FR2554250A1 - Mandrin a broches - Google Patents

Mandrin a broches Download PDF

Info

Publication number
FR2554250A1
FR2554250A1 FR8416591A FR8416591A FR2554250A1 FR 2554250 A1 FR2554250 A1 FR 2554250A1 FR 8416591 A FR8416591 A FR 8416591A FR 8416591 A FR8416591 A FR 8416591A FR 2554250 A1 FR2554250 A1 FR 2554250A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
mandrel
parts
wafer
raised
raised parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR8416591A
Other languages
English (en)
Inventor
Armand P Neukermans
Graham J Sidall
Joseph W Franklin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Varian Medical Systems Inc
Original Assignee
Varian Associates Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Varian Associates Inc filed Critical Varian Associates Inc
Publication of FR2554250A1 publication Critical patent/FR2554250A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN MANDRIN A BROCHES DESTINE A SUPPORTER UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE PENDANT DES OPERATIONS PHOTO-LITHOGRAPHIQUES. LE MANDRIN CONSISTE EN UNE SEULE PIECE DE SILICIUM MONOLITHIQUE. DES PARTIES EN RELIEF 11 SUPPORTENT LA PLAQUETTE A USINER ET DES PARTIES EN CREUX 13 FORMENT DES CIRCUITS DE CIRCULATION D'AIR DE MANIERE QU'UNE DEPRESSION PUISSE ETRE UTILISEE POUR MAINTENIR LA PLAQUETTE SUR LE MANDRIN. UNE SURFACE ANNULAIRE D'ETANCHEITE 3 ENTOURE LES PARTIES CREUSES 13 ET LES PARTIES EN RELIEF 11. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AU TRAITEMENT DES PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES.

Description

La présente invention concerne un mandrin à
broches, destiné notamment au traitement photo-lithographique.
Pendant un traitement photo-lithographique, une plaquette semiconductrice est montée de façon fixe sur un mandrin, pour un positionnement précis. Pour obtenir les meilleurs résultats, il importe que la plaquette soit fixée sur le mandrin et que ce dernier présente une surface
de montage plane pour la plaquette.
Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4.213 698
décrit un mandrin à broches de la technique antérieure.
Comme le montrent les figures 1 et 2, ce mandrin antérieur
utilise une source de dépression pour aspirer une pla-
quette sur un certain nombre de colonnettes métalliques de support. Ces mandrins antérieurs sont coûteux à fabriquer
et la plaquette peut subir des contraintes et des déforma-
tions car les coefficients de dilatation thermique du man-
drin métallique et de la plaquette semi-conductrice sont différents. En outre, étant donné que la surface de montage de la plaquette est métallique, il peut se produire un soudage à froid et une contamination qui en
résulte de la chambre à diffusion.
Dans le mode préféré de réalisation de l'inven-
tion qui sera décrit, un mandrin à broches à dépression
est fabriqué à partir d'une seule pièce de silicium mono-
lithiaue. La surface du mandrin est plane et polie et elle est gravée de manière qu'une surface d'étanchéité annulaire extérieure entoure une région intérieure de parties planes en relief et en creux. Des trous percés dans la région intérieure permettent l'application d'une dépression. Le contact avec une plaquette semi-conductrice à traiter n'est établi que sur la surface annulaire et sur les parties en relief de la région intérieure. Des circuits de circulation d'air par les parties en creux permettent que la dépression aspire la plaquette de façon fixe sur les parties en relief planes et sur la surface
2 2554250
d'étanchéité annulaire. Etant donné que la surface
de montage (constituée par la surface annulaire d'étan-
chéité et les sommets des parties en relief) représente environ 4% seulement de la surface du mandrin à broches, la probabilité est faible pour qu'une impureté se place entre la plaquette et la surface de montage. De plus, étant donné que le mandrin et la plaquette peuvent être
réalisés en une même matière, les coefficients de dilata-
tion thermique de la plaquette et du mandrin sont les mêmes. Par ailleurs, un soudage à froid entre le mandrin et la plaquette n'affecte pas la planéité du mandrin car
une partie en relief cassée se fissure sans bavures.
En outre, un soudage à froid du mandrin et de la plaquette n'entraine aucune contamination d'une chambre à diffusion utilisée dans une opération ultérieure de traitement car
la matière du mandrin est inerte.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, une force électrostatique est utilisée pour appliquer la plaquette sur le mandrin. Une matière diélectrique est appliquée sur la surface de montage de la maquette, cette dernière est mise à la masse et une haute tension est appliquée au mandrin à broches. La source de dépression peut être utilisée initialement pour mettre la plaquette en contact avec le mandrin et la force électrostatique sert à maintenir de façon fixe la plaquette- sur le mandrin à partir du moment o la distance entre la
plaquette et le mandrin est faible.
D'autres caractéristiques et avantages de
l'invention apparaîtront au cours de la description qui
va suivre.
Aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples nullement limitatifs: La figure 1 est une vue en perspective d'un mandrin à broches de la technique antérieure; La figure 2 est une vue de côté du mandrin à broches de la figure 1; La figure 3 est une vue en perspective d'un mandrin à broches réalisé selon un mode de réalisation de l'invention, La figure 4 est une vue de dessus du mandrin de la figure 3; La figure 5 est une vue de côté suivant la ligne A-A du mandrin de la figure 4; La figure 6 est une vue à plus grande échelle de la région intérieure du mandrin de la figure 3, et La figure 7 représente un autre mode de réalisation de l'invention, dans lequel une force électrostatique est utilisée pour maintenir de façon ferme une plaquette sur
le mandrin à broches, représenté sur la figure 5.
Les figures 1 et 2 sont une vue en perspective et une vue de côté d'un mandrin à broches antérieur dans lequel des colonnettes discrètes,généralement en
métal, sont utilisées pour supporter la plaquette traitée.
La figure 3 est une vue en perspective d'un mandrin à broches à dépression monolithique 1 réalisé selon un mode de réalisation de l'invention. Le mandrin 1 consiste en une seule pièce de silicium monolithique
d'un diamètre de 75 mm et d'une épaisseur de 12,5 mm.
Il est également possible de fabriauer le mandrin 1 en d'autres matières cristallines comme GaAs, du quartz ou du saphir et d'utiliser d'autres dimensions en fonction des dimensions de la plaquette qui doit être maintenue par le mandrin 1. Une surface plane d'étanchéité annulaire 3 est disposée sur le bord extérieur de la surface supérieure du mandrin 1, entourant une région intérieure 5. Six trous d'air 7 sont percés dans le mandrin 1
pour permettre de le relier à une source de dépression.
La figure 4 est une vue de dessus du mandrin 1 et la figure 5 est une coupe suivant la ligne A-A; sur
les deux figures, la région intérieure 5 n'est pas repré-
sentée à l'échelle pour accentuer les dimensions des
parties en relief 11 et des parties en creux 13. Dans -
le cas d'un mandrin courant d'un diamètre de 75 mm, tel que décrit cidessus, la surface d'étanchéité annulaire 3 a une largeur de 5 mm, les sommets plats des parties en relief 11 ont une dimension de 200 x 200 Nm, les centres des parties en relief 11 sont écartés d'environ 1000 gm et les sommets plats de ces parties en relief 11 se trouvent à 50 Nm au- dessus du fond de la partie creuse 13. Des trous 7 d'un diamètre de 0,75 mm et un collecteur peuvent être fraisés dans la face inférieure du mandrin 1 pour faciliter le branchement d'une source de dépression 17. Différents mandrins ont été réalisés dans lesquels la hauteur des parties en relief 11 au-dessus
des parties creuses 13 a été augmentée jusqu'à 100 Nm.
La figure 6 est une vue au microscope électronique à balayage d'une partie de la région intérieure 5. Sur cette vue, les parties en relief 11 apparaissent comme des pyramides à sommet plat bien que d'autres configurations, par exemple des colonnettes carrées, puissent convenir à volonté. Le mandrin 1 est fabriqué à partir d'une seule pièce de silicium monolithique avec une orientation du réseau cristallin <100>. Du silicium avec d'autres orientations du réseau cristallin peut convenir à volonté pour fabriquer des parties en relief 11 ayant diverses autres géométries. Le mandrin 1 est initialement taillé
à la dimension voulue et le collecteur 15 est fraisé.
La surface supérieure (comprenant la surface d'étanchéité annulaire 3 et la région intérieure 5) est polie jusqu'au degré voulu de planéité, qui peut être du niveau inférieur au micron, en utilisant des techniques modernes bien connues. Une couche d'oxyde de soulagement de contrainte est déposée sur la surface supérieure et un masque de nitrure, mis en forme pour permettre la gravure voulue des parties en relief 11 et des parties en creux 13 est déposée sur toute la couche d'oxyde. Un produit d'attaque dépendant de l'orientation (comme KOH, pour le silicium <100> décrit ci-dessus) est alors utilisé pour graver les parties en relief 11 et les parties en creux 13. Enfin, le masque de nitrure est éliminé et une couche de nitrure de résistance à l'usure est déposée sur la
couche d'oxyde de soulagement de contrainte.
En utilisation, une plaquette ayant un diamètre qui est à peu près le même que celui du mandrin 1 est placée sur la surface supérieure de ce dernier. La surface d'étanchéité annulaire plane 3 forme un joint à l'air autour du bord de la plaquette. Une dépression appliquée par une source d'aspiration 17 par le collecteur 15 et les trous 7 applique la plaquette sur la surface annulaire 3 et les parties en relief 11. Les nombreuses parties en relief 11 forment un grand nombre de points de
support dans un plan pour la plaquette.
La figure 7 représente un autre mode de réalisa-
tion selon l'invention dans lequel des forces de dépression et des forces électrostatiques sont utilisées pour appliquer une plaquette 21 sur le mandrin à broches 1 représenté sur la figure 5. Une couche diélectrique 23 est déposée sur les parties en relief 11 et les parties en creux 13 du mandrin 1. La couche diélectrique 23 peut consister par exemple en une mince couche de 2 à 3 Dm de bioxide de silicium. Une haute tension de l'ordre de 1000 V est appliquée au mandrin 1 par une source 25 et la plaquette 21 est mise à la masse. En fonctionnement, la source de dépression 17 est utilisée en premier pour aspirer la plaquette 21 près du mandrin 1. Ensuite, la
source 25 est mise sous tension et une force électro-
statique proportionnelle au carré de la tension de la source 25 (et inversement proportionnelle au carré de la distance entre le mandrin 1 et la plaquette 21) s'exerce pour appliquer la plaquette 21 sur les parties en relief 11 du mandrin 1. La surface des parties en relief 11 peut être augmentée par rapport à la surface supérieure afin d'aumnenter la force électrostatique et dans ce cas, il est possible que la source d'aspiration 17 et la bague d'étanchéité annulaire 3 ne soient plus nécessaires.

