FR2912076A1 - Patin de polissage avec des rainures afin de reduire la consommation de pate - Google Patents

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    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Abstract

L'invention se rapporte à un patin de polissage chimique-mécanique (100) ayant une piste de polissage annulaire et un centre concentrique (O). Le patin de polissage (100) comprend une couche de polissage ayant une multiplicité de rainures de patin (116) formées dedans. Le patin de polissage (100) est conçu pour une utilisation avec un support (104), par exemple un support de rondelle, qui comprend un anneau de polissage ayant une multiplicité de rainures de support (112). Chaque rainure de la multiplicité de rainures de patin (116) a une forme de rainure compatible avec le support configurée afin d'améliorer le transport d'un agent de polissage sous l'anneau de support (108) sur le bord avant (124) de l'anneau de support (108) pendant le polissage.

Description

La présente invention se rapporte d'une manière générale au domaine du
polissage chimique-mécanique (CMP). En particulier, la présente invention se rapporte à un patin CMP ayant des rainures qui réduisent la consommation de pâte. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques sur une rondelle de semi-conducteur, traditionnellement appelée Wafer en anglais, de multiples couches de matière conductrice, semi- conductrice et diélectrique sont déposées sur et gravées dans la rondelle. Des couches minces de ces matières peuvent être déposées par plusieurs techniques de dépôt. Des techniques de dépôt courantes dans le traitement de rondelle moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD) (également connu sous le nom de projection), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le plaquage électrochimique. Des techniques de gravure courantes comprennent la gravure isotrope et anisotrope humide et à sec, entre autres. Lorsque des couches de matières sont déposées et gravées de manière séquentielle, la surface de la rondelle devient non plane. Du fait qu'un traitement de semi-conducteur consécutif (par exemple une photolithographie) exige que la rondelle ait une surface plate, la rondelle doit être aplanie périodiquement. L'aplanissement est utile afin d'enlever une topographie de surface indésirable ainsi que des défauts de surface, tels que des surfaces rugueuses, des matières agglomérées, un endommagement de réseau cristallin, des rayures et des couches ou des matières contaminées. L'aplanissement chimique-mécanique, ou polissage chimique-mécanique (CMP), est une technique courante utilisée pour aplanir des rondelles de semi-conducteur et d'autres pièces. Dans le patin CMP conventionnel utilisant un dispositif de polissage rotatif à axe double, un support de rondelle, ou tête de polissage, est monté sur un ensemble support. La tête de polissage maintient la rondelle et la positionne en contact avec une couche de polissage d'un patin de polissage à l'intérieur du dispositif de polissage. Le patin de polissage a un diamètre plus grand que le double du diamètre de la rondelle qui est aplanie. Pendant le polissage, le patin de polissage et la rondelle sont entraînés en rotation autour de leurs centres concentriques respectifs alors que la rondelle est engagée avec la couche de polissage. L'axe de rotation de la rondelle est décalé par rapport à l'axe de rotation du patin de polissage d'une distance plus grande que le rayon de la rondelle de telle sorte que la rotation du patin balaye une piste de rondelle annulaire sur la couche de polissage du patin. Lorsque le seul mouvement de la rondelle est de rotation, la largeur de la piste de rondelle est égale au diamètre de la rondelle. Toutefois, dans certains dispositifs de polissage à axe double, la rondelle est amenée à osciller dans un plan perpendiculaire à son axe de rotation. Dans ce cas, la largeur de la piste de rondelle est plus grande que le diamètre de la rondelle d'une valeur qui tient compte du déplacement dû à l'oscillation. L'ensemble support procure une pression pouvant être commandée entre la rondelle et le patin de polissage. Pendant le polissage, une pâte, ou un autre agent de polissage, s'écoule sur le patin de polissage et dans l'espace entre la rondelle et la couche de polissage.
La surface de rondelle est polie et rendue plane par action chimique et mécanique de la couche de polissage et de l'agent de polissage sur la surface. L'interaction entre les couches de polissage, les agents de polissage et les surfaces de rondelle pendant le polissage chimique-mécanique est de plus en plus étudiée dans un effort d'optimisation des conceptions de patin de polissage. La plupart des développements de patin de polissage des dernières années ont été d'une nature empirique. Une majeure partie de la conception des surfaces de polissage, ou des couches, s'est focalisée sur le fait de pourvoir ces couches de différents dessins de vides et d'agencements de rainures qui sont censés améliorer l'utilisation de la pâte et l'uniformité du polissage. Avec les années, assez peu de dessins et agencements de rainure et de vide différents ont été mis en œuvre. Les dessins de rainure de l'art antérieur comprennent des dessins radiaux, circulaires concentriques, à grille cartésienne et en spirale, entre autres. Les configurations de rainure de l'art antérieur comprennent des configurations dans lesquelles la largeur et la profondeur de toutes les rainures sont uniformes parmi toutes les rainures et des configurations dans lesquelles la largeur ou la profondeur des rainures varie d'une rainure à l'autre.
Ces dessins et configurations de rainure, cependant, négligent l'utilisation de pâte associée à des dispositifs de polissage CMP ayant des anneaux de support de rondelle actifs. Au contraire d'un équipement de polissage CMP des générations antérieures, ces anneaux de support font face à la surface de polissage de manière indépendante, et sous une pression significativement plus élevée que la rondelle qui est polie. Ces facteurs créent souvent un effet de racle au niveau du bord avant de la rondelle, où la majeure partie du film de liquide, par exemple de la pâte, sur la texture de patin est balayée par l'anneau de support. La perte de cette pâte potentiellement utilisable peut réduire l'efficacité et le caractère prévisible du processus de polissage, tout en ayant pour résultat des coûts de traitement additionnels significatifs. Actuellement, certains supports de rondelle disponibles auprès de Applied Materials, Inc., Santa Clara, Californie, ont des anneaux de support qui peuvent réduire l'effet de racle en admettant de la pâte additionnelle dans la zone sous la surface de rondelle. Alors que des patins de polissage ont une grande variété de dessins de rainure, l'efficacité de ces dessins de rainure varie d'un dessin à l'autre, ainsi que d'un processus de polissage à un autre processus de polissage.
Les concepteurs de patin de polissage recherchent de manière continue des dessins de rainure qui rendent les patins de polissage plus efficaces et utiles par rapport aux conceptions de patin de polissage antérieures.
