JP2000003940A - 半導体装置用接着層付き配線テ―プ及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用接着層付き配線テ―プ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は半導体パッケージ構造において、実装
基板として有機材料を用いた場合も、実装基板と半導体
素子の熱膨張率差を吸収する緩衝体を有することにより
優れた接続信頼性をもつ半導体装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】半導体素子と実装基板の熱膨張率差によっ
て生じる熱応力の緩衝体としてフィルム材料を用いた。
前記フィルム材料のリフロー温度域（２００〜２５０
℃）の弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする。
基板として有機材料を用いた場合も、実装基板と半導体
素子の熱膨張率差を吸収する緩衝体を有することにより
優れた接続信頼性をもつ半導体装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】半導体素子と実装基板の熱膨張率差によっ
て生じる熱応力の緩衝体としてフィルム材料を用いた。
前記フィルム材料のリフロー温度域（２００〜２５０
℃）の弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気特性，実装信頼
性，組立性に優れた高密度，多ピン化，高速伝送対応の
配線テープ，半導体装置及びその製造方法に関する。
性，組立性に優れた高密度，多ピン化，高速伝送対応の
配線テープ，半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年電気，電子部品の高性能化に伴い半
導体装置の高集積化および高密度化が強く望まれてい
る。そのため半導体素子はＬＳＩ，ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ
へと高集積，高機能化され、素子の大型化，多ピン化，
高速化，高消費電力化が進んできた。これに対応して多
ピン用の半導体装置のパッケージ構造は素子の二辺に接
続端子を有する構造から四辺すべてに端子を有する構造
に変化してきた。さらに多ピン化対応として多層キャリ
ア基板を用いて実装面全体に接続端子が格子上に有する
グリッドアレイ構造が実用化されている。このグリッド
アレイ構造の中には高速信号伝送を可能にするため接続
端子長を短縮したボールグリッドアレイ構造（ＢＧＡ）
が適用されている。接続端子としてのボール型構造は導
体幅も太くなるため低インダクタンス化にも効果的であ
る。さらに最近ではより高速対応として多層キャリア基
板に比較的誘電率の低い有機材料が検討されている。し
かし有機材料は一般に半導体素子に比べて熱膨張率が大
きいため、その熱膨張率差により発生する熱応力のため
接続信頼性等に問題がある。最近このようなＢＧＡパッ
ケージにおいて、キャリア基板を用いない構造が提案さ
れている。即ち、半導体素子と実装基板との熱膨張率差
により発生する熱応力を低弾性率のエラストマ材料で緩
和することにより接続信頼性を向上させる新しい半導体
素子パッケージ構造が提案されている(米国特許第51482
65号）。このパッケージ構造は半導体素子と実装基板の
電気的接続をキャリア基板の代わりにポリイミド等から
構成される配線テープを用いている。そのため電気的接
続箇所としては半導体素子と配線テープはワイヤボンデ
ィング法あるいはリードによるボンディング接続がとら
れており、配線テープと実装基板ははんだボール端子に
よる電気的接続がなされている。この従来技術に用いら
れるエラストマは耐熱性に優れた低弾性率材料という観
点からシリコーン系材料が一般的に用いられている。シ
リコーン系材料を用いた応力緩衝層の一般的な形成方法
としては配線テープに未硬化の液状樹脂をマスク等を用
いて印刷して、その後硬化物を得る工程が用いられてい
る。この方法は印刷により得られる緩衝層の平坦性を確
保することが困難なことと印刷工程が繁雑で時間がかか
る問題点を有する。そのため量産工程に対して不利であ
ると同時に緩衝層の平坦性が確保できないため組立歩留
り及び実装信頼性に問題を有する。
導体装置の高集積化および高密度化が強く望まれてい
る。そのため半導体素子はＬＳＩ，ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ
へと高集積，高機能化され、素子の大型化，多ピン化，
高速化，高消費電力化が進んできた。これに対応して多
ピン用の半導体装置のパッケージ構造は素子の二辺に接
続端子を有する構造から四辺すべてに端子を有する構造
に変化してきた。さらに多ピン化対応として多層キャリ
ア基板を用いて実装面全体に接続端子が格子上に有する
グリッドアレイ構造が実用化されている。このグリッド
アレイ構造の中には高速信号伝送を可能にするため接続
端子長を短縮したボールグリッドアレイ構造（ＢＧＡ）
が適用されている。接続端子としてのボール型構造は導
体幅も太くなるため低インダクタンス化にも効果的であ
る。さらに最近ではより高速対応として多層キャリア基
板に比較的誘電率の低い有機材料が検討されている。し
かし有機材料は一般に半導体素子に比べて熱膨張率が大
きいため、その熱膨張率差により発生する熱応力のため
接続信頼性等に問題がある。最近このようなＢＧＡパッ
ケージにおいて、キャリア基板を用いない構造が提案さ
れている。即ち、半導体素子と実装基板との熱膨張率差
により発生する熱応力を低弾性率のエラストマ材料で緩
和することにより接続信頼性を向上させる新しい半導体
素子パッケージ構造が提案されている(米国特許第51482
65号）。このパッケージ構造は半導体素子と実装基板の
電気的接続をキャリア基板の代わりにポリイミド等から
構成される配線テープを用いている。そのため電気的接
続箇所としては半導体素子と配線テープはワイヤボンデ
ィング法あるいはリードによるボンディング接続がとら
れており、配線テープと実装基板ははんだボール端子に
よる電気的接続がなされている。この従来技術に用いら
れるエラストマは耐熱性に優れた低弾性率材料という観
点からシリコーン系材料が一般的に用いられている。シ
リコーン系材料を用いた応力緩衝層の一般的な形成方法
としては配線テープに未硬化の液状樹脂をマスク等を用
いて印刷して、その後硬化物を得る工程が用いられてい
る。この方法は印刷により得られる緩衝層の平坦性を確
保することが困難なことと印刷工程が繁雑で時間がかか
る問題点を有する。そのため量産工程に対して不利であ
ると同時に緩衝層の平坦性が確保できないため組立歩留
り及び実装信頼性に問題を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は半導体装置に
おいて、熱応力を低減するためのエラストマ材料として
フィルム材料を用いることにより平坦性に優れた応力緩
衝層を得られる技術を開示するとともに量産性に優れた
半導体装置を提供することにある。
おいて、熱応力を低減するためのエラストマ材料として
フィルム材料を用いることにより平坦性に優れた応力緩
衝層を得られる技術を開示するとともに量産性に優れた
半導体装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は以下の手段を提供する。その手段は配線層
を有するテープ材料と半導体素子が電気的に接続され、
その配線テープ上に実装基板と電気的に接続するための
外部端子を有し、配線テープと半導体素子を絶縁性を保
持した状態で接着する材料にフィルム材料を用いた半導
体装置において、接着用フィルム材料の物性として実装
リフロー条件の温度領域（２００〜２５０℃）の弾性率
が１ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置を提
供することにより達成される。
め、本発明は以下の手段を提供する。その手段は配線層
を有するテープ材料と半導体素子が電気的に接続され、
その配線テープ上に実装基板と電気的に接続するための
外部端子を有し、配線テープと半導体素子を絶縁性を保
持した状態で接着する材料にフィルム材料を用いた半導
体装置において、接着用フィルム材料の物性として実装
リフロー条件の温度領域（２００〜２５０℃）の弾性率
が１ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置を提
供することにより達成される。
【０００５】前記接着用フィルム材料としては、半導体
装置の製造工程において実装基板と接続するためのはん
だボール等による外部端子を形成する工程、あるいは実
装基板に本発明の半導体素子を実装するためのはんだリ
フロー工程を経る。このリフロー温度は一般に２００〜
２５０℃の高温で処理されるため、吸湿した半導体装置
は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤して
あるしきい値を超えると発泡現象を生じ、ボイド，剥離
等の欠陥を生じる。そのため用いるフィルム材料はでき
るだけ吸湿率が低いことと同時にリフロー温度での弾性
率が高いことが要求される。本発明では各種フィルム材
料を検討してリフロー工程の温度領域での接着材料の弾
性率が１ＭＰａ以上であればリフロー特性に優れている
ことを見い出した。材料の弾性率の温度依存性の例を図
１に示す。
装置の製造工程において実装基板と接続するためのはん
だボール等による外部端子を形成する工程、あるいは実
装基板に本発明の半導体素子を実装するためのはんだリ
フロー工程を経る。このリフロー温度は一般に２００〜
２５０℃の高温で処理されるため、吸湿した半導体装置
は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤して
あるしきい値を超えると発泡現象を生じ、ボイド，剥離
等の欠陥を生じる。そのため用いるフィルム材料はでき
るだけ吸湿率が低いことと同時にリフロー温度での弾性
率が高いことが要求される。本発明では各種フィルム材
料を検討してリフロー工程の温度領域での接着材料の弾
性率が１ＭＰａ以上であればリフロー特性に優れている
ことを見い出した。材料の弾性率の温度依存性の例を図
１に示す。
【０００６】また、実装リフロー条件の温度領域（２０
０〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上を維持する材料
を用いることにより耐リフロー特性に良好な結果が得ら
れることを見い出している。膨潤量は蒸気圧と弾性率の
比で決まり、弾性率が高いほど膨潤量が小さくなる。こ
の膨潤量が材料の機械特性である破断伸び量を超えると
発泡現象が生じる。また弾性率は接着用フィルム材料の
機械強度とも相関があり、弾性率が高いほど一般的に破
断強度，破断伸び量は大きくなる傾向にある。そのため
リフロー温度域での弾性率の高い材料を用いることによ
り膨潤量，機械特性の両面の観点からリフロー特性がよ
くなる。この時接着用フィルム材料としては熱硬化性樹
脂あるいは熱可塑性樹脂から構成される。
０〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上を維持する材料
を用いることにより耐リフロー特性に良好な結果が得ら
れることを見い出している。膨潤量は蒸気圧と弾性率の
比で決まり、弾性率が高いほど膨潤量が小さくなる。こ
の膨潤量が材料の機械特性である破断伸び量を超えると
発泡現象が生じる。また弾性率は接着用フィルム材料の
機械強度とも相関があり、弾性率が高いほど一般的に破
断強度，破断伸び量は大きくなる傾向にある。そのため
リフロー温度域での弾性率の高い材料を用いることによ
