HU223302B1 - Szinterezett elektród és eljárás annak előállítására - Google Patents
Szinterezett elektród és eljárás annak előállítására Download PDFInfo
- Publication number
- HU223302B1 HU223302B1 HU9901361A HUP9901361A HU223302B1 HU 223302 B1 HU223302 B1 HU 223302B1 HU 9901361 A HU9901361 A HU 9901361A HU P9901361 A HUP9901361 A HU P9901361A HU 223302 B1 HU223302 B1 HU 223302B1
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- metal
- particle size
- powder
- sintered
- sintered electrode
- Prior art date
Links
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 29
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 4
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N thorium tungsten Chemical group [W].[Th] WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000031872 Body Remains Diseases 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- DECCZIUVGMLHKQ-UHFFFAOYSA-N rhenium tungsten Chemical compound [W].[Re] DECCZIUVGMLHKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
- H01J61/073—Main electrodes for high-pressure discharge lamps
- H01J61/0735—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12042—Porous component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12153—Interconnected void structure [e.g., permeable, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12639—Adjacent, identical composition, components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12639—Adjacent, identical composition, components
- Y10T428/12646—Group VIII or IB metal-base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12778—Alternative base metals from diverse categories
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12819—Group VB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/12833—Alternative to or next to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/1284—W-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
A találmány tárgya szinterezett elektród (1) nagynyomásúkisülőlámpákhoz, amely homogén szinterezett testként (2) vankialakítva, amelynek az anyaga magas olvadáspontú fém, így volfrám,tantál, ozmium, irídium, molibdén vagy rénium, vagy ezeknek a fémeknekegy ötvözete, és eljárás az elektród előállítására. A találmányszerinti elektródnál a szinterezett test (2) a fém vagy ötvözetlényegében gömbszemcsés, elsősorban egykristályos porából vanelőállítva, amelynek a közepes szemcsemérete 2 és 100 ?m között van, aszemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal ingadozik a középértékkörül, továbbá a szinterezett elektród össztérfogatának 10– 40térfogat%-a a környezet felé nyitott pórusokból áll. ŕ
Description
A találmány tárgya szinterezett elektród, és eljárás annak előállítására. Az ilyen szinterezett elektródok nagynyomású kisülőlámpákhoz, például fém-halogenid lámpákhoz vagy nagynyomású nátrium kisülőlámpákhoz szolgálnak, és homogén szinterezett testként vannak kialakítva, amelynek az anyaga magas olvadáspontú fém, így volfrám, tantál, ozmium, irídium, molibdén vagy rénium, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözete.
A DE-OS 42 06 909 számú iratból ismert egy termionosan emittáló katódelem vákuum-elektroncsövekhez, amely 1 pm alatti közepes szemcseméretű, gömbszemcsés részecskékből készül. A szinterezett elektród össztérfogatának 5-90%-a töltetlen, a környezet felé nyitott pórusokból áll. A szomszédos részecskék (szemcsék) közötti távolság 1 pm-nél kisebb.
Az US-A 3,244,929 számú szabadalmi bejelentésből ismert egy szinterezett elektród, amely volfrám mellett az emitteranyag alkotóiként oxidokat, így alumínium-oxidot, bárium-oxidot, kalcium-oxidot vagy tórium-oxidot tartalmaz. A szinterezett test tömör anyagból készült, szilárd magszegen ül.
Az US-A 5,418,070 számú szabadalmi leírásból ismert egy katód, amely porózus volfrám beágyazóanyagból áll, és ennek pórusaiba emitteranyag van beépítve. A pórusokat úgy állítják elő, hogy a nyers beágyazóanyag-testet folyékony rézzel megtöltik, majd a rezet kioldják. Ennek az eljárásnak az a hátránya, hogy a pórusok szabálytalan alakúak, és tulajdonságaik meghatározatlanok. Az előállítás bonyolult és időigényes.
A DD-PS 292 764 számú szabadalmi iratból ismert egy fémkerámia szinterezett test. Ez volfrám és tórium-oxid, illetőleg alkáliföldfém oxidja keverékéből áll, és a szinterezett test porozitását az előállításkor egy kötőanyag definiált alkalmazásával vezérlik. A fémkerámia por részecskemérete 80-550 pm.
