FR2961948A1 - Procede de traitement d'une piece en materiau compose - Google Patents

Procede de traitement d'une piece en materiau compose Download PDF

Info

Publication number
FR2961948A1
FR2961948A1 FR1055002A FR1055002A FR2961948A1 FR 2961948 A1 FR2961948 A1 FR 2961948A1 FR 1055002 A FR1055002 A FR 1055002A FR 1055002 A FR1055002 A FR 1055002A FR 2961948 A1 FR2961948 A1 FR 2961948A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
temperature
particles
workpiece
application
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1055002A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2961948B1 (fr
Inventor
Michel Bruel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Priority to FR1055002A priority Critical patent/FR2961948B1/fr
Priority to US13/111,748 priority patent/US9048288B2/en
Publication of FR2961948A1 publication Critical patent/FR2961948A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2961948B1 publication Critical patent/FR2961948B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

La présente invention se rapporte à un procédé de traitement d'une pièce (1) en un matériau de composition Al Ga ln N où 0≤X≤1, 0≤y≤1 et x+y≤1, se caractérise essentiellement en ce qu'il comprend : l'application d'un flux impulsionnel (3) de particules sur une face de ladite pièce (1) dans des conditions sensiblement adiabatiques, la durée et l'intensité dudit flux impulsionnel étant choisies de manière à échauffer sélectivement une zone (2) de la pièce située à une profondeur déterminée par rapport à ladite face, à une température supérieure à la température de décomposition dudit matériau ; - retour à la température ambiante de la zone échauffée (2) ; - détachement d'une couche (4) du reste de ladite pièce, au niveau de la zone échauffée (2).

