FR2536623A1 - Procede de nettoyage de trous de plaquettes de circuits imprimes utilisant des solutions de traitement caustiques a base d'un permanganate - Google Patents

Procede de nettoyage de trous de plaquettes de circuits imprimes utilisant des solutions de traitement caustiques a base d'un permanganate Download PDF

Info

Publication number
FR2536623A1
FR2536623A1 FR8318290A FR8318290A FR2536623A1 FR 2536623 A1 FR2536623 A1 FR 2536623A1 FR 8318290 A FR8318290 A FR 8318290A FR 8318290 A FR8318290 A FR 8318290A FR 2536623 A1 FR2536623 A1 FR 2536623A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
solution
permanganate
wire
hole
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8318290A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2536623B1 (fr
Inventor
John K Duffy
Francis J Nuzzi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kollmorgen Technologies Corp
Original Assignee
Kollmorgen Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kollmorgen Technologies Corp filed Critical Kollmorgen Technologies Corp
Publication of FR2536623A1 publication Critical patent/FR2536623A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2536623B1 publication Critical patent/FR2536623B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Separation, Recovery Or Treatment Of Waste Materials Containing Plastics (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DESTINE A ELIMINER LES TACHES DE RESINE SUR LA PAROI D'UN TROU DANS UN SUBSTRAT RESINEUX ETOU FAVORISER L'ADHERENCE DU SUBSTRAT. LEDIT PROCEDE COMPORTE LE TRAITEMENT DU SUBSTRAT AVEC UNE SOLUTION ALCALINE DE PERMANGANATE DONT LE PH EST COMPRIS ENTRE 11 ET 13; LA NEUTRALISATION DE LA QUASI-TOTALITE DES RESIDUS DE MANGANESE SUR LE SUBSTRAT; ET LE TRAITEMENT DU SUBSTRAT PAR UNE SOLUTION ALCALINE POUR ELIMINER LES RESIDUS DE MANGANESE. APPLICATION A LA FABRICATION DE PLAQUETTES DE CIRCUITS MULTICOUCHE ET DE PLAQUETTES DE CIRCUITS A CONDUCTEURS DISCRETS.

