ITMI20000882A1 - Processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici con leghe getter idrogenate. - Google Patents

Description

DESCRIZIONE deirinvenzione industriale dal titolo:

“PROCESSO PER LA PURIFICAZIONE DI COMPOSTI ORGANOMETALLICI O COMPOSTI ORGANICI ETEROATOMICI CON LEGHE GETTER IDROGENATE”

La presente invenzione si riferisce ad un processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici con leghe getter idrogenate.

I composti organometallici sono caratterizzati dalla presenza di un legame tra un atomo di un metallo (comprendendo tra i metalli anche arsenico, selenio e tellurio) ed un atomo di carbonio facente parte di un radicale organico come per esempio i radicali idrocarburici saturi o insaturi, alitatici o aromatici; per estensione, con la definizione di composti organometallici si intendono generalmente anche i composti comprendenti atomi metallici legati a radicali organici tramite un atomo diverso dal carbonio, come per esempio i radicali alcolici (-OR) o di esteri (-O-CO-R).

I composti organici eteroatomici (nel seguito anche indicati semplicemente come eteroatomici) sono quei composti organici che comprendono, oltre a carbonio e idrogeno, anche atomi come ossigeno, azoto, alogeni, zolfo, fosforo, silicio e boro.

Molti di questi composti sono stati impiegati da molto tempo in applicazioni chiyiiche tradizionali. In questo settore non sono generalmente richiesti reageuti con purezze elevatissime, e la purificazione degli stessi viene geueralmeute effettuata con tecniche come la distillazione (eventualmente a pressione ridotta, per diminuire la temperatura di ebollizione e quindi i rischi di decomposizione termica dei composti) o la ricristallizzazione da solventi.

Recentemente però questi composti sono stati impiegati in applicazioni di alta tecnologia, in particolare nell'industria dei semiconduttori. In queste applicazioni, i composti organometallici e i composti eteroatomici vengono impiegati come reagenti nei processi di deposizione eli unica da stato gassoso (noti nel settore con la definizione inglese "Chemical Vapor Deposition" o con ('acronimo CVD). In queste tecniche, si fa anivare in una camera di processo ini flusso gassoso di uno o più composti organometallici o eteroatomici (o un flusso di un gas di trasporto contenente una concentrazione nota di questi); all'interno della camera i composti vengono poi fatti decompone o reagire, di modo da formare in loco materiali (generalmente sotto forala di strati sottili su un substrato) contenenti detti atomi metallici o eternatomi.

I principali composti organometallici impiegati in queste applicazioni sono trimetilalluminio, trietilalluminio, tii-t-butilalluminio , idruro di di -i-butilalluminio, cloniro di dimetilalluminio, etossido di dietilalluminio, idruro di dimetilalluminio, trimetilantimonio, trietilantimonio, tri-i-propilantimonio, tris-dimetilammino -antimonio, fenilarsina, trimetilarsenico, tris-diinetilammino -arsenico, t-butilarsina, bario bis-tetrametileptandionato, bismuto tris-tetrametileptandionato, dimetilcadmio, dietilcadmio, ferro pentacarbonile, bis-ciclopentadienil-ferro, ferro trisacetilacetonato, ferro tris-tetrametileptandionato, triinetilgallio, trietilgallio, tri-ipropilgallio, tri-i-butilgallio, trimetilindio, trietilindio, etildimetilindio, ittrio tristetrametileptandionato, lantanio tris-tetrametileptandionato, bis-metilciclopentadienilmagnesio, bis-ciclopentadienil- magnesio, magnesio bis-tetrametileptandionato, dimetilmercurio, acetilacetonato di dimetiloro, piombo bis-tetrametileptandionato, acetilacetonato di bis-esafiuororame, rame bis-tetrametileptandionato, dimetilselenio, dietilseleuio, scandio tris-tetrametileptandionato, tetiametilstagno, tetraetilstagno, stronzio bis-tetrametileptandionato, tantalio tetraetossitetrametileptandionato, tantalio tetrametossitetrametileptandionato, tantalio tetra-i-propossitetrametileptandionato, tantalio tri-dietilammido -t-butilimmide, dietiltellurio, di-i-propiltellurio, dimetiltellurio, titanio bis-i-propossi-bis-tetrametileptandionato, titanio tetradimetilammide , titanio tetradietilammide, dimetilzinco, dietilzinco, zinco bistetrametileptandionato, zirconio tetra-tetranietileptandiouato, zirconio tri-i-propossitetrametileptandionato, zinco bis-acetilacetonato.