Description

PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE PIECE EN MATERIAU COMPOSE
DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de traitement d'une pièce en un matériau composé, à savoir un matériau de composition AIXGayln1_X_yN, dans laquelle 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1.
ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Les semi-conducteurs du type III-N, c'est-à-dire de formule générale Al Gayln,_X_yN où 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1, et en particulier le GaN, présentent des caractéristiques qui les rendent très attractifs pour le domaine optoélectronique, les composants de puissance et les applications radiofréquence.
Cependant, le développement de ces applications est freiné par des limites technico- économiques des substrats d' Al Gayln,_X_yN, qui ne sont pas largement disponibles. La réalisation de dispositifs peut alors avantageusement être envisagée sur un substrat formé par transfert, sur un substrat support, d'une couche mince prélevée dans un substrat donneur, qui est un substrat en matériau III-N de haute qualité et adapté pour l'application visée. La faible disponibilité des substrats d' Al Gayln,_X_yN est alors compensée par la possibilité d'utiliser, à plusieurs reprises, le substrat donneur. Le procédé Smart-CutTM est notamment une technique de transfert bien connue, qui consiste d'une manière générale à implanter une dose d'espèces atomiques ou ioniques dans un substrat donneur, de manière à y créer une zone de fragilisation à une profondeur déterminée, délimitant ainsi la couche mince à transférer, à coller le substrat donneur sur un substrat support, ou substrat receveur, et à provoquer la fracture du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, permettant ainsi le détachement de ladite couche mince collée au substrat receveur. Toutefois, dans le cas de substrats en matériau III-N, l'implantation requiert des doses d'espèces atomiques ou ioniques qui sont cinq à dix fois plus élevées que dans le silicium, ce qui induit un coût du procédé sensiblement plus élevé. Un but de la présente invention est donc de développer un procédé permettant de détacher une couche mince d'un substrat de matériau III-N qui ne présente pas les limitations des procédés existants et soit moins onéreux.35 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION A cet effet, l'invention propose un procédé de traitement d'une pièce en un matériau de composition AIXGayln1_X_yN où 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1, qui comprend : - l'application d'un flux impulsionnel de particules sur une face de ladite pièce dans des conditions sensiblement adiabatiques, la durée et l'intensité dudit flux impulsionnel étant choisies de manière à échauffer sélectivement une zone de la pièce située à une profondeur déterminée par rapport à ladite face, à une température supérieure à la température de décomposition dudit matériau ; - retour à la température ambiante de la zone échauffée ; - détachement d'une couche du reste de ladite pièce, au niveau de la zone échauffée.
Selon d'autres caractéristiques de ce procédé, - ledit flux impulsionnel présente une durée comprise entre 10 nanosecondes et 10 microsecondes et un flux de puissance compris entre 106 et 5.10' W/cm2 ; - au moment de l'application dudit flux de particules, la pièce est à une température, dite « température de fond », inférieure à la température de décomposition du matériau ; - ladite température de fond est comprise entre 400 et 750°C ; - les particules implantées sont des particules légères de faible numéro atomique, par exemple compris entre 1 et 3, telles que H ou He, sous forme neutre et/ou ionique. - la dose implantée est comprise entre 1012 et 5.1013 particules.cm-2 ; - après l'application du flux de particules, on assemble la pièce avec un support de manière à obtenir une structure composite ; - après ledit assemblage, on applique à la structure composite ainsi obtenue, une contrainte mécanique et/ou thermique, de manière à provoquer le détachement d'une couche du reste de ladite pièce.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lumière de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre l'application d'un flux de particules sur une face d'une pièce ou substrat ; - la figure 2 illustre l'assemblage de la pièce sur un support ; - la figure 3 illustre le profil d'énergie déposé lors de l'implantation de particules, en fonction de la profondeur, dans la pièce.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION L'invention s'applique à toute pièce en un matériau composé susceptible de se décomposer sous l'effet d'un apport d'énergie par un flux de particules. Par « matériau composé », on entend un matériau constitué d'au moins deux types d'atomes, de composition Al Gayln,_X_yN où 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1. II peut s'agir également d'une couche d' Al Gayln,_X_yN où 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1, formée par dépôt sur un support de croissance, par exemple en saphir. Par « décomposition », on entend une modification de la structure intime du matériau, qui peut consister, selon le matériau, en une séparation de phases, une fragilisation, la création de nouvelles phases, une fusion localisée, etc. Dans le présent texte, le terme « pièce » couvre non seulement un substrat pouvant être utilisé dans l'industrie électronique, optique ou optoélectronique, mais aussi un lingot, une boule ou tout autre objet constitué dudit matériau composé, présentant une face au travers de laquelle sera réalisée l'irradiation par un flux de particules, dont l'amplitude de la rugosité est significativement