FR2562682A1 - Element recepteur de lumiere et procede de formation d'une image sur cet element - Google Patents

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN ELEMENT RECEPTEUR DE LA LUMIERE ET PLUS PARTICULIEREMENT UN ELEMENT PHOTOSENSIBLE ELECTROPHOTOGRAPHIQUE. CET ELEMENT COMPORTE UN SUBSTRAT 1 SUR LEQUEL EST FORMEE UNE COUCHE RECEPTRICE DE LA LUMIERE. CETTE COUCHE EST FORMEE SUR LES SURFACES REFLECHISSANTES EFFILEES 3 QUI PRESENTENT DES SAILLIES 2 DONT LA HAUTEUR EST D'AU MOINS L2, L ETANT LA LONGUEUR D'ONDE D'UN FAISCEAU LUMINEUX INCIDENT. PAR CONSEQUENT, L'EPAISSEUR DE LA COUCHE DE REVETEMENT VARIE DE FACON REGULIERE. DOMAINE D'APPLICATION : DISPOSITIFS ELECTROPHOTOGRAPHIQUES TELS QU'IMPRIMANTES A FAISCEAU LASER, ETC.

Description

L'invention concerne un élément récepteur

de lumière tel qu'un élément photosensible électrophoto-

graphique, etc., ainsi qu'un procédé de formation d'une

image sur cet élément, et elle a trait plus particulière-

ment à un élément récepteur de lumière convenant à une imprimante électrophotographique du type dans lequel on fait exécuter un balayage de lignes à un faisceau laser sur une configuration d'image, ainsi qu'à un procédé

pour former une image sur un tel élément.

Les imprimantes électrophotographiques du type à balayage de lignes par faisceau laser ont utilisé jusqu'à présent des lasers à gaz de longueur d'onde relativement courte tels que des lasers à hélium-cadmium, des lasers à argon, des lasers à hélium-néon, etc., pour produire le faisceau laser. Une couche photosensible

à base de CdS-liant, présentant une épaisseur de photosen-

sibilité et une épaisseur constituée d'un complexe de transfert de charges [IBM Journal of the Research and Development, Janvier (1971), pages 75-89] a été également

utilisée comme élément photosensible électrophotographique.

Ainsi, le faisceau laser ne subit aucune réflexion multi-

ple dans la couche photosensible, de sorte qu'il n'appa-

raît pas, en fait, pendant la formation de l'image,

d'images de franges d'interférence.

Entre-temps, on a récemment utilisé un laser à semiconducteur à la place du laser à gaz pour produire

les dispositifs à une petite échelle et un coût inférieur.

Le laser à semiconducteur oscille généralement à une longueur d'onde comprise dans une bande de plus grandes longueurs d'ondes, telles que 750 nm ou plus, et il

a donc été nécessaire de disposer d'un élément photosensi-

ble électrophotographique caractérisé par une sensibilité élevée dans la bande des longueurs d'ondes plus grandes et on a donc procédé jusqu'à présent à des recherches et à des perfectionnements sur des éléments photosensibles

électrophotographiques ayant une telle sensibilité.

Les éléments photosensibles connus jusqu'à présent,; présentant une photosensibilité à la lumière de longueurs d'ondes plus grandes, par exemple 600 nm

ou plus, comprennent, par exemple, un élément photosensi-

ble électrophotographique du type stratifié présentant une structure en couches qui comprend une couche de transport de charges et une couche génératrice de charges contenant des pigments à la phtalocyanine, tels que la phtalocyanine de cuivre, la phtalocyanine au chlorure d'aluminium, etc., ainsi qu'un élément photosensible

électrophotographique utilisant une pellicule sélénium-

tellure.

Lorsqu'un tel élément photosensible, présen-

tant une certaine sensibilité à la lumière de grande longueur d'onde, est soumis à une exposition par faisceau laser dans une imprimante électrophotographique du type à balayage par faisceau laser, des franges d'interférence apparaissent sur l'image développée et formée et on ne peut pas obtenir une bonne reproduction d'image. L'une des causes de ces phénomènes désavantageux semble être que le faisceau laser de plus grande longueur d'onde

n'est pas complètement absorbé dans la couche photosensi-

ble et que la lumière transmise subit une réflexion

normale sur la surface du substrat, engendrant des ré-

flexions multiples du faisceau laser dans la couche photosensible et faisant apparattre une interférence entre la lumière réfléchie sur la surface de la couche

photosensible et les réflexions multiples.

Pour éliminer les réflexions multiples engen-

drées dans la couche photosensible afin d'éviter ces inconvénients, on a proposé jusqu'à présent un procédé destiné à dépolir la surface du substrat électroconducteur utilisé dans l'élément photosensible électrophotographique par oxydation anodique ou sablage, un procédé pour former

une couche d'absorption de lumière ou une couche anti-

réflexion entre la couche photosensible et le substrat,

etc., mais, en fait, les franges d'interférence apparais-

sant pendant la formation d'image ne peuvent être complètement éliminées. En particulier, dans le procédé pour dépolir la surface du substrat électroconducteur, il est difficile de former une surface rugueuse présentant

une rugosité uniforme et des sites de rugosité relative-

ment élevée peuvent parfois apparaître à un certain degré. Ces sites de rugosité relativement élevée peuvent se comporter comme des entrées d'injection de porteurs dans la couche photosensible, générant des points blancs pendant la formation de l'image ou des points noirs lorsqu'un système de développement par inversion est utilisé. Ainsi, le procédé de dépolissage de surface n'est pas avantageux. En outre, il est difficile de produire des substrats électroconducteurs de rugosité uniforme dans un lot de production et le procédé peut

donc faire encore l'objet de nombreux perfectionnements.

Même par le procédé utilisant une couche d'absorption de la lumière ou une couche anti-réflexion, les franges d'interférence ne peuvent être complètement éliminées

et, en outre, ce procédé a pour inconvénients un accroisse-

ment du coût de production, etc.

L'invention a pour objet un élément perfec-

tionné de réception de la lumière, par exemple un élément photosensible électrophotographique, ne présentant pas les inconvénients cités, ainsi qu'un procédé pour former

une image sur un tel élément.

