ITMI20000881A1 - Processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici con un catalizzatore a base di palladio - Google Patents

Description

DESCRIZIONE dell’ invenzione industriale dal titolo:

“PROCESSO PER LA PURIFICAZIONE DI COMPOSTI ORGANOMETALLICI O COMPOSTI ORGANICI ETEROATOMICI CON UN CATALIZZATORE A BASE DI PALLADIO"

La presente invenzione si riferisce ad un processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici con un catalizzatore a base di palladio.

I composti organometallici sono caratterizzati dalla presenza di un legame tra un atomo di un metallo (comprendendo tra i metalli anche arsenico, selenio e tellurio) ed un atomo di carbonio facente parte di ini radicale organico come per esempio i radicali idrocarburici saturi o insaturi, alifatici o aromatici; per estensione, con la definizione di composti organometallici si intendono generalmente anche i composti comprendenti atomi metallici legati a radicali organici tramite un atomo diverso dal carbonio, come per esempio i radicali alcolici (-OR) o di esteri (-O-CO-R).

1 composti organici eteroatomici (nel seguito anche indicati semplicemente come eteroatomici) sono quei composti organici che comprendono, oltre a carbonio e idrogeno, anche atomi come ossigeno, azoto, alogeni, zolfo, fosforo, silicio e boro.

Molti di questi composti sono stati impiegati da molto tempo in applicazioni chimiche tradizionali. In questo settore non sono generalmente richiesti reagenti con purezze elevatissime, e la purificazione degli stessi viene generalmente effettuata con tecniche come la distillazione (eventualmente a pressione ridotta, per diminuire la temperatura di ebollizione e quindi i rischi di decomposizione termica dei composti) o la ricristallizzazione da solventi.

Recentemente però questi composti sono stati impiegati in applicazioni di alta tecnologia, in particolare nell'industria dei semiconduttori. In queste applicazioni, i composti organometallici e i composti eteroatomici vengono impiegati come reagenti nei processi di deposizione chimica da stato gassoso (noti nel settore con la definizione inglese "Chemical Vapor Depositiou" o con l'acronimo CVD). In queste tecniche, si fa arrivare in una camera di processo un flusso gassoso di uno o più composti organometallici o eteroatomici (o un flusso di un gas di trasporto contenente una concentrazione nota di questi); all'intemo della camera i composti vengono poi fatti decomporre o reagire, di modo da formare in loco materiali (generalmente sotto forma di strati sottili su un substrato) contenenti detti atomi metallici o eteroatomi.