り膨潤量，機械特性の両面の観点からリフロー特性がよ
くなる。この時接着用フィルム材料としては熱硬化性樹
脂あるいは熱可塑性樹脂から構成される。
【０００７】また接着層としては上記材料による接着剤
の他、粘着性樹脂，粘接着性樹脂から構成される場合も
ある。リフロー工程の温度領域で１ＭＰａ以上の弾性率
を維持するためには熱可塑性樹脂の場合にはリフロー工
程の温度領域（200〜250℃）以上に弾性率の変化点であ
るガラス転移温度があることが望ましい。また熱硬化性
樹脂の場合には、ガラス転移温度より高温のゴム領域で
ある程度の化学的ないし物理的な橋架け構造を有するこ
とが必要である。即ち、ゴム領域の弾性率と橋架け密度
は一般に比例関係にあり、弾性率を高くするためには橋
架け密度を高くすることが必要である。またフィルム材
料は応力緩衝層として機能するため室温の弾性率が４０
００ＭＰａ以下の低弾性率樹脂から構成されていること
が望ましい。
の他、粘着性樹脂，粘接着性樹脂から構成される場合も
ある。リフロー工程の温度領域で１ＭＰａ以上の弾性率
を維持するためには熱可塑性樹脂の場合にはリフロー工
程の温度領域（200〜250℃）以上に弾性率の変化点であ
るガラス転移温度があることが望ましい。また熱硬化性
樹脂の場合には、ガラス転移温度より高温のゴム領域で
ある程度の化学的ないし物理的な橋架け構造を有するこ
とが必要である。即ち、ゴム領域の弾性率と橋架け密度
は一般に比例関係にあり、弾性率を高くするためには橋
架け密度を高くすることが必要である。またフィルム材
料は応力緩衝層として機能するため室温の弾性率が４０
００ＭＰａ以下の低弾性率樹脂から構成されていること
が望ましい。
【０００８】またフィルム材料の特性としてはリフロー
特性の観点から８５℃／８５％ＲＨ，１６８時間での吸
湿率が３％以下であることが望ましい。フィルム材料の
場合シリコーン系以外の低弾性率材料が適用可能であ
る。またフィルム材料の構成としては接着剤成分のみか
らなる均一構造だけでなく、例えば支持体の両面に接着
剤層を有する三層構造で構成されている場合、多孔質の
支持体に接着剤が含浸されて構成されている場合等もあ
る。フィルム形状としては各種打抜きによる形状，メッ
シュ形状等がある。メッシュ形状は貼付け面積を小さく
することができ吸湿時の耐リフロー性向上にさらに効果
的である。
特性の観点から８５℃／８５％ＲＨ，１６８時間での吸
湿率が３％以下であることが望ましい。フィルム材料の
場合シリコーン系以外の低弾性率材料が適用可能であ
る。またフィルム材料の構成としては接着剤成分のみか
らなる均一構造だけでなく、例えば支持体の両面に接着
剤層を有する三層構造で構成されている場合、多孔質の
支持体に接着剤が含浸されて構成されている場合等もあ
る。フィルム形状としては各種打抜きによる形状，メッ
シュ形状等がある。メッシュ形状は貼付け面積を小さく
することができ吸湿時の耐リフロー性向上にさらに効果
的である。
【０００９】三層構造で代表される多層構造の場合、支
持体，接着層は上記の熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂，粘
着性樹脂，粘接着性樹脂等二種類以上を組み合わせるこ
とが可能である。また接着層は両面あるが、それぞれ違
う材料であることも可能である。例えば配線テープ側の
配線層の凹凸を埋めるためには流動性の高い熱硬化性樹
脂を用い、反対側の平坦な半導体素子を接着する部分に
は高温で短時間で接着可能な熱可塑性樹脂の組み合わせ
等がある。
持体，接着層は上記の熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂，粘
着性樹脂，粘接着性樹脂等二種類以上を組み合わせるこ
とが可能である。また接着層は両面あるが、それぞれ違
う材料であることも可能である。例えば配線テープ側の
配線層の凹凸を埋めるためには流動性の高い熱硬化性樹
脂を用い、反対側の平坦な半導体素子を接着する部分に
は高温で短時間で接着可能な熱可塑性樹脂の組み合わせ
等がある。
【００１０】本発明の一般的な半導体装置の製造工程を
図２に示す。代表的な製造工程は次の３種類に分類され
る。ひとつは（図２−ａ）（１）配線層を有するテープ
に接着用フィルムを貼り付ける工程、（２）配線層を有
するテープに接着用フィルムを介して半導体素子と絶縁
性を保持した状態で貼り付ける工程、（３）テープ上に
形成されている配線層と半導体素子上のパッドとを電気
的に接続する工程、（４）上記電気的に接続した箇所を
絶縁物により封止する工程、（５）テープ上に実装基板
と接続するための外部端子を形成する工程、からなる半
導体素子の製造方法である。
図２に示す。代表的な製造工程は次の３種類に分類され
る。ひとつは（図２−ａ）（１）配線層を有するテープ
に接着用フィルムを貼り付ける工程、（２）配線層を有
するテープに接着用フィルムを介して半導体素子と絶縁
性を保持した状態で貼り付ける工程、（３）テープ上に
形成されている配線層と半導体素子上のパッドとを電気
的に接続する工程、（４）上記電気的に接続した箇所を
絶縁物により封止する工程、（５）テープ上に実装基板
と接続するための外部端子を形成する工程、からなる半
導体素子の製造方法である。
【００１１】この方法は後述するように配線テープとフ
ィルム材料を長尺のリール工程で扱うことができ、量産
性を上げるのに効果的な製造方法である。また第二の製
造方法としては（図２−ｂ）（１）半導体素子に接着用
フィルムを形成する工程、（２）配線層を有するテープ
を接着用フィルムを介して半導体素子と絶縁的に貼り付
ける工程、（３）テープ上に形成されている配線層と半
導体素子上のパッドとを電気的に接続する工程、（４）
上記電気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工
程、（５）テープ上に実装基板と接続するための外部端
子を形成する工程、からなる半導体素子の製造方法があ
る。この方法はウエハ段階の状態で半導体素子上に応力
緩衝層を形成することも可能で、半導体素子そのものの
分留り向上に効果的な製造方法である。
ィルム材料を長尺のリール工程で扱うことができ、量産
性を上げるのに効果的な製造方法である。また第二の製
造方法としては（図２−ｂ）（１）半導体素子に接着用
フィルムを形成する工程、（２）配線層を有するテープ
を接着用フィルムを介して半導体素子と絶縁的に貼り付
ける工程、（３）テープ上に形成されている配線層と半
導体素子上のパッドとを電気的に接続する工程、（４）
上記電気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工
程、（５）テープ上に実装基板と接続するための外部端
子を形成する工程、からなる半導体素子の製造方法があ
る。この方法はウエハ段階の状態で半導体素子上に応力
緩衝層を形成することも可能で、半導体素子そのものの
分留り向上に効果的な製造方法である。
【００１２】三つ目の方法としては（図２−ｃ）（１）
接着用フィルムを介して配線層を有するテープと半導体
素子を位置合わせして一括で絶縁的に貼り合わせる工
程、（２）テープ上に形成されている配線層と半導体素
子上のパッドとを電気的に接続する工程、（３）上記電
気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工程、
（４）テープ上に実装基板と接続するための外部端子を
形成する工程、からなる半導体素子の製造方法がある。
これは製造工程数を減少することができ、製造時間の短
縮に有効である。
接着用フィルムを介して配線層を有するテープと半導体
素子を位置合わせして一括で絶縁的に貼り合わせる工
程、（２）テープ上に形成されている配線層と半導体素
子上のパッドとを電気的に接続する工程、（３）上記電
気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工程、
（４）テープ上に実装基板と接続するための外部端子を
形成する工程、からなる半導体素子の製造方法がある。
これは製造工程数を減少することができ、製造時間の短
縮に有効である。
【００１３】これら製造方法は基本的には次の工程から
形成されている。即ち配線層を形成したテープ材料と半
導体素子の間に本発明における接着性フィルム材料を何
らかの方法で設置して所定温度，所定圧力，所定時間の
条件により一括あるいは逐次で両者を接着する。その後
テープ上の配線層と半導体素子の接続パッドを電気的に
接続する。接続方法としてはあらかじめ配線テープに回
路により形成された接続リードを用いて半導体素子と接
続する方法、この場合はシングルポイントボンディング
あるいは一括ギャングボンディング法等が用いられる。
形成されている。即ち配線層を形成したテープ材料と半
導体素子の間に本発明における接着性フィルム材料を何
らかの方法で設置して所定温度，所定圧力，所定時間の
条件により一括あるいは逐次で両者を接着する。その後
テープ上の配線層と半導体素子の接続パッドを電気的に
接続する。接続方法としてはあらかじめ配線テープに回
路により形成された接続リードを用いて半導体素子と接
続する方法、この場合はシングルポイントボンディング
あるいは一括ギャングボンディング法等が用いられる。
【００１４】また別の接続技術としては両者をワイヤボ
ンディングにより接続する方法等が用いられる。次に接
続部分を絶縁材料により封止して、最後に配線テープ上
に実装基板との電気的接続端子である外部端子を形成す
る。外部端子としては一般的にははんだボールを用いる
場合、めっきによるボール形成法を用いることが多い。
めっきの場合金属としては金，ニッケル，銅，はんだ等
が挙げられる。
ンディングにより接続する方法等が用いられる。次に接
続部分を絶縁材料により封止して、最後に配線テープ上
に実装基板との電気的接続端子である外部端子を形成す
る。外部端子としては一般的にははんだボールを用いる
場合、めっきによるボール形成法を用いることが多い。
めっきの場合金属としては金，ニッケル，銅，はんだ等
が挙げられる。
【００１５】製造工程で量産性を上げるためには、例え
ば（図２−ａ）で示したように接着用フィルム材料をあ
らかじめ配線テープと一体化する工程が重要である。
ば（図２−ａ）で示したように接着用フィルム材料をあ
らかじめ配線テープと一体化する工程が重要である。
【００１６】この場合の一般的な製造方法としては図３
に示すように配線層を形成したテープを長尺のリール工
程で搬送して接着用フィルムを所定の大きさに打抜きな
がら貼り付けていく方法が量産性に有効である。この場
合接着層が熱硬化性樹脂の場合は未硬化のＡステージあ
るいは半硬化のＢステージの状態で配線テープに接着す
る。得られた接着性フィルム付配線テープを用いて半導
体素子と接着する工程で樹脂はさらに硬化が進み最終的
にＣステージに達する。あるいは接着剤が配線テープと
一体化する工程で既にＣステージに達する場合には硬化
したフィルム部分の上に接着成分を新たに形成する場合
もある。
に示すように配線層を形成したテープを長尺のリール工
程で搬送して接着用フィルムを所定の大きさに打抜きな
がら貼り付けていく方法が量産性に有効である。この場
合接着層が熱硬化性樹脂の場合は未硬化のＡステージあ
るいは半硬化のＢステージの状態で配線テープに接着す
る。得られた接着性フィルム付配線テープを用いて半導
体素子と接着する工程で樹脂はさらに硬化が進み最終的
にＣステージに達する。あるいは接着剤が配線テープと
一体化する工程で既にＣステージに達する場合には硬化
したフィルム部分の上に接着成分を新たに形成する場合
もある。
【００１７】形成法として一般的には塗布法，フィルム
貼付け法がある。接着成分が室温で粘着性がない場合が
望ましいが、粘着性が有する時は離型紙等を用いる場合
がある。