Description

La présente invention concerne un procédé perfec-
tionné de dépôt de -cuivre sur un substrat isolant Elle con-
cerne en outre un procédé perfectionné pour éliminer les
taches de résine des parois des trous formés dans les subs-
trats isolants.
Les opérations de perçage de trous dans des ma-
tières résineuses entraînent souvent la formation de taches de résine sur la paroi ou corps cylindrique d'un trou Ces
taches de résine sont principalement attribuables à la géné-
ration ou l'utilisation de températures dépassant le point de fusion d'un composant résineux de la matière pendant les
opérations de perçage des trous.
Lorsque des trous sont forés dans des matières stratifiées en fibres de verre imprégnées d'une résine époxy, par exemple, le frottement de la mèche de forage contre la matière élève la température de la mèche, ce qui engendre
des températures de 260 à 3150 C pour la mèche de forage.
Ces températures dépassent la température de fusion de nom-
breux système résineux La mèche de forage absorbe ainsi de la résine fondue pendant sa course à travers la matière en cours de forage, et ce dépôt fondu vient tacher la paroi
du trou Dans le perçage au laser pour connecter des conduc-
teurs internes dans des substrats organiques isolants, il se produit à la surface exposée des conducteurs un dépôt ou
tache de résine analogue.
Bien que la résine déposée sur la paroi des trous puisse être négligée dans certaines applications, il est parfois indispensable de l'enlever; par exemple dans le cas d'un trou qui a été formé dans une matière résineuse qui comporte plusieurs conducteurs métalliques plans parallèles, le trou étant perpendiculaire à, et communiquant avec, deux ou plus des conducteurs métalliques parallèles, c'est-à-dire
une plaquette de circuit multicouche Si l'on désire métal-
liser les parois de trous afin de former un trajet conduc-
teur entre deux ou plus des conducteurs métalliques,on doit éliminer la résine de la ou des portions du ou des trous formées par le ou les conducteurs métalliques pour établir un contact conducteur entre la paroi du trou métallisé
et le ou lesdits conducteurs métalliques Par exemple, lors-
que les trous d'une plaquette de circuit sont percés à tra-
vers un stratifié de matière plastique revêtu de cuivre ou à travers un stratifié de matière plastique contenant des plans conducteurs internes tel qu'une plaquette de circuit multicouche, les taches de résine qui apparaissent sur les surfaces des conducteurs métalliques qui constituent une partie de la paroi du ou des trous doivent être éliminées avant la métallisation desdites parois de trous Les trous ayant reçu un dépôt comme décrit ci-dessus sont utiles comme connexion électrique entre les conducteurs électriques de circuits imprimés à double face ou entre deux ou plus de
deux des divers plans et couches de conducteurs de pla-
quettes multicouche L'intégrité électrique et mécanique des connexions formées par les parois des trous métallisés, qu'on désignera ci-après par "trous revêtus", ne peut être obtenue qu'en assurant une élimination totale des matières
résineuses de toute la circonférence intérieure de la por-
tion des conducteurs métalliques exposée par le trou.
Un autre cas nécessitant l'élimination de la ré-
sine est la formation de plaquettes d'interconnexion com-
prenant des montages de fils conducteurs conformément au brevet FR No 2 084 258 et aux brevets FR NO 2 001 647 et
N 2 124 137 connus comme plaquettes de circuits à conduc-
R teurs câblés et sous la marque de fabrique Multiwire Ces montages à fils conducteurs peuvent comprendre des réseaux
de fils conducteurs isolés fixés à une surface d'un subs-
trat ou noyés dans ce substrat Une interconnexion entre ces fils et d'autres conducteurs ou conducteurs individuels
peut être réalisée par perçage d'au moins un trou perpendi-
culairement aux plans des fils d'un diamètre et en un empla-
cement tels qu'il intersecte le fil; métallisation de la paroi du trou et du bout intersecté du fil; et soudage d'une connexion au trou métallisé Si les résidus de résine ne sont soigneusement éliminés de la paroi du trou et de
l'extrémité du fil, il peut en résulter un contact élec-
trique faible ou nul entre la paroi du trou métallisé et
l'extrémité du fil En outre, même si l'on devait initia-
lement obtenir un contact électrique acceptable, ce contact pourrait être perdu, par exemple dans une dernière opéra- tion de soudage en raison de la dilatation du résidu de
résine rompant le contact physique entre la paroi métal-
lique du trou et le fil intersecté.
On connaît de nombreux procédés d'élimination des taches de résine L'un d'eux est un procédé mécanique qui
implique le passage d'un courant sec ou humide de particu-
les abrasives à travers ces trous Un procédé similaire consiste à utiliser une pression hydraulique pour refouler une suspension épaisse de matière abrasive à travers les trous Les procédés mécaniques sont relativement lents et difficiles à contrôler En outre, il est difficile d'obtenir une bonne reproductibilité en ce qui concerne la totalité
des trous d'une plaquette de circuit donnée.
D'autres procédés d'élimination des taches com-
prennent l'utilisation de produits chimiques qui attaquent le résidu résineux collé On a utilisé avec succès l'acide sulfurique concentré La résine époxy formant les tachesqui a une épaisseur généralement inférieure à environ 0,025 mm,
peut être éliminée par un traitement avec un tel agent pen-
dant une minute Malheureusement, la forte concentration ( 92 à 98 %) de l'acide sulfurique nécessaire pour une élimination efficace des taches exige des précautions considérables de la part
des opérateurs En outre, il se produit une rugosité indé-
sirable de la paroi des trous L'acide sulfurique concentré
absorbe rapidement l'eau et devient inefficace,-ce qui li-
mite sa durée de vie utile La durée d'immersion pour l'éli-
mination des taches varie avec la quantité-d'eau absorbée.
Un autre agent d'élimination des taches est l'acide chromique concentré, qui nécessite 5 à 15 minutes pour le traitement Il nécessite des précautions de-la part
de l'opérateur et des garnitures spéciales pour les réser-
4. voirs et les bacs d'immersion Les réglementations de plus en plus strictes sur la qualité de l'eau et la difficulté
de se débarrasser des résidus de composés chromiques concen-
trés d'une manière satisfaisante du point de vue écologique vont également à l'encontre de ce procédé d'élimination des taches De plus, ce procédé laisse des résidus de chrome sur la ou les surfaces traitées et ceux-ci perturbent le
dépôt chimique.
Le permanganate a également été suggéré pour l'éli-
mination des taches pour des trous percés mécaniquement et au laser Voir par exemple le brevet FR No 2 290 822 dans lequel on décrit l'utilisation d'une solution alcaline de
permanganate ayant un p H d'au moins environ 13 Des solu-
tions de permanganate ayant un-p H supérieur à 13 ont été utilisées dans la fabrication de plaquettes de circuits Multiwire (qu'on désignera ciaprès par "plaquettes à fils câblés") pour l'élimination des taches de résine époxy de la surface du fil et retirer l'isolant de polyimide autour
de l'extrémité du fil L'utilisation d'une solution de per-
manganate à p H élevé aboutit à des zones localisées inac-
tives en ce qui concerne le dépôt chimique et ainsi à la formation de trous d'épingles ou de vides dans la couche de
métal déposée chimiquement par la suite.
Le brevet US No 4 042 729 et le brevet
GB No 1 461 249 (brevet FR No 2 270 507) décrivent l'uti-
lisation de solutions de permanganate ayant un p H compris entre 11 et 13 pour obtenir une bonne adhérence entre un dépôt métallique et un substratrésineux Cependant, cette
valeur de p H est trop basse pour éliminer l'isolant de poly-
imide du fil utilisé dans la fabrication des plaquettes à
fils câblés à câblage séparé.
Dans le procédé de fabrication d'une plaquette à fils câblés, on a utilisé le permanganate non seulement pour éliminer les taches produites par l'étape de perçage des trous, mais également pour retirer l'isolant de polyimide du
fil autour de la section de fil intersectée par un trou.
Après le traitement au permanganate, la surface du trou est "neutralisée" et rincée -Des neutralisateurs tels que
des solutions de Sn C 12, de formaldéhyde ou d'hydrate d'hydra-
zine ont été utilisés Ce traitement au permanganate réduit sensiblement l'activité catalytique de la matière de base
précatalysée pour le dépôt métallique par voie chimique.
Par suite, il est nécessaire d'opérer avec le bain de cui-
vrage chimique selon deux modes différents Dans un premier mode, un bain de cuivrage ayant une activité suffisamment
grande est utilisé pour former une première couche de cuivre.
Ensuite, la formulation du bain est réajustée pour se trou-
ver dans un état moins actif et suffisamment stable conve-
nant à la production d'un dépôt de cuivre de qualité et d'épaisseur convenables Le temps nécessaire à la formation de la première couche de cuivre est non seulement long mais ne peut être prédéterminé Le passage d'un mode à l'autre est en général décidé à partir d'un examen visuel, et le
fonctionnement du bain est donc parfois difficile à con-
trôler Les bains de cuivrage mis en oeuvre dans les deux
modes ne peuvent être utilisés sur base continue.
Les plaquettes multicouches sont en général pro-
duites classiquement en utilisant un procédé d'ensemence-
ment pour rendre les parois des trous réceptives à un dépôt métallique par voie chimique Une difficulté associée au
traitement en multicouche utilisant des solutions de net-
toyage des trous au permanganate à p H élevé est la formation
de trous d'épingle ou de vides dans la couche de cuivre for-
mée par voie,chimique.
Pour remédier à cet inconvénient, on a soumis les plaquettes à la séquence de l'étape d'ensemencement ou même à un traitement répété deux fois dans le cycle complet de
dépôt de cuivre par voie chimique.
L'omission de l'étape de neutralisation après le traitement par le permanganate conduit à des types fortement actifs de résidus de permanganate sur le substrat, ce qui
provoque la formation de particules de çuivre et une éven-
tuelle destruction de la solution de métallisation par voie chimique. Un but de la présente invention est de fournir un procédé amélioré de nettoyage des taches de résine sur les parois internes de trous formés dans des substrats ré-
sineux et/ou pour favoriser l'adhérence de surfaces rési-
neuses sans laisser de résidus indésirables sur lesdites parois. Un autre but de la présente invention est de
fournir un procédé plus efficace et plus facilement con-
trôlé de dépôt de cuivre sur un substrat du type Multiwire R
ou multicouche.
Un but de la présente invention est de fournir un procédé amélioré de fabrication de plaquettes de circuit
Multiwire et multicouche qui améliore la fiabilité du pro-
cessus de métallisation et permet l'utilisation de solu-
tions de métallisation opérant en continu.
Un but de la présente invention est de fournir un procédé amélioré qui permet simultanément de nettoyer les taches de résine sur les parois internes de trous formés dans des substrats résineux et de favoriser l'adhésion des
couches externes dudit substrat à un dépôt métallique adhé-
rent.
Ces but sont atteints au moyen du procédé de net-
toyage de trous de la présente invention, lequel comprend les étapes de traitement du substrat avec une solution de
traitement alcaline au permanganate pendant une durée suf-
fisante pour favoriser l'adhérence de la surface; et avec un composé hydrosoluble oxydable par le permanganate pendant une durée suffisante pour réduire les résidus de manganèse déposés sur ledit substrat à un état d'oxydation faible, et
qui est caractérisé en ce que le p H de la solution de per-
manganate est ajusté à une valeur comprise entre Il et 13 et en ce que ledit substrat est encore traité par une solution alcaline à une température de 30 à 950 C pendant une durée suffisante pour éliminer sensiblement la
totalité des résidus de manganèse.
La présente invention est fondée sur la décou-
verte de l'existence d'un rapport entre le manganèse rési-
duel restant sur la surface d'un substrat et l'efficacité
du processus de dépôt métallique par voie chimique qui suit.
Le manganèse résiduel peut être mis en évidence en lessi- vant le manganèse du substrat avec de l'eau régale et en