Dans un aspect de l'invention, il est prévu un patin de polissage pour utilisation en liaison avec un anneau de support ayant au moins une rainure de support et un bord avant par rapport au patin de polissage lorsque le patin de polissage et l'anneau de support sont utilisés pour le polissage d'au moins un substrat magnétique, optique ou de semiconducteur en présence d'un agent de polissage, la au moins une rainure de support ayant une orientation par rapport à l'anneau de support, le patin de polissage ayant un rayon s'étendant depuis un centre du patin de polissage et le rayon ayant une longueur, le patin de polissage comportant : une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage comprenant une surface de polissage circulaire ayant une piste de polissage annulaire pendant le polissage ; et au moins une rainure de patin ayant une forme de rainure compatible avec le support à l'intérieur de la piste de polissage avec au moins une partie de la forme de rainure compatible avec le support qui est radiale ou radiale courbe et la forme de rainure compatible avec le support qui est tangente à un rayon du patin de polissage dans au moins un emplacement sur la longueur du rayon, la forme de rainure compatible avec le support étant déterminée comme une fonction de l'orientation de la au moins une rainure de support de telle sorte que la au moins une rainure de support s'aligne avec la au moins une rainure de patin au niveau d'une multiplicité d'emplacements le long de la forme de rainure compatible avec le support lorsque la au moins une rainure de support est sur le bord avant de l'anneau de support pendant le polissage. Dans un autre aspect de l'invention, il est prévu un patin de polissage conçu pour coopérer avec un anneau de support ayant au moins une rainure de support et un bord avant par rapport au patin de polissage lorsque le patin de polissage et l'anneau de support sont utilisés pour le polissage d'au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la au moins une rainure de support ayant une orientation par rapport à l'anneau de support, le patin de polissage ayant un rayon s'étendant depuis un centre du patin de polissage et le rayon ayant une longueur, le patin de polissage comportant : une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage comprenant une surface de polissage circulaire ayant une piste de polissage annulaire pendant le polissage ; et au moins un ensemble de rainures de patin ayant deux rainures de patin ou plus, les deux rainures de patin ou plus étant formées dans la couche de polissage et chacune des deux rainures de patin ou plus ayant une forme de rainure compatible avec le support avec au moins une partie de forme de rainure compatible avec le support qui est radiale ou radiale courbe et la forme de rainure compatible avec le support qui est tangente à un rayon du patin de polissage dans au moins un emplacement sur la longueur du rayon et la forme de rainure compatible avec le support à l'intérieur de la piste de polissage s'alignant avec au moins une rainure de support comme une fonction de l'orientation de la au moins une rainure de support lorsque la au moins une rainure de support est disposée le long du bord avant de l'anneau de support pendant le polissage.
Dans encore un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un patin de polissage rotatif pour une utilisation avec un anneau de support ayant au moins une rainure de support et un bord avant par rapport au patin de polissage lorsque le patin de polissage et l'anneau de support sont utilisés pour le polissage d'au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la au moins une rainure de support ayant une orientation par rapport à l'anneau de support, le patin de polissage ayant un rayon s'étendant depuis un centre du patin de polissage et le rayon ayant une longueur, le procédé comportant le fait de : déterminer une forme de rainure compatible avec le support en alignement substantiel avec au moins une rainure de support comme une fonction de l'orientation de la au moins une rainure de support lorsque la au moins une rainure de support est disposée le long du bord avant de l'anneau de support pendant le polissage, et former dans le patin de polissage rotatif au moins une rainure de patin ayant la forme de rainure compatible avec le support avec au moins une partie de la forme de rainure compatible avec le support qui est radiale ou radiale courbe et la forme de rainure compatible avec le support qui est tangente à un rayon du patin de polissage dans au moins un emplacement sur la longueur du rayon.
La figure 1 est une vue de dessus schématique d'un patin de polissage fabriqué selon la présente invention en présence d'un support rainuré ; La figure 2 est une vue en coupe agrandie du patin de polissage de la figure 1 le long de la ligne 2-2 de la figure 1 ; La figure 3 est une vue de dessus schématique illustrant la géométrie des rainures du patin de polissage 10 et du support rainuré de la figure 1 ; La figure 4 est une vue de dessus schématique d'une variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention montrant une rainure ; La figure 5 est une vue en plan du patin de 15 polissage de la figure 4 montrant la formation complète du patin de polissage ; La figure 6 est une vue de dessus schématique d'une variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention montrant une rainure ; 20 La figure 7 est une vue en plan du patin de polissage de la figure 6 montrant la formation complète du patin de polissage ; La figure 8 est une vue de dessus schématique d'une autre variante de patin de polissage fabriquée selon 25 la présente invention montrant une rainure ; La figure 9 est une vue en plan du patin de polissage de la figure 8 montrant la formation complète du patin de polissage ; La figure 10 est une vue de dessus schématique 30 d'encore une autre variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention montrant une rainure ; La figure 11 est une vue en plan du patin de polissage de la figure 10 montrant la formation complète du patin de polissage ; La figure 12 est une vue de dessus schématique d'encore une autre variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention montrant une rainure ; La figure 13 est une vue en plan du patin de polissage de la figure 12 montrant la formation complète du patin de polissage ; La figure 14 est une vue de dessus schématique d'encore une autre variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention montrant un alignement rainure de support-patin partiel ; La figure 15 est une vue partielle agrandie du patin de polissage de la figure 14 illustrant l'alignement rainure de support-patin partiel ; La figure 16 est une vue de dessus schématique d'encore une autre variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention montrant un alignement rainure de support-patin complet ; La figure 17 est une vue partielle agrandie du patin de polissage de la figure 14 illustrant l'alignement rainure de support-patin complet ; et La figure 18 est un dessin schématique d'un système de polissage selon la présente invention.