I principali composti eleroatoinici impiegati in queste applicazioni sono trimetilborauo, dimetilidrazina asimmetrica (cioè, in cui entrambi i gruppi metile sono legati allo stesso atomo di azoto), t-butilaimmina fenilidrazina, trimetilfosforo, tbutilfosfina e t-butilmercaptano.

Alcuni tipici esempi di applicazione di questi metodi sono la produzione dei semiconduttori di tipo I1I-V, come GaAs o InP, o di tipo M-Vl come ZnSe; l'impiego per il drogaggio p (per esempio con boro) o n (per esempio con fosforo) di dispositivi semiconduttori tradizionali al silicio; la produzione di materiali ad elevata costante dielettrica (per esempio, composti come impiegati nelle memorie ferroelettriche; oppure la produzione di materiali a bassa costante dielettrica (come SiO’z) per l'isolamento dei contatti elettrici nei dispositivi semiconduttori.

Per queste applicazioni sono richiesti reagenti di purezza estremamente elevata, con livelli dell'ordine di IO'1- IO'2 ppm, mentre le tradizionali tecniche chimiche non consentono in genere di scendere a livelli di impurezze inferiori alla decina di ppm. Inoltre, anche nel caso in cui si producano composti organometallici o eteroatomici di elevatissima purezza, lo stoccaggio è fonte di contaminazione dovuta al rilascio di gas dalle pareti del contenitore, il che rende comunque necessario l'impiego di un purificatore immediatamente a monte dell'applicazione (purificatori cosiddetti "a punto d'uso").

Il brevetto US 5.470.555 descrive la rimozione dai composti organometallici dell'ossigeno gassoso presente come impurezza tramite l'impiego di un catalizzatore costituito da rame o nichel metallici, oppin e i relativi ossidi attivati per riduzione con idrogeno, depositati su mi supporto come allumina, silice o silicati. Secondo il brevetto, con questo metodo si può ottenere la rimozione dell'ossigeno gassoso da un flusso del composto organometallico fino a valori di IO'2 ppm.

L'ossigeno non è però l'unica impurezza che è necessario rimuovere dai composti organometallici o eteroatomici. Altre impurezze dannose nei processi CVD sono per esempio l'acqua e, particolarmente, le specie derivate dall'alterazione del composto organometallico o eteroatomico stesso, in seguito a reazioni indesiderate generalmente con acqua o ossigeno. Per esempio, nel caso di un generico composto organometallico MR,,, in cui M rappresenta il metallo, R. un radicale organico ed n la valenza del metallo M, si può avere contaminazione da parte di specie MRu-x(-OR)x, in cui x è un intero che può variare tra I ed n. Queste specie ossigenate sono dannose nel processi CVD perché introducono atomi di ossigeno nel materiale in formazione, alterandone sensibilmente le proprietà elettriche.

Scopo della presente invenzione è quello di fornire un processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici da ossigeno, acqua e dai composti derivati dalla reazione di acqua e ossigeno con i composti organometallici o eteroatomici di cui si vuole effettuare la purificazione.

Questo scopo viene ottenuto secondo la presente invenzione con un processo in cui il composto organometallico o eteroatomico da purificare viene messo in contatto, sotto fonila di vapore puro o in un gas di trasporto, con una lega getter idrogenata.

E anche possibile impiegare, in aggiunta alla lega getter, altri materiali assorbitori di gas, come per esempio palladio supportato su γ-allumina o una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti.

L'impiego di leghe getter per la purificazione di gas nobili, azoto o idrogeno da impiegare nell'industria microelettronica , è noto. È altresì noto dal brevetto EP-B-470936 l'impiego di leghe getter idrogenate per la purificazione di idruri semplici, come SiFL, PH, e ASH3.

