FR3060023A1

FR3060023A1 - Procede d'integration de materiaux 2d sur un substrat nanostructure, filme mince suspendu de materiaux 2d et utilisations associes.

Info

Publication number: FR3060023A1
Application number: FR1670741A
Authority: FR
Inventors: Gilles Lerondel; Hyun Jeong; Anisha Gokarna
Original assignee: Universite de Technologie de Troyes
Current assignee: Universite de Technologie de Troyes
Priority date: 2016-12-09
Filing date: 2016-12-09
Publication date: 2018-06-15
Also published as: WO2018116048A1; EP3551788A1

Abstract

L'invention concerne un procédé d'intégration des matériaux bidimensionnels sur un substrat nanostructuré caractérisé par les étapes suivantes : - fabriquer des matériaux bidimensionnels par au moins une technique de fabrication connue pour lesdits matériaux bidimensionnels ; - transférer lesdits matériaux bidimensionnels, obtenus à l'étape précédente, sur un substrat nanostructuré synthétisé, ledit substrat nanostructuré est choisi de tel sorte qu'une surface de contact entre lesdits matériaux bidimensionnels et ledit substrat nanostructuré soit minimisée. L'invention concerne en outre les films minces entièrement suspendus obtenus par le procédé ci-dessus ainsi que l'utilisation de films minces suspendus dans des différents domaines comme l'électroniques, optoélectroniques, photovoltaïque et les circuits intégrés, etc...

Description

DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION [0001] L’invention se rapporte au domaine d’intégration des matériaux 2D. Plus particulièrement, l’invention concerne un procédé d’intégration des matériaux 2D sur un substrat nanostructuré. L’invention concerne également la fabrication des films entièrement suspendus ainsi que l’utilisation desdits films suspendus dans les différentes technologies.

[0002] Un matériau bidimensionnel, parfois appelé matériau monocouche ou matériau 2D, est un matériau constitué d'une seule (ou quelques) couche d'atomes ou de molécules. En raison de leurs caractéristiques inhabituelles et pour une potentielle utilisation dans des applications telles que le semi-conducteur, le photovoltaïque,...

ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE [0003]Les matériaux 2D d’épaisseur atomique présente des propriétés (absorption, conduction électrique et thermique) uniques et permet d’envisager un ensemble de dispositifs ultrafins, ultralégers flexibles etc... cependant l’épaisseur de ces matériaux leurs confèrent une très grande sensibilité à l’environnement. Le simple fait de déposer ces matériaux sur un substrat modifie leur propriétés intrinsèques (ex : échange de charges). Cela est lié à la surface de contact qui fait que chaque atome du matériau 2D est en contact avec le substrat.

[0004] Depuis quelques années les nouveaux matériaux bidimensionnels: dichalcogénures de métaux de transition font l’objet d’études importantes. Les progrès spectaculaires sur le contrôle des propriétés électroniques du graphène ont en effet puissamment stimulé la recherche de nouveaux matériaux bidimensionnels (2D). Les monocouches de Dichalcogénures de Métaux de Transition tels que MoS₂(et ses cousins MoSe₂, WS₂, WSe₂...) sont apparues très récemment comme des nanostructures très prometteuses pour des applications variées à la fois dans le domaine de l’optique et de l’électronique. En parallèle, les connaissances sur le

Nitrure de Bore et les Hétérostructures de Van der Waals, constituant l’empilement de différents matériaux 2D, progressent très rapidement.

[0005] Document « Nanoscale Intégration of Two-Dimensional Materials by Latéral Heteroepitaxy, Nano Lett., 2014.. >> enseigne la fabrication par voie ascendante de nanostructures 2D. LTintégration des matériaux dans les hétérostructures avec de nouvelles propriétés différentes de celles des constituants. Les résultats ne sont obtenus que sur un substrat approprié. Ce document donne une méthode pour la construction de nanohétéro-structures à partir d’une large gamme de matériaux 2D.

[0006] Concernant l’exaltation de propriétés optiques de matériaux 2D après intégration sur structures photoniques, le document « Two-dimensional material nanophotonics. Nat Photon 2014, 8, 899-907 >> décrit deux approches pour améliorer les interactions des matériaux bidimensionnels avec la lumière : - par leur intégration avec des structures photoniques externes et - par des résonances polaritoniques intrinsèques. Le phosphore noir a été présenté comme un matériau stratifié à bandes étroites, qui relie ponctuellement l'intervalle d'énergie entre le graphène à bande nulle et les dichalcogénures de métal de transition à large bande interdite.

