JPS59156993A - Ｃｚ単結晶のド−プ方法およびその装置 - Google Patents
Ｃｚ単結晶のド−プ方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS59156993A JPS59156993A JP2764383A JP2764383A JPS59156993A JP S59156993 A JPS59156993 A JP S59156993A JP 2764383 A JP2764383 A JP 2764383A JP 2764383 A JP2764383 A JP 2764383A JP S59156993 A JPS59156993 A JP S59156993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doping
- metal
- single crystal
- jig
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＣＺ単結晶中へのドーグ方法とその装置、特
には金属ｓｂのドープ方法と装置に関する。
には金属ｓｂのドープ方法と装置に関する。
Ｎ型単結晶、特にＣＺ法によるＮ型シリコン単結晶を作
成する場合、通常、ドーパントとして金属８１）を用（
・ることか多（・。この場合、ＣＺシリコン単単結晶へ
の金属ｓｂの投入方法は、従来の常圧引上炉では装置上
部の開口自在の開口部よりドープ投入治具により単結晶
引上の直ＡｉＪに行われていた。
成する場合、通常、ドーパントとして金属８１）を用（
・ることか多（・。この場合、ＣＺシリコン単単結晶へ
の金属ｓｂの投入方法は、従来の常圧引上炉では装置上
部の開口自在の開口部よりドープ投入治具により単結晶
引上の直ＡｉＪに行われていた。
近年、大径のシリコン単結晶を得るため、引上装置が大
型化し、かつ、炉内雰囲気を減圧にした引上方式となっ
てからは、前記のように引上装置の一部を開口し投入す
ることは、投入作業毎に減圧状態を破ることになる。そ
のため、別に制止口を設けたドーパント投入ｆ］を設け
る必要かあり、投入作業が内軸である。
型化し、かつ、炉内雰囲気を減圧にした引上方式となっ
てからは、前記のように引上装置の一部を開口し投入す
ることは、投入作業毎に減圧状態を破ることになる。そ
のため、別に制止口を設けたドーパント投入ｆ］を設け
る必要かあり、投入作業が内軸である。
又、あらかじめ、金属ｓｂをシリコン素材と共に溶解ル
ツボ内に装入しておき、金属ｓｂ とシリコンの溶解
をする方法が行われている。
ツボ内に装入しておき、金属ｓｂ とシリコンの溶解
をする方法が行われている。
然し乍ら、この方法はシリコンが溶解する以前にｓｂが
溶解し、減圧下であるため、ｓｂが炉内に蒸発飛散して
ドープの目的が達せられない。
溶解し、減圧下であるため、ｓｂが炉内に蒸発飛散して
ドープの目的が達せられない。
又、減圧下で溶融シリコン中へ金属ｓｂを投入してドー
プする方法もあるが、この場合は、金属ｓｂを投入する
と急激な溶解反応のため、溶解液が沸騰し、ルツボ壁や
装置上部迄シリコン及びＳｂか飛散付着してドープの目
的が達せられないばかりでなく、シリコンやｓｂの酸化
反応物の付着によるカスの溶融シリコン中への落１をお
こし、そのため、シリコンの無欠陥単結晶の形成を不ｕ
Ｊ能にする欠点がある。
プする方法もあるが、この場合は、金属ｓｂを投入する
と急激な溶解反応のため、溶解液が沸騰し、ルツボ壁や
装置上部迄シリコン及びＳｂか飛散付着してドープの目
的が達せられないばかりでなく、シリコンやｓｂの酸化
反応物の付着によるカスの溶融シリコン中への落１をお
こし、そのため、シリコンの無欠陥単結晶の形成を不ｕ
Ｊ能にする欠点がある。
この発明はかＸる欠点を除き、減圧下においても有効な
金属ｓｂ ドープか可能な方法を提供することを目的
とする。
金属ｓｂ ドープか可能な方法を提供することを目的
とする。
この発明は溶解炉内の温度分布およびドーパント投入治
具を改良することにより前記の問題点を解決したのであ
る。
具を改良することにより前記の問題点を解決したのであ
る。
この発明の要旨は、ｓｂを溶融シリコン中に投入する前
に、予め該ｓｂを溶解しておき、徐々に溶融シリコン中
に流入するドープ方法と、細管部と狭隘部と金属ｓｂの
貯蔵部よりなり、該細管部の長さは溶融シリコン液面か
ら金属ｓｂの溶融温度部分までの高さにはｙ等しくした
ドープ装置、に存する。
に、予め該ｓｂを溶解しておき、徐々に溶融シリコン中
に流入するドープ方法と、細管部と狭隘部と金属ｓｂの
貯蔵部よりなり、該細管部の長さは溶融シリコン液面か
ら金属ｓｂの溶融温度部分までの高さにはｙ等しくした
ドープ装置、に存する。
以下に、この発明を図面を用いて一実施例にもとづいて
説明する。
説明する。
前述のごとく、溶融したシリコン甲に、金属ｓｂをその
ま〜投入すると、急激な溶解反応のため、シリコン及び
ｓｂが飛散する。このことを防止し安定して溶融シリコ
ン中に金属ｓｂを投入する方法として、金属ｓｂを溶融
シリコン中に投入する前にあらかじめ溶解しておき、徐
々に溶融シリコン中に流し込ませるようにする。
ま〜投入すると、急激な溶解反応のため、シリコン及び
ｓｂが飛散する。このことを防止し安定して溶融シリコ
ン中に金属ｓｂを投入する方法として、金属ｓｂを溶融
シリコン中に投入する前にあらかじめ溶解しておき、徐
々に溶融シリコン中に流し込ませるようにする。
その一実施例として、第１図すのごとく、シリコンを溶
融し、その溶融面上から垂直の温度分布を測寓し、第１
図ａのごとく、横軸を温度、縦軸をシリコン液面からの
高さとして、温度グラフを作成してお−き、丁度金属ｓ