I principali composti organometallici impiegati in queste applicazioni sono tetra-t-butossido di afnio , trimetilaliuminio, trietilalluminio, tri-t-butilalluminio, idruro di di-i-butilalluminio, trimetossialluminio, cloruro di dimetilalluminio, etossido di dietilalluminio, idruro di dimetilalluminio, trimetilantimonio, trietilantimonio, tri-i-propilantimonio, tris-dimetilammino-antiinonio, trimetilarsenico, tiis-dimetilammino-arsenico, t-butilarsma, fenilarsina, bario bistetrametileptandinuato, bismuto tris-tetrametileptaudionato, dimetilcadmio, dietilcadmio, ferro pentacarbonile, bis-ciclopentadienil-ferro, ferro trisacetilacetonato, ferro tris-tetrametileptandionato, trimetilgallio, trietilgallio, tri-ipropilgallio,tri-i-butilgallio,trietossigallio,trimetiliudio,trietilindio, etildimetilindio, ittrio tris-tetrametileptandionato, lantanio tris-tetrametileptaudionato, bisciclopentadienil-magnesio, bis-metilciclopentadienil-magnesio magnesio bistetrametileptandionato, dimetilmercurio, pentaetossido di niobio, tetraetossidimetilamminoetossido di niobio, acetilacetonato di dimetiloro, piombo bis-tetrametileptandionato, acetilacetouato di bis-esafluororame, rame bistetrametileptandionato, scandio tris-tetrametileptandionato , dimetil selenio, dietilselenio, tetrametil stagno, tetraetilstagno, tetra-t-butossido di stagno, stronzio bistetrarnetileptandionato, pentossido di tantalio, tantalio tetraetossidimetilamminoetossido, tantalio tetraetossitetrametileptandionato, tantalio tetrametossitetrametileptaudionato, tantalio tetra-i-propossitetrametileptaudionato, tantalio tri-dietilammido-t-butilimmide, dimetiltellurio, dietiltellurio, di-ipropiltellurio, titanio bis-i-propossi-bis- tetrametileptandionato, titanio bis-i-propossibis-dimetilamminoetossido, titanio bis-etossi-bis-dimetilamminoetossido, titanio tetradimetilammide, titanio tetradietilammide, tetra-t-butossido di titanio, titanio tetrai-propossido, i-propossido di vanadile, dimetilzinco, dietilzinco, zinco bistetrametileptandionato, zinco bis-acetilacetonato, tetra-t-butossido di zirconio, zirconio tetra-tetrainetileptandionato e zirconio tri-i-propossi-tetrametileptandionato I principali composti eteroatomici impiegati in queste applicazioni sono triinetilborano, dimetilidrazina asimmetrica (cioè, in cui entrambi i gruppi metile sono legati allo stesso atomo di azoto), t-buti la mmina , fenilidrazina, trimetilfosforo, tbutilfosfìna e t-butilmercaptauo.

Alcuni tipici esempi di applicazione di questi metodi sono la produzione dei semiconduttori di tipo Lil-V, come GaAs o InP, o di tipo ll-Vl come ZnSe; l’impiego per il drogaggio p (per esempio con boro) o n (per esempio con fosforo) di dispositivi semiconduttori tradizionali al silicio; la produzione di materiali ad elevata costante dielettrica (per esempio, composti come PbZrxTit-x03) impiegati nelle memorie ferro elettriche; oppure la produzione di materiali a bassa costante dielettrica (come Si02) per l'isolamento dei contatti elettrici nei dispositivi semiconduttori.

Per queste applicazioni sono richiesti reagenti di purezza estremamente elevata, con livelli dell'ordine di IO'1- IO'2 ppm, mentre le tradizionali tecniche chimiche non consentono in genere di scendere a livelli di impurezze inferiori alla decina di ppm. Inoltre, anche uel caso in cui si producano composti organometallici o eteroatomici di elevatissima purezza, lo stoccaggio è fonte di contaminazione dovuta al rilascio di gas dalle pareti del contenitore, il che rende comunque necessario l’impiego di un purificatore immediatamente a monte dell'applicazione (purificatori cosiddetti "a punto d’uso").

11 brevetto US 5.470.555 descrive la rimozione dai composti organometallici dell'ossigeno gassoso presente come impurezza tramite l'impiego di un catalizzatore costituito da rame o nichel metallici, oppure i relativi ossidi attivati per riduzione con idrogeno, depositati su un supporto come allumina, silice o silicati. Secondo il brevetto, con questo metodo si può ottenere la rimozione dell'ossigeno gassoso da ini flusso del composto organometallico fino a valori di I0‘ ppm.

L'ossigeno non è però l'unica impurezza che è necessario rimuovere dai composti organometallici o eteroatomici. Altre impurezze dannose nei processi CVD sodo per esempio l'acqua e, particolarmente, le specie derivate dall'alterazione del composto organometallico o eternatomico stesso, in seguito a reazioni indesiderate generalmente con acqua o ossigeno. Per esempio, uel caso di un generico composto organometallico MRn, in cui M rappresenta il metallo, R un radicale organico ed n la valenza del metallo M, si può avere contaminazione da parte di specie MRn-x(-OR)x, in cui x è un intero che può variare tra 1 ed n. Queste specie ossigenate sono dannose nei processi CVD perché introducono atomi di ossigeno nel materiale in formazione, alterandone sensibilmente le proprietà elettriche.