[0007] Document « Parallel Stitching of 2D Materials. Adv Mater 2016, 28, 23222329» décrit, l’intégration à grande échelle de matériaux 2D par croissance sélective, dans lequel, diverses hétérostructures 2D à piqûre parallèle, y compris le métalsemiconducteur, le semiconducteur-semiconducteur et l'isolant-semiconducteur, sont synthétisées directement par croissance sélective. La méthodologie permet la fabrication à grande échelle d'hétérostructures latérales.

[0008] En ce qui concerne, l’intégration de matériaux 2D sur substrats lithographiés à l’échelle microscopique : On obtient dans ce cas des zones suspendues de taille relativement petite mais l’ensemble de la couche n’est pas suspendue. Les documents « Local Strain Engineering in Atomically Thin MoS2, Nano Lett., 2013, 13 (11), pp 5361-5366 “ ainsi que “Exciton Dynamics in Suspended Monolayer and Few-Layer MoS2 2D Crystals, ACS Nano, 2013, 7 (2), pp 1072-1080”.

[0009]Aucun documents ou références sur la possibilité d’obtenir des films entièrement suspendus n’est enseigné. Aucun des documents ne donne une méthode de transfert des matériaux 2D sur des nanostructures de sorte que les caractéristiques intrinsèques desdits matériaux 2D ne soient pas modifiées.

EXPOSE DE L’INVENTION [0010] L’objet de la présente invention est de montrer une solution au problème de minimisation de surface de contact des matériaux 2D avec un substrat lors de leur intégration sur lesdits substrats et ainsi de fabriquer les couches de matériaux 2D entièrement suspendues.

[0011] La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients de l’état de la technique et concerne plus particulièrement à un procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels sur un substrat nanostructuré caractérisé par les étapes suivantes :

A) fabriquer des matériaux bidimensionnels par au moins une technique de fabrication connue pour lesdits matériaux bidimensionnels ;

B) transférer lesdits matériaux bidimensionnels, obtenus à l’étape précédente, sur un substrat nanostructuré synthétisé, ledit substrat nanostructuré est choisi de tel sorte qu’une surface de contact entre lesdits matériaux bidimensionnels et ledit substrat nanostructuré soit minimisée.

De plus, les matériaux bidimentionnels sont fabriqués par une méthode de dépôt comprenant les étapes suivantes :

A1) fabrication des matériaux bidimensionnels par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat SiO2 ;

A2) dépôt d’une couche de PMMA sur lesdits matériaux bidimensionnels obtenus à l’étape précédente ;

A3) gravure du substrat SIO2 dans une solution diluée d’acide fluorhydrique, HF ; et en ce que le transfert desdits matériaux, couvert de PMMA, obtenus à étape précédente, sur un substrat nanostructuré comprend en outre les étapes suivantes :

B1) retrait du PMMA à l’aide d’une solution acétone ;

B2) séchage desdits matériaux bidimensionnels afin d’éliminer les couches résiduelles de PMMA.

[0012] En outre, les matériaux bidimensionnels sont fabriqués par une technique d’exfoliation dans un environnement inert ; et en ce que le transfert desdits matériaux bidimensionnels obtenus par exfoliation sur un substrat nanostructuré synthétisé consiste en une seule étape de dépôt desdits matériaux bidimensionnels sur ledit substrat nanostructuré synthétisé.

[0013] De préférence, le substrat nanostructuré est du type de nanofils de ZnO, d’oxyde de zinc, ledit substrat nanostructuré est synthétisé par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, CVD, sur un substrat SiO2 ou par toutes autres technologies de croissance des nanofils de ZnO.

[0014]Avantageusement, les nanofils de ZnO synthétisés sont désordonnés et de tailles variables de sorte à minimiser la surface de contact avec les matériaux bidimensionnels obtenus.

[0015] De préférence, les nanofils de ZnO présentent un diamètre inférieur à 100 nm.

[0016] Selon l’invention, les matériaux bidimensionnels sont soit du sulfure de molybdène, MoS2, soit du sulfure de tungstène,WS2 soit du diselenide de Tungsten, WSe2.