ｂが溶解する温度（６３１℃）の点Ａを探しておく。そ
して、金属ｓｂ ドープ治具１は、該治具１の先端が
溶融シリコン液面に接した場合、狭隘部２の部分が金属
ｓｂが溶融する温度になるごとく、即ち、第１図ａの点
Ａの高さＨにはｙ等しい長さの細管部３と、金属ｓｂの
貯蔵部４よりなるごとく、設計製作する。
融し、その溶融面上から垂直の温度分布を測寓し、第１
図ａのごとく、横軸を温度、縦軸をシリコン液面からの
高さとして、温度グラフを作成してお−き、丁度金属ｓ
ｂが溶解する温度（６３１℃）の点Ａを探しておく。そ
して、金属ｓｂ ドープ治具１は、該治具１の先端が
溶融シリコン液面に接した場合、狭隘部２の部分が金属
ｓｂが溶融する温度になるごとく、即ち、第１図ａの点
Ａの高さＨにはｙ等しい長さの細管部３と、金属ｓｂの
貯蔵部４よりなるごとく、設計製作する。
同、金属ｓｂ ドープ治具１は例えば石英ガラスを使
用して作成し、ＣＺ引上装置のシード軸に取付け、上下
可能な状態にしておく。
用して作成し、ＣＺ引上装置のシード軸に取付け、上下
可能な状態にしておく。
次にドープ方法を説明する。
シリコン素材が溶解した後に金属Ｓｂ ドープ治具１
を降下させ、該治具ｌの先端が溶融シリコン液面から２
〜３（７）入った状態で停止し、次に溶融ルツボ５と該
治具１を約１門／配の速度で降下させることにより金属
ｓｂの貯蔵部４０部分の温度を下部から順次上部にわた
り上昇させて、貯蔵部４内の金属ｓｂをすべて溶解させ
、溶融シリコン中に投入する。
を降下させ、該治具ｌの先端が溶融シリコン液面から２
〜３（７）入った状態で停止し、次に溶融ルツボ５と該
治具１を約１門／配の速度で降下させることにより金属
ｓｂの貯蔵部４０部分の温度を下部から順次上部にわた
り上昇させて、貯蔵部４内の金属ｓｂをすべて溶解させ
、溶融シリコン中に投入する。
その稜、該ドープ治具１を上昇させ、通常使用されて（
・る引上装置の王室（図示せず）に移動し、溶解室は減
圧のま匁とし、王室に不活性ガス、例えばＡｒを入れて
常圧とし、該ドープ治具１と単結晶引上用シードの交換
を行う。
・る引上装置の王室（図示せず）に移動し、溶解室は減
圧のま匁とし、王室に不活性ガス、例えばＡｒを入れて
常圧とし、該ドープ治具１と単結晶引上用シードの交換
を行う。
冑、該ドープ治具１は付着したシリコン及びｓｂを通常
の工、チング方法で除去することにより、繰り返し再使
用することができる。
の工、チング方法で除去することにより、繰り返し再使
用することができる。
前記のごとき方法により、一旦溶解した金属ｓｂが液状
となって溶解シリコン中に滴下することにより添加され
ると、溶解の急激な反応は防止され、溶融シリコン液の
沸騰がなくなる。
となって溶解シリコン中に滴下することにより添加され
ると、溶解の急激な反応は防止され、溶融シリコン液の
沸騰がなくなる。
又、溶融ｓｂ液の滴下による、溶融シリコンとｓｂのハ
ネもドープ治具１の内部のみで抑えられるので、引上装
置の壁や天井を汚すことなく、カス付着による無欠陥単
結晶のクズレも発生しな（・。
ネもドープ治具１の内部のみで抑えられるので、引上装
置の壁や天井を汚すことなく、カス付着による無欠陥単
結晶のクズレも発生しな（・。
更に、ドープ時の安定化を計るため、前記のごとく金属
ｓｂをドープする場合、成長、炉内部圧力を結晶成長時
より幾分高く保った減圧下で実施すると、岡、溶融シリ
コンとｓｂの溶液のハネと蒸発を押え、より有効なドー
プが実施できる。
ｓｂをドープする場合、成長、炉内部圧力を結晶成長時
より幾分高く保った減圧下で実施すると、岡、溶融シリ
コンとｓｂの溶液のハネと蒸発を押え、より有効なドー
プが実施できる。
実施例１
金属ｓｂの貯蔵部４の下端部の狭隘部２を第２図に示す
ごとく、細（絞った漏斗状細孔部６のごとき形状、例え
ば絞りの孔径を２〜３．５覇Ω、にすることにより、金
属ｓｂの落下防止をすると共に溶融ｓｂの溶融シリコン
中への滴丁量を制御し、更に溶融シリコン中に投入され
たｓｂの再蒸発による逃げを防ぐことかできる。
ごとく、細（絞った漏斗状細孔部６のごとき形状、例え
ば絞りの孔径を２〜３．５覇Ω、にすることにより、金
属ｓｂの落下防止をすると共に溶融ｓｂの溶融シリコン
中への滴丁量を制御し、更に溶融シリコン中に投入され
たｓｂの再蒸発による逃げを防ぐことかできる。
同、金属ｓｂ貯蔵部４の例えば石英製管径は投入するＳ
ｂ量により決めるとよ（、又、細管部３の例えば石英％
管径はなるべく細いものが望ましく・。
ｂ量により決めるとよ（、又、細管部３の例えば石英％
管径はなるべく細いものが望ましく・。
父、これらの例えは石英管は、溶接方法により接続する
ことができる。
ことができる。
実施例２
外径１２’のシリコン溶融用ルツボ５に素材シリコン１
５Ｋｆを装置し、金属ｓｂ ドーグ治具１のｓｂ貯貯蔵
部上２４０２の金属ｓｂを装入し、この発明の方法によ
り、ｓｂをドープした結果、溶融シリコン液面からのシ
リコンおよびＳｂのハネは細管部３内に押えられ、引上
装置内を汚すこともなく、カスの付着も認められず、無
欠陥単結晶が効率よく得られた。
５Ｋｆを装置し、金属ｓｂ ドーグ治具１のｓｂ貯貯蔵
部上２４０２の金属ｓｂを装入し、この発明の方法によ
り、ｓｂをドープした結果、溶融シリコン液面からのシ
リコンおよびＳｂのハネは細管部３内に押えられ、引上
装置内を汚すこともなく、カスの付着も認められず、無
欠陥単結晶が効率よく得られた。
尚、この場合のｓｂｂ入後の経過時間と引上単結晶の肩
部の抵抗率ｆの関係を、第１表に示１゜点線Ｂは従来の
方法によるｓｂ ドープの結果を示し、実線Ｃはこの発
明によるｓｂ ドープの結果を示す、この画線を比較
ずれは、この発明によるドープ方法が効率よく行われて