Scopo della presente invenzione è quello di fornire mi processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici da ossigeno, acqua e dai composti derivati dalla reazione di acqua e ossigeno con i composti organometallici o eteroatomici di cui si vuole effettuare la purificazione. Questo scopo viene ottenuto secondo la presente invenzione con un processo in cui il composto organometallico o eteroatomico da purificare viene messo in contatto, sotto forma di vapore puro o in un gas di trasporto, con mi catalizzatore a base di palladio depositato su /-allumina.

É anche possibile impiegare, in aggiunta al catalizzatore a base di palladio, altri materiali assorbitori di gas, come pei esempio una lega getter idrogenata o ima miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti.

L’invenzione verrà descritta nel seguito con riferimento alle Figure in cui:

- la Fig. 1 mostra in spaccato un purificatore con cui è possibile mettere in pratica una prima forma realizzativa del processo dell'invenzione;

- la Fig. 2 mostra in spaccato un purificatore con cui è possibile mettere in pratica una seconda forma realizzativa del processo dell'invenzione.

Nella sua prima forma realizzativa, il processo dell'invenzione consiste nel mettere in contatto il flusso di gas da purificare solo con il catalizzatore a base di palladio depositato su γ-allumina. Preferibilmente, la quantità di palladio varia dallo 0,3 al 4% sul peso del catalizzatore. A valori inferiori di contenuto di palladio, l'attrvità di rimozione delle impurezze risulta limitata, mentre quantità di palladio superiori al 4% in peso portano ad un forte aumento del costo del catalizzatore senza aumenti sensibili della resa di purificazione.

I catalizzatori a base di palladio su /-allumina sono reperibili sul mercato, e vengono venduti per la catalisi di reazioni chimiche (per esempio, reazioni di idrogenazione) dalle ditte Siid-Chemie, Degussa o Engelhard. In alternativa, il catalizzatore può essere prodotto per impregnazione in soluzione della /-allumina con ima quantità di un sale o complesso di palladio, per esempio cloniro di palladio, PdCl2, calcolata in base alla quantità di palladio desiderata nel catalizzatore finale; essiccamento della γ-allumina così impregnata; decomposizione (per esempio, termica) del precursore; eventuale calcinazione, per esempio a temperature di circa 400-500 °C del prodotto così ottenuto.

Il supporto del catalizzatol e è generalmente sotto forma di pastiglie o cilindretti, di dimensioni tra 1 e 3 millimetri.

L’intervallo di temperature utili per la purificazione di composti organometallici o eteroatomici con il catalizzatore a base di palladio è compreso tra circa -20 e 100°C; a temperature inferiori la rimozione di ossigeno risulta limitata, mentre a temperature superiori a circa 100 °C potrebbero avvenire reazioni di decomposizione del gas da purificare. il campo di temperature preferite è compreso tra temperatura ambiente e circa 50 °C.

Il flusso del gas da purificare può variare tra circa 0,1 e 20 slpm (litri di gas, misurati in condizioni standard, al minuto), a pressioni assolute preferibilmente comprese tra circa 1 e 10 bar.

Questo flusso può essere costituito dai soli vapori del composto da purificare, oppure da detti vapori all'interno di un flusso di un gas di trasporto. Il gas di trasporto può essere un qualunque gas che non interferisca né con il catalizzatore a base di palladio (o con gli altri materiali assorbitoli di gas eventualmente impiegati), né con il processo di deposizione in cui il composto organometallico o eteroatomico viene impiegato. Comunemente si impiegano argon, azoto, o anche idrogeno. Nel caso che si impieghi idrogeno, il processo dell'invenzione offre il vantaggio aggiuntivo che il catalizzatore viene rigenerato in continuo. Infatti, durante il funzionamento del purificatore, il palladio reagisce a formare l'ossido, che può essere riconvertito alla sua forma attiva (palladio metallico) da un ambiente riducente.