[0017] De manière générale, les matériaux bidimensionnels peuvent être n’importe quels matériaux rigides ou encore du Graphène.

[0018] L’invention concerne également un film mince suspendu obtenu par le transfert des matériaux 2D sur des nanofils de ZnO, selon le procédé ci-dessus. Ledit film suspendu est caractérisé en ce que les matériaux bidimensionnels sont soit du sulfure de molybdène, MoS2, soit du sulfure de tungstène, WS2 soit du diselenide de tungsten, WSe2, soit du Graphène.

[0019]L’invention concerne encore l’utilisation de films minces suspendus de matériaux 2D dans des domaines de l’électronique et/ou de l’optoélectronique et/ou de thermique et/ou photonique.

[0020]L’invention concerne encore l’utilisation de films minces suspendus de matériaux 2D dans des domaines de catalyse et/ou dans des surfaces ultrasensibles.

BREVE DESCRIPTION DES FIGURES [0021] D’autres caractéristiques, détails et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description qui suit, en référence aux figures annexées, qui illustrent :

la figure 1 illustre le concept et la fabrication des matériaux 2D suspendus selon le procédé objet de la présente invention ;

la figure 2 illustre les propriétés optiques exaltés et structures de bandes associées;

la figure 3 illustre l’image obtenue par MEB des couches intégrés suspendues ;

les figures 4A et 4B illustrent le concept de substrat actif.

[0022] Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures.

DESCRIPTION DETAILLEE D’UN MODE DE REALISATION [0023] Les matériaux bidimensionnelles (2D), sont des semi-conducteurs atomiquement minces constitués de métaux de transition m- (Mo, W, Sn, etc.) liés de manière covalente à des chalcogènes X- (S, Se, Te). Le groupe monocouche des matériaux bidimensionnelle avec formule chimique MX2. (M = Mo, W, X = S, se) sont des matériaux prometteurs pour la fabrication des photodétecteurs ultraminces, des systèmes photovoltaïques, etc,... Cependant, les propriétés optiques et cristallines de ces matériaux 2D intégrés sur des substrats plans ne sont toujours pas satisfaisantes pour une application. Le simple fait de déposer ces matériaux sur un substrat modifie leur propriétés intrinsèques (ex : échange de charges). Cela est lié à la surface de contact qui fait que chaque atome du matériau 2D est en contact avec le substrat.

[0024] La présente invention vise à contourner ce problème de modification de caractéristiques intrinsèques desdits matériaux 2D lorsqu’ils sont transférés sur un substrat, en proposant de minimiser la surface de contact à l’aide de substrats nanostructurés (tapis de fakir). Pour ce faire il est proposé un procédé d’intégration des matériaux 2D sur un substrat nanostucturé. La première étape du procédé consiste au développement ou culture des matériaux 2D par dépôt chimique en phase vapeur sur des substrats SiO2/Si. De même, les matériaux 2D peuvent aussi être obtenus par simple exfoliation et dans ce cas simplement déposés sur un substrat SiO2/Si. Lesdits matériaux 2D sont soit du sulfure de molybdène, MoS2, soit du sulfure de tungstène, WS2 soit du diséléniure de tungstène, WSe2. L’étape suivante consiste à déposer une couche de PMMA sur lesdits matériaux bidimensionnels crus à l’étape précédente. La couche de PMMA sert à soutenir la monochouche lors de la gravure chimique du SiO2. Ensuite le substrat SiO2 est gravé dans une solution d’acide fluorhydrique (HF), diluée. L’étape suivante consiste à transférer lesdits matériaux 2D, recouvert de PMMA, sur des nanofils de ZnO synthétisé sur un substrat (Si, SiO2...). Pour retirer le PMMA, une solution acétone a été utilisée. Ensuite les matériaux 2D ont été séchés à 80° C pour éliminer la couche résiduelle de PMMA.

[0025]A noter que la croissance des nanofils de ZnO sur le substrat de silicium a été réalisée en adoptant une technique de dépôt chimique. Tout d'abord, 0,025 M d'acétate de zinc a été dissous dans 250 ml d'eau; Puis on ajoute 0,3 ml d'hydroxyde d'ammonium à la solution et on agite à température ambiante. La synthèse a été réalisée en l'absence de catalyseurs ou d'additifs métalliques. Le mélange a été chauffé à 87 °C. L'échantillon constitué d'une couche de ZnO préalablement déposée sur un substrat de silicium a été immergé dans la solution pendant 30 min. Ensuite, l'échantillon a été lavé à l'eau et séché à l'air pendant 1 heure.