È stato però trovato che una lega getter idrogenata è anche in grado di rimuovere da un flusso di vapore di un composto organometallico o eteroatomico (puro o in un gas di trasporto) l'acqua e l'ossigeno, e di convertire le specie contenenti ossigeno del tipo al composto originario o a composti di tipo MRn-xHx, che non sono damiosi ai fini dei processi CVD in quanto non contenenti ossigeno.

L’invenzione verrà descritta nel seguito con riferimento alle Figure in cui:

- la Fig. 1 mostra in spaccato un purificatore con cui è possibile mettere in pratica una prima forma realizzativa del processo dell'iuvenzioiie;

- la Fig. 2 mostra in spaccato un purificatore con cui è possibile mettere in pratica una seconda forma realizzativa del processo dell'invenzione.

Nella sua prima forma realizzativa, il processo deH'inveuzione consiste nel mettere in contatto il flusso di gas da purificare solo con la lega getter idrogenata.

Le leghe getter utili per l'invenzione sono le leghe a base di titanio e/o zirconio con uno o più elementi scelti tra i metalli di transizione e alluminio, e miscele tra una o più di queste leghe con titanio e/o zirconio, hi particolare, utili per l'invenzione sono:

- le leghe ZrM2, dove M è uno 0 più tra i metalli di transizione Cr, M11, Fe, Co 0 Ni, descritte nel brevetto US 5. 180.568 a nome della Richiedente;

- il composto intemietallico prodotto e venduto dalla Richiedente con il nome St 909;

- le leghe Zr-V-Fe descritte nel brevetto US 4.312.669 a nome della Richiedente, la cui composizione percentuale in peso riportata in un diagramma ternario di composizioni è compresa in un triangolo avente per vertici i seguenti punti:

a) Zi 75% - V 20% - Fe 5%;

b) Zr 45% - V 20% - Fe 35%;

c) Zi- 45% - V 50% - Fe 5%,

ed in particolare la lega di composizione percentuale in peso Zr 70% - V 24.6% -Fe 5.4%, prodotta e venduta dalla Richiedente sotto il nome St 707;

- Il composto intermetallico prodotto e venduto dalla Richiedente sotto il nome St 737;

- le leghe Zr-Co-A descritte nel brevetto US 5.961.750 a nome della Richiedente, la cui composizione percentuale in peso riportata in un diagramma ternario di composizioni è compresa in un poligono avente per vertici i seguenti punti:

a) Zr 81% - Co 9% - A 10%

b) Zr 68% - Co 22% - A 10%

. c) Zr 74% - Co 24% - A 2%

d) Zr 88% - Co 10% - A 2%,

in cui con A si intende un elemento qualunque scelto tra ittrio, lantanio, Terre Rare o miscele di questi elementi, ed in particolare la lega di composizione percentuale in peso Zr 80,8% - Co 14,2% - A 5%, prodotta e venduta dalla Richiedente sotto il nome St 787;

: - le leghe Ti-Ni;

- le leghe Ti-V-Mn descritte nel brevetto US 4.457.891.

Il caricamento con idrogeno delle leghe sopra elencate viene generalmente effettuato con la lega già nel contenitore finale (il colpo del purificatore). Questa operazione si può effetuare a temperature comprese tra temperatura ambiente e circa 400 °C. Temperature superiori a 400 °C sono sconsigliabili in quanto all'aumentare della temperatura diminuisce la quantità massima di idrogeno che è possibile caricare nella lega. Si può operare con pressioni di idrogeno fino a circa 10 bar, e preferibilmente sopra la pressione atmosferica. Pressioni sopra i 10 bar sono sconsigliabili perchè, senza offrire particolari vantaggi rispetto a pressioni inferiori, richiedono l'impiego di attrezzature e sistemi di sicurezza particolari, mentre pressioni inferiori a quella atmosferica richiedono l'adozione di sistemi da vuoto a valle del purificatore per poter stabilire il flusso di gas necessario all'idrogenazione. In pratica, l idrogenazione può essere effettuata in molti modi. Pei- esempio, è possibile inviare un flusso di mia miscela di idrogeno in un altro gas (per esempio, una miscela idrogeno-argon al 50%) sulla lega e monitorar la composizione del gas in uscita, interrompendo la procedura quando in questo si rileva ima pressione di idrogeno superiore ad un valore prefissato. In alternativa, si può arivare sperimentalmente a stabilire una procedura defluita per ogni lega. Per esempio, nel caso della lega St 707 sopra citata, si invia un flusso di argon per eliminare l'aria intrappolata nel sistema; dopo pochi minuti si inizia il preriscaldamento a 350 °C in flusso di argon, e si immette idrogeno con un flusso uguale a quello di argon, così da forniate una miscela al 50% dei due gas, mantenendo questa condizione per 3 ore; si interrompe il flusso di argon, riducendo nel contempo la temperatura a 150 °C e mantenendo questa condizione per un'ora e mezzo; si interrompe poi il flusso di idrogeno riaprendo quello di argon per mezz'ora, interrompendo il riscaldamento; alla fine, il purificatore viene isolato chiudendo due valvole poste a monte e a valle dello stesso.