（・ることかわかる。時間経過と共に抵抗率ｆが高（な
っているのはＳｂが液面より蒸発するためである。目的
の抵抗率を得る時間帯には制限があるが、これはこの発
明に限定される問題ではない。
部の抵抗率ｆの関係を、第１表に示１゜点線Ｂは従来の
方法によるｓｂ ドープの結果を示し、実線Ｃはこの発
明によるｓｂ ドープの結果を示す、この画線を比較
ずれは、この発明によるドープ方法が効率よく行われて
（・ることかわかる。時間経過と共に抵抗率ｆが高（な
っているのはＳｂが液面より蒸発するためである。目的
の抵抗率を得る時間帯には制限があるが、これはこの発
明に限定される問題ではない。
実施例３
金属ｓｂをドープする場合、引上単結晶成長時の減圧炉
内圧力、例えば７ミリバールを、それより幾分高い１８
ミリバールに保持して、ドープを実施した。この炉内圧
力の調整は雰囲気ガスの例えばＡｒ流量を３５ｔ／顔を
８０ ｔ／ｗｉｎに増加することにより得られる。
内圧力、例えば７ミリバールを、それより幾分高い１８
ミリバールに保持して、ドープを実施した。この炉内圧
力の調整は雰囲気ガスの例えばＡｒ流量を３５ｔ／顔を
８０ ｔ／ｗｉｎに増加することにより得られる。
その結果、溶融液面からの液のノ゛ネとｓｂの蒸発をよ
り効率的に押えることができ、安定してドープを実施す
ることができた。
り効率的に押えることができ、安定してドープを実施す
ることができた。
第１図すは、この発明のｓｂ ドープ治具の一実施例
、特に温度分布測定のための一実施例を示す。 第１図ａは、第１図すにおける温度分布を示す温度分布
表。 第２図は、この発明のｓｂ ドーグ治具の形状の一実
施例を示す。 １・・・・・・金属ｓｂ ドープ治具 ２・・・・・
・狭隘部３・・・・・・細管部 ４・・・・・・金属
ｓｂ貯蔵部５・・・・・・ルツボ ６・・・・・・細
孔部Ａ・・・・・・金属ｓｂの溶融点 Ｈ・・・・・・点への液面からの高さ 特許出願人 小松電子金属株式会社 手続補正書（方式） 昭和５８年６月２７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２７６４３号２、
発明の名称 Ｃ２単結晶のドープ方法およびその装置３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 輩ｉ緬Ｖ眉り丁目３番６号 ４、補正命令の日付 昭和５８年５月１１日（発送日昭和５８年５月３１日）
５、補正の対象 （１）［明細書の発明の詳細な説明の欄」（２）「明細
書の図面の簡単な説明の欄」（３）「図 面」 （１）明細書９頁２行目の「第１表」を「第３図」に訂
正する。 （２） 明細書の図面の簡単な説明の欄を下記の通シ
「全文訂正」する。 ［第１図すは、この発明のｓｂドープ治具の一実施例を
示し、特に温度分布測定のための一実施例を示す図であ
る。 第１図ａは、第１図すにおける温度分布を示す図である
。 第２図は、この発明のｓｂドープ治具の形状の一実施例
を示す図である。 第３図は、ドープ後の経過時間と抵抗率を３・・・・・
・細管部 ４・・・・・・金属ｓｂ貯蔵部５・・・
・・・ルツボ ６・・・・・・細孔部Ａ・・・・・
・金属ｓｂの溶融点 Ｈ・・・・・・点Ａ、の液面からの高さく３）「図面」
別紙の通シ
、特に温度分布測定のための一実施例を示す。 第１図ａは、第１図すにおける温度分布を示す温度分布
表。 第２図は、この発明のｓｂ ドーグ治具の形状の一実
施例を示す。 １・・・・・・金属ｓｂ ドープ治具 ２・・・・・
・狭隘部３・・・・・・細管部 ４・・・・・・金属
ｓｂ貯蔵部５・・・・・・ルツボ ６・・・・・・細
孔部Ａ・・・・・・金属ｓｂの溶融点 Ｈ・・・・・・点への液面からの高さ 特許出願人 小松電子金属株式会社 手続補正書（方式） 昭和５８年６月２７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２７６４３号２、
発明の名称 Ｃ２単結晶のドープ方法およびその装置３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 輩ｉ緬Ｖ眉り丁目３番６号 ４、補正命令の日付 昭和５８年５月１１日（発送日昭和５８年５月３１日）
５、補正の対象 （１）［明細書の発明の詳細な説明の欄」（２）「明細
書の図面の簡単な説明の欄」（３）「図 面」 （１）明細書９頁２行目の「第１表」を「第３図」に訂
正する。 （２） 明細書の図面の簡単な説明の欄を下記の通シ
「全文訂正」する。 ［第１図すは、この発明のｓｂドープ治具の一実施例を
示し、特に温度分布測定のための一実施例を示す図であ
る。 第１図ａは、第１図すにおける温度分布を示す図である
。 第２図は、この発明のｓｂドープ治具の形状の一実施例
を示す図である。 第３図は、ドープ後の経過時間と抵抗率を３・・・・・
・細管部 ４・・・・・・金属ｓｂ貯蔵部５・・・
・・・ルツボ ６・・・・・・細孔部Ａ・・・・・
・金属ｓｂの溶融点 Ｈ・・・・・・点Ａ、の液面からの高さく３）「図面」
別紙の通シ
Claims (6)
- （１） ＣＺシリコン単結晶中へｓｂをドープする方法
において、該ｓｂを溶融シリコン中に投入する前に、予
め該ｓｂを溶解しておき、徐々に溶融シリコン中に流入
することによりドープすることを特徴とするＣＺシリコ
ン単結晶のドープ方法。 - （２）溶融ルツボ５と金属ｓｂ ドープ治具１を徐々
に降下させ、金属ｓｂの貯蔵部４の温度を１−盗上昇さ
せることにより、金属Ｓｂを順次溶解し、溶融シリコン
中に投入することを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項のＣＺシリコン単結晶のドープ方法。 - （３）結晶成長炉内圧力を結晶成艮時より幾分高（保っ
