RU2014143978A - Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения - Google Patents
Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014143978A RU2014143978A RU2014143978A RU2014143978A RU2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- source
- coating source
- mount
- coating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Endoscopes (AREA)
Abstract
1. Источник покрытия, включающий в себя мишень (607, 701) с передней и задней сторонами, задняя сторона которой расположена на стенке крепления (605) источника, в которое встроено опосредствованное охлаждение с каналом (609) охлаждения, при этом мишень (601, 701) зафиксирована на креплении (605) источника с помощью подходящих средств, и стенка крепления (605) источника, на которой расположена мишень (607, 701), выполнена в виде гибкой мембраны (603), которая отделяет канал (609) охлаждения от задней стороны мишени (607, 701), отличающийся тем, что на задней стороне мишени и/или на той стенке крепления источника, на которой расположена мишень, наклеена самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705).2. Источник покрытия по п. 1, отличающийся тем, что самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705) наклеена таким образом, что когда мембрана (603) в процессе распыления вследствие действующего в канале (609) охлаждения гидростатического давления равномерно прижимается к задней стороне мишени (601, 701), она также прижимается к самоклеющейся углеродной фольге (607, 705) таким образом, что возникает плоскостный тепловой контакт между мембраной (603) и задней стороной мишени (601, 791), который позволяет снизить температуру мишени (601, 701) настолько, что допустимая мощность мишени (601, 701) по сравнению с допустимой мощностью той же мишени в том же источнике покрытия, но без самоклеющейся углеродной фольги (607, 705), может быть по меньшей мере удвоена.3. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина самоклеющейся углеродной фольги (607, 705) составляет между 0,125 мм и менее чем 0,5 мм, а предпочтительно толщина равна 0,125 мм.4. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина мишени (601, 701) составляет от 6 мм до 18 мм, а предпочтительно толщина равна от 6 мм до 12 мм.5. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийс
Claims (12)
1. Источник покрытия, включающий в себя мишень (607, 701) с передней и задней сторонами, задняя сторона которой расположена на стенке крепления (605) источника, в которое встроено опосредствованное охлаждение с каналом (609) охлаждения, при этом мишень (601, 701) зафиксирована на креплении (605) источника с помощью подходящих средств, и стенка крепления (605) источника, на которой расположена мишень (607, 701), выполнена в виде гибкой мембраны (603), которая отделяет канал (609) охлаждения от задней стороны мишени (607, 701), отличающийся тем, что на задней стороне мишени и/или на той стенке крепления источника, на которой расположена мишень, наклеена самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705).
2. Источник покрытия по п. 1, отличающийся тем, что самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705) наклеена таким образом, что когда мембрана (603) в процессе распыления вследствие действующего в канале (609) охлаждения гидростатического давления равномерно прижимается к задней стороне мишени (601, 701), она также прижимается к самоклеющейся углеродной фольге (607, 705) таким образом, что возникает плоскостный тепловой контакт между мембраной (603) и задней стороной мишени (601, 791), который позволяет снизить температуру мишени (601, 701) настолько, что допустимая мощность мишени (601, 701) по сравнению с допустимой мощностью той же мишени в том же источнике покрытия, но без самоклеющейся углеродной фольги (607, 705), может быть по меньшей мере удвоена.
3. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина самоклеющейся углеродной фольги (607, 705) составляет между 0,125 мм и менее чем 0,5 мм, а предпочтительно толщина равна 0,125 мм.
4. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина мишени (601, 701) составляет от 6 мм до 18 мм, а предпочтительно толщина равна от 6 мм до 12 мм.
5. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что в качестве подходящих средств для фиксации мишени (601, 701) на креплении (605) источника предусмотрена система байонетного крепления.
6. Источник покрытия по п. 4, отличающийся тем, что периметр (707) мишени (701) взаимодействует с креплением источника в виде байонетного соединения, благодаря чему достигается более высокое и равномерное давление прижатия.
7. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что мишень (601, 701) изготовлена методом порошковой металлургии.
8. Способ нанесения покрытия на подложки, при этом для осаждения слоя посредством процесса распыления применяют источник покрытия по любому из пп. 1-7.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что температуру мишени поддерживают ниже 200°C.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что на мишени применяют мощность распыления до 10 кВт.
11. Способ по любому из пп. 8-10, отличающийся тем, что применяют плотность мощности мишени до 100 Вт/см2.