Claims (15)

REVENDICATIONS
1. Dispositif de montage destiné à supporter une pièce à usiner, caractérisé en ce qu'il comporte un mandrin (1) avec plusieurs parties en relief (11) destinées à supporter la pièce à usiner (21), le mandrin étant réalisé en une seule pièce d'une matière cristalline.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les parties en relief (11) sont
formées par gravure de la pièce en matière cristalline.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les parties en relief (11) ont des
sommets qui sont pratiquement plans.
4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les sommets des parties en relief
(11) sont dans un même plan.
5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les parties en relief (11) sont
des pyramides à sommet plan.
6. Dispositif selon la revendication 4, carac-
térisé en ce qu'il comporte en outre une surface d'étan-
chéité annulaire (3) qui est plane et dans le même plan
que les sommets des parties en relief.
7. Dispositif selon la revendication 6, carac-
térisé en ce qu'il comporte en outre des parties en creux (13) définies par les parties en relief (11), un collecteur (15) pour recevoir une dépression et un ou plusieurs trous (7) du mandrin, ces trous reliant le
collecteur à une ou plusieurs des parties en creux (13).
8. Dispositif selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la matière cristalline est du silicium.
- 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le silicium a une orientation de
réseau cristallin <100>.
10. Dispositif selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pièce à usiner consiste en une
matière cristalline.
11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la pièce à usiner (21) consiste
en une plaquette semi-conductrice.
12. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une source
de dépression (17) branchée sur le collecteur (15).
13. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche diélectriaue (23) recouvrant les parties en relief, et
une source de haute tension (25) connectée au mandrin.
14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que la pièce à usiner (21) est mise
à la masse.
15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une source de
dépression (17) branchée sur le collecteur.
FR8416591A 1983-11-01 1984-10-30 Mandrin a broches Pending FR2554250A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US54781183A 1983-11-01 1983-11-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2554250A1 true FR2554250A1 (fr) 1985-05-03

Family

ID=24186226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8416591A Pending FR2554250A1 (fr) 1983-11-01 1984-10-30 Mandrin a broches