analysant par spectrométrie d'absorption d'atomes (SAA).
On trouve de grandes quantités de manganèse résiduel lors-
qu'on utilise une solution de traitement au permanganate alcaline dont le p H est supérieur à 13 Toutes les valeurs de p H mentionnées dans le présent mémoire sont mesurées à 250 C Lorsque les résidus ne sont pas neutralisés, le dépôt métallique par voie chimique subséquent est rapide mais le bain de métal chimique se décompose spontanément -Lorsqu'on effectue une étape de neutralisation, les résidus restant sur le substrat après neutralisation provoquent des vides
dans les dépôts métalliques formés par voie chimique.
On a maintenant découvert que l'utilisation de solutions de traitement alcalines au permanganate ayant un p H situé entre environ 11 et 13 laisse moins de manganèse sur les surfaces traitées y compris les parois de trous, ce-qui réduit, sans l'éviter complètement, l'apparition de
vides de placage Le traitement subséquent avec une solu-
tion alcaline diminue encore la quantité de man-
ganèse résiduel sur le substrat ce qui ne laisse pas de
résidu perceptible de manganèse et procure ainsi les condi-
tions pour la formation de dépôts chimiques métalliques sur lesdites surfaces qui soient pratiquement ou complètement exempts de vides et de défauts Le traitement alcalin facilite également l'élimination des taches de résine, ainsi que des matières résineuses particulaires et
des résines polyimide.
La présente invention sera décrite ci-après plus en détail en se référant aux dessins annexés qui illustrent certains modes de réalisation de l'invention et, en rapport
avec la description, servent à expliquer les principes de
l'invention Bien que cela ne limite pas le champ de l'in-
vention, les dessins représentent des étapes de la formation
de connexions traversantes pour des plaquettes à fils câblés.
Sur ces dessins: les figures 1 à 4 sont des coupes transversales d'une plaquette de circuit à fils câblés la figure 2 est une vue en coupe transversale de la figure 1 avec un trou percé, représentant la tache de résine la figure 3 représente le trou après l'élimination de la tache de la paroi du trou et de l'isolation entourant' le fil; et
la figure 4 représente le trou après dépôt chi-
mique de cuivre.
La figure 1 représente un stratifié en verre-
époxy 10 avec des couches adhésives 12 sur les deux côtés.
Les réseaux de fil du circuit sont câblés dans les couches
adhésives 12 Le fil comporte un revêtement isolant en poly-
imide 14 Des feuilles simples de toile de verre imprégnée de résine époxy 15 sont liées par chaleur et pression sur
chacun des réseaux de fil du circuit pour les protéger.
Une couche d'une pellicule de polyéthylène 16, liée par
adhésif sensible à la pression, fournit un masque tempo-
raire pendant les opérations de métallisation subséquentes.
Sur la figure 2, un trou 17 pour connexion tra-
versante est percé dans la plaquette de circuit à fils câ-
blés, ledit trou présentant une tache de résine 18.
Sur, la figure 3, le film de polyéthylène 16 a
été mis en retrait du bord du trou par application de cha-
leur La tache de résine a été éliminée par immersion dans une solution alcaline au permanganate et, de plus, le résidu de manganèse a été éliminé et l'isolation en polyimide du fil a été retirée en bout comme indiqué en 19 par immersion dans
une solution alcaline.
La figure 4 montre le trou traversant métallisé par du cuivre 20 qui réalise une liaison sûre avec le fil 13, sans difficultés dues à une tache de résine et exempte de
vides et d'imperfections.
On peut utiliser tout sel métallique de l'acide permanganique qui soit stable et soluble dans-l'eau dans une mesure d'au moins environ 10 g/l, mais on préfère uti- liser un permanganate de métal alcalin, tel que le sodium, le potassium, le lithium ou le césium, etc, ou de métal
alcalino-terreux, tel que le magnésium, ou autre On pré-
fère tout particulièrement le permanganate de sodium et le permanganate de potassium en raison de leur disponibilité
à un coûit raisonnable et de leur bonne solubilité.
La proportion du sel de l'acide permanganique que l'on utilise dans la solution peut être largement variable, par exemple, depuis 10 g/l jusqu'à la limite de solubilité
du permanganate dans le milieu Cependant, avec le perman-
ganate de sodium ou le permanganate de potassium, on obtient des résultats particulièrement bons dans la plage de 10 g/l
à 60 g/l La vitesse de formation des sites de liaison aug-
mente jusqu'à environ 60 g/l, mais on ne remarque pas d'ac-
croissement supplémentaire de cette vitesse au-delà de ce niveau En dessous de 10 g/l, la vitesse est passablement trop lente pour de bons débits de production A mesure que
la concentration en permanganate augmente, il reste davan-
tage de résidus de manganèse sur le substrat En conséquence, au-delà de 60 g/l de permanganate de potassium, il devient
plus difficile d'assurer l'élimination complète du manga-
nèse du substrat.
Le.p H de la solution de permanganate s'abaisse habituellement en raison de l'absorption de C 02 provenant
de l'air, par exemple, de 12,5 à 11,5 Du KOH aqueux con-
centré est ajouté goutte à goutte à une portion aliquote
jusqu'à ce que le p H atteigne 12,5 Puis la quantité cal-
culée de KOH est ajoutée au bain principal On peut, si on le désire, ajouter à la solution de traitement des agents mouillants résistant à l'oxydation, tels que des agents mouillants hydrocarbonés fluorés, dans une quantité de 0,01
à 0,2 g/l.
Les durées et les températures de l'étape de traitement sont variables et, en général, des températures plus élevées favorisent l'activation en des temps plus courts On peut habituellement admettre des durées allant de 5 minutes à 2 heures ou même davantage, à des tempéra- tures de, par exemple, 35 à 100 CW Les meilleurs résultats sont cependant obtenus de 40 à 80 WC et pour des durées de à 75 minutes La mise en contact peut être effectuée par immersion, aspersion, pulvérisation, et procédés similaires
usuellement appliqués pour le traitement des surfaces rési-
neuses. L'expression "corps à surface résineuse" telle qu'utilisée dans le présent mémoire, recouvre les matières plastiques, par exemple des articles moulés, des articles stratifiés, des articles revêtus de résine et similaires, qui sont résineuses dans leur totalité ou qui présentent
au moins une surface extérieure résineuse.
Une particularité additionnelle de la présente invention consiste en l'utilisation d'un corps dont une
surface comprend une couche de résine adhérente, cette cou-
che contenant à l"état uniformément dispersé des particules finement divisées de caoutchouc naturel ou synthétique oxydable et dégradable De telles bases sont décrites dans
le brevet FR N O 1 519 797.
La mise en pratique des procédés de la présente invention nécessite également un équilibrage des composants en solution pour effectuer au mieux les attaques relatives désirées lorsque plus d'une matière résineuse doit être attaquée Par exemple, si on doit attaquer des parois de trous dans des ensembles câblés, le fil isolé peut comporter un revêtement de polyimide, le stratifié de support peut être
un stratifié de verre-époxy, et il peut se trouver un troi-
sième composant résineux sous la forme d'un adhésif rési-
neux à la surface du support La résine qui tache les trous formés dans de tels ensembles câblés sera vraisemblablement un mélange de ces trois composants résineux Par ailleurs, il est avantageux de retirer par attaque-l'isolation de polyimide de l'extrémité du fil aboutissant à la paroi du trou en même temps que de nettoyer la tache de résine de la paroi du trou de façon à assurer une connexion solide entre l'extrémité du fil et-la couche de métal déposée sur la paroi du trou en évitant ainsi une simple jonction en
bout Les procédés de la présente invention que l'on pré-
fère sont dictés par l'ensemble câblé décrit ci-dessus.
L'homme de l'art pourra facilement adapter les solutions de permanganate décrites à des composés résineux et des
applications particuliers.
Il est avantageux d'effectuer l'élimination des
taches par des solutions de permanganate pendant des pé-
riodes-de temps allant de 5 à 75 minutes-, les périodes de traitement que l'on préfère le plus se situant dans la plage
de 20 à 40 minutes.
Si de plus longues durées sont nécessaires pour l'élimination complète des taches, il est préférable de traiter dans une solution de permanganate pendant 20 à 45 minutes; de transférer la plaquette multicouche ou à fils discrets dans la solution de neutralisation; de rincer, et de revenir à la solution de permanganate pour une période de temps supplémentaire permettant l'élimination complète des taches Ceci est supposé réduire la quantité des résidus
de manganèse restant sur la paroi des trous, lesquels ra-
lentissent l'élimination des taches.
La vitesse d'élimination des taches augmente avec
l'accroissement de la concentration en permanganate Cepen-
dant, le manganèse résiduel s'accroît également avec la concentration On préfère au mieux une concentration en
permanganate de 45 à 60 g/l pour le permanganate de potas-
sium La vitesse d'élimination des taches est directement
proportionnelle à la température de la solution de-traite-
ment, des températures élevées, d'environ 40 à 800 C, don-
nant des résultats satisfaisants On préfère une température de 600 C La mise en oeuvre de bains d'élimination de taches
conformes à la présente invention à des températures nota-
blement inférieures à environ 40 'C conduit en général à une vitesse d'élimination lente qui est peu satisfaisante et provoque des difficultés pour le maintien de quantités suffisantes de permanganate en solution Il ne résulte pas
d'avantages apparents de températures notablement supé-
rieures à 60 C, c'est-à-dire que l'ensemble du processus
n'est pas sensiblement accéléré.
La solution de traitement alcaline au permanga-
nate agit au mieux à un p H compris entre 11 et 14, un p H que l'on préfère étant de 12,5 Des ajusteurs de p H que
l'on préfère sont les hydroxydes de sodium et de potassium.
On améliore l'élimination des taches par addi-
tion d'une petite quantité d'agent mouillant, tel qu'un agent mouillant hydrocarboné fluoré L'agent mouillant hydrocarboné fluoré que l'on préfère est un surfactif
anionique, un alkyl-carboxylate fluoré de potassium.
Une pratique que l'on préfère consiste à faire
suivre le traitement par la solution alcaline de perman-
ganate d'un agent de neutralisation afin de "neutraliser" le permanganate restant sur le substrat avant la catalyse
et le dépôt de métal par voie chimique Cet agent de neu-
tralisation semble favoriser l'élimination de tout excès de permanganate de la surface résineuse et empêcher une dilution et autres effets possibles dus à l'agent oxydant fort résiduel dans les étapes ultérieures et les bains de traitement du procédé Comme agents neutralisants, on peut utiliser des ions stanneux tels que ceux fournis dans un
bain de chlorure stanneux acidifié, par exemple Sn C 12-H Cl.
Conviennent également les ions bisulfite, par exemple le bisulfite de sodium, et le chlorhydrate d'hydroxylamine, l'acide chlorhydrique, le formaldéhyde, le sucre ou, en fait, tout composé généralement reconnu comme hydrosoluble et oxydable par le permanganate Pour obtenir l'effet de neutralisation désiré, on plonge le substrat traité au permanganate dans une solution aqueuse de l'agent neutralisant à une concentration comprise, par exemple, entre 2 g/l et 100 g/i pendant une courte période de temps, ce qui est suivi d'un rinçage complet dans l'eau avant
l'étape suivante du procédé D'autres agents de neutralisa-
tion appropriés sont décrits dans le brevet FR N' 2 290 507.
L'étape de décapage à l'hydroxyde chaud des procédés de la présente invention utilise un hydroxyde alcalin Des hydroxydes appropriés comprennent les hydroxydes de lithium, de sodium, de potassium, de césium et de tétraalkylammoniume La proportion d'hydroxyde à utiliser dans la solution peut varier dans de larges limites, par exemple entre 0,5 mol/i et 20 mol/l environ, de préférence entre 1 et 10 mol/l, mieux entre 2 et 4 mol/i On peut éventuellement incorporer dans la solution d'hydroxyde alcalin des agents complexants pour la manganèse, par exemple le dinitrilotétra-acétate d'éthylène (DTAE), des tartrates, etc. On peut également incorporer des agents mouillants classiques dans la solution d'hydroxyde alcaline La durée du traitement à l'hydroxyde varie entre, par exemple, 2 et 60 minutes, de préférence entre 10 et 30 minutes selon la concentration et à des températures de 40 à 900 C Les solutions d'hydroxyde de sodium à environ 760 g/l et environ 950 C sont les plus efficaces pour éliminer les résidus de manganèse Cependant, étant donné que ces solutions