Az ismert szinterezett elektródoknál komoly gondot jelent, hogy porozitásúk az élettartam folyamán nem marad állandó, mivel a szinterezési folyamat a nagy hőmérsékleti terhelés következtében az elektród üzemeltetése közben tovább folyik. Ezért az ilyen lámpáknál rossz a fényáram értékének megtartása az élettartam alatt.
Emiatt a súlyos hátrány miatt a szinterezett elektródok eddig nem terjedtek el széles körben. Eddig inkább tóriumozott volfrám magszeggel ellátott spirális elektródokat vagy tóriumozott volffámból készült csapelektródokat kellett alkalmazni. Ezeket eddig mindig kompakt, tömör anyagból készítették.
A találmányunk elé kitűzött feladat a bevezetésben leírt jellegű olyan szinterezett elektród, amely nem tartalmaz tóriumot, hosszabb az élettartama, és amelyben az ív egyenletesebb. További feladat eljárás ilyen elektród előállítására.
Ezt a feladatot a találmány értelmében úgy oldjuk meg, hogy a homogén szinterezett test a fém, illetőleg ötvözet lényegében gömbszemcsés, elsősorban egykristályos porából van előállítva, amelynek a közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van, a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal ingadozik a középérték körül, továbbá a szinterezett elektród össztérfogatának 10-40 térfogat%-a a környezet felé nyitott pórusokból áll.
A találmány szerinti, nagynyomású kisülőlámpákhoz szolgáló szinterezett elektród tehát egy szinterezett testből áll, amely magas olvadáspontú fémből, így volfrámból, tantálból, ozmiumból, irídiumból, molibdénből vagy réniumból, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözetéből készül. A fémhez, illetőleg ötvözethez járulékosan hozzá lehet adni egy önmagában ismert oxidos adalékot (max. 5 tömeg%-ot), például egy lantán- vagy egy ittrium-oxidot.
A szinterezett test a fém, illetőleg ötvözet lényegében gömbszemcsés porából van előállítva, amelynek a közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van, a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal ingadozik a középérték körül, továbbá a szinterezett elektród össztérfogatának 10-40 térfogat%-a a környezet felé nyitott pórusokból áll.
A pórusok lehetnek töltetlenek vagy tartalmazhatnak emitteradalékokat. Tipikus emitteradalékok az alkáliföldfémek, például bárium, kalcium, stroncium oxidjai vagy ezek keverékei. Alkalmasak aluminátok, valamint hafnium vagy cirkónium, vagy ritkaföldfémek (elsősorban Se, Y, La, Ce, Nd, Gd, Dy és Yb) oxidjai.
A gömbszemcsés por közepes szemcsemérete 5 és 70 pm között van.
A találmány egyik különösen előnyös kiviteli alakjában a szemcseméret eloszlása a középérték körül maximum 10%-kal ingadozik.
A szinterezett test az ismert módon tömör fémből készült magszegen van rögzítve. Ennek különös előnye, hogy a kötési eljárások, mint például forrasztás vagy hegesztés, elmaradhatnak. A mechanikai kötést csak rázsugorítás, illetőleg rászinterezés hozza létre.
A szinterezett test és a magszeg anyaga lényegében azonos, például tiszta volfrám. A szinterezett test lehet töltetlen vagy tartalmazhat emitteradalékokat (például lantán-oxidot). Magszegként alkalmas tiszta, káliummal adalékolt volfrám vagy rénium-volfrám ötvözet is.
Az elektródból elsősorban elhagyható a tórium, és így nem lesz radioaktív.
A találmány szerinti elektródnak egy sor előnye van.
A találmány szerinti elektródot tartalmazó nagynyomású kisülőlámpák élettartama meghosszabbodik, a lámpa égési feszültségének emelkedése csökken, és a fényáram értékének fenntartása jelentősen javul. Ezenkívül csökken a kisülőedény falának feketedése. Emellett a lámpák üzemeltetésekor csökken az ív egyenetlensége és a remegés. Jóval egyszerűbbé válik az elektród előállítása. A hagyományos elektródokhoz képest az elektródspirális megtakarítható.
