HUE033200T2 - Bevonóforrás - Google Patents

Bevonóforrás Download PDF

Info

Publication number
HUE033200T2
HUE033200T2 HUE13709319A HUE13709319A HUE033200T2 HU E033200 T2 HUE033200 T2 HU E033200T2 HU E13709319 A HUE13709319 A HU E13709319A HU E13709319 A HUE13709319 A HU E13709319A HU E033200 T2 HUE033200 T2 HU E033200T2
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
target
coating
carbon film
self
coating source
Prior art date
Application number
HUE13709319A
Other languages
English (en)
Inventor
Siegfried Krassnitzer
Juerg Hagmann
Original Assignee
Oerlikon Surface Solutions Ag Pfäffikon
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oerlikon Surface Solutions Ag Pfäffikon filed Critical Oerlikon Surface Solutions Ag Pfäffikon
Publication of HUE033200T2 publication Critical patent/HUE033200T2/hu

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497—Temperature of target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002—Cooling arrangements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Endoscopes (AREA)

Claims (12)

Bevonóforrás Szabadalmi igénypontok
1. Bevonóforrás, melynek elő- és hátoldallal rendelkező céltárgya (601, 701) van, ahol a céltárgy hátoldala hűtőcsatomával (609) rendelkező integrált indirekt hűtéssel ellátott forrástartó (605) egyik falán van elrendezve, ahol a céltárgy (601, 701) arra alkalmas eszközök révén a forrástartóra (605) van ráerősítve, továbbá a forrástartó (605) azon fala, melyen a céltárgy (601, 701) van, egy a hűtőcsatomát (609) a céltárgy (601, 701) hátoldalától elválasztó flexibilis membránként (603) van kiképezve, azzal jellemezve, hogy a céltárgy hátoldalára és/vagy a forrástartó azon falára, melyen a céltárgy van, öntapadó karbonfilm (607, 705) van felragasztva.
2. Az 1. igénypont szerinti bevonóforrás, azzal jellemezve, hogy az öntapadó karbonfilm (607, 705) olyan módon van felragasztva, hogy ha fémbevonó eljárás során a hűtőcsatomában (609) uralkodó hidrosztatikus nyomás a membránt (603) egyenletesen rányomj a a céltárgy (601, 701) hátoldalára, akkor az az öntapadó karbonfilmre (607, 705) ugyancsak rányomódik, miáltal a membrán (603) és a céltárgy (601,701) hátoldala között síkbeli termikus érintkezés alakul ki, amely a céltárgy (601, 701) hőmérsékletének olyan alacsony értéken tartását teszi lehetővé, hogy a céltárgy (601,701) teljesítményállósága egy ugyanolyan bevonóforrásban lévő, ugyanolyan, de öntapadó karbonfilmmel (607, 705) nem rendelkező céltárgy teljesítményállóságához képest legalább kétszeresére növelhető.
3. Az 1. vagy a 2. igénypont szerinti bevonóforrás, azzal jellemezve, hogy az öntapadó karbonfilm (607, 705) vastagsága 0,125 mm és legfeljebb 0,5 mm között van, és annak vastagsága előnyösen 0,125 mm.
4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti bevonóforrás, azzal jellemezve, hogy a céltárgy (601,701) vastagsága 6 mm és 18 mm között van, előnyösen pedig 6 mm és 12 mm között van.
5. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti bevonóforrás, azzal jellemezve, hogy a céltárgy (601, 701) forrástartóra (605) erősítésére alkalmas eszközöket bajonettzáras rögzítőrendszer képezi.
6. A 4. igénypont szerinti bevonóforrás, azzal jellemezve, hogy a céltárgy (701) kerülete (707) és a forrástartó bajonettzár formájában együttműködik, miáltal magasabb és egyenletesebb rászorítónyomás kerül elérésre.
7. Az előző igénypontok bármelyike szerinti bevonó forrás, azzal jellemezve, hogy a céltárgy (601, 701) porkohászati úton van előállítva.
8. Eljárás szubsztrátok bevonatolására, amelynél egy réteg fémbevonó eljárással történő leválasztásához egy az 1-7. igénypontok bármelyike szerinti bevonóforrást használunk.
9. A 8. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy AlCr(70:30 atom%)-céltárgy hőmérséklete legfeljebb 193°C vagy egy AlTi(67:33 atom%)-céltárgy hőmérséklete legfeljebb 182°C.
10. A 9. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a céltárgyon legfeljebb 10 kW nagyságú bevonóteljesítményt használunk.
11. A 8-10. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy króm-céltárgy esetén legfeljebb 100 W/cm2 nagyságú teljesítménysűrűséget használunk.
12. A 8-11. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a céltárgyként AlTi-, AlCr-, A1-, Tivagy Cr-céltárgyat használunk.
HUE13709319A 2012-04-04 2013-03-05 Bevonóforrás HUE033200T2 (hu)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012006717A DE102012006717A1 (de) 2012-04-04 2012-04-04 An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target

Publications (1)

Publication Number Publication Date
HUE033200T2 true HUE033200T2 (hu) 2017-11-28

Family

ID=47884231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HUE13709319A HUE033200T2 (hu) 2012-04-04 2013-03-05 Bevonóforrás

Country Status (14)

