FR2504293A1 - Procede et module de regulation de temperature pour un circuit electronique - Google Patents
Procede et module de regulation de temperature pour un circuit electronique Download PDFInfo
- Publication number
- FR2504293A1 FR2504293A1 FR8201246A FR8201246A FR2504293A1 FR 2504293 A1 FR2504293 A1 FR 2504293A1 FR 8201246 A FR8201246 A FR 8201246A FR 8201246 A FR8201246 A FR 8201246A FR 2504293 A1 FR2504293 A1 FR 2504293A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- circuit
- temperature
- control
- module according
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/345—Arrangements for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA REGULATION THERMIQUE DES CIRCUITS ELECTRONIQUES. L'INVENTION CONSISTE EN UN MODULE DE CIRCUIT QUI COMBINE DES ELEMENTS DE CHAUFFAGE 10 ET DES ELEMENTS DE REFROIDISSEMENT 2 POUR REGULER LA TEMPERATURE D'UN CIRCUIT ELECTRONIQUE 8 A UNE VALEUR INFERIEURE A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AFIN D'OBTENIR LES MEILLEURES PERFORMANCES DU CIRCUIT. LA FONCTION DE REGULATION DE TEMPERATURE PEUT ETRE ELECTRIQUEMENT ISOLEE DU CIRCUIT A HAUTES PERFORMANCES ET LE MODULE PEUT FONCTIONNER DANS UNE GAMME DE TEMPERATURES AMBIANTES D'AU MOINS 50C. APPLICATION AUX CIRCUITS ELECTRONIQUES DE HAUTES PERFORMANCES.
Description
2504 293
La présente invention concerne le domaine des circuits électroniques à régulation de température et des procédés de régulation de température, et elle concerne
plus particulièrement le domaine des circuits électroni-
ques à régulation de température et des procédés de régu-
lation de température prévus pour un fonctionnement au-
dessous de la température ambiante.
Au cours du développement et de l'évaluation
des dispositifs à semiconducteur et/ou des puces de semi-
conducteur contenant plusieurs dispositifs intégrés ensem-
ble pour constituer un circuit électronique fonctionnel, il est apparu très clairement qu'un échauffement excessif
des dispositifs à semiconducteur et/ou des puces de semi-
conducteur avait un effet très nuisible sur les perfor-
mances des dispositifs ou des circuits et conduisait, dans de nombreux cas, à la destruction de la fonction des dispositifs ou des circuits Il est donc apparu clairement qu'il était nécessaire de trouver des solutions ou des techniques destinées à empêcher un échauffement excessif
des dispositifs ou des circuits et à éviter ainsi la dé-
térioration ou la destruction résultantes de la fonction des dispositifs ou des circuits Diverses solutions ou techniques destinées à empêcher un échauffement excessif des dispositifs ou des circuits ont été essayées ou mises en oeuvre pour tenter de résoudre ce problème L'une de
ces solutions ou techniques consistait à réaliser un re-
froidissement thermoélectrique des éléments de circuit à
semiconducteur pour éviter leur destruction à des tempéra-
tures élevées Une autre solution ou technique consistait
à faire fonctionner des circuits à semiconducteur de fai-
ble puissance au-dessous de la température ambiante, pour améliorer leurs performances en ce qui concerne le bruit et les courants de fuite parasites Dans le passé, on réalisait habituellement ce fonctionnement audessous de la température ambiante au moyen d'enceintes thermostatées coûteuses utilisant des fluides de refroidissement et des moyens similaires, qui sont mal adaptés pour du matériel t portable ou d'encombrement réduit Il existe donc un besoin 2504 t 91 pour une technique ou un procédé perfectionné destiné au
refroidissement de dispositifs ou de puces de semiconduc-
teur, dans le but de réduire l'échauffement des dispositifs
ou des puces de semiconducteur.
Conformément à l'invention, un circuit électroni- que sensible à la température est refroidi par des moyens
thermoélectriques et chauffé par un circuit intégré régula-
teur de température pour maintenir le circuit critique à
une température constante sur une plage étendue de tempé-
rature ambiante, qui peut être supérieure ou inférieure à la température régulée Dans un mode de réalisation, les moyens de régulation et le circuit critique sont séparés des moyens de refroidissement par une impédance thermique;
et la puissance que doit commander le régulateur est rela-
tivement faible Selon une variante, les moyens de refroi-
dissement peuvent être régulés de manière directe Dans un
cas comme dans l'autre, l'alimentation des moyens de refroi-
dissement est pratiquement isolée de l'alimentation du circuit critique D'autres modes de réalisation en accord
avec les buts suivants entrent dans le cadre de l'inven-
tion.
