JPS61125709A - ピンチヤツク - Google Patents
ピンチヤツクInfo
- Publication number
- JPS61125709A JPS61125709A JP24639684A JP24639684A JPS61125709A JP S61125709 A JPS61125709 A JP S61125709A JP 24639684 A JP24639684 A JP 24639684A JP 24639684 A JP24639684 A JP 24639684A JP S61125709 A JPS61125709 A JP S61125709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- peak
- wafer
- workpiece
- connecting pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来の技術と発明の概要〕
光食刻処ａｔしている間、半導体ウェファが正確に位置
付けるチャックに竪固に取り付けられる。
付けるチャックに竪固に取り付けられる。
最適の結果′ｆ：得るために、ウェファがチャックに堅
固に取ｐ付けられ、そのチャックが平坦な取付は表面を
ウェファに提供することが重要である。
固に取ｐ付けられ、そのチャックが平坦な取付は表面を
ウェファに提供することが重要である。
典戴的な従来技術のビンチャックが米国特許第４．２１
３．６９８号（フィル７ヨン等、１９８０年７月２２日
発行）に開示されている。第ｌ及び第２図に示すよつに
、このような従来技術のチャックは、真空源を利用し、
ウェファを多数の金ＪＩＫ製支持ポストへと吸引する。
３．６９８号（フィル７ヨン等、１９８０年７月２２日
発行）に開示されている。第ｌ及び第２図に示すよつに
、このような従来技術のチャックは、真空源を利用し、
ウェファを多数の金ＪＩＫ製支持ポストへと吸引する。
この従来技術のチャックは製造コストがｆｌで１く、ウ
ェファは、その金桟製チャック及び半導体ウェファが異
なる熱膨張係数を有することからひずみを与えることに
なる。更に、ウェファ取付は表面は金属であるから、冷
間圧接や次の拡散チェンバの汚染が生じる。
ェファは、その金桟製チャック及び半導体ウェファが異
なる熱膨張係数を有することからひずみを与えることに
なる。更に、ウェファ取付は表面は金属であるから、冷
間圧接や次の拡散チェンバの汚染が生じる。
本発明の図示した好適実施例に従つと、真空ビンチャッ
クは、一体の単一（ｒｎｏｎｏｌｔｈｌｃ）ケイ素から
′！Ｎ怠される。チャックの表面は研磨され、環状外側
密封浅凹が平坦なピーク及び谷のある内側惟域を囲むよ
うにエッチングされる。内１ＩＩＩ領域を貫通してろけ
られた穴によって、真空装置を利用できる。処理もれる
半導体ウェファの１！触は、環状表面及び内＠領域のピ
ークによってのみなされる。谷をＸ）Ｉｆｉする突気Ｈ
通路によって、ウェファを平坦なピーク及び環状密封表
向へとしっかりとＡ２：ｐ吸引することができる。取付
は表面の領域（填状警封表面及びピークの先端から成る
領域）がビンチャック表圓領域のほぼ１％たらずなので
、ウェファと取付は狭面との間に小砂などの異物が入り
込む確率は低い。史に、チャック及びウェファが同じ材
質から製造され（＝ｉ ／：５ことから、ウェファとチ
ャック熱膨張係数は同じになる。更にまた、チャックと
ウェファの間の冷間圧接は、壊れ九ビークがばシを付け
ることなく破砕されるので、チャックの平坦に影響を与
えることがな＾。更に、チャックのウェファへの冷間圧
接が後の処理工程において使用する拡散チェンバの汚染
を受は得ない。というのはチャック材が不活性でろるか
らでるる。
クは、一体の単一（ｒｎｏｎｏｌｔｈｌｃ）ケイ素から
′！Ｎ怠される。チャックの表面は研磨され、環状外側
密封浅凹が平坦なピーク及び谷のある内側惟域を囲むよ
うにエッチングされる。内１ＩＩＩ領域を貫通してろけ
られた穴によって、真空装置を利用できる。処理もれる
半導体ウェファの１！触は、環状表面及び内＠領域のピ
ークによってのみなされる。谷をＸ）Ｉｆｉする突気Ｈ
通路によって、ウェファを平坦なピーク及び環状密封表
向へとしっかりとＡ２：ｐ吸引することができる。取付
は表面の領域（填状警封表面及びピークの先端から成る
領域）がビンチャック表圓領域のほぼ１％たらずなので
、ウェファと取付は狭面との間に小砂などの異物が入り
込む確率は低い。史に、チャック及びウェファが同じ材
質から製造され（＝ｉ ／：５ことから、ウェファとチ
ャック熱膨張係数は同じになる。更にまた、チャックと
ウェファの間の冷間圧接は、壊れ九ビークがばシを付け
ることなく破砕されるので、チャックの平坦に影響を与
えることがな＾。更に、チャックのウェファへの冷間圧
接が後の処理工程において使用する拡散チェンバの汚染
を受は得ない。というのはチャック材が不活性でろるか
らでるる。
本発明の他の好適実施例において、静電力がウェファを
チャックにしっかりと引き付ける九めに使用される。誘
電体材料がウェファ取付は表面に通用嘔れ、ウェファは
アース石れ、菌屯圧がピンチャツクに印加される。真空
