JP2000003977A - 半導体チップ実装用基板 - Google Patents

半導体チップ実装用基板

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conductor
acf
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Hiroshi Murayama
啓 村山
Mitsutoshi Azuma
光敏 東
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップを基板本体表面に樹脂を介して
接合した際に、樹脂の各所にボイドが発生するのを防ぐ
ことのできる半導体チップ実装用基板を得る。 【解決手段】 基板本体１０表面に並列に並べて形成さ
れた太帯状の複数の各導体パッド５０を、その隣合う一
方の導体パッド５０の一方の側の端部と他方の導体パッ
ドの他方の側の端部とが、導体パッド５０の幅方向に半
導体チップの電極に形成された導体バンプ２２の幅より
も広く重なり合うように、導体パッド５０の長手方向に
交互にずらせて配列する。そして、その隣合う各導体パ
ッド５０の、導体パッド５０の幅方向に重なり合う部分
の間の小間隙５２の長さを、導体パッド５０の長手方向
の長さの数分の１に短くする。そして、その短くした小
間隙５２を、樹脂が加熱された際に発するガスや加熱さ
れて膨張した気体を抵抗少なく円滑に通り抜けさせるこ
とができるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが、
樹脂を介して基板本体表面に接合されて、基板本体に搭
載される半導体チップ実装用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記半導体チップ実装用基板として、図
２と図３に示したような、半導体チップ２０が、ＡＣＦ
３０の樹脂を介して、セラミック又は樹脂からなる基板
本体１０表面に接合されて、基板本体１０に搭載される
基板がある。ＡＣＦ３０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂又はポリエチレン等の熱可塑性樹脂から形成されて
いる。熱硬化性樹脂からなるＡＣＦ３０は、加熱して、
硬化させることにより、そのＡＣＦ３０の熱硬化性樹脂
を介して、半導体チップ２０を基板本体１０表面に接合
できる。熱可塑性樹脂からなるＡＣＦ３０は、加熱した
後、冷却して硬化させることにより、そのＡＣＦ３０の
熱可塑性樹脂を介して、半導体チップ２０を基板本体１
０表面に接合できる。それと共に、半導体チップ２０の
表面に並べて配列された複数の各電極に形成されたＡｕ
バンプ等の導体バンプ２２を、それに対応する基板本体
１０の表面に並べて形成されたメタライズからなる複数
の各導体パッド５０又は銅箔をエッチング加工してなる
複数の各導体パッド５０に、ＡＣＦ３０の樹脂に含まれ
る導電粒子（図示せず）を介して、電気的に接続でき
る。そして、そのＡＣＦ３０の樹脂を介して、半導体チ
ップ２０を基板に表面実装できる。
【０００３】ここで、ＡＣＦとは、Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍの略であって、
異方性導電フィルムをいう。このＡＣＦは、その樹脂中
に導電粒子を含ませている。このＡＣＦの樹脂を介し
て、上記のようにして、半導体チップを基板に表面実装
した場合には、ＡＣＦの樹脂に含まれる導電粒子を、半
導体チップの電極に形成された導体バンプと基板本体表
面に形成された導体パッドとの間に挟み込ませることが
できる。そして、半導体チップの導体バンプと基板本体
の導体パッドとで挟まれたＡＣＦ部分に導電性を持たせ
ることができる。そして、そのＡＣＦ部分の樹脂に含ま
れる導電粒子を介して、半導体チップの導体バンプと基
板本体表面の導体パッドとを電気的に接続できる。
【０００４】半導体チップ２０の複数の電極は、集積回
路が形成された半導体チップ２０の表面に、所定のピッ
チで並べて配列されている。そのため、その電極を電気
的に接続する上記の複数の導体パッド５０は、半導体チ
ップ２０の表面の複数の電極の配列に合わせて、半導体
チップ２０を搭載する基板本体１０表面に、所定のピッ
チで並べて形成されている。
【０００５】上記の導体パッド５０の形状は、図３に示
したように、長手方向に長い太帯状をしている。そし
て、その導体パッド５０にＡＣＦ３０の樹脂に含まれる
導電粒子を介して電気的に接続する半導体チップ２０の
電極に形成された導体バンプ２２の位置が、何らかの原
因で、導体パッド５０に対して、導体パッド５０の長手
方向やその幅方向に多少ずれても、その導体バンプ２２
をそれに対応する導体パッド５０に、導体パッド５０か
ら外れ落ちぬように確実に電気的に接続できるようにし
ている。そのため、上記の太帯状をした複数の導体パッ
ド５０は、半導体チップ２０表面の電極の配列ピッチに
合わせて、半導体チップ２０を搭載する基板本体１０の
表面に、その隣合う各導体パッド５０の間に導体パッド
５０の長手方向の長さ分の長い小間隙５２をあけて並列