[0026]A notre que pour obtenir des nanofils, toutes autres techniques de croissance peuvent être utilisés dès l'instant où on obtient des fils de diamètres assez petits.

[0027] Figure 1 montre les schémas tridimensionnels du processus de transfère simplifié de matériaux bidimensionnels sur des nanofils de ZnO. Fig. 1a, 1b et 1c illustrent le MoS2, WS2 et WSe2 sur les nanofils de ZnO respectivement. Les matériaux bidimensionnels ont été transférés sur les nanofils de ZnO par une méthode de transfert en phase vapeur. Fig.ld, fig. 1(e) et fig. 1f sont les schémas 3D agrandi de matériaux, MoS2, WS2 et WSe2 sur les Nanofils de ZnO respectivement. Des images MEB en fig. 1g, fig.lh et 1i, montrent que lesdits matériaux 2D sont partiellement soutenus par les Nanofils. Fig.1 j montre le contact entre les matériaux 2D et les nanofils. On remarque que le contact se produit seulement au bord des nanofils de ZnO. Fig 1k montre le spectre de l’intensité photoluminescence desdits matériaux 2D sur des nanofils de ZnO, à température ambiante.

[0028] L’analyse Raman montre que la couche de matériau 2D est exempt de contraintes et est entièrement relaxée. Cela est due au nombre limité de points de contact qui s’explique en partie par le fait que les nanofils ne sont pas tous exactement de la même longueur et légèrement désorienté par rapport à l’axe vertical (figure 1).

[0029]Le but est donc d’intégrer la couche mince matériau 2D sans modifier sa structure électronique. Le facteur d’éxaltation observé en émission s’explique par le caractère direct de la transition électronique. Le même matériau 2D déposé sur un substrat plan SiO2 devient inefficace optiquement et cela s’explique par la nature indirecte des transitions électroniques. On parle ici de l’émission mais l’absorption est également modifiée.

[0030] Le matériau final intégré sur le substrat de nanofils de ZnO présente des propriétés optiques préservées comme le montre la figure 2.

[0031] Figure 2 montre les propriétés optiques et structures des bandes associées. Pour vérifier les propriétés optiques, les intensités de photoluminescence ont été mesurées à température ambiante. La position du signal PL (photoluminescence) est étroitement liée à la nature de la bande interdite, à savoir, il révèle d’une transition directe ou indirecte. Les spectres PL du MoS2, WS2 et WSe2 sur les nanofils de ZnO sont représentés sur les figures 2a, 2b et 2c, respectivement, conjointement avec les spectres PL des mêmes matériaux 2D déposées sur les substrats de SiO2. Lesdits spectres PL des matériaux 2D sur les nanofils de ZnO sont représentés par la couleur grise et sur le substrat SiO2 il est représenté par la couleur noir. Les spectres d’énergie des matériaux MoS2, WS2 et WSe2 sur les nanofils de ZnO et sur substrat de SiO2 sont représentés sur les figures 2d, 2e et 2f. Les figures 2g, 2h et 2i représentent les diagrammes de bande d'énergie montrant les transitions optiques des matériaux 2D sur les nanofils et sur le substrat SiO2. Les traits pleins et pointillés indiquent de matériau 2D sur les nanofils et sur le SiO2, respectivement. Le maximum de la bande de valence pour MoS2 et WS2 sur les Nanofils correspond au minimum de la bande de conduction, ce qui entraîne une meilleure intensité de

PL à une augmentation de la largeur de bande lorsque la couche est détendue, comme illustré sur la figure 2g et 2h. De l'analyse PL des matériaux 2D sur les nanofils de ZnO, nous en déduisons que lesdits matériaux 2D sur les nanofils se comportent presque comme un film suspendu.

[0032] On déduit que le transfert des matériaux 2D sur des nanofils de ZnO permet de minimiser la surface de contact. Pour plus encore minimiser la surface de contact un certain désordre sur l’orientation et la taille des plots est introduit. On obtient ainsi des lignes voir des points de contact en nombre très limité dont l’effet sur les propriétés des matériaux 2D peut être négligé.

[0033] L’analyse MEB révèle que le contact se fait au niveau des bords des nanofils (lignes blanche sur la figure 3).