源が敢初にウェファをチャックと接触させるべく吸引す
るために使用され、その静電力は、ウェファとチャック
との間の距離が小さくなるとウェファをチャック１こし
っかりと保恍するのに役立つ。
チャックにしっかりと引き付ける九めに使用される。誘
電体材料がウェファ取付は表面に通用嘔れ、ウェファは
アース石れ、菌屯圧がピンチャツクに印加される。真空
源が敢初にウェファをチャックと接触させるべく吸引す
るために使用され、その静電力は、ウェファとチャック
との間の距離が小さくなるとウェファをチャック１こし
っかりと保恍するのに役立つ。
肌１及び第２図は、通常金ｐＡ製の別々になったポスト
が、処ｄＪｉ−ｇれるウェファを支持するために使用さ
れる従来技術の典型的なビンチャックの斜視図及び側面
図である。
が、処ｄＪｉ−ｇれるウェファを支持するために使用さ
れる従来技術の典型的なビンチャックの斜視図及び側面
図である。
婿３１は、本発明の図示した好達実施例に従って構成さ
れた単−真空ピンチヤツクｌの斜視図を示す。チャック
宜は、直径７６２α（３１ｎｃｈ）、厚さ１．２５ ｒ
ｍ （ｏ、 ｓ １ｎｃｈ）の一体の単一ケイ素から放
る。チャックｌを（）ａＡＩ ｓ 水晶又はサファイ
アなどの他の値晶材料から製造してもよく、チャックｌ
によって支台されるウェファの大きさＫＣじた他のチャ
ック寸法を使用してもよい。平坦な環状密封表面３は、
内側領域５を囲むチャック１の上表ｔｋｉの外端にそっ
て設けられている。６個の空気穴フがチャック１を貫通
してあけられ、真空源への連結を可能にしている。
れた単−真空ピンチヤツクｌの斜視図を示す。チャック
宜は、直径７６２α（３１ｎｃｈ）、厚さ１．２５ ｒ
ｍ （ｏ、 ｓ １ｎｃｈ）の一体の単一ケイ素から放
る。チャックｌを（）ａＡＩ ｓ 水晶又はサファイ
アなどの他の値晶材料から製造してもよく、チャックｌ
によって支台されるウェファの大きさＫＣじた他のチャ
ック寸法を使用してもよい。平坦な環状密封表面３は、
内側領域５を囲むチャック１の上表ｔｋｉの外端にそっ
て設けられている。６個の空気穴フがチャック１を貫通
してあけられ、真空源への連結を可能にしている。
１ｇ４図はチャックの平面１匂を示し、第６図は人−入
線にそつ九側面図を示す。内Ｓ＠域５はビーク１１及び
谷１３を強調するためにｉｉ！ｉｉ図においてスケール
か異っている。上述し次典型的な直径ア、６２ｃｔｆｌ
（３１ｎｃｈ）のチャックに対して、ビークの平坦な先
端１１は２００ミクロン１２０Ｑεクロ／であり、ビー
ク１１の中心はｔよぼ１０００ミクａンの間隔がめけら
れ、ビーク１１の平坦な先端は谷１３の底からＳＯミク
ロンらる。穴７は直径ｏ、 ｏ ｙ ｓ ｚａ＋ｓ（ｏ
、 ｏ ｓ Ｉｎｃｈ）で、連結管ＩＳが真空源ｌγの
接ｆｉ！を容易にするためにチャックｌの下側に削り込
まれている□いろいろなチャック１が、谷１３からのビ
ーク１１の高等がＸＯＯミクロンまでのものが構成され
た。
線にそつ九側面図を示す。内Ｓ＠域５はビーク１１及び
谷１３を強調するためにｉｉ！ｉｉ図においてスケール
か異っている。上述し次典型的な直径ア、６２ｃｔｆｌ
（３１ｎｃｈ）のチャックに対して、ビークの平坦な先
端１１は２００ミクロン１２０Ｑεクロ／であり、ビー
ク１１の中心はｔよぼ１０００ミクａンの間隔がめけら
れ、ビーク１１の平坦な先端は谷１３の底からＳＯミク
ロンらる。穴７は直径ｏ、 ｏ ｙ ｓ ｚａ＋ｓ（ｏ
、 ｏ ｓ Ｉｎｃｈ）で、連結管ＩＳが真空源ｌγの
接ｆｉ！を容易にするためにチャックｌの下側に削り込
まれている□いろいろなチャック１が、谷１３からのビ
ーク１１の高等がＸＯＯミクロンまでのものが構成され
た。
第６図は内＊ａ域６０部分を走査電子碩微鏡図のレベル
で示している。これにより、ビーク１１は、他の形状、
例えば角柱を所望なら利用できるけれども、先端が平坦
なピラミッド形状となっている。
で示している。これにより、ビーク１１は、他の形状、
例えば角柱を所望なら利用できるけれども、先端が平坦
なピラミッド形状となっている。
チャック１は、＜１００＞の結晶格子指数（ｑｒｉｅｎ
ｔｉｔｌｏｎ）を有する一体の単一ケイ素から製造され
ている。他の鮎鵡格子指数を有するケイ素が、他の−ろ
いろな幾何学的形状のビーク１１を製造することｔ望む
ときに使用してもよい。チャック１か最初に所望の大き
さくカットされ、連続管１３がＮり込んで形成されるＣ
上責面（環状密封表面３及び内側領域５から成る表面）
は、周知の現代技術を利用してサブミクロンのレベルの
所望の程度の平坦さに研摩される。応力緩和酸化層が上
表面に付着形成≧れ、ビーク！！及び谷１３の所望のエ
ッチングを可能にするようにパター化された窒化物のマ
スクが応力緩和酸化層上に取り付けられる。久に指数に
依存するエッチング（上述した（１００）シリコンに対
してはＫＯＨのようなもの）がビーク１１及び谷】３を
エッチングするために使用される。最後に、窒化物のマ
スクは取り除かれ、窒化物の耐久性層が応力緩和酸化層
上に付刑形成される。
ｔｉｔｌｏｎ）を有する一体の単一ケイ素から製造され
ている。他の鮎鵡格子指数を有するケイ素が、他の−ろ
いろな幾何学的形状のビーク１１を製造することｔ望む