Si l'on se réfère maintenant aux dessins, la figure 1 illustre une forme de réalisation d'un patin de polissage 100 fabriqué selon la présente invention. Comme cela est discuté ci-dessous, le patin de polissage 100 est conçu plus particulièrement en coordination avec un support 104 respectif correspondant, par exemple un support de rondelle, ayant un anneau de support 108 contenant une multiplicité de rainures de support 112 qui font face au patin de polissage pendant le polissage. Plus particulièrement, le patin de polissage 100 comprend une multiplicité de rainures de patin 116 configurées pour coopérer avec des rainures de support 112 de façon à permettre à un agent de polissage (non représenté), par exemple une pâte, d'atteindre plus facilement un article qui est poli, par exemple une rondelle de semi-conducteur 120, lorsque le patin de polissage balaye sous le support 104. D'une manière générale, cette coopération entre les rainures de patin 116 et les rainures de support 112 se produit sous la forme de rainures des rainures de patin et des rainures de support qui s'alignent l'une avec l'autre le long d'au moins une partie du bord avant 124 lorsque le patin de polissage 100 et le support 104 sont entraînés en rotation dans des directions prédéterminées Dpad, Dcame,., respectivement. Pour cette description, l'alignement des rainures de patin et des rainures de support se réfère à une condition instantanée pendant le polissage où un passage continu est formé depuis la surface de patin de polissage à l'extérieur de l'anneau de support jusqu'au substrat à l'intérieur de l'anneau de support grâce au chevauchement de toute la longueur d'une rainure d'anneau de support sur au moins une partie de sa largeur avec une rainure de patin de polissage de telle sorte que la hauteur disponible du canal d'écoulement pour que l'agent de polissage passe depuis l'extérieur jusqu'à l'intérieur de l'anneau de support est plus grande que la hauteur de la rainure de support seule. L'alignement des rainures de patin 116 et des rainures de support 112 procure de manière efficace des passages d'écoulement plus grands sur l'anneau de support 108, du fait de l'addition des volumes de rainure des rainures respectives qui se produit lorsque les deux rainures sont en alignement, que ce qui se produirait sans cet alignement. Des détails de différentes géométries d'exemple de rainures de patin 116 sur le patin de polissage 100 afin de s'adapter à différentes géométries de rainures de support 112 sur l'anneau de support 108 sont décrits ci-dessous. Toutefois, avant de décrire la dérivation de la géométrie de rainures de patin 116 ou d'autres rainures similaires dans des variantes de formes de réalisation d'exemple, certaines des propriétés physiques du patin de polissage 100 sont décrites dans ce qui suit. Si l'on se réfère à la figure 2, et également à la figure 1, le patin de polissage 100 peut comprendre en outre une couche de polissage 128 ayant une surface de polissage 132. Dans un exemple, la couche de polissage 128 peut être supportée par une couche de support 136, qui peut être formée intégralement avec la couche de polissage 128 ou bien peut être formée séparément de la couche de polissage 128. Le patin de polissage 100 a de manière typique une forme de disque circulaire de telle sorte que la surface de polissage 132 a un centre concentrique O et une périphérie extérieure circulaire 140. Cette dernière peut être disposée à une distance radiale de O, comme cela est illustré par le rayon Rpad d'une longueur particulière.
Au moins une partie de la rainure compatible avec le support 116 a une forme radiale ou radiale courbe. Pour cette description, une forme radiale ou radiale courbe est tangente au rayon Rpad du patin de polissage 100 dans au moins un emplacement sur la longueur du Rpad. La couche de polissage 128 peut être fabriquée dans n'importe quelle matière appropriée pour le polissage de l'article qui est poli, tel qu'une rondelle de semi-conducteur, un article de support magnétique, par exemple un disque dur d'ordinateur ou une optique, par exemple une lentille de réfraction, une lentille de réflexion, un réflecteur plan ou un article plan transparent, entre autres. Des exemples de matières pour la couche de polissage 128 comprennent, par souci d'illustration et non pas de limitation, différentes matières plastiques polymères, telles que du polyuréthanne, polyuréthanne, du polybutadiène, du polycarbonate et du polyméthylacrylate, parmi de nombreux autres. Les rainures de patin 116 peuvent être disposées sur la surface de polissage 132 selon un nombre quelconque de manières appropriées. Dans un exemple, les rainures de patin 116 peuvent être le résultat de la répétition d'une unique forme de rainure de manière circonférentielle autour du centre concentrique O, par exemple en utilisant un pas angulaire constant. Dans un autre exemple, qui est représenté dans la figure 1, les rainures de patin 116 peuvent être disposées dans au moins un ensemble de rainures 144 qui est répété de manière circonférentielle autour du centre concentrique 0, par exemple à un pas angulaire constant. Dans un exemple, l'ensemble de rainures 144 comprend une multiplicité de rainures de patin individuelles 116 qui partagent une forme similaire, mais qui s'étendent sur différentes valeurs. Comme cela sera apprécié, du fait de la nature circulaire du patin de polissage 100, l'espacement entre de multiples rainures qui s'étendent depuis la proximité du centre concentrique O du patin près de ou jusqu'à la périphérie extérieure du patin et qui ont un pas angulaire constant augmente naturellement vers la périphérie extérieure du patin. Par conséquent, pour procurer un rainurage plus uniforme, dans certaines conceptions, il est souhaitable de prévoir le patin de polissage 100 avec davantage de rainures de patin 116 mais plus courtes lorsque l'espacement dépasse une certaine quantité. On appréciera facilement que plusieurs ensembles de rainures 144 peuvent être formés autour du centre concentrique 0, lorsque cela est souhaité. En outre, et en se référant à la figure 2 en plus de la figure 1, chaque rainure de la multiplicité de rainures 116 peut être formée dans la couche de polissage 128 de n'importe quelle manière appropriée, par exemple par fraisage, moulage etc. Chaque rainure de la multiplicité de rainures de patin 116 peut être formée avec une forme en coupe 148 comme cela est souhaité afin de s'adapter à un ensemble particulier de critères de conception. Dans un exemple, chaque rainure de la multiplicité de rainures de patin 116 peut avoir une forme en coupe rectangulaire, par exemple comme cela est représenté par la forme en coupe de rainure 148a (figure 2) . Dans un autre exemple, une forme en coupe 148 de chaque rainure de patin 116 peut varier sur la longueur de la rainure. Dans encore un autre exemple, la forme en coupe 148 peut varier d'une rainure de patin 116 à une autre. Dans encore un autre exemple, si de multiples ensembles de rainures 144 sont prévus, la forme en coupe 148 peut varier d'un ensemble de rainures à l'autre. Les gens du métier comprendront la large plage de formes en coupe qu'un concepteur a dans l'exécution de la forme en coupe 148 des rainures de patin 116. Si l'on se réfère maintenant à la figure 3, chaque rainure de patin 116 (figure 1) est pourvue d'une forme de rainure compatible avec le support 152 définie comme une fonction de la configuration de rainures de support 112. A un niveau élevé, la forme de rainure compatible avec le support 152 peut être définie par une multiplicité de points 156 qui décrivent la direction, l'emplacement et le contour de chaque rainure 116 correspondante. Chacun des points 156 peut être défini par un angle de rainure local 0 mesuré par rapport à un axe, tel que par exemple un axe horizontal 160 et un rayon de patin r mesuré à partir du centre concentrique O. Dans un exemple, la forme de rainure compatible avec le support 152 peut être définie sur la totalité, ou sensiblement la totalité, de la distance radiale de la surface de polissage 132, c'est-à-dire Rpad. Dans un autre exemple, la forme de rainure compatible avec le support 152 peut être définie par rapport à l'emplacement de l'article qui est poli, par exemple une rondelle 120. Dans encore un autre, la forme de rainure compatible avec le support 152 peut être définie à l'intérieur d'une partie d'une piste de polissage 164 sur la surface de polissage 132, c'est-à-dire la zone de la surface de polissage qui fait face à la rondelle 120, ou un autre article qui est poli, pendant le polissage. La piste de polissage 164 peut être définie par une limite intérieure 164a et une limite extérieure 164b. Les gens du métier apprécieront facilement que, bien que les limites intérieure et extérieure 164a, 164b soient globalement circulaires, ces limites peuvent être ondulées dans le cas d'un dispositif de polissage qui applique un mouvement orbital ou oscillant sur l'article poli et/ou le patin de polissage 100. Comme cela a été mentionné ci-dessus, la forme de rainure compatible avec le support 152 peut être déterminée comme une fonction de l'orientation des rainures de support 112, qui peuvent être considérées comme étant orientées sur l'anneau de support 108 d'une manière qui forme un angle local 0, avec un axe, tel que par exemple l'axe horizontal 160. Dans ce cas, dans lequel les rainures de support 112 sont orientées comme cela est représenté, l'angle local 0, de la rainure de support 112a est 0 , l'angle local 0, de la rainure de support 112b est de 45 et l'angle local Oc de la rainure de support 112c est de - 450. Les gens du métier reconnaîtront facilement comment déterminer l'angle local Oc pour les rainures restantes des rainures de support 112 représentées. L'angle local 0, des rainures de support de variantes d'anneaux de support ayant des variantes d'orientations de rainure de support peut facilement être déterminé de la même manière. En outre, chaque point le long de la partie, ou de la totalité, de chaque rainure de support 112 ayant une forme de rainure compatible avec le support 152 peut être décrit par un angle de support 0, mesuré par rapport au centre de rotation O' du support de rondelle 104 disposé sur l'axe horizontal 160, et sous-tendu par un rayon de support R, De manière typique, le rayon de support R, désigne le rayon extérieur de l'anneau de support 108 tel que mesuré depuis le centre de rotation O'. Les gens du métier apprécieront, cependant, que le rayon de support R, peut en variante désigner une distance radiale depuis le centre de rotation O' jusqu'à un autre emplacement sur l'anneau de support 108, tel que, par exemple, la largeur médiane de l'anneau de support 108 ou le rayon intérieur de l'anneau de support, comme cela est illustré sur la figure 3.
