FR2707789B1 - Dispositif de mémoire à semiconducteur pouvant être utilisé comme mémoire tampon de ligne, et procédé de lecture et d'écriture associé. - Google Patents
Dispositif de mémoire à semiconducteur pouvant être utilisé comme mémoire tampon de ligne, et procédé de lecture et d'écriture associé.Info
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JPH0373495A (ja) * | 1989-02-15 | 1991-03-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
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WO1991007754A1 (fr) * | 1989-11-13 | 1991-05-30 | Cray Research, Inc. | Memoire de lecture et d'ecriture simultanees |
JP2891504B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1999-05-17 | 三菱電機株式会社 | マルチポートメモリ |
JP2662822B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1997-10-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
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JP3481263B2 (ja) * | 1992-02-19 | 2003-12-22 | 株式会社リコー | シリアル記憶装置 |
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