に並べて形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体チップ実装用基板において、ＡＣＦ３０の樹脂を
介して、半導体チップ２０を基板本体１０表面に接合し
た場合には、ＡＣＦ３０の樹脂の各所にボイド（虚空）
が発生した。そして、ＡＣＦ３０の樹脂の接合力が低下
した。そして、そのＡＣＦ３０の樹脂を介して、基板本
体１０表面に接合された半導体チップ２０が、基板本体
１０表面から容易に剥がれ落ちてしまった。そして、半
導体チップ２０の電極に形成された導体バンプ２２とＡ
ＣＦ３０の樹脂に含まれる導電粒子を介して電気的に接
続された基板本体１０表面に形成された導体パッド５０
との良好な電気的接続性が損なわれてしまった。
【０００７】上記のＡＣＦ３０の樹脂の各所にボイド
（虚空）が生ずる原因は、ＡＣＦ３０の樹脂が加熱され
た際に発生するガスが、基板本体１０の表面に並列に並
べて形成された太帯状の複数の各導体パッド５０の間
の、導体パッド５０の長手方向の長さ分の長い小間隙５
２を抵抗少なく円滑に通り抜けることができずに、その
ガスの多くが、導体パッド５０より内側の加熱されて柔
軟となったＡＣＦ３０の樹脂の内側に滞留し続けるから
である。同様に、フィルム状をしたＡＣＦ３０を密着さ
せることの困難な基板本体１０の表面に形成された複雑
に入り組んだ接続線路１２の間やその接続線路１２の階
段状をなす側部に残留する加熱されて膨張した空気等の
気体が、基板本体１０の表面に並列に並べて形成された
太帯状の複数の各導体パッド５０の間の長い小間隙５２
を抵抗少なく円滑に通り抜けることができずに、そのガ
スの多くが、導体パッド５０より内側の加熱されて柔軟
となったＡＣＦ３０の樹脂の内側に滞留し続けるからで
ある。特に、短時間熱硬化型の樹脂からなるＡＣＦ３０
は、そのＡＣＦ３０の樹脂を介して半導体チップ２０を
基板本体１０の表面に接合する際のＡＣＦ３０の加熱時
間が、２０〜６０ｓｅｃ．程度と短いため、上記のガス
や気体の多くがＡＣＦ３０の樹脂の内側に滞留して、そ
のＡＣＦ３０の樹脂の各所にボイドが発生し易かった。
【０００８】これらのことは、半導体チップ２０の表面
の電極に形成された導体バンプ２２が基板本体１０表面
に形成された導体パッド５０に直接に電気的に接続され
ると共に、その半導体チップ２０と基板本体１０との間
の隙間に熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂からなるアンダ
ーフィル（図示せず）が充填されて、そのアンダーフィ
ルの樹脂を介して、半導体チップ２０が基板本体１０表
面に接合されて基板本体１０に搭載される基板において
も、同様であった。即ち、そのような基板においても、
その熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂からなるアンダーフ
ィルを加熱した際に、そのアンダーフィルの樹脂から発
生するガスや、そのアンダーフィルの内側に残留する加
熱されて膨張した空気等の気体が、基板本体１０の表面
に並列に並べて形成された太帯状の複数の各導体パッド
５０の間の長い小間隙５２を抵抗少なく円滑に通り抜け
ることができずに、そのガスや気体の多くが、導体パッ
ド５０より内側の加熱されて柔軟となったアンダーフィ
ルの樹脂の内側に滞留し続けた。そして、そのアンダー
フィルの樹脂の各所にボイドが発生した。そして、その
アンダーフィルの樹脂の接合力が低下して、半導体チッ
プ２０が基板本体１０表面から容易に剥がれ落ちてしま
った。そのため、そのアンダーフィルの樹脂を介して、
半導体チップ２０が基板本体１０表面に接合されて基板
本体１０に搭載された基板においても、半導体チップ２
０の電極に形成された導体バンプ２２と基板本体１０表
面に形成された導体パッド５０との電気的接続性を良好
に保持し続けることができなかった。
【０００９】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、上記のＡＣＦやアンダーフィル等の樹脂を介
して、半導体チップを基板本体表面に接合した際に、そ
のＡＣＦやアンダーフィル等の樹脂の各所にボイドが発
生して、半導体チップが基板本体表面から剥がれ易くな
るのを防ぐことのできる、半導体チップ実装用基板（以
下、基板という）を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基板は、基板本体表面に所定のピッチで並
列に並べて形成された太帯状の複数の各導体パッドに、
半導体チップの表面に所定のピッチで並べて配列された
複数の各電極に形成された導体バンプが電気的に接続さ
れると共に、前記半導体チップが基板本体表面に樹脂を
介して接合されて基板本体に搭載される半導体チップ実
装用基板において、前記太帯状の複数の各導体パッド
を、その隣合う一方の導体パッドの一方の側の端部と他
方の導体パッドの他方の側の端部とが導体パッドの幅方
向に前記導体バンプの幅よりも広く重なり合うように、
前記導体パッドの長手方向に交互にずらせて配列したこ
とを特徴としている。
【００１１】この基板においては、基板本体表面に並列
に並べて形成された太帯状の複数の導体パッドを、導体
