FR3067626A1 - Procede de polissage cmp uniforme - Google Patents

Procede de polissage cmp uniforme Download PDF

Info

Publication number
FR3067626A1
FR3067626A1 FR1855161A FR1855161A FR3067626A1 FR 3067626 A1 FR3067626 A1 FR 3067626A1 FR 1855161 A FR1855161 A FR 1855161A FR 1855161 A FR1855161 A FR 1855161A FR 3067626 A1 FR3067626 A1 FR 3067626A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
polishing
grooves
oblique
polishing pad
regions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1855161A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3067626B1 (fr
Inventor
John Vu Nguyen
Tony Quan Tran
Jeffrey James Hendron
Jeffrey Robert Stack
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Publication of FR3067626A1 publication Critical patent/FR3067626A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3067626B1 publication Critical patent/FR3067626B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/0203—Making porous regions on the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

L'invention met à disposition un procédé pour polir ou planariser une galette d'au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques. Le procédé comprend la rotation d'un tampon de polissage (10) ayant des rainures d'alimentation radiales (20-34) dans une couche de polissage (12) séparant la couche de polissage (12) en régions de polissage (40-54). Les rainures d'alimentation radiales (20-34) s'étendent au moins depuis un emplacement adjacent au centre (16) jusqu'à un emplacement adjacent au bord extérieur (18). Chaque région de polissage (40-54) comprend une série de rainures obliques connectant une paire de rainures d'alimentation radiales adjacentes. La série de rainures obliques sépare une surface d'appui et elles ont des parois intérieures plus proches du centre (16) et des parois extérieures plus proches du bord extérieur (18). Le pressage et la rotation de la galette contre le tampon de polissage (10) en rotation pour de multiples rotations polissent ou planarisent la galette avec des surfaces d'appui mouillées par le fluide de polissage qui déborde.

Description

[0001] La présente invention concerne des rainures pour tampons de polissage mécanochimique. Plus particulièrement, la présente invention concerne des conceptions de rainures pour augmenter la vitesse d’enlèvement, améliorer l'uniformité globale et réduire les défauts durant un polissage mécano-chimique.
[0002] Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques sont déposées sur et retirées d'une surface d'une galette de semi-conducteur. Des couches minces de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par un certain nombre de techniques de dépôt. Les techniques courantes de dépôt dans les traitements modernes de galettes comprennent, entre autres, le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également appelée pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), et le dépôt électrochimique. Les techniques courantes de retrait comprennent, entre autres, la gravure isotropique ou anisotropique, à l'état humide ou à sec.
[0003] Quand les couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface la plus supérieure de la galette devient non plane. Comme un traitement de semi-conducteur subséquent (par exemple une métallisation) requiert que la galette ait une surface plate, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour retirer les topographies de surface et les défauts de surface non souhaités, tels que les rugosités de surface, les matériaux agglomérés, les réseaux cristallins endommagés, les rayures, et les couches ou matériaux contaminés.
[0004] La planarisation mécano-chimique, ou le polissage mécano-chimique (CMP), est une technique couramment utilisée pour planariser ou polir des pièces à usiner telles que des galettes de semi-conducteur. Dans la CMP conventionnelle, un support de galette, ou tête de polissage, est monté sur un assemblage de support. La tête de polissage maintient la galette et positionne la galette en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage qui est monté sur une table ou une platine dans un dispositif de CMP. L'assemblage de support permet un contrôle de la pression entre la galette et le tampon de polissage. Simultanément, un medium de polissage (par exemple une suspension) est placé sur le tampon de polissage et est attiré dans l'espace entre la galette et la couche de polissage. Pour effectuer le polissage d'un substrat, le tampon de polissage et la galette tournent typiquement l'un par rapport à l'autre. Lorsque le tampon de polissage tourne sous la galette, la galette balaye une piste de polissage, ou région de polissage, typiquement annulaire, où la surface de la galette fait directement face à la couche de polissage. La surface de la galette est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la couche de polissage et du medium de polissage sur la surface.
[0005] Le brevet US N° 5 578 362 de Reinhardt et al. divulgue l'utilisation de rainures pour conférer une macrotexture au tampon. Il divulgue en particulier divers motifs, contours, rainures, spirales, radiales, points ou autres fonnes. Des exemples spécifiques dans le document de Reinhardt sont les motifs circulaires concentriques et les motifs circulaires concentriques superposés à une rainure X-Y. Comme le motif de rainures circulaires concentriques ne confère pas de trajet d'écoulement direct au bord du tampon, la rainure circulaire concentrique s'est avérée être le motif de rainure le plus populaire.
[0006] La Figure 2 du brevet US N° 6 120 366 de Lin et al. divulgue une combinaison de rainures d'alimentation circulaires et radiales. Cet exemple illustre l'addition de vingt-quatre rainures d'alimentation radiales à un motif de rainures circulaires concentriques. L'inconvénient de ce motif de rainures est qu'il apporte une amélioration limitée au polissage avec une augmentation sensible de rutilisation de suspension et une durée de vie réduite du tampon, due à une surface d’appui réduite sur le tampon de polissage.
[0007] On a nonobstant continuellement besoin de tampons de polissage mécano-chimique présentant une meilleure combinaison de performance de polissage et d'utilisation de suspension. On a en outre besoin de rainures qui augmentent la vitesse d’enlèvement, réduisent l'utilisation de suspension, améliorent l'uniformité globale et réduisent les défauts durant un polissage mécano-chimique.
ENONCE DE L'INVENTION [0008] Un aspect de l'invention concerne un procédé pour polir ou planariser une galette d'au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques, le procédé comprenant ce qui suit : la rotation d'un tampon de polissage, le tampon de polissage ayant une couche de polissage ayant une matrice polymère et une épaisseur, la couche de polissage comprenant un centre, un bord extérieur et un rayon s'étendant du centre au bord extérieur du tampon de polissage ; des rainures d'alimentation radiales dans la couche de polissage séparant la couche de polissage en régions de polissage, les régions de polissage étant des secteurs circulaires définis par deux rainures d'alimentation radiales adjacentes, les rainures d'alimentation radiales s'étendant au moins depuis un emplacement adjacent au centre jusqu'à un emplacement adjacent au bord extérieur ; et chaque région de polissage comprenant une série de ramures obliques connectant une paire de rainures d'alimentation radiales adjacentes, la série de rainures obliques séparant une surface d’appui et ayant des parois intérieures plus proches du centre et des parois extérieures plus proches du bord extérieur ; la distribution de fluide de polissage sur le tampon de polissage en rotation et dans les rainures d'alimentation radiales et la série de rainures obliques, les forces centrifuges déplaçant le fluide de polissage en direction du bord extérieur du tampon de polissage par l'intennédiaire des rainures d'alimentation radiales, de la série de rainures obliques, et par débordement des parois extérieures pour mouiller une surface d’appui et ensuite s'écouler contre une paroi intérieure d'une rainure oblique subséquente, la majorité des rainures obliques ayant soit une oblicité vers l'intérieur en direction du centre soit une oblicité vers l'extérieur en direction du bord extérieur du tampon de polissage ; et le pressage et la rotation de la galette contre le tampon de polissage en rotation pour que de multiples rotations retirent au moins un composant de la galette, les surfaces d’appui étant mouillées par le fluide de polissage qui déborde.
[0009] Dans certains modes de réalisation, les régions de polissage comprennent une ligne bissectrice qui divise en deux les régions de polissage, la majorité des rainures obliques ayant soit une oblicité vers l'intérieur en direction du centre selon un angle de 20° à 85° par rapport à la ligne bissectrice soit une oblicité vers l'extérieur en direction du bord extérieur du tampon de polissage selon un angle de 95° à 160° par rapport à la ligne bissectrice.
[0010] Dans certains modes de réalisation, la rotation du tampon de polissage envoie du fluide de polissage usé dans une partie de la série de rainures obliques au-delà du bord extérieur du tampon de polissage pour permettre l'écoulement de nouveau fluide de polissage sous la galette.
[0011] Dans certains modes de réalisation, la série de rainures obliques représente des rainures parallèles qui augmentent le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette. [0012] Dans certains modes de réalisation, la série de rainures obliques représente des rainures parallèles qui réduisent le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette [0013] Dans certains modes de réalisation, la rotation du tampon de polissage fait alterner la galette entre étant au-dessus d'une rainure d'alimentation radiale et étant au-dessus de deux rainures d'alimentation radiales.
Breve Description des Dessins [0014] La Figure 1 est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0015] La Figure IA est une vue schématique partielle de dessus du tampon de polissage oblique vers l'intérieur de la Figure 1.
[0016] La Figure IB est une vue schématique partielle de dessus d'une série de rainures trapézoïdales non isocèles de la Figure IA tournées de façon que les bases du trapèze soient parallèles au bas du dessin.
[0017] La Figure IC est une vue schématique partielle d'une rainure d'alimentation radiale de la Figure 1 interconnectée avec des rainures obliques vers l'intérieur.
[0018] La Figure 2 est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0019] La Figure 2A est une vue schématique partielle de dessus du tampon de polissage oblique vers l'extérieur de la Figure 2.
[0020] La Figure 2B est une vue schématique partielle de dessus d'une série de rainures trapézoïdales non isocèles de la Figure 2A tournées de façon que les bases du trapèze soient parallèles au bas du dessin.
[0021] La Figure 2C est une vue schématique partielle d'une rainure d'alimentation radiale de la Figure 2 interconnectée avec des rainures obliques vers l'intérieur.