L'invention a pour but d'offrir un module à tém-
pérature régulée de type perfectionné, et un procédé cor-
respondant, pour des dispositifs à semiconducteur et/ou des puces de semiconducteur L'invention a également pour but de réaliser une régulation thermique intégrée d'un
module de circuit électronique, notamment à une tempéra-
ture inférieure à la température ambiante, ce qui a pour effet d'améliorer les performances du circuit L'invention a également pour but de réaliser un module entièrement
électronique et de faible encombrement, avec une régula-
tion de température au-dessous de la température ambiante.
L'invention a enfin pour but de réaliser une régulation thermique intégrée d'un module de circuit électronique fonctionnant au-dessous de la température ambiante, avec des erreurs temporelles minimales, et avec des circuits de
commande de température à courant relativement faible.
Selon un mode de réalisation de l'invention, un
Z 504 293
module de circuit électronique comprend un circuit intégré électronique sensible de façon critique à la température; des moyens de refroidissement thermoélectriques pour ce
circuit; et des moyens de régulation de température en cou-
plage avec le circuit et avec les moyens de refroidissement
pour commander la température du circuit.
Un autre mode de réalisation de l'invention porte sur un procédé de régulation de température d'un
circuit électronique qui comprend les opérations suivan-
tes: on établit un circuit électronique; on refroidit ce circuit électronique de façon thermoélectrique, à l'aide de moyens de refroidissement thermoélectriques; et on
régule la température du circuit électronique pour comman-
der la température de ce circuit, en utilisant des moyens de régulation de température en couplage avec le circuit
et les moyens de refroidissement thermoélectriques.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre d'un mode de réalisation et en
se référant aux dessins annexés sur lesquels:
La figure 1 est une coupe d'un mode de réalisa-
tion préféré du dispositif de la figure 2, faite selon la ligne 1-1 et montrant les principaux éléments de celui-ci;
La figure 2 est une vue de dessus faisant appa-
ratre -l'interconnexion des divers éléments du dispositif.
On va maintenant considérer les figures 1 et 2 qui représentent respectivement une coupe latérale et une
vue de dessus d'un mode de réalisation préféré de l'inven-
tion Un substrat 1 fait fonction de support pour les
autres éléments ou composants du circuit électronique éta-
bli sur lui, et il assure également le transfert de cha-
leur vers l'ambiance Comme le montre la figure 2, le subs-
trat 1 est constitué dans cet exemple par la base métalli-
que d'un boîtier du type TO-3 portant plusieurs broches
17 (voir la figure 1) destinées aux connexions externes.
Un refroidisseur thermoélectrique ou module refroidisseur 2 (voir la figure 1) est monté sur le substrat 1 et il est
alimenté par des conducteurs 18 connectés à deux des bro-
ches 17 du boîtier Le refroidisseur thermoélectrique 2 com-
2504 293
prend un élément actif (lignesverticales)intercalé entre une face horizontale chaude montée sur le substrat 1 et une face horizontale froide montée sur l'élément actif et placée au-dessus de ce dernier (Si on le désire, on peut établir des connexions à travers les faces pour l'alimen-
tation électrique du refroidisseur) Dans le mode de réa-
lisation représenté, un isolant thermique 4, par exemple en'"apton",est monté sur la face froide du refroidisseur thermoélectrique 2 et il supporte un substrat isolant isotherme 6, qui est par exemple en oxyde de béryllium Le substrat 6 est fixé à un élément chauffant régulateur de température 10 se présentant sous la forme d'un circuit
intégré ou hybride.
Le circuit électronique qui doit faire l'objet d'une régulation de température comprend une ou plusieurs puces de semiconducteur ou de circuit intégré 8 (voir la figure 2 sur laquelle deux puces sont représentées), qui peuvent être montées sur un substrat hybride 20 portant des composants passifs en couches minces et/ou épaisses (tels que des résistances, des condensateurs, etc), selon la fonction désirée pour le circuit Un isolant flexible 14 (par exemple enkaptod' qui porte un motif de circuit imprimé assure l'interconnexion de tous les composants au moyen des fils de liaison 16 qui sont connectés par les conducteurs du motif de circuit imprimé aux broches 17 du
boîtier et aux plots deconnexion ou aux autres composants.