L'invention a également pour objet un élément photosensible électrophotographique convenant à une

production aisée de substrats électroconducteurs présen-

tant des caractéristiques de surface uniformes dans

un même lot.

Un autre objet de l'invention est d'offrir un élément photosensible électrophotographique qui élimine complètement les franges d'interférence apparaissant

dans la formation d'une image et les points noirs appa-

raissant pendant le développement par inversion, dans le même temps, ainsi qu'un procédé pour former une image

sur un tel élément.

Ces objets de la présente invention peuvent

être réalisés par un élément récepteur de lumière compor-

tant une couche de revêtement qui comprend une couche

réceptrice de la lumière (qui sera désignée plus simple-

ment ci-après "couche photosensible") portée par un

substrat, l'élément étant caractérisé en ce que l'épais-

seur de la couche de revêtement est modifiée de façon régulière sur une très faible largeur, et avantageusement en ce que des surfaces réfléchissantes effilées à une À hauteur d'au moins 2, o À est la longueur d'onde de la lumière incidente pendant une exposition à une image, avantageusement de 0,1 à 100 im et plus avantageusement de 0,3 à 3 im, sont formées suivant la direction de la faible largeur, sur avantageusement pas plus de 1000lm et plus avantageusement de 10 pm à 500 lm, entre le

substrat et la couche photosensible.

L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est une vue en perspective partielle d'un substrat électroconducteur utilisé dans la présente invention; - la figure 2 est une coupe transversale à échelle agrandie du substrat électroconducteur; - la figure 3(A) est une coupe transversale

partielle d'une forme de réalisation d'un élément photo-

sensible électrophotographique classique; - la figure 3(B) est une coupe transversale

partielle d'une forme de réalisation de l'élément photo-

sensible électrophotographique selon l'invention; et - la figure 4 est une coupe transversale

partielle d'une autre forme de réalisation de l'invention.

La figure 1 représente un exemple d'un substrat

électroconducteur utilisé dans la présente invention.

Cette dernière n'est pas limitée à la forme cylindrique montrée sur la figure 1, mais on peut également utiliser

une forme en feuille ou en plaque. -

Le substrat électroconducteur 1 montré sur la figure 1 comporte des saillies linéaires 2 et des surfaces réfléchissantes effilées 3 correspondant à une ligne de coupe, formées régulièrement à intervalles d'une très petite largeur d. Les saillies linéaires 2 et les surfaces réfléchissantes effilées 3 peuvent

être formées en hélice lorsque le substrat électroconduc-

teur 1 se présente sous la forme d'un cylindre et elles

peuvent également être formées, par exemple, perpendicu-

lairement ou parallèlement à la direction longitudinale du substrat cylindrique, ou sous une forme ondulée dans la direction longitudinale ou dans la direction latérale du substrat, ou encore les saillies linéaires 2 et les surfaces réfléchissantes effilées 3 peuvent être formées à la fois perpendiculairement et parallèlement à la

direction longitudinale.

La figure 2 est une coupe à échelle agrandie du substrat électroconducteur 1 montré sur la figure 1, sur lequel cinq saillies linéaires 2 et cinq surfaces

réfléchissantes effilées 3 sont formées sur chaque milli-

mètre de largeur. Il est évident que la présente invention n'est pas limitée à cette forme de réalisation, mais la très petite largeur d peut être établie à 1000 lm (une saillie linéaire 2 par millimètre de largeur) ou moins, avantageusement entre 10 gm (100 saillies linéaires 2 par millimètre de largeur) et 500 im (deux saillies

linéaires 2 par millimètre de largeur).

Les surfaces réfléchissantes effilées 3 montrées sur la figure 2 sont des surfaces correspondant à des lignes de coupe, formées par une coupe régulière effectuée à l'aide d'un couteau, etc., et leur forme, en section, peut être semi-circulaire comme représenté sur

la figure 2, ou bien en U, en V, en dents de scie, trapé-

zoidale ou semi-ellipsoidale.

Les surfaces réfléchissantes effilées 3 présentent une hauteur d'effilement h. Il est avantageux À que cette hauteur h soit d'au moins À, À étant la longueur d'onde de la lumière incidente- pendant l'exposition

pour la formation d'une image, afin d'éliminer efficace-

ment les franges d'interférence apparaissant pendant la formation de l'image. Plus particulièrement, la hauteur d'effilement h est établie avantageusement à 100 Vm

ou moins, et plus avantageusement entre 0,3 im et 30im.

Lorsque la hauteur d'effilement h est supérieure à 100 lm, une couche d'arrêt à prévoir sur les surfaces réfléchissantes effilées ne peut recouvrir la plus grande partie des saillies linéaires 2 et, même si une couche électroconductrice contenant des particules d'oxyde de titane rendues électroconductrices et dispersées dans une résine est prévue sur les surfaces, la surface de la couche électroconductrice présente encore des

saillies correspondant aux saillies linéaires 2 du subs-

trat électroconducteur 1, et les saillies précédentes ne peuvent être complètement recouvertes par la couche d'arrêt. Par conséquent, l'injection de porteurs dans la couche photosensible, à partir des saillies, se produit même dans ce cas, et les sites d'injection de porteurs apparaissent sous forme de points blancs pendant la formation de l'image, ou de points noirs lorsqu'un développement par inversion est effectué. Autrement dit, ceci n'est pas avantageux pour la formation de l'image. Les surfaces réfléchissantes effilées 3 peuvent être formées par usinage à la machine, par exemple par fixation d'un outil à pointe unique, présentant une arete semi-circulaire, semi-ellipsofdale, en U, en V ou trapézofdale, sur une machine à fraiser ou sur un tour, puis par déplacement régulier d'un substrat

électroconducteur contre l'outil à pointe unique, fixé.

Dans une forme préférée de réalisation de l'invention, les surfaces réfléchissantes effilées 3

de la forme montrée sur la figure 2, peuvent être réali-

sées par usinage au moyen d'un outil1 à pointe unique présentant une arête semi-circulaire d'un rayon de 0,1 à 50 mm, à un pas de 1000.m ou moins, la productivité pouvant être améliorée par l'utilisation de plusieurs outils à pointe unique reliés les uns aux autres en parallèle. Après l'usinage par machine tel que décrit

ci-dessus, on peut également appliquer au substrat élec-

troconducteur résultant une oxydation anodique ou un traitement de surface par immersion dans une solution de silicate de sodium, de fluorozirconate de potassium ou autre, ou on peut en outre mettre en oeuvre un procédé décrit dans le brevet japonais N 47-5125, à savoir une oxydation anodique suivie d'une immersion dans une

solution aqueuse d'un silicate de métal alcalin.