[0034] Comme le montre la figure 3, l’effet est observé quel que soit le matériau 2D. Déjà démontré sur un certain nombre de matériaux comme le MoS2 le procédé proposé dans la présente invention peut être étendu à tout type de matériaux à condition qu’il soit suffisamment rigide. S’agissant d’un effet purement géométrique d’autres substrats peuvent être également considérés.

[0035] On parle ici de facteur d’exaltation par rapport au même matériau contraint déposé sur une couche mince de SiO2.

[0036] Les intensités PL des matériaux 2D peuvent être affectées par plusieurs facteurs tels que le dopage et la qualité cristalline. Dans la présente invention l’influence de la qualité cristalline peut être exclue parce que nous avons déposé les matériaux 2D identiques sur un substrat SiO2 et sur les nanofils de ZnO. Par contre possible l’effet du dopage des matériaux 2D par contact avec ZnO ne peut être exclu parce que la fonction de travail de ZnO est supérieure à l'affinité électronique de tous les matériaux 2D. Par conséquent, les électrons photoexcitées de matériaux 2D pourraient être transférés à ZnO au point de contact. Toutefois, nous avons remarqué que les intensités PL de matériaux 2D tels que MoS2 et WS2 ne sont pas plus de 3 fois augmentée de transfert de charge. Par ailleurs, l'intensité PL de WSe2 est diminuée par transfert d'électrons photoexcitée. Cela signifie que le transfert de charge se produisant dans les matériaux 2D sur les nanofils de ZnO a un effet mineur.

[0037]On peut imaginer le processus suivant: Modification des propriétés de la couche mince déposé (cf. l’analogie avec les semiconducteurs dopés). Le procédé de croissance permet d’obtenir un lingot pur et l’on vient ensuite ajouter des dopants pour contrôler le type et le niveau de dopage.

[0038] Cela amène au concept de substrat actif. Par le biais des fils on peut injecter ou piéger des électrons et modifier ainsi le dopage de la couche de matériau 2D. La nature du dopant est contrôlée par le substrat ; exemple de réseaux de nanofils de matériaux type p ou n ou encore métallisation des nanofils de ZnO avec une couche d’or. L’idée du substrat actif est illustrée sur les figures 4A et 4B, le type de dopage étant relié à la différence de niveau d’énergie entre le matériau 2D et celui des nanofils. La figure 4A illustre le dopage n : injection d’électron du nanofil vers le matériau 2D. la figure 4B illustre le dopage p : transfert d’électron du matériau 2D vers le nanofil.

[0039] La solution proposée par la présente invention est simplement limitée par la taille de la couche du matériau 2D. En effet, les substrats de nanofils de ZnO peuvent être obtenus sur des surfaces centimétriques voir métriques (croissance chimique en solution).

[0040]Avantage de la combinaison de matériau 2D avec les nanofils de ZnO est prometteur pour l'optoélectronique intégrée. En effet, l’oxyde de zinc (ZnO) est un semi-conducteur de la bande interdite directe avec un large intervalle de bande de 3,2 eV.

[0041] A noter que le procédé objet de la présente invention peut être étendu au Graphène ou à n’importe quels matériaux 2D suffisamment rigides.

[0042] L’invention concerne ainsi un film mince suspendu obtenu par le transfert des matériaux 2D sur des nanofils de Zno. Le film mince suspendu est obtenu par le procédé objet de la présente invention décrite ci-dessus. Les matériaux 2D utilisé pour le transfert sur les nanofils de ZnO sont du type sulfure de molybdène, MoS2, ou du sulfure de tungstène, WS2 ou du diséléniure de tungsten, WSe2. Lesdits matériaux 2D sont obtenus par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat SiO2 ou encore simplement exfoliés.

[0043] Le développement de cette technologie bas coût compatible avec une production en masse des matériaux 2D (on obtient aujourd’hui des surfaces centimétriques voir métriques) et à très grande échelle ouvre de nombreuses perspectives d’applications dans plusieurs domaines comme de (électronique, optoélectronique et photonique, thermique...).

[0044] La seule technologie proposée aujourd’hui consiste à déposer le matériau 2D sur un substrat micro-perforé obtenu par lithographie. On obtient dans ce cas des zones suspendues et non suspendues. On ne peut donc parler de couches entièrement suspendues.