[0022] La Figure 3 est une représentation schématique de la façon dont les rainures obliques vers l'intérieur canalisent le fluide de polissage vers le bord extérieur du tampon de polissage pour augmenter le temps de séjour du fluide de polissage sous une galette pour une rotation du plateau dans le sens contraire des aiguilles d’une montre.
[0023] La Figure 3A est une représentation schématique de la façon dont les rainures obliques vers l'extérieur canalisent le fluide de polissage vers le bord extérieur du tampon de polissage pour réduire le temps de séjour du fluide de polissage sous une galette pour une rotation du plateau dans le sens contraire des aiguilles d’une montre.
[0024] La Figure 4 est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant trois régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0025] La Figure 4A est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant trois régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0026] La Figure 5 est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant quatre régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0027] La Figure 5A est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant quatre régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0028] La Figure 6 est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant cinq régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur connectant des ramures d'alimentation radiales adjacentes.
[0029] La Figure 6A est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant cinq régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0030] La Figure 7 est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant six régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0031] La Figure 7A est une vue schématique de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant six régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0032] La Figure 8 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur incurvées connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes. [0033] La Figure 8A est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur incurvées connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes. [0034] La Figure 9 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur connectant des rainures d'alimentation radiales incurvées adjacentes. [0035] La Figure 10 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur incurvées connectant des rainures d'alimentation radiales incurvées adjacentes.
[0036] La Figure 11 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur incurvées connectant des rainures d'alimentation radiales en forme de ligne brisée adjacentes.
[0037] La Figure 11A est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur incurvées connectant des rainures d'alimentation radiales en forme de ligne brisée adjacentes.
[0038] La Figure 11B est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures incurvées obliques vers l'intérieur connectant des rainures d'alimentation radiales en forme de ligne brisée adjacentes.
[0039] La Figure 12 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur en forme de ligne brisée connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0040] La Figure 12A est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur en forme de ligne brisée connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0041] La Figure 13 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur en forme de ligne brisée connectant des rainures d'alimentation radiales en forme de ligne brisée adjacentes.
[0042] La Figure 14 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur en forme de ligne brisée avec un pas plus important entre deux séries de rainures obliques vers l'intérieur en forme de ligne brisée avec un pas nonnal, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0043] La Figure 14A est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l’extérieur incurvées avec un pas plus important entre deux séries de rainures obliques vers l'extérieur incurvées avec un pas normal, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0044] La Figure 14B est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur incurvées avec un pas plus important entre deux séries de rainures obliques vers l'intérieur incurvées avec un pas normal, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0045] La Figure 14C est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur avec un pas plus important entre deux séries de rainures obliques vers l'intérieur avec un pas normal, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0046] La Figure 15 est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur en forme de ligne brisée avec un pas normal entre deux séries de rainures obliques vers l'intérieur en forme de ligne brisée avec un pas plus important, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0047] La Figure 15A est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'extérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'extérieur incurvées avec un pas normal entre deux séries de rainures obliques vers l'extérieur incurvées avec un pas plus important, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0048] La Figure 15B est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur incurvées avec un pas normal entre deux séries de rainures obliques vers l'extérieur incurvées avec un pas plus important, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
[0049] La Figure 15C est une vue schématique partielle de dessus d'un tampon de polissage oblique vers l'intérieur ayant huit régions de polissage ayant chacune une série de rainures obliques vers l'intérieur avec un pas normal entre deux séries de rainures obliques vers l’intérieur avec un pas plus important, toutes connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes.
Description Detaillee [0050] Le motif de rainures et le procédé de l'invention permettent une distribution contrôlée et uniforme des fluides de polissage, tels que des suspensions contenant un abrasif et des solutions de polissage exemptes d'abrasif. La distribution efficace permet à l'utilisateur de réduire le débit de suspension en comparaison avec des rainures conventionnelles. En outre, le trajet des rainures interconnectées permet aux débris de polissage de quitter le tampon d'une manière efficace pour réduire les défauts de polissage. Finalement, le motif de rainures améliore l'uniformité du polissage, le profil de la galette, Funifonuité à l’échelle de la matrice, et peut améliorer les effets de bord.
[0051] Le terme trapézoïdale, tel qu'utilisé ici et dans les revendications, signifie des rainures interconnectées formant une forme quadrilatérale ou à quatre côtés ayant une seule paire de côtés parallèles. Le trapèze a deux segments de base parallèles et deux côtés connectant les segments de base. La somme de tous les angles du trapèze est de 360°.
[0052] L'expression trapézoïdale non isocèle, telle qu'utilisée ici et dans les revendications, signifie des rainures interconnectées formant un trapèze ayant deux côtés non congruents, ou côtés de longueurs différentes. Le côté plus proche du centre du tampon a une longueur inférieure à celle du côté plus proche du périmètre.
[0053] L'expression secteur circulaire, telle qu'utilisée ici et dans les revendications, se réfère à une partie du tampon de polissage définie par deux rainures d'alimentation radiales et un arc de périmètre qui s'étend le long du bord extérieur du tampon de polissage. Les rainures d'alimentation radiales peuvent avoir une forme radiale droite, radiale incurvée, radiale en forme de ligne brisée, ou une autre forme.
[0054] L'expression fluide de polissage, telle qu'utilisée ici et dans les revendications, se réfère à une suspension de polissage contenant un abrasif ou à une solution de polissage exempte d'abrasif.
[0055] L'expression angle 0 d'oblicité, telle qu'utilisée ici, se réfère à l'angle entre une ligne bissectrice divisant en deux une région de polissage et les rainures obliques pentues connectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes. La ligne bissectrice se décale avec des changements de la direction des rainures d'alimentation radiales et représente la moyenne d'un bout à l'autre de chaque rainure oblique.
[0056] L’ expression angle 0 d’oblicité vers l'intérieur, telle qu'utilisée ici et dans les revendications, se réfère à un angle d'oblicité qui forme une pente vers l'intérieur en direction du centre du tampon de polissage, mesuré de gauche et à droite quand on regarde vers le bas en direction du haut des rainures.
[0057] L'expression angle 0 d'oblicité vers l'extérieur, telle qu'utilisée ici et dans les revendications, se réfère à un angle d'oblicité qui forme une pente vers l'extérieur en direction du périmètre du tampon de polissage, mesuré de gauche et à droite quand on regarde vers le bas en direction du haut des rainures.
[0058] Le terme galette englobe les substrats magnétiques, optiques et semi-conducteurs. Les conventions, telles que le temps de séjour des galettes, contenues dans cette description supposent un point de chute du fluide de polissage à gauche de la galette pour une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre et à droite de la galette pour une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre, en vue de dessus.
[0059] Le terme poly(uréthane), tel qu'utilisé ici et dans les revendications annexées, est un polymère formé par une réaction entre des isocyanates et des composés contenant des groupes hydrogène actifs, comprenant spécifiquement les suivants : (a) les polyuréthanes formés par réaction (i) d'isocyanates et (ii) de polyols (y compris les diols) ; et (b) le (poly)uréthane formé par réaction (i) d'isocyanates avec (ii) des polyols (y compris des diols) et (iii) de l'eau, des amines ou une combinaison d'eau et d'amines. Les tampons de polissage de l'invention sont avantageusement en un polymère, mais le plus avantageusement en un polymère de polyuréthane.
[0060] Le motif de rainures de l'invention offre de multiples avantages. Le premier avantage est qu'une majorité des rainures obliques balayent la galette dans la même direction. Ln balayage avec toutes les rainures obliques dans la même direction augmente encore cet avantage. Le balayage d'une galette dans la même direction puise la galette avec des rainures et apporte un impact cumulatif avantageux sur la vitesse d’enlèvement par polissage. En outre, comme les rainures obliques s'alignent dans la même direction, il est possible de polir la galette sans faire osciller la tête de support ou en la faisant osciller avec une amplitude bien plus petite ou une vitesse d'oscillation plus basse. Ceci permet de polir la galette en un emplacement fixe éloigné du centre du tampon, plus proche du bord du tampon de polissage. En ces emplacements adjacents au bord extérieur, le tampon tourne plus vite qu'au centre, ce qui augmente encore la vitesse d’enlèvement. De plus, un polissage dans un mode sans oscillation réalise des profils de bord réguliers sur de multiples galettes, et réduit les défauts, améliore la durée de vie du tampon de polissage et la durée de vie de l'anneau de maintien du fait d'une moindre usure avec le tampon de polissage et l'anneau de maintien. Ln arrêt de l'oscillation permet aussi l'utilisation d'outils de fabrication ayant une plus petite taille de plateau. Ceci est particulièrement important pour les outils de CMP à plateau double et ayant une taille de 450 mm. Il est de plus possible d'utiliser une combinaison du nombre de rainures radiales, de la vitesse de plateau et de l'angle d'oblicité Θ pour ajuster le profil au centre entre rapide et lent et pour réaliser des profils plats réguliers.