L'oxydation anodique mentionnée ci-dessus peut être réalisée par passage d'un courant électrique à travers le substrat électrdonducxteur, foumant une anode dans une solution aqueuse ou non aqueuse d'un acide

inorganique tel que l'acide phosphorique, l'acide chromi-

que, l'acide sulfurique, l'acide borique, etc., ou d'un

acide organique tel que l'acide oxalique, l'acide sulfami-

que, etc. Le substrat électroconducteur 1 utilisé dans la présente invention peut être réalisé en métal ou en alliage d'aluminium, de plomb, de cuivre, d'acier

inoxydable, etc., ou il peut être constitué d'une pelli-

cule de matière plastique, par exemple de polyester, etc., sur laquelle est déposée en phase vapeur une

pellicule d'aluminium, d'oxyde d'étain ou d'oxyde d'indium.

Les figures 3(A) et 3(B) représentent schéma-

tiquement des modes de réalisation d'éléments photosensi-

bles électrophotographiques exposés à une lumière cohé-

rente constituée d'un faisceau laser, la figure 3(A)

montrant une forme de réalisation de l'élément photosensi-

ble électrophotographique classique et la figure 3(B) une forme de réalisation de l'élément photosensible

électrophotographique selon l'invention.

Iorsque la couche photosensible 4 de l'élément photo-

sensible électrophotographique montré sur la figure 3(A) est exposée à un faisceau laser I1, un rayon réfléchi

R1 émane d'une certaine partie du faisceau laser I1 sur -

la surface de la couche photosensible 4, tandis que la partie restante du faisceau laser I1 est transmise à travers la couche photosensible 4 et atteint une surface 5 de diffusion de la lumière située sur le substrat électroconducteur 1, cette partie restante formant le faisceau laser 12. Une certaine partie du faisceau laser 12 génère par diffusion des rayons K1, K2,..... sur la surface 5 de diffusion de lumière, tandis qu'une partie restante du faisceau laser 12 génère par réflexion normale un rayon R2. Une certaine partie du rayon réfléchi R2 subit une autre réflexion normale à l'interface entre

la couche photosensible 4 et la couche d'air pour engen-

drer un rayon réfléchi R'2. Le rayon réfléchi R'2 est de

nouveau transmis à travers la couche photosensible 4.

Une certaine partie du rayon réfléchi R'2 génère par ré-

flexion normale un rayon R3 sur la surface 5 de diffusion

de la lumière tout en étant soumise à un effet-de diffu-

sion de la lumière sur cette surface, bien que cela ne soit pas représenté sur le dessin. Autrement dit, lorsque la couche photosensible 4 est exposée au faisceau incident I1, des réflexions multiples se produisent les unes à la suite des autres, de cette manière, dans la couche photosensible 4, même en présence de la surface

5 de diffusion de la lumière sur le substrat électrocon-

ducteur 1 et par conséquent, des différences de phase apparaissent dans les longueurs d'ondes respectives entre les rayons réfléchis R1, R2, R3,..

. et provoquent..DTD: une interférence.

Dans le mode de réalisation de l'invention montré sur la figure 3(B), par contre, les surfaces réfléchissantes effilées 3 sont formées sur le substrat

électroconducteur 1 de l'élément photosensible électropho-

tographique décrit, et une couche photosensible 4 est

appliquée sur les surfaces réfléchissantes effilées.

Une certaine partie du faisceau incident I1 arrivant sur la couche photosensible 4 est réfléchie sur la surface de cette couche 4 en donnant un rayon réfléchi R1, tandis

que la partie restante du faisceau incident I1 est trans-

mise à travers la couche photosensible 4 en formant un faisceau transmis 12 et est normalement réfléchie sur l'une des surfaces réfléchissantes effilées 3 pour donner un rayon réfléchi R2. Une certaine partie du rayon réfléchi R2 est normalement réfléchie à l'interface entre la couche photosensible 4 et la couche d'air pour

générer un rayon réfléchi R'2 qui est de nouveau normale-

ment réfléchi sur l'une des surfaces réfléchissantes effilées 3. Autrement dit, des réflexions multiples du faisceau incident I1 se produisent les unes à la

suite des autres, de cette manière, dans la couche photo-

sensible 4, et on peut s'attendre à ce qu'une interférence

se produise entre les rayons réfléchis R1, R2, R3,.

Cependant, on a découvert avec surprise que, lorsqu'une exposition d'image par faisceau laser et un développement par poudre pigmentaire ou "toner" ont été effectués successivement pour former une image après qu'une couche photosensible 4, appliquée sur un substrat

électroconducteur 1 présentant les surfaces réfléchissan-

tes effilées 3 a été chargée électriquement, aucune frange d'interférence ne se forme sur l'image. La raison semble en être que les franges d'interférence générées par les rayons réfléchis sur les surfaces réfléchissantes effilées 4 sont trop fines pour être visibles à l'oeil

nu et que les particules de poudre pigmentaire ont généra-

lement des dimensions relativement grandes, par exemple environ 15 im, par rapport à celles des franges d'interférence et, par conséquent, aucune frange fine d'interférence n'apparaît dans l'image révélée, cette explication n'étant cependant qu'une simple supposition. Une analyse théorique de l'élimination des franges d'interférence par les surfaces réfléchissantes effilées 3 devra faire l'objet d'autres études et d'autres recherches dans le futur. De toute façon, il est surprenant de noter que les franges d'interférence, qui sont apparues jusqu'à présent dans l'image développée, peuvent être totalement éliminées par la présence de surfaces réfléchissantes effilées 3 entre la couche photosensible 4 et le substrat électroconducteur 1, et la présente invention repose

sur la constatation de ce phénomène surprenant.

La figure 4 représente une forme de réalisa-

tion avantageuse de l'invention dans laquelle un élément photosensible électrophotographique comprend un substrat électroconducteur 1 présentant des saillies linéaires 2 et des surfaces réfléchissantes effilées 3, une couche électroconductrice 6, une couche d'arrêt 7 et une couche

photosensible 10 formant une structure stratifiée consti-

tuée d'une couche 8 génératrice de charges et d'une couche 9 de transport de charges, ces couches étant

placées les unes sur les autres par déposition.

La couche électroconductrice 6 peut être par exemple, une pellicule de métal électroconducteur tel que de l'aluminium, de l'étain ou de l'or, déposée en phase vapeur, ou bien une pellicule contenant des

poudres électroconductrices en dispersion dans une résine.

Les poudres électroconductrices utilisées à cet effet peuvent être des poudres de métaux tels que l'aluminium, l'étain, l'argent, etc., des poudres de carbone ou des

pigments électroconducteurs contenant des oxydes métalli-

ques tels que de l'oxyde de titane, de l'oxyde de baryum, de l'oxyde de zinc, de l'oxyde d'étain, etc., comme constituant principal. La couche électroconductrice

peut également contenir un agent absorbant la lumière.

N'importe quelle résine peut être utilisée pour disperser les poudres électroconductrices, pourvu qu'elle puisse satisfaire les conditions suivantes:

(1) une forte adhérence au substrat, (2) une bonne disper-

sibilité de la poudre, (3) une bonne résistance aux solvants, etc. Des résines thermodurcissables telles qu'un caoutchouc vulcanisable, une résine de polyuréthanne, une résine époxy, une résine alkyde, une résine polyester, une résine siliconée, une résine acryl-mélamine, etc. sont particulièrement avantageuses. La résistivité trans-

versale de la résine dans laquelle les poudres électrocon-

ductrices sont dispersées est de 1013 n.cm ou moins, avan-

tageusement de 1012 2.cm ou moins. A cet effet, il est

avantageux que la pellicule de résine contienne 10-

60% enpoids des poudres électroconductrices.

La couche électroconductrice 6 peut contenir un agent abaissant l'énergie superficielle, tel qu'une huile de silicone, divers surfactants, etc. pour obtenir une surface de revêtement uniforme présentant moins de défauts de revêtement. Les poudres électroconductrices peuvent être dispersées dans la résine par des moyens classiques, par exemple un broyeur à rouleaux, un broyeur à billes, un broyeur à vibrations, un appareil d'attrition, un broyeur à sable, un broyeur à colloide, etc. Lorsque le substrat se présente sous la forme d'une feuille, une enduction au barreau à toile métallique, une enduction à la lame, une enduction au couteau, une enduction au

rouleau, une enduction à l'écran, etc. sont préférées.

Lorsque le substrat est de forme cylindrique, une enduction

par immersion est préférée.

Lorsque la hauteur h des saillies 2 du subs-

trat électroconducteur 1 est de 100 pm ou moins, les défauts de surface de la couche électroconductrice 6 peuvent être totalement recouverts lorsque cette couche 6 est réalisée à une épaisseur d'environ i à 50 pim, et avantageusement d'environ 5 Vm à 30 Vm, sur le substrat

électroconducteur 1, par enduction.

La couche 7 d'arrêt, qui assume une fonction d'arrêt et une fonction d'adhérence, est formée entre la couche électroconductrice 6 et la couche photosensible et elle peut être constituée de caséine, d'alcool

polyvinylique, de nitrocellulose, de copolymères éthylène-

acide acrylique, de polyamides ("Nylon 6", "Nylon 66", "Nylon 610", copolymère de Nylon, Nylon alkoxyméthylé, etc.), de polyuréthannes, de gélatine, etc. L'épaisseur

de la couche d'arrêt 7 est de 0,1 gm à 5 Vm et avantageu-

sement de 0,5 à 3 Vm. La couche 8 de génération de charges utilisée dans la présente invention peut être formée à partir d'une dispersion d'une matière organiqoe génératrioe de charges, choisie parmi des pigments azo tels que le rouge Soudan, le bleu Dian, le vert Janus B, etc., des pigments du type quinone tel que le jaune Algol, la quinone Pyrène, le violet brillant Indanthrène RRP; des pigments du type quinocyanine; des pigments du type pérylène; des pigments d'indigo tels que l'indigo,

le thioindigo, etc.; des pigments du type bisbenzimida-

zole tels que la poudre pigmentaire orange Indofast, etc.; des pigments du type phtalocyanine tels que la phtalocyanine de cuivre, l'aluminochlorophtalocyanine, etc; des pigments du type quinacridone; et des composés de sel d'azolénium dans une résine de liaison telle qu'un polyester, un polystyrène, un polyvinylbutylal, une polyvinylpyrrolidone, de la méthylcellulose, des esters de l'acide polyacrylique, un ester de cellulose, etc. L'épaisseur de la couche 8 de génération de charges est d'environ 0,01 pm à 1 pm et avantageusement d'environ

0,05 Pm à 0,5 Pm.

La couche 9 de transport de charges peut être formée à partir d'une solution d'une matière pouvant transmettre des trous (charges positives), choisie parmi des composés possédant un noyau aranatiqoe polycyclique tel que de l'anthracène, du pyrène, du phénanthrène, du coronène, etc., ou un noyau hétéro contenant de l'azote tel que de l'indole, de la carbazole, de l'oxazole,

de l'isoxazole, du thiazole, de l'imidazole, de la pyra-

zole, de l'oxadiazole, de la pyrazoline, de la thiadiazole, de la triazole, etc. sur la chaîne principale ou sur la chaîne latérale d'une résine filmogène. En général, la matière de transfert de charges possède un bas poids

moléculaire et une faible aptitude à former d'elle-

même une pellicule. Des exemples de résine filmogène

comprennent du polycarbonate, des esters d'acide poly-

méthacrylique, du polyarylate, du polystyrène, des poly- esters, un copolymère styrène polysulfoné-acrylonitrile, un copolymère styrèneméthacrylate de méthyle, etc. La couche 9 de transport de charges présente une épaisseur de 5.m à 20 im. La couche photosensible 10 peut faire partie d'une structure stratifiée dans laquelle la couche 8 de génération de charges est placée

sur la couche 9 de transport de charges. La couche photo-

sensible 10 n'est pas limitée à la structure indiquée mais, par exemple, un complexe de transfert de charges constitué de polyvinylcarbazole et de trinitrofluorénone décrit dans "IBM journal of the Research and Development",

précité, janvier (1971), pages 75-89, des couches photo-

sensibles utilisant un composé à base de pyrylium, décrit dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique

o N 4 315 983 et N 4 327 169, etc., des couches photosen-

sibles contenant une matière photoconductrice inorganique bien connue telle que de l'oxyde de zinc ou du sulfure de calcium, sensibilisée avec un pigment et dispersée dans

une résine, ou une pellicule de sélénium, de sélénium-

tellure, etc., déposée en phase vapeur, peuvent être

également utilisés dans la présente invention.

L'élément photosensible électrophotographique décrit peut être utilise dans une application du type électrophotographique employant non seulement un laser à semiconducteur de longueur d'onde relativement grande (par exemple 750 nm ou plus), mais également d'autres faisceaux lasers, par exemple un laser à hélium-néon,

un laser àhélium-cadmium, un laser à argon, etc. La présen-

te invention permet d'éliminer totalement les franges d'interférence apparaissant dans l'image développée conformément au procédé classique lorsqu'une lumière cohérente telle que ces faisceaux lasers est utilisée comme source de lumière, et la présente invention peut

également éliminer efficacement les points noirs.

Autrement dit, l'imprimante électrophotogra-

phique utilisant un faisceau laser met généralement en oeuvre un système de développement par inversion

qui consiste à charger électriquement un élément photosen-

sible électrophotographique, puis à exposer l'élément à un faisceau laser par balayage d'une image positive correspondant aux signaux d'image (exposition dite par balayage d'image), afin de former une image latente électrostatique, puis à appliquer à l'image latente électrostatique un agent de développement contenant une poudre pigmentaire ou "toner" de même polarité que l'image latente électrostatique, de façon que la poudre pigmentaire soit déposée sur les parties exposées à une image positive, soumises à un balayage d'image, o un dépôt indésirable de poudre pigmentaire apparaît sous la forme de points noirs dans l'image développéeformée, du fait que la surface rendue rugueuse par sablage présente une large fluctuation de la répartition des hauteurs des saillies qui comprennent, par exemple, des saillies de très faible hauteur et d'autres de très grande hauteur, et on n'obtient pas une surface rendue uniformément rugueuse, comme décrit précédemment. Par

conséquent, l'injection de porteurs dans la couche généra-

trice de charges, à partir des saillies de hauteur inuti-

lement grande, est inévitable et l'injection de porteurs à partir de ces saillies peut être neutralisée de façon électrostatique par l'application d'une charge électrique

à ces saillies pendant le traitement par charge électrique.

Autrement dit, l'état exposé à une image est établi électriquement et on provoque le dép6t de la poudre pigmentaire pendant le développement, ce qui a pour

résultat la formation de points noirs.

- Dans l'élément électrophotographique de l'invention, par contre, les surfaces. réfléchissantes effilées de hauteur uniforme sont formées régulièrement, parallèlement à la direction de la très petite largeur, sur la surface d'un substrat électroconducteur, par usinage à la machine au moyen d'un outil à pointe unique

fixé à une fraiseuse ou à un tour, comme décrit précédem-

ment, et il n'existe donc pas de sites d'injection de porteurs et aucun point noir n'apparaît, même lorsque

le développement est effectué par le système de développe-

ment par inversion, comme décrit en détail ci-dessous.

Il est inutile d'indiquer que la présente invention n'est pas limitée audit système de développement par inversion, mais que divers systèmes de développement, par exemple un développement en cascade, un développement à la brosse magnétique, un développement par nuage de poudre, un développement par saut, et un développement

liquide peuvent être utilisés.

L'invention sera décrite ci-dessous à l'aide

des exemples suivants.

Exemple 1

On fixe un outil de coupe à un tour afin que cet outil puisse exercer une pression sur un cylindre d'aluminium, de 60 mm de diamètre et 258 mm de longueur, à une extrémité, afin de couper le cylindre jusqu'à la profondeur de 1,8 Vm à partir de la surface, et l'outil est déplacé le long du cylindre d'aluminium, jusqu'à l'autre extrémité, à une vitesse de 200 im par tour du cylindre d'aluminium qui est mis en rotation pour

effectuer l'usinage, de manière que des surfaces réflé-

chissantes effilées, ayant le profil, en section, montré

sur la figure 2, soient formées à des pas de 200 im.

On a examiné la surface du cylindre d'alumi-

nium ainsi usiné à l'aide d'un testeur universel de profils de surface (du type "SE-3C" produit par Osaka Kenkyusho, Japon) et on a découvert que les surfaces réfléchissantes effilées, d'une hauteur de 1,8 um et d'une largeur de 200 im, étaient formées régulièrement

à des pas de 200 pm.

Puis on a mélangé 25 parties en poids d'oxyde de titane (du type "ECT-62", produit par Titan Kogyo K.K. Japon), 25 parties en poids d'oxyde de titane (du type "SR-IT", produit par Sakai Kogyo, K.K. Japon), et de la résine phénolique (du type " Plyophen J325", produit par Dainihon Ink Kogyo K.K., Japon) avec 500 parties en poids de méthanol et de méthylcellosolve à un rapport méthanol:méthylcellosolve = 4: 15, en poids, avec agitation, puis on a dispersé le mélange dans un disperseur à broyeur à sable, avec 50 parties en poids de perles de verre d'un diamètre de 1 mm pendant 10 heures. La dispersion résultante a été mélangée à 50 ppm d'une huile siliconée (du type "SH289A", produite par Toshiba Silicone K.K., Japon), cette proportion portant sur les matières solides, avec agitation, de manière à préparer une solution d'enduction pour former

une couche électroconductrice.

La solution d'enduction ainsi préparée a été appliquée sur la surface dudit cylindre d'aluminium usiné, par immersion, afin qu'on obtienne une épaisseur de pellicule de 20 pm après séchage, puis le revêtement a été séché par chauffage à 140 C pendant 30 minutes

de façon à former une couche électroconductrice.

Puis on a dissous 10 parties en poids d'une résine copolymère de "Nylon" (du type "CM-8000", produit par Toray K.K., Japon) dans un mélange de 60 parties en poids de méthanol et 40 parties en poids de butanol, et la solution résultante a été appliquée sur la couche électroconductrice par immersion afin de former une

couche de résine polyamide ayant une épaisseur de lpm.

Puis on a dispersé 1 partie en poids de phtalocyanine de cuivre du type ú (du type "Linol Blue ES", produit par Toyo Ink K.K., Japon), 1 partie en poids de résine butyral (du type "Eslec BM-2", produit par Sekisui Kagaku K.K., Japon) et 10 parties en poids de cyclohexanone dans un disperseur à broyeur à sable contenant des perles de verre, de 1 mm de diamètre, pendant 20 heures, et la dispersion résultante a été

ensuite diluée avec 20 parties en poids de méthyléthyl--

cétone. La dispersion obtenue a été appliquée sur la couche de résine polyamide précédemment formée, par

immersion, et séchée pour constituer une couche généra-

trice de charges ayant une épaisseur de 0,3 gm. Puis on a dissous 10 parties en poids d'un composé d'hydrazone ayant la formule structurelle suivante:

C2H5 N /'-CH=N - N --ô

c2H5/ X=-.' -

et 15 parties en poids d'une résine copolymère styrène-

méthacrylate de méthyle (du type "MS200", produit par Seitetsu Kagaku K.K. , Japon) dans 80 parties en poids de toluène. La solution résultante a été appliquée sur la couche génératrice decharges et séchée à l'air chaud à 100 C pendant une heure pour former une couche de

transport de charges ayant une épaisseur de 16 gm.

L'élément photosensible électrophotographique ainsi préparé (tambour photosensible) a été monté sur une imprimante à faisceau laser du type ("LBP-CX" de la firme Canon Kabushiki Kaisha, Japon), à savoir une imprimante électrophotographique du type à développement par inversion utilisant un laser à semiconducteur oscillant à une longueur d'onde de 778 nm, et l'élément a été soumis à un balayage de lignes sur toute sa surface pour former sur cette dernière une image constituée

* d'une poudre pigmentaire noire. Aucune frange d'interfé-

rence n'est apparue sur l'image noire formée sur toute

la surface.

Puis l'élément a été soumis à 2000 répétitions d'une opération de balayage de lignes à l'aide du faisceau

laser, conformément à un signal de lettre, à la températu-

re de 15 C et une humidité relative de 10%, pour former l'image d'une lettre, et la 2000ème copie de l'image a fait l'objet d'un examen consistant à compter le nombre de points noirs ayant un diamètre de 0,2 mm ou plus sur la copie de l'image d'une leftre. Aucun point noir

n'a été trouvé.

Exemple comparatif 1

On a préparé un élément photosensible électro-

photographique de la même manière que dans l'exemple 1, sauf que la surface du cylindre d'aluminium a été rendue rugueuse par sablage à la place de l'usinage utilisé dans la préparation du dispositif photosensible électrophotographique de l'exemple 1. L'état de surface du cylindre d'aluminium rendu rugueux par sablage a été examiné à l'aide d'un testeur universel de profil de surface (du type "SE-3C", produit par Osaka Kenkyusho, Japon) avant l'application de la couche électroconductrice

sur ce cylindre, et il est apparu que la surface présen-

tait une rugosité moyenne de 1,8 Um.

L'élément photosensible électrophotographique ainsi préparé à titre comparatif a été monté sur la même imprimante à faisceau laser que celle utilisée dans l'exemple 1 et soumis au même examen que dans l'eimle i. Il est apparu que des franges d'interférence distinctes se sont formées sur l'image noire produite sur toute la surface. Sur la 2000ème copie de l'image d'une lettre, on a relevé environ 30 points noirs d'un diamètre de

0,2 mm ou plus sur 10 cm2. L'image était donc très mau-

vaise.

Exemple 2

On a mélangé complètement, dans un broyeur à billes, 10 g de fines particules d'oxyde de zinc (du type "Sazex 2000", produit par Sakai Kagaku K.K., Japon), 4 g de résine acrylique (du type "Dianal LROO9", produit À par Mitsubishi Rayon K.K., Japon), 10 g de toluène et mg d'un composé de sel d'azulénium, ayant la formule structurelle suivante: o

CH 3: CH3

C3 3 -3

CH3 CH3

3, CHH

CH, CH3

C3 afin de préparer une solution d'enduction pour former

une couche photosensible. Un élément photosensible électro-

photographique a été préparé de la même manière que

dans l'exemple 1, sauf que la solution d'enduction résul-

tante a été utilisée pour former une couche photosensible d'une épaisseur de 21 jm après séchage, à la place de la couche photosensible du type stratifié comprenant la couche génératrice de charges et la couche de transport

de charges utilisées dans l'exemple 1.

L'élément photosensible électrophotographique

ainsi préparé a été monté sur la même imprimante à fais-

ceau laser que celle utilisée dans l'exemple 1, sauf que le dispositif de charges électrique a été modifié

pour rendre la charge positive et que la poudre pigmentai-

re a été remplacée par une poudre pigmentaire positive.

L'élément a été soumis au même examen. On n'a observé aucune frange d'interférence sur l'image noire recouvrant la totalité de la surface et on n'a observé aucun point noir d'un diamètre de 0,2 mm ou plus sur la 2000ème copie de l'image d'une lettre. L'image obtenue est donc

très bonne.

Exemple 3

Le même cylindre d'aluminium usiné que celui utilisé dans l'exemple 1 a été soumis à une oxydation anodique conformément au procédé classique de façon

à former une pellicule d'oxyde d'aluminium, et une pelli-

cule de sélénium-tellure a été formée ensuite sur ce cylindre à une épaisseur de 15 im, par déposition sous

vide en phase vapeur.

L'élément photosensible électrophotographique

ainsi préparé a été monté sur la même imprimante à fais-

ceau laser que celle utilisée dans l'exemple 2 et a été soumis au même examen que dans l'exemple 2. On a obtenu les mêmes résultats que dans l'exemple 2.

Exemple 4

On a fixé un outil de coupe à un tour afin que cet outil puisse exercer une pression sur un cylindre d'aluminium, de 60 mm de diamètre et de 258 mm de longueur, à une extrémité, pour couper le cylindre jusqu'à la profondeur de 1,8 Rm à partir de la surface, et l'outil a été déplacé le long du cylindre d'aluminium jusqu'à l'autre extrémité, à une vitesse d'avance de 20 im par tour effectué par le cylindre d'aluminium afin de réaliser

l'usinage.

On a examiné la surface du cylindre d'alumi-

nium ainsi usiné à l'aide d'un testeur universel de profils de surface (du type "SE-3C", produit par Osaka Kenkyusho, Japon) et il est apparu que des surfaces réfléchissantes effilées, ayant une hauteur de 0,8 pm et une largeur de 20 lim, ont été formées régulièrement

à des pas de 20 pm.

La même couche électroconductrice, la même couche de résine polyamide, la même couche de génération de charges et la mrême couche de transport de charges que celles utilisées dans l'exemple 1 ont été formées les unes à la suite des autres sur le cylindre d'aluminium, par enduction, afin de préparer un élément photosensible électrophotographique. Cet élément a été monté sur la même imprimante à faisceau laser que celle utilisée dans l'exemple 1 et des images ont été formées de la même manière que dans l'exemple 1. Le résultat a montré l'absence de franges d'interférence lors d'une observation de la totalité de l'image noire, recouvrant toute la surface, et on n'a observé aucun point noir sur la 2000ème

copie de l'image d'une lettre.

Exemple comparatif 2 On a procédé à un traitement de surface par sablage à la place de l'usinage pour rendre cette surface rugueuse afin de préparer un élément photosensible électrophotographique de l'exemple 4, et le sablage a été réglé pour donner une rugosité moyenne de surface de 0,8 pm, telle que mesurée par un détecteur universel de profils de surface (du type "SE-3C", de la firme Osaka

Kenkyusho, Japon).

La même couche électroconductrice, la même couche de résine polyamide, la même couche génératrice de charges et la même couche de transport de charges que celles utilisées dans l'exemple 1 ont été formées les unes à la suite des autres par enduction, sur le cylindre d'aluminium dont la surface a été rendue rugueuse,

afin de préparer un élément photosensible électrophotogra-

phique, et des images ont été formées de la même manière que dans l'exemple 1. On a observé, comme résultat, des franges d'interférence distinctes sur l'image noire formée sur toute la surface et on a observé environ points noirs, d'un diamètre de 0,2 mm ou plus par 10cm2

d'image, sur la 2000ème copie de l'image d'une lettre.

Exemple 5

On a monté sur un tour un cylindre d'aluminium de 60 mm de diamètre et 258 mm de longueur et on l'a fait tourner afin que trois lignes de coupe puissent être formées en hélice sur chaque millimètre dans la direction longitudinale, et à une profondeur de 3 im,

à l'aide d'un outil de coupe, de façon à réaliser l'usi-

nage.

Puis le cylindre d'aluminium a été monté sur une fraiseuse pour former deux lignes de coupe par millimètre dans la direction périphérique, à la profondeur de 3 pm, parallèlement à la direction longitudinale

du cylindre d'aluminium.

Des surfaces réfléchissantes effilées, d'une hauteur de 5 jim et d'une largeur de 1000/3 gm, ont été formées régulièrement dans la direction longitudinale, à des pas de 1000/3 gm sur le cylindre d'aluminium, et des surfaces réfléchissantes effilées, d'une hauteur de 5 im et d'une largeur de 500 gm, ont été également formées régulièrement dans la direction périphérique,

à des pas de 500 gm.

Puis on a mélangé 100 parties en poids d'une peinture électroconductrice au carbone (du type "Dotite", produit par Fujikura Kasei K.K., Japon) et 50 parties enpoids de résine mélamine (du type "Super-Beckamin ", produit par Dainihon Ink K.K., Japon) avec 100 parties en poids de toluène. Le mélange résultant a été appliqué par immersion sur le cylindre d'aluminium précédemment usiné, puis thermodurci à 150 C pendant 30 minutes pour former une couche électroconductrice d'une épaisseur

de 4 nm.

La même couche de résine polyamide, la même couche génératrice de charges et la même couche de transport de charges que cellesutilisées dans l'exemple 1 ont été ensuite formées les unes à la suite des autres sur la couche électroconductrice pour préparer un élément photosensible électrophotographique. L'élément ainsi préparé a été monté sur la même imprimante à faisceau laser que celle utilisée dans l'exemple 1 pour former des images de la même manière

que dans l'exemple 1. On n'a observé aucune frange d'in-

terférence sur l'image noire de la totalité de la surface et on n'a observé aucun point noir sur la 2000ème copie

d'image d'une lettre.

Exemple comparatif 3

On a préparé un élément photosensible électro-

photographique, à titre de comparaison, de la même manière que dans l'exemple 1, sauf qu'un cylindre d'aluminium, traité par sablage de façon à présenter une rugosité moyenne de surface de 3 Vm, a été utilisé à la place du cylindre d'aluminium usiné de l'exemple 5, et a été soumis à une formation d'image. On a observé, comme résultat, des franges d'interférence légèrement moins marquées que celles obtenues dans l'exemple comparatif 1, sur l'image noire de la totalité de la surface, et plus de 40 points noirs, d'un diamètre de 0,2 im ou plus, ont été formés par 10 cm2 d'image de lettre sur

la 2000ème copie.

Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l'élément décrit et représenté

sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (42)

REVENDICATIONS

1. Elément récepteur de lumière comportant une couche de revêtement comprenant une couche réceptrice de la lumière placée sur un substrat (1), caractérisé en ce que la couche de revêtement présente une épaisseur qui varie régulièrement sur la petite largeur de cette

couche de revêtement.

2. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que des surfaces réfléchissants effilées (3) sont formées dans la direction de la petite largeur entre le substrat et la couche

réceptrice de lumière.

3. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées ont une hauteur d'au moins I À étant une longueur d'onde dans la direction de

la petite largeur.

4. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées sont formées sur la surface

du substrat.

5. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées sont formées régulièrement

à de petites distances.

6. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que la petite largeur

ne dépasse pas 1000 Bm.

7. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que la petite largeur

est de 10 pm à 500 Rm.

8. Elément récepteur de lumière selon la revendication 4, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées ont une hauteur qui ne dépasse

pas 100 Vm.