た減圧下でｓｂをドープすることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項のＣＺシリコン単結晶のドープ方法。 - （４）金属ｓｂ ドープ治具ｌをＣＺ引上装置のシー
ド軸に取付けることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項のＣＺシリコン単結晶のドープ方法。 - （５）金属ｓｂ ドープ治具１は、細管部３と狭隘部２
と金属ｓｂの貯蔵部４とよりなり、該細管部３の長さは
溶融シリコン液面から金属Ｓｂの溶融温度部分までの距
離Ｈにはｙ等しく・ことを特徴とするＣＺシリコン単結
晶のドーグ装置。 - （６）狭隘部２は細く絞った漏斗状細孔部６よりなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（５）項のＣＺシリコ
ン単結晶のドープ装置。 （′７）漏斗状細孔部６の孔径を２〜３．５叫Ωとした
ことを特徴とする特許請求の範囲第（５）項のＣＺシリ
コン単結晶のドーグ装置。 （句金属ｓｂ ドーグ治具１は石英よりなることを特
徴とする特許請求の範囲第５項のＣＺシリコン単結晶の
ドープ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2764383A JPS59156993A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | Ｃｚ単結晶のド−プ方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2764383A JPS59156993A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | Ｃｚ単結晶のド−プ方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59156993A true JPS59156993A (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=12226608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2764383A Pending JPS59156993A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | Ｃｚ単結晶のド−プ方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59156993A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123893A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶製造方法 |
| US5427056A (en) * | 1990-10-17 | 1995-06-27 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus and method for producing single crystal |
| US5488923A (en) * | 1990-10-17 | 1996-02-06 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for producing single crystal |
| WO1997036024A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Seh America, Inc. | Methods of doping molten semiconductor in a crystal-growing furnace |
| US6019838A (en) * | 1998-01-05 | 2000-02-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal growing apparatus with melt-doping facility |
| US6179914B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Seh America, Inc. | Dopant delivery system and method |
| WO2001086033A1 (en) * | 2000-05-10 | 2001-11-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and device for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing process |
| WO2003027362A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder |
| JP2008297164A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ドーパントの注入方法、及びドーピング装置 |
| WO2008149687A1 (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sumco Techxiv Corporation | ドーピング装置、及びシリコン単結晶の製造方法 |