A feladatot a találmány értelmében a szinterezett test előállítására szolgáló eljárás tekintetében úgy oldjuk meg, hogy annak lépései a következők:
a) előkészítünk egy lényegében gömbszemcsés fémport magas olvadáspontú fémből, így volffámból, tantálból, ozmiumból, irídiumból, molibdénből vagy réniumból, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözetéből, és ennek a pornak az alábbi tulajdonságai vannak:
HU 223 302 Bl a fémpor közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van;
a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal (jellegzetesen 10%-kal) ingadozik a középérték körül; az erre a célra alkalmazott gömbszemcsés fémporrészecskék elsősorban egykristályosak.
b) sajtoljuk a port; az ehhez kifejtett nyomás jellegzetes értéke 100-400 MPa;
c) a sajtolt darabot az alkalmazott fém Kelvinben megadott olvadáspontja kb. 0,6-0,8-szeresével megegyező hőmérsékleten szinterezzük.
A por előnyös módon egykristályos. A por sajtolásakor a port elsősorban egy magszeg köré lehet sajtolni.
A szinterezés például volfrám esetében előnyös módon 2500-2800 K hőmérsékleten végezhető. Ötvözet esetében olvadásponton a legalacsonyabb hőmérsékleten olvadó alkotó olvadáspontját értjük.
A fémpor gömb alakja révén a présforma (matrica) töltésekor kedvezőek lesznek a folyási tulajdonságok. Ezért a sajtolás előnyös módon kötőanyag hozzáadása nélkül végezhető. Ezzel elmarad egy járulékos lépés, és megelőzzük az esetleges szennyeződéseket.
Egy másik előnyös eljárás a kokillaöntés. Ezt a módszert a párhuzamos 97P5568 lajstromszámú szabadalmi bejelentés írja le részletesebben. Ezt módosított formában a jelen találmányhoz is lehet használni. Az eljárás lefolyása röviden a következőképpen foglalható össze: alkalmas fémport annyi műanyaggal (úgynevezett kötőanyaggal) keverünk el, hogy ez a granulátumként rendelkezésre álló anyag felvegye a műanyag folyási tulajdonságait, és a műanyagfröccsöntéssel megegyezően lehessen tovább feldolgozni úgy, hogy bejuttatjuk egy fröccsöntő formába, amelynek a kontúrja megfelel a kívánt jövőbeli alkatrésznek. A fém alkatrész előállítása végett a nyerstestet kivesszük a fröccsöntő formából, majd a kötőanyagot hővel vagy oldószerrel eltávolítjuk az úgynevezett nyerstestből. Ezt a folyamatot viasztalanításnak (dewaxing) nevezik. Ezután az alkatrészt a klasszikus porkohászati módszenei nagy sűrűségű alkatrésszé szinterezzük.
A lényegében gömbszemcsés fémport az önmagában ismert módon állítjuk elő. Ennek során keletkezhetnek lekerekített vagy közel pontosan gömb alakú részecskék. Példa erre a karbonileljárás (New Types of Metál Powders, Ed. Hausner, Gordon and Breach Science Publishers, New York 1963, megjelent 23. kötetként a Metallurgical Society Conferences sorozatban). Különösen jó eredményeket értünk el egykristályos fémporral.
A gömbszerű, homogén méretű porszemcsék szinterezéskor poliéderek alakjában egyensúlyi felületeket hoznak létre. Ezek például [110]- vagy [11 l]-felületek. Meglepő módon kiderült, hogy ezek a poliéderfelületek nem szintereződnek tovább, úgyhogy ennek az újszerű szinterezett testnek a porozitása az élettartam alatt gyakorlatilag állandó marad. Itt úgynevezett nyitott porozitású szivacstestről van szó.
A szinterezett test működési módját a következőkben egy példa alapján ismertetjük részletesebben. Ezt a szinterezett testet tiszta (tehát ThO2-mentes) volffámból állítottuk elő.