パッドの長手方向に交互にずらせて配列している。その
ため、その隣合う太帯状の各導体パッドの、導体パッド
の幅方向に互いに重なり合う部分の長さを、導体パッド
の長手方向の長さの数分の１に短くできる。そして、そ
の隣合う各導体パッドの間の小間隙の長さを、導体パッ
ドの長手方向の長さの数分の１に短くできる。そして、
その隣合う各導体パッドの間の短くした小間隙を、樹脂
が加熱された際に発するガスを抵抗少なく円滑に通り抜
けさせることができる。同様に、その隣合う各導体パッ
ドの間の短くした小間隙を、樹脂の内側に残留する加熱
されて膨張した気体を抵抗少なく円滑に通り抜けさせる
ことができる。
【００１２】また、太帯状の複数の各導体パッドを、そ
の隣合う一方の導体パッドの一方の側の端部が他方の導
体パッドの他方の側の端部と導体パッドの幅方向に導体
バンプの幅よりも広く重なり合うように、導体パッドの
長手方向に交互にずらせて配列している。そのため、そ
の複数の各導体パッドの、導体パッドの幅方向に導体バ
ンプの幅よりも広く重なり合う部分に、半導体チップの
表面に並ぶ複数の各電極に形成された導体バンプを、導
体パッドの外方に脱落させずに確実に電気的に接続でき
る。
【００１３】本発明の基板においては、樹脂が、ＡＣＦ
の樹脂であることを好適としている。
【００１４】この基板にあっては、その隣合う太帯状の
各導体パッドの、導体パッドの幅方向に重なり合う部分
の間の、導体パッドの長手方向の長さの数分の１まで短
くした小間隙を、ＡＣＦの樹脂が加熱された際に発する
ガスを抵抗少なく円滑に通り抜けさせることができる。
同様に、その隣合う太帯状の各導体パッドの、導体パッ
ドの幅方向に互いに重なり合う部分の間の、導体パッド
の長手方向の長さの数分の１まで短くした小間隙を、Ａ
ＣＦの内側に残留する加熱されて膨張した気体を抵抗少
なく円滑に通り抜けさせることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。図１は本発明の基板の好適な実施の形
態を示し、図１はその基板本体表面の一部拡大平面図で
ある。以下に、この基板を説明する。
【００１６】図の基板では、半導体チップ２０を実装す
るセラミック又は樹脂等の絶縁体からなる基板本体１０
の表面に、太帯状のメタライズからなる導体パッド５０
又は銅箔をエッチング加工してなる複数の導体パッド５
０を、所定のピッチで並列に並べて形成している。そし
て、半導体チップ２０の表面に所定のピッチで並べて配
列された複数の各電極に形成された導体バンプ２２を、
それに対応する基板本体１０表面に所定のピッチで並列
に並べて形成された上記の太帯状の複数の各導体パッド
５０に、ＡＣＦ３０の樹脂に含まれる導電粒子を介し
て、電気的に接続できるようにしている。それと共に、
半導体チップ２０を、ＡＣＦ３０の樹脂を介して、基板
本体１０表面に接合できるようにしている。そして、半
導体チップ２０を基板本体１０表面に容易に剥がれ落ち
ぬように確実に実装できるようにしている。
【００１７】導体パッド５０の下端は、基板本体１０表
面に形成された接続線路１２に連ねている。導体パッド
５０の上端は、基板本体１０表面に形成された導体線路
１４に連ねている。そして、その導体線路１４を介し
て、導体パッド５０及びそれに連なる接続線路１２にめ
っき用の電極（図示せず）を電気的に接続して、それら
の導体パッド５０及び接続線路１２に防錆用のＮｉめっ
きや表装用のＡｕめっき等の電解めっきを施すことがで
きるようにしている。
【００１８】以上の構成は、従来の基板と同様である
が、図の基板では、基板本体１０表面に所定のピッチで
並列に並べて形成された太帯状の複数の各導体パッド５
０を、その隣合う一方の導体パッド５０の一方の側の端
部と他方の導体パッド５０の他方の側の端部とが、導体
パッド５０の幅方向に、即ち導体パッド５０の幅方向か
ら見て、半導体チップ２０の電極に形成された導体バン
プ２２の幅よりも広く重なり合うように、導体パッド５
０の長手方向に交互にずらせて配列している。
【００１９】図１に示した基板は、以上のように構成し
ていて、この基板においては、その隣合う太帯状の各導
体パッド５０の、導体パッド５０の幅方向に互いに重な
り合う部分の間の小間隙５２の長さを、導体パッド５０
の長手方向の長さの数分の１まで短くできる。そして、
前述のようにして、半導体チップ２０を、ＡＣＦ３０の
樹脂を介して、基板本体１０表面に接合した場合に、そ
の隣合う太帯状の各導体パッド５０の間の短くした小間
隙５２を、ＡＣＦ３０の樹脂が加熱された際に発するガ
スを抵抗少なく円滑に通り抜けさせることができる。同
様に、その隣合う太帯状の各導体パッド５０の間の短く
した小間隙５２を、ＡＣＦ３０の内側に残留する加熱さ
れて膨張した空気等の気体を抵抗少なく円滑に通り抜け
させることができる。そして、上記のガスや気体がＡＣ
Ｆ３０の樹脂の内側に残留して、そのＡＣＦ３０の樹脂
の各所にボイドが発生するのを防ぐことができる。
【００２０】また、その太帯状の複数の各導体パッド５
０の、導体パッド５０の幅方向に導体バンプ２２の幅よ
りも広く重なり合う部分に、半導体チップ２０の表面に
所定のピッチで並ぶ複数の各電極に形成された導体バン
プ２２を、導体パッド５０から外れ落ちぬようにして、
