これ
以上でも以下でも可能である。

【００１６】また、メモリインタフェースに関しても、
ファーストページ、ＥＤＯ等のインタフェースを限定し
たものではない。

【００１７】この電源電圧可変供給部９について説明す
る。電源電圧可変供給部９は、各メモリスロット１から
４に対し、スロットに搭載されたメモリカード７及び１
０が必要とする電源電圧を個別に可変供給を可能にす
る。電源電圧可変供給部９は、本図において一例として
３．３Ｖまたは５Ｖの電源電圧を規定している。現状、
市販されているメモリカードの動作電源電圧はこの２種
類が主であるが、本発明はこの電圧に限定したものでは
ない。本実施例において、メモリスロット１から４に
は、３．３Ｖまたは５Ｖの電源電圧で動作するメモリカ
ードが搭載される。電源電圧可変供給部９は、デフォル
トで３．３Ｖの電源電圧を供給している。これは、デフ
ォルトで５Ｖを供給すると、もし３．３Ｖの動作電源電
圧を持つメモリカードが搭載された場合、動作電源電圧
以上の高電位が印可され、最悪、メモリカードに搭載さ
れたＤＲＡＭの素子破壊となる恐れがあるためである。
つまり、電源電圧可変供給部９において、デフォルトは
電源電圧可変供給部９で供給する複数の電圧のうち、最
も電位の低いものを供給する。電源電圧可変供給部９の
電源可変は、メモリコントローラ５の指示で行われる。
信号１１は、このメモリコントローラ５から電源電圧可
変供給部９に対する電源電圧可変制御信号である。つま
り、電源電圧可変供給部９はこの信号１１に従い、内部
ロジックにて、各スロット単位に電源電圧を３．３Ｖの
まま維持するか、５Ｖに切り替えを実施するかのいずれ
かを行う。

【００１８】信号１２は、メモリスロット１から４にメ
モリカード搭載の有無を知らせる信号である。例えば、
７２ピンＳＩＭＭのメモリーカードであれば、Ｐｒｅ
ｓｅｎｃｅＤｅｔｅｃｔ信号（ＰＤ０からＰＤ３）を
用いる。ちなみに本信号は、そのメモリカード自信が、
動作速度やメモリ容量を知らせる信号であり、４ｂｉｔ
のＨｉｇｈ、Ｌｏｗの組み合わせで設定されている。通
常、システム側で本信号群は、プルアップされており、
メモリカード側で認識に必要なｂｉｔがＧＮＤに接続さ
れ、他はフローティングである。メモリカードがメモリ
スロットに搭載されることで、この４ｂｉｔのうちメモ
リカードでＧＮＤに直結されたｂｉｔのみがＬｏｗレベ
ルへと遷移し、他のｂｉｔはＨｉｇｈを維持する。メモ
リコントローラ５は、装置電源投入後に、信号１２の状
態を監視する。この信号１２が認識できないメモリスロ
ット、本図においては、スロット３及び４は、メモリカ
ードが搭載されていないと判断する。メモリスロット１
及び２には、動作電源電圧はまだ不明であるが、メモリ
カード７及び１０が搭載されているため、信号１２は認
識でき、メモリコントローラ５は、メモリカード７及び
１０の存在とそのメモリカード７及び１０個々のメモリ
容量を感知できる。信号１２は、メモリカード上のＤＲ
ＡＭが動作電源電圧の違いで動作できなくとも、ＤＲＡ
Ｍとは関係のない部分で実施しているレベル固定処理の
ため、認識することは容易である。