12. Способ по любому из пп. 8-10, отличающийся тем, что применяемая мишень представляет собой мишень из AlTi, AlCr, Al, Ti, TiCr или Cr.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012006717A DE102012006717A1 (de) | 2012-04-04 | 2012-04-04 | An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target |
DE102012006717.8 | 2012-04-04 | ||
PCT/EP2013/000623 WO2013149692A1 (de) | 2012-04-04 | 2013-03-05 | An eine indirekte kühlvorrichtung angepasstes target |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014143978A true RU2014143978A (ru) | 2016-05-27 |
RU2631571C2 RU2631571C2 (ru) | 2017-09-25 |
Family
ID=47884231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014143978A RU2631571C2 (ru) | 2012-04-04 | 2013-03-05 | Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9934951B2 (ru) |
EP (1) | EP2834389B1 (ru) |
JP (1) | JP6407857B2 (ru) |
KR (2) | KR102372968B1 (ru) |
CN (1) | CN104204286B (ru) |
AR (1) | AR090374A1 (ru) |
DE (1) | DE102012006717A1 (ru) |
ES (1) | ES2617518T3 (ru) |
HU (1) | HUE033200T2 (ru) |
IN (1) | IN2014DN08522A (ru) |
MX (1) | MX356932B (ru) |
PL (1) | PL2834389T3 (ru) |
RU (1) | RU2631571C2 (ru) |
WO (1) | WO2013149692A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102234454B1 (ko) | 2013-04-08 | 2021-04-01 | 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘 | 향상된 전력 호환가능성을 갖는 스퍼터링 표적 |
CN108130516A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-08 | 梧州三和新材料科技有限公司 | 一种使用泡沫金属增强冷却的真空镀阴极靶 |
CN108203812B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板固定载具、蒸镀设备及蒸镀方法 |
RU190474U1 (ru) * | 2018-12-24 | 2019-07-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") | Электродуговой испаритель |
US10964015B2 (en) | 2019-01-15 | 2021-03-30 | International Business Machines Corporation | Product defect detection |
CN112626482A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-09 | 华能新能源股份有限公司 | 一种真空蒸镀用基片温度控制装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU823459A1 (ru) * | 1979-06-11 | 1981-04-23 | Предприятие П/Я А-1067 | Катодный узел |
CH664303A5 (de) * | 1985-04-03 | 1988-02-29 | Balzers Hochvakuum | Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung. |
DE4015388C2 (de) * | 1990-05-14 | 1997-07-17 | Leybold Ag | Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
JPH0774436B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
EP0512456B1 (de) * | 1991-05-08 | 1997-06-18 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer |
RU2026418C1 (ru) * | 1991-06-24 | 1995-01-09 | Минский радиотехнический институт | Устройство для нанесения покрытий в вакууме |
DE4201551C2 (de) * | 1992-01-22 | 1996-04-25 | Leybold Ag | Zerstäubungskathode |
JPH05230638A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-07 | Anelva Corp | スパッタリング用ターゲット |
DE4301516C2 (de) * | 1993-01-21 | 2003-02-13 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Targetkühlung mit Wanne |
DE19535894A1 (de) | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPH09125560A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-13 | Hiroshi Nasu | 炭素繊維マットテープ |
JPH09156913A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱伝導シートの製造方法及びそれを用いたスパッタリング装置 |
US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
EP0951049A1 (de) * | 1998-04-16 | 1999-10-20 | Balzers Aktiengesellschaft | Haltering sowie Target und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2000226650A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート変形防止用補強リング、その補強リングを取り付けたバッキングプレートおよびスパッタリングターゲット、並びにそれらの使用方法 |
RU2218450C2 (ru) * | 2001-07-26 | 2003-12-10 | Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан | Магнетрон |
FR2842348B1 (fr) * | 2002-07-10 | 2004-09-10 | Tecmachine | Cathode pour pulverisation sous vide |
DE502004007133D1 (de) * | 2004-06-22 | 2008-06-26 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Zerstäubungskatode für Beschichtungsprozesse |
EP1826811A1 (de) * | 2006-02-22 | 2007-08-29 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Sputtern mit gekühltem Target |