Les autres composants comprennent, par exemple, un circuit séparateur de sortie 12 monté directement sur le substrat principal 1 dans le but de réduire la dissipation dans la partie refroidie du dispositif Le fait de monter loin du
refroidisseur 2 tous les composants qui ne sont pas criti-
ques au point de vue thermique permet d'obtenir une meil-
leure commande de température, ainsi que l'élimination des transitoires thermiques et de la réaction thermique qui
dégraderaient les performances du circuit régulé.
A titre d'exemple particulier, le refroidisseur 2 peut être un module thermoélectriaue-de la marque MELCOR, type { FC 0 6-8-06, qui peut établir par exemple une différence de
2504 295
C entre les faces chaude et froide Cette différence de température décroît de façon approximativement linéaire lorsque la puissance pompée augmente et elle tombe à zéro pour une puissance pompée d'environ 0,55 W On obtient ceci avec une puissance d'entrée du refroidisseur d'envi- ron 0,9 W ( 1 A, 0,9 V) Sur la base de telles performances,
la régulation de température d'un amplificateur à transis-
tors à effet de champ Burr-Brown BB 3528, par exemple, pour
le maintenir à -10 C, conduirait à un courant de polarisa-
tion d'entrée d'environ 7,5 f A seulement sur une plage de température ambiante de 68 o C, conformément à l'exemple suivant présenté sous forme de tableau:
TEMPERA CHUTE DE TEM CHUTE DE TEM PUISSANCE TEMPERA-
TURE DU PERATURE DANS PERATURE DANS DANS L' TURE DE
BOITIER LE REFROIDIS L'ISOLANT ELEMENT L'AMPLI-
SEUR NOTE 2 CHAUFFANT FICATEUR
NOTE 1 ET L'AM-
PLIFICATEUR
-25 C -27 C 40 C 318 m W -10 C
NOTE 3
o C -51 C 14 C 114 m W -10 C 400 C -58,60 C 6,6 C 53 m W -10 C 430 C -600 C 5 C 40 m W -10 C
NOTE 4 NOTE 5
NOTES
1 D'après les données du fabricant du refroidisseur thermoélectrique: T ( C) = -65 + 120 x puissance pompée (watts) (pour
un courant d'entrée de i A du refroidisseur).
2504 293
2 Choisie pour avoir 50 C à 40 m W, soit 1250 C/W.
3 106 m A à 30 V
4 Température maximale du bottier pour que la tem-
pérature du circuit soit régulée à -100 C. 5 Puissance à l'état de repos du circuit et de l'élément chauffant à -100 C.
Le tableau permet de voir que du fait de l'au-
gmentation de la dissipation du circuit intégré régulateur de température 10, l'amplificateur à transistors à effet
de champ, par exemple, (comprenant les puces 8 et les dis-
positifs passifs qui se trouvent sur le substrat hybride ) est régulé à une température constante supérieure
ou inférieure à la température ambiante.
Le circuit de régulation et le procédé de re-
froidissement décrits ci-dessus ont non seulement pour effet de réduire le courant de fuite dans les dispositifs électroniques à semiconducteur, mais également de diminuer le bruit et de permettre l'obtention d'une dérive plus faible, à cause de la régulation de la'température du circuit critique D'autres configurations apparattront de façon évidente à l'homme de l'art, sur la base de la
description détaillée qui précède du mode de réalisation
préféré En résumé, le module représenté sur les figures
comporte une possibilité de refroidissement grâce à la-
quelle on peut refroidir (au moyen du refroidisseur 2) le circuit électronique pour l'amener dans une plage de
température basse désirée et préférée pour le fonctionne-
ment, afin de faire fonctionner les dispositifs et le cir-
cuit dans de meilleures conditions et avec un meilleur
rendement, tout en permettant la stabilisation des perfor-
mances des dispositifs et du circuit, grâce à une possibi-
lité de chauffage qui permet de chauffer le circuit élec-
tronique (au moyen du dispositif à semiconducteur 10), pour maintenir la température abaissée désirée du circuit dans une plage de température très étroite, ce qui améliore
les performances.
