RU2014143978A - Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения - Google Patents

Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения Download PDF

Info

Publication number
RU2014143978A
RU2014143978A RU2014143978A RU2014143978A RU2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A RU 2014143978 A RU2014143978 A RU 2014143978A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
source
coating source
mount
coating
Prior art date
Application number
RU2014143978A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2631571C2 (ru
Inventor
Зигфрид КРАССНИТЦЕР
Юрг ХАГМАНН
Original Assignee
Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах filed Critical Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах
Publication of RU2014143978A publication Critical patent/RU2014143978A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2631571C2 publication Critical patent/RU2631571C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3417Arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497Temperature of target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002Cooling arrangements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Endoscopes (AREA)

Abstract

1. Источник покрытия, включающий в себя мишень (607, 701) с передней и задней сторонами, задняя сторона которой расположена на стенке крепления (605) источника, в которое встроено опосредствованное охлаждение с каналом (609) охлаждения, при этом мишень (601, 701) зафиксирована на креплении (605) источника с помощью подходящих средств, и стенка крепления (605) источника, на которой расположена мишень (607, 701), выполнена в виде гибкой мембраны (603), которая отделяет канал (609) охлаждения от задней стороны мишени (607, 701), отличающийся тем, что на задней стороне мишени и/или на той стенке крепления источника, на которой расположена мишень, наклеена самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705).2. Источник покрытия по п. 1, отличающийся тем, что самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705) наклеена таким образом, что когда мембрана (603) в процессе распыления вследствие действующего в канале (609) охлаждения гидростатического давления равномерно прижимается к задней стороне мишени (601, 701), она также прижимается к самоклеющейся углеродной фольге (607, 705) таким образом, что возникает плоскостный тепловой контакт между мембраной (603) и задней стороной мишени (601, 791), который позволяет снизить температуру мишени (601, 701) настолько, что допустимая мощность мишени (601, 701) по сравнению с допустимой мощностью той же мишени в том же источнике покрытия, но без самоклеющейся углеродной фольги (607, 705), может быть по меньшей мере удвоена.3. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина самоклеющейся углеродной фольги (607, 705) составляет между 0,125 мм и менее чем 0,5 мм, а предпочтительно толщина равна 0,125 мм.4. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина мишени (601, 701) составляет от 6 мм до 18 мм, а предпочтительно толщина равна от 6 мм до 12 мм.5. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийс

Claims (12)

1. Источник покрытия, включающий в себя мишень (607, 701) с передней и задней сторонами, задняя сторона которой расположена на стенке крепления (605) источника, в которое встроено опосредствованное охлаждение с каналом (609) охлаждения, при этом мишень (601, 701) зафиксирована на креплении (605) источника с помощью подходящих средств, и стенка крепления (605) источника, на которой расположена мишень (607, 701), выполнена в виде гибкой мембраны (603), которая отделяет канал (609) охлаждения от задней стороны мишени (607, 701), отличающийся тем, что на задней стороне мишени и/или на той стенке крепления источника, на которой расположена мишень, наклеена самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705).
2. Источник покрытия по п. 1, отличающийся тем, что самоклеющаяся углеродная фольга (607, 705) наклеена таким образом, что когда мембрана (603) в процессе распыления вследствие действующего в канале (609) охлаждения гидростатического давления равномерно прижимается к задней стороне мишени (601, 701), она также прижимается к самоклеющейся углеродной фольге (607, 705) таким образом, что возникает плоскостный тепловой контакт между мембраной (603) и задней стороной мишени (601, 791), который позволяет снизить температуру мишени (601, 701) настолько, что допустимая мощность мишени (601, 701) по сравнению с допустимой мощностью той же мишени в том же источнике покрытия, но без самоклеющейся углеродной фольги (607, 705), может быть по меньшей мере удвоена.
3. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина самоклеющейся углеродной фольги (607, 705) составляет между 0,125 мм и менее чем 0,5 мм, а предпочтительно толщина равна 0,125 мм.
4. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что толщина мишени (601, 701) составляет от 6 мм до 18 мм, а предпочтительно толщина равна от 6 мм до 12 мм.
5. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что в качестве подходящих средств для фиксации мишени (601, 701) на креплении (605) источника предусмотрена система байонетного крепления.
6. Источник покрытия по п. 4, отличающийся тем, что периметр (707) мишени (701) взаимодействует с креплением источника в виде байонетного соединения, благодаря чему достигается более высокое и равномерное давление прижатия.
7. Источник покрытия по п. 1 или 2, отличающийся тем, что мишень (601, 701) изготовлена методом порошковой металлургии.
8. Способ нанесения покрытия на подложки, при этом для осаждения слоя посредством процесса распыления применяют источник покрытия по любому из пп. 1-7.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что температуру мишени поддерживают ниже 200°C.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что на мишени применяют мощность распыления до 10 кВт.
11. Способ по любому из пп. 8-10, отличающийся тем, что применяют плотность мощности мишени до 100 Вт/см2.
12. Способ по любому из пп. 8-10, отличающийся тем, что применяемая мишень представляет собой мишень из AlTi, AlCr, Al, Ti, TiCr или Cr.
RU2014143978A 2012-04-04 2013-03-05 Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения RU2631571C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012006717A DE102012006717A1 (de) 2012-04-04 2012-04-04 An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target
DE102012006717.8 2012-04-04
PCT/EP2013/000623 WO2013149692A1 (de) 2012-04-04 2013-03-05 An eine indirekte kühlvorrichtung angepasstes target