ときに使用してもよい。チャック１か最初に所望の大き
さくカットされ、連続管１３がＮり込んで形成されるＣ
上責面（環状密封表面３及び内側領域５から成る表面）
は、周知の現代技術を利用してサブミクロンのレベルの
所望の程度の平坦さに研摩される。応力緩和酸化層が上
表面に付着形成≧れ、ビーク！！及び谷１３の所望のエ
ッチングを可能にするようにパター化された窒化物のマ
スクが応力緩和酸化層上に取り付けられる。久に指数に
依存するエッチング（上述した（１００）シリコンに対
してはＫＯＨのようなもの）がビーク１１及び谷】３を
エッチングするために使用される。最後に、窒化物のマ
スクは取り除かれ、窒化物の耐久性層が応力緩和酸化層
上に付刑形成される。
使用に際して、チャック１の直径とほぼ吟しい直径のウ
ェファがチャック１の上衣叩上に配置されてｈる。平坦
な環状密封狭面３がウェファの端のまわりに空気密封を
形成する。述＃管１３及び穴７を介して真空が真空源１
７により形成され、ウェファが環状表面３及びビーク１
１へと引きつけられる。多くのビーク１１がウェファに
対して７！数の平坦な支煙点を提供する。
ェファがチャック１の上衣叩上に配置されてｈる。平坦
な環状密封狭面３がウェファの端のまわりに空気密封を
形成する。述＃管１３及び穴７を介して真空が真空源１
７により形成され、ウェファが環状表面３及びビーク１
１へと引きつけられる。多くのビーク１１がウェファに
対して７！数の平坦な支煙点を提供する。
第１図は、真空及び静電力が第５図に示すようにウェフ
ァ２１をビンチャック１へと引きつけるために使用され
ている本＃ｉ発明の他の好適実施例を示している。誘電
体層２３がピンチャツク１のビーク１１及び谷１３上に
付着形成されている。
ァ２１をビンチャック１へと引きつけるために使用され
ている本＃ｉ発明の他の好適実施例を示している。誘電
体層２３がピンチャツク１のビーク１１及び谷１３上に
付着形成されている。
誘電体層２３は、例えば厚さ２−３１クロンの二酸化ケ
イ素から形成してもよい、１０００ボルトのオーダーの
妬寛圧が電９２１１によりチャック１に印加され、ウェ
ファ２１はアースされている。
イ素から形成してもよい、１０００ボルトのオーダーの
妬寛圧が電９２１１によりチャック１に印加され、ウェ
ファ２１はアースされている。
動作中に、真空源１７は最初にウェファをチャック１に
接近させるべく使用される。次に、’Ｉｌｌ林２１１が
付勢され、電源２Ｂの電源の２乗に比例する静電力（チ
ャック１とウェファ２１との間の距離の２乗に逆比例す
る）が、クエ７７２１をチャック！のビーク１１へと引
き付けるために稼動される。
接近させるべく使用される。次に、’Ｉｌｌ林２１１が
付勢され、電源２Ｂの電源の２乗に比例する静電力（チ
ャック１とウェファ２１との間の距離の２乗に逆比例す
る）が、クエ７７２１をチャック！のビーク１１へと引
き付けるために稼動される。
ビーク１１の値域は、ｆ＃寛力を１ｖｒ加させるために
その上表面の領域に比較して増加してもよく、この場合
Ｘ９源１７及びｉ陽状密封表面３は必要としない０
その上表面の領域に比較して増加してもよく、この場合
Ｘ９源１７及びｉ陽状密封表面３は必要としない０
第１図は、従来技術のビンチャックの斜視図である。
？Ａ２図は、第１図に図示の従来技術のピンチャツクの
側面図である。 第３図は、本発明の好適実施例に従って孕成されたピン
チャツクの斜視図でめる０ ４４４図は、第３１１ｉ！ＩＫ示すチャックの平面図で
める０ 第５図は、第４図に示すチャックのＡ−Ａｉにそった側
面図でろる。 第６図は、第３図に示すチャックの内側領域の拡大図で
ある。 第７図は、静電力が第５図に示すようにウェファをピン
チャツクにしっかりと取り付ける九めに使用される本発
明の他の好適実施例を示す断面図である。 〔主要符号の説明〕 １．２１−−ウェファ ３−一環状密封表面７−
−穴 １１−−ビーク１３−一谷
１ト一連結管１７−−真空源 特許出願人 パリアン・７ンシエイツ・ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ、４
側面図である。 第３図は、本発明の好適実施例に従って孕成されたピン
チャツクの斜視図でめる０ ４４４図は、第３１１ｉ！ＩＫ示すチャックの平面図で
める０ 第５図は、第４図に示すチャックのＡ−Ａｉにそった側
面図でろる。 第６図は、第３図に示すチャックの内側領域の拡大図で
ある。 第７図は、静電力が第５図に示すようにウェファをピン
チャツクにしっかりと取り付ける九めに使用される本発
明の他の好適実施例を示す断面図である。 〔主要符号の説明〕 １．２１−−ウェファ ３−一環状密封表面７−
−穴 １１−−ビーク１３−一谷
１ト一連結管１７−−真空源 特許出願人 パリアン・７ンシエイツ・ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ、４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被加工物を支持するための複数のピークを有し、一
体の結晶物質から構成されるチャックから成る被加工物