Il va de soi quz de nombreuses autres modifications
2504 293
peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits
et représentés, sans sortir du cadre de l'invention.
2504 293
Claims (10)
1 Module de circuit électronique comprenant,
en combinaison: un circuit intégré électronique ( 20) pré-
sentant une sensibilité critique vis-à-vis de la tempéra-
ture; et des moyens de refroidissement thermoélectriques ( 2) pour ce circuit; module caractérisé en ce qu'il comporte des
moyens de régulation de température ( 10) qui sont en cou-
plage avec le circuit et avec les moyens de refroidisse-
ment pour commander la température du circuit.
2 Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de régulation de température ( 10) commandent la température du circuit pour lui donner une
valeur inférieure à la température ambiante.
3 Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de régulation de température ( 10) commandent la température du circuit pour lui donner une
valeur comprise dans la plage des températures ambiantes.
4 Module selon l'une quelconque des revendica-
tions 1, 2 ou 3, caractérisé en ce qu'il comprend: des
moyens de chauffage ( 10) pour le circuit; et une impédan-
ce thermique ( 4) qui est intercalée entre les moyens de refroidissement, d'une part, et le circuit et les moyens de chauffage d'autre part; et en ce que les moyens de régulation de température ( 10) commandent l'alimentation électrique des moyens de chauffage ( 10) pour commander la
température du circuit.
Module selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de régulation de température ( 10) commandent la température du circuit pour lui donner une valeur inférieure ou supérieure à la température ambiante,
ou une valeur comprise dans une plage de températures am-
biantes.
6 Module selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 5, caractérisé en ce que les moyens de refroidis-
sement ( 2) sont électriquement isolés du circuit.
7 Module selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'amplification de sortie ( 12) pour le circuit, et ces moyens
2504 293
d'amplification sont isolés thermiquement du circuit.
8 Module selon l'une quelconque des revendica-
tions 4, 5, 6 ou 7, caractérisé en ce que les moyens de refroidissement thermoélectriques ( 2) réduisent à la fois la température du circuit et des moyens de chauf- fage; et les moyens de régulation de température ( 10)
alimentent les moyens de chauffage pour commander simul-
tanément la température du circuit et des moyens de chauffage.
9 Procédé pour réaliser un circuit électroni-
que régulé en température conformément à l'une quelcon-
que des revendications précédentes dans lequel: on établit
un circuit électronique ( 8); et on refroidit ce circuit
électronique par des moyens de refroidissement thermoélec-
triques ( 2); caractérisé en ce qu'on régule la température du circuit électronique pour commander la température de ce circuit en établissant des moyens de régulation de température ( 10) qui sont en couplage avec le circuit
et avec les moyens de refroidissement thermoélectriques.
10 Procédé selon la revendication 9, caracté-
risé en ce qu'on chauffe le circuit et on régule la tem-
pérature en mettant le chauffage en fonction pour com-
mander la température du circuit.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25577581A | 1981-04-20 | 1981-04-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2504293A1 true FR2504293A1 (fr) | 1982-10-22 |
| FR2504293B1 FR2504293B1 (fr) | 1987-01-09 |
Family
ID=22969809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8201246A Expired FR2504293B1 (fr) | 1981-04-20 | 1982-01-27 | Procede et module de regulation de temperature pour un circuit electronique |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57178349A (fr) |
| DE (1) | DE3214614A1 (fr) |
| FR (1) | FR2504293B1 (fr) |
| GB (1) | GB2097184B (fr) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3326834A1 (de) * | 1982-08-24 | 1984-03-01 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zur verbesserung der herstellung von kernbrennstoffprodukten |
| JPS5994891A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| US4691987A (en) * | 1983-07-08 | 1987-09-08 | Itek Graphix Corp. | Optical fiber cable producer and method of bonding optical fibers to light emitting diodes |
| GB2163008A (en) * | 1984-08-08 | 1986-02-12 | Varian Associates | Miniature, temperature controlled phase detector |