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014143978A true RU2014143978A (ru) 2016-05-27
RU2631571C2 RU2631571C2 (ru) 2017-09-25

Family

ID=47884231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014143978A RU2631571C2 (ru) 2012-04-04 2013-03-05 Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения

Country Status (14)

Country Link
US (1) US9934951B2 (ru)
EP (1) EP2834389B1 (ru)
JP (1) JP6407857B2 (ru)
KR (2) KR102372968B1 (ru)
CN (1) CN104204286B (ru)
AR (1) AR090374A1 (ru)
DE (1) DE102012006717A1 (ru)
ES (1) ES2617518T3 (ru)
HU (1) HUE033200T2 (ru)
IN (1) IN2014DN08522A (ru)
MX (1) MX356932B (ru)
PL (1) PL2834389T3 (ru)
RU (1) RU2631571C2 (ru)
WO (1) WO2013149692A1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102234454B1 (ko) 2013-04-08 2021-04-01 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘 향상된 전력 호환가능성을 갖는 스퍼터링 표적
CN108130516A (zh) * 2018-01-03 2018-06-08 梧州三和新材料科技有限公司 一种使用泡沫金属增强冷却的真空镀阴极靶
CN108203812B (zh) * 2018-01-25 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种基板固定载具、蒸镀设备及蒸镀方法
RU190474U1 (ru) * 2018-12-24 2019-07-02 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Электродуговой испаритель
US10964015B2 (en) 2019-01-15 2021-03-30 International Business Machines Corporation Product defect detection
CN112626482A (zh) * 2020-12-15 2021-04-09 华能新能源股份有限公司 一种真空蒸镀用基片温度控制装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU823459A1 (ru) * 1979-06-11 1981-04-23 Предприятие П/Я А-1067 Катодный узел
CH664303A5 (de) * 1985-04-03 1988-02-29 Balzers Hochvakuum Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung.
DE4015388C2 (de) * 1990-05-14 1997-07-17 Leybold Ag Kathodenzerstäubungsvorrichtung
JPH0774436B2 (ja) * 1990-09-20 1995-08-09 富士通株式会社 薄膜形成方法
EP0512456B1 (de) * 1991-05-08 1997-06-18 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer
RU2026418C1 (ru) * 1991-06-24 1995-01-09 Минский радиотехнический институт Устройство для нанесения покрытий в вакууме
DE4201551C2 (de) * 1992-01-22 1996-04-25 Leybold Ag Zerstäubungskathode
JPH05230638A (ja) * 1992-02-20 1993-09-07 Anelva Corp スパッタリング用ターゲット
DE4301516C2 (de) * 1993-01-21 2003-02-13 Applied Films Gmbh & Co Kg Targetkühlung mit Wanne
DE19535894A1 (de) 1995-09-27 1997-04-03 Leybold Materials Gmbh Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH09125560A (ja) * 1995-10-26 1997-05-13 Hiroshi Nasu 炭素繊維マットテープ
JPH09156913A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導シートの製造方法及びそれを用いたスパッタリング装置
US6093293A (en) * 1997-12-17 2000-07-25 Balzers Hochvakuum Ag Magnetron sputtering source
EP0951049A1 (de) * 1998-04-16 1999-10-20 Balzers Aktiengesellschaft Haltering sowie Target und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2000226650A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Mitsubishi Materials Corp バッキングプレート変形防止用補強リング、その補強リングを取り付けたバッキングプレートおよびスパッタリングターゲット、並びにそれらの使用方法
RU2218450C2 (ru) * 2001-07-26 2003-12-10 Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан Магнетрон