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS6099538A (fr)
DE (1) DE3438980A1 (fr)
FR (1) FR2554250A1 (fr)
GB (1) GB2149697B (fr)
NL (1) NL8403227A (fr)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0134438A2 (fr) * 1983-06-30 1985-03-20 International Business Machines Corporation Tête à pointes à dépression et/ou électrostatique pour tenir des plaquettes semiconductrices ou autres composants électriques plans et méthode pour la fabriquer
EP0287838A2 (fr) * 1987-03-31 1988-10-26 Fujitsu Limited Un dispositif pour le transport d'une puce électriquement conductrice
EP0669640A1 (fr) * 1994-02-25 1995-08-30 Applied Materials, Inc. Suscepteur pour un dispositif de dépôt
US5645646A (en) * 1994-02-25 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Susceptor for deposition apparatus
EP0822589A1 (fr) * 1996-07-31 1998-02-04 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Support pour une plaquette semi-conductrice et utilisation

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3514741A1 (de) * 1985-04-24 1986-10-30 Supfina Maschinenfabrik Hentzen Kg, 5630 Remscheid Vorrichtung zum feinbearbeiten ebener flaechen von scheibenfoermigen werkstuecken mit unbearbeiteter auflageseite und geringer wandstaerke
JP2748127B2 (ja) * 1988-09-02 1998-05-06 キヤノン株式会社 ウエハ保持方法
JPH02174116A (ja) * 1988-12-26 1990-07-05 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
JPH0488045U (fr) * 1990-12-18 1992-07-30
JPH05251544A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Fujitsu Ltd 搬送装置
US5600530A (en) 1992-08-04 1997-02-04 The Morgan Crucible Company Plc Electrostatic chuck
US5583736A (en) * 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US5588203A (en) * 1995-02-28 1996-12-31 Matsushita Communication Industrial Corporation Of America Nozzle for a vacuum mounting head
US6399143B1 (en) * 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
SG71182A1 (en) * 1997-12-26 2000-03-21 Canon Kk Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method
DE10027931C1 (de) * 2000-05-31 2002-01-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur rückseitigen elektrischen Kontaktierung eines Halbleitersubstrats während seiner Bearbeitung
JP3577546B2 (ja) * 2001-02-08 2004-10-13 株式会社 日立インダストリイズ 基板の組立方法及び組立装置
US6803780B2 (en) * 2001-07-10 2004-10-12 Solid State Measurements, Inc. Sample chuck with compound construction
FR2835242A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-01 Karl Suss France Dispositif pour le support avec maintien de plaquettes
DE10235482B3 (de) * 2002-08-02 2004-01-22 Süss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
EP1431831B1 (fr) * 2002-12-20 2007-08-08 ASML Netherlands B.V. Appareil lithographique, méthode de fabrication d'un dispositif et porte-substrat
EP1431825A1 (fr) 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Appareil lithographique, méthode de fabrication d'un dispositif et porte-substrat
DE10319272A1 (de) * 2003-04-29 2004-11-25 Infineon Technologies Ag Multifunktionsträger sowie zugehörige Andockstation
JP3894562B2 (ja) 2003-10-01 2007-03-22 キヤノン株式会社 基板吸着装置、露光装置およびデバイス製造方法
CN102581976B (zh) * 2012-03-14 2015-04-29 浙江昀丰新能源科技有限公司 一种晶体加工用定向装置
CN113376974A (zh) 2016-02-08 2021-09-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1504796A (fr) * 1966-10-28 1967-12-08 Sud Aviation Procédé et dispositif de fixation par dépression de pièces à usiner
GB1443215A (en) * 1973-11-07 1976-07-21 Mullard Ltd Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture
FR2415368A1 (fr) * 1978-01-23 1979-08-17 Western Electric Co Procede de maintien de pieces minces
FR2455360A1 (fr) * 1979-04-26 1980-11-21 Zeiss Jena Veb Carl Dispositif pour maintenir par force electrostatique des pieces a usiner, notamment des plaquettes de semi-conducteurs
GB2093606A (en) * 1981-02-19 1982-09-02 Carlsen Litho A S Improvements in or relating to a method for placing thick sheets on a scanner cylinder, and apparatus for executing said method
EP0188045A1 (fr) * 1984-01-10 1986-07-23 Hewlett-Packard Company Mandrin déformable

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US661840A (en) * 1899-12-23 1900-11-13 John G Baker Photographic-print holder.
US3652075A (en) * 1969-11-10 1972-03-28 Sheldon Thompson Vacuum chuck and related apparatus and methods
US3740900A (en) * 1970-07-01 1973-06-26 Signetics Corp Vacuum chuck assembly for semiconductor manufacture
US4213698A (en) * 1978-12-01 1980-07-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces
US4433835A (en) * 1981-11-30 1984-02-28 Tencor Instruments Wafer chuck with wafer cleaning feature