A kiindulóanyag a lehető legegységesebb átmérőjű, vagyis a szemcseméret kis eloszlási szélességével rendelkező, gömbszemcsés volfrámpor. A por ilyen homogeneitásának végső soron a szinterezett test magas hőmérsékleteken fennálló nagy stabilitása a következménye, és a lámpa élettartama alatt megfelelően stabil viszonyokat eredményez. A port elsősorban közvetlenül egy ThO2-mentes magszeg köré lehet sajtolni. Ezután viszonylag alacsony, kb. 2350 (±100) °C hőmérsékleten szinterezünk. Ez az alacsony hőmérséklet, amely a volfrám olvadáspontjának körülbelül a 0,7-szeresével egyenlő, jelentős energiamegtakarítást jelent a kompakt volfrámanyag szokványos 2800-3000 °C szinterezési hőmérsékletével szemben.
További emitteradalékokra sok alkalmazásban nincs szükség, de ezek az adalékok szükség esetén az üregekbe vagy pórusokba bevihetőek.
A készre szinterezett szivacselektród maradó porozitását a kiindulóanyag gömbméretével célzottan be lehet állítani. A szivacselektródnál előnyös módon 5-70 pm méretű gömböket alkalmazunk. Ezzel kb. 15-30 térfogat% maradó porozitása érhető el.
A lámpában lévő szivacselektród különös előnyei a következők:
A kisülés a találmány szerinti elektródnál nagy felületen indul meg. Elkerüljük a szokványos elektródoknál ismert pont alakú lerakodást, ami ott gyakran helyileg nagyon magas hőmérsékleteket idéz elő és az égési folt mozgását okozza. A hőmérséklet eloszlása az egész szivacstesten lényegében egyenletes. Ezzel szemben a szokványos elektródnak nagy hőmérséklet-gradiense van. Elsősorban a csúcsnál jellegzetesen 500 K-nel magasabb a hőmérséklete, mind az elektród hátsó részében.
A lámpa gyújtása után az átmenet a parázsfénykisülésből az ívkisülésbe gyorsabban bekövetkezik, mint a szokványos tömör elektródnál, mivel a hőelvezetés az elektród csúcsától a lapítás irányába a szinterezett test szinterezett szemcséi közötti kis érintkezési felület következtében erősen lecsökken.
A szivacselektródnál ezenkívül függőleges működési helyzetben jobb a kisülőedény lapításhoz közeli részének felmelegedése. Ennek oka az elektród nagyobb felülete, ami több fényt sugároz. Ezért egy esetleges visszaverő réteg a bura végein kisebbre méretezhető vagy teljesen elhagyható. Ezzel nagyobb fényáramot érünk el.
Találmányunkat annak példaképpeni kiviteli alakjai kapcsán ismertetjük részletesebben ábráink segítségével, amelyek közül az
1. ábra egy szinterezett elektród metszete, a
2. ábra egy fém-halogenid lámpa szinterezett elektróddal.
Az 1. ábrán látható, 150 W-os lámpához szolgáló 1 szinterezett elektród egy hengeres 2 szinterezett testből áll, amelynek a kisüléstől távolabb eső felébe tömör volfrám 5 magszeg van tengelyirányban besajtolva. A 2 szinterezett test volfrámból áll, amely 10 pm közepes szemcsenagyságú, gömbszemcsés fémporból van előállítva. A szemcseméret eloszlása a középérték körül 10%-kal ingadozik. A maradó porozitás kb. 15 térfogat%.
HU 223 302 ΒΙ
A magszeg átmérője kb. 0,5 mm, a szinterezett test külső átmérője kb. 1,5 mm.
A 2. ábrán alkalmazási példaként 150 W teljesítményű 9 fém-halogenid lámpa látható. A 9 fém-halogenid lámpa kvarcüveg 10 kisülőedényből áll, amely fém-halogenid töltetet tartalmaz. Két végén külső 11 áramhozzávezetések és 12 molibdénfóliák vannak 13 lapításokba beágyazva. A 12 molibdénfóliákon vannak az 1 szinterezett elektródok 5 magszegei rögzítve. Az elektródok benyúlnak a kvarcüveg 10 kisülőedénybe. A kisülőedény két vége cirkónium-oxid 14 hő visszaverő réteggel van ellátva.