inférieure à la profondeur de pénétration desdites particules. Dans l'exemple non limitatif décrit ci-dessous, en référence aux figures 1 et 2, on considère que la pièce 1 à traiter est un substrat en un matériau de composition Al Gayln,_X_yN où 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1. Toutefois, comme exposé plus haut, l'invention s'applique également à une pièce se présentant sous une forme autre qu'un substrat, à usage électronique ou similaire. Le traitement comprend l'application d'un flux de particules 3 sous forme impulsionnelle de courte durée et de très forte intensité sur le substrat 1. De préférence, on choisit des particules légères, de faible numéro atomique, par exemple de numéro atomique un, deux ou trois, de sorte que l'énergie déposée à l'intérieur du matériau soit pour l'essentiel de l'énergie dépensée sous forme de freinage électronique, qui n'induit pas de défauts.
Les particules 3 sont choisies parmi les particules ou les molécules légères, ioniques (chargées positivement ou négativement) ou neutres, comme par exemple : H, H+, He, He+, leurs isotopes, H-, ou des électrons, éventuellement en mélange. La durée des impulsions est préférentiellement comprise entre 10 nanosecondes et quelques microsecondes, par exemple 10.
L'intensité du flux de puissance est avantageusement comprise entre 106 et quelques 10' W/cm2. Avec ce choix de type de particules, et comme illustré sur le graphe de la figure 3, la forme du profil d'énergie déposée présente en général une amplitude croissante à partir de la surface du substrat (profondeur : 0), qui se transforme en un pic P à une profondeur voisine de l'épaisseur cible. Ce pic est d'autant plus étroit, en général, que les particules sont de numéro atomique faible et/ou que l'énergie des dites particules est élevée. Si l'impulsion de flux est suffisamment courte, c'est-à-dire typiquement comprise dans la plage de durée mentionnée ci-dessus, le dépôt d'énergie peut être considéré comme adiabatique, c'est-à-dire pratiquement sans transfert de chaleur ailleurs que dans la zone visée et le profil d'élévation de température générée par le flux dans le substrat est à l'image du profil de dépôt d'énergie. Le critère d'adiabadicité peut être estimé rapidement par comparaison de la demi-épaisseur du profil de dépôt d'énergie avec la longueur de diffusion thermique pendant la durée de l'impulsion. Ainsi, par exemple, si la demi-épaisseur vaut 2 pm, tandis que la durée de l'impulsion est de 100 ns, et la diffusivité thermique est de 0,1 cm2/s, alors la longueur de diffusion thermique est calculée par la formule : 100.10 0,1 =10-4cm, soit 1 pm. On peut considérer, dans un tel cas, que le critère d'adiabadicité est rempli.
Si l'application du flux de particules n'est pas réalisée selon un régime adiabatique, le profil de température résultant du dépôt d'énergie par les particules est moins pointu que le profil de dépôt d'énergie. Dans le cas d'implantations à haute énergie où le profil du pic d'énergie se détache nettement, c'est-à-dire typiquement avec un rapport supérieur à 2 entre la hauteur de ce pic et le niveau d'énergie en surface, il est possible de réduire l'intensité du flux de particules nécessaire. A cet effet, on chauffe le substrat à une température, dite température de fond inférieure à la température à partir de laquelle le matériau commence à se décomposer, le faisceau d'ions n'ayant pour rôle que d'apporter le complément d'énergie au voisinage de la zone ciblée, pour passer de ladite température de fond à la température de décomposition. Par exemple, des conditions appropriées de bombardement d'un substrat de GaN par des ions H+ sont : - une température de fond de 750°C, - une dose de 2.1012 particules *cm-2, - une énergie de l'ordre de 1,5 MeV, - une durée d'impulsion de 100 ns, - une densité d'énergie déposée de 0,5 J/cm2, - une densité de courant d'ions de 3,5 A/cm2. D'une manière générale, la dose implantée pendant le traitement est typiquement comprise entre quelques 1012 et quelques 1013 particules.cm-2. On notera, à cet égard, qu'il s'agit d'une dose nettement inférieure à celle utilisée pour fragiliser un substrat de silicium pour la mise en oeuvre d'un procédé de type Smart CutTM dans lequel la dose habituelle est supérieure à 1017 particules.cm-2. Le traitement peut être mis en oeuvre au moyen de faisceaux de particules d'intensité temporellement stationnaires, fortement focalisés, et balayés à grande vitesse sur la surface du substrat. Dans une variante, on peut faire usage de faisceaux de particules qui sont stationnaires spatialement, mais temporellement impulsionnels Parmi les équipements utilisables, on peut citer les machines à faisceau continu focalisé et les machines à faisceau pulsé de très forte puissance.
En référence à la figure 2, on peut ensuite assembler la pièce 1 ainsi traitée sur un support 5, formant raidisseur, puis appliquer sur cette structure une contrainte mécanique et/ou thermique au niveau de la couche 2 fragilisée, afin de transférer une couche 4 sur le support 5, par détachement au niveau de la couche 2. Un faible budget thermique suffit à provoquer le détachement de la couche 4 du reste du support 1. Un tel procédé trouve une application particulière quand le matériau contient du Gallium, qui présente la particularité de présenter une température de fusion inférieure à 50°C. En effet, après application d'un raidisseur, on peut mettre en oeuvre le détachement d'une couche après retour à la zone échauffée à température ambiante, car la phase liquide de Gallium ainsi créée autorise un tel détachement, par application de forces mécaniques et/ou d'un faible traitement thermique.