を支持する取付け装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された装置であつて、 前記ピークが前記単一の結晶物質をエッチ ングすることにより形成されるところの装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された装置であつて、 前記ピークが、実質的に平坦な先端を有す るところの装置。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された装置であつて、 前記ピークの先端が実質的に同一平面上に あるところの装置。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された装置であつて、 前記ピークが実質的に平坦な先端を有する ピラミッド形状であるところの装置。 ６、特許請求の範囲第４項に記載された装置であつて、
更に 実質的に平坦で且つ前記ピークの先端と同 一平面上にある環状密封表面から成る装置。 ７、特許請求の範囲第６項に記載された装置であつて、
更に、 前記ピークにより画成される谷と、 真空排気用連結管と、 該連結管を１つ以上の前記谷と連結する、 前記チャックに設けられる１つ以上の穴と、から成ると
ころの装置。 ８、特許請求の範囲第１項に記載された装置であつて、 前記結晶物質がケイ素であるところの装置。 ９、特許請求の範囲第８項に記載された装置であつて、 前記ケイ素が＜１００＞の結晶格子指数を 有するところの装置。 １０、特許請求の範囲第１項に記載された装置であつて
、 前記被加工物がその結晶物質から成るとこ ろの装置。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載された装置であつ
て、 前記被加工物が半導体ウエフアから成ると ころの装置。 １２、特許請求の範囲第４項に記載された装置であつて
、更に 前記連結管に接続される真空源から成ると ころの装置。 １３、特許請求の範囲第４項に記載された装置であつて
、更に、 前記ピークを覆う誘電体層と、 前記チャックに接続される高電圧源と、 から成るところの装置。 １４、特許請求の範囲第１３項に記載された装置であつ
て、 前記被加工物がアースされているところの 装置。 １５、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であつ
て、更に 前記連結管に接続される真空源から成ると ころの装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24639684A JPS61125709A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | ピンチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24639684A JPS61125709A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | ピンチヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125709A true JPS61125709A (ja) | 1986-06-13 |
Family
ID=17147890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24639684A Pending JPS61125709A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | ピンチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125709A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04304941A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー保持具の製造方法 |
| JPH04372319A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-25 | Shinshu C-Paa:Kk | 薄厚金属素材の切削方法 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24639684A patent/JPS61125709A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04304941A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー保持具の製造方法 |
| JPH04372319A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-25 | Shinshu C-Paa:Kk | 薄厚金属素材の切削方法 |
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