Nel caso invece che non si abbia il meccanismo di rigenerazione continua del catalizzatore, è possibile prevedere l'impiego di due purificatori in parallelo, di cui uno è attivo mentre l'altro viene rigenerato.

In figura I è mostrato in spaccato un possibile purificatore da impiegare nella prima forma realizzativa del processo dell'invenzione. LI purificatore IO è costituito da un corpo 1 1, generalmente cilindrico; alle due estremità del corpo 11 sono presenti una tubazione 12 per l'ingresso del gas nel purificatore, ed una tubazione 13 per l'uscita del gas. All'interno del coipo 1 1 è contenuto il catalizzatore a base di palladio 14 (è esemplificato il caso in cui il supporto sia di forma cilindrica). L'ingresso 12 e l'uscita 13 del gas sono preferibilmente forniti di connessioni standard del tipo VCR note nel settore (non mostrate in figura) per il collegamento con le linee di gas a monte e a valle del purificatore. Il coipo del purificatore può essere realizzato in vari materiali metallici; il materiale preferito per questo scopo è l'acciaio A1SI 316. Le superfici interne del corpo del purificatore, che vengono a contatto col gas, sono preferibilmente elettropulite fino ad ottenere una rugosità superficiale inferiore a enea 0,5 pm. Per evitare che tracce di polvere del catalizzatore vengano trasportate a valle del purificatore dal flusso di gas in uscita, all'interno del coipo del purificatore in corrispondenza dell'uscita 13 possono essere disposti mezzi di ritenzione di particolato, come reticelle o setti porosi generalmente metallici con dimensioni delle "luci" o dei pori tali da trattenere particelle senza però causale un'eccessiva caduta di pressione nel flusso di gas; le dimensioni di queste aperture possono variare generalmente tra circa 10 e 0,003 firn

In una seconda forma di realizzazione del processo, il flusso di gas da purificare può essere messo in contatto, oltre che con il catalizzatore a base di palladio, con almeno un materiale assorbitore di gas aggiuntivo, scelto tra una lega getter idrogenata o una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti, o entrambi.

L'impiego di leghe getter idrogenate per In purificazione di gas nel settore della microelettronica è noto dal brevetto EP-B-470936, ma limitatamente alla purificazione di idruri semplici, come

Le leghe getter utili per l'invenzione sono le leghe a base di titanio e zirconio con uno o più elementi scelti tra i metalli di transizione e alluminio, e miscele tra ima o più di queste leghe con titanio e/o zirconio, In particolare, utili per l'invenzione sono le leghe ZrM2, dove M è uno o più tra i metalli di transizione Cr, Mn, Fe, Co o Ni, descritte nel brevetto US 5.180.568; le leghe Zr-V-Fe descritte nel brevetto US 4.312.669 ed in particolare la lega di composizione percentuale in peso Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4%, prodotta e venduta dalla Richiedente sotto il nome St 707; le leghe Zr-Co-A, in cui con A si intende un elemento qualunque scelto tra ittrio, lantanio, Tene Rare o miscele di questi elementi, descritte nel brevetto US 5.961.750; le leghe Ti-Ni; e le leghe Ti-V-Mn descritte nel brevetto US 4.457.89 1.

Il caricamento con idrogeno delle leghe sopra elencate viene effettuato ad una pressione di idrogeno inferiore a 10 bar, e preferibilmente superiore alla pressione atmosferica, a temperature comprese tra la temperatura ambiente e circa 400 °C. L'intervallo di temperature ottimale per l'impiego delle leghe getter idrogenate in questa applicazione compreso tra temperatura ambiente e circa 100 °C. Maggiori dettagli sul metodo di caricamento delle leghe getter con idrogeno possono essere trovati nel brevetto EP-B-470936 citato.