| US7922817B2 (en) | 2008-04-24 | 2011-04-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and device for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing apparatus |
| US8409347B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-04-02 | Sumco Techxiv Corporation | Method of dopant injection, N-type silicon single-crystal, doping apparatus and pull-up device |
| US8574363B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-11-05 | Sumco Techxiv Corporation | Process for production of silicon single crystal, and highly doped N-type semiconductor substrate |
| WO2014102387A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Memc Electronic Materials S.P.A. | Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material |
| US10060045B2 (en) | 2012-12-31 | 2018-08-28 | Corner Star Limited | Fabrication of indium-doped silicon by the czochralski method |
| US10337118B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-07-02 | Corner Star Limited | Apparatus and method for doping a semiconductor melt comprising a seed chuck, a seed crystal connected to the seed chuck, and a dopant container connected to the seed chuck between a first and second end of the apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240966A (en) * | 1975-09-25 | 1977-03-30 | Wacker Chemitronic | Method of making semiconductor single crystal having adjustable density of doping materials |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP2764383A patent/JPS59156993A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240966A (en) * | 1975-09-25 | 1977-03-30 | Wacker Chemitronic | Method of making semiconductor single crystal having adjustable density of doping materials |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123893A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶製造方法 |
| US5427056A (en) * | 1990-10-17 | 1995-06-27 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus and method for producing single crystal |
| US5488923A (en) * | 1990-10-17 | 1996-02-06 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for producing single crystal |
| WO1997036024A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Seh America, Inc. | Methods of doping molten semiconductor in a crystal-growing furnace |
| US6019838A (en) * | 1998-01-05 | 2000-02-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal growing apparatus with melt-doping facility |
| US6179914B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Seh America, Inc. | Dopant delivery system and method |