L'intervallo di temperature utili per la purificazione di gas organometallici o eteroatomici è compreso tra temperatura ambiente e circa I00°C; a temperature inferiori a quella ambiente la rimozione di ossigeno risulta limitata, mentre a temperature superiori a circa 100 °C potrebbero avvenire reazioni di decomposizione del gas da purificare.

Il flusso del gas da purificare può variare tra circa 0, 1 e 20 slpm (litri di gas, misurati in condizioni standard, al minuto), a pressioni assolute preferibilmente comprese tra cir ca 1 e 10 bar.

Questo flusso può essere costituito dai soli vapori del composto da purificare, oppure da detti vapori al'interno di un flusso di un gas di trasporto. 11 gas di trasporto può essere un qualunque gas che non interferisca né con la lega getter idrogenata (o con gli altri materiali assorbitori di gas eventualmente impiegati), né con il processo di deposizione in cui il composto organometallico o eteroatomico viene impiegato. Comunemente si impiegano argon, azoto, o anche idrogeno.

In figura 1 è mostrato in spaccato un possibile purificatore da impiegare nella prima forma realizzativa del processo dell'invenzione. Il purificatore 10 è costituito da un corpo 1 1, generalmente cilindrico; alle due estremità del coipo 1 1 sono presenti una tubazione 12 per l'ingresso del gas nel purificatore, ed una tubazione 13 per l'uscita del gas. All'interno del coipo l ! è contenuta la lega getter 14. L'ingresso 12 e l'uscita 13 del gas sono preferibilmente fomiti di connessioni standard del tipo VCRnote nel settore (non mostrate in figura) per il collegamento con le linee di gas a monte e a valle del purificatore. Il coipo del purificatore può essere realizzato in vari materiali metallici; il materiale preferito per questo scopo è l'acciaio AISI 316. Le superfìci interne del coipo del purificatore, che vengono a contatto col gas, sono preferibilmente elettropulite fino ad ottenere una rugosità superficiale inferiore a circa 0,5 μιη. Per evitare che tracce di polvere della lega getter vengano trasportate a valle del purificatore dal flusso di gas in uscita, al'interno del coipo del purificatore in corrispondenza dell'uscita 13 possono essere disposti mezzi di ritenzione di particolato, come reticelle o setti porosi generalmente metallici con dimensioni delle "luci” o dei pori tali da trattenere particelle senza però causare un'eccessiva caduta di pressione nel flusso di gas; le dimensioni di queste aperture possono variare generalmente tra circa 10 e 0,003 pm. Al'intero del purificatore, la lega getter 14 può essere presente in forma di polvere, ma preferibilmente è impiegata sotto forma di pastiglie ottenute per compressione delle polveri come mostrato iu figura.

In una seconda fonila di realizzazione del processo, il flusso di gas da purificare può essere messo in contatto, oltre che con la lega getter idrogenata, con almeno un materiale assorbitore di gas aggiuntivo, scelto tra palladio supportato su γ-allumina o una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti, o entrambi.

11 materiale assorbitore di gas costituito da palladio supportato su γ-allumina contiene preferibilmente dallo 0,3 al 4 % in peso di palladio. Questo materiale è venduto da varie ditte produttrici di catalizzatori per l'industria chimica, coma le ditte Sud-Chemie , Degussa e Engelhard. L'intervallo di temperature ottimale per l'impiego di questo materiale è compreso tra circa -20 e 100 °C, e preferibilmente tra temperatura ambiente e 50 °C.