De manière typique, mais pas nécessairement, les rainures de support 112 peuvent être disposées de manière symétrique sur l'anneau de support 108. En général, un décalage fixe existe entre l'angle local 0, et l'angle de support q, de sorte que, par exemple quand l'angle local Oc est de 45 par rapport à l'axe horizontal 160, l'angle de support 0, peut être exprimé d'une manière générale par l'équation 1 ci-dessous. - 4 Equation {1} De plus, le rayon de patin r peut être exprimé comme une fonction de la distance radiale R, du rayon de support R, et de l'angle de support 0, comme cela est illustré dans l'équation 2 suivante. -VR2 - Re - 2RR, cos(0, + Ir) Equation {2} Il s'ensuit que l'angle local 0, peut être exprimé comme une fonction du rayon de patin r, du rayon de support Re et de la distance radiale R en combinant les équations 1 et 2 de façon à obtenir l'équation 3 suivante. r` 8 , =sin r - R2- Re 1 - 2RRc Equation {31 Comme cela a été décrit ci-dessus, un but de la forme de rainure compatible avec le support 152 est qu'elle s'aligne avec certaines des rainures de support 112 sur le bord avant 124 de l'anneau de support 108 en différents points sur sa longueur lorsque le support 104 et le patin de polissage 100 sont entraînés en rotation pendant le polissage. De cette manière, la hauteur globale de la rainure de patin 116 respective correspondante est augmentée efficacement par l'addition de la hauteur de la rainure de support 112 lorsque les deux rainures balayent au-delà l'une de l'autre. Dans cet exemple, l'alignement de la forme de rainure compatible avec le support 152 et de la rainure de support 112 sur le bord avant 124 de l'anneau de support 108 peut être obtenu en rendant l'angle de rainure local 0 égal à l'angle de support Globalement, cette équivalence peut être obtenue en prenant des étapes radiales incrémentales au niveau de l'angle de rainure local 0, comme cela est illustré dans l'équation 4 ci- dessous. d~
tanOC=rdr Equation {4} Ces étapes incrémentales peuvent être amenées à former une trajectoire de rainure continue en intégrant l'angle de rainure local 4 de O jusqu'à la périphérie extérieure 140 sur le rayon RPad. Cette intégration procure une forme de rainure compatible avec le support 152 sous la forme d'une série de points (r, 0) (non représentés) comme cela est prescrit par l'équation 5 ci-dessous. Chacune des rainures de patin 116 de la figure 1 est disposée selon l'équation 5 sur toute sa longueur, c'est-à-dire que la longueur totale de chaque rainure de patin est disposée en fonction de la forme de rainure compatible avec le support 152 de la figure 3. (u-* -u) 2RR, dr Equation {5} 's\ u- I -u 2 n2 n2 1 - u (u-1 -u) r 2 + -Ac" R2 H- r2 où u= Les figures 4 à 7 illustrent deux variantes de patins de polissage compatibles avec le support 200, 300 fabriquées selon les principes généraux discutés ci-dessus par rapport au patin de polissage 100 de la figure 1. D'une manière générale, ces formes de réalisation illustrent des formes de rainure compatible avec le support, et les rainures respectives correspondantes, qui résultent d'anneaux de support d'exemple qui comprennent des rainures de support ayant des angles locaux & autres que 45 par rapport à l'axe horizontal 160. Dans les formes de réalisation des figures 4 et 5, un support 204 comprend un anneau de support 208 ayant des rainures de support 212 ayantun angle local uniforme Oc de 0 par rapport à l'axe horizontal 160. Pour les rainures de support 212 illustrées (figure 4), la forme de 20 rainure correspondante compatible avec le support 216, déterminée en utilisant l'équation 5 est représentée dans la figure 4. Selon les principes généraux décrits ci-dessus, la forme de rainure compatible avec le support 216 peut être utilisée pour agencer une multiplicité de 25 rainures de patin 220 (figure 5) qui s'alignent avec les rainures de support 212 sur le bord avant 224 de l'anneau de support 208 lorsque le support 204 est entraîné en rotation et le patin de polissage 200 est entraîné en rotation dans la direction 228 représentée sur la figure 5. 30 On appréciera facilement que l'ensemble de rainures de eu 2RR, - II ' 2 , n2 RAZ -15 patin 220 de la figure 5 est le résultat de la répétition de la forme de rainure compatible avec le support 216 (figure 4) de manière circonférentielle autour du patin de polissage 200 à un pas angulaire constant. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, des rainures additionnelles, mais plus courtes, (non représentées) peuvent être prévues comme cela est souhaité afin de réduire l'espace entre des rainures adjacentes des rainures de patin 220. Ces rainures additionnelles peuvent comprendre ou non une forme de rainure compatible avec le support 216. Il est à noter que, comme les rainures de patin 116 de la figure 1, les rainures de patin 220 de la figure 5 ont une forme de rainure compatible avec le support 216 sur toutes leurs longueurs. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, ceci n'est pas nécessaire. Par exemple, il peut être souhaitable d'avoir seulement les deux tiers médians de la piste de polissage (voir la figure 3, élément 164) qui contiennent la forme de rainure compatible avec le support 216. Un autre exemple consiste à avoir une forme de rainure compatible avec le support 216 avec un alignement rainure de patin-rainure de support sur au moins 50% de la piste de polissage. Par exemple, la forme de rainure compatible avec le support 216 peut traverser au moins 50% à 80% de la piste de polissage. Dans ce cas, les parties de chaque rainure de patin 220 radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur de la partie de cette rainure qui a la forme de rainure 216, s'il y en a, peuvent être d'une forme quelconque souhaitée. D'autres aspects physiques du patin de polissage 200 peuvent être les mêmes que les aspects physiques décrits ci-dessus en rapport avec le patin de polissage 100. Si l'on se réfère maintenant aux figures 6 et 7, le support 304 de cette forme de réalisation comprend un anneau de support 308 ayant des rainures de support 312 ayant un angle local uniforme 0, de -45 par rapport à l'axe horizontal 160, c'est-à-dire un angle local 0, approximativement l'inverse de celui représenté dans la figure 1. Pour les rainures de support 312 illustrées, la forme de rainure compatible avec le support 316 correspondante déterminée en utilisant l'équation 5 est représentée dans la figure 6. De nouveau, selon les principes généraux décrits ci-dessus, la forme de rainure compatible avec le support 316 peut être utilisée pour agencer une multiplicité de rainures de patin 320 (figure 7) qui s'alignent avec les rainures de support 312 sur le bord avant 324 de l'anneau de support 308 lorsque le support 304 est entraîné en rotation et le patin de polissage 300 est entraîné en rotation dans la direction 328 représentée sur la figure 7. On appréciera facilement que l'ensemble de rainures de patin 320 de la figure 6 est le résultat de la répétition de la forme de rainure compatible avec le support 316 (figure 6) de manière circonférentielle autour du patin de polissage 300 à un pas angulaire constant. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, des rainures additionnelles, mais plus courtes, (non représentées) peuvent être prévues comme cela est souhaité afin de réduire l'espace entre des rainures adjacentes des rainures de patin 320. Ces rainures additionnelles peuvent comprendre ou non une forme de rainure compatible avec le support 316. Il est à noter que, comme les rainures de patin 116 de la figure 1, les rainures de patin 320 de la figure 7 ont une forme de rainure compatible avec le support 316 sur toutes leurs longueurs. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, ceci n'est pas nécessaire. Par exemple, il peut être souhaitable d'avoir seulement les deux tiers médians de la piste de polissage (voir la figure 3, élément 164) qui contiennent la forme de rainure compatible avec le support 316. Dans ce cas, les parties de chaque rainure de patin 320 radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur de la partie de cette rainure qui a la forme de rainure 316, s'il y en a, peuvent être d'une forme quelconque souhaitée. D'autres aspects physiques du patin de polissage 300 peuvent être les mêmes que les aspects physiques décrits ci-dessus en rapport avec le patin de polissage 100.
D'une manière générale, l'équation 5, ci-dessus, est basée sur la détermination de la forme de rainure compatible avec le support correcte sur la base des emplacements réels des rainures de support sur le bord avant de l'anneau de support. Par conséquent, l'équation 5 procure des formes de rainure compatibles avec le support extrêmement précises. Toutefois, il est à noter qu'il y d'autres manières de déterminer des formes de rainure compatibles avec le support satisfaisantes qui obtiennent les résultats souhaités d'augmentation de la quantité d'agent de polissage qui atteint l'article qui est poli en passant par le bord avant d'un anneau de support rainuré. Par exemple, et en revenant à la figure 3, une variante de forme de rainure compatible avec le support (non représentée) peut être déterminée approximativement en fonction de l'orientation des rainures de support 112 lorsque les rainures de support sont projetées depuis le bord avant 124 sur l'axe horizontal 160, par exemple, sous forme de rainures de support projetées 112a', 112b', 112c', 112d'. Dans cette variante, le rayon de patin r est exprimé d'une manière générale comme une fonction de la distance radiale R, du rayon de support R, et de l'angle de support 0, comme cela est illustrée dans l'équation 6 suivante. r = R + R, cos 0, Equation {6} Il s'ensuit que l'angle local 0, peut être exprimé comme une fonction du rayon de patin r, du rayon de support R, et de la distance radiale R en combinant les équations 1 et 2, comme cela est illustrée dans l'équation 7. R + cos 4 ~rREquation {7} Dans cette variante, l'intégration de l'angle de rainure local 0 de O jusqu'à la périphérie extérieure 140 sur le rayon RPad prescrit une forme de rainure compatible avec le support sous la forme d'une série de points (r, 0) (non représentés) définis par l'équation 8. Rp,,d Equation {8}
Les figures 8 à 13 illustrent trois variantes de patins de polissage compatible avec le support 400, 500, 600 fabriqués selon les principes généraux discutés ci-dessus en rapport avec le patin de polissage 100 de la figure 1 et qui ont des formes de rainure compatibles avec le support basées sur les emplacements projetés sur les rainures de support sur le bord avant de l'anneau de support. D'une manière générale, ces formes de réalisation illustrent des formes de rainure compatibles avec le support, et les rainures respectives correspondantes, qui résultent d'anneaux de support d'exemple. Si l'on revient aux dessins, les figures 8 et 9 illustrent une forme de réalisation ayant un support 404 qui comprend un anneau de support 408 ayant des rainures de support 412 ayant un angle local uniforme 0, de 0 par rapport à l'axe horizontal 160. Pour les rainures de support 412 illustrées, la forme de rainure compatible avec (r-R\2 r(r-R)-R/1 (r - R) +R,1 /1 .1 o R, ) dr r (r-R'.2 \. R, le support 416 correspondante déterminée en utilisant l'équation 8 est représentée dans la figure 8. De nouveau, selon les principes généraux décrits ci-dessus, la forme de rainure compatible avec le support 416 peut être utilisée pour agencer une multiplicité de rainures de patin 420 (figure 9) qui s'alignent avec les rainures de support 412 sur le bord avant 424 de l'anneau de support 408 lorsque le support 404 est entraîné en rotation et le patin de polissage 400 est entraîné en rotation dans la direction 428 représentée sur la figure 9. On appréciera facilement que l'ensemble de rainures de patin 420 de la figure 9 est le résultat de la répétition de la forme de rainure compatible avec le support 416 (figure 8) de manière circonférentielle autour du patin de polissage 400 à un pas angulaire constant. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, des rainures additionnelles, mais plus courtes, (non représentées) peuvent être prévues comme cela est souhaité afin de réduire l'espace entre des rainures adjacentes des rainures de patin 420. Ces rainures additionnelles peuvent comprendre ou non une forme de rainure compatible avec le support 416. Il est à noter que, comme les rainures de patin 116 de la figure 1, les rainures de patin 420 de la figure 9 ont une forme de rainure compatible avec le support 416 sur toutes leurs longueurs. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, ceci n'est pas nécessaire. Par exemple, il peut être souhaitable d'avoir seulement les deux tiers médians de la piste de polissage (voir la figure 3, élément 164) qui contiennent la forme de rainure compatible avec le support 416. Dans ce cas, les parties de chaque rainure de patin 420 radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur de la partie de cette rainure qui a la forme de rainure 416, s'il y en a, peuvent être d'une forme quelconque souhaitée. D'autres aspects physiques du patin de polissage 400 peuvent être les mêmes que les aspects physiques décrits ci-dessus en rapport avec le patin de polissage 100. Dans les formes de réalisation des figures 10 et 11, le support 504 comprend un anneau de support 508 ayant des rainures de support 512 ayant un angle local uniforme 0, de -45 par rapport à l'axe horizontal 160. Pour les rainures de support 512 illustrées (figure 10), la forme de rainure compatible avec le support 516 correspondante déterminée en utilisant l'équation 8 est représentée dans la figure 10. Selon les principes généraux décrits ci-dessus, la forme de rainure compatible avec le support 516 peut être utilisée pour agencer une multiplicité de rainures de patin 520 (figure 11) qui s'alignent avec les rainures de support 512 sur le bord avant 524 de l'anneau de support 508 lorsque le support 504 est entraîné en rotation et le patin de polissage 500 est entraîné en rotation dans la direction 528 représentée sur la figure 11. On appréciera facilement que l'ensemble de rainures de patin 520 de la figure 11 est le résultat de la répétition de la forme de rainure compatible avec le support 516 (figure 10) de manière circonférentielle autour du patin de polissage 500 à un pas angulaire constant. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, des rainures additionnelles, mais plus courtes, (non représentées) peuvent être prévues comme cela est souhaité afin de réduire l'espace entre des rainures adjacentes des rainures de patin 520. Ces rainures additionnelles peuvent comprendre ou non une forme de rainure compatible avec le support 516. Il est à noter que, comme les rainures de patin 116 de la figure 1, les rainures de patin 520 de la figure 10 ont une forme de rainure compatible avec le support 516 sur toutes leurs longueurs. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, ceci n'est pas nécessaire. Par exemple, il peut être souhaitable d'avoir seulement les deux tiers médians de la piste de polissage (voir la figure 3, élément 164) qui contiennent la forme de rainure compatible avec le support 516. Dans ce cas, les parties de chaque rainure de patin 520 radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur de la partie de cette rainure qui a la forme de rainure 516, s'il y en a, peuvent être d'une forme quelconque souhaitée. D'autres aspects physiques du patin de polissage 500 peuvent être les mêmes que les aspects physiques décrits ci-dessus en rapport avec le patin de polissage 100. Les figures 12 et 13 illustrent une autre forme de réalisation ayant un support 604 qui comprend un anneau de support 608 ayant des rainures de support 612 ayant un angle local uniforme 0, de 45 par rapport à l'axe horizontal 160. Pour les rainures de support 612 illustrées, la forme de rainure compatible avec le support 616 correspondante déterminée en utilisant l'équation 8 est représentée dans la figure 13. De nouveau, selon les principes généraux décrits ci-dessus, la forme de rainure compatible avec le support 616 peut être utilisée pour agencer une multiplicité de rainures de patin 620 (figure 13) qui s'alignent avec les rainures de support 612 sur le bord avant 624 de l'anneau de support 608 lorsque le support 604 est entraîné en rotation et le patin de polissage 600 est entraîné en rotation dans la direction 628 représentée sur la figure 13. On appréciera facilement que l'ensemble de rainures de patin 620 de la figure 13 est le résultat de la répétition de la forme de rainure compatible avec le support 616 (figure 12) de manière circonférentielle autour du patin de polissage 600 à un pas angulaire constant. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, des rainures additionnelles, mais plus courtes, (non représentées) peuvent être prévues comme cela est souhaité afin de réduire l'espace entre des rainures adjacentes des rainures de patin 620. Ces rainures additionnelles peuvent comprendre ou non une forme de rainure compatible avec le support 616. Il est à noter que, comme les rainures de patin 116 de la figure 1, les rainures de patin 620 de la figure 12 ont une forme de rainure compatible avec le support 616 sur toutes leurs longueurs. Bien sûr, dans d'autres formes de réalisation, ceci n'est pas nécessaire. Par exemple, il peut être souhaitable d'avoir seulement les deux tiers médians de la piste de polissage (voir la figure 3, élément 164) qui contiennent la forme de rainure compatible avec le support 616. Dans ce cas, les parties de chaque rainure de patin 620 radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur de la partie de cette rainure qui a la forme de rainure 616, s'il y en a, peuvent être d'une forme quelconque souhaitée. D'autres aspects physiques du patin de polissage 600 peuvent être les mêmes que les aspects physiques décrits ci-dessus en rapport avec le patin de polissage 100. Les figures 14 et 15 illustrent une forme de réalisation avec un alignement partiel entre le patin de polissage 700 et l'anneau de support 708 selon la forme de réalisation de l'équation 5. Le patin de polissage 700 contient de multiples ensembles de rainures 720 ayant des longueurs différentes afin d'augmenter l'uniformité de densité de rainure sur tout le patin de polissage. En particulier, les rainures de patin 720 se terminent à des distances radiales différentes du centre O du patin de polissage 700 afin de procurer une uniformité et empêcher les rainures de se chevaucher près du centre O. Pendant le polissage, trois conditions apparaissent entre les rainures de patin 720 et les rainures de support 712 comme suit premièrement, certaines rainures de patin 720A viennent en alignement complet avec des rainures de support 712A ; deuxièmement, certaines rainures de support 712B n'arrivent pas à s'aligner avec des rainures de patin 720 ; et troisièmement, certaines rainures de patin 720B n'arrivent pas à s'aligner avec des rainures de support 712. Du fait que le patin 700 et l'anneau de support 708 sont entraînés en rotation dans la direction 728, chaque rainure de support 712 bascule de manière périodique entre un alignement avec les rainures de patin 720 et l'absence d'alignement avec les rainures de patin 720. L'efficacité cette forme de réalisation est de permettre une augmentation partielle d'écoulement de pâte lorsque au moins une rainure s'aligne avec au moins une rainure d'anneau de support 712. En plus de cette forme de réalisation qui a un alignement complet sur une longueur de rainure, il est également possible d'utiliser cette configuration rainure de patin-rainure de support avec une forme de réalisation d'alignement seulement partiel sur la longueur de la rainure de patin, telle que celle qui ressort de l'équation 8. Les figures 16 et 17 illustrent une forme de réalisation avec un alignement périodique complet entre le patin de polissage 800 et l'anneau de support 808 selon la forme de réalisation de l'équation 5. Le patin de polissage 800 contient de multiples ensembles de rainures 820 ayant des longueurs différentes afin d'augmenter l'uniformité de densité de rainure sur tout le patin de polissage. En particulier, les rainures de patin 820 se terminent à des distances radiales différentes du centre O du patin de polissage 800 afin de procurer une uniformité et empêcher les rainures de se chevaucher près du centre O. Pendant le polissage, trois conditions apparaissent entre les rainures de patin 820 les rainures de support 812 comme suit tout d'abord, toutes les rainures de support 812 viennent simultanément en alignement complet avec des rainures de patin 820A, et ensuite, toutes les rainures de support 812 n'arrivent pas à s'aligner avec aucune des rainures de patin 820. Du fait que le patin 800 et l'anneau de support 808 sont entraînés en rotation dans la direction 828, toutes les rainures de support 812 basculent de manière périodique entre un alignement simultané avec les rainures de patin 820 et l'absence d'alignement simultané avec les rainures de patin 820. L'efficacité de cette forme de réalisation est de permettre une augmentation périodique ou pulsée d'écoulement de pâte lorsque toutes les rainures de support 812 s'alignent avec les rainures de patin 820. Cette forme de réalisation peut augmenter l'écoulement de pâte à des intervalles discrets à travers toutes les rainures de support de bord avant 812. Ce mode d'entrée de pâte peut être avantageux dans des