[0061] De plus, les rainures d'alimentation et les rainures obliques se combinent pour faciliter une distribution uniforme de la suspension sur le tampon de polissage et permettre une meilleure distribution de la suspension sur la surface de la galette. Ceci permet un ajustement du profil de vitesse de polissage sur l'ensemble de la galette, améliorant runiformité globale par un changement de la vitesse de plateau ou de l'angle d'oblicité Θ ou des deux. En outre, le profil de bord de la galette peut être ajusté également par optimisation de l'angle d'oblicité θ ou de la vitesse du support ou des deux. Ceci est plus critique pour le rendement en bord de galette dans le cadre de systèmes de logique avancée et NAND 3D ayant des exclusions de bord extrêmement faibles. Typiquement, le tampon de polissage a au moins trois rainures d'alimentation, qui peuvent varier entre 3 et 32 rainures. Typiquement, la galette alterne entre étant au-dessus d'une rainure d'alimentation radiale et de multiples rainures obliques et étant au-dessus de deux ou plus de deux rainures d'alimentation radiales et de multiples rainures obliques. Cette distribution unifonne élimine un rassemblement au niveau de l'anneau de support et pennet au tampon de polissage de fonctionner de manière plus efficace ou avec un débit de suspension réduit.
[0062] Une autre caractéristique inattendue de l'invention est qu'elle permet un polissage avec une force d'application plus élevée que dans le cas des rainures conventionnelles, du fait d'une meilleure distribution de la suspension au niveau de la surface de la galette et d'une réduction de la chaleur excessive et de la température de polissage entre la galette et le tampon. Ceci est particulièrement important pour le polissage de métal par CMP, tel qu'un polissage de cuivre, de tantale et de tungstène. Ces couches métalliques, couches diélectriques, couches isolantes et autres couches de matériau représentent toutes des matériaux de galette. Le motif de rainures de l'invention fonctionne avec les tampons de polissage tant poreux que non poreux. Le motif de rainures de l'invention est particulièrement utile pour un polissage de précision avec des tampons de polissage non poreux, tels que ceux pour un polissage à l'échelle atomique ayant pour but de retirer une seule couche monoatomique à la fois.
[0063] Comme les ramures obliques tant vers l'intérieur que vers l'extérieur dirigent le fluide de polissage hors du tampon de polissage, ceci permet une élimination efficace des débris de polissage pour moins de défauts.
[0064] En référence aux Figures 1 et IA, le tampon de polissage 10 de l'invention convient pour le polissage ou la planarisation d'au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques. La couche de polissage 12 a une matrice polymère et une épaisseur 14. La couche de polissage 12 comprend un centre 16, un bord extérieur 18 et un rayon r s'étendant du centre 16 au bord extérieur 18. Avantageusement, la galette reste positionnée en un emplacement le long du rayon r par rapport au centre 16 du tampon de polissage 10 plus proche du bord extérieur 18 du tampon de polissage que du centre 16 du tampon de polissage 10 pour que soit augmentée la vitesse d’enlèvement d'au moins un composant de la galette. Des rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 partent du centre 16 ou d'une rainure circulaire optionnelle 36. Les rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 séparent la couche de polissage 12 en régions de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54. En particulier, deux rainures d'alimentation radiales adjacentes, telles que 20 et 22, se combinent avec l'arc de périmètre 19 du bord extérieur 18 pour définir la région de polissage 40. La région de polissage 40, conjointement avec les régions de polissage 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54, ont la forme d'un secteur circulaire avec un petit secteur circulaire détaché au niveau du centre 16. Les rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 s'étendent avantageusement au moins depuis la rainure circulaire 36 adjacente au centre 16 vers ou adjacent au bord extérieur 18.
[0065] En référence aux Figures 1A et IB, la région de polissage 40 comprend une série de régions de rainures trapézoïdales empilées 60, 62, 64, 66 et 68. La région de polissage 40 représente un secteur circulaire du tampon de polissage 10 (Figure 1), avec la région centrale qui est exempte de rainures. Des rainures linéaires parallèles ou des rainures de base parallèles 160, 162, 164, 166, 168 et 170 définissent le haut et le bas des régions de rainures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68. Des segments de rainures d'alimentation radiales 20a, 20b, 20c, 20d et 20e de la rainure d'alimentation radiale 20 définissent le côté gauche des régions de rainures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68, respectivement. Des segments de rainures d'alimentation radiales 22a, 22b, 22c, 22d et 22e de la rainure d'alimentation radiale 22 définissent le côté droit des régions de rainures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68, respectivement. Les régions de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54 (Figure 1) comprennent toutes une série de régions de rainures trapézoïdales espacées par des rainures de base parallèles. Pour s'adapter à la forme d'un tampon de polissage circulaire 10 ou à une forme de secteur circulaire des régions de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54, les régions de rainures trapézoïdales sont souvent découpées pour s'adapter au bord extérieur 18 ou à la rainure circulaire 36.
[0066] Les régions de rainures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68 représentent toutes des régions trapézoïdales non isocèles avec les segments latéraux radiaux qui ont des longueurs différentes. Comme ce motif de rainures a une oblicité vers l'intérieur en direction du centre, les segments de rainures d'alimentation radiales 20a, 20b, 20c, 20d et 20e sont plus longues que les rainures radiales 22a, 22b, 22c, 22d et 22e, respectivement. En plus du fait que chaque région de rainures trapézoïdales représente un trapèze non isocèle, le périmètre des régions trapézoïdales empilées, tel que le périmètre des régions trapézoïdales 60 et 62 et le périmètre des régions trapézoïdales 60, 62 et 64, définit également un trapèze non isocèle. La région trapézoïdale 70 adjacente à la rainure circulaire 36 a une partie découpée pour s'adapter à la rainure circulaire 36. De façon similaire, les régions de rainures trapézoïdales 80, 82, 84, 86, 88, 90, 92, 94, 96 et 98 adjacentes au bord extérieur 18 ont toutes des parties découpées pour s'adapter à la forme circulaire du bord extérieur 18 du tampon de polissage 10. La rotation du tampon de polissage envoie du fluide de polissage usé sur une partie de la série de rainures obliques adjacentes aux régions de rainures trapézoïdales 80, 82, 84, 86, 88, 90, 92, 94, 96 et 98 et au-delà du bord extérieur 18 du tampon de polissage 10 pour permettre la circulation d'un nouveau fluide de polissage sous la galette.
[0067] En référence à la Figure IA, la ligne de tirets AA divise en deux la région de polissage 40 en connectant le centre 16 au point milieu de l'arc de périmètre 19 du bord extérieur 18. Les segments de base des régions de rainures trapézoïdales espacées 80, 82, 84, 86, 88, 90, 92, 94 et 96 coupent la ligne AA selon un angle Θ. Aux fins de cette description, l'angle θ est l'angle supérieur droit quand le centre est en haut et le bord extérieur est en bas ceci est illustré sur les Figures 1A et 2A. Avantageusement, l'angle Θ est de 20 à 85° pour les rainures obliques vers l'intérieur. Plus avantageusement, l'angle θ est de 30 à 80° pour les rainures obliques vers l'intérieur. La rainure d'alimentation radiale 20 coupe les régions de rainures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68 selon un angle ai. La rainure d'alimentation radiale 22 coupe les régions de rainures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68 selon un angle βμ Pour les régions de rainures trapézoïdales obliques vers l'intérieur 60, 62, 64, 66 et 68, l'angle ai est inférieur à l'angle βμ [0068] En référence à la Figure IB, les régions de polissage 60, 62, 64, 66 et 68 constituent une série de structures de rainures trapézoïdales non isocèles espacées. Les structures de rainures trapézoïdales ont des segments de base parallèles 160, 162, 164, 166, 168 et 170 connectant deux rainures d'alimentation radiales adjacentes 20 et 22 pour former les segments de côté 20a, 20b, 20c, 20d et 20e, et 22a, 22b, 22c, 22d et 22e, respectivement. Les segments de base 160, 162, 164, 166, 168 et 170 coupent chacun des segments de côté (20a, 20b, 20c, 20d et 20e) et (22a, 22b, 22c, 22d et 22e) selon des angles différents. La série de structures de rainures trapézoïdales non isocèles s'étend depuis le voisinage du bord extérieur en direction du centre du tampon de polissage. Le périmètre de la série de structures trapézoïdales 60, 62, 64, 66 et 68 est également un trapèze.
[0069] La rotation du tampon de polissage déplace le fluide de polissage sur les segments de base 160, 162, 164, 166, 168 et 170 et les segments de côté (20a, 20b, 20c, 20d et 20e) et (22a, 22b, 22c, 22d et 22e) en direction du bord extérieur du tampon de polissage. En plus du mouvement vers l'extérieur, le fluide de polissage se déplace en direction de la galette pour une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre du tampon de polissage et également en s'éloignant de la galette pour une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre du tampon de polissage. Le mouvement du fluide de polissage vers la galette réduit le temps de séjour de la suspension sous la galette et le mouvement l'éloignant de la galette augmente le temps de séjour de la suspension sous la galette. Par exemple, une oblicité vers l'intérieur peut augmenter le temps de séjour pour une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre du plateau. Avantageusement, toutes les régions de polissage ont la même oblicité. [0070] En référence à la Figure IC, durant la rotation, le fluide de polissage est distribué sur le tampon de polissage en rotation et dans la rainure d'alimentation radiale 22 (22a, 22b et 22c) et la série de rainures obliques 160, 161, 162 et 163. Les forces centrifuges déplacent le fluide de polissage en direction du bord extérieur du tampon de polissage par l'intermédiaire de la rainure d'alimentation radiale 22 (22a, 22b et 22c), et la série de rainures obliques 160, 161, 162 et 163 dans le sens des flèches. De plus, le fluide de polissage se déplace vers l'extérieur en débordant des parois extérieures 160a, 161a, 162a et 163 a pour mouiller les surfaces d’appui 60a, 61a, 62a et 63a, respectivement. Le fluide de polissage s'écoule ensuite contre les parois intérieures 161b et 160b de rainures obliques subséquentes 161 et 160, respectivement (il y a d'autres rainures obliques non visibles et parois intérieures non visibles pour l'écoulement le long des surfaces d’appui 60a et 61a). Les flèches d'écoulement au niveau de la paroi intérieure 160b et de la paroi extérieure 160a illustrent l'écoulement du fluide de polissage dans et hors de la rainure oblique vers l'intérieur 160. Typiquement, les rainures obliques 160 et 162 ne s'alignent pas avec les rainures obliques 161 et 163. Ce nonalignement des rainures obliques entre des régions de polissage adjacentes facilite l'écoulement dans la rainure d'alimentation radiale 22 pour une meilleure distribution de la suspension. Dans des modes de réalisation alternatifs, il est possible d'aligner des rainures obliques de régions de polissage adjacentes. Un pressage et une rotation de la galette contre le tampon de polissage en rotation pendant de multiples rotations retire au moins un composant de la galette, avec les surfaces d’appui 60a, 61a, 62a et 63a qui sont toutes mouillées par le fluide de polissage qui déborde.