Il materiale assorbitore di gas costituito dalla miscela di ferro e manganese su zeoliti ha preferibilmente un rapporto in peso tra ferro e manganese compreso tra 7: 1 e 1: 1 ; ancor più preferibilmente questo rapporto è circa di 2: 1. Questo materiale può essere prodotto secondo le modalità descritte nel brevetto US 5.716.588 a nome della Richiedente. L'intervallo di temperature ottimale per l'impiego di questo materiale è compreso tra circa -20 e 100 °C, e preferibilmente tra temperatura ambiente e 50 °C. Il materiale aggiuntivo (o i materiali aggiuntivi) può trovarsi indifferentemente a monte o valle del catalizzatore a base di palladio lungo la direzione del flusso di gas. È anche possibile, quando si impieghino entrambi i materiali aggiuntivi citati, che uno di questi si trovi a monte e l'altro a valle del catalizzatore a base di palladio.

Il materiale aggiuntivo (o i materiali aggiuntivi) può essere presente in un corpo separato, collegato al coipo 1 1 del purificatore contenente il catalizzatore a base di palladio tramite tubature e raccordi, per esempio del tipo VCR. sopra citato. Anche questo secondo coipo sarà preferibilmente realizzato con i materiali e con il livello di finitura delle superfici descritte per il corpo 1 1.

Preferibilmente, il materiale aggiuntivo (o i materiali aggiuntivi) souo disposti nello stesso corpo del purificatore in cui è presente il catalizzatore a base di palladio. Lu questo caso, i diversi materiali assorbitori di gas possono essere mescolati, ma preferibilmente sono separati nel coipo del purificatore.

La figura 2 mostra in spaccato un possibile purificatore da impiegare nella seconda forma realizzativa del processo dell'invenzione; in particolare, la figura mostra un purificatore realizzato secondo la modalità preferita in cui i diversi materiali assorbitori di gas sono mantenuti separati all'iutemo del corpo del purificatore. Il purificatore 20 è composto da ini coipo 21, un ingresso del gas 22 e un'uscita per il gas 23; all’interno del coipo 21 è disposto, dalla parte dell'ingresso 22 il catalizzatore a base di palladio 24, e dalla parte dell'uscita 23 un materiale 25 scelto tra una lega getter idrogenata o una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti; preferibilmente, tra i due materiali viene disposto un elemento meccanico 26 facilmente penneabile ai gas, come ima reticella metallica, per aiutare a mantenere la separazione e la disposizione geometrica originale dei materiali stessi.

Nel caso della contemporanea presenza di due materiali diversi nello stesso coipo (situazione esemplificata in figura 2), il purificatore deve essere mantenuto ad una temperatura compatibile con le temperature di funzionamento di tutti i materiali presenti, di conseguenza preferibilmente tra temperatura ambiente e circa 50 °C.

Infine, è anche possibile aggiungere ai vari materiali assorbitori di gas anche un assorbitore chimico di acqua, per esempio ossido di calcio o l'ossido di boro preparato secondo gli insegnamenti della domanda di brevetto EP-A-960647 a nome della Richiedente.

L’invenzione verrà ulteriormente illustrata dal seguente esempio. Questo esempio non è limitativo della portata deH'invenzioue, e serve ad illustrare una possibile forma realizzativa destinate ad insegnare agli esperti del ramo come mettere in pratica l invenzione ed a rappresentare il modo migliore considerato per la realizzazione dell’ invenzione.