【００１９】図２は、メモリカードの動作電源電圧を認
識し、その電源電圧に可変するまでの制御の一実施例を
示すフローチャート図である。図２と図１を用いて、本
発明の動作を説明する。図２の最初のステータス１３で
は、各メモリスロットに供給する電源電圧を３．３Ｖに
設定する。ステータス１４では、本動作に関係するパラ
メータをセットする。ｘは、メモリスロットの数であ
る。図１においては、メモリスロット１から４と４つの
スロットがあるため、初期値としてここでは、ｘ＝４と
セットされる。また、ｙはメモリスロット番号である。
図１では、メモリスロット１から４として存在してい
る。初期値はｙ＝１である。この数値は、そのシステム
によって適切な値をセットすれば良く、メモリスロット
が６個あるシステムにおいては、ｘ＝６にセットするこ
とになる。次のステータス１５において、各メモリスロ
ットにメモリカードが搭載されているかを判定する。ｙ
の初期値がｙ＝１であるため、まずメモリスロット１か
らメモリカードの有無を調査する。図１において、メモ
リスロット１にはメモリカード７が搭載されているた
め、ステータス１５の分岐はＹＥＳとなる。次のステー
タス１６で、このメモリスロット１に搭載されたメモリ
カード７に対して、メモリテストを実施する。テスト内
容は、メモリカードのメモリ容量が、図１の信号１２で
既知であるため、全容量に対してデータの書き込み、読
み出し、コンペアテストを行う。また、全容量のデータ
の書き込み、読み出し、コンペアテストでは、テスト時
間がかかってしまうため、例えば３２ＭＢのメモリカー
ドであるなら、最初の４ＭＢと最後の４ＭＢのデータの
書き込み、読み出し、コンペアテストのみとすれば、テ
スト時間の短縮も可能である。ステータス１７では、こ
のメモリテストの結果を正常終了かどうかで判定する。
図１のメモリカード７が、３．３Ｖの動作電源電圧で動
作する仕様のカードならば、ステータス１６のテスト
は、正常に終了するため、ＹＥＳに分岐することにな
る。その後、次のステータス１８では、セットしていた
パラメータｘ、ｙの設定をシフトする。メモリスロット
数を示すｘから１減算し、メモリスロット番号を示すｙ
に１加算することで、次のメモリスロットにテスト対象
を移行する。メモリスロット１が終了したこの段階で
は、ｘ＝３、ｙ＝２とパラメータは変化する。ステータ
ス１９では、ｘのパラメータを見ることで、全メモリス
ロットのテストは終了したかを判定している。ｘ＝０で
あれば全メモリスロットのテストが終了したことにな
る。前述した段階では、ｘ＝３のため、ステータス１９
の分岐はＮＯであり、ステータス１５にジャンプするこ
とになる。

【００２０】ｙ＝２であることから、次にメモリスロッ
ト２のテストである。図１のメモリスロット２にはメモ
リカード１０が搭載されているため、ステータス１５、
１６、１７とメモリスロット１同様にステータスは進
む。メモリカード１０が、５Ｖの動作電源電圧で動作す
る仕様のカードである場合、システムとして供給してい
る電源電圧が３．３Ｖであるため、ステータス１７での
メモリテスト判定は、正常終了せず、ＮＯに分岐する。
ＮＯ分岐後の次のステータス２０では、このメモリスロ
ット２に供給する電源電圧を３．３Ｖから５Ｖに可変さ
せる。図１において、メモリテストがＮＧであった結果
が、ＣＰＵからメモリコントローラ５に通知され、メモ
リコントローラ５は電源電圧可変設定部９に対し、信号
１１を用いて、メモリスロット２の電源電圧を変更する
ように通知する。これに従い、電源電圧可変設定部９
は、メモリスロット２の電源電圧を５Ｖに切り替える。
この切り替えが終了した後に、ステータス２１で再びメ
モリスロット２に対し、ステータス１６と同様の方法で
メモリテストを実施する。そして、ステータス２２でそ
のテスト結果の判定を行う。メモリカード１０が、動作
電源電圧５Ｖの仕様であるため、本メモリテストは正常
終了し、判定はＹＥＳに分岐する。その場合、ステータ
ス１８に戻り、パラメータｘ、ｙの更新となり、次のメ
モリスロットにテストは移行される。もし、ステータス
２２で、メモリテストが正常終了しない場合、判定はＮ
Ｏに分岐する。この場合、システムが供給する電源電圧
を３．３Ｖにしても５Ｖにしても、テスト結果はＮＧで
あるため、メモリカード自身に異常があると判定し、メ
モリエラーとして処理する。