11 materiale assorbitore di gas costituito dalla miscela di ferro e manganese su zeoliti ha preferibilmente un rapporto iu peso tra ferro e manganese compreso tra 7:1 e 1: 1; ancor più preferibilmente questo rapporto è circa di 2: 1. Questo materiale può essere prodotto secondo le modalità descritte nel brevetto US 5.716.588 a nome della Richiedente. L'intervallo di temperature ottimale per l'impiego di questo materiale è compreso tra circa -20 e 100 °C, e preferibilmente tra temperatura ambiente e 50 °C.

Il materiale aggiuntivo (o i materiali aggiuntivi) può trovarsi indifferentemente a monte o valle della lega getter idrogenala lungo la direzione del flusso di gas. È anche possibile, quando si impieghino entrambi i materiali aggiuntivi citati, che uno di questi si trovi a monte e l'altro a valle della lega getter idrogenata.

U materiale aggiuntivo (o i materiali aggiuntivi) può essere presente in un corpo separato, collegato al corpo 1 1 del purificatore contenente la lega getter idrogenata tramite tubature e raccordi, per esempio del tipo VCR. sopra citato. Anche questo secondo coipo sarà preferibilmente realizzalo con i materiali e con il livello di finitura delle superfici descritte per il corpo 1 1.

Preferibilmente, il materiale aggiuntivo (o i materiali aggiuntivi) sono disposti nello stesso coipo del purificatore in cui è presente la lega getter idrogenata. In questo caso, i diversi materiali assorbitori di gas possono essere mescolati, ma preferibilmente sono separati nel coipo dei purificatore.

La figura 2 mostra in spaccato un possibile purificatore da impiegare nella secónda forma realizzativa del processo del'invenzione; in particolare, la figura mostra un purificatore realizzato secondo la modalità preferita in cui i diversi materiali assorbitori di gas sono mantenuti separati all'interno del corpo del purificatore. Il purificatore 20 è composto da un colpo 21, un ingresso del gas 22 e un’uscita per il gas 23; all'interno del corpo 21 è disposta, dalla parte dell'ingresso 22 la lega getter idrogenata 24, e dalla parte del l'uscita 23 un materiale 25 scelto tra palladio supportato su γ-allumina o una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti; preferibilmente, tra i due materiali viene disposto un elemento meccanico 26 facilmente permeabile ai gas, come una reticella metallica, per aiutare a mantenere la separazione e la disposizione geometrica originale dei materiali stessi.

Nel caso della contemporanea presenza di due materiali diversi nello stesso corpo (situazione esemplificata in figura 2), il purificatore deve essere mantenuto ad una temperatura compatibile con le temperature di funzionamento di tutti i materiali presenti, di conseguenza preferibilmente tra temperatura ambiente e circa 50 °C. Infine, è anche possibile aggiungere ai vari materiali assorbitori di gas anche un assorbitore chimico di acqua, per esempio ossido di calcio o l'ossido di boro preparato secondo gli insegnamenti della domanda di brevetto EP-A-960647 a nome della Richiedente.

L’invenzione verà ulteriormente illustrata dal seguente esempio. Questo esempio non è limitativo della portata dell'invenzione, e serve ad illustrare una possibile forma realizzativa destinate ad insegnare agli esperti del ramo come mettere in pratica l invenzione ed a rappresentare il modo migliore considerato per la realizzazione dell’ invenzione.