[0071] En référence aux Figures 1 à IC, le tampon de polissage 10 contient de préférence au moins 20 rainures obliques vers l'intérieur, telles que 160, 162, 164, 166, 168 et 170 dans chaque région de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54. Ces rainures obliques vers l'intérieur représentent des segments de rainures qui connectent deux rainures d'alimentation radiales adjacentes ; et qui se combinent pour augmenter le temps de séjour de la suspension sous un substrat de galette avec une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre du plateau. Mieux encore, le tampon de polissage 10 contient 20 à 1000 rainures obliques vers l'intérieur dans chaque région de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54. Tout spécialement, le tampon de polissage 10 contient 20 à 500 rainures obliques vers l'intérieur dans chaque région de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54.
[0072] Typiquement, le tampon de polissage 10 a un total de rainures obliques vers l'intérieur, telles que 160, 162, 164, 166, 168 et 170, égal à au moins 15 fois le total des rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 (8). Par exemple, il peut y avoir un total de rainures obliques vers l'intérieur de 20 à 1000 fois égal au total des rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 (8) sur le tampon de polissage 10. De préférence, il peut y avoir un total de rainures obliques vers l'intérieur de 20 à 500 fois égal au total des rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 (8) sur le tampon dépolissage 10.
[0073] En référence aux Figures 2 et 2A, le tampon de polissage 210 de l'invention convient pour polir ou planariser au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques. La couche de polissage 212 a une matrice polymère et une épaisseur 214. La couche de polissage 212 comprend un centre 216, un bord extérieur 218 et un rayon r s'étendant du centre 216 au bord extérieur 218. Avantageusement, la galette reste positionnée en un emplacement le long du rayon r par rapport au centre 216 du tampon de polissage 210 plus proche du bord extérieur 218 du tampon de polissage que du centre 216 du tampon de polissage 210 pour que soit augmentée la vitesse d’enlèvement d'au moins un composant de la galette. Des rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 partent du centre 216 ou d'une rainure circulaire optionnelle 236. Les rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 séparent la couche de polissage 212 en régions de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254. En particulier, deux rainures d'alimentation radiales adjacentes, telles que 220 et 222, se combinent avec l'arc de périmètre 219 du bord extérieur 218 pour définir la région de polissage 240. La région de polissage 240, conjointement avec les régions de polissage 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254, ont la forme d'un secteur circulaire avec xm petit secteur circulaire détaché au niveau du centre 216. Les rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 s'étendent avantageusement au moins depuis la ramure circulaire 236 adjacente au centre 216 vers ou adjacent au bord extérieur 218.
[0074] En référence aux Figures 2A et 2B, la région de polissage 240 comprend une série de régions de rainures trapézoïdales empilées 260, 262, 264, 266 et 268. La région de polissage 240 représente un secteur circulaire du tampon de polissage 210 (Figure 2), avec la région centrale qui est exempte de rainures. Des rainures linéaires parallèles ou des rainures de base parallèles 360, 362, 364, 366, 368 et 370 définissent le haut et le bas des régions de rainures trapézoïdales 260, 262, 264, 266 et 268. Des segments de rainures d'alimentation radiales 220a, 220b, 220c, 220d et 220e de la rainure d'alimentation radiale 220 définissent le côté gauche des régions de rainures trapézoïdales 260, 262, 264, 266 et 268, respectivement. Des segments de rainures d'alimentation radiales 222a, 222b, 222c, 222d et 222e de la rainure d'alimentation radiale 222 définissent le côté droit des régions de rainures trapézoïdales 260, 262, 264, 266 et 268, respectivement. Les régions de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254 (Figure 2) comprennent toutes une série de régions de rainures trapézoïdales espacées par des rainures de base parallèles. Pour s'adapter à la forme d'un tampon de polissage circulaire 210 ou à une forme de secteur circulaire des régions de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254, les régions de rainures trapézoïdales sont souvent découpées pour s'adapter au bord extérieur 218 ou à la rainure circulaire 236.
[0075] Les régions de rainures trapézoïdales 260, 262, 264, 266 et 268 représentent toutes des régions trapézoïdales non isocèles avec les segments latéraux radiaux qui ont des longueurs différentes. Comme ce motif de rainures a une oblicité vers l'extérieur en direction du bord extérieur 218, les segments de rainures d'alimentation radiales 220a, 220b, 220c,
220d et 220e sont plus longues que les rainures radiales 222a, 222b, 222c, 222d et 222e, respectivement. En plus du fait que chaque région de rainures trapézoïdales représente un trapèze non isocèle, le périmètre des régions trapézoïdales empilées, tel que le périmètre des régions trapézoïdales 260 et 262, et le périmètre des régions trapézoïdales 260, 262 et 264, définit également un trapèze non isocèle. La région trapézoïdale 270 adjacente à la rainure circulaire 236 a une partie découpée pour s'adapter à la rainure circulaire 236. De façon similaire, les régions de rainures trapézoïdales 280, 282, 284, 286, 288, 290, 292, 294 et 296 adjacentes au bord extérieur 218 ont toutes des parties découpées pour s'adapter à la forme circulaire du bord extérieur 218 du tampon de polissage 210. La rotation du tampon de polissage envoie du fluide de polissage usé sur une partie de la série de rainures obliques adjacentes aux régions de rainures trapézoïdales 280, 282, 284, 286, 288, 290, 292, 294 et 296 et au-delà du bord extérieur 218 du tampon de polissage 210 pour permettre la circulation d'un nouveau fluide de polissage sous la galette.
[0076] En référence à la Figure 2A, la ligne de tirets AA divise en deux la région de polissage 240 en connectant le centre 216 au point milieu de l'arc de périmètre 219 du bord extérieur 218. Les segments de base des régions de rainures trapézoïdales espacées 280, 282, 284, 286, 288, 290 et 292 coupent la ligne AA selon un angle Θ. Aux fins de cette description, l'angle Θ est l'angle supérieur droit quand le centre est en haut et le bord extérieur est en bas ceci est illustré sur les Figures 1A et 2A. Avantageusement, l'angle 0 est de 95 à 160° pour les rainures obliques vers l'extérieur. Plus avantageusement, l'angle 0 est de 100 à 150° pour les rainures obliques vers l'extérieur. La rainure d'alimentation radiale 220 coupe les régions de rainures trapézoïdales 260, 262, 264, 266 et 268 selon un angle (X2. La rainure d'alimentation radiale 222 coupe les régions de rainures trapézoïdales 260, 262, 264, 266 et 268 selon un angle β2· Pour les régions de rainures trapézoïdales obliques vers l'extérieur 260, 262, 264, 266 et 268, l'angle a2 est supérieur à l'angle β2· [0077] En référence à la Figure 2B, les régions de polissage 260, 262, 264, 266 et 268 constituent une série de structures de rainures trapézoïdales non isocèles espacées. Les structures de rainures trapézoïdales ont des segments de base parallèles 360, 362, 364, 366, 368 et 370 connectant deux rainures d'alimentation radiales adjacentes 220 et 222 pour former les segments de côté 220a, 220b, 220c, 220d et 220e, et 222a, 222b, 222c, 222d et 222e, respectivement. Les segments de base 360, 362, 364, 366, 368 et 370 coupent chacun des segments de côté 220a, 220b, 220c, 220d, 220e et 222a, 222b, 222c, 222d, 222e selon des angles différents. La série de structures de rainures trapézoïdales non isocèles s'étend depuis le voisinage du bord extérieur en direction du centre du tampon de polissage. Le périmètre de la série de structures trapézoïdales 260, 262, 264, 266, 268 est également un trapèze.
[0078] La rotation du tampon de polissage déplace le fluide de polissage sur les segments de base 360, 362, 364, 366, 368 et 370 et les segments de côté 220a, 220b, 220c, 220d, 220e et 222a, 222b, 222c, 222d, 222e en direction du bord extérieur du tampon de polissage. En plus du mouvement vers l'extérieur, le fluide de polissage se déplace en direction de la galette pour une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre du tampon de polissage et également en s'éloignant de la galette pour une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre du tampon de polissage. Le mouvement du fluide de polissage vers la galette réduit le temps de séjour de la suspension sous la galette et le mouvement l'éloignant de la galette augmente le temps de séjour de la suspension sous la galette. Par exemple, une oblicité vers l'extérieur peut réduire le temps de séjour pour une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre du plateau. Avantageusement, toutes les régions de polissage ont la même oblicité.