ESEMPIO 1

Viene realizzato ini purificatore del tipo mostrato in figura 1. U purificatore ha un corpo in acciaio AIS1 316 ed un volume interno di 50 cm'\ Nel purificatore viene inserito il catalizzatore, costituito da cilindretti di γ-allumina (volume complessivo di 20 cm3) su cui è presente il 2% in peso di palladio metallico. Il purificatore viene poi collegato, tramite connessioni del tipo VCR, a monte ad una bombola di azoto contenente 40 ppm in volume (ppniv) di acqua e 100 ppmv di ossigeno, e a valle ad uno spettrometro di massa di tipo APLMS (spettrometro di massa a ionizzazione a pressione atmosferica) mod. TOF 2000 della ditta Sensar, che ha una soglia di rilevazione di 10-4 ppmv sia per acqua che pei ossigeno. La prova viene effettuata in azoto anziché in un flusso di vapore di mi composto organometallico, perché lo strumento di analisi impiegato (AP1MS) ha una sensibilità ridotta nei vapori di questi composti, tale che una

S

prova con un composto organometallico non consentirebbe l’ottenimento di dati significativi, li gas da purificale viene fatto passare a 5 bar nel purificatore mantenuto a temperatura ambiente, con un flusso di 0, 1 slpm. Al'inizio della prova la quantità di acqua e ossigeno nel gas in uscita dal purificatore è sotto la soglia di sensibilità dell'analizzatore, indicando il funzionamento del catalizzatore a base di palladio nella rimozione di queste specie. La prova viene proseguita fino a quando l'analizzatore non rileva nel gas in uscita dal purificatore una quantità di contaminante pari a 10‘3 ppmv; questo valore di contaminazione del gas in uscita viene adottato come indicatore dell1 esaurimento del purificatore. Dalla conoscenza dei dati della prova, si ricava che il purificatore ha una capacità di 3 l/l (litri di gas misurato a condizioni standard su volume della lega getter) per ossigeno, e di 15 1/1 per acqua.

RIVENDICAZIONI

1. Processo per la purificazione di composti organometallici o composti organici eteroatomici da ossigeno, acqua e dai composti derivati dalla reazione di acqua e ossigeno con i composti di cui si vuole effettuare la purificazione, comprendente l'operazione di mettere iti contatto il composto organometallico o organico eteroatomico da purificare, sotto forma di vapore puro o in un gas di trasporto, con un catalizzatore costituito da palladio metallico depositato su γalluinina.

2. Processo secondo la rivendicazione I in cui il peso del palladio è compreso tra 0,3 e 4% del peso complessivo del catalizzatore.

3. Processo secondo la rivendicazione 1 in cui detta operazione viene effettuata ad una temperatura compresa tra circa -20 e 100°C.

4. Processo secondo la rivendicazione 3 in cui detta operazione viene effettuata ad una temperatura compresa tra temperatura ambiente e 50 °C.

5. Processo secondo la rivendicazione I in cui detta operazione viene effettuata con un flusso di gas da purificare tra circa 0, 1 e 20 slpm, a pressioni assolute comprese tra circa I e 10 bar.

6. Processo secondo la rivendicazione I in cui il composto organometallico è scelto tra tetra-t-butossido di afnio, trimetìlalluminio, trìetilalluminio, tri-tbutilalluminio , idruro di di-i-butilalluminio, trimetossialluminio, cloruro di dimetilalluminio, etossido di dietilalluminio, idruro di dimetilalluminio, trimetilantimonio, trietilantimonio, tri-i-propilantimouio, tris-dimetilamminoantimonio, trimetilarsenico, tris-dimetilammino-arsenico, t-butilarsina, fenilarsina, bario bis-tetrametileptandionato, bismuto tris-tetrametileptandionato, dimetilcadmio, dietilcadmio, ferro pentacarbonile, bis-ciclopentadienil-ferro, ferro tris

Claims (1)