Claims (8)

  1. REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'une pièce (1) en un matériau de composition AIXGayln1_X_ yN où 0<_x<_1, 0<_y<_1 et x+y<_1, caractérisé en ce qu'il comprend : - l'application d'un flux impulsionnel (3) de particules sur une face de ladite pièce (1) dans des conditions sensiblement adiabatiques, la durée et l'intensité dudit flux impulsionnel étant choisies de manière à échauffer sélectivement une zone (2) de la pièce située à une profondeur déterminée par rapport à ladite face, à une température supérieure à la température de décomposition dudit matériau ; - retour à la température ambiante de la zone échauffée (2) ; - détachement d'une couche (4) du reste de ladite pièce, au niveau de la zone échauffée (2).
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit flux impulsionnel présente une durée comprise entre 10 nanosecondes et 10 microsecondes et un flux de puissance compris entre 106 et 5.10' W/cm2.
  3. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'au moment de l'application dudit flux de particules, la pièce est à une température, dite « température de fond », inférieure à la température de décomposition du matériau.
  4. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite température de fond est comprise entre 400 et 750°C.
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les particules implantées sont des particules légères de faible numéro atomique, par exemple compris entre 1 et 3, telles que H ou He, sous forme neutre et/ou ionique. 30
  6. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la dose implantée est comprise entre 1012 et 5.1013 particules.cm-2.
  7. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu"après l'application du flux de particules, on assemble la pièce (1) avec un support (5) de manière à 35 obtenir une structure composite (1,5).25
  8. 8. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'après ledit assemblage, on applique à la structure composite (1,5) ainsi obtenue, une contrainte mécanique et/ou thermique, de manière à provoquer le détachement d'une couche (4) du reste de ladite pièce 5 (1).
FR1055002A 2010-06-23 2010-06-23 Procede de traitement d'une piece en materiau compose Active FR2961948B1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1055002A FR2961948B1 (fr) 2010-06-23 2010-06-23 Procede de traitement d'une piece en materiau compose
US13/111,748 US9048288B2 (en) 2010-06-23 2011-05-19 Method for treating a part made from a decomposable semiconductor material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1055002A FR2961948B1 (fr) 2010-06-23 2010-06-23 Procede de traitement d'une piece en materiau compose

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2961948A1 true FR2961948A1 (fr) 2011-12-30
FR2961948B1 FR2961948B1 (fr) 2012-08-03

Family

ID=42790656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1055002A Active FR2961948B1 (fr) 2010-06-23 2010-06-23 Procede de traitement d'une piece en materiau compose

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9048288B2 (fr)
FR (1) FR2961948B1 (fr)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2961948B1 (fr) * 2010-06-23 2012-08-03 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une piece en materiau compose
FR2978600B1 (fr) 2011-07-25 2014-02-07 Soitec Silicon On Insulator Procede et dispositif de fabrication de couche de materiau semi-conducteur
WO2015119742A1 (fr) * 2014-02-07 2015-08-13 Sunedison Semiconductor Limited Procédés de préparation de structures à semi-conducteur en couches
JP6770340B2 (ja) * 2016-05-30 2020-10-14 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6387829B1 (en) * 1999-06-18 2002-05-14 Silicon Wafer Technologies, Inc. Separation process for silicon-on-insulator wafer fabrication
FR2853991A1 (fr) * 2003-04-17 2004-10-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement de substrats demontables, et substrat intermediaire demontable, avec polissage perfectionne
FR2910179A1 (fr) * 2006-12-19 2008-06-20 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US5354381A (en) * 1993-05-07 1994-10-11 Varian Associates, Inc. Plasma immersion ion implantation (PI3) apparatus
FR2748851B1 (fr) * 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
DE69737086T2 (de) 1996-08-27 2007-05-16 Seiko Epson Corp. Trennverfahren, verfahren zur übertragung eines dünnfilmbauelements, und unter verwendung des übertragungsverfahrens hergestelltes flüssigkristall-anzeigebauelement
US6146979A (en) * 1997-05-12 2000-11-14 Silicon Genesis Corporation Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
FR2773261B1 (fr) * 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6534381B2 (en) * 1999-01-08 2003-03-18 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating multi-layered substrates
US6355541B1 (en) * 1999-04-21 2002-03-12 Lockheed Martin Energy Research Corporation Method for transfer of thin-film of silicon carbide via implantation and wafer bonding
US6287941B1 (en) * 1999-04-21 2001-09-11 Silicon Genesis Corporation Surface finishing of SOI substrates using an EPI process
FR2795865B1 (fr) * 1999-06-30 2001-08-17 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un film mince utilisant une mise sous pression
FR2809867B1 (fr) * 2000-05-30 2003-10-24 Commissariat Energie Atomique Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat
WO2002005315A2 (fr) * 2000-07-10 2002-01-17 Epion Corporation Systeme et procede d"amelioration des couches minces au moyen d"un traitement par faisceau d"ions d"amas gazeux
FR2816445B1 (fr) * 2000-11-06 2003-07-25 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure empilee comprenant une couche mince adherant a un substrat cible
FR2817394B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
FR2894990B1 (fr) * 2005-12-21 2008-02-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
FR2835096B1 (fr) * 2002-01-22 2005-02-18 Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin
WO2002082517A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Procede de fabrication pour substrat semi-conducteur et element semi-conducteur
JP3758537B2 (ja) * 2001-07-23 2006-03-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法
FR2834654B1 (fr) * 2002-01-16 2004-11-05 Michel Bruel Procede de traitement d'une piece en vue de modifier au moins une de ses proprietes
US6995430B2 (en) * 2002-06-07 2006-02-07 Amberwave Systems Corporation Strained-semiconductor-on-insulator device structures
US6995075B1 (en) * 2002-07-12 2006-02-07 Silicon Wafer Technologies Process for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate
FR2842647B1 (fr) * 2002-07-17 2004-09-17 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert de couche
US6979630B2 (en) * 2002-08-08 2005-12-27 Isonics Corporation Method and apparatus for transferring a thin layer of semiconductor material
FR2845523B1 (fr) * 2002-10-07 2005-10-28 Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee
FR2855908B1 (fr) * 2003-06-06 2005-08-26 Soitec Silicon On Insulator Procede d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat et une couche ultramince
US20040262686A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Mohamad Shaheen Layer transfer technique
FR2860248B1 (fr) * 2003-09-26 2006-02-17 Centre Nat Rech Scient Procede de realisation de substrats autosupportes de nitrures d'elements iii par hetero-epitaxie sur une couche sacrificielle
FR2861497B1 (fr) * 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
US7772087B2 (en) * 2003-12-19 2010-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Method of catastrophic transfer of a thin film after co-implantation
JP2005277372A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
FR2867310B1 (fr) * 2004-03-05 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Technique d'amelioration de la qualite d'une couche mince prelevee
FR2871172B1 (fr) * 2004-06-03 2006-09-22 Soitec Silicon On Insulator Support d'epitaxie hybride et son procede de fabrication
EP1792339A1 (fr) * 2004-09-21 2007-06-06 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Procede d'obtention d'une couche mince par mise en oeuvre d'une co-implantation suivie d'une implantation
US7148124B1 (en) * 2004-11-18 2006-12-12 Alexander Yuri Usenko Method for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate preferably for making silicon-on-insulator wafers
KR100631905B1 (ko) * 2005-02-22 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법
JP2008532317A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 シリコン・ジェネシス・コーポレーション レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス
DE102006004870A1 (de) * 2006-02-02 2007-08-16 Siltronic Ag Halbleiterschichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur
FR2899378B1 (fr) 2006-03-29 2008-06-27 Commissariat Energie Atomique Procede de detachement d'un film mince par fusion de precipites
US7575988B2 (en) * 2006-07-11 2009-08-18 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method of fabricating a hybrid substrate
FR2905801B1 (fr) * 2006-09-12 2008-12-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert d'une couche a haute temperature
US8124499B2 (en) * 2006-11-06 2012-02-28 Silicon Genesis Corporation Method and structure for thick layer transfer using a linear accelerator
US7943485B2 (en) * 2007-01-22 2011-05-17 Group4 Labs, Llc Composite wafers having bulk-quality semiconductor layers and method of manufacturing thereof
US20080188011A1 (en) * 2007-01-26 2008-08-07 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method of temperature conrol during cleaving processes of thick film materials
US20080303033A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
FR2920589B1 (fr) * 2007-09-04 2010-12-03 Soitec Silicon On Insulator "procede d'obtention d'un substrat hybride comprenant au moins une couche d'un materiau nitrure"
US8183082B1 (en) * 2008-12-03 2012-05-22 University Of South Florida Fabrication of organic solar array for applications in microelectromechanical systems and others
JP2010232609A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体複合基板、ｉｉｉ族窒化物半導体基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体複合基板の製造方法
FR2947098A1 (fr) * 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
FR2961948B1 (fr) * 2010-06-23 2012-08-03 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une piece en materiau compose
FR2961719B1 (fr) * 2010-06-24 2013-09-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une piece en un materiau compose
US8557679B2 (en) * 2010-06-30 2013-10-15 Corning Incorporated Oxygen plasma conversion process for preparing a surface for bonding
US8921209B2 (en) * 2012-09-12 2014-12-30 International Business Machines Corporation Defect free strained silicon on insulator (SSOI) substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6387829B1 (en) * 1999-06-18 2002-05-14 Silicon Wafer Technologies, Inc. Separation process for silicon-on-insulator wafer fabrication
FR2853991A1 (fr) * 2003-04-17 2004-10-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement de substrats demontables, et substrat intermediaire demontable, avec polissage perfectionne
FR2910179A1 (fr) * 2006-12-19 2008-06-20 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART

Also Published As

Publication number Publication date
US20110315664A1 (en) 2011-12-29
US9048288B2 (en) 2015-06-02
FR2961948B1 (fr) 2012-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2961719A1 (fr) Procede de traitement d&#39;une piece en un materiau compose
EP1774579B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;une structure multi-couches comportant, en profondeur, une couche de séparation
EP1114446B1 (fr) Procede de realisation d&#39;une membrane mince
FR2980916A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une structure de type silicium sur isolant
EP2468931B1 (fr) Procédé de clivage d&#39;un substrat et ensemble comprenant un substrat et une structure permettant ce clivage
FR2884966A1 (fr) Procede de collage de deux tranches realisees dans des materiaux choisis parmi les materiaux semiconducteurs
FR2714524A1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;une structure en relief sur un support en matériau semiconducteur.
FR2961948A1 (fr) Procede de traitement d&#39;une piece en materiau compose
FR2845518A1 (fr) Realisation d&#39;un substrat semiconducteur demontable et obtention d&#39;un element semiconducteur
WO2008050071A2 (fr) Couche d &#39; alliage de nickel-titane comprenant des atomes d &#39; azote inseres, procede d &#39; implantation
EP2511951A1 (fr) Méthode de recyclage d&#39;un substrat source
EP3678168B1 (fr) Procédé de guérison avant transfert d&#39;une couche semi-conductrice
FR2834654A1 (fr) Procede de traitement d&#39;une piece en vue de modifier au moins une de ses proprietes
EP2023380A1 (fr) Procédé et installation pour la fracture d&#39;un substrat composite selon un plan de fragilisation
EP2485249B1 (fr) Procédé de lissage de la surface d&#39;une plaque semiconductrice
FR2973157A1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;ilots de matériau contraint au moins partiellement relaxe
FR3040530B1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une tranche soi et tranche soi
WO2009050381A2 (fr) Procede de chauffage d&#39;une plaque par un flux lumineux
FR2992464A1 (fr) Procede de transfert d&#39;une couche
FR2995445A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une structure en vue d&#39;une separation ulterieure
FR2903810A1 (fr) Procede de nanostructuration de la surface d&#39;un substrat
EP2353177A1 (fr) Procede et dispositif de chauffage d&#39;une couche d&#39;une plaque par amorcage et flux lumineux.
FR2964788A1 (fr) Procédé de traitement d&#39;un substrat au moyen d&#39;un flux lumineux de longueur d&#39;onde déterminée, et substrat correspondant
WO2023143818A1 (fr) Procede de transfert d&#39;une couche mince sur un substrat support
FR2926398A1 (fr) Transfert de couche avec diminution de la rugosite post-fracture

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name

Owner name: SOITEC, FR

Effective date: 20120423

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 11

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 12

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 13

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 14

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 15