[0079] En référence à la Ligure 2C, durant la rotation, le fluide de polissage est distribué sur le tampon de polissage en rotation et dans la rainure d'alimentation radiale 222 (222a, 222b et 222c) et la série de rainures obliques 360, 361, 362 et 363. Les forces centrifuges déplacent le fluide de polissage en direction du bord extérieur du tampon de polissage par l'intermédiaire de la rainure d'alimentation radiale 222 (222a, 222b et 222c), et la série de rainures obliques 360, 361, 362 et 363 dans le sens des flèches. De plus, le fluide de polissage se déplace vers l'extérieur en débordant des parois extérieures 360a, 361a, 362a et 363a pour mouiller les surfaces d’appui 260a, 261a, 262a et 263a, respectivement. Le fluide de polissage s'écoule ensuite contre les parois intérieures 361b et 360b de rainures obliques subséquentes 361 et 360, respectivement (il y a d'autres rainures obliques non visibles et parois intérieures non visibles pour l'écoulement le long des surfaces d’appui 60a et 61a). Les flèches d'écoulement au niveau de la paroi intérieure 360b et de la paroi extérieure 360a illustrent l'écoulement du fluide de polissage dans et hors de la rainure oblique vers l'extérieur 360. Typiquement, les rainures obliques 360 et 362 ne s'alignent pas avec les rainures obliques 361 et 363. Ce nonalignement des rainures obliques entre des régions de polissage adjacentes facilite l'écoulement dans la rainure d'alimentation radiale 222 pour une meilleure distribution de la suspension. Dans des modes de réalisation alternatifs, il est possible d'aligner des rainures obliques de régions de polissage adjacentes. Un pressage et une rotation de la galette contre le tampon de polissage en rotation pendant de multiples rotations retire au moins un composant de la galette, avec les surfaces d’appui 260a, 261a, 262a et 263a qui sont toutes mouillées par le fluide de polissage qui déborde.
[0080] En référence aux Figures 2 à 2C, le tampon de polissage 210 contient de préférence au moins 20 rainures obliques vers l'extérieur, telles que 260, 262, 264, 266, 268 et 270 dans chaque région de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254. Ces rainures obliques vers l'extérieur représentent des segments de rainures qui connectent deux rainures d'alimentation radiales adjacentes ; et qui se combinent pour réduire le temps de séjour de la suspension sous un substrat de galette avec une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre du plateau. Mieux encore, le tampon de polissage 210 contient 20 à 1000 rainures obliques vers l'extérieur dans chaque région de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254. Tout spécialement, le tampon de polissage 210 contient 20 à 500 rainures obliques vers l'extérieur dans chaque région de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254.
[0081] Typiquement, le tampon de polissage 210 a un total de rainures obliques vers l'extérieur, telles que 360, 362, 364, 366, 368 et 370, égal à au moins 15 fois le total des rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 (8). Par exemple, il peut y avoir un total de rainures obliques vers l'intérieur de 20 à 1000 fois le total des rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 (8) sur le tampon de polissage 210. De préférence, il peut y avoir un total de rainures obliques vers l'intérieur de 20 à 500 fois le total des rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 (8) sur le tampon de polissage 210.
[0082] En référence aux Figures 3 et 3A, les vecteurs d'écoulement de suspension illustrent comment le mouvement centrifuge des tampons de polissage a pour résultat un mouvement vers l’extérieur du fluide de polissage à travers les rainures obliques 3-3 et 3a-3a. Les flèches illustrent la direction de rotation de plateau dans le sens contraire des aiguilles d’une montre, et DP représente un point de chute de suspension typique. Le vecteur de suspension croise au point W qui représente un point d'écoulement de suspension sous une galette. Dans le cas d'une rainure oblique vers l'intérieur (Figure 3), Vjb représente la vitesse vers l'extérieur du fluide de polissage dans une rainure oblique vers l'intérieur 3-3 et Vn représente l'écoulement de la suspension, normal par rapport à la rainure oblique vers l'intérieur 3-3. L'écoulement de suspension résultant Vt, ou vitesse totale, devient plus faible vis-à-vis de la galette, ce qui augmente le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette. Dans le cas d'une rainure oblique vers l'extérieur (Figure 3A), V„b représente la vitesse vers l'extérieur du fluide de polissage dans une rainure oblique vers l'extérieur 3a-3a et Vn représente l'écoulement de la suspension, normal par rapport à la rainure oblique vers l'intérieur 3a-3a. L'écoulement de suspension résultant Vt, ou vitesse totale, devient plus élevé vis-à-vis de la galette, ce qui réduit le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette. Avec cette configuration de rainures, la vitesse du plateau et l'angle d'oblicité se combinent pour contrôler le temps de séjour du fluide de polissage.
[0083] En référence à la Figure 4, le tampon de polissage oblique vers l'intérieur 400 a trois régions de polissage 402, 404 et 406. Les rainures d'alimentation radiales 408, 410 et 412 séparent le tampon de polissage 400 en les régions de polissage 402, 404 et 406, de même taille, séparées de 120 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 100 degrés, 100 degrés et 160 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en trois tailles différentes, telles que 100 degrés, 120 degrés et 140 degrés. Lorsque le tampon de polissage 400 tourne, les rainures obliques longues balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 408, 410 et 412 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage. [0084] En référence à la Figure 4A, le tampon de polissage oblique vers l'extérieur 450 a trois régions de polissage 452, 454 et 456. Les rainures d'alimentation radiales 458, 460 et 462 séparent le tampon de polissage 450 en les régions de polissage 452, 454 et 456, de même taille, séparées de 120 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 100 degrés, 100 degrés et 160 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en trois tailles différentes, telles que 100 degrés, 120 degrés et 140 degrés. Lorsque le tampon de polissage 450 tourne, les rainures obliques longues balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 458, 460 et 462 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage. [0085] En référence à la Figure 5, le tampon de polissage oblique vers l'intérieur 500 a quatre régions de polissage 502, 504, 506 et 508. Les rainures d'alimentation radiales 510, 512, 514 et 516 séparent le tampon de polissage 500 en les régions de polissage 502, 504, 506 et 508 de même taille, séparées de 90 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 80 degrés, 100 degrés, 80 degrés et 100 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en quatre tailles différentes, telles que 70 degrés, 110 degrés, 80 degrés et 100 degrés. Il est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 500 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 510, 512, 514 et 516 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage.
[0086] En référence à la Figure 5A, le tampon de polissage oblique vers l'extérieur 550 a quatre régions de polissage 552, 554, 556 et 558. Les rainures d'alimentation radiales 560, 562, 564 et 566 séparent le tampon de polissage 550 en les régions de polissage 552, 554, 556 et 558 de même taille, séparées de 90 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 80 degrés, 100 degrés, 80 degrés et 100 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en quatre tailles différentes, telles que 70 degrés, 80 degrés, 100 degrés et 110 degrés. Il est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 550 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 560, 562, 564 et 566 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage.
[0087] En référence à la Figure 6, le tampon de polissage oblique vers l'intérieur 600 a cinq régions de polissage 602, 604, 606, 608 et 610. Les rainures d'alimentation radiales 612, 614, 616, 618 et 620 séparent le tampon de polissage 600 en les régions de polissage 602, 604, 606, 608 et 610 de même taille, séparées de 72 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 60 degrés, 90 degrés, 60 degrés, 90 degrés et 60 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en cinq tailles différentes, telles que 52 degrés, 62 degrés, 72 degrés, 82 degrés et 92 degrés. Il est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 600 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement et les rainures d'alimentation radiales additionnelles facilitent la distribution du fluide de polissage. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 612, 614, 616,
618 et 620 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage.
[0088] En référence à la Figure 6A, le tampon de polissage oblique vers l'extérieur 650 a cinq régions de polissage 652, 654, 656, 658 et 660. Les rainures d'alimentation radiales 662, 664, 666, 668 et 670 séparent le tampon de polissage 650 en les régions de polissage 652, 654, 656, 658 et 660 de même taille, séparées de 72 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 60 degrés, 90 degrés, 60 degrés, 90 degrés et 60 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en cinq tailles différentes, telles que 52 degrés, 62 degrés, 72 degrés, 82 degrés et 92 degrés. Il est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 650 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement et les rainures d'alimentation radiales additionnelles facilitent la distribution du fluide de polissage. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 662, 664, 666, 668 et 670 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage.
[0089] En référence à la Figure 7, le tampon de polissage oblique vers l'intérieur 700 a six régions de polissage 702, 704, 706, 708, 710 et 712. Les rainures d'alimentation radiales 714, 716, 718, 720, 722 et 724 séparent le tampon de polissage 700 en les régions de polissage 702, 704, 706, 708, 710 et 712 de même taille, séparées de 60 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 50 degrés, 70 degrés, 50 degrés, 70 degrés, 50 degrés et 70 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en six tailles différentes, telles que 30 degrés, 40 degrés, 50 degrés, 70 degrés, 80 degrés et 90 degrés. II est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 700 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement et les rainures d'alimentation radiales additionnelles facilitent la distribution du fluide de polissage. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 714, 716, 718, 720, 722 et 724 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage. [0090] En référence à la Figure 7A, le tampon de polissage oblique vers l'extérieur 750 a six régions de polissage 752, 754, 756, 758, 760 et 762. Les rainures d'alimentation radiales 764, 766, 768, 770, 772 et 774 séparent le tampon de polissage 750 en les régions de polissage 752, 754, 756, 758, 760 et 762 de même taille, séparées de 60 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 50 degrés, 70 degrés, 50 degrés, 70 degrés, 50 degrés et 70 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en six tailles différentes, telles que 30 degrés, 40 degrés, 50 degrés, 70 degrés, 80 degrés et 90 degrés. Il est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 750 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement et les rainures d'alimentation radiales additionnelles facilitent la distribution du fluide de polissage. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 764, 766, 768, 770, 772 et 774 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage.