| US6254674B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-07-03 | Seh America, Inc. | Method of controllably delivering dopant by limiting the release rate of dopant from a submerged vessel |
| WO2001086033A1 (en) * | 2000-05-10 | 2001-11-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and device for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing process |
| WO2003027362A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder |
| US7132091B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-11-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Single crystal silicon ingot having a high arsenic concentration |
| US8409347B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-04-02 | Sumco Techxiv Corporation | Method of dopant injection, N-type silicon single-crystal, doping apparatus and pull-up device |
| US8283241B2 (en) | 2007-05-31 | 2012-10-09 | Sumco Techxiv Corporation | Dopant implanting method and doping apparatus |
| DE112008000074B4 (de) * | 2007-05-31 | 2018-02-01 | Sumco Techxiv Corp. | Dotierungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls |
| WO2008149686A1 (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sumco Techxiv Corporation | ドーパントの注入方法、及びドーピング装置 |
| JP2008297164A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ドーパントの注入方法、及びドーピング装置 |
| US8574363B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-11-05 | Sumco Techxiv Corporation | Process for production of silicon single crystal, and highly doped N-type semiconductor substrate |
| US8715416B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-05-06 | Sumco Techxiv Corporation | Doping apparatus for simultaneously injecting two dopants into a semiconductor melt at different positions and method for manufacturing silicon single crystal using the doping apparatus |
| US8747551B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-06-10 | Sumco Techxiv Corporation | Process for production of silicon single crystal, and highly doped N-type semiconductor substrate |
| WO2008149687A1 (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sumco Techxiv Corporation | ドーピング装置、及びシリコン単結晶の製造方法 |
| DE112008000491B4 (de) | 2007-05-31 | 2020-06-18 | Sumco Techxiv Corp. | Dotierungsmittel-Injektionsverfahren und Dotierungsvorrichtung |
| US7922817B2 (en) | 2008-04-24 | 2011-04-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and device for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing apparatus |
| US8696811B2 (en) | 2008-04-24 | 2014-04-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing apparatus |