[0045]L’invention concerne en outre l’utilisation de films minces suspendus de matériaux 2D dans des domines électronique et/ou optoélectronique et/ou thermique et/ou photonique.

[0046] L’invention concerne encore l’utilisation de films minces suspendus de matériaux 2D dans des domaines de catalyse et/ou dans des surfaces ultrasensibles.

[0047] De nombreuses combinaisons peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l’invention ; l’homme de métier choisira l’une ou l’autre en fonction des contraintes économiques, ergonomiques, dimensionnelles ou autres qu’il devra respecter.

Claims

REVENDICATIONS

1. Procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels sur un substrat nanostructuré caractérisé par les étapes suivantes :

A) fabriquer des matériaux bidimensionnels par une méthode de fabrication pour lesdits matériaux bidimensionnels ;

B) transférer lesdits matériaux bidimensionnels, obtenus à l’étape précédente, sur un substrat nanostructuré synthétisé, ledit substrat nanostructuré est choisi de tel sorte qu’une surface de contact entre lesdits matériaux bidimensionnels et ledit substrat nanostructuré soit minimisée.
2. Procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels sur un substrat nanostructuré selon la revendication 1 caractérisé en ce que les matériaux bidimensionnels sont fabriqués par une méthode de dépôt comprenant les étapes suivantes :

A1) fabrication des matériaux bidimensionnels par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat SiO2 ;

A2) dépôt d’une couche de PMMA sur lesdits matériaux bidimensionnels obtenus à l’étape précédente ;

A3) gravure du substrat SIO2 dans une solution diluée d’acide fluorhydrique, HF ; et en ce que le transfert desdits matériaux, couvert de PMMA, obtenus à étape précédente, sur un substrats nanostructuré comprend en outre les étapes suivantes ;

B1) retrait du PMMA à l’aide d’une solution acétone ;

B2) séchage desdits matériaux bidimensionnels afin d’éliminer les couches résiduelles de PMMA.
3. Procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels sur un substrat nanostructuré selon la revendication 1 caractérisé en ce que les matériaux bidimensionnels sont en outre fabriqués par une technique d’exfoliation dans un environnement inert ; et en ce que le transfert desdits matériaux bidimentionnels obtenue par exfoliation sur un substrat nanostructuré synthétisé consiste en une seule étape de dépôt desdits matériaux bidimensionnels sur ledit substrat nanostructuré synthétisé.
4. Procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels selon la revendication 1 dans lequel le substrat nanostructuré est de nanofils de ZnO, d’oxyde de zinc, ledit substrat est synthétisé par un procédé de dépôt en phase vapeur sur un substrat SiO2 ou par la croissance de nanofils de ZnO.
5. Procédé d’intégration selon la revendication 4 dans lequel les nanofils de ZnO sont désordonnés et de tailles variables de sorte à minimiser la surface de contact avec les matériaux bidimensionnels obtenus.
6. Procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les nanofils de ZnO présentent un diamètre inférieur à 100 nm.
7. Procédé d’intégration des matériaux bidimensionnels selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que les matériaux bidimensionnels sont soit du sulfure de molybdène, MoS2, soit du sulfure de tungstène,WS2 soit du diselenide de Tungsten, WSe2.
8. Procédé d’intégration selon la revendication 1 dans lequel les matériaux bidimensionnels peuvent être des matériaux rigides.
9. Procédé d’intégration selon la revendication 1 dans lequel les matériaux bidimensionnels est du Graphène.
10. Film mince suspendu obtenu par le procédé de transfert de matériaux 2D sur un substrat nanostructuré selon l’une des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que le substrat nanostaructuré est un substrat de nanofils de ZnO.
11. Film mince suspendu de matériaux 2D selon la revendication 10 dans lequel les matériaux bidimensionnels sont soit du sulfure de molybdène, MoS2, soit du sulfure de tungstène, WS2 soit du diséléniure de Tungstène, WSe2, soit du Graphène, lesdits matériaux sont obtenus par le dépôt en phase vapeur sur un substrat SiO2.
12. Utilisation du film mince suspendu de matériaux 2D selon les revendications 10 et 11 dans des domaines électronique et/ou optoélectronique et/ou thermique et/ou photonique.
13. Utilisation du film mince suspendu de matériaux 2D selon les revendications 10 et 11 dans des domaines de catalyse et/ou dans des surfaces ultrasensibles.

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