貼付け法がある。接着成分が室温で粘着性がない場合が
望ましいが、粘着性が有する時は離型紙等を用いる場合
がある。
【００１８】図４にこの場合の接着性フィルム付配線テ
ープの構成を示す。この配線テープは半導体素子と接着
が可能である。この場合、配線テープ側の接着層に熱硬
化性樹脂を用い、半導体素子を接着する側を熱可塑性樹
脂を用いることによりより簡便に図４に示す接着能を有
する配線テープを供給することができる。
ープの構成を示す。この配線テープは半導体素子と接着
が可能である。この場合、配線テープ側の接着層に熱硬
化性樹脂を用い、半導体素子を接着する側を熱可塑性樹
脂を用いることによりより簡便に図４に示す接着能を有
する配線テープを供給することができる。
【００１９】次に接着層が熱可塑性，粘着性あるいは粘
接着性材料の場合は配線テープとの接着と半導体素子と
の接着の二段階の条件は全く同じにすることも可能であ
る。熱硬化性樹脂の場合と異なり反応を途中段階で制御
する必要がなく、作業性に優れた製造工程を提供するこ
とが可能である。
接着性材料の場合は配線テープとの接着と半導体素子と
の接着の二段階の条件は全く同じにすることも可能であ
る。熱硬化性樹脂の場合と異なり反応を途中段階で制御
する必要がなく、作業性に優れた製造工程を提供するこ
とが可能である。
【００２０】粘着性あるいは粘接着性材料の場合、接着
温度は室温も可能で半導体素子の反りの点からも有利な
材料である。あらかじめ接着用フィルムが配線テープと
一体化している場合は半導体素子を接着する際の位置合
せが容易になる。そのため接着装置の治具も非常に簡便
になり、量産性工程に有利である。
温度は室温も可能で半導体素子の反りの点からも有利な
材料である。あらかじめ接着用フィルムが配線テープと
一体化している場合は半導体素子を接着する際の位置合
せが容易になる。そのため接着装置の治具も非常に簡便
になり、量産性工程に有利である。
【００２１】また本発明における半導体装置は配線テー
プ上の配線回路の凹凸をフィルムの接着層で埋め込む場
合もあり、この場合も配線テープとの接着時に埋め込み
性の良否を配線テープとの一体化の工程で確認でき、半
導体素子を接続する前に不良を除くことが可能で、半導
体素子の無駄を防ぐことができ歩留り向上の点からも有
利である。
プ上の配線回路の凹凸をフィルムの接着層で埋め込む場
合もあり、この場合も配線テープとの接着時に埋め込み
性の良否を配線テープとの一体化の工程で確認でき、半
導体素子を接続する前に不良を除くことが可能で、半導
体素子の無駄を防ぐことができ歩留り向上の点からも有
利である。
【００２２】フィルム材料の接着成分を構成する代表的
な熱硬化性及び熱可塑性樹脂としてはエポキシ樹脂，ポ
リイミド樹脂，ポリアミド樹脂，シアネート樹脂，イソ
シアネート樹脂，含フッ素樹脂，含ケイ素樹脂，ウレタ
ン樹脂，アクリル樹脂，スチレン樹脂，マレイミド樹
脂，フェノール樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，ジアリ
ルフタレート樹脂，シアナミド樹脂，ポリブタジエン樹
脂，ポリアミドイミド樹脂，ポリエーテル樹脂，ポリス
ルホン樹脂，ポリエステル樹脂，ポリオレフィン樹脂，
ポリスチレン樹脂，ポリ塩化ビニル樹脂，トランスポリ
イソプレン樹脂，ポリアセタール樹脂，ポリカーボネー
ト樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，ポリフェニレン
スルフィド樹脂，ポリアリレート樹脂，ポリエーテルイ
ミド樹脂，ポリエーテルスルホン樹脂，ポリエーテルケ
トン樹脂，液晶ポリエステル樹脂，ポリアリルエーテル
ニトリル樹脂，ポリベンゾイミダゾール樹脂、その他各
種ポリマーブレンド，ポリマーアロイ等が挙げられる。
な熱硬化性及び熱可塑性樹脂としてはエポキシ樹脂，ポ
リイミド樹脂，ポリアミド樹脂，シアネート樹脂，イソ
シアネート樹脂，含フッ素樹脂，含ケイ素樹脂，ウレタ
ン樹脂，アクリル樹脂，スチレン樹脂，マレイミド樹
脂，フェノール樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，ジアリ
ルフタレート樹脂，シアナミド樹脂，ポリブタジエン樹
脂，ポリアミドイミド樹脂，ポリエーテル樹脂，ポリス
ルホン樹脂，ポリエステル樹脂，ポリオレフィン樹脂，
ポリスチレン樹脂，ポリ塩化ビニル樹脂，トランスポリ
イソプレン樹脂，ポリアセタール樹脂，ポリカーボネー
ト樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，ポリフェニレン
スルフィド樹脂，ポリアリレート樹脂，ポリエーテルイ
ミド樹脂，ポリエーテルスルホン樹脂，ポリエーテルケ
トン樹脂，液晶ポリエステル樹脂，ポリアリルエーテル
ニトリル樹脂，ポリベンゾイミダゾール樹脂、その他各
種ポリマーブレンド，ポリマーアロイ等が挙げられる。
【００２３】これら熱硬化及び熱可塑性樹脂は加熱によ
り溶融あるいは軟化により接着性を有する材料である。
これに対して粘着及び粘接着性材料は圧力をかけること
により接着性を有する材料である。
り溶融あるいは軟化により接着性を有する材料である。
これに対して粘着及び粘接着性材料は圧力をかけること
により接着性を有する材料である。
【００２４】粘着及び粘接着性材料としてはシリコーン
系，ブタジエン，イソプレン等のゴム系，アクリル樹脂
系，ポリビニルエーテル系等がある。このうち粘接着性
材料には室温硬化型，熱、ＵＶ，ＥＢ等による硬化型，
促進剤併用型等がある。このうち室温硬化型は空気中の
水分で反応する湿気反応型，光開始剤を含有している太
陽光反応型，過酸化物等を含む嫌気型材料がある。熱硬
化型は一般的にはチウラム系，フェノール系，イソシア
ネート系等の架橋剤を含有しており、所定の温度で粘着
成分が三次元架橋して接着層になる。
系，ブタジエン，イソプレン等のゴム系，アクリル樹脂
系，ポリビニルエーテル系等がある。このうち粘接着性
材料には室温硬化型，熱、ＵＶ，ＥＢ等による硬化型，
促進剤併用型等がある。このうち室温硬化型は空気中の
水分で反応する湿気反応型，光開始剤を含有している太
陽光反応型，過酸化物等を含む嫌気型材料がある。熱硬
化型は一般的にはチウラム系，フェノール系，イソシア
ネート系等の架橋剤を含有しており、所定の温度で粘着
成分が三次元架橋して接着層になる。
【００２５】ＵＶ，ＥＢ反応型は各種光開始剤を含有し
た材料である。促進剤併用型は反応促進剤，架橋剤等を
含んだ溶液が粘着層表面に塗布されており、接着圧力に
より両成分が混合して経時的に反応が進行して最終的に
接着層を形成する。本発明における粘接着剤としては熱
硬化性型が比較的好適である。これを用いることにより
室温で配線テープと半導体素子を位置合わせして接着
後、恒温槽等により多数個一度に所定温度に上げて硬化
反応を進め接着強度を確保することにより量産性に優
れ、かつ信頼性に優れた半導体装置を提供できる。
た材料である。促進剤併用型は反応促進剤，架橋剤等を
含んだ溶液が粘着層表面に塗布されており、接着圧力に
より両成分が混合して経時的に反応が進行して最終的に
接着層を形成する。本発明における粘接着剤としては熱
硬化性型が比較的好適である。これを用いることにより
室温で配線テープと半導体素子を位置合わせして接着
後、恒温槽等により多数個一度に所定温度に上げて硬化
反応を進め接着強度を確保することにより量産性に優
れ、かつ信頼性に優れた半導体装置を提供できる。
【００２６】接着用フィルム材料の弾性率は高温域では
リフロー特性の観点から高弾性率であることが望ましい
が室温域ではできるだけ弾性率が低いことが望ましい。
それは半導体素子と実装基板は一般に熱膨張率が異なる
ため実装時にはんだボール等から構成される外部端子に
熱応力が発生して接続信頼性が重要課題になる。
リフロー特性の観点から高弾性率であることが望ましい
が室温域ではできるだけ弾性率が低いことが望ましい。
それは半導体素子と実装基板は一般に熱膨張率が異なる
ため実装時にはんだボール等から構成される外部端子に
熱応力が発生して接続信頼性が重要課題になる。
【００２７】半導体素子と実装基板の間に存在する接着
用フィルム材料の弾性率が低ければこの部分が応力緩衝
層になり接続信頼性の観点から有利になる。室温の弾性
率として４０００ＭＰａ以下であることが望ましい。さ
らに願わくば温度サイクル試験全域（−５５℃〜１５０
℃）での弾性率が２０００ＭＰａ以下であることが望ま
しい。このような高温で弾性率を維持しつつ、室温を含
む低温域で比較的低弾性率材料としてはシリコーン系材
料が用いられることが多い。シリコーン系材料からなる
フィルム材料は本発明において極めて重要な材料の一種
である。
用フィルム材料の弾性率が低ければこの部分が応力緩衝
層になり接続信頼性の観点から有利になる。室温の弾性
率として４０００ＭＰａ以下であることが望ましい。さ
らに願わくば温度サイクル試験全域（−５５℃〜１５０
℃）での弾性率が２０００ＭＰａ以下であることが望ま
しい。このような高温で弾性率を維持しつつ、室温を含
む低温域で比較的低弾性率材料としてはシリコーン系材
料が用いられることが多い。シリコーン系材料からなる
フィルム材料は本発明において極めて重要な材料の一種
である。
【００２８】しかし上記特性を満足するシリコーン系以
外のフィルム材料はシリコーンと比較して次の利点を有
している。即ち、シリコーンは凝集エネルギーが小さい
ため高温放置等（例えば１５０℃以上）の長期加熱処理
において環状の低分子化合物が徐々に熱分解して周囲へ
の汚染の原因になる場合もある。
外のフィルム材料はシリコーンと比較して次の利点を有
している。即ち、シリコーンは凝集エネルギーが小さい
ため高温放置等（例えば１５０℃以上）の長期加熱処理
において環状の低分子化合物が徐々に熱分解して周囲へ
の汚染の原因になる場合もある。
【００２９】本発明のフィルム材料の構成としては接着
剤成分のみからなる均一構造だけでなく、例えば支持体
の両面に接着剤層を有する三層構造で構成されている場
合、多孔質の支持体に接着剤が含浸され構成されている
場合等もある。フィルム材料の支持体としてはポリイミ
ド，エポキシ，ポリエチレンテレフタレート，セルロー
ス，アセテート，含フッ素ポリマ等のフィルムあるいは
多孔質材料が挙げられる。
剤成分のみからなる均一構造だけでなく、例えば支持体
の両面に接着剤層を有する三層構造で構成されている場
合、多孔質の支持体に接着剤が含浸され構成されている
場合等もある。フィルム材料の支持体としてはポリイミ
ド，エポキシ，ポリエチレンテレフタレート，セルロー
ス，アセテート，含フッ素ポリマ等のフィルムあるいは
多孔質材料が挙げられる。
【００３０】フィルム形状としては各種打抜きによる形
状，メッシュ形状等がある。メッシュ形状は貼付け面積
を小さくすることができ吸湿時の耐リフロー特性の向上
に有効である。三層構造の場合、両面の接着層の厚さ，
種類を任意に制御することができ、貼り付け時の流動性
の制御が容易である。また中央の支持体により確実に絶
縁層が確保できる利点がある。
状，メッシュ形状等がある。メッシュ形状は貼付け面積
を小さくすることができ吸湿時の耐リフロー特性の向上
に有効である。三層構造の場合、両面の接着層の厚さ，
種類を任意に制御することができ、貼り付け時の流動性
の制御が容易である。また中央の支持体により確実に絶
縁層が確保できる利点がある。
【００３１】接着用フィルム材料の８５℃／８５％ＲＨ
の飽和吸湿率が３％以下の材料を用いることによりリフ
ロー時の吸湿による蒸気圧の値を低く抑えることがで
き、良好なリフロー特性が得られる。
の飽和吸湿率が３％以下の材料を用いることによりリフ
ロー時の吸湿による蒸気圧の値を低く抑えることがで
き、良好なリフロー特性が得られる。
【００３２】配線層を有するテープは一般にフレキシブ