Egy másik kiviteli alakban az elektród a kisülési oldalon lekerekített vagy hegyesen összefutó, szinterezett testből áll. A szinterezett test volfrámból készül, míg a besajtolt magszeg réniumból, réniummal bevont volfrámból vagy molibdénből áll.
A találmány szerinti szinterezett elektródot előállító különösen előnyös eljárás az önmagában ismert fém kokillaöntésen alapszik. Az elvet az ...ügyiratszámú (belső ügyiratszám 97P5568) párhuzamos szabadalmi bejelentés részletesen ismerteti. Erre a párhuzamos szabadalmi bejelentésre kifejezetten hivatkozunk. Egy áttekintés található P. J. Vervoort és társai „OverView of Powder Injection Molding” című cikkében (Advanced Performance Materials 3, pp. 121-151, 1996).
A találmány szerinti szinterezett elektród előállítására szolgáló eljárás lépései a következők:
- előkészítünk egy lényegében gömbszemcsés, elsősorban egykristályos fémport magas olvadáspontú fémből, így volfrámból, tantálból, ozmiumból, irídiumból, molibdénből vagy réniumból, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözetéből, és ennek a pornak az alábbi tulajdonságai vannak:
a fémpor közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van;
a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal ingadozik a középérték körül;
- keveréket (úgynevezett ,,feedstock”-ot) állítunk elő porból és kötőanyagból (amit gyakran „viasznak” is neveznek) és esetleg polimerből;
- a keveréket befröccsentjük egy fröccsöntő formába;
- a kötőanyagot kémiailag és termikusán eltávolítjuk (viasztalanítás, úgynevezett „dewaxing”);
- szinterezünk az alkalmazott fém olvadáspontjának kb. 0,6-0,8-szeresével megegyező hőmérsékleten.
Az egyik különösen előnyös kiviteli alakban a keveréket a fröccsöntő formában egy magszeg köré fröccsentjük és azzal szinterezéskor összekötjük.
Az ilyen elektródoknak az élettartam tekintetében lényegesen jobb a viselkedése. 150 W-os fém-halogenid lámpákon végzett vizsgálatok szerint 5, illetőleg 20 pm szemcsenagyságú fémporok alkalmazásakor a fényáram megmaradása 1000 óra után mindkét esetben a kezdeti fényáram 95%-a volt. Összehasonlításképpen: a technika állása szerint (hagyományos pálcaelektród adalékolt volfrámanyagból) megfigyelhető, hogy a fényáram 1000 óra után 83-90%-ra csökken.
Claims (12)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Szinterezett elektród (1) nagynyomású kisülőlámpákhoz, amely homogén szinterezett testként (2) van kialakítva, amelynek az anyaga magas olvadáspontú fém, így volfrám, tantál, ozmium, irídium, molibdén vagy rénium, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözete, azzal jellemezve, hogy a szinterezett test (2) a fém vagy ötvözet lényegében gömbszemcsés, elsősorban egykristályos porából van előállítva, amelynek a közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van, a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal ingadozik a középérték körül, továbbá a szinterezett elektród össztérfogatának 10-40 térfogat%-a a környezet felé nyitott pórusokból áll.
- 2. Az 1. igénypont szerinti szinterezett elektród, azzal jellemezve, hogy a pórusok töltetlenek vagy emitteradalékokat tartalmaznak.
- 3. Az 1. igénypont szerinti szinterezett elektród, azzal jellemezve, hogy közepes szemcsemérete 5 és 70 pm között van.
- 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti szinterezett elektród, azzal jellemezve, hogy a szemcseméret eloszlása a középérték körül maximum 10%-kal ingadozik.
- 5. Az 1. igénypont szerinti szinterezett elektród, azzal jellemezve, hogy a szinterezett test (2) tömör fémből készült magszegen (5) van rögzítve.
- 6. Az 5. igénypont szerinti szinterezett elektród, azzal jellemezve, hogy a szinterezett test (2) és a magszeg (5) anyaga lényegében azonos.