FR2842348B1 (fr) * 2002-07-10 2004-09-10 Tecmachine Cathode pour pulverisation sous vide
DE502004007133D1 (de) * 2004-06-22 2008-06-26 Applied Materials Gmbh & Co Kg Zerstäubungskatode für Beschichtungsprozesse
EP1826811A1 (de) * 2006-02-22 2007-08-29 Applied Materials GmbH & Co. KG Sputtern mit gekühltem Target
US7879203B2 (en) * 2006-12-11 2011-02-01 General Electric Company Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition
JP4877156B2 (ja) * 2007-08-28 2012-02-15 住友金属鉱山株式会社 スパッタリングカソード及び成膜方法
US8673122B2 (en) * 2009-04-07 2014-03-18 Magna Mirrors Of America, Inc. Hot tile sputtering system
JP2011168807A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Canon Inc スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150060261A1 (en) 2015-03-05
CN104204286A (zh) 2014-12-10
JP6407857B2 (ja) 2018-10-17
ES2617518T3 (es) 2017-06-19
WO2013149692A1 (de) 2013-10-10
CN104204286B (zh) 2017-03-29
PL2834389T3 (pl) 2017-05-31
KR102372968B1 (ko) 2022-03-10
MX356932B (es) 2018-06-20
AR090374A1 (es) 2014-11-05
KR20210100742A (ko) 2021-08-17
DE102012006717A1 (de) 2013-10-10
RU2631571C2 (ru) 2017-09-25
EP2834389A1 (de) 2015-02-11
JP2015517032A (ja) 2015-06-18
HUE033200T2 (en) 2017-11-28
IN2014DN08522A (ru) 2015-05-15
MX2014011991A (es) 2015-09-16
KR20150002747A (ko) 2015-01-07
EP2834389B1 (de) 2016-11-30
US9934951B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014143978A (ru) Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения
MX336920B (es) Adhesivo bi-capa para laminacion de lentes.
RU2015121694A (ru) Чувствительные к давлению адгезивы, содержащие расширяемый графит
SG196762A1 (en) High pressure, high power plasma activated conformal film deposition
TW200704796A (en) Evaporator device
WO2009075944A3 (en) Improved solution deposition assembly
JP2013123028A5 (ru)
EP1821374A3 (en) Apparatus and method for heating an infrared-initiated splice seal
JP2014507513A5 (ru)
PH12016501335A1 (en) Composite sheet for protective-film formation
TW200718407A (en) Stretchable cooling sheet
RU2015147496A (ru) Мишень для распыления, имеющая увеличенную энергетическую совместимость
WO2011143275A3 (en) Thin film buffer layer solution deposition assembly
WO2012091390A3 (en) Dry coating apparatus
US10636635B2 (en) Target, adapted to an indirect cooling device, having a cooling plate
SE0702181L (sv) Solkoncentrator
WO2009008673A3 (en) Substrate heating apparatus
WO2012176136A3 (en) Hybrid solar panel
WO2007089865A3 (en) A re-workable metallic tim for efficient heat exchange
EP2402111A3 (en) Thin film removal apparatus
EP2474585A3 (en) Surface protective sheet for self-cleaning surface
CN208938971U (zh) 一种柔性显示母板、柔性amoled显示面板及柔性显示器件
MY170558A (en) Non-crosslinkable adhesive composition and adhesive sheet
WO2018050659A3 (de) Verfahren zur herstellung eines verbunds aus flächigen substraten mit unterschiedlichen wärmeausdehnungskoeffizienten
FR2980216B1 (fr) Miroir a couche argent par magnetron

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant