FR2918999A1 - Procede de fabrication de lingots de polysilicium de qualite solaire avec appareil a induction approprie - Google Patents
Procede de fabrication de lingots de polysilicium de qualite solaire avec appareil a induction approprie Download PDFInfo
- Publication number
- FR2918999A1 FR2918999A1 FR0854878A FR0854878A FR2918999A1 FR 2918999 A1 FR2918999 A1 FR 2918999A1 FR 0854878 A FR0854878 A FR 0854878A FR 0854878 A FR0854878 A FR 0854878A FR 2918999 A1 FR2918999 A1 FR 2918999A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- water
- crucible
- temperature
- ingot
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 4
- XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrate Chemical compound O.[Si] XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 18
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 15
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 claims description 6
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 4
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910004835 Na2B4O7 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 5
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 5
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007531 graphite casting Methods 0.000 description 2
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- WGVWLKXZBUVUAM-UHFFFAOYSA-N Pentanochlor Chemical compound CCCC(C)C(=O)NC1=CC=C(C)C(Cl)=C1 WGVWLKXZBUVUAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D7/00—Casting ingots, e.g. from ferrous metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/006—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A40/00—Adaptation technologies in agriculture, forestry, livestock or agroalimentary production
- Y02A40/90—Adaptation technologies in agriculture, forestry, livestock or agroalimentary production in food processing or handling, e.g. food conservation
- Y02A40/963—Off-grid food refrigeration
- Y02A40/966—Powered by renewable energy sources
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
La présente invention est un procédé de production de lingots de polysilicium de qualité solaire favorisant la réduction de la consommation d'énergie et offrant un rendement élevé de coulée en lingotière sans équipements compliqués. Ceci comprend la fonte et le chauffage de matériaux bruts en eau brute ; le mélange de l'extraction de laitier avec l'eau pour éliminer les impuretés métalliques ; la conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau pour éliminer du B-atomique et la génération d'eau pure qui est ensuite chauffée depuis 1500 degres C-1700 degres C ; le préchauffage du creuset et du moule en graphite à une plage de température entre 1000 degres C et 1400 degres C ; puis le versement de l'eau pure à l'intérieur de celui-ci avec une température de l'eau de 1450 degres C-1600 degres C ; le réglage de la température du creuset et du moule depuis 1400 degres C-1430 degres C, de là à une plage de 1000 degres C-1200 degres C pour concentrer la propriété solide/liquide et les impuretés de l'eau au centre du moule ; la réduction de la plage de température du creuset de 1000 degres C-1200 degres C à 200 degres C-400 degres C, pour obtenir au final un lingot intégral de polysilicium.
Description
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOTS DE POLYSILICIUM DE QUALITÉ SOLAIRE AVEC
APPAREIL À INDUCTION APPROPRIÉ La présente invention porte sur un procédé de fabrication de lingots de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié. Il y a depuis peu une tendance dans l'industrie photovoltaïque (PV) vers une forte demande de polysilicium de qualité solaire, et il devient très prisé dans le monde entier de produire du polysilicium de qualité solaire avec une plus faible consommation d'énergie et de meilleurs prix de fabrication. En règle générale, les lingots de polysilicium sont formés couramment par les procédés de solidification directionnelle et d'échange thermique ; cependant, ces deux procédés requièrent généralement des équipements complexes et onéreux, et ne produisent que de faibles quantités de lingots à des prix à l'unité plus élevés. Considérant ces problèmes, l'industrie s'est donné pour but de développer un procédé permettant de produire plus d'une tonne de lingots sans équipements complexes et onéreux, en réalisant une baisse de consommation d'énergie et des frais d'investissement et augmentant ainsi le taux de production et le rendement du mode de production.
Le but de la présente invention est de proposer un procédé de fonte de lingot de polysilicium de qualité solaire, permettant de baisser la consommation d'énergie et les coûts de production avec des équipements simples et d'augmenter simultanément le taux de production des lingots. La présente invention comprend un procédé de fabrication de lingots de polysilicium de qualité solaire, avec un appareil à induction approprié, comprenant les étapes suivantes: (1) chargement de matériaux de silicium bruts ou de silicium liquéfié dans un four à induction pour faire fondre les matériaux bruts en une eau de silicium brute ou chauffer ledit silicium liquéfié ; ce par quoi il est préférable de se limiter à avoir de 1 à 3 tonnes de matériaux de silicium bruts et d'utiliser de 1 à 6 fours à induction en fonctionnement et ces fours peuvent être des fours à induction à moyenne fréquence. (2) disposition d'une certaine quantité d'extraction du laitier de silicium de qualité solaire dans ledit four pour le mélanger à ladite eau de silicium brute, éliminant ainsi le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques trouvées dans lesdits matériaux de silicium bruts ; l'extraction du laitier de silicium de qualité solaire comprenant un ou deux matériaux parmi les suivants, à savoir CaSiO3 (Silicate de Calcium), Na2SiO3 (Silicate de Sodium), BaCO3 (Carbonate de Baryum) et Na2B4O7 10H20 (Borax), avec, de préférence, un taux d'eau de silicium brute par rapport à l'extraction du laitier de silicium de 100:2-15. (3) conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau dans l'eau de silicium brut dans le four, pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) ; l'écoulement de vapeur d'eau étant de 3,5 1-60 1/min, et le temps total nécessaire à la conduite de vapeur d'eau nécessitant de 5 à 40 minutes, de préférence, 30 minutes ; (4) chauffage de ladite eau de silicium pure pour atteindre une plage de température de l'eau variant entre 1500 C et 1700 C, de préférence, à 1650 C ; (5) prédétermination d'un creuset de coulée en lingotière et d'un moule en graphite disposé dans celui-ci pour être chauffés électriquement à une plage de température variant entre 1000 C et 1400 C, puis versement de l'eau de silicium pure dans les moules en graphite ; le creuset de coulée en lingotière atteignant alors de préférence 1350 C ; (6) rétention de l'eau de silicium pure dans ledit creuset et vérification que ladite plage de température de l'eau varie entre 1450 C et 1600 C ; ladite eau de silicium pure étant alors retenue dans ledit creuset pendant environ 1 à 2 heures et ladite température de l'eau étant contrôlée, de préférence, à 1550 C ; (7) réglage dudit creuset et desdits moules pour obtenir ladite plage de température variant entre 1400 C et 1430 C, de préférence, à 1420 C ; (8) diminution par gradient de la température dudit creuset et desdits moules à 1000 C-1200 C, générant de ce fait une surface solide/liquide et une propriété d'interface dans l'eau de silicium pure qui s'acheminerait vers un centre du moule ; les impuretés métalliques se concentreraient aussi de ce fait au centre de celui-ci ; la température du creuset de coulée en lingotière et du moule en graphite étant diminuée par gradient dans une plage de 5 C-50 C/h. (9) réduction graduelle de la température du creuset pour solidifier l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé ; rétention dudit lingot dans ledit creuset à une plage de température de 1000 C-1200 C jusqu'à atteindre la plage de 200 C-400 C ; puis retrait et refroidissement du lingot cristallisé, finalisant ainsi un lingot de polysilicium de qualité solaire intégral ; le creuset de coulée en lingotière réduisant ladite température de celui-ci par gradient dans une plage de 50 C-300 C/h à une température de 1000 C-1200 C, pour refroidir graduellement ledit lingot cristallisé dans celui-ci. Au vu du procédé ci-dessus, le lingot de polysilicium intégral de la présente invention peut atteindre la taille de (800mmx800mmx700mm) à (1200mmx1200mmx900mm) et la quantité de 1 à 3 tonnes de celui-ci, produisant plus de lingots que d'autres sociétés dans d'autres pays, comme par exemple 275 KG de lingots produits par LDK Solar Corp, en Chine, 800KG produits par des compagnies en Allemagne et 240-280KG produits par des sociétés au Japon. Encore en plus grand contraste, la présente invention offre aussi un taux de production supérieur dans la production de barreaux avec moins ou pas de trous et de craquelures dans ceux-ci, et réduit simultanément de plus de 40% la consommation d'énergie et de 50% les coûts de fabrication, garantissant de ce fait des bénéfices sociaux et économiques. La présente invention a donc pour objet un procédé de fabrication de lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : charger des matériaux de silicium bruts ou de silicium liquéfié dans un four à induction pour fondre lesdits matériaux bruts en eau de silicium brute ou chauffer ledit silicium liquéfié ; placer une certaine quantité d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire dans ledit four pour le mélanger avec ladite eau de silicium brute, éliminant ainsi le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; conduire de la vapeur d'eau dans ladite eau de silicium brute dans ledit four pour éliminer le B-atomique (borure) pour obtenir une eau de silicium pure ; chauffer ladite eau de silicium pure dans une plage de température de l'eau variant entre 1500 C et 1700 C ; - prédéterminer un creuset de coulée en lingotière et un moule en graphite disposé dans celui-ci pour être chauffés électriquement dans une plage de température variant entre 1000 C et 1400 C, puis verser ladite eau de silicium pure dans lesdits moules en graphite ; - retenir ladite eau de silicium pure dans le creuset pendant un certain temps et contrôler ladite plage de température de l'eau entre 1450 C et 1600 C ; régler ledit creuset et ledit moule pour qu'ils atteignent une plage de température variant entre de 1400 C et 1430 C ; diminuer ladite température dudit creuset et desdits moules par gradient dans les 1000 C à 1200 C, générant de la sorte une surface solide/liquide et une propriété d'interface dans ladite eau de silicium pure qui s'acheminerait vers un centre dudit moule ; lesdites impuretés métalliques se concentrant aussi au centre de celui-ci ; et baisser graduellement ladite température dudit creuset pour solidifier ladite eau de silicium pure en un lingot cristallisé ; puis retenir le lingot dans ledit creuset à ladite plage de température variant entre 1000 C et 1200 C jusqu'à atteindre ladite température dans une plage de 200 C à 400 C ; puis retirer ledit lingot du creuset pour un refroidissement naturel et obtenir au final un lingot de polysilicium intégral de qualité solaire. Plus de 1 à 6 fours peuvent être utilisés dans ledit procédé de fonte et de chauffage initial, et lesdits fours peuvent être des fours à induction à moyenne fréquence. L'extraction de laitier de silicium de qualité solaire peut comprendre des matériaux tels le CaSiO3 10 (Silicate de Calcium), Na2SiO3 (Silicate de Sodium), BaCO3 (Carbonate de Baryum), et Na2B4O7 10H20 (Borax) ; et un ou deux desdits matériaux peuvent être adoptés dans celui-ci. Le taux approprié d'eau de silicium brute par rapport à l'extraction de laitier de silicium de qualité 15 solaire peut être de 100:2-15. La vapeur d'eau peut avoir un débit de 3,51 à 601/min, et une durée totale de conduite de cette vapeur d'eau peut nécessiter de 5 à 40 minutes. Ladite eau de silicium pure peut être chauffée 20 pour atteindre ladite température de l'eau à 1650 C. L'eau de silicium pure peut être retenue dans le creuset pendant 1 à 2 heures et ladite température de l'eau peut être contrôlée, de préférence à 1550 C. Ladite température dudit creuset de coulée en 25 lingotière et dudit moule en graphite peut être limitée à 1420 C. Le gradient de ladite température dudit creuset de coulée en lingotière et dudit moule en graphite peut être diminué sur une plage variant de 5 à 50 C/h. 30 Ledit creuset de coulée en lingotière peut réduire ledit gradient de température de 50 à 300 C/h dans une plage de température variant de 1000 C à 1200 C pour refroidir graduellement le lingot cristallisé dans celui-ci. Pour une meilleure compréhension des objectifs, des technologies, des caractéristiques et des avantages de cette invention, les détails d'un ou de plusieurs modes de réalisation sont exposés dans les dessins annexés et la description ci-après. Sur les dessins: - la Figure 1 est un schéma montrant un creuset de coulée en lingotière de la présente invention ;
- la Figure 2 est une vue latérale du creuset de coulée en lingotière de la présente invention ; Si l'on se réfère aux Figures 1 et 2, un creuset de coulée en lingotière de la présente invention comprend un bouclier de creuset 1 fait de panneaux métalliques de 5mm d'épaisseur et contenant en séquence un panneau de préservation contre la chaleur en amiante 2, trois couches de briques réfractaires standards 3, une couche réfractaire 4, un feutre en graphite de préservation contre la chaleur 5, un chauffage au SiC (carbure de silicium) 6, et un moule en graphite 7 ; le moule en graphite 7 a une section de chauffage en graphite 8 disposée au-dessous de celui-ci, permettant d'obtenir une bonne isolation thermique à l'aide du panneau en amiante 2, des briques réfractaires 3, de la couche réfractaire 4, et du feutre en graphite 5 ; simultanément, le chauffage SiC 6 et la section de chauffage 8 permettent de régler la température de chauffage appropriée, dans la plage de température entre 800 C et 1600 C. De plus, le moule en graphite 7 est placé au centre du creuset et contient du silicium liquéfié ; le moule 7 comprend un panneau en graphite avec des caractéristiques de haute pureté, haute résistance et haute densité, et il a deux panneaux de couvercle 9, 10 disposés sur celui-ci ; ces deux panneaux de couvercle 9, 10 sont respectivement fabriqués en briques réfractaires en forme de corindon et en matériaux réfractaires classiques. En fonctionnement (non représenté sur les Figures), un premier mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 3 tonnes de silicium liquéfié dans 5 fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, de disposition en plus de 6% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de CaSiO3 (Silicate de Calcium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; en outre, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 301/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 26 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1700 C. Puis, on procède à une étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière, qui garde par avance une température de 1000 C ; le creuset est alors chauffé jusqu'à une température de 1500 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ une heure ; le creuset baisse ensuite rapidement le gradient de température de 7 C/h depuis 1500 C et de là à 1400 C puis à 1100 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. Ensuite, on procède à l'étape de baisse de la température du gradient du creuset de 100 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 300 C ; le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi et on obtient alors 2,3 tonnes de lingot de polysilicium intégral. Un deuxième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,9 tonne de matériaux de silicium bruts dans 4 fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer et fondre les matériaux bruts en eau de silicium brute, de disposition en outre de 10% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de BaCO3 (Carbonate de Baryum) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts, et, de plus, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 271/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 25 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1600 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1250 C ; le creuset est alors chauffé jusqu'à une température de 1600 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ deux heures ; le creuset diminue ensuite rapidement le gradient de température de 11 C/h depuis 1600 C, et de là à 1420 C, puis à 1150 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température de gradient de creuset de 200 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 280 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,5 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,5 tonne de matériaux de silicium bruts dans 3 fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer et fondre les matériaux bruts en eau de silicium brute, de disposition en outre de 4% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de BaCO3 (Carbonate de Baryum) et Na2SiO3 (Silicate de Sodium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; de plus, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 151/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 40 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1500 C.
Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1400 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1 heure ; le creuset diminue ensuite rapidement le gradient de température de 40 C/h depuis 1480 C, et de là à 1430 C, puis à 1000 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à une étape de baisse de température du gradient de creuset de 300 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 200 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,2 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 2 tonnes de silicium liquéfié dans un four à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, de disposition en outre de 15% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de Na2B4'10H20 (Borax) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; de plus, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 3,51/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 38 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1650 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1350 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1550 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ une demi-heure ; puis le creuset diminue ensuite rapidement le gradient de température de 30 C/h depuis 1550 C, et de là à 1410 C, puis à 1000 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température du gradient de creuset de 150 C/h jusqu'à obtenir la plus basse température à 300 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,5 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un cinquième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,4 tonne de matériaux de silicium bruts dans deux fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer et fondre les matériaux bruts en eau de silicium brute, de disposition en outre de 3% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de Na2B4'10H20 (Borax) et de 5% de CaSiO3 (Silicate de Calcium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; puis, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 601/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 20 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1550 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière, qui garde par avance une température de 1400 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1480 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1,3 heure, puis le creuset diminue rapidement le gradient de température de 50 C/h depuis 1480 C, et de là à 1425 C, puis à 1180 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse du gradient de température du creuset de 50 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 280 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,15 tonne de lingot de polysilicium intégral.
Un sixième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 2,8 tonnes de silicium liquéfié dans six fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, et de disposition en outre de 2% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de CaSiO3 (Silicate de Calcium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; puis, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 401/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 30 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1650 C.
Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière, qui garde par avance une température de 1200 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1500 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1 heure, puis le creuset diminue rapidement le gradient de température de 7 C/h depuis 1500 C, de là à 1400 C, puis à 1080 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température du gradient de creuset de 100 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 300 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 2,2 tonnes de lingot de polysilicium intégral.
Un septième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,5 tonne de silicium liquéfié dans un four à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, de disposition en outre de 5% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de Na2B4'10H20 (Borax) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; puis, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 3,5 1/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 5 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1650 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1000 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1550 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1, 2 heure, puis le creuset diminue rapidement le gradient de température de 5 C/h depuis 1550 C, de là à 1410 C, puis à 1200 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température du gradient de creuset de 150 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 400 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,2 tonne de lingot de polysilicium intégral.
Tandis que les modes de réalisation de la présente invention ont été décrits, il doit être clair pour l'homme de métier que d'autres modes de réalisation peuvent être réalisés sans s'écarter de la portée de la présente invention.15
Claims (4)
1 - Procédé de fabrication de lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à 5 induction approprié, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : charger des matériaux de silicium bruts ou de silicium liquéfié dans un four à induction pour fondre lesdits matériaux bruts en eau de silicium brute ou chauffer 10 ledit silicium liquéfié ; placer une certaine quantité d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire dans ledit four pour le mélanger avec ladite eau de silicium brute, éliminant ainsi le P-atomique (phosphore) et autres impuretés 15 métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; conduire de la vapeur d'eau dans ladite eau de silicium brute dans ledit four pour éliminer le B-atomique (borure) pour obtenir une eau de silicium 20 pure ; chauffer ladite eau de silicium pure dans une plage de température de l'eau variant entre 1500 C et 1700 C ; prédéterminer un creuset de coulée en lingotière et un moule en graphite disposé dans celui-ci pour être 25 chauffés électriquement dans une plage de température variant entre 1000 C et 1400 C, puis verser ladite eau de silicium pure dans lesdits moules en graphite ; retenir ladite eau de silicium pure dans le creuset pendant un certain temps et contrôler ladite plage de 30 température de l'eau entre 1450 C et 1600 C ; régler ledit creuset et ledit moule pour qu'ils atteignent une plage de température variant entre de 1400 C et 1430 C ;diminuer ladite température dudit creuset et desdits moules par gradient dans les 1000 C à 1200 C, générant de la sorte une surface solide/liquide et une propriété d'interface dans ladite eau de silicium pure qui s'acheminerait vers un centre dudit moule ; lesdites impuretés métalliques se concentrant aussi au centre de celui-ci ; et baisser graduellement ladite température dudit creuset pour solidifier ladite eau de silicium pure en un lingot cristallisé ; puis retenir le lingot dans ledit creuset à ladite plage de température variant entre 1000 C et 1200 C jusqu'à atteindre ladite température dans une plage de 200 C à 400 C ; puis retirer ledit lingot du creuset pour un refroidissement naturel et obtenir au final un lingot de polysilicium intégral de qualité solaire.
2 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que plus de 1 à 6 fours sont utilisés dans ledit procédé de fonte et de chauffage initial, et lesdits fours sont des fours à induction à moyenne fréquence.
3 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'extraction de laitier de silicium de qualité solaire comprend des matériaux tels le CaSiO3 (Silicate de Calcium), Na2SiO3 (Silicate de Sodium), BaCO3 (Carbonate de Baryum), et Na2B4O7 10H20 (Borax) ; et un ou deux desdits matériaux sont adoptés dans celui-ci.
4 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé 10 15par le fait que le taux approprié d'eau de silicium brute par rapport à l'extraction de laitier de silicium de qualité solaire est de 100:2-15. - Procédé de fabrication d'un lingot de 5 polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la vapeur d'eau a un débit de 3,51 à 601/min, et une durée totale de conduite de cette vapeur d'eau nécessite de 5 à 40 minutes. 6 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite eau de silicium pure est chauffée pour atteindre ladite température de l'eau à 1650 C. 7 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'eau de silicium pure est retenue dans le creuset pendant 1 à 2 heures et ladite température de l'eau 20 est contrôlée, de préférence à 1550 C. 8 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite température dudit creuset de coulée 25 en lingotière et dudit moule en graphite est limitée à 1420 C. 9 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé 30 par le fait que le gradient de ladite température dudit creuset de coulée en lingotière et dudit moule en graphite est diminué sur une plage variant de 5 à 50 C/h.10 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit creuset de coulée en lingotière réduit ledit gradient de température de 50 à 300 C/h dans une plage de température variant de 1000 C à 1200 C pour refroidir graduellement le lingot cristallisé dans celui-ci.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710009238A CN100595352C (zh) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | 太阳能级多晶硅大锭的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2918999A1 true FR2918999A1 (fr) | 2009-01-23 |
Family
ID=38991172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0854878A Withdrawn FR2918999A1 (fr) | 2007-07-17 | 2008-07-17 | Procede de fabrication de lingots de polysilicium de qualite solaire avec appareil a induction approprie |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090020067A1 (fr) |
| CN (1) | CN100595352C (fr) |
| BR (1) | BRPI0801205A2 (fr) |
| CA (1) | CA2633964A1 (fr) |
| DE (1) | DE102008033346A1 (fr) |
| FR (1) | FR2918999A1 (fr) |
| IT (1) | IT1391029B1 (fr) |
| NO (1) | NO20081902L (fr) |
| RU (1) | RU2008128526A (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013040372A1 (fr) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Lingot de silicium multicristallin et four de solidification directionnelle |
| WO2016116163A1 (fr) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | Jacques Gerbron | Dispositif de délivrance d'un produit par pulvérisation |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100861287B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2008-10-01 | 한국생산기술연구원 | 실리콘 분말을 이용하여 실리콘 성형체를 제조하는 방법 및 장치 |
| CN101792143B (zh) * | 2010-03-24 | 2011-12-21 | 姜学昭 | 提纯硅的方法 |
| CN102094238A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-06-15 | 常州天合光能有限公司 | 降低铸锭多晶体内应力缺陷的方法 |
| US8562740B2 (en) * | 2010-11-17 | 2013-10-22 | Silicor Materials Inc. | Apparatus for directional solidification of silicon including a refractory material |
| US9352389B2 (en) * | 2011-09-16 | 2016-05-31 | Silicor Materials, Inc. | Directional solidification system and method |
| JP5135467B1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-02-06 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
| CN104583464A (zh) * | 2012-06-25 | 2015-04-29 | 希利柯尔材料股份有限公司 | 用于纯化硅的耐火坩埚的表面的衬里以及使用该坩埚进行熔化和进一步定向凝固以纯化硅熔融体的方法 |
| CN103072996B (zh) * | 2013-02-04 | 2014-09-10 | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 | 一种电泳辅助的太阳能级多晶硅提纯方法 |
| TWI643983B (zh) | 2013-03-14 | 2018-12-11 | 美商希利柯爾材料股份有限公司 | 定向凝固系統及方法 |
| CN103395789B (zh) * | 2013-08-06 | 2015-05-06 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 多晶硅介质熔炼后初步定向凝固工艺 |
| RU2631372C1 (ru) * | 2016-04-04 | 2017-09-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения кремниевых мишеней для магнетронного распыления |
| CN109319744A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种4n碲的制备方法 |
| CN109052407A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-21 | 昆明理工大学 | 一种硅切割废料的回收与提纯方法 |
| CN109292779A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-02-01 | 东北大学 | 一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法 |
| CN109321975B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-09-08 | 永平县泰达废渣开发利用有限公司 | 单晶硅定向凝固引晶模块 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101624A (en) * | 1974-03-06 | 1978-07-18 | Ppg Industries, Inc. | Method of casting silicon |