- 7. Az 1. igénypont szerinti szinterezett elektród, azzal jellemezve, hogy a fém tartalmaz legfeljebb 5 térfogat% adalék anyagot.
- 8. Eljárás az 1. igénypont szerinti szinterezett elektród előállítására, azzal jellemezve, hogy annak lépései a következők:- előkészítünk egy lényegében gömbszemcsés fémport magas olvadáspontú fémből, így volfrámból, tantálból, ozmiumból, irídiumból, molibdénből vagy réniumból, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözetéből, és ennek a pornak az alábbi tulajdonságai vannak:a fémpor közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van;a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal (jellegzetesen 10%-kal) ingadozik a középérték körül; az erre a célra alkalmazott gömbszemcsés fémporrészecskék elsősorban egykristályosak.- sajtoljuk a port;- szinterezünk az alkalmazott fém olvadáspontja 0,6-0,8-szeresével megegyező hőmérsékleten.
- 9. A 8. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a port egy magszeg köré sajtoljuk, és ezzel szinterezéskor összekötjük.
- 10. A 8. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a sajtolást kötőanyag hozzáadása nélkül végezzük.
- 11. Eljárás az 1. igénypont szerinti szinterezett elektród előállítására, azzal jellemezve, hogy a következő lépésekből áll:- előkészítünk egy lényegében gömbszemcsés, elsősorban egykristályos fémport magas olvadáspontú fémből, így volfrámból, tantálból, ozmiumból, irídium4HU 223 302 Bl ból, molibdénből vagy réniumból, vagy ezeknek a fémeknek egy ötvözetéből, és ennek a pornak az alábbi tulajdonságai vannak:a fémpor közepes szemcsemérete 2 és 100 pm között van; 5 a szemcseméret eloszlása maximálisan 20%-kal ingadozik a középérték körül;- keveréket (úgynevezett ,,feedstock”-ot) állítunk elő porból és kötőanyagból (amit gyakran „viasznak” is neveznek);- a keveréket befröccsentjük egy fröccsöntő formába;- a kötőanyagot kémiailag és termikusán eltávolítjuk;- szinterezünk az alkalmazott fém olvadáspontjának kb. 0,6-0,8-szeresével megegyező hőmérsékleten.
- 12. A 11. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a keveréket a fröccsöntő formában egy magszeg köré fröccsentjük, és azzal szinterezéskor össze10 kötjük.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19652822A DE19652822A1 (de) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Sinterelektrode |
| PCT/DE1997/002640 WO1998027575A1 (de) | 1996-12-18 | 1997-11-11 | Sinterelektrode |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HUP9901361A2 HUP9901361A2 (hu) | 1999-08-30 |
| HUP9901361A3 HUP9901361A3 (en) | 2000-04-28 |
| HU223302B1 true HU223302B1 (hu) | 2004-05-28 |
Family
ID=7815235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU9901361A HU223302B1 (hu) | 1996-12-18 | 1997-11-11 | Szinterezett elektród és eljárás annak előállítására |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6218025B1 (hu) |
| EP (1) | EP0882307B1 (hu) |
| JP (1) | JP2000505939A (hu) |
| KR (1) | KR19990082364A (hu) |
| CN (1) | CN1123053C (hu) |
| CA (1) | CA2246517C (hu) |
| DE (2) | DE19652822A1 (hu) |
| HU (1) | HU223302B1 (hu) |
| WO (1) | WO1998027575A1 (hu) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6705914B2 (en) * | 2000-04-18 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming spherical electrode surface for high intensity discharge lamp |
| DE10307716B4 (de) * | 2002-03-12 | 2021-11-18 | Taniobis Gmbh | Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN101292324B (zh) * | 2003-05-26 | 2012-11-14 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改进的颜色稳定性的无钍电极 |
| KR20070074656A (ko) * | 2004-11-02 | 2007-07-12 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 방전 램프 및 방전 램프의 구성 요소를 제조하는 방법 |
