IT1066181B - Procedimento ed impianto per la produzione di monocristalli semiconduttori con concentrazione regolabile di sostanza di drogatura - Google Patents

Procedimento ed impianto per la produzione di monocristalli semiconduttori con concentrazione regolabile di sostanza di drogatura

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IT1066181B IT5138376A IT5138376A IT1066181B IT 1066181 B IT1066181 B IT 1066181B IT 5138376 A IT5138376 A IT 5138376A IT 5138376 A IT5138376 A IT 5138376A IT 1066181 B IT1066181 B IT 1066181B
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction

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