1. acetilacetonato, ferro tris-tetrametileptandionato, trimetilgallio, trietilgallio, tri-ipropilgallio, tri-i-butilgallio, trietossigallio, trimetilindio, trietilindio, etildimetilindio ittrio tris-tetrametileptandionato, lantanio tris-tetrametileptandionato, bisciclopentadienil- magnesio, bis-metilciclopentadienil-magnesio magnesio bistetrametileptandionato, dimetilmercurio, pentaetossido di niobio, tetraetossidimetilamminoetossido di niobio, acetilacetonato di dimetiloro, piombo bis-tetrametileptandionato, acetilacetonato di bis-esafluororame, rame bistetrametileptandionato, scandio tris-tetrametileptaudionato, dimetilseleuio, dietilselenio, tetrametilstagno, tetraetilstagno, tetra-t-butossido di stagno, stronzio bistetrametileptandionato, pentossido di tantalio, tantalio tetraetossidimetilamminoetossido, tantalio tetraetossitetrametileptandionato, tantalio tetranietossitetrametileptandionato, tantalio tetra- i-propossitetrametileptandionato, tantalio tri-dietilammido -t-butilimmide, dimetiltellurio, dietiltellurio, di-ipropiltellurio, titanio bis-i-propossi-bis- tetrametileptandionato, titanio bis-i-propossibis-dimetilanuninoetossido, titanio bis-etossi-bis-dimetilamminoetossido, titanio tetradimetilammide, titanio tetradietilammide, tetra-t-butossido di titanio, titanio tetrai-propossido, i-propossido di vanadile, dimetilzinco, dietilzinco, zinco bistetrametileptandionato, zinco bis-acetilacetonato, tetra-t-butossido di zirconio, zirconio tetra-tetrametileptandionato e zirconio tri-i-propossi-tetrametileptandionato. 7. Processo secondo la rivendicazione 1 in cui il composto organico eteroatomico è scelto tra tiimetilborano, dimetilidrazina asimmetrica, t-butilammina, fenilidrazina, trimetilfosforo, t-butilfosfina e t-butilmercaptano. 8. Processo secondo la rivendicazione I comprendente inoltre l'operazione di mettere iti contatto il composto organometallico o organico eteroatomico da purificare, sotto forma di vapore puro o in un gas di trasporto, con almeno un secondo materiale assorbitore di gas scelto tra una lega getter idrogenata e una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti. 9. Processo secondo la rivendicazione 8 in cui il secondo materiale assorbitore è una lega getter idrogenata scelta tra le teglie a base di titanio e/o zirconio con uno o più elementi scelti tra i metalli di transizione e alluminio, e miscele tra ima o più di queste leghe con titanio e/o zirconio. 10. Processo secondo la rivendicazione 9 in cui la lega getter è scelta tra le leghe ZrM2, dove M è imo 0 più tra i metalli di transizione Cr, Mn, Fe, Co 0 Ni; le leghe Zr-V-Fe ed in particolare la lega di composizione percentuale in peso Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4%; le leghe Z1-C0-A, in cui con A si intende un elemento qualunque scelto tra ittrio, lantanio, Terre Rare 0 miscele di questi elementi; le leghe Ti-Ni; e le leghe Ti-V-M11. 11. Processo secondo la rivendicazione 9 in cui il contatto tra il gas da purificare e la lega getter idrogenata avviene ad ima temperatura compresa tra temperatura ambiente e circa 100 °C. 12. Processo secondo la rivendicazione 8 in cui il secondo materiale assorbitore è costituito da una miscela di ferro e manganese supportata su zeoliti, ed in cui il rapporto in peso tra ferro e manganese è compreso tra 7: 1 e 1 : 1 13. Processo secondo la rivendicazione 12 in cui detto rapporto in peso è circa di 2.1. 15. Processo secondo la rivendicazione 12 in cui il contatto tra il gas da purificare e la miscela di ferro e manganese su zeoliti avviene ad una temperatura compresa tra circa -20 e 100 °C. 16. Processo secondo la rivendicazione 15 in cui la temperatura è compresa tra temperatura ambiente e 50 °C. 17. Processo secondo la rivendicazione 1 comprendente inoltre l’operazione di mettere in contatto il composto organometallico o organico eteroatomico da purificare, sotto forma di vapore puro o in un gas di trasporto, con un assorbitore chimico di acqua.