[0091] En référence à la Figure 1, le tampon de polissage oblique vers l'intérieur 10a huit régions de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54. Les rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 séparent le tampon de polissage 10 en les régions de polissage 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52 et 54 de même taille, séparées de 45 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 35 degrés, 55 degrés, 35 degrés, 55 degrés, 35 degrés, 55 degrés, 35 degrés et 55 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en huit tailles différentes, telles que 25 degrés, 30 degrés, 35 degrés, 40 degrés, 50 degrés, 55 degrés, 60 degrés et 65 degrés. II est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 10 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement et les rainures d'alimentation radiales additionnelles facilitent la distribution du fluide de polissage. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 20, 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 34 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage. La rotation du tampon de polissage fait alterner la galette entre étant au-dessus d'une rainure d'alimentation radiales et étant audessus de deux rainures d'alimentation radiales.
[0092] En référence à la Figure 2, le tampon de polissage oblique vers l'extérieur 210 a huit régions de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254. Les rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 séparent le tampon de polissage 210 en les régions de polissage 240, 242, 244, 246, 248, 250, 252 et 254 de même taille, séparées de 45 degrés. Dans un mode de réalisation alternatif non représenté, il est possible de séparer les régions de polissage en deux tailles, telles que 35 degrés, 55 degrés, 35 degrés, 55 degrés, 35 degrés, 55 degrés, 35 degrés et 55 degrés. Dans un autre mode de réalisation alternatif, il est possible de séparer les régions de polissage en huit tailles différentes, telles que 25 degrés, 30 degrés, 35 degrés, 40 degrés, 50 degrés, 55 degrés, 60 degrés et 65 degrés. Il est en outre possible de changer l'ordre des régions de polissage. Lorsque le tampon de polissage 210 tourne, les rainures obliques balayent la galette pour améliorer la vitesse d’enlèvement et les rainures d'alimentation radiales additionnelles facilitent la distribution du fluide de polissage. Avec ce mode de réalisation, il est avantageux que les rainures d'alimentation radiales 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 et 234 aient une section transversale supérieure à celle des rainures obliques pour améliorer la distribution du fluide de polissage.
[0093] En référence aux Figures 8 et 8A, une courbure des rainures obliques 810 et 860 des tampons de polissage 800 et 850, respectivement, peut faciliter un écoulement uniforme du fluide de polissage sur les surfaces d’appui des rainures. Les tampons de polissage 800 et 850 ont des rainures obliques vers l'extérieur 810 et vers l’intérieur 860 respectivement. Lorsque les tampons 800 et 850 tournent, le fluide de polissage s'écoule hors des rainures 810 et 860 en direction du bord extérieur 812 et 862. Dans les rainures 810 et 860, la pente extérieure des rainures diminue en se déplaçant vers l'extérieur, et ceci diminue la vitesse vers l'extérieur et facilite le mouillage par le fluide de polissage des surfaces d’appui en direction de l'extrémité des rainures 810 et 860 durant une rotation tant horaire que contraire des aiguilles d’une montre.
[0094] Pour ces configurations et pour les propos de la description, l'angle d'oblicité Θ est égal à l'angle moyen des rainures obliques incurvées en relation avec la ligne bissectrice Bg, Bga représentée par des tirets. Un procédé pour mesurer l'angle d'oblicité, tel que représenté sur la Figure 8, consiste à tracer une ligne imaginaire 8-8 qui connecte des rainures d'alimentation radiales adjacentes 820 et 830 le long d'une seule rainure oblique incurvée, puis à mesurer l'angle d'intersection Θ, ou angle d'oblicité, avec la ligne bissectrice en tirets Bg. De façon similaire, pour la Figure 8A, la ligne imaginaire 8a-8a connecte des rainures d'alimentation radiales adjacentes 870 et 872 le long d'une seule rainure oblique incurvée, après quoi l'angle d'intersection avec la ligne bissectrice en tirets Bga, égal à l'angle d'oblicité Θ, est mesuré. II est important qu'au moins la majorité de chaque segment oblique incurvé ait un angle soit vers l'intérieur soit vers l'extérieur. Avantageusement, la majorité des rainures obliques ont la même oblicité. La raison de cela est qu'une partie de rainure oblique vers l'intérieur avec une partie de rainure oblique vers l'extérieur vont avoir tendance à s'annuler l'une l'autre en ce qui concerne la vitesse d’enlèvement. Avantageusement, tous les segments obliques ont une oblicité soit vers l'intérieur soit vers l'extérieur.
[0095] En référence à la Figure 9, le tampon de polissage 900 a des rainures d'alimentation radiales incurvées 910, 912, 914 et 916. Les rainures d'alimentation 910, 912, 914 et 916 sont incurvées dans le sens contraire des aiguilles d’une montre pour améliorer la circulation de fluide pour une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre du tampon de polissage 900. Cette forme accélère l'écoulement vers l'extérieur du fluide de polissage pour améliorer la distribution de fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 920 durant une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre et ralentit l'écoulement vers l'extérieur pour diminuer la distribution de fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 920 durant une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre. En variante, les rainures d'alimentation radiales pourraient être incurvées dans le sens des aiguilles d’une montre (non représenté) pour avoir l'effet opposé. Cette forme ralentit l'écoulement vers l'extérieur du fluide de polissage pour améliorer la distribution de fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 920 durant une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre et accélère l'écoulement vers l'extérieur pour diminuer la distribution de fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 920 durant une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre.
[0096] La mesure de l'angle d'oblicité pour la Figure 9 ayant des rainures d'alimentation radiales incurvées 914 et 916 requiert le traçage de lignes radiales de tirets Ra et Rb avec une ligne bissectrice imaginaire B9 qui divise en deux les lignes radiales de tirets Ra et Rb. Ceci illustre l'angle d'oblicité θ pour la rainure oblique vers l'extérieur 930 qui coupe la ligne bissectrice B9. Les cordes Rai et Ra2 ont des longueurs identiques et sont les lignes radiales parallèles à Ra et Rb respectivement. Une ligne de tirets Rai-Rbi connecte les extrémités des cordes Raj et Rbi et coupe la ligne bissectrice B9 au niveau de la rainure oblique 930. L'angle d'oblicité pour la rainure 930 est l'angle entre la ligne bissectrice B9 et la rainure 930, ou Θ. Ce mode de réalisation a un θ constant le long de chaque rainure oblique et sur la totalité de la région de polissage.
[0097] En référence à la Figure 10, le tampon de polissage 1000 a des rainures d'alimentation radiales incurvées 1010, 1012, 1014 et 1016 combinées à des rainures incurvées obliques vers l'extérieur 1020. En particulier, ce motif de rainures comprend des rainures d'alimentation radiales incurvées 1010, 1012, 1014 et 1016 destinées à régler précisément ou à ajuster le fluide de polissage près du bord extérieur 1022 du tampon de polissage 1000. De plus, les rainures incurvées obliques vers l'extérieur 1020 servent à équilibrer l'écoulement de fluide de polissage sur la surface d’appui à l'intérieur des régions dépolissage 1030, 1032 et 1034.
[0098] La mesure de l'angle d'oblicité pour la Figure 10 ayant des rainures d'alimentation radiales incurvées 1014 et 1016 requiert le traçage de lignes radiales de tirets Ra et Rb avec une ligne bissectrice imaginaire Bio qui divise en deux les lignes radiales de tirets Ra et Rb. Ceci illustre l'angle d'oblicité Θ pour la rainure oblique vers l'extérieur 1040 qui coupe la ligne bissectrice Bjo- Les cordes Rai et Rbi ont des longueurs identiques et sont les lignes radiales parallèles à Ra et Rb respectivement. Une ligne de tirets Rai-Rbi connecte les extrémités des cordes Rai et Rb) et coupe la ligne bissectrice Bio au niveau de la rainure oblique 1040. L'angle d'oblicité pour la rainure 1040 est l'angle entre la ligne bissectrice Bio et une ligne qui connecte les extrémités de la rainure 1040, ou Θ. Ce mode de réalisation a un θ qui augmente avec chaque rainure oblique espacée davantage du tampon de polissage 1000.