ＡＣＦ３０の樹脂に含まれる導電粒子を介して、確実に
電気的に接続できる。
【００２１】この基板において、半導体チップ２０を基
板本体１０表面に接合する樹脂には、前述のアンダーフ
ィルのような、半導体チップ２０と基板本体１０との間
の隙間に流し込んで加熱して硬化させたり、又は半導体
チップ２０と基板本体１０との間の隙間に流し込んで加
熱した後冷却して硬化させたりすることにより、半導体
チップ２０を基板本体１０表面に接合する熱硬化性樹脂
又は熱可塑性樹脂を用いても良い。そして、そのアンダ
ーフィル等の熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いて、
半導体チップ２０を基板本体１０表面に接合した場合に
おいても、その樹脂が加熱された際に発するガスや、そ
の樹脂の内側に残留する加熱されて膨張した気体を、上
記の隣合う太帯状の各導体パッド５０の間の短くした小
間隙５２を抵抗少なく円滑に通り抜けさせることができ
る。そして、そのアンダーフィル等の樹脂の各所にボイ
ドが発生するのを防ぐことができる。
【００２２】この基板においては、導体パッド５０に電
気的に接続する半導体チップ２０の電極に形成された導
体バンプ２２が、導体パッド５０に対して、導体パッド
５０の長手方向やその幅方向に多少ずれても、その導体
バンプ２２をそれに対応する導体パッド５０に、導体パ
ッド５０から脱落させずに確実に電気的に接続できるよ
うに、導体パッド５０を幅広く太帯状に形成している。
それに対して、導体パッド５０の下端に連なる接続線路
１２と、導体パッド５０の上端に連なる導体線路１４と
は、導体パッド５０の横幅の数分の１の幅に細く形成し
ている。その理由は、接続線路１２や導体線路１４は、
電気を伝える機能のみを備えていれば良く、その接続線
路１２や導体線路１２に半導体チップ２０の電極に形成
された導体バンプ２２を電気的に接続する必要がないか
らである。そのため、基板本体１０表面に形成された隣
合う各接続線路１２の間や隣合う各導体線路１４の間
は、図１に示したように、幅広くあいていて、それらの
隣合う各接続線路１２の間や隣合う各導体線路１４の間
の隙間を、ＡＣＦ、アンダーフィル等の樹脂を加熱した
際に発生するガスや、ＡＣＦ、アンダーフィル等の樹脂
の内側に残留する加熱されて膨張した気体を、抵抗少な
く円滑に通過させることができる。同様に、基板本体１
０表面に形成された隣合う接続線路１２と導体パッド５
０との間や隣合う導体線路１４と導体パッド５０との間
は、図１に示したように、幅広くあいていて、それらの
間の隙間を、ＡＣＦ、アンダーフィル等の樹脂を加熱し
た際に発生するガスや、ＡＣＦ、アンダーフィル等の樹
脂の内側に残留する加熱されて膨張した気体を、抵抗少
なく円滑に通過させることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板によ
れば、ＡＣＦ、アンダーフィル等の樹脂を介して、半導
体チップを基板本体表面に接合した際に、その樹脂が加
熱されて発するガスや、その樹脂の内側に残留する加熱
されて膨張した空気等の気体を、基板本体表面に並列に
並べて形成された隣合う太帯状の各導体パッドの間の短
くした小間隙を抵抗少なく円滑に通り抜けさせることが
できる。そして、そのＡＣＦ、アンダーフィル等の樹脂
の内側にボイドが発生するのを、確実に防ぐことができ
る。そして、そのＡＣＦ、アンダーフィル等の樹脂を介
して、半導体チップを基板本体表面に容易に剥がれ落ち
ぬように確実に接合できる。そして、半導体チップの電
極に形成された導体バンプと基板本体表面に形成された
導体パッドとの電気的接続性を長期に亙って良好に保持
し続けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板の一部拡大平面図である。
【図２】半導体チップを基板に表面実装した状態の正面
図である。
【図３】従来の基板の一部拡大平面図である。
【符号の説明】
１０ 基板本体 １２ 接続線路 １４ 導体線路 ２０ 半導体チップ ２２ 導体バンプ ３０ ＡＣＦ ５０ 導体パッド ５２ 小間隙

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板本体表面に所定のピッチで並列に並
    べて形成された太帯状の複数の各導体パッドに、半導体
    チップの表面に所定のピッチで並べて配列された複数の
    各電極に形成された導体バンプが電気的に接続されると
    共に、前記半導体チップが基板本体表面に樹脂を介して
    接合されて基板本体に搭載される半導体チップ実装用基
    板において、 前記太帯状の複数の各導体パッドを、その隣合う一方の
    導体パッドの一方の側の端部と他方の導体パッドの他方
    の側の端部とが導体パッドの幅方向に前記導体バンプの
    幅よりも広く重なり合うように、前記導体パッドの長手
    方向に交互にずらせて配列したことを特徴とする半導体
    チップ実装用基板。
  2. 【請求項２】 前記樹脂が、ＡＣＦの樹脂である請求項