posent des problèmes de manipulation, on préfère des tempéra-
tures inférieures d'environ 60 'C et des concentrations infé-
rieures d'environ 150 g/le Le traitement à l'hydroxyde peut
être suivi d'un rinçage complet à l'eau.
Le procédé de décapage au permanganate/hydroxyde en deux étapes à faible p H (inférieur à 13) permet un meilleur
contrôle du processus par rapport à une solution de permanga-
nate simple à p H supérieur (supérieur à 13) pour les plaquet-
tes de circuit à fils câblés La fabrication Multiwire R né-
* cessite de retirer par attaque l'isolant de polyimide autour d'un fil intersectant la paroi d'un trou traversant en plus de l'élimination des taches de résine époxy de la surface de
section du fil et de la paroi du trou.
-2536623
La vitesse de l'attaque du polyimide est proportionnelle à la concentration en hydroxyde de la solution de perman-
ganate Dans le système habituel en une seule étape avec du permanganate à p H élevé, la teneur en hydroxyde est difficile à mesurer par électrode dep H ou simple titrage. Cette inaptitude à mesurer avec précision la teneur en
hydroxyde rend difficile la maîtrise de l'attaque du poly-
imide Avec le système d'attaque permanganate/hydrôxyde à faible p H (inférieur à 13), l'attaque du polyimide est
réalisée par une étape séparée d'attaque à l'hydroxyde.
Dans ce cas, il est facile de mesurer la concentration en hydroxyde par une simple analyse de titrage acide-base,
car le permanganate n'est pas présent dans cette solution.
Le plus faible p H de la solution de permanganate peut être mesuré par une électrode de p H et ajusté convenablement,
par exemple à 12,5.
Les spécialistes de la technique de métallisation par voie chimique comprendront que si une surface est par
elle-même non active pour la métallisation par voie chi-
mique, par exemple s'il n'y a pas de catalyseur tel-qu'un composé de palladium ou de l'oxyde de cuivre, etc, inclus dans le corps résineux, après le pré-traitement destiné à éliminer les taches de résine sur les parois des trous et favoriser l'activation des sites de liaison conformément à la présente invention, il est nécessaire d'inclure une étape rendant les surfaces activées catalytiques à la réception de métal déposé par voie chimique, avant la mise en contact
avec le bain chimique de métallisation Il existe de nom-
breux moyens bien connus pour rendre les surfaces cataly-
tiques.
Le corps résineux ainsi activé (et catalysé si nécessaire) est ensuite métallisé par dépôt chimique, par exemple par dépôt d'une couche de nickel à partir d'un bain classique d'hypophosphite de nickel comme cela est connu en pratique Au lieu de nickel déposé par voie chimique, on peut déposer du cuivre par voie chimique à partir d'un
bain classique de dépôt chimique de cuivre.
Les procédés de la présente invention fournis-
sent de nombreux avantages pour régler les paramètres de fonctionnement Le p H de la solution de permanganate est suffisamment bas pour pouvoir être mesuré avec précision avec une électrode de p H ordinaire et ajusté par des moyens
classiques La concentration du permenganate peut être me-
surée par un procédé spectrophotométrique à une longeur
d'onde de 525 nm, ou par une technique de titrage poten-
tiométrique. L'étape séparée d'attaque à l'hydroxyde selon la présente invention peut être réglée par titrage d'une portion aliquote de l'hydroxyde avec un acide de force
étalonnée à p H neutre Un réglage très étroit de la con-
centration d'hydroxyde-est inutile.
Les exemples suivants illustrent des procédés
conformes à l'invention.
EXEMPLE 1
On prépare des panneaux à fils câblés selon les procédés des brevets FR N O 2 084 258, NO 2 001 647 et NI 2 124 137 Une couche de tissu de verre imprégné d'une résine époxy au stade B contenant une charge catalytique du type décrit dans le brevet FR Ne 1 550 677 est revêtue
sur les deux faces d'un adhésif catalytique sur une épais-
seur de 0,1 mm On stratifie cette dernière sur une feuille
de stratifié verre-époxy (FR-4 R) d'une épaisseur de 1,6 mm.
-Les dessins du circuit câblé sont réalisés sur la surface adhésive en utilisant un fil de cuivre d'un diamètre de 0,5 mm revêtu d'un isolant en polyimide d'une épaisseur de 0,013 mm Après l'étape de câblage, on stratifie une couche de tissu de verre imprégné d'une résine époxy contenant la charge catalytique par chauffage et pression sur le dessin du circuit à fils câblés Les panneaux sont ensuite revêtus sur les deux faces d'une pellicule de polyéthylène au moyen d'un adhésif sensible à la pression On perce des trous de 1,17 mm de diamètre dans les plaquettes en intersectant et
coupant le fil câblé en des points o les connexions élec-
triques doivent être réalisées Ensuite, les taches de résine, formées sur l'extrémité du fil là o elle fait
partie de la paroi du trou, sont éliminées par une solu-
tion oxydante de permanganate Dans le procédé de fabri-
cation classique, après élimination des taches de résine,
les parois des trous des panneaux reçoivent un dépôt chi-
mique de cuivre La pellicule de polyéthylène empêche un dépôt chimique sur la surface extérieure du panneau Dans cet Exemple, au lieu du dépôt chimique sur les parois des
trous, on mesure le manganèse résiduel laissé sur la pla-
quette de circuit, y compris les parois des trous, après traitement avec le cycle respectif de nettoyage des trous, par lixiviation du manganèse de la plaquette avec de l'eau régale et analyse de l'eau régale par spectrophotométrie d'absorption d'atomes (SAA) Chaque essai concerne la même
surface connue pour la structure verre-époxy percée, c'est-
à-dire 1000 trous.
Les cycles de nettoyage des trous utilisés dans cet Exemple sont les suivants:
immersion pendant 1 heure à 60 'C dans des solu-
tions de permanganate comme décrit ci-après; neutralisation par immersion de 5 minutes dans une solution aqueuse de chlorure stanneux ( 30 g/l) et d'acide
chlorhydrique ( 300 ml/l); puis rinçage à l'eau.
Pour l'échantillon 5 seulement, le rinçage est suivi d'une immersion dans une solution alcaline chaude de 760 g/l de Na OH à 950 C Les résultats de la variation des conditions du cycle de décapage permanganate/hydroxyde sont indiqués sur le Tableau I.
Tableau I
Analyse par absorption d'atomes Traitement* Mn trouvé Mn résiduel dans par trou 1000 trous g/l mg pg 1 K Mn O 4 60 p H 13,6 0,21 0,21 alkylcarboxylate fluoré 0,2 C, 60 min 2 K Mn O 4 15 p H 13,6 0,20 0,20 alkylcarboxylate fluoré 0,2 C, 60 min 3 K Mn O 4 60 p H 12,5 0,11 0,11 alkylcarboxylate fluoré 0,2 C, 60 min 4 K Mn O 4 15 p H 12,5 0,06 0,06 alkylcarboxylate fluoré 0,2 C, 60 min a) K Mn O 4 15 p H 12,6
alkyl-carboxy-
late fluoré 0,2 C, 60 min b) Neutralisation + Rinçage à peine décelable c) Na OH à 50 %, 95 C, 20 min < 0,01 0,01
* Tous les traitements par K Mn O 4 sont suivis d'upe neutra-
lisation et d'un rinçage.
Cet Exemple montre que les solutions de nettoyage
des trous de l'art antérieur fonctionnant à p H 13,6 lais-
sent des quantités relativement importantes de résidus de
manganèse Les solutions de nettoyage des trous à p H infé-
rieur selon la présente invention laissent un tiers à la moitié des résidus de manganèse et la solution d'hydroxyde de métal alcalin réduit de façon surprenante les résidus
de manganèse à des niveaux à peine décelables.
Ces essais confirment les résultats du dépôt chimique La difficulté du dépôt chimique de cuivre est d'autant plus grande que la teneur en résidus de manganèse est plus élevée On démontre que l'apparition de vides dans le dépôt formé par voie chimique et que le temps excessif pour amorcer le dépôt chimique de cuivre dans le procédé R Multiwire sont associés à la haute teneur en manganèse
résiduel sur le substrat verre-époxy' Une technique multi-
couche classique donne également des vides même après acti-
vation par des solutions de catalyseur au palladium, à la suite d'un traitement classique au permanganate à p H élevé
à 13,6.
L'utilisation de solution à haute teneur en per-
manganate (p H 13,6) pour le nettoyage des trous est sup-
posée impliquer la formation d'une liaison manganèse/résine à la surface de la paroi des trous -C c O O || + K Mn O |b Mn O. C o C O Bien que le mécanisme exact soit imprécis, il semble que ce manganèse lié puisse ensuite interférer avec la formation chimique de cuivre sur la paroi des trous, que l'on effectue une séquence classique d'activation au
palladium (technique multicouche) ou un procédé entière-
ment additif, o le palladium est dispersé dans le stra-
R tifié de résine époxy, par exemple pour Multiwire Il se produit une instabilité du bain de cuivrage chimique lorsque des plaquettes contenant des résidus de manganèse sont introduites dans ce bain Cette instabilité se traduit par des particules de cuivre se formant dans la masse de la solution plutôt que sur les parois des'trous
seulement et peut apparaître du fait de la réaction paral-
lèle catalysée par le manganèse: Réactions parallèles cuivre déposé chimiquement Normal Catalysé au manganèse Cu+ 2 > Cu O Cu+ 2 'Cu+ Paroi du trou 2 Cu+ 1 Cu + Cu+ 2 Si l'on formule un bain de cuivrage chimique à haute activité pour surmonter le problème des vides qui est associé à la contamination par le manganèse, la réaction parallèle catalysée par le manganèse est effectuée à vitesse élevée ce qui provoque l'instabilité du bain de cuivrage chimique Une forte teneur en formaldéhyde et un p H élevé peuvent être indiqués pour augmenter l'activité et éviter les vides mais,de l'existence d'une contamination par le
manganèse,il résulte des bains de dépôt instables.
EXEMPLE 2
On répète les opérations de l'Exemple 1, à
la différence qu'on utilise seulement une solution de net-
toyage: permanganate de potassium, 60 g/i; p H 13,6; et alkyl-carboxylate fluoré, 0,2 g/l Le temps d'immersion dans la solution de nettoyage des trous est seulement de minutes Après neutralisation et rinçage, on immerge une plaquette pendant 20 minutes dans une solution de Na OH à 760 g/l à 95 WC et une autre non On fait ensuite tremper les deux plaquettes dans l'eau régale pour enlever les résidus de manganèse, et on fait une analyse du manganèse
de la solution d'eau régale L'analyse montre que la pla-
quette-échantillon qui n'a pas été traitée par la solution d'hydroxyde de sodium contient 0,10 mg de manganèse et que l'échantillon qui a été immergé dans la solution d'hydroxyde
de sodium contient seulement 0,04 mg de manganèse.
EXEMPLE 3
Cet Exemple illustre l'application du procédé
de la présente invention à une plaquette de circuit multi-
couche La plaquette présente des couches de cuivre supé-
rieure et inférieure de 35 pm d'épaisseur chacune et six couches internes pourvues de dessins conducteurs constitués de cuivre de 35 mum d'épaisseur Les couches de cuivre sont
séparées par une matière constituée de résine époxy ren-
forcée par du verre de 100 à 150 pm d'épaisseur Cette pla-
quette de circuit est fabriquée par des techniques classi-
ques de stratification Dans la plaquette multicouche se
trouvent des trous traversants d'environ 1 mm de diamètre.
Un examen au microscope de la surface en coupe transversale de plusieurs trous révèle qu'il y a des taches de résine dues au perçage sur les parois de trous qui comprennent les couches de cuivre La plaquette multicouche avec trous traversants est traitée pour éliminer les taches de résine et métallisée par le procédé suivant 1 Immersion de la plaquette pendant 20 minutes
à 650 C avec agitation de'la pièce de travail dans une solu-
tion comprenant Permanganate de potassium 45 g/l Alkyl-carboxylate fluoré 0,4 ml/l Hydroxyde de sodium, jusqu'à p H 12,8
2 Neutralisation pendant 3 minutes à la tempé-
rature ambiante avec agitation de la pièce de travail dans une solution comprenant Bisulfite de sodium 20 g/l Acide sulfurique, jusqu'à p H 4,5 3 Neutralisation supplémentaire pendant 3 minutes à la température ambiante avec agitation de la pièce de
travail dans une seconde solution comprenant -