systèmes CMP avec des chimies de pâte qui fonctionnent de manière plus favorable en présence de certains sous-produits chimiques ou lorsque des sauts périodiques d'augmentation de température contribuent à augmenter l'activité chimique ou les cinétiques de réaction. En plus de cette forme de réalisation qui a un alignement complet sur une longueur de rainure, il est également possible d'utiliser cette configuration rainure de patin-rainure de support avec une forme de réalisation d'alignement seulement partiel sur la longueur de la rainure de patin, telle que celle qui ressort de l'équation 8. La figure 18 illustre un dispositif de polissage 900 prévu pour une utilisation avec un patin de polissage 904, qui peut être l'un des patins de polissage 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 des figures 1 à 13 ou d'autres patins de polissage de la présente invention, afin de polir un article, tel qu'une rondelle 908. Le dispositif de polissage 900 peut comprendre un plateau 912 sur lequel est monté le patin de polissage 904. Le plateau 912 peut tourner autour d'un axe de rotation Al grâce à un dispositif d'entraînement de plateau (non représenté). Le dispositif de polissage 900 peut en outre comprendre un support de rondelle 920 qui peut tourner autour d'un axe de rotation A2 parallèle à, et espacé de, l'axe de rotation Al du plateau 912 et supporte la rondelle 908 pendant le polissage. Le support de rondelle 920 peut présenter une liaison articulée (non représentée) qui permet à la rondelle 908 de prendre un aspect très légèrement non parallèle à la surface de polissage 924 du patin de polissage 904, auquel cas les axes de rotation Al, A2 peuvent être légèrement décalés l'un par rapport à l'autre.
La rondelle 908 comprend une surface polie 928 qui fait face à la surface de polissage 924 et est aplanie pendant le polissage. Le support de rondelle 920 peut être supporté par un ensemble de support (non représenté) prévu pour entraîner en rotation la rondelle 908 et procurer une force vers le bas F afin de pousser la surface polie 924 contre le patin de polissage 904 de telle sorte qu'une pression souhaitée existe entre la surface polie et le patin pendant le polissage. Le dispositif de polissage 900 peut également comprendre une entrée d'agent de polissage 932 destinée à délivrer un agent de polissage 936 à la surface de polissage 924. Comme les gens du métier l'apprécieront, le dispositif de polissage 900 peut comprendre d'autres composants (non représentés) tels qu'un dispositif de commande de système, un système de stockage et de distribution d'agent de polissage, un système de chauffage, un système de rinçage et différentes commandes destinées à commander différents aspects du processus de polissage tels que : (1) des dispositifs de commande de vitesse et des sélecteurs pour une ou bien les deux vitesses de rotation de la rondelle 908 ou du patin de polissage 904; des dispositifs de commande et des sélecteurs destinés à modifier la vitesse et l'emplacement de sortie de l'agent de polissage 936 sur le patin; (3) des dispositifs de commande et des sélecteurs destinés à commander l'amplitude de la force F appliquée entre la rondelle et le patin de polissage, et (4) des dispositifs de commande, des dispositifs d'actionnement et des sélecteurs destinés à commander l'emplacement de l'axe de rotation A2 de la rondelle par rapport à l'axe de rotation Al du patin, entre autres. Les gens du métier comprendront comment ces composants sont construits et mis en oeuvre de telle sorte qu'une explication détaillée de ceux-ci n'est pas nécessaire pour que les gens du métier comprennent et mettent en oeuvre la présente invention. Pendant le polissage, le patin de polissage 904 et la rondelle 908 sont entraînés en rotation autour de leurs axes de rotation Al, A2 respectifs et l'agent de polissage 936 est distribué depuis l'entrée d'agent de polissage 932 sur le patin de polissage en rotation. L'agent de polissage 936 s'étale sur la surface de polissage 924, y compris l'espace entre la rondelle 908 et le patin de polissage 904. Le patin de polissage 904 et la rondelle 908 sont de manière typique, mais pas nécessairement, entraînés en rotation à des vitesses sélectionnées de 0,1 tour par minute à 750 tours par minute. La force F est de manière typique, mais pas nécessairement, d'une amplitude choisie afin d'induire une pression souhaitée de 6,9 à 103 kPa entre la rondelle 908 et le patin de polissage 904. L'alignement rainure de support-rainure de patin peut avoir pour résultat une augmentation substantielle de vitesse d'enlèvement de substrat. Cette augmentation de vitesse d'enlèvement permet à un opérateur d'utiliser moins de pâte pour obtenir une vitesse d'enlèvement équivalente à celles obtenues avec des rainures circulaires qui ne s'alignent pas de manière périodique avec des rainures de support.

Claims (10)

REVENDICATIONS
1. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) pour utilisation en liaison avec un anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) ayant au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) et un bord avant (124, 224, 324, 424, 524, 624, 724, 824) par rapport au patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) lorsque le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) et l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) sont utilisés pour le polissage d'au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) ayant une orientation par rapport à l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) ayant un rayon (RFad) s'étendant depuis un centre du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) et le rayon (RFad) ayant une longueur, le patin de polissage {100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) étant caractérisé en ce qu'il comporte a) une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage comprenant une surface de polissage circulaire ayant une piste de polissage annulaire pendant le polissage ; et b) au moins une rainure de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ayant une forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) à l'intérieur de la piste de polissage avec au moins une partie de la formede rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) qui est radiale ou radiale courbe et la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) qui est tangente à un rayon (Rp,d) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) dans au moins un emplacement sur la longueur du rayon (Rh,d), la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) étant déterminée comme une fonction de l'orientation de la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) de telle sorte que la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) s'aligne avec la au moins une rainure de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) au niveau d'une multiplicité d'emplacements le long de la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) lorsque la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) est sur le bord avant (124, 224, 324, 424, 524, 624, 724, 824) de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) pendant le polissage.
2. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) correspond à une courbe définie par Rp,d u + .\/1-u 2+ 2RR (2R, c - u u 1-u dr + r2 où u = 2RRC R étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'au centre de l'anneau de support (108, 208, 308, 30 408, 508, 608, 708, 808), R, étant le rayon de support de 0(r) J o u-J 2RRC rte+ R! -u (ul'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), Rpad étant le rayon du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800), et r étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'à un point sur la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616).
3. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) correspond à une courbe définie par RP,d r) (r-R)-R, ^, R, y dr 1- "r-R12 r R~ ) (r-R) +R, (r-e2 o R étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'au centre de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), R, étant le rayon de support de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), Rpad étant le rayon du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800), et r étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'à un point sur la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616).
4. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) traverse au moins 50% de la piste de polissage.
5. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le patin de polissage {100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) possède une multiplicité de rainures de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ayant une forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616), la multiplicité de rainures de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) étant dispersée de manière circonférentielle autour du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800).
6. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) conçu pour coopérer avec un anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) ayant au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) et un bord avant (124, 224, 324, 424, 524, 624, 724, 824) par rapport au patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) lorsque le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) et l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) sont utilisés pour le polissage d'au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la au moins une rainure de support {112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) ayant une orientation par rapport à l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) ayant un rayon (Rpad) s'étendant depuis un centre du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) et le rayon (Rpad) ayant une longueur, le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) étant caractérisé en ce qu'il comporte a) une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteuren présence d'un agent de polissage, la couche de polissage comprenant une surface de polissage circulaire ayant une piste de polissage annulaire pendant le polissage ; et b) au moins un ensemble de rainures de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ayant deux rainures de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ou plus, les deux rainures de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ou plus étant formées dans la couche de polissage et chacune des deux rainures de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ou plus ayant une forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) avec au moins une partie de la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) qui est radiale ou radiale courbe et la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) qui est tangente à un rayon (Rpad) du patin de polissage {100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) dans au moins un emplacement sur la longueur du rayon (Rpad) et la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) à l'intérieur de la piste de polissage s'alignant avec au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) comme une fonction de l'orientation de la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) lorsque la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) est disposée le long du bord avant (124, 224, 324, 424, 524, 624, 724, 824) de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) pendant le polissage.
7. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 6, caractérisé en ce que la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) correspond à une courbe définie par2RRc u2+ r2+R2-Rc2)" u2 dr ~1-u2 -( 2RRc ,%1-u2 (u-,11-u2) r r2+R2-Rc2 f R2+R2-r2 où u - 2RRC R étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'au centre de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), Rc étant le rayon de support de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), RPad étant le rayon du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800), et r étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'à un point sur la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616).
8. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 6, caractérisé en ce que la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) correspond à une courbe définie par RPad u e) = J RPad 1• (r-R)-R,1 /1 rr-R 2 Rc dr o R étant la distance radiale depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'au centre de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), Rc étant le rayon de support de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), RPad étant le rayon du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800), et r étant la distance radiale (r R)+R,1{1 'r-R\2 r R, )depuis un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) jusqu'à un point sur la forme de rainure compatible avec le support {152, 216, 316, 416, 516, 616).
9. Patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) selon la revendication 6, caractérisé en ce que la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) traverse au moins 50% de la piste de polissage.
10. Procédé de fabrication d'un patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) rotatif pour une utilisation avec un anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) ayant au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) et un bord avant (124, 224, 324, 424, 524, 624, 724, 824) par rapport au patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) lorsque le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) et l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) sont utilisés pour le polissage d'au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) ayant une orientation par rapport à l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808), le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) ayant un rayon (Rpad) s'étendant depuis un centre du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) et le rayon (Rpad) ayant une longueur, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend le fait de a) déterminer une forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) en alignement substantiel avec au moins une rainure de support {112, 212,312, 412, 512, 612, 712, 812) comme une fonction de l'orientation de la au moins une rainure de support {112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) lorsque la au moins une rainure de support (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) est disposée le long du bord avant (124, 224, 324, 424, 524, 624, 724, 824) de l'anneau de support (108, 208, 308, 408, 508, 608, 708, 808) pendant le polissage, et b) former dans le patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) rotatif au moins une rainure de patin (116, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820) ayant la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) avec au moins une partie de la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) qui est radiale ou radiale courbe et la forme de rainure compatible avec le support (152, 216, 316, 416, 516, 616) qui est tangente à un rayon (Rpad) du patin de polissage (100, 200, 300, 400, 500, 600, 800) dans au moins un emplacement sur la longueur du rayon (Rpad).
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
US8062103B2 (en) 2008-12-23 2011-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate groove pattern
US8057282B2 (en) * 2008-12-23 2011-11-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate polishing method
TWI492818B (zh) * 2011-07-12 2015-07-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊、研磨方法以及研磨系統
US9421669B2 (en) * 2012-07-30 2016-08-23 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Single grooved polishing pad
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2883802A (en) * 1956-09-24 1959-04-28 Crane Packing Co Method of and apparatus for lapping shoulders
US5081051A (en) * 1990-09-12 1992-01-14 Intel Corporation Method for conditioning the surface of a polishing pad
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5664987A (en) * 1994-01-31 1997-09-09 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization
JPH07237120A (ja) * 1994-02-22 1995-09-12 Nec Corp ウェーハ研磨装置
US5695392A (en) * 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
JP3453977B2 (ja) * 1995-12-28 2003-10-06 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨装置
JP3006568B2 (ja) * 1997-12-04 2000-02-07 日本電気株式会社 ウエハ研磨装置および研磨方法
JP2001298006A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Ebara Corp 研磨装置
US6386962B1 (en) * 2000-06-30 2002-05-14 Lam Research Corporation Wafer carrier with groove for decoupling retainer ring from water
TWI289494B (en) * 2002-01-22 2007-11-11 Multi Planar Technologies Inc Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface for slurry distribution
US6869335B2 (en) * 2002-07-08 2005-03-22 Micron Technology, Inc. Retaining rings, planarizing apparatuses including retaining rings, and methods for planarizing micro-device workpieces
US6869348B1 (en) * 2003-10-07 2005-03-22 Strasbaugh Retaining ring for wafer carriers
US7125318B2 (en) * 2003-11-13 2006-10-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption
JP2006147773A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
US7059949B1 (en) * 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement
US7001248B1 (en) * 2004-12-29 2006-02-21 Industrial Technology Research, Institute Fine tilting adjustment mechanism for grinding machine

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