【００２１】次はメモリスロット３のテストとなる。図
１において、メモリスロット３にはメモリカードは搭載
されていない。よって、ステータス１５での判定はＮＯ
であり、ステータス１８にジャンプする。続くメモリス
ロット４においても同様である。メモリスロット４が終
了し、ステータス１８の処理を実行するとｘ＝０とな
る。よって、ステータス１９では判定がＹＥＳとなり、
メモリカードの電源電圧自動認識、自動変換の制御は終
了する。

【００２２】以上までに述べたように、本実施例では、
メモリテストの結果を元にし、正常ならば現在の電源電
圧が適正、異常であれば他の電源電圧に変更して再び確
認といった手段によってメモリカードが動作するのに適
した電源電圧を認識し、変更するものである。

【００２３】本実施例は、図２で示したフローチャート
に限定するものではない。図３は、図２のステータス１
７の判定部近傍を抜粋し、機能を追加したものである。
図２のステータス１７でＮＯに分岐した場合、図３では
もう一つの判定ステータス２４を実行する。ステータス
２４では、メモリテストのエラー状態がテストした全ア
ドレスか、またはそうでないかを判定する。もし動作電
源電圧の違いでエラーになっている場合は、メモリカー
ドに搭載されたＤＲＡＭがまったく動作していないはず
である。つまり、テストする全アドレスにおいて、どの
アドレスでもエラーになる。この場合、電源電圧を切り
替えるため、ステータス２４ではＹＥＳに分岐し、図２
のステータス２０以下と同じ処理を続ける。逆にテスト
したアドレスの一部でのみエラーが発生した場合、ステ
ータス２４ではＮＯに分岐することとなる。この場合、
電源電圧の仕様が異なるメモリカードが搭載されている
というよりはむしろ、そのメモリカード自身に異常があ
ると判定し、ステータス２５にてメモリエラーと判断す
る。このように、ステータス２４を設けることで、３．
３Ｖの電源電圧供給時においての、３．３Ｖ電源電圧を
仕様とするメモリカードのメモリカード異常を見つける
ことが可能となる。図２の場合は、３．３Ｖの電源供給
でテストＮＧなら、全て電源電圧を５Ｖに切り替えるた
め、本当は３．３Ｖ電源電圧仕様のメモリカード上の一
個のＤＲＡＭが壊れていたとしても、図２のステータス
１７でＮＯに分岐後、ステータス２０で電源電圧を５Ｖ
に切り替えることで、メモリカード上の全てのＤＲＡＭ
に過電圧がかかり、すべてのＤＲＡＭ破壊につながる。
図３は、これを防止するためには、良い方法である。

【００２４】また、デフォルトで供給している電源電圧
を本実施例において、３．３Ｖから第３の電源電圧であ
る２．８Ｖ程度に変更しても良い。これは、５Ｖの電源
電圧仕様のメモリカードが、３．３Ｖの電源電圧で、そ
のＤＲＡＭの実力で動作できる可能性を完全に絶つため
には良い方法である。この方法では、２．８Ｖでテスト
ののちに、３．３Ｖや５Ｖに切り替えを実施することに
なる。

【００２５】尚、一度設定した各メモリスロットの電源
電圧は、そのメモリカードの構成が変更にならない限
り、それを初期状態として供給するようにしても良い。
こうすれば、構成が変更にならない限り、メモリテスト
が各メモリカード共、供給電源電圧の違いで失敗するこ
とはなく、テスト時間をより短縮するには有効な手段で
ある。