ESEMPIO 1

Viene realizzato un purificatore del tipo mostrato in figura l. Il purificatore ha un coipo in acciaio A1SI 3 16 ed un volume interno di 50 cm3 Nel purificatore vengono immessi 72 g di St 707 in pastiglie, che viene idrogenata secondo la procedura descritta in precedenza. Il purificatore viene poi collegato, tramite connessioni del tipo VCR, a monte ad una bombola di azoto contenente 40 ppm.in volume (ppmv ) di acqua e 100 ppmv di ossigeno, e a valle ad uno spettrometro di massa di tipo APGVIS (spettrometro di massa a ionizzazione a pressione atmosferica) mod. TOF 2000 della ditta Sensar, che ha. una soglia di rilevazione di IO-4 ppmv sia per acqua che per ossigeno. La prova viene effettuata in azoto anziché in un flusso di vapore di un composto organometallico, perché lo strumento di analisi impiegato (APIMS) ha tuia sensibilità ridotta nei vapori di questi composti, tale che una prova con un composto organometallico non consentirebbe rottenimeuto di dati significativi. Il gas da pini ficaie viene fatto passare a 5 bar nel purificatore mantenuto ad 100 °C, con un flusso di 0, 1 slpm. All'inizio della prova la quantità di acqua e ossigeno nel gas in uscita dal purificatore è sotto la soglia di sensibilità dell'analizzatore, indicando il funzionamento della lega getter idrogenata nella rimozione di queste specie. La prova viene proseguita fino a quando l'analizzatore non rileva nel gas in uscita dal purificatole una quantità di contaminante pari a 10- ppmv questo valore di contaminazione del gas in uscita viene adottato come indicatore del'esaurimento del purificatore. Dalla conoscenza dei dati della prova, si ricava che il purificatore ha una capacità di 6 l/l (litri di gas misurato a condizioni standard su volume della lega getter) per ossigeno, e di 4 i/l per acqua.

Claims (21)