US7879203B2 (en) * | 2006-12-11 | 2011-02-01 | General Electric Company | Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition |
JP4877156B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-02-15 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングカソード及び成膜方法 |
US8673122B2 (en) * | 2009-04-07 | 2014-03-18 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Hot tile sputtering system |
JP2011168807A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Canon Inc | スパッタリング装置 |
-
2012
- 2012-04-04 DE DE102012006717A patent/DE102012006717A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-03-05 JP JP2015503775A patent/JP6407857B2/ja active Active
- 2013-03-05 CN CN201380018809.0A patent/CN104204286B/zh active Active
- 2013-03-05 MX MX2014011991A patent/MX356932B/es active IP Right Grant
- 2013-03-05 ES ES13709319.1T patent/ES2617518T3/es active Active
- 2013-03-05 IN IN8522DEN2014 patent/IN2014DN08522A/en unknown
- 2013-03-05 KR KR1020217024665A patent/KR102372968B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-05 HU HUE13709319A patent/HUE033200T2/en unknown
- 2013-03-05 WO PCT/EP2013/000623 patent/WO2013149692A1/de active Application Filing
- 2013-03-05 PL PL13709319T patent/PL2834389T3/pl unknown
- 2013-03-05 EP EP13709319.1A patent/EP2834389B1/de active Active
- 2013-03-05 US US14/390,828 patent/US9934951B2/en active Active
- 2013-03-05 KR KR20147030866A patent/KR20150002747A/ko active Application Filing
- 2013-03-05 RU RU2014143978A patent/RU2631571C2/ru active
- 2013-03-19 AR ARP130100883A patent/AR090374A1/es active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150060261A1 (en) | 2015-03-05 |
CN104204286A (zh) | 2014-12-10 |
JP6407857B2 (ja) | 2018-10-17 |
ES2617518T3 (es) | 2017-06-19 |
WO2013149692A1 (de) | 2013-10-10 |
CN104204286B (zh) | 2017-03-29 |
PL2834389T3 (pl) | 2017-05-31 |
KR102372968B1 (ko) | 2022-03-10 |
MX356932B (es) | 2018-06-20 |
AR090374A1 (es) | 2014-11-05 |
KR20210100742A (ko) | 2021-08-17 |
DE102012006717A1 (de) | 2013-10-10 |
RU2631571C2 (ru) | 2017-09-25 |
EP2834389A1 (de) | 2015-02-11 |
JP2015517032A (ja) | 2015-06-18 |
HUE033200T2 (en) | 2017-11-28 |
IN2014DN08522A (ru) | 2015-05-15 |
MX2014011991A (es) | 2015-09-16 |
KR20150002747A (ko) | 2015-01-07 |
EP2834389B1 (de) | 2016-11-30 |
US9934951B2 (en) | 2018-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2014143978A (ru) | Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения | |
MX336920B (es) | Adhesivo bi-capa para laminacion de lentes. | |
RU2015121694A (ru) | Чувствительные к давлению адгезивы, содержащие расширяемый графит | |
SG196762A1 (en) | High pressure, high power plasma activated conformal film deposition | |
TW200704796A (en) | Evaporator device | |
WO2009075944A3 (en) | Improved solution deposition assembly | |
JP2013123028A5 (ru) | ||
EP1821374A3 (en) | Apparatus and method for heating an infrared-initiated splice seal | |
JP2014507513A5 (ru) | ||
PH12016501335A1 (en) | Composite sheet for protective-film formation | |
TW200718407A (en) | Stretchable cooling sheet | |
RU2015147496A (ru) | Мишень для распыления, имеющая увеличенную энергетическую совместимость | |
WO2011143275A3 (en) | Thin film buffer layer solution deposition assembly | |
WO2012091390A3 (en) | Dry coating apparatus | |
US10636635B2 (en) | Target, adapted to an indirect cooling device, having a cooling plate | |
SE0702181L (sv) | Solkoncentrator | |
WO2009008673A3 (en) | Substrate heating apparatus | |
WO2012176136A3 (en) | Hybrid solar panel | |
WO2007089865A3 (en) | A re-workable metallic tim for efficient heat exchange | |
EP2402111A3 (en) | Thin film removal apparatus | |
EP2474585A3 (en) | Surface protective sheet for self-cleaning surface | |
CN208938971U (zh) | 一种柔性显示母板、柔性amoled显示面板及柔性显示器件 | |
MY170558A (en) | Non-crosslinkable adhesive composition and adhesive sheet | |
WO2018050659A3 (de) | Verfahren zur herstellung eines verbunds aus flächigen substraten mit unterschiedlichen wärmeausdehnungskoeffizienten | |
FR2980216B1 (fr) | Miroir a couche argent par magnetron |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |