FR2734097A1 - Laser a semiconducteurs - Google Patents

Laser a semiconducteurs Download PDF

Info

Publication number
FR2734097A1
FR2734097A1 FR9505660A FR9505660A FR2734097A1 FR 2734097 A1 FR2734097 A1 FR 2734097A1 FR 9505660 A FR9505660 A FR 9505660A FR 9505660 A FR9505660 A FR 9505660A FR 2734097 A1 FR2734097 A1 FR 2734097A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductor laser
holes
laser according
cavity
lasers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9505660A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2734097B1 (fr
Inventor
Romuald Houdre
Claude Weisbuch
Vincent Berger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Priority to FR9505660A priority Critical patent/FR2734097B1/fr
Priority to DE69608850T priority patent/DE69608850T2/de
Priority to EP96400907A priority patent/EP0742620B1/fr
Priority to US08/640,525 priority patent/US5684817A/en
Publication of FR2734097A1 publication Critical patent/FR2734097A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2734097B1 publication Critical patent/FR2734097B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

L'invention concerne un laser à semiconducteurs qui est constitué d'au moins une couche active (1) enserrée entre deux couches de confinement (2, 3) dopées P et N pour constituer une jonction PN. Dans au moins l'une des couches de confinement et/ou la couche active sont prévus des trous disposés de part et d'autre de la cavité de façon à réaliser le long des parois latérales (g1, g2) de la cavité (G) et aux extrémités (M1, M2) de la cavité (G) des structures de matériau à bande interdite photonique. Applications: Réalisation de lasers.

Description

LASER A SEMICONDUCTEURS
L'invention concerne un laser à semiconducteurs et plus particulièrement un laser à confinement optique latéral réalisé par un matériau présentant une structure présentant une bande interdite photonique. L'invention est applicable particulièrement à la réalisation de matrices lasers à semiconducteurs émettant par la surface. Elle permet alors une technologie de réalisation plus simple que celle actuellement utilisée et
présentant une plus grande efficacité.
Les matériaux à bande interdite photonique (en anglais: Photonic Bandgap) sont apparus récemment dans la littérature: ce sont des matériaux dans lesquels la fonction diélectrique est structurée de manière périodique, ceci dans plusieurs dimensions, d'o leur appellation également de cristaux photoniques. On trouvera dans l'article "Photonic Crystals" de E. YABLONOVITCH publié dans Journal of Modern Optics, 1994, vol 41, n 2,
pp. 173-194 une description d'un tel matériau. Selon la technologie décrite
dans cet article, un tel matériau peut être réalisé en perçant des trous dans
un substrat selon plusieurs directions (voir pages 183 et 186 de cet article).
Ainsi comme représenté en figure 1, à la surface d'un substrat, on perce des séries de trois trous dont les axes passent par le même point. Ces trois trous forment chacun un angle de 35 par rapport à la normale au plan du substrat et forment des angles égaux entre eux (voir figure 1). Le reste du substrat qui reste entre les trous peut alors être assimilé à une structure cristalline hexagonale. Il est évident qu'il est possible de réaliser d'autres types de structures de matériau à bande interdite photonique, présentant des motifs différents. La fonction d'une telle structure permet de réaliser des miroirs diélectriques. L'invention concerne la réalisation d'un laser mettant en jeu des
matériaux à bande interdite photonique.
L'invention concerne donc un laser à semiconducteurs comprenant au moins une couche active enserrée entre deux couches de confinement dopées P et N pour constituer une jonction PN, caractérisé en ce qu'il comporte dans au moins l'une des couches de confinement et/ou la couche active, des trous disposés de part et d'autre de la cavité de façon à réaliser le long des parois latérales de la cavité et aux extrémités de la
cavité des structures de matériau à bande interdite photonique.
Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront
plus clairement dans la description qui va suivre et dans les figures
annexées qui représentent: - la figure 1, un exemple de réalisation de matériau à bande interdite photonique; - la figure 2a, un exemple de laser selon l'invention; - la figure 2b, une variante du laser de la figure 2a permettant une émission par la surface; - la figure 2c, une vue en coupe des lasers des figures 2a et 2c;
- les figures 3a et 3b, un ensemble de lasers.
L'invention concerne le confinement optique transversal d'un laser à semiconducteur à l'aide d'un matériau à bande interdite photonique. Un
schéma de principe d'une telle structure est donné sur la figure 2a.
Un substrat 5 comporte sur une face principale un empilement des couches suivantes: - une première couche de confinement 2 dopée P; - une couche active laser 1; - une deuxième couche de confinement 3 dopée N;
- une couche de contact.
A partir de la face supérieure de la structure des trous ont été percés de façon à réaliser un matériau à bande photonique de part et
d'autre du laser (zones gl et g2) et en bouts de lasers (miroirs M1 et M2).
Un matériau à bande interdite photonique à deux dimensions suffit, car le mode optique est confiné dans la troisième direction (l'épaisseur du laser) par la structure multicouche réalisée lors de la croissance du laser, comme dans un laser classique. Le coefficient de réflexion des miroirs M1, M2 placé aux extrémités du laser peut être accordé à volonté en changeant le nombre de périodes du matériau à bande interdite photonique. Ce nombre n'est pas nécessairement entier, le miroir pouvant s'interrompre sur une fraction de période du cristal photonique. Dans l'exemple de la figure 2, le laser émet sa puissance vers la droite, car le miroir M2 de droite a été conçu de manière à ce qu'il soit moins réfléchissant que le miroir M1 de gauche,
car il contient un nombre de périodes inférieur.
Le matériau à bande interdite photonique situé de part et d'autre du laser dans les zones gl et g2 détermine le guidage latéral du guide et
réalise un ruban de guidage G dans le guide.
La figure 2b représente une variante de réalisation de l'invention concernant un laser à émission par la surface. A la sortie du laser, du côté du miroir M2 la lumière est orientée vers la surface de la structure à l'aide d'un réseau de diffraction R.
La figure 2c représente en coupe le laser des figures 2a et 2b.
Les trous qui réalisent le matériau à bande interdite photonique des zones de guidage gl, g2 et des miroirs M1, M2 peuvent avoir une
section droite de forme carrée, circulaire, polygonale, etc...
En ce qui concerne la profondeur de ces trous, plus elle est importante plus l'efficacité de guidage (ou de réflexion) de la lumière est importante. Lorsque les trous traversent la couche active 1, I'efficacité est maximale. Quoi qu'il en soit, on choisira la profondeur des trous de façon que la distance des fonds des trous à la couche active soit inférieure à la
longueur d'onde du laser (soit inférieure à quelques dixièmes de micromètre.
De préférence, les trous sont vides de tout matériau de façon à assurer un contraste d'indice élevé entre le matériau à bande interdite
photonique et le matériau situé de part et d'autre.
Les différents trous ont une disposition régulière de façon à former un réseau régulier. Les mailles de ce réseau ont donc une forme
régulière qui peut être de forme carrée, hexagonale notamment.
Les trous et les différentes mailles auront des dimensions telles que les trous remplissent environ 70 % de la surface (plus généralement de
à 90 %). Par ailleurs, la distance entre trous est telle que a = 0,2 à 0, 5 x.
(par exemple a = 0,36 X et taux de remplissage 70 %) (a étant la distance
entre trous et x la longueur d'onde) (voir Solid State Electronic 37, 1341-
1994).
Les figures 3a et 3b représentent un ensemble de lasers G1, G2, G3 réalisés sur un même substrat avec les réseaux de diffractions R1, R2, R3. Ces réseaux peuvent d'ailleurs être réalisés en un seul réseau (voir
figure 3b).
La figure 3b représente schématiquement les lasers G1, G2,...
Gn pompés par un laser LP émettant vers chacun d'eux un faisceau de
pompe P1, P2,... P3.
L'isolation électrique des lasers peut être éventuellement réalisée classiquement par une technique d'implantation de protons sur les parties de la plaque qui ne nécessitent pas de gain optique, donc pas d'injection électrique. On peut éventuellement éviter la recombinaison de porteurs sur les défauts de surface introduits par la gravure des matériaux à bande interdite photonique en réalisant une interdiffusion assistée par atomes étrangers (le Bore par exemple); pour cela une épaisseur faible
d'interdiffusion suffit (par exemple 50 à 100 A).
On peut également prévoir un couplage optique entre les différents lasers pour qu'ils émettent tous en phase G1, G2,... Gn. Pour cela, la largeur de chaque bande séparant deux lasers est dimensionnée pour permettre ce couplage. Par exemple, elle comprendra 1 à 5 mailles de matériau à bande interdite photonique. Ceci constitue un moyen pour que
tous les lasers émettent en phase.
L'invention présente les avantages suivants: - Un premier avantage réside dans la meilleure qualité des
interfaces optiques réalisées par les matériaux à bande interdite photonique.
Dans un tel matériau, les défauts de surface optique ne couplent le mode optique du laser qu'à des modes évanescents dans le matériau à bande interdite photonique, et donc pas à l'extérieur. Les matériaux à bande interdite photonique permettent donc la réalisation de surfaces optiques parfaites, sans pertes indésirables vers des modes extérieurs. Ces miroirs sont notamment bien meilleurs que les miroirs réalisés habituellement dans des technologiques pleines plaques, par exemple par gravure ionique
réactive, qui présentent beaucoup de défauts.
- Un deuxième avantage apporté par cette invention réside dans l'inhibition de l'émission spontanée réalisée par le matériau à bande interdite photonique. Si l'on dispose en dessous et dessus de la structure de miroirs plans classiques (métalliques ou multicouches), le contrôle de l'émission spontanée est réalisé sur l'ensemble des modes du champ électromagnétique, sur les trois dimensions. On améliore ainsi le rendement des lasers, ouvrant également la possibilité de faire baisser leur seuil notamment pour les petites cavités donc pour les lasers de petites puissance.

Claims (11)

REVENDICATIONS
1. Laser à semiconducteurs comprenant au moins une couche active (1) enserrée entre deux couches de confinement (2, 3) dopées P et N pour constituer une jonction PN, caractérisé en ce qu'il comporte dans au moins l'une des couches de confinement et/ou la couche active, des trous disposés de part et d'autre de la cavité de façcon à réaliser le long des parois latérales (gl, g2) de la cavité (G) et aux extrémités (M1, M2) de la cavité (G)
des structures de matériau à bande interdite photonique.
2. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un réseau de diffraction (R) disposé perpendiculairement à la direction longitudinale de la cavité, ce réseau étant
disposé du côté de l'extrémité de sortie M2 du laser.
3. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la profondeur des trous dans la couche de confinement est telle que la distance des fonds des trous à la couche active est inférieure à la
longueur (X) de fonctionnement du laser.
4. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le nombre de périodes de trous est inférieur à une extrémité (M2)
par rapport à l'autre extrémité (M1).
5. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les trous et les différentes mailles du matériau à bande interdite photonique ont des dimensions telles que les trous remplissent 10 à 90 %
de la surface du matériau.
6. Laser à semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé
en ce que les trous remplissent environ 70 % de la surface du matériau.
7. Laser à semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la distance entre trous est comprise sensiblement entre 0,2 X et
0,5 X, X étant la longueur d'onde de fonctionnement du laser.
8. Laser à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé
en ce qu'il comporte plusieurs lasers (G1,... Gn) disposés en parallèle.
9. Laser à semiconducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte un réseau de diffraction commun à tous les lasers (G1, Gn).
10. Laser à semiconducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que la largeur de matériau à bande interdite photonique séparant deux lasers correspond à sensiblement 1 à 5 mailles du réseau du matériau à
bande interdite photonique pour permettre un couplage entre laser.
11. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les trous sont vides de matériau.
FR9505660A 1995-05-12 1995-05-12 Laser a semiconducteurs Expired - Fee Related FR2734097B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9505660A FR2734097B1 (fr) 1995-05-12 1995-05-12 Laser a semiconducteurs
DE69608850T DE69608850T2 (de) 1995-05-12 1996-04-26 Halbleiterlaser
EP96400907A EP0742620B1 (fr) 1995-05-12 1996-04-26 Laser à semiconducteurs
US08/640,525 US5684817A (en) 1995-05-12 1996-05-01 Semiconductor laser having a structure of photonic bandgap material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9505660A FR2734097B1 (fr) 1995-05-12 1995-05-12 Laser a semiconducteurs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2734097A1 true FR2734097A1 (fr) 1996-11-15
FR2734097B1 FR2734097B1 (fr) 1997-06-06

Family

ID=9478928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9505660A Expired - Fee Related FR2734097B1 (fr) 1995-05-12 1995-05-12 Laser a semiconducteurs

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5684817A (fr)
EP (1) EP0742620B1 (fr)
DE (1) DE69608850T2 (fr)
FR (1) FR2734097B1 (fr)

Families Citing this family (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6002522A (en) * 1996-06-11 1999-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical functional element comprising photonic crystal
FR2757684B1 (fr) * 1996-12-20 1999-03-26 Thomson Csf Detecteur infrarouge a structure quantique, non refroidie
FR2760574B1 (fr) * 1997-03-04 1999-05-28 Thomson Csf Laser unipolaire multi-longueurs d'ondes
US5973823A (en) * 1997-07-22 1999-10-26 Deutsche Telekom Ag Method for the mechanical stabilization and for tuning a filter having a photonic crystal structure
US5999308A (en) * 1998-04-01 1999-12-07 Massachusetts Institute Of Technology Methods and systems for introducing electromagnetic radiation into photonic crystals
US5998298A (en) * 1998-04-28 1999-12-07 Sandia Corporation Use of chemical-mechanical polishing for fabricating photonic bandgap structures
JP3456143B2 (ja) * 1998-05-01 2003-10-14 信越半導体株式会社 積層材料および光機能素子
FR2780203B1 (fr) 1998-06-23 2003-07-04 Thomson Csf Detecteur a puits quantique avec couche de stockage des electrons photoexcites
US6134043A (en) * 1998-08-11 2000-10-17 Massachusetts Institute Of Technology Composite photonic crystals
US6175671B1 (en) * 1998-10-01 2001-01-16 Nortel Networks Limited Photonic crystal waveguide arrays
FR2784514B1 (fr) 1998-10-13 2001-04-27 Thomson Csf Procede de controle d'un laser semiconducteur unipolaire
US6409907B1 (en) 1999-02-11 2002-06-25 Lucent Technologies Inc. Electrochemical process for fabricating article exhibiting substantial three-dimensional order and resultant article
FR2793499B1 (fr) * 1999-05-11 2001-07-06 Agence Spatiale Europeenne Structure dielectrique periodique du type a bande interdite photonique tridimensionnelle et son procede de fabrication
GB2354110A (en) * 1999-09-08 2001-03-14 Univ Bristol Ridge waveguide lasers
FR2799314B1 (fr) 1999-10-01 2002-10-25 Thomson Csf Laser a generations parametriques
JP3667188B2 (ja) * 2000-03-03 2005-07-06 キヤノン株式会社 電子線励起レーザー装置及びマルチ電子線励起レーザー装置
EP1292727A2 (fr) * 2000-06-15 2003-03-19 MERCK PATENT GmbH Procede de production de cristaux a base spherique
US6684008B2 (en) * 2000-09-01 2004-01-27 The University Of British Columbia Planar photonic bandgap structures for controlling radiation loss
US6532326B1 (en) 2000-09-21 2003-03-11 Ut-Battelle, Llc Transverse-longitudinal integrated resonator
JP2004514558A (ja) 2000-11-30 2004-05-20 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング 乳白色効果を有する粒子
US6788847B2 (en) * 2001-04-05 2004-09-07 Luxtera, Inc. Photonic input/output port
DE10119618A1 (de) * 2001-04-21 2002-10-24 Univ Konstanz Optischer Mikro-Gassensor
US6936854B2 (en) * 2001-05-10 2005-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Optoelectronic substrate
WO2003023476A1 (fr) * 2001-09-10 2003-03-20 California Institute Of Technology Reglage de l'indice d'une structure de guide d'ondes
US6834152B2 (en) 2001-09-10 2004-12-21 California Institute Of Technology Strip loaded waveguide with low-index transition layer
US7082235B2 (en) * 2001-09-10 2006-07-25 California Institute Of Technology Structure and method for coupling light between dissimilar waveguides
US6674778B1 (en) * 2002-01-09 2004-01-06 Sandia Corporation Electrically pumped edge-emitting photonic bandgap semiconductor laser
US7254149B2 (en) 2002-03-19 2007-08-07 Finisar Corporation Submount, pedestal, and bond wire assembly for a transistor outline package with reduced bond wire inductance
US7044657B2 (en) * 2002-03-19 2006-05-16 Finisar Corporation Transistor outline package with exteriorly mounted resistors
US7042067B2 (en) * 2002-03-19 2006-05-09 Finisar Corporation Transmission line with integrated connection pads for circuit elements
US6932518B2 (en) * 2002-03-19 2005-08-23 Finisar Corporation Circuit board having traces with distinct transmission impedances
JP2004012780A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Seiko Epson Corp 光合分波器、光通信用装置及び光通信システム
US6829281B2 (en) 2002-06-19 2004-12-07 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals
FR2842037B1 (fr) * 2002-07-08 2004-10-01 Cit Alcatel Laser dfb a reflecteur distribue a bande photonique interdite
US6744804B2 (en) 2002-07-18 2004-06-01 Finisar Corporation Edge emitting lasers using photonic crystals
US6704343B2 (en) 2002-07-18 2004-03-09 Finisar Corporation High power single mode vertical cavity surface emitting laser
US7319709B2 (en) 2002-07-23 2008-01-15 Massachusetts Institute Of Technology Creating photon atoms
GB0218548D0 (en) 2002-08-09 2002-09-18 Intense Photonics Ltd Multi-section laser with photonic crystal mirrors
JP2004093787A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Seiko Epson Corp 光スイッチ、光通信用装置及び光通信システム
US6778581B1 (en) 2002-09-24 2004-08-17 Finisar Corporation Tunable vertical cavity surface emitting laser
US6810056B1 (en) 2002-09-26 2004-10-26 Finisar Corporation Single mode vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals with a central defect
FR2845833A1 (fr) * 2002-10-15 2004-04-16 Cit Alcatel Amplificateur optique a semiconducteurs a stabilisation de gain laterale et distribuee
JP2004172506A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Sony Corp 半導体レーザ素子
DE10254909B4 (de) * 2002-11-25 2004-10-07 Infineon Technologies Ag Abstimmbarer Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren
US6853669B2 (en) * 2002-12-10 2005-02-08 Ut-Battelle, Llc Nanocrystal waveguide (NOW) laser
EP1586148A4 (fr) * 2003-01-24 2006-05-31 California Inst Of Techn Lasers et amplificateurs a resonance de bragg transverse et procede d'utilisation de ceux-ci
DE10321246B4 (de) * 2003-02-28 2009-10-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte Halbleitervorrichtung
JP2004266280A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh 半導体レーザおよび光ポンピングされる半導体装置
US6826223B1 (en) * 2003-05-28 2004-11-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Surface-emitting photonic crystal distributed feedback laser systems and methods
US6958486B2 (en) * 2003-06-26 2005-10-25 Rj Mears, Llc Semiconductor device including band-engineered superlattice
US7531829B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including regions of band-engineered semiconductor superlattice to reduce device-on resistance
US7612366B2 (en) * 2003-06-26 2009-11-03 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a strained superlattice layer above a stress layer
US7535041B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-19 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device including regions of band-engineered semiconductor superlattice to reduce device-on resistance
US6833294B1 (en) 2003-06-26 2004-12-21 Rj Mears, Llc Method for making semiconductor device including band-engineered superlattice
US7045813B2 (en) * 2003-06-26 2006-05-16 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction
US7491587B2 (en) * 2003-06-26 2009-02-17 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device having a semiconductor-on-insulator (SOI) configuration and including a superlattice on a thin semiconductor layer
US7598515B2 (en) * 2003-06-26 2009-10-06 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a strained superlattice and overlying stress layer and related methods
US20060231857A1 (en) * 2003-06-26 2006-10-19 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (ndr) device
US20040262594A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Rj Mears, Llc Semiconductor structures having improved conductivity effective mass and methods for fabricating same
US20050282330A1 (en) * 2003-06-26 2005-12-22 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers
US20070063185A1 (en) * 2003-06-26 2007-03-22 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer
US7514328B2 (en) * 2003-06-26 2009-04-07 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with a superlattice therebetween
US7659539B2 (en) 2003-06-26 2010-02-09 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a floating gate memory cell with a superlattice channel
US7531850B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (NDR) device
US7446002B2 (en) * 2003-06-26 2008-11-04 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer
US20060289049A1 (en) * 2003-06-26 2006-12-28 Rj Mears, Llc Semiconductor Device Having a Semiconductor-on-Insulator (SOI) Configuration and Including a Superlattice on a Thin Semiconductor Layer
US20070015344A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-18 Rj Mears, Llc Method for Making a Semiconductor Device Including a Strained Superlattice Between at Least One Pair of Spaced Apart Stress Regions
US20060243964A1 (en) * 2003-06-26 2006-11-02 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device having a semiconductor-on-insulator configuration and a superlattice
US7531828B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a strained superlattice between at least one pair of spaced apart stress regions
WO2005018005A1 (fr) * 2003-06-26 2005-02-24 Rj Mears, Llc Dispositif a semi-conducteur comprenant un transistor mosfet pourvu d'un super-reseau concu sous forme de bande
US20060273299A1 (en) * 2003-06-26 2006-12-07 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a dopant blocking superlattice
US20060267130A1 (en) * 2003-06-26 2006-11-30 Rj Mears, Llc Semiconductor Device Including Shallow Trench Isolation (STI) Regions with a Superlattice Therebetween
US7153763B2 (en) 2003-06-26 2006-12-26 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including band-engineered superlattice using intermediate annealing
US20040266116A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Rj Mears, Llc Methods of fabricating semiconductor structures having improved conductivity effective mass
US7229902B2 (en) * 2003-06-26 2007-06-12 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction
US20070020860A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-25 Rj Mears, Llc Method for Making Semiconductor Device Including a Strained Superlattice and Overlying Stress Layer and Related Methods
US7045377B2 (en) * 2003-06-26 2006-05-16 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction
US20060220118A1 (en) * 2003-06-26 2006-10-05 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a dopant blocking superlattice
US20070020833A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-25 Rj Mears, Llc Method for Making a Semiconductor Device Including a Channel with a Non-Semiconductor Layer Monolayer
US7227174B2 (en) * 2003-06-26 2007-06-05 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction
US20070063186A1 (en) * 2003-06-26 2007-03-22 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer
US7586116B2 (en) * 2003-06-26 2009-09-08 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device having a semiconductor-on-insulator configuration and a superlattice
US20060292765A1 (en) * 2003-06-26 2006-12-28 Rj Mears, Llc Method for Making a FINFET Including a Superlattice
US20070010040A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-11 Rj Mears, Llc Method for Making a Semiconductor Device Including a Strained Superlattice Layer Above a Stress Layer
US20060011905A1 (en) * 2003-06-26 2006-01-19 Rj Mears, Llc Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer
US7202494B2 (en) * 2003-06-26 2007-04-10 Rj Mears, Llc FINFET including a superlattice
US7586165B2 (en) * 2003-06-26 2009-09-08 Mears Technologies, Inc. Microelectromechanical systems (MEMS) device including a superlattice
US20050279991A1 (en) * 2003-06-26 2005-12-22 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers
JP2005045162A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子およびその製造方法
US20050152424A1 (en) * 2003-08-20 2005-07-14 Khalfin Viktor B. Low voltage defect super high efficiency diode sources
EP1722265A4 (fr) * 2004-02-17 2008-07-02 Furukawa Electric Co Ltd Dispositif semi-conducteur photonique de cristal et procede pour fabriquer celui-ci
US7315679B2 (en) 2004-06-07 2008-01-01 California Institute Of Technology Segmented waveguide structures
US20060039433A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Simpson John T Silicon nanocrystal/erbium doped waveguide (SNEW) laser
US7307719B2 (en) * 2004-09-14 2007-12-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wavelength-tunable excitation radiation amplifying structure and method
US7177021B2 (en) * 2004-09-14 2007-02-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Integrated radiation sources and amplifying structures, and methods of using the same
US7339666B2 (en) * 2004-09-14 2008-03-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light-amplifying structures and methods for surface-enhanced Raman spectroscopy
US7368870B2 (en) * 2004-10-06 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Radiation emitting structures including photonic crystals
US20070030873A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Finisar Corporation Polarization control in VCSELs using photonics crystals
US7826688B1 (en) 2005-10-21 2010-11-02 Luxtera, Inc. Enhancing the sensitivity of resonant optical modulating and switching devices
TWI316294B (en) * 2005-12-22 2009-10-21 Mears Technologies Inc Method for making an electronic device including a selectively polable superlattice
US7517702B2 (en) * 2005-12-22 2009-04-14 Mears Technologies, Inc. Method for making an electronic device including a poled superlattice having a net electrical dipole moment
US7718996B2 (en) * 2006-02-21 2010-05-18 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device comprising a lattice matching layer
US7511808B2 (en) * 2006-04-27 2009-03-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Analyte stages including tunable resonant cavities and Raman signal-enhancing structures
JP5147041B2 (ja) * 2006-09-21 2013-02-20 古河電気工業株式会社 フォトニック結晶光素子
US20080149946A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light
US7781827B2 (en) 2007-01-24 2010-08-24 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device with a vertical MOSFET including a superlattice and related methods
US7928425B2 (en) * 2007-01-25 2011-04-19 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a metal-to-semiconductor superlattice interface layer and related methods
US7863066B2 (en) * 2007-02-16 2011-01-04 Mears Technologies, Inc. Method for making a multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice
US7880161B2 (en) 2007-02-16 2011-02-01 Mears Technologies, Inc. Multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice
US7728333B2 (en) * 2007-03-09 2010-06-01 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Nanotube array ballistic light emitting devices
US7812339B2 (en) * 2007-04-23 2010-10-12 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with maskless superlattice deposition following STI formation and related structures
KR101423721B1 (ko) * 2007-10-09 2014-07-31 서울바이오시스 주식회사 나노 패턴들을 갖는 레이저 다이오드 및 그것을 제조하는방법
CN101546949B (zh) * 2008-03-24 2012-08-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 弹片及音圈马达致动器
FR2934712B1 (fr) * 2008-08-01 2010-08-27 Thales Sa Procede de fabrication d'un dispositif optique d'analyse comportant un laser a cascades quantiques et un detecteur quantique.
US7782920B2 (en) * 2008-12-08 2010-08-24 Coherent, Inc. Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing
US8682129B2 (en) * 2012-01-20 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Photonic device and methods of formation
JP6052665B2 (ja) * 2012-10-15 2016-12-27 国立大学法人京都大学 半導体レーザ素子の駆動方法
WO2015077595A1 (fr) 2013-11-22 2015-05-28 Mears Technologies, Inc. Dispositifs à semi-conducteurs verticaux comprenant une couche d'arrêt de perçage de super-réseau et procédés associés
CN105900241B (zh) 2013-11-22 2020-07-24 阿托梅拉公司 包括超晶格耗尽层堆叠的半导体装置和相关方法
US9716147B2 (en) 2014-06-09 2017-07-25 Atomera Incorporated Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods
US9722046B2 (en) 2014-11-25 2017-08-01 Atomera Incorporated Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods
EP3281231B1 (fr) 2015-05-15 2021-11-03 Atomera Incorporated Procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs avec super-réseau et couches d'arrêt de perçage (pts) à des profondeurs différentes
WO2016196600A1 (fr) 2015-06-02 2016-12-08 Atomera Incorporated Procédé de fabrication de structures semi-conductrices améliorées dans une chambre de traitement de tranche unique avec régulation d'uniformité voulue
US9558939B1 (en) 2016-01-15 2017-01-31 Atomera Incorporated Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316690A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
JPS6332983A (ja) * 1986-07-25 1988-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ
WO1994016345A1 (fr) * 1993-01-08 1994-07-21 Massachusetts Institute Of Technology Circuits integres optoelectroniques et optiques a faibles pertes
US5365541A (en) * 1992-01-29 1994-11-15 Trw Inc. Mirror with photonic band structure

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4503447A (en) * 1982-07-16 1985-03-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Multi-dimensional quantum well device
EP0236713A3 (fr) * 1986-02-10 1988-06-29 Siemens Aktiengesellschaft Diode laser
FR2640438B1 (fr) * 1988-12-09 1991-01-25 Thomson Csf Procede de realisation de lasers semi-conducteurs et lasers obtenus par le procede
FR2649549B1 (fr) * 1989-07-04 1991-09-20 Thomson Csf Laser semiconducteur a puits quantique
FR2655434B1 (fr) * 1989-12-05 1992-02-28 Thomson Csf Dispositif optique a puits quantiques et procede de realisation.
US5332681A (en) * 1992-06-12 1994-07-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making a semiconductor device by forming a nanochannel mask

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316690A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
JPS6332983A (ja) * 1986-07-25 1988-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ
US5365541A (en) * 1992-01-29 1994-11-15 Trw Inc. Mirror with photonic band structure
WO1994016345A1 (fr) * 1993-01-08 1994-07-21 Massachusetts Institute Of Technology Circuits integres optoelectroniques et optiques a faibles pertes

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KRAUSS T ET AL: "FABRICATION OF 2-D PHOTONIC BANDGAP STRUCTURES IN GAAS/ALGAAS", ELECTRONICS LETTERS, vol. 30, no. 17, 18 August 1994 (1994-08-18), pages 1444 - 1446, XP000476049 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 221 (E - 625) 23 June 1988 (1988-06-23) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 244 (E - 631) 9 July 1988 (1988-07-09) *
YABLONOVITCH E ET AL: "PHOTONIC BAND STRUCTURE: THE FACE-CENTERED-CUBIC CASE EMPLOYING NONSPHERICAL ATOMS", PHYSICAL REVIEW LETTERS, vol. 67, no. 17, 21 October 1991 (1991-10-21), pages 2295 - 2298, XP000363623 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE69608850D1 (de) 2000-07-20
DE69608850T2 (de) 2001-01-18
US5684817A (en) 1997-11-04
EP0742620B1 (fr) 2000-06-14
EP0742620A1 (fr) 1996-11-13
FR2734097B1 (fr) 1997-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0742620B1 (fr) Laser à semiconducteurs
CA2467055C (fr) Structure a cristal photonique pour la conversion de mode
EP0545820B1 (fr) Composant optique semi-conducteur à mode de sortie élargi et son procédé de fabrication
EP0369856B1 (fr) Dispositif optoélectronique de puissance, et son procédé de réalisation
EP0729042B1 (fr) Guide optique segmenté pouvant notamment être inclus dans un dispositif semiconducteur
FR2639773A1 (fr) Laser a semi-conducteur accordable
EP0006372B1 (fr) Laser à réflecteur distribué
FR2525033A1 (fr) Laser a semi-conducteur a plusieurs longueurs d'onde independantes et son procede de realisation
EP0823982B1 (fr) Amplificateur optique a semi-conducteur
FR2729789A1 (fr) Detecteur a puits quantique et procede de realisation
EP0776075B1 (fr) Dispositif laser, notamment pour pompage optique
FR2845833A1 (fr) Amplificateur optique a semiconducteurs a stabilisation de gain laterale et distribuee
FR2671238A1 (fr) Procede de realisation de lasers semiconducteurs a emission de surface, et lasers obtenus par le procede.
FR3067866A1 (fr) Composant laser semiconducteur hybride et procede de fabrication d'un tel composant
EP0812042B1 (fr) Dispositif optique à guide de lumière semiconducteur, à faisceau émergent de faible divergence, application aux lasers de Fabry-Pérot et à contre-réaction distribuée
FR2909192A1 (fr) Isolateur optique integre comportant un reseau de bragg
WO2024115447A1 (fr) Dispositif à émission de surface, système optique et procédé associé
JPS6010685A (ja) 分布帰還型面発光半導体レ−ザ装置
WO2002017453A1 (fr) Amplificateur optique en semi-conducteur
FR2854469A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif optique semi-conducteur comportant une region munie d'une couche active a epaisseur variable
EP1232550A1 (fr) Amplificateur optique a semi-conducteur
EP0767519A1 (fr) Dispositif d'amplification optique
FR2905036A1 (fr) Amplificateur optique a semi-conducteur a bande passante elargie.
FR2770695A1 (fr) Laser a rubans et procede de fabrication
EP1249905A1 (fr) Laser semi-conducteur muni d'un miroir

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name
ST Notification of lapse

Effective date: 20150130