Bisulfite de sodium 20 g/l Acide sulfurique, jusqu'à p H 4,5 4 Rinçage à l'eau courante à température ambiante pendant 5 minutes, Immersion de la plaquette pendant 20 minutes
à 60 C avec agitation de la pièce de travail dans une solu-
tion comprenant: Hydroxyde de sodium 150 g/J Paranonylphénoxypolyglycidol surfactif 1 g/l 6 Rinçage à l'eau courante à température ambiante
pendant 5 minutes.
7 Séchage de la plaquette dans un four pendant
1 heure à 120 C pour chasser l'humidité.
8 Immersion de la plaquette dans une solution aqueuse usuelle de traitement pendant 6 minutes à 60 C avec agitation de la pièce de travail Cette solution contient
une combinaison de surfactif cationique, de surfactif non-
ionique et une alkanolamine à p H 4.
9 Rinçage à l eau courante à température ambiante
pendant 5 minutes.
Immersion pendant 1 minute à la température ambiante avec agitation de la pièce de travail dans une solution d'attaque modérée du cuivre comprenant Persulfate de sodium 60 g/l Acide sulfurique, jusqu'à p H 2,5 11 Rinçage à l'eau courante à température ambiante
pendant 5 minutes.
12 Immersion de la plaquette pendant 1 minute à
la température ambiante avec agitation de la pièce de tra-
vail dans une solution de désoxydation comprenant: Eau 900 ml/l Acide sulfurique 100 ml/l 13 Rinçage à l'eau courante à température ambiante
pendant 5 minutes.
14 Immersion pendant 3 minutes à la température ambiante dans une solution acide de chlorure d'étain dissous
dans une saumure de chlorure de sodium.
15 Immersion pendant 10 minutes à 40 C avec agi-
tation de la pièce de travail dans une solution de chlorure
d'étain et de palladium La solution de catalyseur est pré-
parée en ajoutant 30 ml de la solution obtenue conformément
à l'Exemple 1 du brevet FR N 2 239 538 à 970 ml d'une sau-
mure de chlorure de sodium à 20 %O 16 Rinçage à l'eau courante à température ambiante pendant 5 minutes. 17 Immersion pendant 2 minutes à la température ambiante avec agitation de la pièce de travail dans une
solution aqueuse diluée d'acide fluoborique.
18 o Rinçage à l'eau courante à température ambiante
pendant 5 minutes.
19 Immersion pendant 30 minutes à la température ambiante avec agitation de la pièce de travail dans un bain de cuivrage chimique comprenant:
Ethylènediamine-tétra-
2-propanol 17 g/l Sulfate de cuivre pentahydraté 9 g/l Formaldéhyde ( 37 %) 20 ml/l Hydroxyde de sodium 22 g/l Cyanure de sodium 0,01 g/l Potasse sulfurée 0,8 mg/1 2-mercaptobenzothiazole 0,08 mg/1 Un copolymère séquence d'oxyde d'éthylène et d'oxyde de propylène 0,001 g/1 La solution de cuivrage chimique dépose 2 pm de
cuivre sur les parois des trous et les surfaces cuivrées.
Après rinçage, la plaquette multicouche est séchée au four
et du cuivre est déposé électrolytiquement par des tech-
niques classiques de façon à obtenir une épaisseur totale
de cuivre de 30 à 35 pm sur les parois des trous.
Les couches supérieure et inférieure de cuivre reçoivent ensuite une image de réserve classique et les dessins de circuit des couches externes sont gravés par des
moyens classiques.
La plaquette multicouche résultante présente des parois de trous lisses sans taches ou résidus de résine époxy sur les couches de cuivre internes et est totalement exempte de vides dans le dépôt de cuivre La jonction entre
le cuivre du dépôt et les couches stratifiées est excel-
lente.
EXEMPLE 4
Cet Exemple illustre l'application du procédé de l'invention à une plaquette de circuit multicouche du type verre-polyimide comportant des couches de cuivre supérieure et inférieure de 35 pm d'épaisseur chacune et 6 couches de cuivre internes de 35 pm d'épaisseur chacune Les couches de cuivre sont séparées par une matière constituée de verre
renforcé par du polyimide de 100 à 150 pm d'épaisseur.
Entre les couches de verre-polyimide et les couches de
cuivre se trouve une couche très fine d'une résine acry-
lique qui est utilisée pour lier le verre-polyimide au cuivre.
Des trous d'environ 1 mm de diamètre sont forés dans la pla-
quette multicouche Un examen au microscope révèle la pré-
sence de résidus sur les couches de cuivre ceux-ci étant supposés être constitués de résine acrylique adhésive, ou
d'adhésif additionné de polyimide.
Cette plaquette est nettoyée et métallisée confor-
mément à l'Exemple 3 La plaquette multicouche résultante présente des parois de trous lisses et exemptes de résidus
et ne présente aucun signe de vides ou de zones non revêtues.
La jonction entre le cuivre du dépôt et les couches de
feuille de cuivre est excellente.
EXEMPLE 5
Cet Exemple met en évidence la nécessité du trai-
tement alcalin pour l'élimination des résidus de manganèse des parois de trous des plaquettes verre-époxy multicouche
traitées conformément à la présente invention.
On nettoie et métallise conformément au procédé décrit à l'Exemple 3 une série de plaquettes verre-époxy multicouche comportant deux couches de cuivre externes et deux couches de cuivre internes dont le dessin est gravé, chacune ayant 35 pm d'épaisseur, les couches de cuivre étant
séparées par des couches de verre-époxy de 450 pm d'épaisseur.
Les parois des trous en multicouche résultantes sont exemptes de résidus de résine époxy, de taches, et de
vides, et présentent une jonction excellente entre le cui-
vre du dépôt et les couches de feuille de cuivre.
On traite une seconde série de plaquettes multi- couche, identique à la première, suivant toutes les étapes
du procédé de l'Exemple 3, à l'exception des étapes 5 et 6.
Un nombre important de parois de trous en multicouche pré-
sente de petites surfaces vides bien qu'il n'y ait pas de résidus de résine époxy ou de taches et que la jonction entre le cuivre de placage et la feuille de cuivre soit bonne Dans un atelier de production de multicouches, ces plaquettes devraient être traitées à nouveau pour déposer du cuivre dans les zones vides Ceci démontre la nécessité
du traitement alcalin dans ce procédé.
EXEMPLE 6
Cet Exemple montre l'utilisation d'un agent com-
plexant dans l'hydroxyde alcalin On prépare comme décrit dans l'Exemple 1 des plaquettes de circuit à fils câblés par stratification de l'adhésif, câblage des fils, placage d'un tissu verre-époxy, revêtement par une pellicule de polyéthylène et perçage Les processus de nettoyage des trous sont 1 Immersion pendant 1 heure dans une solution
aqueuse de permanganate de potassium à 60 g/l et d'un alkyl-
carboxylate fluoré à 0,2 g/l, à p H 12,5 et 600 C. 2 Immersion pendant 3 minutes dans une solution neutralisante de chlorure stanneux à 30 g/l comme décrit
dans l'Exemple 1.
3 Immersion pendant 3 minutes dans une solution
neutralisante de chlorure stanneux à 3 g/l.
4 Rinçage pendant 5 minutes.
Immersion pendant 30 minutes dans la solution suivante à 450 C: Tartrate de sodium et de potassium 100 g/i Hydroxyde de sodium 120 g/l Un alkylcarboxylate fluoré 0,2 g/1 Un polymère d'oxyde d'éthylène 2 mg/1
6 Rinçage pendant 5 minutes.
7 Cuivrage chimique dans la solution suivante: Sulfate de cuivre 0,04 mole/1
Ethylènediamine-
tétra-2-propanol (agent complexant) 0,06 mole/i Formaldéhyde 0,07 mole/1 Cyanure de sodium stabilisant 0,006 mole/1 Soufre stabilisant 3 p mole/1 Ester phosphorique surfactif 0,15 mg/1 Un polymère d'oxyde d'éthylène 1,0 mg/1 Température 62 C p H 12,7 En huit heures de dépôt, il se forme une couche de cuivre uniforme de 50 Pm d'épaisseur sur les parois des trous
avec une bonne adhésion à l'extrémité des fils.
EXEMPLE 7
Cet Exemple illustre l'application du procédé de la présente invention à une plaquette de circuit multicouche à quatre couches La plaquette a une couche inférieure, une couche supérieure et deux couches intermédiaires de cuivre et des couches intercalaires en verre-époxy La plaquette multicouche est percée de trous comportant une tache de résine sur leur paroi et on la métallise selon le procédé suivant: 1 Immersion de la plaquette pendant 1 heure à C avec agitation dans une solution comprenant: K Mn O 4 60 g/l Na OH, jusqu'à p H 12,5 Les circuits imprimés sont maintenus dans un plan vertical
dans un bac pendant leur immersion dans les produits chi-
miques de traitement On entretient ensuite un mouvement horizontal en déplaçant le bac de 5 à 7,5 cm d'arrière en
avant suivant la direction horizontale, en effectuant appro-
ximativement 15 à 20 cycles par minute.
2 Neutralisation pendant 5 minutes à 20-25 C avec agitation dans une solution comprenant: Sn C 12 o 2 H 20 30 g/l HC 1 concentré ( 37 %) 300 ml/1 3 Rinçage à l'eau courante pendant 5 minutes à
-25 C.
4 Immersion pendant 20 minutes à 60 WC avec agi-
tation dans une solution comprenant: Na OH 150 g/1
5 Rinçage à l'eau courante pendant 2 minutes.
6 Désoxydation pendant 3 minutes dans une solu-
tion comprenant: H 2 S 4 180 g/l 7 Rinçage à l'eau courante pendant 1 minute à
20-25 C.
8 Immersion pendant 10 minutes dans une solution sensibilisatrice comprenant: Chlorure de palladium 1 g/1 Chlorure stanneux 60 g/1 HC 1 concentré ( 37 %) 100 g/1
sous la forme d'un complexe chlorure de palladium chlo-
rure stanneux (brevet FR N 1 350 613).
9 Rinçage à l'eau, Immersion dans un bain de cuivrage chimique tel que celui du brevet US N 3 672 986, pendant 50 heures à 55 C, pour réaliser un dépôt chimique de cuivre d'environ
pm d'épaisseur.
ll Séchage à l'air.
Les dessins du circuit sont réalisés sur les cou-
ches externes par des techniques classiques d'impression d'une réserve et d'attaque La jonction du cuivre déposé chimiquement aux quatre couches de cuivre est solide et il n'y a pas de vides dans le dépôt chimique de cuivre sur les
parois des trous.
Il est évident qu'un circuit multicouche peut être réalisé par voie additive en substituant une couche adhésive comme décrit dans le brevet FR N O 1 519 797 aux couches
de cuivre inférieure et supérieure On pourrait éventuel-
lement sécher le circuit et lui appliquer une image de réserve après l'étape 9, ce qui éliminerait la nécessité de graver les dessins externes du circuit. Dans un autre procédé de multicouche par voie additive, le verre-époxy peut contenir un catalyseur comme
décrit dans le brevet FR N'1 550 677 et les couches adhé-
sives de surface contiennent également un catalyseur.
L'étape 8 peut alors être supprimée et on procède à un dé-
pôt chimique après apposition d'une image de réserve.
EXEMPLE 8
On répète le procédé de l'Exemple 7 en substi-
tuant au permanganate dans 1 K Mn O 4 15 g/î et dans 4 Na OH 770 g/1
à 9 OC pendant 20 minutes.
On obtient des dépôts de cuivre exempts de vides et une excellente adhésion du cuivre de dépôt aux couches
de cuivre internes.
EXEMPLE 9
On répète le procédé de l'Exemple 6 en substi-
tuant aux étapes 2 et 3 les suivantes Rinçage pendant 1 minute à l'eau calme Immersion dans une solution comprenant Chlorhydrate d'hydroxylamine 50 g/l HCI concentré ( 37 %) 20 ml/l Egalement, dans l'étape 5, on n'utilise pas de tartrate de sodium et de-,potassium Ceci illustre l'utilisation d'une
solution de neutralisation différente.
EXEMPLE 10
On répète le procédé de l'Exemple 7 en substi-
tuant à l'étape 4 la suivante: -
Immersion pendant 20 minutes à 600 C dans une solution comprenant KOH 150, g/1
On obtient un dépôt de qualité équivalente.
EXEMPLE 11
On répète le procédé de l'Exemple 7 en substi-
tuant à l'étape 2 la suivante: Immersion pendant 5 minutes dans une solution à 20-25 C comprenant: Na HSO 3 30 g/l p H 4,5 Ceci est un autre exemple d'une solution de neutralisation différente.
EXEMPLE 12
On répète le procédé de l'Exemple 7 en substi-
tuant à l'étape 4 la suivante: Immersion pendant 20 minutes à 60 C dans une solution comprenant: Li OH 150 g/l
On obtient des résultats équivalents.
EXEMPLE 13
On répète le procédé de l'Exemple 7 en substi-
tuant à l'étape 1 la suivante:
Immersion pendant 1 heure à 60 C dans une solu-
tion comprenant: Na Mn O 4 60 g/l Na OH, jusqu'à p H 12,5
On obtient des résultats équivalents.
EXEMPLE 14
On répète le procédé de l'Exemple 6 en substi-
tuant à l'étape 5 la suivante: Immersion pendant 40 minutes à 60 C dans une solution comprenant:
Hydroxyde de tétra-
méthylammonium solution à 10 %
On obtient des résultats équivalents.
*EXEMPLE 15
On répète le procédé de l'Exemple 7 en substi-
tuant à l'étape 1 la suivante:
Immersion pendant 1 heure à 60 C dans une solu-
tion comprenant: K Mn O 4 60 g/1 K 2 CO 3 40 g/l KOH, jusqu'à p H 12,5
On obtient des résultats équivalents.