| EP1810316A2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-07-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Discharge lamp, electrode, and method of manufacturing an electrode portion of a discharge lamp |
| WO2006072858A2 (en) * | 2005-01-03 | 2006-07-13 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Lighting assembly and method of operating a discharge lamp |
| JP2006283077A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Ngk Insulators Ltd | 複合体 |
| JP4454527B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-04-21 | 日本碍子株式会社 | 発光管及び高圧放電灯 |
| JP4614908B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-01-19 | 日立粉末冶金株式会社 | 冷陰極蛍光ランプ用電極 |
| DE102005035190A1 (de) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Haltestab |
| JP2007095665A (ja) | 2005-09-02 | 2007-04-12 | Sony Corp | ショートアーク型高圧放電電極、ショートアーク型高圧放電管、ショートアーク型高圧放電光源装置、及びそれらの各製造方法 |
| US7652415B2 (en) * | 2005-10-20 | 2010-01-26 | General Electric Company | Electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof |
| KR100682313B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2007-02-15 | 안의현 | 냉음극 형광램프의 전극 및 그 제조방법 |
| CN101427342B (zh) * | 2006-03-16 | 2010-11-17 | 株式会社东芝 | 冷阴极管用烧结电极、使用了该烧结电极的冷阴极管以及液晶显示装置 |
| US20070236125A1 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-11 | Federal-Mogul World Wide, Inc. | Spark plug |
| DE102007013990A1 (de) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Material für Elektroden oder Leuchtkörper und Elektrode bzw. Leuchtkörper |
| WO2010001316A1 (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Mercury-free and zinc-free high intensity gas-discharge lamp |
| JP5224281B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2013-07-03 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 冷陰極蛍光管用電極およびこれを用いた冷陰極蛍光管 |
| DE102009005446A1 (de) | 2009-01-21 | 2010-07-22 | Schott Ag | Granulat, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung |
| WO2011018741A2 (en) * | 2009-08-13 | 2011-02-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mercury-free high intensity gas-discharge lamp |
| DE102009055123A1 (de) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 | Keramische Elektrode für eine Hochdruckentladungslampe |
| CN101831568A (zh) * | 2010-05-21 | 2010-09-15 | 西北有色金属研究院 | 粉末冶金法制备耐超高温铱合金的方法 |
| CN102366837A (zh) * | 2011-08-10 | 2012-03-07 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种高压气体放电灯用钍钨-钨复合电极的制作方法 |
| CN104584185B (zh) * | 2012-07-31 | 2016-11-16 | 东芝高新材料公司 | 放电灯用阴极、放电灯用阴极的制造方法、放电灯 |
| US20140041589A1 (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | Veeco Instruments Inc. | Heating element for a planar heater of a mocvd reactor |
| AT16085U1 (de) * | 2017-09-22 | 2019-01-15 | Plansee Se | Kathode |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE292764C (hu) | ||||
| GB816135A (en) | 1955-01-28 | 1959-07-08 | Ass Elect Ind | Workable alloys of molybdenum and tungsten containing rhenium |
| GB639797A (en) * | 1947-08-14 | 1950-07-05 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in and relating to oxide-coated electrodes for electric discharge lamps |
| US2721372A (en) * | 1951-06-30 | 1955-10-25 | Philips Corp | Incandescible cathodes |
| NL96177C (hu) * | 1952-02-27 | |||
| NL272981A (hu) | 1961-01-02 | |||
| GB977545A (en) * | 1961-12-09 | 1964-12-09 | Hitachi Ltd | Improvements relating to the production of hollow cathodes |
| AU527753B2 (en) * | 1978-09-07 | 1983-03-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Discharge lamp electrode |
| US4303848A (en) * | 1979-08-29 | 1981-12-01 | Toshiba Corporation | Discharge lamp and method of making same |
| US4415835A (en) * | 1981-06-22 | 1983-11-15 | General Electric Company | Electron emissive coatings for electric discharge devices |