ル回路基板から構成される。即ち絶縁層としてはポリイ
ミド系材料，導体との接着層としてはエポキシ系材料，
ポリイミド系材料，フェノール系材料，ポリアミド系材
料等が用いられる。また導体層としては多くの場合銅が
用いられる。配線回路としては銅の上にニッケル，金め
っき等で被覆されることもある。フレキシブル回路基板
の中には導体との接着層を用いないポリイミド絶縁層に
直接銅が形成された材料を用いることもある。また配線
層を有するテープは多層配線構造をとる場合もある。こ
の時は配線テープ内に信号配線層以外に電源層，グラン
ド層等を形成することができ、電気特性に優れた半導体
装置を提供することが可能になる。
ル回路基板から構成される。即ち絶縁層としてはポリイ
ミド系材料，導体との接着層としてはエポキシ系材料，
ポリイミド系材料，フェノール系材料，ポリアミド系材
料等が用いられる。また導体層としては多くの場合銅が
用いられる。配線回路としては銅の上にニッケル，金め
っき等で被覆されることもある。フレキシブル回路基板
の中には導体との接着層を用いないポリイミド絶縁層に
直接銅が形成された材料を用いることもある。また配線
層を有するテープは多層配線構造をとる場合もある。こ
の時は配線テープ内に信号配線層以外に電源層，グラン
ド層等を形成することができ、電気特性に優れた半導体
装置を提供することが可能になる。
【００３３】配線層を有するテープ材料と半導体素子を
電気的に接続するための半導体素子上のバッド端子の配
置構造としては代表的には次の二つの型がある。
電気的に接続するための半導体素子上のバッド端子の配
置構造としては代表的には次の二つの型がある。
【００３４】一つは図５に示すような周辺パッド配置構
造である。この場合半導体装置の外部端子の配置構造と
して図６に示すように三種類の構造がある。即ち外部端
子が半導体素子の下にある場合（Fan Inタイプ，図６−
１）、半導体素子の外側にある場合（Fan Outタイプ，
図６−２）、その両方にある場合（Fan In／Outタイ
プ，図６−３）が挙げられる。
造である。この場合半導体装置の外部端子の配置構造と
して図６に示すように三種類の構造がある。即ち外部端
子が半導体素子の下にある場合（Fan Inタイプ，図６−
１）、半導体素子の外側にある場合（Fan Outタイプ，
図６−２）、その両方にある場合（Fan In／Outタイ
プ，図６−３）が挙げられる。
【００３５】パッド配置の別な場合としては図７に示す
中央配置構造がある。この場合の半導体装置は図８に示
す構造がとられる。
中央配置構造がある。この場合の半導体装置は図８に示
す構造がとられる。
【００３６】本発明において半導体素子とはＳｉ，Ｇａ
Ａｓ等の半導体からなるウエハ上にメモリ，ロジック，
ゲートアレイ，カスタム，パワートランジスタ等のＩ
Ｃ，ＬＳＩ等を形成し、リード，バンプ等に接続する端
子を有する素子である。
Ａｓ等の半導体からなるウエハ上にメモリ，ロジック，
ゲートアレイ，カスタム，パワートランジスタ等のＩ
Ｃ，ＬＳＩ等を形成し、リード，バンプ等に接続する端
子を有する素子である。
【００３７】本発明は配線層を有するテープを半導体素
子と実装基板の電気的接続の仲介材料として用いた半導
体装置において配線テープと半導体素子との絶縁性を保
持した状態で接着材料として高温域であるリフロー温度
領域(２００〜２５０℃)での弾性率が１ＭＰａ以上のフ
ィルム材料を用いることにより耐リフロー特性，接続信
頼性に優れた半導体装置を提供することが可能になっ
た。フィルム材料を用いることにより従来の印刷法等に
比べてより量産性に優れた製造方法を提供することが可
能になる。
子と実装基板の電気的接続の仲介材料として用いた半導
体装置において配線テープと半導体素子との絶縁性を保
持した状態で接着材料として高温域であるリフロー温度
領域(２００〜２５０℃)での弾性率が１ＭＰａ以上のフ
ィルム材料を用いることにより耐リフロー特性，接続信
頼性に優れた半導体装置を提供することが可能になっ
た。フィルム材料を用いることにより従来の印刷法等に
比べてより量産性に優れた製造方法を提供することが可
能になる。
【００３８】
【発明の実施の形態】（実施例１）エポキシ系接着フィ
ルム（日立化成，AS3000，厚さ５０μｍ）を半導体素子
と配線テープの間に位置合わせをして設置して１７０℃
１分，圧力５０kgｆ／cm2で接着して、さらに１８０℃
６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上
にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシング
ルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続
部分をエポキシ系封止材料（日立化成，RC021C）で封止
した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であ
るはんだボールを取り付けて図６−１に示す半導体装置
を得た。
ルム（日立化成，AS3000，厚さ５０μｍ）を半導体素子
と配線テープの間に位置合わせをして設置して１７０℃
１分，圧力５０kgｆ／cm2で接着して、さらに１８０℃
６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上
にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシング
ルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続
部分をエポキシ系封止材料（日立化成，RC021C）で封止
した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であ
るはんだボールを取り付けて図６−１に示す半導体装置
を得た。
【００３９】得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ
の恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、最高温度２４５℃の
赤外線リフローに入れて接着層に発泡現象による剥離，
ボイド等の欠陥が発生しないか確認した。さらに得られ
た半導体装置のリード及びはんだバンプの接続信頼性を
確認した。このとき実装基板としてはガラス布基材エポ
キシ樹脂銅張積層板ＦＲ−４（日立化成，ＭＣＬ−Ｅ−
６７）を用いた。信頼性試験は温度サイクル（−５５℃
←→１５０℃，１０００回）条件で評価した。 （実施例２）ポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，
厚さ５０μｍ）の両面にダイボンディング用フィルム材
料からなる接着剤（日立化成，ＤＦ３３５）を各５０μ
ｍ塗布して三層構造のフィルム材料とした。得られたフ
ィルム材料を配線テープに位置合わせをして貼り付け
た。この時接着条件は１７０℃５秒，圧力３０kgｆ／cm
2 とした。この条件では未接着の接着層は半導体素子を
貼り付けるのに十分な接着能を有している。
の恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、最高温度２４５℃の
赤外線リフローに入れて接着層に発泡現象による剥離，
ボイド等の欠陥が発生しないか確認した。さらに得られ
た半導体装置のリード及びはんだバンプの接続信頼性を
確認した。このとき実装基板としてはガラス布基材エポ
キシ樹脂銅張積層板ＦＲ−４（日立化成，ＭＣＬ−Ｅ−
６７）を用いた。信頼性試験は温度サイクル（−５５℃
←→１５０℃，１０００回）条件で評価した。 （実施例２）ポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，
厚さ５０μｍ）の両面にダイボンディング用フィルム材
料からなる接着剤（日立化成，ＤＦ３３５）を各５０μ
ｍ塗布して三層構造のフィルム材料とした。得られたフ
ィルム材料を配線テープに位置合わせをして貼り付け
た。この時接着条件は１７０℃５秒，圧力３０kgｆ／cm
2 とした。この条件では未接着の接着層は半導体素子を
貼り付けるのに十分な接着能を有している。
【００４０】フィルム材料を貼り付けた配線テープと半
導体素子の接着は２００℃１分，圧力３０kgｆ／cm2 と
した。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施し
た。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体
素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接
続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，RC
021C）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との
接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示
す半導体装置を得た。
導体素子の接着は２００℃１分，圧力３０kgｆ／cm2 と
した。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施し
た。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体
素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接
続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，RC
021C）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との
接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示
す半導体装置を得た。
【００４１】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００４２】（実施例３）エポキシ樹脂とアクリル系ゴ
ムから構成される低弾性率接着フィルム（日立化成，試
作品，厚さ１５０μｍ）を半導体素子と配線テープの間
に位置合わせをして設置して１８０℃３０秒，圧力１０
０kgｆ／cm2 で接着して、さらに１８０℃６０分恒温槽
中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リ
ードを用いて半導体素子のパッドとワイヤボンディング
により電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止
材料(東芝シリコーン，TSJ3150）で封止した。最後に配
線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボール
を取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
ムから構成される低弾性率接着フィルム（日立化成，試
作品，厚さ１５０μｍ）を半導体素子と配線テープの間
に位置合わせをして設置して１８０℃３０秒，圧力１０
０kgｆ／cm2 で接着して、さらに１８０℃６０分恒温槽
中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リ
ードを用いて半導体素子のパッドとワイヤボンディング
により電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止
材料(東芝シリコーン，TSJ3150）で封止した。最後に配