Country Link
US (1) US9934951B2 (hu)
EP (1) EP2834389B1 (hu)
JP (1) JP6407857B2 (hu)
KR (2) KR20150002747A (hu)
CN (1) CN104204286B (hu)
AR (1) AR090374A1 (hu)
DE (1) DE102012006717A1 (hu)
ES (1) ES2617518T3 (hu)
HU (1) HUE033200T2 (hu)
IN (1) IN2014DN08522A (hu)
MX (1) MX356932B (hu)
PL (1) PL2834389T3 (hu)
RU (1) RU2631571C2 (hu)
WO (1) WO2013149692A1 (hu)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2984674B1 (de) 2013-04-08 2018-06-06 Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon Sputtertarget mit erhöhter leistungsverträglichkeit
CN108130516A (zh) * 2018-01-03 2018-06-08 梧州三和新材料科技有限公司 一种使用泡沫金属增强冷却的真空镀阴极靶
CN108203812B (zh) * 2018-01-25 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种基板固定载具、蒸镀设备及蒸镀方法
RU190474U1 (ru) * 2018-12-24 2019-07-02 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Электродуговой испаритель
US10964015B2 (en) 2019-01-15 2021-03-30 International Business Machines Corporation Product defect detection
CN112626482A (zh) * 2020-12-15 2021-04-09 华能新能源股份有限公司 一种真空蒸镀用基片温度控制装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU823459A1 (ru) * 1979-06-11 1981-04-23 Предприятие П/Я А-1067 Катодный узел
CH664303A5 (de) * 1985-04-03 1988-02-29 Balzers Hochvakuum Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung.
DE4015388C2 (de) * 1990-05-14 1997-07-17 Leybold Ag Kathodenzerstäubungsvorrichtung
JPH0774436B2 (ja) * 1990-09-20 1995-08-09 富士通株式会社 薄膜形成方法
DE59208623D1 (de) 1991-05-08 1997-07-24 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer
RU2026418C1 (ru) * 1991-06-24 1995-01-09 Минский радиотехнический институт Устройство для нанесения покрытий в вакууме
DE4201551C2 (de) * 1992-01-22 1996-04-25 Leybold Ag Zerstäubungskathode
JPH05230638A (ja) * 1992-02-20 1993-09-07 Anelva Corp スパッタリング用ターゲット
DE4301516C2 (de) * 1993-01-21 2003-02-13 Applied Films Gmbh & Co Kg Targetkühlung mit Wanne
DE19535894A1 (de) 1995-09-27 1997-04-03 Leybold Materials Gmbh Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH09125560A (ja) * 1995-10-26 1997-05-13 Hiroshi Nasu 炭素繊維マットテープ
JPH09156913A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導シートの製造方法及びそれを用いたスパッタリング装置
US6093293A (en) * 1997-12-17 2000-07-25 Balzers Hochvakuum Ag Magnetron sputtering source
EP0951049A1 (de) * 1998-04-16 1999-10-20 Balzers Aktiengesellschaft Haltering sowie Target und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2000226650A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Mitsubishi Materials Corp バッキングプレート変形防止用補強リング、その補強リングを取り付けたバッキングプレートおよびスパッタリングターゲット、並びにそれらの使用方法
RU2218450C2 (ru) * 2001-07-26 2003-12-10 Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан Магнетрон
FR2842348B1 (fr) * 2002-07-10 2004-09-10 Tecmachine Cathode pour pulverisation sous vide
DE502004007133D1 (de) * 2004-06-22 2008-06-26 Applied Materials Gmbh & Co Kg Zerstäubungskatode für Beschichtungsprozesse
EP1826811A1 (de) * 2006-02-22 2007-08-29 Applied Materials GmbH & Co. KG Sputtern mit gekühltem Target
US7879203B2 (en) * 2006-12-11 2011-02-01 General Electric Company Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition
JP4877156B2 (ja) * 2007-08-28 2012-02-15 住友金属鉱山株式会社 スパッタリングカソード及び成膜方法
US8673122B2 (en) * 2009-04-07 2014-03-18 Magna Mirrors Of America, Inc. Hot tile sputtering system
JP2011168807A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Canon Inc スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014143978A (ru) 2016-05-27
PL2834389T3 (pl) 2017-05-31
CN104204286A (zh) 2014-12-10
KR20210100742A (ko) 2021-08-17
JP6407857B2 (ja) 2018-10-17
KR102372968B1 (ko) 2022-03-10
CN104204286B (zh) 2017-03-29
RU2631571C2 (ru) 2017-09-25
EP2834389B1 (de) 2016-11-30
US9934951B2 (en) 2018-04-03
MX2014011991A (es) 2015-09-16
US20150060261A1 (en) 2015-03-05
WO2013149692A1 (de) 2013-10-10
JP2015517032A (ja) 2015-06-18
KR20150002747A (ko) 2015-01-07
MX356932B (es) 2018-06-20
DE102012006717A1 (de) 2013-10-10
IN2014DN08522A (hu) 2015-05-15
EP2834389A1 (de) 2015-02-11
ES2617518T3 (es) 2017-06-19
AR090374A1 (es) 2014-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HUE033200T2 (hu) Bevonóforrás
TWI363806B (en) Improved pvd target
US10636635B2 (en) Target, adapted to an indirect cooling device, having a cooling plate
US11637000B2 (en) Coating device for conducting high efficient low temperature coating
JPH0214425B2 (hu)
CN108517502B (zh) 一种在软基材表面制备低应力dlc薄膜的方法
JP5779491B2 (ja) ターゲット装置、スパッタリング装置、ターゲット装置の製造方法
EP0780487A1 (en) Gasketed target assembly
JPH05263224A (ja) スパッタ電極
US20060163059A1 (en) Sputtering cathode, production method and corresponding cathode
JPH11315372A (ja) 真空成膜装置
JP2010037576A (ja) 短冊状基板の成膜方法
JP2002309369A (ja) スパッタリング装置
JP2006336083A (ja) 多段カソード電極機構
JP2001214263A (ja) 成膜装置
JPS63143257A (ja) スパツタ方法
JP2008303453A (ja) スパッタリング装置のマルチカソード構造
CN102839355A (zh) 在物理气相沉积期间支撑工件的方法