Claims (9)

REVENDICATIONS
1 Procédé de préparation d'un substrat résineux destiné à une métallisation subséquente, ledit procédé comprenant les étapes de traitement dudit substrat avec une solution de traitement alcaline comportant un permanga- nate pendant une période de temps suffisante pour favoriser l'adhérence de la surface et éliminer les résidus de résine; et avec un composé hydrosoluble oxydable par le permanganate pendant une
période de temps suffisante pour réduire les résidus de nanganèse dépo-
sés sur ledit substrat jusqu'à un état de faible oxydation;
procédé caractérisé en ce que le p H de la solution de per-
manganate est ajusté à une valeur comprise entre 11 et 13
et en ce que ledit substrat est encore traité par une solu-
tion alcaline à une température de 300 C à 950 C
pendant une période de temps suffisante pour éliminer sen-
siblement la totalité desdits résidus de manganèse.
2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le p H est ajusté à une valeur comprise entre 12
et 13.
3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la solution alcaline est une solution d'un hydroxyde choisi entre un hydroxyde de métal alcalin
et un hydroxyde de tétra-alkyl-ammonium.
4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration dudit hydroxyde est comprise
entre 0,5 et 20 mol/l.
Procédé selon la revendication 4, caractérisé
en ce que la concentration est comprise entre 1 et 10 mol/l.
6 Procédé selon la revendication 5, caractérisé
en ce que la concentration est comprise entre 2 et 4 mol/l.
7 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de rinçage avant le
traitement dans la solution alcaline.
8 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de rinçage après le
traitement dans la solution alcaline.
9 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la durée du traitement dans la solution alcaline
est de 2 à 60 minutes.
Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 9, caractérisé en ce qu'il s'applique à la pré- paration d'une plaquette de circuit multicouche comportant une couche supérieure, au moins une couche intermédiaire,
et une couche inférieure, ladite ou lesdites couches inter-
médiaires étant constituées d'une matière isolante et d'au moins un métal conducteur, ladite plaquette de circuit
étant percée d'au moins un trou, et en ce que la tempéra-
ture de la seconde solution alcaline est comprise entre -40 çC et 950 C.
11 Procédé selon l'une quelconque des revendi-
cations 1 à 9, caractérisé en ce qu'il s'applique à la pré-
paration d'une plaquette de circuit à conducteurs métalli-
ques discrets comportant au moins un fil isolé ou noyé dans un substrat, et au moins un trou percé dans le fil et dans au moins une partie de la plaquette, la portion de fil
constitutive de la paroi du trou présentant une surface mé-
tallique exposée portant des taches de résine, en ce que la température de la seconde solution alcaline est comprise entre 400 C et 950 C, et en ce que l'on élimine l'isolation de polyimide du périmètre du fil à la jonction du fil avec
la paroi du trou afin d'expbser à la solution de dépôt mé-
tallique subséquente une surface de fil métallique propre
comprenant une zone concentrique annulaire.
FR8318290A 1982-11-19 1983-11-17 Procede de nettoyage de trous de plaquettes de circuits imprimes utilisant des solutions de traitement caustiques a base d'un permanganate Expired FR2536623B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/443,160 US4425380A (en) 1982-11-19 1982-11-19 Hole cleaning process for printed circuit boards using permanganate and caustic treating solutions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2536623A1 true FR2536623A1 (fr) 1984-05-25
FR2536623B1 FR2536623B1 (fr) 1987-03-20