線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボール
を取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
【００４３】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００４４】（実施例４）ガラス布基材エポキシ樹脂積
層板（日立化成，ＭＣＬ−Ｅ−６７９の両面銅箔エッチ
ング除去品，厚さ５０μｍ）の両面にエポキシ樹脂とア
クリル系ゴムから構成される低弾性率接着フィルム（日
立化成，試作品，厚さ５０μｍ）を貼合せて三層構造の
フィルム材料とした。
層板（日立化成，ＭＣＬ−Ｅ−６７９の両面銅箔エッチ
ング除去品，厚さ５０μｍ）の両面にエポキシ樹脂とア
クリル系ゴムから構成される低弾性率接着フィルム（日
立化成，試作品，厚さ５０μｍ）を貼合せて三層構造の
フィルム材料とした。
【００４５】このフィルム材料を用いて半導体素子と配
線テープの間に位置合わせをして設置して２００℃２０
秒，圧力８０kgｆ／cm2 で接着して、さらに１８０℃６
０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上に
ある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングル
ポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部
分をシリコーン系封止材料(東芝シリコーン，TSJ3153）
で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端
子であるはんだボールを取り付けて図８に示す半導体装
置を得た。
線テープの間に位置合わせをして設置して２００℃２０
秒，圧力８０kgｆ／cm2 で接着して、さらに１８０℃６
０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上に
ある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングル
ポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部
分をシリコーン系封止材料(東芝シリコーン，TSJ3153）
で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端
子であるはんだボールを取り付けて図８に示す半導体装
置を得た。
【００４６】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００４７】（実施例５）三層構造を有するＬＯＣフィ
ルム（日立化成，HM122U，厚さ１００μｍ）を配線テー
プに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は３
００℃２秒，圧力１５０kgｆ／cm2 とした。貼り付けに
あたっては図２に示した長尺の装置を用いてフィルムを
所定の形状に打抜きながら配線テープに連続的に貼り付
けた。このフィルムの接着層は熱可塑性樹脂のため、未
接着部分の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な
接着能を有している。
ルム（日立化成，HM122U，厚さ１００μｍ）を配線テー
プに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は３
００℃２秒，圧力１５０kgｆ／cm2 とした。貼り付けに
あたっては図２に示した長尺の装置を用いてフィルムを
所定の形状に打抜きながら配線テープに連続的に貼り付
けた。このフィルムの接着層は熱可塑性樹脂のため、未
接着部分の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な
接着能を有している。
【００４８】フィルム材料を貼り付けた配線テープと半
導体素子の接着は３００℃１０秒，圧力１００kgｆ／cm
2 とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて
半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングに
より電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料
（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。最後
に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボ
ールを取り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
導体素子の接着は３００℃１０秒，圧力１００kgｆ／cm
2 とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて
半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングに
より電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料
（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。最後
に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボ
ールを取り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
【００４９】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００５０】（実施例６）熱可塑性ポリイミドフィルム
（三井東圧化学，レグルスＰＩ−ＵＡＹ，厚さ１００μ
ｍ）を半導体素子に位置合わせをして貼り付けた。この
時接着条件は２５０℃２秒，圧力３０kgｆ／cm2 とし
た。このフィルムは熱可塑性樹脂のため、さらに配線テ
ープを貼り付けるのに十分な接着能を有している。
（三井東圧化学，レグルスＰＩ−ＵＡＹ，厚さ１００μ
ｍ）を半導体素子に位置合わせをして貼り付けた。この
時接着条件は２５０℃２秒，圧力３０kgｆ／cm2 とし
た。このフィルムは熱可塑性樹脂のため、さらに配線テ
ープを貼り付けるのに十分な接着能を有している。
【００５１】配線テープとフィルム材料を貼り付けた半
導体素子の接着は２５０℃１０秒，圧力２０kgｆ／cm2
とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半
導体素子のパッドとワイヤボンディングにより電気的に
接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗料，
チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テープ
上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付
けて図６−２に示す半導体装置を得た。
導体素子の接着は２５０℃１０秒，圧力２０kgｆ／cm2
とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半
導体素子のパッドとワイヤボンディングにより電気的に
接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗料，
チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テープ
上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付
けて図６−２に示す半導体装置を得た。
【００５２】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００５３】（実施例７）ポリイミドフィルム（宇部興
産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の片面に含フッ素ポリイミ
ド（ヘキサフルオロビスフェノールＡＦとビス（４−ア
ミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの反
応物，ガラス転移温度２６０℃）を５０μｍ塗布し、も
う一方の片面にはポリエーテルエーテルケトン（ジヒド
ロオキシナフタレンとジフルオロベンゾフェノンの反応
物，ガラス転移温度１５４℃）を５０μｍ塗布して二種
類の接着剤層を有する三層構造のフィルム材料を作製し
た。
産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の片面に含フッ素ポリイミ
ド（ヘキサフルオロビスフェノールＡＦとビス（４−ア
ミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの反
応物，ガラス転移温度２６０℃）を５０μｍ塗布し、も
う一方の片面にはポリエーテルエーテルケトン（ジヒド
ロオキシナフタレンとジフルオロベンゾフェノンの反応
物，ガラス転移温度１５４℃）を５０μｍ塗布して二種
類の接着剤層を有する三層構造のフィルム材料を作製し
た。
【００５４】得られたフィルム材料のガラス転移温度の
低い接着層を用いて配線テープに位置合わせをして貼り
付けた。この時接着条件は２００℃１分，圧力３０kgｆ
／cm2 とした。このフィルムの接着層は熱可塑性樹脂の
ため、さらに半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能
を有している。フィルム材料を貼り付けた配線テープと
半導体素子の接着は３００℃１０秒，圧力８０kgｆ／cm
2 とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて
半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気
的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗
料，チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テ
ープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取
り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
低い接着層を用いて配線テープに位置合わせをして貼り
付けた。この時接着条件は２００℃１分，圧力３０kgｆ
／cm2 とした。このフィルムの接着層は熱可塑性樹脂の
ため、さらに半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能
を有している。フィルム材料を貼り付けた配線テープと
半導体素子の接着は３００℃１０秒，圧力８０kgｆ／cm
2 とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて
半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気
的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗
料，チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テ
ープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取
り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