【００２６】

【発明の効果】本発明はメモリカードが搭載されるメモ
リスロットに対し、そのメモリカードが動作するに適し
た電源電圧に各メモリスロット単位で個々に自動的に設
定する。したがって、電源電圧の異なるメモリカードを
混在させての搭載を可能にし、メモリカードの電源電圧
によらない汎用性のある制御手段を実現している。電源
電圧の認識方法としても、メモリテストという通常のシ
ステム立ち上げ時に一般的に実施しているものを利用し
ており、簡便な構成が実現できる。

【００２７】また、電源電圧仕様が異なったためだけに
使用できなかったメモリカードも、本発明により、スロ
ットの電源キーが共通化されることで使用可能になり、
リサイクルの観点からも効果的なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るメモリカード電源電圧自動変換方
式が適用されたメモリバス周辺の一実施例を示したブロ
ック図。

【図２】本発明に係るメモリカードの電源電圧を自動的
に認識する手段の一実施例を示したフローチャート図。

【図３】本発明に係る一実施例である図２に対し、機能
を追加した他の実施例を示したフローチャート図の部分
的抜粋。

【符号の説明】

１，２，３，４・・・メモリスロット５・・・メモリコントローラ６・・・コネクタ７・・・３．３Ｖの電源電圧仕様のメモリカード８・・・メモリバス９・・・電源電圧可変供給部１０・・・５Ｖの電源電圧仕様のメモリカード１１・・・電源電圧可変制御信号１２・・・メモリカードのメモリ容量、動作速度認識信
号１３・・・メモリカードに３．３Ｖを供給するステータ
ス１４・・・パラメータセットステータス１５・・・メモリカード搭載確認ステータス１６・・・電源電圧３．３Ｖでのメモリテストステータ
ス１７・・・メモリテスト結果判定ステータス１８・・・パラメータ更新ステータス１９・・・テスト終了判定ステータス２０・・・メモリカードに５Ｖを供給するステータス２１・・・電源電圧５Ｖでのメモリテストステータス２２・・・メモリテスト結果判定ステータス２３・・・メモリエラーステータス２４・・・エラー内容判定ステータス２５・・・メモリエラーステータス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】メモリカードを搭載する情報処理機器にお
いて、異種電圧で動作するメモリカードを混在して搭載
した場合でも、初期テスト時に実施するメモリテストの
合否によって自動的に各メモリカードの動作電源電圧を
認識する手段と、上記認識結果から、各スロット毎に供
給する第１の電源電圧と第２の電源電圧のうち、その当
該スロットに搭載されたメモリカードが動作するために
適した電源電圧に自動的に設定できる電源電圧変更手段
を有することを特徴とするメモリカード電源電圧制御方
式。
【請求項２】請求項１に関し、装置電源投入時におこな
う初めのメモリテスト時にメモリカードに供給する電源
電圧を第１及び第２の電源電圧のうち、低電圧である第
１の電源電圧とすることを特徴とし、メモリテストにエ
ラーがある場合に第２の電源電圧に変更するメモリカー
ド電源電圧制御手段。
【請求項３】請求項１、２に関して、メモリテストの結
果からエラーとなったアドレス数によって、電源電圧の
相違かメモリカード自身のエラーかを判別する手段を有
することを特徴とするメモリカード電源電圧制御手段。
【請求項４】請求項２に関し、メモリカードに装置電源
投入時に供給する第１の電源電圧よりも低い電源電圧を
持つ第３の電源電圧を有し、この第３の電源電圧を第１
の電源電圧に変わり装置電源投入時にメモリカードに供
給し、メモリテストをすることで、第１の電源電圧を動
作電源電圧に持つメモリカードは正常動作するが、第２
の電源電圧を動作電源電圧に持つメモリカードでは確実
に動作できず、よりメモリカードの電源電圧の認識を効
果的に実現することを特徴とするメモリカード電源電圧
制御方式。
【請求項５】上記請求項のメモリカード電源電圧制御方
式を実装することを特徴とする情報処理装置。