| US4830822A (en) * | 1985-08-26 | 1989-05-16 | Gte Products Corporation | Variable density article and method for producing same |
| NL8700935A (nl) * | 1987-04-21 | 1988-11-16 | Philips Nv | Geimpregneerde kathodes met een gekontroleerde porositeit. |
| US5418070A (en) * | 1988-04-28 | 1995-05-23 | Varian Associates, Inc. | Tri-layer impregnated cathode |
| DE4206909A1 (de) | 1992-03-05 | 1993-09-09 | Philips Patentverwaltung | Thermionisch emittierendes kathodenelement |
| GB9413973D0 (en) * | 1994-07-11 | 1994-08-31 | Rank Brimar Ltd | Electrode structure |
| JPH09231946A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Ushio Inc | ショートアーク型放電ランプ |
-
1996
- 1996-12-18 DE DE19652822A patent/DE19652822A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-11-11 WO PCT/DE1997/002640 patent/WO1998027575A1/de not_active Application Discontinuation
- 1997-11-11 CA CA002246517A patent/CA2246517C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-11 CN CN97192363.9A patent/CN1123053C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-11 EP EP97951066A patent/EP0882307B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-11 US US09/125,393 patent/US6218025B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-11 JP JP10527165A patent/JP2000505939A/ja not_active Abandoned
- 1997-11-11 KR KR1019980706094A patent/KR19990082364A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-11-11 DE DE59711260T patent/DE59711260D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-11 HU HU9901361A patent/HU223302B1/hu not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1123053C (zh) | 2003-10-01 |
| EP0882307B1 (de) | 2004-01-28 |
| DE59711260D1 (de) | 2004-03-04 |
| DE19652822A1 (de) | 1998-06-25 |
| CN1211341A (zh) | 1999-03-17 |
| JP2000505939A (ja) | 2000-05-16 |
| KR19990082364A (ko) | 1999-11-25 |
| WO1998027575A1 (de) | 1998-06-25 |
| US6218025B1 (en) | 2001-04-17 |
| EP0882307A1 (de) | 1998-12-09 |
| CA2246517C (en) | 2005-08-09 |
| HUP9901361A2 (hu) | 1999-08-30 |
| CA2246517A1 (en) | 1998-06-25 |
| HUP9901361A3 (en) | 2000-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| HU223302B1 (hu) | Szinterezett elektród és eljárás annak előállítására | |
| US6211615B1 (en) | Powder metal electrode component for discharge lamps | |
| HU215321B (hu) | Nagynyomású kisülőlámpa kerámia kisülőedénnyel, ehhez alkalmas fényáteresztő, polikristályos szinterelt test, valamint eljárás a szinterelt test előállítására | |
| US3911309A (en) | Electrode comprising a porous sintered body | |
| EP0489463B1 (en) | Low pressure discharge lamp | |
| EP3016132A1 (en) | Discharge lamp | |
| JPH11329361A (ja) | ランプ用サ―メットおよびセラミック製放電ランプ | |
| JP2020521294A (ja) | 陰極材料 | |
| US8758652B2 (en) | Tungsten cathode material | |
| JP4296389B2 (ja) | 放電ランプ用電極 | |
| KR100335865B1 (ko) | 캐소드 구조체 및 그를 탑재한 칼라 브라운관 | |
| JPH11273618A (ja) | 放電電極材料及びその製造方法 | |
| JP2005285587A (ja) | 冷陰極管用電極及び該電極を用いた冷陰極管 | |
| JP3034703B2 (ja) | 放電灯用電極の製造方法 | |
| JP2002110089A (ja) | 電極とそれを用いた放電ランプおよび光学装置 | |
| JPH1154086A (ja) | タングステン系電極材及びその製法 | |
| JP3113186B2 (ja) | 電極およびその製造方法 | |
| JP4120800B2 (ja) | 放電ランプ用電極 | |
| HU215045B (hu) | Nagynyomású kisülőlámpa | |
| KR20000017442A (ko) | 방전램프 및 방전램프용 전극 | |
| HU181975B (en) | Sintered electrode applicable in discharge lamps and method for making thereof | |
| JPH0976092A (ja) | タングステン電極材料 | |
| JP2002260580A (ja) | 放電灯用電極 | |
| JPH04370649A (ja) | 高輝度放電灯用発光管 | |
| JPH11297196A (ja) | 放電ランプ用陰極の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HFG4 | Patent granted, date of granting |
Effective date: 20040331 |
|
| MM4A | Lapse of definitive patent protection due to non-payment of fees |