【００５５】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００５６】（実施例８）シリコーンフィルム(東レダ
ウコーニング，JCR6126，厚さ１５０μｍプレス成形
品）の片面にシリコーン接着剤（信越化学，KE1820）を
２０μｍ塗布し、配線テープに位置合わせをして貼り付
けた。この時接着条件は１５０℃１分，圧力３０kgｆ／
cm2 とした。さらに半導体素子を貼り付けるためもう一
方の片面に同様にシリコーン接着剤（信越化学，ＫＥ１
８２０）を２０μｍ塗布し、フィルム材料を貼り付けた
配線テープと半導体素子を接着した。接着条件は２００
℃３０秒，圧力２０kgｆ／cm2 とした。次に配線テープ
上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャ
ングボンディングにより電気的に接続した。接続部分を
シリコーン系封止材料（東レダウコーニング，DA6501）
で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端
子であるはんだボールを取り付けて図８に示す半導体装
置を得た。
ウコーニング，JCR6126，厚さ１５０μｍプレス成形
品）の片面にシリコーン接着剤（信越化学，KE1820）を
２０μｍ塗布し、配線テープに位置合わせをして貼り付
けた。この時接着条件は１５０℃１分，圧力３０kgｆ／
cm2 とした。さらに半導体素子を貼り付けるためもう一
方の片面に同様にシリコーン接着剤（信越化学，ＫＥ１
８２０）を２０μｍ塗布し、フィルム材料を貼り付けた
配線テープと半導体素子を接着した。接着条件は２００
℃３０秒，圧力２０kgｆ／cm2 とした。次に配線テープ
上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャ
ングボンディングにより電気的に接続した。接続部分を
シリコーン系封止材料（東レダウコーニング，DA6501）
で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端
子であるはんだボールを取り付けて図８に示す半導体装
置を得た。
【００５７】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００５８】（実施例９）両面ＢＴ樹脂を塗布した多孔
質ポリテトラフルオロエチレン（ジャパンゴアテック，
厚さ１９０μｍ）を用いて配線テープに位置合わせをし
て貼り付けた。この時接着条件は１５０℃１分，圧力３
０kgｆ／cm2 とした。このフィルムの接着層は熱硬化性
樹脂のＢステージ状態（半硬化）であるため、さらに半
導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。
質ポリテトラフルオロエチレン（ジャパンゴアテック，
厚さ１９０μｍ）を用いて配線テープに位置合わせをし
て貼り付けた。この時接着条件は１５０℃１分，圧力３
０kgｆ／cm2 とした。このフィルムの接着層は熱硬化性
樹脂のＢステージ状態（半硬化）であるため、さらに半
導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。
【００５９】フィルム材料を貼り付けた配線テープと半
導体素子の接着は２００℃２分，圧力７０kgｆ／cm2 と
した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導
体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に
接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，
Ｒ０２１Ｃ）で封止した。最後に配線テープ上に実装基
板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−
１に示す半導体装置を得た。
導体素子の接着は２００℃２分，圧力７０kgｆ／cm2 と
した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導
体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に
接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，
Ｒ０２１Ｃ）で封止した。最後に配線テープ上に実装基
板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−
１に示す半導体装置を得た。
【００６０】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００６１】（実施例１０）三層構造を有する粘着フィ
ルム（寺岡製作所，テープＮo.７６０，厚さ１４５μ
ｍ，カプトンフィルムの両面にシリコーン系粘着剤）を
配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着
条件は室温５秒，圧力５０kgｆ／cm2 とした。貼り付け
にあたっては図２に示した長尺の装置を用いてフィルム
を所定の形状に打抜きながら配線テープに連続的に貼り
付けた。このフィルムの接着層は粘着性樹脂のため、未
接着部分の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な
接着能を有している。
ルム（寺岡製作所，テープＮo.７６０，厚さ１４５μ
ｍ，カプトンフィルムの両面にシリコーン系粘着剤）を
配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着
条件は室温５秒，圧力５０kgｆ／cm2 とした。貼り付け
にあたっては図２に示した長尺の装置を用いてフィルム
を所定の形状に打抜きながら配線テープに連続的に貼り
付けた。このフィルムの接着層は粘着性樹脂のため、未
接着部分の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な
接着能を有している。
【００６２】フィルム材料を貼り付けた配線テープと半
導体素子の接着は室温１０秒，圧力５kgｆ／cm2 とし
た。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体
素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電
気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東
芝シリコーン，TSJ3150)で封止した。最後に配線テープ
上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付
けて図６−２に示す半導体装置を得た。
導体素子の接着は室温１０秒，圧力５kgｆ／cm2 とし
た。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体
素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電
気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東
芝シリコーン，TSJ3150)で封止した。最後に配線テープ
上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付
けて図６−２に示す半導体装置を得た。
【００６３】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００６４】（実施例１１）三層構造を有する粘接着フ
ィルム（厚さ１５０μｍ，アラミド不織布（１００μ
ｍ）の両面にブタジェン系粘接着剤）を半導体素子と配
線テープの間に位置合わせをして一括で貼り付けた。こ
の時接着条件は室温５秒，圧力５０kgｆ／cm2とした。
この状態では粘着状態なのである程度の位置合わせの修
正が可能である。このフィルムの接着層は粘接着性樹脂
のため、さらに１８０℃６０分恒温槽中で硬化させ三次
元架橋構造の接着状態とした。
ィルム（厚さ１５０μｍ，アラミド不織布（１００μ
ｍ）の両面にブタジェン系粘接着剤）を半導体素子と配
線テープの間に位置合わせをして一括で貼り付けた。こ
の時接着条件は室温５秒，圧力５０kgｆ／cm2とした。
この状態では粘着状態なのである程度の位置合わせの修
正が可能である。このフィルムの接着層は粘接着性樹脂
のため、さらに１８０℃６０分恒温槽中で硬化させ三次
元架橋構造の接着状態とした。
【００６５】次に配線テープ上にある接続リードを用い
て半導体素子のパッドとシングルポイントボンディング
により電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止
材料（東芝シリコーン，TSJ3150)で封止した。最後に配
線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボール
を取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
て半導体素子のパッドとシングルポイントボンディング
により電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止
材料（東芝シリコーン，TSJ3150)で封止した。最後に配
線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボール
を取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
【００６６】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００６７】（実施例１２）ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物（和光純薬）とビス−（４−（２−アミ
ノフェノキシフェニル）エーテル（合成品）をジメチル
アセトアミド中、５℃で等量反応させポリアミド酸を形
成し、さらに２５０℃に加熱してポリイミドを得た。得
られたポリイミド１００ｇ中に４,４′−グリシジル−
３，３′,５,５′−テトラメチルビフェニルエーテル
(油化シェル）１９.５ｇとフェノールノボラック(明和
化成）１０.６ｇ，触媒としてトリフェニルフォスフェ
ート（和光純薬)０.２ｇをジメチルアセトアミド中で混
合して不揮発分２０重量％のワニスを作製して厚さ１０
０μｍのフィルムを作製した。
ボン酸二無水物（和光純薬）とビス−（４−（２−アミ
ノフェノキシフェニル）エーテル（合成品）をジメチル
アセトアミド中、５℃で等量反応させポリアミド酸を形
成し、さらに２５０℃に加熱してポリイミドを得た。得
られたポリイミド１００ｇ中に４,４′−グリシジル−
３，３′,５,５′−テトラメチルビフェニルエーテル
(油化シェル）１９.５ｇとフェノールノボラック(明和
化成）１０.６ｇ，触媒としてトリフェニルフォスフェ
ート（和光純薬)０.２ｇをジメチルアセトアミド中で混
合して不揮発分２０重量％のワニスを作製して厚さ１０
０μｍのフィルムを作製した。
【００６８】作製したフィルムを配線テープに位置合わ
せをして貼り付けた。この時接着条件は１７０℃１０
秒，圧力３０kgｆ／cm2 とした。この条件では未接着の
接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有
している。フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導