[0099] En référence aux Figures 11, 11A et 11 B, le tampon de polissage 1100 comprend des rainures d'alimentation radiales en forme de ligne brisée 1110, 1112, 1114 et 1116. Cette fonne ralentit l'écoulement vers l'extérieur du fluide de polissage pour améliorer la distribution du fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 1120, 1122 et 1124 durant une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre et accélère l'écoulement vers l'extérieur pour réduire la distribution du fluide de polissage vers les rainures obliques extérieur 1120, 1122 et 1124 durant une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre. En variante, les rainures d'alimentation radiales pourraient être incurvées dans le sens des aiguilles d’une montre (non représenté) pour avoir l'effet opposé. Cette fonne ralentit l'écoulement vers l'extérieur du fluide de polissage pour améliorer la distribution de fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 1120, 1122 et 1124 durant une rotation dans le sens contraire des aiguilles d’une montre et accélère l'écoulement vers l'extérieur pour diminuer la distribution de fluide de polissage vers les rainures obliques extérieures 1120, 1122 et 1124 durant une rotation dans le sens des aiguilles d’une montre. Les rainures obliques vers l'extérieur incurvées 1120, les rainures obliques vers l'intérieur incurvées 1122 et les rainures obliques vers l'intérieur parallèles 1124 servent toutes à ajuster le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette et à régler précisément le profil de polissage. Il est de plus possible d'ajuster le profil de bord par ajustement de la vitesse de rotation du plateau ou de la galette. Par exemple, une augmentation de la vitesse du plateau ou de la galette peut changer un polissage rapide au centre en un profil plat. Cet effet devient bien plus prononcé quand la galette n'oscille pas entre le centre et le bord du tampon de polissage. [00100] En référence à la Figure 11, la ligne imaginaire 11-11 connecte une seule rainure oblique. L'angle entre la ligne imaginaire 11-11 et les rainures d'alimentation radiales 1114 et 1116 au niveau de la ligne bissectrice Bii„j représente θι ou l'angle d'oblicité pour la première partie de la région de polissage. Cette partie de la région de polissage a un angle d'oblicité qui diminue pour chaque rainure oblique espacée du centre du tampon de polissage.
[00101] La deuxième région requiert le traçage de lignes radiales Ra et Rb et de Bn_2 qui divise en deux les lignes radiales Ra et Rb. Les cordes radiales Rai et Rbi ont des longueurs identiques et sont les lignes radiales parallèles à Ra et Rb respectivement. La ligne de tirets Bn-2 représente la bissectrice de ces cordes radiales. La ligne imaginaire Raj-Rbi connecte Rai et Rbi et traverse l'intersection de la rainure oblique 1130 et de la ligne bissectrice Bn^. L'intersection d'une ligne qui connecte les extrémités de la rainure oblique 1130 avec la ligne bissectrice Bn„2 représente l'angle d'oblicité, ou 02. Cette partie de la région de polissage a aussi un angle d'oblicité qui diminue pour chaque rainure oblique espacée du centre du tampon de polissage.
[00102] En référence aux Figures 12 et 12A, le tampon de polissage 1200 peut contenir une série de rainures obliques en forme de ligne brisée 1202 et 1204, respectivement, connectant les rainures d'alimentation radiales 1210, 1220, 1230 et 1240. Les rainures obliques en forme de ligne brisée 1202 et 1204 ont des segments 1202a et 1202b et 1204a et 1024b respectivement, séparés chacun par une ligne de tirets à des fins d'illustration. La Figure 12 a des rainures obliques vers l'intérieur en forme de ligne brisée 1202, divisées en parties égales de segments de rainure 1202a et 1202b. Dans cette configuration, la suspension se déplace d'abord avec une oblicité peu marquée dans le segment de rainure 1202a, puis à une vitesse plus élevée dans le segment de rainure 1202b ayant une pente plus prononcée. La Figure 12A a des rainures obliques en forme de ligne brisée 1204, divisées en parties inégales de segments de rainure 1204a et 1204b. Dans cette configuration, la suspension se déplace d'abord avec une oblicité prononcée dans le segment de rainure 1204a puis à une vitesse réduite dans le segment de rainure 1204b ayant une pente moins prononcée. Il est possible d'utiliser l'espacement et la pente des segments pour ajuster le profil de galette et le profil de bord.
[00103] En référence à la Figure 13, le tampon de polissage 1300 comprend des rainures obliques vers l'extérieur en forme de ligne brisée 1302 interconnectant des rainures d'alimentation radiales adjacentes en forme de ligne brisée 1310, 1320, 1330 et 1340. Les rainures obliques en forme de ligne brisée 1302 ont des segments 1302a et 1302b, séparés chacun par une ligne de tirets à des fins d'illustration. L'emplacement de l'étage et de la pente au niveau de l'étage tant pour la rainure d'alimentation radiale que pour les rainures obliques en forme de ligne brisée a un effet sur la vitesse d’enlèvement par polissage, le profil de galette et le profil de bord.
[00104] En référence aux Figures 14, 14A, 14B et 14C, les tampons de polissage peuvent comprendre deux ou plus de deux régions de rainures ayant des pas différents ou des surfaces en coupe transversale différentes. Les Figures 14, 14A, 14C comprennent toutes une région d'espacement vers l'intérieur ayant trois régions comme suit : (a) des rainures avec un premier pas normal, (b) des rainures avec un pas plus important et (c) des rainures avec un pas égal à celui de la région (a). Cet espacement des rainures est efficace pour éliminer les profils de galettes rapides au centre. Un réglage précis du profil de galette est possible par ajustement de la largeur de chaque région de rainures et de la densité des rainures à l'intérieur de chaque région de rainures. L'ajustement de l'espacement des rainures a un effet particulier sur l'amélioration du profil de bord de galette. Comme le montre la Figure 14, les rainures obliques peuvent être des rainures linéaires parallèles, des rainures incurvées parallèles ou des rainures en forme de ligne brisée. Ces rainures peuvent avoir des espacements égaux ou inégaux.
[00105] En référence aux Figures 15, 15A, 15B et 15C, les tampons de polissage peuvent comprendre deux ou plus de deux régions de rainures ayant des pas différents ou des surfaces en coupe transversale différentes. Les Figures 15, 15A, 15B et 15C comprennent toutes une région d'espacement vers l'intérieur ayant trois régions comme suit : (A) des rainures avec un premier pas plus important, (B) des rainures avec un pas normal et (C) des rainures avec un pas égal à celui de la région (A). Cet espacement des rainures est efficace pour éliminer les profils de galettes lentes au centre. Un réglage précis du profil de galette est possible par ajustement de la largeur de chaque région de rainures et de la densité des rainures à l'intérieur de chaque région de rainures. L'ajustement de l'espacement des rainures a un effet particulier sur l'amélioration du profil de bord de galette. Comme le montre la Figure 15, les rainures obliques peuvent être des rainures linéaires parallèles, des rainures incurvées parallèles ou des rainures en forme de ligne brisée. Ces rainures peuvent avoir des espacements égaux ou inégaux.

Claims (6)

  1. REVENDICATIONS
    1. Procédé pour polir ou planariser une galette d'au moins l'un parmi les substrats semiconducteurs, optiques et magnétiques, le procédé comprenant ce qui suit :
    la rotation d'un tampon de polissage (10 ; 210), le tampon de polissage (10 ; 210) ayant une couche de polissage (12 ; 212) ayant une matrice polymère et une épaisseur (14 ; 214), la couche de polissage (12 ; 212) comprenant un centre (16 ; 216), un bord extérieur (18 ; 218) et un rayon (r) s'étendant du centre (16 ; 216) au bord extérieur (18 ; 218) du tampon de polissage (10 ; 20) ; des rainures d'alimentation radiales (20-34 ; 220-234) dans la couche de polissage (12 ; 212) séparant la couche de polissage en régions de polissage (40-54 ; 240254), les régions de polissage (40-54 ; 240-254) étant des secteurs circulaires définis par deux rainures d'alimentation radiales adjacentes, les rainures d'alimentation radiales (20-34 ; 220234) s'étendant au moins depuis un emplacement adjacent au centre (16 ; 216) jusqu'à un emplacement adjacent au bord extérieur (18-218) ; et chaque région de polissage (40-54 ; 240-254) comprenant une série de rainures obliques (160-170 ; 360-370) connectant une paire de rainures d'alimentation radiales adjacentes, la série de rainures obliques (160-170 ; 360-370) séparant une surface d’appui (60-98 ; 260-296) et ayant des parois intérieures (160b-163b ; 360b-363b) plus proches du centre (16 ; 216) et des parois extérieures (160a163a ; 360a-363a) plus proches du bord extérieur (18 ; 218) ;
    la distribution de fluide de polissage sur le tampon de polissage (10 ; 210) en rotation et dans les rainures d'alimentation radiales (20-34 ; 220-234) et la série de rainures obliques (160-170 ; 360-370), les forces centrifuges déplaçant le fluide de polissage en direction du bord extérieur (18 ; 218) du tampon de polissage (10 ;210) par l'intermédiaire des rainures d'alimentation radiales (20-34 ; 220-234), de la série de rainures obliques (160-170 ; 360370), et par débordement des parois extérieures (160a-163 a ; 360a-363a) pour mouiller une surface d’appui (60-98 ; 260-296) et ensuite s'écouler contre une paroi intérieure (160b163b ; 360b-363b) d'une rainure oblique subséquente, la majorité des rainures obliques (160170 ; 360-370) ayant soit une oblicité vers l'intérieur en direction du centre soit une oblicité vers l'extérieur en direction du bord extérieur du tampon de polissage ; et le pressage et la rotation de la galette contre le tampon de polissage (10 ; 210) en rotation pour que de multiples rotations retirent au moins un composant de la galette, les surfaces d’appui (60-98 ; 260-296) étant mouillées par le fluide de polissage qui déborde.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les régions de polissage (40-54 ; 240254) comprennent une ligne bissectrice (AA) qui divise en deux les régions de polissage (4054 ; 240-254), la majorité des rainures obliques (160-170 ; 360-370) ayant soit une oblicité vers l'intérieur en direction du centre selon un angle de 20° à 85° par rapport à la ligne
    5 bissectrice soit une oblicité vers l'extérieur en direction du bord extérieur du tampon de polissage selon un angle de 95° à 160° par rapport à la ligne bissectrice (AA).