    １記載の半導体チップ実装用基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326300A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
US20130001274A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3501281B2 (ja) * 1999-11-15 2004-03-02 沖電気工業株式会社 半導体装置
US7547579B1 (en) * 2000-04-06 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill process
US7023075B2 (en) * 2003-11-06 2006-04-04 Crydom Technologies Teardrop shaped lead frames
JP2007258605A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Toshiba Corp 部品内蔵プリント配線板、部品内蔵プリント配線板の製造方法および電子機器
US10415945B2 (en) 2014-10-10 2019-09-17 Halliburton Energy Services, Inc. Solid-state overvoltage firing switch

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59195837A (ja) 1983-04-21 1984-11-07 Sharp Corp Ｌｓｉチツプボンデイング方法
JPH01298731A (ja) * 1988-05-27 1989-12-01 Nec Corp 半導体装置
JPH04354398A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 配線基板及びその製造方法
US5753970A (en) * 1993-06-18 1998-05-19 Lsi Logic Corporation System having semiconductor die mounted in die-receiving area having different shape than die
JPH08195548A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装方法
JPH08222571A (ja) 1995-02-13 1996-08-30 Sony Corp フリップチップｉｃとその製造方法
JPH09219579A (ja) 1996-02-13 1997-08-19 Oki Electric Ind Co Ltd 電子部品の接続方法及び接続装置
US5729049A (en) * 1996-03-19 1998-03-17 Micron Technology, Inc. Tape under frame for conventional-type IC package assembly
JPH1041694A (ja) 1996-07-25 1998-02-13 Sharp Corp 半導体素子の基板実装構造及びその実装方法
US5759910A (en) * 1996-12-23 1998-06-02 Motorola, Inc. Process for fabricating a solder bump for a flip chip integrated circuit
US6077382A (en) * 1997-05-09 2000-06-20 Citizen Watch Co., Ltd Mounting method of semiconductor chip
JP2997232B2 (ja) * 1997-11-11 2000-01-11 富士通株式会社 フリップチップ実装用基板及びフリップチップ実装検査方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326300A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
US20130001274A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device
US8534532B2 (en) * 2011-06-30 2013-09-17 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device
US8701972B2 (en) 2011-06-30 2014-04-22 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device
US9818678B2 (en) 2011-06-30 2017-11-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device

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