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1504796A (fr) * 1966-10-28 1967-12-08 Sud Aviation Procédé et dispositif de fixation par dépression de pièces à usiner
GB1443215A (en) * 1973-11-07 1976-07-21 Mullard Ltd Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture
FR2415368A1 (fr) * 1978-01-23 1979-08-17 Western Electric Co Procede de maintien de pieces minces
FR2455360A1 (fr) * 1979-04-26 1980-11-21 Zeiss Jena Veb Carl Dispositif pour maintenir par force electrostatique des pieces a usiner, notamment des plaquettes de semi-conducteurs
GB2093606A (en) * 1981-02-19 1982-09-02 Carlsen Litho A S Improvements in or relating to a method for placing thick sheets on a scanner cylinder, and apparatus for executing said method
EP0188045A1 (fr) * 1984-01-10 1986-07-23 Hewlett-Packard Company Mandrin déformable

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 24, no. 3, August 1981, page 1753, New York, US; T.F. CONNER et al.: "Technique for eliminating backside contamination during wafer processing/characterization" *
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, vol. 44, no. 10, octobre 1973, pages 1506-1509, American Institute of Physics; G.A. WARDLY et al.: "Electrostatic wafer chuck for electron beam microfabrication" *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0134438A2 (fr) * 1983-06-30 1985-03-20 International Business Machines Corporation Tête à pointes à dépression et/ou électrostatique pour tenir des plaquettes semiconductrices ou autres composants électriques plans et méthode pour la fabriquer
EP0134438A3 (en) * 1983-06-30 1987-12-16 International Business Machines Corporation Vacuum pinchucks for holding semiconductor wafers or other flat electrical components
EP0287838A2 (fr) * 1987-03-31 1988-10-26 Fujitsu Limited Un dispositif pour le transport d'une puce électriquement conductrice
EP0287838A3 (en) * 1987-03-31 1990-07-18 Fujitsu Limited An apparatus for transporting an electrically conductive wafer
EP0669640A1 (fr) * 1994-02-25 1995-08-30 Applied Materials, Inc. Suscepteur pour un dispositif de dépôt
US5645646A (en) * 1994-02-25 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Susceptor for deposition apparatus
US6146464A (en) * 1994-02-25 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Susceptor for deposition apparatus
EP0822589A1 (fr) * 1996-07-31 1998-02-04 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Support pour une plaquette semi-conductrice et utilisation
US5911461A (en) * 1996-07-31 1999-06-15 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Carrier for a semiconductor wafer and use of the carrier

Also Published As

Publication number Publication date
NL8403227A (nl) 1985-06-03
JPS6099538A (ja) 1985-06-03
DE3438980A1 (de) 1985-05-09
GB8427544D0 (en) 1984-12-05
GB2149697B (en) 1987-04-23
GB2149697A (en) 1985-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2554250A1 (fr) Mandrin a broches
KR101335342B1 (ko) 향상된 광 출력을 갖는 수직 구조 반도체 디바이스
US7713369B2 (en) Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof
TWI484544B (zh) 使半導體片變薄的方法
JPH1022184A (ja) 基板張り合わせ装置
KR20020023105A (ko) 반도체장치의 제조방법
US6090688A (en) Method for fabricating an SOI substrate
US6974721B2 (en) Method for manufacturing thin semiconductor chip
FR2646018A1 (fr) Dispositif semiconducteur et son procede de fabrication
EP3329511B1 (fr) Procede de collage direct avec auto-alignement par ultrasons
CN110060959B (zh) 贴合晶片的制造方法
JP2003523094A (ja) 研磨されたウエハの表面変形を減少させる方法
US20040126994A1 (en) Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface
FR2534743A1 (fr) Procede de fabrication de plusieurs composants semi-conducteurs sur une couche conductrice commune et dispositif obtenu, en particulier diode hyperfrequence
JP2001085453A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI283911B (en) A method of increasing the area of a useful layer of material transferred onto a support
EP0542647B1 (fr) Procédé de gravure d&#39;un sillon profond
JPH1070094A (ja) 半導体センサウェハの切断方法
US20240112928A1 (en) Trimming method
JPS61125709A (ja) ピンチヤツク
CN110534423B (zh) 半导体器件及其制作方法
EP4202981A1 (fr) Procede d&#39;assemblage par collage direct de composants electroniques
FR2742000A1 (fr) Composant semiconducteur a montage par brasure
WO2023078692A1 (fr) Procede de traitement de surface
EP0498713B1 (fr) Procédé de montage sur un substrat souple de composants électroniques miniatures à pattes de connexion à souder