9. Elément récepteur de lumière selon la revendication 4, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées ont une hauteur de 0,3 im à m.

10. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 1, caractérisé en ce que la couche réceptri-

ce de la lumière est une couche photosensible (10) du t-ype stratifié comprenant une couche (8) génératrice

de charges et une couche (9) de transport de charges.

11. Elément récepteur -de lumière selon la

revendication 10, caractérisé en ce que la couche généra-

trice de charges présente une épaisseur de 0,01 Vm à

1 jim.

12. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 10, caractérisé en ce que la couche généra-

trice de charges présente une épaisseur de 0,05 Vm A

0,5 im.

13. Element récepteur de lumière selon la

revendication 10, caractérisé en ce que la couche généra-

trice de charges contient une matière organique génératri-

ce de charges et un liant résineux.

14. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 13, caractérisé en ce que la matière organi-

que génératrice de charges est au moins une matière choisie dans le groupe constitué de pigments azo, de pigments du type quinone, de pigments du type quinocyanine,

de pigments du type pérylène, de pigments du type bisben-

zimidazole, de pigments du type phtalocyanine, de pigments

du type quinacridone et de composés de sel d'azulénium.

15. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 1, caractérisé en ce que la couche récep-

trice de lumière contient des particules photoconductrices inorganiques sensibilisées par un pigment et un liant résineux.

16. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 1, caractérisé en ce que la couche réceptri-

ce de lumière contient un complexe de transfert de charges.

17. Elément récepteur de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche réceptrice

de lumière contient un composé du type pyrylium.

18. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 4, caractérisé en ce qu'une couche électro-

conductrice (6) est prévue entre le substrat qui présente les surfaces réfléchissantes effilées et la couche de

réception de la lumière.

19. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 18, caractérisé en ce que la couche électro-

conductrice contient des poudres électroconductrices et un liant résineux et présente une épaisseur de 1 pm à 50 gm et une résistivité transversale ne dépassant

pas 1013 cm.

20. Elément récepteur de lumière selon la revendication 19, caractérisé en ce que les poudres électroconductrices sont des poudres métalliques ou

des poudres d'oxyde métallique.

21. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 19, caractérisé en ce que la couche électro-

conductrice contient des poudres électroconductrices

et un agent absorbant la lumière.

22. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 4, caractérisé en ce qu'une couche électro-

conductrice (6) et une couche d'arrêt (7) sont prévues entre le substrat, présentant les surfaces réfléchissantes

effilées, et la couche réceptrice de la lumière.

23. Elément récepteur de lumière selon la

revendication 4, caractérisé en ce que le substrat présen-

tant les surfaces réfléchissantes effilées est un substrat

dont une surface a subi une oxydation anodique.

24. Elément récepteur de lumière selon la revendication 4, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées sont des surfaces réalisées par usinage à l'aide d'un outil de coupe qui se déplace

régulièrement le long des surfaces du substrat électrocon-

ducteur.

25. Procédé pour former une image, caractérisé en ce qu'il consiste, lors d'une première étape, à appliquer une charge électrique à un élément récepteur de la lumière comportant une couche -de revêtement qui contient une couche réceptrice de la lumière, la couche de revêtement présentant une épaisseur qui est modifiée de façon régulière sur la petite largeur de la couche de revêtement, à effectuer, lors d'une deuxième étape, une irradiation à l'aide d'une lumière cohérente, et dans une troisième étape, à procéder à un développement à l'aide d'un agent de développement contenant une poudre

pigmentaire.

26. Procédé selon la revendication 25, carac-

térisé en ce que la lumière cohérente est la lumière

d'un faisceau laser.

27. Procédé selon la revendication 26, carac-

térisé en ce que la troisième étape est une étape de développement qui est effectuée à l'aide d'un agent de développement contenant une poudre pigmentaire de même polarité que celle de la charge électrique appliquée

pour la première étape.

28. Procédé selon la revendication 26, carac-

térisé en ce que le faisceau laser est produit par un

dispositif laser à semiconducteur.

29. Procédé selon la revendication 26, carac-

térisé en ce que la couche réceptrice de lumière est

irradiée à l'aide de la lumière cohérente par une exposi-

tion par balayage d'une image positive correspondant

à un signal d'image ou à un signal de lettre.

30. Procédé selon la revendication 26, carac-

térisé en ce que le substrat, qui présente les surfaces réfléchissantes effilées orientées dans la direction

de la petite largeur, est recouvert de la couche récep-

trice de lumière.

31. Dispositif électrophotographique compor-

tant un tambour photosensible comprenant un cylindre

métallique ou un substrat en alliage et une couche photo-

sensible (4), ainsi qu'un générateur de faisceau laser, le dispositif étant caractérisé en ce que le cylindre métallique ou le substrat en alliage (1) présente plusieurs surfaces réfléchissantes effilées (3) fornées régulièrement

dans la direction de la petite largeur de sa surface.

32. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que le cylindre métallique ou le substrat en alliage est un cylindre d'aluminium.

33. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que le générateur de faisceau laser est un générateur de faisceau laser

à semiconducteur.

34. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce qu'une couche électroconductrice (6) est prévue entre le cylindre

métallique ou le substrat en alliage et la couche photo-

sensible.

35. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce qu'une couche électroconductrice (6) est prévue entre le cylindre

métallique ou le substrat en alliage et la couche photo-

sensible, et une couche d'arrêt (7) est prévue sur la

couche électroconductrice.

36. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que la couche photosensible est du type stratifié comprenant une couche (8) génératrice de charges et une couche (9) de support

de charges.

37. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que la petite

largeur n'est pas supérieure à 1000 Vm.

38. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que la petite

largeur est de 10 Vm à 500 pm.

39. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées ont une hauteur d'au moins

À/2, A étant une longueur d'onde du faisceau laser.

40. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées ont une hauteur qui ne dépasse

pas 100 pm.

41. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées ont une hauteur de 0,3 pm à pm.

42. Dispositif électrophotographique selon la revendication 31, caractérisé en ce que les surfaces réfléchissantes effilées sont formées régulièrement,

verticalement et/ou parallèlement à la direction longitu-

dinale du cylindre métallique ou du substrat en alliage.