Family

ID=23759658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8318290A Expired FR2536623B1 (fr) 1982-11-19 1983-11-17 Procede de nettoyage de trous de plaquettes de circuits imprimes utilisant des solutions de traitement caustiques a base d'un permanganate

Country Status (11)

Country Link
US (1) US4425380A (fr)
EP (1) EP0109920B1 (fr)
JP (1) JPS59104197A (fr)
AT (1) ATE40627T1 (fr)
AU (1) AU1966883A (fr)
CH (1) CH662692A5 (fr)
DE (2) DE3379153D1 (fr)
FR (1) FR2536623B1 (fr)
GB (1) GB2134140B (fr)
IL (1) IL70040A (fr)
ZA (1) ZA837099B (fr)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4756930A (en) * 1983-06-06 1988-07-12 Macdermid, Incorporated Process for preparing printed circuit board thru-holes
US4597988A (en) * 1983-06-06 1986-07-01 Macdermid, Incorporated Process for preparing printed circuit board thru-holes
US4515829A (en) * 1983-10-14 1985-05-07 Shipley Company Inc. Through-hole plating
US4601999A (en) * 1983-11-09 1986-07-22 William B. Retallick Metal support for a catalyst
US4629636A (en) * 1984-06-07 1986-12-16 Enthone, Incorporated Process for treating plastics with alkaline permanganate solutions
US4820548A (en) * 1984-06-07 1989-04-11 Enthone, Incorporated Three step process for treating plastics with alkaline permanganate solutions
US4592852A (en) * 1984-06-07 1986-06-03 Enthone, Incorporated Composition and process for treating plastics with alkaline permanganate solutions
US4948630A (en) * 1984-06-07 1990-08-14 Enthone, Inc. Three step process for treating plastics with alkaline permanganate solutions
US4601783A (en) * 1985-05-31 1986-07-22 Morton Thiokol, Inc. High concentration sodium permanganate etch batch and its use in desmearing and/or etching printed circuit boards
US4601784A (en) * 1985-05-31 1986-07-22 Morton Thiokol, Inc. Sodium permanganate etch baths containing a co-ion for permanganate and their use in desmearing and/or etching printed circuit boards
JPS62287690A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 日立エーアイシー株式会社 印刷配線板の製造方法
GB8613960D0 (en) * 1986-06-09 1986-07-16 Omi International Gb Ltd Treating laminates
EP0251923A3 (fr) * 1986-07-01 1990-06-06 Digital Equipment Corporation Filtration continue de solutions de manganate de potassium
US4885036A (en) * 1986-07-01 1989-12-05 Digital Equipment Corporation On-line filtration of potassium permanganate
JPS6338588A (ja) * 1986-08-01 1988-02-19 Seiken Kagaku Kk アルカリ性剥離液
US4749552A (en) * 1986-08-06 1988-06-07 Ebara Densan Ltd. Automatic titration analysis apparatus
US4976990A (en) * 1986-09-30 1990-12-11 Macdermid, Incorporated Process for metallizing non-conductive substrates
DE3638630A1 (de) * 1986-11-11 1988-05-26 Schering Ag Verfahren zur entfernung von harzverschmutzungen in bohrloechern von leiterplatten
US4940510A (en) * 1987-06-01 1990-07-10 Digital Equipment Corporation Method of etching in the presence of positive photoresist
US4913931A (en) * 1987-08-18 1990-04-03 Frederickson Jeffrey W Method and solution for the prevention of smear in the manufacture of printed circuit boards
DE3806884C1 (en) * 1988-03-03 1989-09-21 Blasberg-Oberflaechentechnik Gmbh, 5650 Solingen, De Through-plated contact printed circuit and method for fabricating it
US5032427A (en) * 1988-04-25 1991-07-16 Macdermid, Incorporated Process for preparation printed circuit through-holes for metallization
JPH0719959B2 (ja) * 1988-04-25 1995-03-06 マクダーミツド インコーポレーテツド 金属被覆化用プリント回路通し孔の製法及び組成物
US4873136A (en) * 1988-06-16 1989-10-10 General Electric Company Method for preparing polymer surfaces for subsequent plating thereon, and improved metal-plated plastic articles made therefrom
US4999251A (en) * 1989-04-03 1991-03-12 General Electric Company Method for treating polyetherimide substrates and articles obtained therefrom
IT1232863B (it) * 1989-06-27 1992-03-05 Alfachimici Spa Procedimento a ciclo ridotto per la fabbricazione di circuiti stampati, e composizione per la sua attuazione
US5015339A (en) * 1990-03-26 1991-05-14 Olin Hunt Sub Iii Corp. Process for preparing nonconductive substrates
US5213840A (en) * 1990-05-01 1993-05-25 Macdermid, Incorporated Method for improving adhesion to polymide surfaces
US5441770A (en) * 1990-05-18 1995-08-15 Shipley Company Inc. Conditioning process for electroless plating of polyetherimides
US5143592A (en) * 1990-06-01 1992-09-01 Olin Corporation Process for preparing nonconductive substrates
US5062930A (en) * 1990-07-24 1991-11-05 Shipley Company Inc. Electrolytic permanganate generation
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US6000411A (en) * 1990-11-05 1999-12-14 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions for removing etching residue and method of using
US6242400B1 (en) 1990-11-05 2001-06-05 Ekc Technology, Inc. Method of stripping resists from substrates using hydroxylamine and alkanolamine
US5198096A (en) * 1990-11-28 1993-03-30 General Electric Company Method of preparing polycarbonate surfaces for subsequent plating thereon and improved metal-plated plastic articles made therefrom
US5229169A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 General Electric Company Adhesion of electroless coatings to resinous articles by treatment with permanganate
US5290597A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 General Electric Company Method of treating halogenated polyimide substrates for increasing adhesion of metal layer thereon
US5311660A (en) * 1993-02-10 1994-05-17 International Business Machines Corporation Methyl chloroform-free desmear process in additive circuitization
US6303181B1 (en) 1993-05-17 2001-10-16 Electrochemicals Inc. Direct metallization process employing a cationic conditioner and a binder
US6171468B1 (en) 1993-05-17 2001-01-09 Electrochemicals Inc. Direct metallization process
US6710259B2 (en) 1993-05-17 2004-03-23 Electrochemicals, Inc. Printed wiring boards and methods for making them
US5374338A (en) * 1993-10-27 1994-12-20 International Business Machines Corporation Selective electroetch of copper and other metals
US5567329A (en) * 1995-01-27 1996-10-22 Martin Marietta Corporation Method and system for fabricating a multilayer laminate for a printed wiring board, and a printed wiring board formed thereby
US5595668A (en) * 1995-04-05 1997-01-21 Electro-Films Incorporated Laser slag removal
US5998237A (en) * 1996-09-17 1999-12-07 Enthone-Omi, Inc. Method for adding layers to a PWB which yields high levels of copper to dielectric adhesion
US6141870A (en) 1997-08-04 2000-11-07 Peter K. Trzyna Method for making electrical device
US5985040A (en) * 1998-09-21 1999-11-16 Electrochemicals Inc. Permanganate desmear process for printed wiring boards
US6139762A (en) * 1998-12-11 2000-10-31 Shipley Company, L.L.C. Methods for manufacture of electronic devices
EP1138804A3 (fr) * 2000-03-27 2003-06-25 Infineon Technologies AG Composant avec au moins deux couches protectrices contigues et son procédé de fabrication
US6454868B1 (en) 2000-04-17 2002-09-24 Electrochemicals Inc. Permanganate desmear process for printed wiring boards
US6454954B1 (en) * 2000-05-22 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Desmear etchant and use thereof
US20050238812A1 (en) * 2002-06-04 2005-10-27 Bhangale Sunil M Method for electroless metalisation of polymer substrate
US20050199587A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-15 Jon Bengston Non-chrome plating on plastic
US7364666B2 (en) * 2004-12-21 2008-04-29 3M Innovative Properties Company Flexible circuits and method of making same
JP5022576B2 (ja) * 2005-07-08 2012-09-12 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示パネルおよび表示装置
KR100663266B1 (ko) * 2005-07-11 2007-01-02 삼성전기주식회사 미세 배선의 형성방법 및 도전성 기판
JP4452222B2 (ja) * 2005-09-07 2010-04-21 新光電気工業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
KR101277875B1 (ko) * 2006-10-12 2013-06-21 엘지디스플레이 주식회사 사용자 위치 감응형 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
US7858146B2 (en) * 2007-06-29 2010-12-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of electrolessly depositing metal on the walls of through-holes
DE102007041991A1 (de) * 2007-09-05 2009-03-12 Fülling, Rainer, Dr. Verfahren zur Reinigung von Substraten durch Oxidationsmittel und Reduktionsmittel sowie die Verwendung von Oxidationsmitteln zur Oxidation von extrazellulären polymeren Substanzen
US8394507B2 (en) * 2009-06-02 2013-03-12 Integran Technologies, Inc. Metal-clad polymer article
US8906515B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-09 Integran Technologies, Inc. Metal-clad polymer article
US8247050B2 (en) * 2009-06-02 2012-08-21 Integran Technologies, Inc. Metal-coated polymer article of high durability and vacuum and/or pressure integrity
US8741392B2 (en) * 2009-06-02 2014-06-03 Integran Technologies, Inc. Anodically assisted chemical etching of conductive polymers and polymer composites
US9004240B2 (en) 2013-02-27 2015-04-14 Integran Technologies Inc. Friction liner
JP6350064B2 (ja) * 2013-10-09 2018-07-04 日立化成株式会社 多層配線基板の製造方法
US10381322B1 (en) 2018-04-23 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing self-aligned interlocking bonded structure and method of making the same
US10879260B2 (en) 2019-02-28 2020-12-29 Sandisk Technologies Llc Bonded assembly of a support die and plural memory dies containing laterally shifted vertical interconnections and methods for making the same
CN112087872B (zh) * 2020-09-30 2021-10-12 生益电子股份有限公司 一种混压pcb的除胶工艺
CN116744562A (zh) * 2023-07-20 2023-09-12 清远市富盈电子有限公司 一种高频高速pcb的加工方法及其制成的pcb板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2239908A1 (de) * 1972-08-14 1974-02-28 Aeg Isolier Kunststoff Basismaterial zur herstellung gedruckter schaltungen