  3. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la rotation du tampon de polissage (10 ; 210)envoie du fluide de polissage usé dans une partie de la série de rainures obliques
    10 au-delà du bord extérieur (18 ; 218) du tampon de polissage (10; 210) pour permettre l'écoulement de nouveau fluide de polissage sous la galette.
  4. 4. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la série de rainures obliques représente des rainures parallèles qui augmentent le temps de séjour du
    15 fluide de polissage sous la galette.
  5. 5. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la série de rainures obliques représente des rainures parallèles qui réduisent le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette.
  6. 6. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la rotation du tampon de polissage fait alterner la galette entre étant au-dessus d'une rainure d'alimentation radiale et étant au-dessus de deux rainures d'alimentation radiales.
FR1855161A 2017-06-14 2018-06-13 Procede de polissage cmp uniforme Active FR3067626B1 (fr)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201715623184A 2017-06-14 2017-06-14
US15623184 2017-06-14
US201715624979A 2017-06-16 2017-06-16
US15624979 2017-06-16
US15/725,836 US10586708B2 (en) 2017-06-14 2017-10-05 Uniform CMP polishing method
US15725836 2017-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3067626A1 true FR3067626A1 (fr) 2018-12-21
FR3067626B1 FR3067626B1 (fr) 2021-12-10

Family

ID=64457757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1855161A Active FR3067626B1 (fr) 2017-06-14 2018-06-13 Procede de polissage cmp uniforme

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10586708B2 (fr)
JP (1) JP7148288B2 (fr)
KR (1) KR102660720B1 (fr)
CN (1) CN109079587B (fr)
DE (1) DE102018004634A1 (fr)
FR (1) FR3067626B1 (fr)
SG (1) SG10201804558XA (fr)
TW (1) TWI798222B (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7178662B2 (ja) * 2019-04-10 2022-11-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 研磨装置および研磨方法
KR20210116759A (ko) 2020-03-13 2021-09-28 삼성전자주식회사 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치
CN111805412A (zh) * 2020-07-17 2020-10-23 中国科学院微电子研究所 一种抛光液施配器及抛光装置

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037367A (en) 1975-12-22 1977-07-26 Kruse James A Grinding tool
US4450652A (en) 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
JPS60242975A (ja) 1984-05-14 1985-12-02 Kanebo Ltd 平面研磨装置
US5076024A (en) 1990-08-24 1991-12-31 Intelmatec Corporation Disk polisher assembly
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5527215A (en) 1992-01-10 1996-06-18 Schlegel Corporation Foam buffing pad having a finishing surface with a splash reducing configuration
US5243790A (en) 1992-06-25 1993-09-14 Abrasifs Vega, Inc. Abrasive member
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
JPH0741539B2 (ja) * 1992-10-22 1995-05-10 日本軽金属株式会社 平面研磨装置及び該装置に使用する扇形固形砥石片
US6135856A (en) 1996-01-19 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for semiconductor planarization
US5778481A (en) 1996-02-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Silicon wafer cleaning and polishing pads
US5690540A (en) 1996-02-23 1997-11-25 Micron Technology, Inc. Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JP3812970B2 (ja) * 1996-06-20 2006-08-23 東京エレクトロン株式会社 研磨装置および研磨方法
US5888121A (en) 1997-09-23 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow
JP2000000755A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Sony Corp 研磨パッド及び研磨方法
GB2345255B (en) 1998-12-29 2000-12-27 United Microelectronics Corp Chemical-Mechanical Polishing Pad
KR100471527B1 (ko) 1999-03-30 2005-03-09 가부시키가이샤 니콘 연마체, 연마장치, 연마방법 및 반도체 소자의 제조방법
US6220942B1 (en) * 1999-04-02 2001-04-24 Applied Materials, Inc. CMP platen with patterned surface
JP2001071256A (ja) 1999-08-31 2001-03-21 Shinozaki Seisakusho:Kk 研磨パッドの溝形成方法及び装置並びに研磨パッド
JP2001121405A (ja) * 1999-10-25 2001-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨パッド
DE60133231T2 (de) 2000-01-31 2008-07-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Polierverfahren
TW479000B (en) 2000-02-24 2002-03-11 United Microelectronics Corp Polish pad for polishing semiconductor wafer
US6749485B1 (en) 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6656019B1 (en) 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
US8062098B2 (en) 2000-11-17 2011-11-22 Duescher Wayne O High speed flat lapping platen
JP4087581B2 (ja) * 2001-06-06 2008-05-21 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2003145402A (ja) 2001-11-09 2003-05-20 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス物品用研磨具
US7169014B2 (en) 2002-07-18 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
US6783436B1 (en) 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
US6918824B2 (en) 2003-09-25 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform fluid distribution and exhaust system for a chemical-mechanical planarization device
JP2005158797A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US6843711B1 (en) 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration
US6955587B2 (en) 2004-01-30 2005-10-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Grooved polishing pad and method
JP2005262341A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Noritake Super Abrasive:Kk Ｃｍｐパッドコンディショナー
JP2007081322A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
US7329174B2 (en) 2004-05-20 2008-02-12 Jsr Corporation Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad
KR100568258B1 (ko) 2004-07-01 2006-04-07 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치
USD559066S1 (en) 2004-10-26 2008-01-08 Jsr Corporation Polishing pad
US7169029B2 (en) 2004-12-16 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Resilient structured sanding article
JP3769581B1 (ja) 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
KR101279819B1 (ko) 2005-04-12 2013-06-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 방사-편향 연마 패드
KR100721196B1 (ko) * 2005-05-24 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 연마패드 및 이를 이용한 화학적기계적연마장치
US7534162B2 (en) 2005-09-06 2009-05-19 Freescale Semiconductor, Inc. Grooved platen with channels or pathway to ambient air
KR20070070094A (ko) 2005-12-28 2007-07-03 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법
US20080220702A1 (en) * 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
US7300340B1 (en) * 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
JP4909706B2 (ja) 2006-10-24 2012-04-04 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US20090137187A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 Chien-Min Sung Diagnostic Methods During CMP Pad Dressing and Associated Systems
US9180570B2 (en) * 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI360459B (en) 2008-04-11 2012-03-21 Bestac Advanced Material Co Ltd A polishing pad having groove structure for avoidi
KR20110100080A (ko) * 2010-03-03 2011-09-09 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비
KR101232787B1 (ko) 2010-08-18 2013-02-13 주식회사 엘지화학 연마 시스템용 연마 패드
US9211628B2 (en) 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
US8968058B2 (en) * 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
TWI492818B (zh) 2011-07-12 2015-07-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊、研磨方法以及研磨系統
US8920219B2 (en) * 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture
SG11201400614RA (en) 2011-09-15 2014-09-26 Toray Industries Polishing pad
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
US9415479B2 (en) 2013-02-08 2016-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Conductive chemical mechanical planarization polishing pad
TWM459065U (zh) 2013-04-29 2013-08-11 Iv Technologies Co Ltd 硏磨墊以及硏磨系統
TWM475334U (en) 2013-06-07 2014-04-01 Iv Technologies Co Ltd Polishing pad
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
TWI549781B (zh) 2015-08-07 2016-09-21 智勝科技股份有限公司 研磨墊、研磨系統及研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180136372A (ko) 2018-12-24
JP7148288B2 (ja) 2022-10-05
CN109079587B (zh) 2021-05-14
SG10201804558XA (en) 2019-01-30
DE102018004634A1 (de) 2018-12-20
TW201904722A (zh) 2019-02-01
US10586708B2 (en) 2020-03-10
US20180366331A1 (en) 2018-12-20
JP2019022929A (ja) 2019-02-14
FR3067626B1 (fr) 2021-12-10
KR102660720B1 (ko) 2024-04-26
TWI798222B (zh) 2023-04-11
CN109079587A (zh) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3067629A1 (fr) Tampon de polissage a structure de rainures trapezoidales
FR3067630A1 (fr) Tampon de polissage a rainures obliques
FR2865676A1 (fr) Tampon de polissage et procede de polissage d'un substrat magnetique optique ou a semi-conducteur
FR2879952A1 (fr) Tampon de polissage chimico-mecanique possedant des rainures disposees de facon a ameliorer l'utilisation du milieu de polissage
FR2871716A1 (fr) Tampon de polissage et procede de polissage d'un substrat magnetique optique ou a semi-conducteur
US6783436B1 (en) Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
US8062103B2 (en) High-rate groove pattern
KR101601281B1 (ko) 고속 연마 방법
FR3067626A1 (fr) Procede de polissage cmp uniforme
FR3067627A1 (fr) Procede de polissage cmp a haut debit
US20080064302A1 (en) Polishing apparatus, polishing pad, and polishing method
FR2912075A1 (fr) Patin de polissage avec des rainues afin de retenir de la pate sur la texture de patin
FR2879953A1 (fr) Tampon de polissage chimico-mecanique possedant un ensemble de rainures echelonnees avec chevauchement
FR3049205A1 (fr) Tampon de polissage ayant des rainures de retrait des debris
FR2907699A1 (fr) Patin de polissage ayant des rainures espacees de maniere irreguliere
FR2907700A1 (fr) Patin de polissage a rainurage radialement constant
FR2880570A1 (fr) Tampon de polissage chimique-physique ayant une configuration de segment de rainure alternee radialement
FR3067628A1 (fr) Procede de polissage cmp uniforme
FR2912076A1 (fr) Patin de polissage avec des rainures afin de reduire la consommation de pate

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20210122

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7