1. RIVENDICAZIONI 1. Processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici da ossigeno, acqua e dai composti derivati dalla reazione di acqua e ossigeno con i composti di cui si vuole effettuare la purificazione, comprendente l'operazione di mettere in contatto il composto organometallico o organico eteroatomico da purificare, sotto fonila di vapore puro o in mi gas di trasporto, con una lega getter idrogenata.
2. 2. Processo secondo la rivendicazione I in cui la lega getter idrogenata è una lega a base di titanio e/o zirconio con uno o più elementi scelti tra i metalli di transizione e alluminio, e miscele tra una o più di queste leghe con titanio e/o zirconio, ed in cui il caricamento con idrogeno viene effettuato ad una temperatura compresa tra temperatura ambiente e 400 °C e ad una pressione di idrogeno inferiore a 10 bar.
3. 3. Processo secondo la rivendicazione 2 in cui il caricamento con idrogeno della lega getter viene effettuato ad una pressione di idrogeno superiore alla pressione atmosferica.
4. 4. Processo secondo la rivendicazione 2 in cui la lega getter idrogenata è una lega di formula generale ZrM2, dove M è uno o più tra i metalli di transizione Cr, Mn, Fe, Co o Ni.
5. 5. Processo secondo la rivendicazione 2 in cui la lega getter idrogenata è una lega comprendente zirconio, vanadio e ferro, la cui composizione percentuale in peso riportata in un diagramma ternario di composizioni è compresa in un triangolo avente per vertici i seguenti punti: a) Zr 75% - V 20% - Fe 5%; b) Zr 45% - V 20% - Fe 35%; . c) Zr 45% - V 50% - Fe 5%.
6. 6. Processo secondo la rivendicazione 2 in cui la lega geter idrogenata è una lega comprendente zirconio, cobalto ed uno o più elementi scelti tra ittrio, lantanio e Tene Rare la cui composizione percentuale in peso riportata in un diagramma ternario di composizioni è compresa in un poligono avente pervertici i seguenti punti: a) Zr 81 % - Co 9% - A 10% b) Zr 68% - Co 22% - A 10% . c) Zr 74% - Co 24% - A 2% • d) Zr 88% - Co 10% - A 2%, in cui con A si intende un elemento qualunque scelto tra ittrio, lantanio, Terre Rare o miscele di questi elementi.
7. 7. Processo secondo la rivendicazione 2 in cui la lega geter idrogenata è una lega comprendente titanio e nichel.
8. 8. Processo secondo la rivendicazione 2 in cui la lega getter idrogenata è una lega comprendente titanio, vanadio e manganese.
9. 9. Processo secondo la rivendicazione I in cui deta operazione viene effettuata ad una temperatura compresa tra temperatura ambiente e circa 100 °C.
10. 10. Processo secondo la rivendicazione 1 in cui detta operazione viene effettuata con un flusso di gas da purificare tra circa 0, 1 e 20 slpm, a pressioni assolute comprese tra circa 1 e 10 bar.
11. 11. Processo secondo la rivendicazione 1 in cui il composto organometallico è scelto tra trimetilalluminio, trietilalluminio, tri-t-butilalluminio, idruro di di-ibutilalluminio. cloniro di dimetilalluminio , etossido di dietilalluminio, idruro di dimetilalluminio, trimetilantimonio, trietilantimonio, tri-i-propilantimonio, trisdimetilammino-antimonio, fenilarsimi, trimetilarsenico, tris-dimetilammino-arsenico, t-butilarsilia, bario bis-tetrametileptandionato, bismuto tris-tetrametileptandionato, dimetilcadmio, dietilcadmio, fero pentacarbonile, bis-ciclopentadienil-ferro, ferro tris-acetilacetonato, ferrotris-tetrametileptandiouato,trimetilgallio, trietilgallio,tri-ipropilgallio, tri-i-butilgallio, trimetilindio, trietilindio, etildimetilindio, ittrio tristetrametileptaudionato,lantaniotris-tetranietileptandionato,bis-metilciclopentadienilmaguesio, bis-ciclopentadienil- magnesio, magnesio bis-tetrametileptandionato, dimetilmercurio, acetilacetonato di dimetiloro, piombo bis-tetrametileptandionato, acetilaeetonatodi bis-esafluororame, ramebis-tetrametileptandionato, dimetilselenio, dietilselenio, scandio tris-tetramelileptandionato, tetrametilstagno, tetraetilstagno, stronziobis-tetrametileptandionato,tantaliotetraetossitetrametileptaudionato,tantalio tetrametossitetrametileptandionato, tantalio tetra-i-propossitetrametileptandionato, tantalio tri-dietilainmido-i-butilimmide, dietiltellurio, di-i-propiltellurio, dimetiltellurio, titanio bis-i-propossi-bis-tetiametileptandionato, titanio tetradimetilammide, titanio letradìetilammide, dimetilzinco, dietilzinco, zinco bistetrametileptandionato, zirconio tetra-tetrametileptandionato, zirconio tri-i-propossitettametileptandionatoezincobis-acetilacetonato.
12. 12. Processo secondo la rivendicazione I in cui il composto organico eteioatomico e scelto tra trimetilborano. dimetilidrazina asimmetrica, t-butilammina, fenilidrazina, trimetilfosforo. t-butilfosfina e t-butilmercaptano.
13. 13. Processo secondo la rivendicazione 1 comprendente inoltre l'operazione di mettere in contatto il composto organometallico o organico eteioatomico da purificare, sotto forma di vapore puro o in un gas di trasporto, con almeno un secondo materiale assorbitore di gas scelto tra palladio supportato su γ-allumiua e una miscela di 'ferro e manganese supportata su zeoliti.
14. 14. Processo secondo la rivendicazione 13 in cui il secondo materiale assorbitore è un catalizzatole a base di palladio supportato su γ-alluruina con un contenuto in peso dal 0,3 al 4% di palladio.
15. 15. Processo secondo la rivendicazione 14 in cui il contatto tra il gas da purificare e il palladio supportato avviene ad una temperatura compresa tra circa -20 e 100 °C.
16. 16. Processo secondo la rivendicazione 15 in cui detto contatto avviene ad una temperatura compresa tra temperatura ambiente e 50 °C.
17. 17. Processo secondo la rivendicazione 13 in cui il secondo materiale assorbitore è una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti, ed in cui il rapporto in peso tra ferro e manganese è compreso tra 7: 1 e 1: 1
18. 18. Processo secondo la rivendicazione 17 in cui detto rapporto in peso è circa di 2: 1.
19. 19. Processo secondo la rivendicazione 17 in cui il contatto tra il gas da purificare e la miscela di ferro e manganese supportata avviene ad una temperatura compresa tra cir ca -20 e 100 °C.
20. 20. Processo secondo la rivendicazione 19 in cui detto contatto avviene ad una temperatura compresa tra temperatura ambiente e 50 °C.
21. 21. Processo secondo la rivendicazione 1 comprendente inoltre l'operazione di mettere in contatto il composto organometallico o organico eteroatomìco da purificare, sotto fonila di vapore puro o in un gas di trasporto, con un assorbitore chimico di acqua.