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA812207A (en) 1969-05-06 Hooker Chemical Corporation Method of treating metal surfaces
US3141797A (en) 1961-09-07 1964-07-21 Lubrizol Corp Phosphating process
US3276106A (en) 1963-07-01 1966-10-04 North American Aviation Inc Preparation of multilayer boards for electrical connections between layers
US3276927A (en) 1963-07-01 1966-10-04 North American Aviation Inc Smoothing of mechanically drilled holes
US3425947A (en) 1966-05-02 1969-02-04 Hooker Chemical Corp Method of treating metal surfaces
US3515649A (en) 1967-05-02 1970-06-02 Ivan C Hepfer Pre-plating conditioning process
US3647699A (en) 1967-12-22 1972-03-07 Gen Motors Corp Surface conditioner composition for abs resin
US3652417A (en) 1968-03-01 1972-03-28 Carus Corp Stabilization of alkali metal permanganate in alkaline solution
US3652351A (en) 1970-05-13 1972-03-28 Carus Corp Processes for etching synthetic polymer resins with alkaline alkali metal manganate solutions
US3689303A (en) 1970-12-21 1972-09-05 Crown City Plating Co Process for electroless plating of abs resins
US4042729A (en) 1972-12-13 1977-08-16 Kollmorgen Technologies Corporation Process for the activation of resinous bodies for adherent metallization
DK485275A (da) * 1974-11-07 1976-05-08 Kollmorgen Corp Fremgangsmade og blanding til fremstilling af emner med et fast vedheftende metallag pa harpiksagtige overflader
US3962496A (en) 1974-11-07 1976-06-08 Photocircuits Division Of Kollmorgen Composition and method for neutralizing and sensitizing resinous surfaces and improved sensitized resinous surfaces for adherent metallization
DK154600C (da) 1974-11-07 1989-04-17 Kollmorgen Tech Corp Fremgangsmaade til forbehandling af kredsloebspladerpaa formstofbasis.
US4054693A (en) 1974-11-07 1977-10-18 Kollmorgen Technologies Corporation Processes for the preparation of resinous bodies for adherent metallization comprising treatment with manganate/permanganate composition
JPS5388164A (en) * 1977-01-12 1978-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of producing printed circuit board

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2239908A1 (de) * 1972-08-14 1974-02-28 Aeg Isolier Kunststoff Basismaterial zur herstellung gedruckter schaltungen

Also Published As

Publication number Publication date
DE3341431C2 (fr) 1989-10-05
CH662692A5 (de) 1987-10-15
DE3341431A1 (de) 1984-05-24
EP0109920B1 (fr) 1989-02-01
IL70040A (en) 1988-08-31
GB2134140A (en) 1984-08-08
DE3341431C3 (de) 1995-06-01
FR2536623B1 (fr) 1987-03-20
JPS6366079B2 (fr) 1988-12-19
EP0109920A2 (fr) 1984-05-30
ZA837099B (en) 1984-11-28
IL70040A0 (en) 1984-01-31
ATE40627T1 (de) 1989-02-15
US4425380A (en) 1984-01-10
AU1966883A (en) 1984-05-24
JPS59104197A (ja) 1984-06-15
GB2134140B (en) 1986-11-26
EP0109920A3 (en) 1985-09-18
GB8329133D0 (en) 1983-12-07
DE3379153D1 (en) 1989-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2536623A1 (fr) Procede de nettoyage de trous de plaquettes de circuits imprimes utilisant des solutions de traitement caustiques a base d&#39;un permanganate
CA1332817C (fr) Procede d&#39;electrodeposition
JP2675841B2 (ja) 電気めっき方法
RU1816344C (ru) Однослойна или многослойна печатна плата и способ ее изготовлени
FR2569725A1 (fr) Procede de metallisation selective de substrats isolants de plaquettes a circuits
CA1229266A (fr) Preparation d&#39;un substrat aux fins de la deposition non electrolytique ulterieur d&#39;un metal
US4933010A (en) Sensitizing activator composition for chemical plating
KR100188481B1 (ko) 유전기질과 도금기질을 직접 전기도금 하는 방법
US5143592A (en) Process for preparing nonconductive substrates
BR112014017638B1 (pt) método de preparação de uma solução capaz de decapar um plástico metalizável e eletrólito
JPS62260068A (ja) 非導電性物質の表面に導電性金属層をメツキする方法
JP2008516088A (ja) 電気メッキする非導電性基板の処理方法
US5484518A (en) Electroplating process
EP1236760B1 (fr) Solvant gonflant pour la texturation et le décapage et l&#39;ébeurrage de surfaces polymériques
EP1241209A2 (fr) Solvant gonflant contenant des composés hétérocycliques contenant du nitrogène et des glycols pour la texturation et le décapage et l&#39;ébeurrage de surfaces polymériques
JP3261569B2 (ja) 電気メッキ用非伝導性基材の製造方法
JP3804981B2 (ja) 直通接続プリント回路板または多層プリント回路板の製造方法
EP0552830B1 (fr) Procédé pour promouvoir l&#39;adhérence entre différentes couches dans la fabrication des circuits imprimés feuilletés, et compositions pour la mise-en-oeuvre de ce procédé
JPH08225952A (ja) 表面をメタライズするための方法および還元溶液
FR2672766A1 (fr) Procede selectif pour fabriquer un panneau de circuits imprimes, composition d&#39;enduction et composition de nettoyage pour un substrat destine a supporter ledit panneau.
US5262042A (en) Simplified method for direct electroplating of dielectric substrates
US5104687A (en) Reduced cycle process for the manufacture of printed circuits, and a composition for carrying out said process
JP3117216B2 (ja) 酸化薄層の選択的形成手段
FR2463569A1 (fr) Procede de production de circuits imprimes
Cui et al. Copper deposition and patterning for glass substrate manufacture

Legal Events

Date Code Title Description
TP Transmission of property
TP Transmission of property