| WO2014102387A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Memc Electronic Materials S.P.A. | Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material |
| CN105026622B (zh) * | 2012-12-31 | 2018-02-02 | Memc电子材料有限公司 | 用于单晶半导体材料的受控掺杂的液体掺杂系统和方法 |
| CN108103572A (zh) * | 2012-12-31 | 2018-06-01 | Memc电子材料有限公司 | 用于单晶半导体材料的受控掺杂的液体掺杂系统和方法 |
| US10006145B2 (en) | 2012-12-31 | 2018-06-26 | Corner Star Limited | Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material |
| US10060045B2 (en) | 2012-12-31 | 2018-08-28 | Corner Star Limited | Fabrication of indium-doped silicon by the czochralski method |
| CN108103572B (zh) * | 2012-12-31 | 2020-06-16 | 各星有限公司 | 用于单晶半导体材料的受控掺杂的液体掺杂系统和方法 |
| CN105026622A (zh) * | 2012-12-31 | 2015-11-04 | Memc电子材料有限公司 | 用于单晶半导体材料的受控掺杂的液体掺杂系统和方法 |
| US10337118B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-07-02 | Corner Star Limited | Apparatus and method for doping a semiconductor melt comprising a seed chuck, a seed crystal connected to the seed chuck, and a dopant container connected to the seed chuck between a first and second end of the apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59156993A (ja) | Ｃｚ単結晶のド−プ方法およびその装置 | |
| JP4103593B2 (ja) | 固形状多結晶原料のリチャージ管及びそれを用いた単結晶の製造方法 | |
| JP2008037745A (ja) | 単結晶成長装置に固体原料を供給する装置及び方法 | |
| JP2008297164A (ja) | ドーパントの注入方法、及びドーピング装置 | |
| EP0340941A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
| US6660082B2 (en) | Method and apparatus for doping a melt with a dopant | |
| JP6503933B2 (ja) | シリコン融液供給装置及び方法並びにシリコン単結晶製造装置 | |
| JPH01215788A (ja) | 結晶引上げ方法 | |
| KR20010020314A (ko) | 단결정 원료 공급장치 및 단결정 원료 공급방법 | |
| JPH09501132A (ja) | 結晶成長のための成形されたドーパント | |
| JP2754103B2 (ja) | 種結晶を用いたドープ剤の添加方法 | |
| US10006145B2 (en) | Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material | |
| JP6708173B2 (ja) | リチャージ管及び単結晶の製造方法 | |
| JP2004083322A (ja) | Ｃｚ原料供給方法及び供給治具 | |
| JPH017730Y2 (ja) | ||
| JPH0379320B2 (ja) | ||
| JP2010064930A (ja) | シリコン単結晶引上方法およびこれに用いるドーピング装置 | |
| JPS58130195A (ja) | 単結晶シリコン引上装置 | |
| JPS5933552B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
| JP2005272265A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP6627737B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| RU2560402C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов из расплава | |
| JPH01317188A (ja) | 半導体単結晶の製造方法及び装置 | |
| JPH0688865B2 (ja) | ドーピング装置 | |
| JP4562459B2 (ja) | 鋳造装置、これを用いた多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 |