| US4195067A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-25 | Union Carbide Corporation | Process for the production of refined metallurgical silicon |
| CA2017719C (fr) * | 1990-05-29 | 1999-01-19 | Zarlink Semiconductor Inc. | Processus d'application de verre par rotation en l'absence d'humidite |
| CN1083396C (zh) * | 1995-07-14 | 2002-04-24 | 昭和电工株式会社 | 高纯度硅的制造方法 |
| CN1143605A (zh) * | 1995-08-22 | 1997-02-26 | 李忠莆 | 精炼硅生产工艺 |
| CA2232777C (fr) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Procede pour la production de silicium destine a la fabrication de photopiles |
| GB9726191D0 (en) * | 1997-12-11 | 1998-02-11 | Philips Electronics Nv | Ion implantation process |
| WO2003066523A1 (fr) * | 2002-02-04 | 2003-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procede de purification du silicium, scories pour purifier le silicium et silicium purifie |
| CN1221470C (zh) * | 2002-11-26 | 2005-10-05 | 郑智雄 | 高纯度硅的生产方法 |
| CN1299983C (zh) * | 2003-07-22 | 2007-02-14 | 龚炳生 | 光电级硅的制造方法 |
| JP4632769B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-02-16 | シャープ株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JP4689373B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | シリコンの再利用方法 |
-
2007
- 2007-07-17 CN CN200710009238A patent/CN100595352C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-17 US US12/049,449 patent/US20090020067A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-21 NO NO20081902A patent/NO20081902L/no not_active Application Discontinuation
- 2008-04-25 BR BRPI0801205-9A patent/BRPI0801205A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2008-05-28 CA CA002633964A patent/CA2633964A1/fr not_active Abandoned
- 2008-07-15 IT ITTO2008A000540A patent/IT1391029B1/it active
- 2008-07-15 RU RU2008128526/02A patent/RU2008128526A/ru not_active Application Discontinuation
- 2008-07-16 DE DE102008033346A patent/DE102008033346A1/de not_active Withdrawn
- 2008-07-17 FR FR0854878A patent/FR2918999A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013040372A1 (fr) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Lingot de silicium multicristallin et four de solidification directionnelle |
| WO2016116163A1 (fr) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | Jacques Gerbron | Dispositif de délivrance d'un produit par pulvérisation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO20081902L (no) | 2009-01-19 |
| CA2633964A1 (fr) | 2009-01-17 |
| IT1391029B1 (it) | 2011-10-27 |
| US20090020067A1 (en) | 2009-01-22 |
| RU2008128526A (ru) | 2010-01-20 |
| CN101092741A (zh) | 2007-12-26 |
| ITTO20080540A1 (it) | 2009-01-18 |
| BRPI0801205A2 (pt) | 2010-04-20 |
| CN100595352C (zh) | 2010-03-24 |
| DE102008033346A1 (de) | 2009-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2918999A1 (fr) | Procede de fabrication de lingots de polysilicium de qualite solaire avec appareil a induction approprie | |
| US7833490B2 (en) | Crucible for the treatment of molten silicon | |
| CN110777261B (zh) | 一种电子束冷床炉制备钛及钛合金铸锭的表面裂纹控制办法 | |
| CN103741206B (zh) | 一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺 | |
| CN102259867B (zh) | 一种用于冶金硅定向凝固除杂的节能装置 | |
| CN105543482A (zh) | 利用铝屑高品质再生高端发动机缸体材料的方法 | |
| CN103014850A (zh) | 一种新型多晶硅铸锭装置及其铸锭方法 | |
| CN101850975A (zh) | 一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法 | |
| JPWO2008149985A1 (ja) | 金属珪素の凝固方法 | |
| CN104310405A (zh) | 一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法 | |
| CN105838907B (zh) | 钛提纯装置及使用方法 | |
| CN102701213A (zh) | 定向凝固冶金法太阳能多晶硅提纯设备 | |
| CN101928003B (zh) | 太阳能多晶硅钟罩式ds提纯炉 | |
| EP2586745B1 (fr) | Appareil de recyclage sous vide et procédé de raffinage de polysilicium de qualité solaire | |
| CN102438773A (zh) | 由感应法生产多晶硅锭的方法及其实施装置 | |
| CN202181216U (zh) | 一种用于冶金硅定向凝固除杂的节能装置 | |
| JPH11314911A (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
| CN110371983B (zh) | 用真空中频感应炉冶炼高纯工业硅的方法 | |
| CN102583387A (zh) | 一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法 | |
| CN114835125A (zh) | 一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法及一种感应熔炼炉 | |
| CN106587071B (zh) | 一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备和方法 | |
| CN106001584A (zh) | 一种铸造法安全生产硅锆均匀混合金粉末工艺 | |
| CN103553050A (zh) | 多晶硅连续化介质熔炼方法 | |
| CN115491567B (zh) | SiC增强铝合金复合材料的制备方法 | |
| CN103436955A (zh) | 一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20100331 |
|
| D3 | Ip right revived | ||
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20130329 |