体素子の接着は２００℃１分，圧力３０kgｆ／cm2 とし
た。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施し
た。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体
素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接
続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，RC
021C）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との
接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示
す半導体装置を得た。
せをして貼り付けた。この時接着条件は１７０℃１０
秒，圧力３０kgｆ／cm2 とした。この条件では未接着の
接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有
している。フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導
体素子の接着は２００℃１分，圧力３０kgｆ／cm2 とし
た。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施し
た。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体
素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接
続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，RC
021C）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との
接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示
す半導体装置を得た。
【００６９】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００７０】（実施例１３）実施例１２で作製したワニ
スをポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，厚さ５０
μｍ）の片面に厚さ２０μｍ塗布（熱硬化性樹脂成分）
して、さらにもう一方の片面は実施例７で作製したワニ
スである含フッ素ポリイミド（ヘキサフルオロビスフェ
ノールＡＦとビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンの反応物，ガラス転移温度２６０
℃）を１０μｍ塗布（熱可塑性樹脂成分）して三層構造
のフィルムを作製した。熱硬化性樹脂成分側で配線テー
プに位置合わせをして貼り付けた。
スをポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，厚さ５０
μｍ）の片面に厚さ２０μｍ塗布（熱硬化性樹脂成分）
して、さらにもう一方の片面は実施例７で作製したワニ
スである含フッ素ポリイミド（ヘキサフルオロビスフェ
ノールＡＦとビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンの反応物，ガラス転移温度２６０
℃）を１０μｍ塗布（熱可塑性樹脂成分）して三層構造
のフィルムを作製した。熱硬化性樹脂成分側で配線テー
プに位置合わせをして貼り付けた。
【００７１】この時接着条件は１７０℃１０秒，圧力３
０kgｆ／cm2 とした。さらに２００℃６０分恒温槽中で
後硬化を実施した。次に熱可塑性樹脂成分側を用いて半
導体素子を貼り付けた。接着条件は３５０℃２秒，圧力
８０kgｆ／cm2 とした。次に配線テープ上にある接続リ
ードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディン
グにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止
材料（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。
最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはん
だボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得
た。
０kgｆ／cm2 とした。さらに２００℃６０分恒温槽中で
後硬化を実施した。次に熱可塑性樹脂成分側を用いて半
導体素子を貼り付けた。接着条件は３５０℃２秒，圧力
８０kgｆ／cm2 とした。次に配線テープ上にある接続リ
ードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディン
グにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止
材料（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。
最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはん
だボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得
た。
【００７２】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００７３】（比較例１）シリコーン系樹脂（東レダウ
コーニング，JCR6126)を配線テープに位置合わせをして
メタルマスクにより厚さ１５０μｍのエラストマを印刷
により形成した。形成後１５０℃６０分恒温槽中で硬化
反応印刷後のエラストマの平坦度をレーザ膜厚計により
測定した。エラストマを有する配線テープに半導体素子
を貼り付けるための接着層として、エラストマ上面にシ
リコーン接着剤(信越化学，KE1820)を２０μｍ塗布し、
位置合わせをして半導体素子を貼り付けた。
コーニング，JCR6126)を配線テープに位置合わせをして
メタルマスクにより厚さ１５０μｍのエラストマを印刷
により形成した。形成後１５０℃６０分恒温槽中で硬化
反応印刷後のエラストマの平坦度をレーザ膜厚計により
測定した。エラストマを有する配線テープに半導体素子
を貼り付けるための接着層として、エラストマ上面にシ
リコーン接着剤(信越化学，KE1820)を２０μｍ塗布し、
位置合わせをして半導体素子を貼り付けた。
【００７４】この時接着条件は１５０℃１分，圧力３０
kgｆ／cm2 とした。次に配線テープ上にある接続リード
を用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングに
より電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材
料(東芝シリコーン,TSJ3150)で封止した。最後に配線テ
ープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取
り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
kgｆ／cm2 とした。次に配線テープ上にある接続リード
を用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングに
より電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材
料(東芝シリコーン,TSJ3150)で封止した。最後に配線テ
ープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取
り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
【００７５】得られた半導体装置のリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００７６】（比較例２）ポリイミドフィルム（宇部興
産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の両面に、２００℃以下に
融点を有する熱可塑性樹脂（ポリアミド１２，融点１７
５℃）を接着層（厚さ３０μｍ）として塗布した三層構
造のフィルムを用いて実施例１と同様に半導体装置を作
製してリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続
信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の両面に、２００℃以下に
融点を有する熱可塑性樹脂（ポリアミド１２，融点１７
５℃）を接着層（厚さ３０μｍ）として塗布した三層構
造のフィルムを用いて実施例１と同様に半導体装置を作
製してリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続
信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
【００７７】（比較例３）ポリイミドフィルム（宇部興
産，ＳＧＡ５０）の両面に、室温で高弾性率であるエポ
キシ樹脂（日立化成，Ｒ０２１Ｃ）を接着層（厚さ２０
μｍ）として塗布した三層構造のフィルムを用いて実施
例１と同様に半導体装置を作製してリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
産，ＳＧＡ５０）の両面に、室温で高弾性率であるエポ
キシ樹脂（日立化成，Ｒ０２１Ｃ）を接着層（厚さ２０
μｍ）として塗布した三層構造のフィルムを用いて実施
例１と同様に半導体装置を作製してリフロー特性及びリ
ード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な
方法で確認した。
【００７８】
【表１】
【００７９】
【発明の効果】配線層を有するテープ材料と半導体素子
が電気的に接続され、その配線テープ上に実装基板と電
気的に接続するための外部端子を有し、配線テープと半
導体素子を絶縁的に接着する材料にフィルム材料を用い
た半導体装置において、接着用フィルム材料のリフロー
温度域（２００〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上の
材料を用いることにより耐リフロー特性に優れた半導体
装置を提供できる。半導体素子と実装基板との熱膨張率
差により生じる熱応力を緩衝する部分にフィルム材料を
用いることにより量産性に優れた製造方法を提供するこ
とができる。
が電気的に接続され、その配線テープ上に実装基板と電
気的に接続するための外部端子を有し、配線テープと半
導体素子を絶縁的に接着する材料にフィルム材料を用い
た半導体装置において、接着用フィルム材料のリフロー
温度域（２００〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上の
材料を用いることにより耐リフロー特性に優れた半導体
装置を提供できる。半導体素子と実装基板との熱膨張率
差により生じる熱応力を緩衝する部分にフィルム材料を
用いることにより量産性に優れた製造方法を提供するこ
とができる。
【００８０】またフィルム材料は平坦度に優れており、
厚さ１５０μｍ程度に対して高低差５μｍ以内を確保す
ることができ、作業性に優れた製造工程を提供すること
ができる。フィルム材料の応力緩衝効果により、温度サ
イクル試験で配線テープと半導体素子を電気的に接合し
ているリード部分及び半導体装置と実装基板を電気的に
接続しているバンプの両方の接続信頼性を同時に満足す
ることが可能である。
厚さ１５０μｍ程度に対して高低差５μｍ以内を確保す
ることができ、作業性に優れた製造工程を提供すること
ができる。フィルム材料の応力緩衝効果により、温度サ
イクル試験で配線テープと半導体素子を電気的に接合し
ているリード部分及び半導体装置と実装基板を電気的に
接続しているバンプの両方の接続信頼性を同時に満足す
ることが可能である。
【図１】材料の弾性率の温度依存性を示す図。
【図２】本発明における半導体装置の製造工程を示す
図、（２−ａ）フィルムを配線テープにあらかじめ貼り
付ける製造方法、（２−ｂ）フィルムを半導体素子にあ
らかじめ貼り付ける製造方法、（２−ｃ）配線テープと
半導体素子をフィルムを介して一括で貼り付ける製造方
法。
図、（２−ａ）フィルムを配線テープにあらかじめ貼り
付ける製造方法、（２−ｂ）フィルムを半導体素子にあ
らかじめ貼り付ける製造方法、（２−ｃ）配線テープと
半導体素子をフィルムを介して一括で貼り付ける製造方
法。
【図３】長尺リールを用いたフィルム貼り付けの連続工
程を示す図。
程を示す図。
【図４】接着剤層付フィルムを有する配線テープを示す
図。
図。
【図５】周辺パッドを有する半導体素子を示す図。
【図６】周辺パッドを有する半導体素子を用いた半導体
装置の例を示す図。
装置の例を示す図。
【図７】中央部にパッドを有する半導体素子を示す図。
【図８】中央部にパッドを有する半導体素子を用いた半
導体装置の例を示す図。
導体装置の例を示す図。
２．１，４．１，６．１，８．１…配線テープ、２．
１．１…バンプに接続されたリード、２．２，４．２，
６．２，８．２…緩衝体フィルム、２．３，５．１，
６．３，７．１，８．３…半導体素子、２．４，６．
４，８．４…封止樹脂、２．５，６．５，８．５…外部
端子（はんだバンプ）、３．１…配線テープの長尺リー
ル、３．２…フィルムの長尺リール、３．３…打抜き治
具、３．４…配線テープ上に形成されたフィルム、４．
１．１…配線テープ上に形成されたリード、４．３…接
着剤層、５．１．１，７．１．１…接続パッド、６．６
…外枠（ヒートスプレッダ等）。
１．１…バンプに接続されたリード、２．２，４．２，
６．２，８．２…緩衝体フィルム、２．３，５．１，
６．３，７．１，８．３…半導体素子、２．４，６．
４，８．４…封止樹脂、２．５，６．５，８．５…外部
端子（はんだバンプ）、３．１…配線テープの長尺リー
ル、３．２…フィルムの長尺リール、３．３…打抜き治
具、３．４…配線テープ上に形成されたフィルム、４．
１．１…配線テープ上に形成されたリード、４．３…接
着剤層、５．１．１，７．１．１…接続パッド、６．６
…外枠（ヒートスプレッダ等）。
フロントページの続き (72)発明者 江口 州志 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 荻野 雅彦 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 瀬川 正則 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 石井 利昭 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 露野 円丈 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 小角 博義 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 服部 理恵 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 森島 慎 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 坪崎 邦宏 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 宮崎 忠一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 北野 誠 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町三丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 岡部 則夫 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (15)
- 【請求項１】誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施
された配線テープと、該配線テープを半導体素子に絶縁
的に接着するための接着層とよりなり、該接着層を形成
する接着剤の実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰ
ａ以上であることを特徴とする半導体装置用接着層付き
配線テープ。 - 【請求項２】請求項１において、該接着層が熱応力を緩
和する応力緩衝層として機能するものであることを特徴
とする半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項３】請求項１において、該実装リフロー温度が
２００〜２５０℃であることを特徴とする半導体装置用
接着層付き配線テープ。 - 【請求項４】請求項１において、該接着層が該実装リフ
ロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上の接着用フィル
ムからなることを特徴とする半導体装置用接着層付き配
線テープ。 - 【請求項５】請求項４において、該接着用フィルムが支
持体の両面に接着剤層を有する三層構造であることを特
徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項６】請求項４において、該接着用フィルムが多
孔質の支持体に接着剤が含浸された構成であることを特
徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項７】請求項１において、該接着用フィルムの室
温での弾性率が４０００ＭＰａ以下であることを特徴と
する接着層付き配線テープ。 - 【請求項８】誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施
された長尺の配線テープと、該配線テープ上に所定の大
きさでもって連続的に貼り付けられた接着用フィルムと
からなる半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項９】請求項８において、該接着用フィルムの実
装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であるこ
とを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項１０】請求項９において、該実装リフロー温度
が２００〜２５０℃であることを特徴とする半導体装置
用接着層付き配線テープ。 - 【請求項１１】請求項８において、該接着用フィルムが
支持体の両面に接着剤層を有する三層構造であることを
特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項１２】請求項８において、該接着用フィルムが
多孔質の支持体に接着剤が含浸された構成であることを
特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。 - 【請求項１３】請求項９において、該接着用フィルムの
室温での弾性率が４０００ＭＰａ以下であることを特徴
とする接着層付き配線テープ。 - 【請求項１４】配線層を形成した長尺配線テープをリー
ルにより搬送し、接着用フィルムを所定の大きさに打ち
抜きながら該配線テープに連続的に貼り付けることを特
徴とする半導体装置用接着層付き配線テープの製造方
法。 - 【請求項１５】請求項１４において、長尺接着用フィル
ムをリールにより搬送することを特徴とする半導体装置
用接着層付き配線テープの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15603599A JP3195315B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 半導体装置用接着層付き配線テープ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP15603599A JP3195315B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 半導体装置用接着層付き配線テープ及びその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13615996A Division JP3195236B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 接着フィルムを有する配線テープ，半導体装置及び製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003940A true JP2000003940A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3195315B2 JP3195315B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15618904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15603599A Expired - Fee Related JP3195315B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 半導体装置用接着層付き配線テープ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3195315B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082363A1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connection structure |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP15603599A patent/JP3195315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082363A1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connection structure |
| US7208105B2 (en) | 2000-04-25 | 2007-04-24 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connection structure |
| US8029911B2 (en) | 2000-04-25 | 2011-10-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connected structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3195315B2 (ja) | 2001-08-06 |
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