| DE3709201A1 (de) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Bosch Gmbh Robert | Waermestrahlungssensor |
| US5032897A (en) * | 1990-02-28 | 1991-07-16 | International Business Machines Corp. | Integrated thermoelectric cooling |
| US5012325A (en) * | 1990-04-24 | 1991-04-30 | International Business Machines Corp. | Thermoelectric cooling via electrical connections |
| DE4135853A1 (de) * | 1991-10-31 | 1993-05-06 | Alcatel Sel Aktiengesellschaft, 7000 Stuttgart, De | Aktives halbleiterbauelement mit regelbarer waermequelle |
| DE4208858A1 (de) * | 1992-03-19 | 1993-09-23 | Sel Alcatel Ag | Faseroptischer verstaerker mit regelung der pumplicht-wellenlaenge |
| DE4208857A1 (de) * | 1992-03-19 | 1993-09-23 | Sel Alcatel Ag | Optisches nachrichtenuebertragungssystem mit faseroptischen verstaerkern und regelung der sender-wellenlaenge |
| FR2690571B1 (fr) * | 1992-04-23 | 1994-06-03 | Peugeot | Dispositif de regulation de la temperature d'un module electronique. |
| US5419780A (en) * | 1994-04-29 | 1995-05-30 | Ast Research, Inc. | Method and apparatus for recovering power from semiconductor circuit using thermoelectric device |
| US5720342A (en) * | 1994-09-12 | 1998-02-24 | Pes, Inc. | Integrated converter for extending the life span of electronic components |
| US5712448A (en) * | 1996-02-07 | 1998-01-27 | California Institute Of Technology | Cooling device featuring thermoelectric and diamond materials for temperature control of heat-dissipating devices |
| US6614109B2 (en) | 2000-02-04 | 2003-09-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for thermal management of integrated circuits |
| GB2375431B (en) * | 2001-05-10 | 2003-11-05 | Bookham Technology Plc | Method and device for balancing temperature |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB908662A (en) * | 1960-01-11 | 1962-10-24 | Ass Elect Ind | Cooling apparatus |
| GB1029322A (en) * | 1963-02-06 | 1966-05-11 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements in or relating to temperature-sensitive device protection enclosures |
| GB1187595A (en) * | 1966-04-27 | 1970-04-08 | Telefunken Patent | Improvements in or relating to Integrated Circuits |
| FR2239048A1 (fr) * | 1973-07-24 | 1975-02-21 | Itt | |
| US4253515A (en) * | 1978-09-29 | 1981-03-03 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Integrated circuit temperature gradient and moisture regulator |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL23606A (en) * | 1964-07-09 | 1969-11-12 | Charbonnier R | Electronic component with individual thermal regulation |
| US3602721A (en) * | 1967-11-20 | 1971-08-31 | Malsushita Electric Ind Co Ltd | Photoelectric device with enhanced photoconductive sensitivity and storage effect of input radiation |
| JPS5370689A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS55113390A (en) * | 1980-01-25 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-01-27 FR FR8201246A patent/FR2504293B1/fr not_active Expired
- 1982-02-01 GB GB8202783A patent/GB2097184B/en not_active Expired
- 1982-02-04 JP JP1694382A patent/JPS57178349A/ja active Granted
- 1982-04-20 DE DE19823214614 patent/DE3214614A1/de active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB908662A (en) * | 1960-01-11 | 1962-10-24 | Ass Elect Ind | Cooling apparatus |
| GB1029322A (en) * | 1963-02-06 | 1966-05-11 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements in or relating to temperature-sensitive device protection enclosures |
| GB1187595A (en) * | 1966-04-27 | 1970-04-08 | Telefunken Patent | Improvements in or relating to Integrated Circuits |
| FR2239048A1 (fr) * | 1973-07-24 | 1975-02-21 | Itt | |
| US4253515A (en) * | 1978-09-29 | 1981-03-03 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Integrated circuit temperature gradient and moisture regulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3214614A1 (de) | 1982-11-04 |
| DE3214614C2 (fr) | 1991-11-14 |
| JPS57178349A (en) | 1982-11-02 |
| FR2504293B1 (fr) | 1987-01-09 |
| GB2097184A (en) | 1982-10-27 |
| JPS6322623B2 (fr) | 1988-05-12 |
| GB2097184B (en) | 1985-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2504293A1 (fr) | Procede et module de regulation de temperature pour un circuit electronique | |
| US5515683A (en) | Thermoelectric heating or cooling device | |
| US5603220A (en) | Electronically controlled container for storing temperature sensitive material | |
| US5188286A (en) | Thermoelectric piezoelectric temperature control | |
| US7795582B2 (en) | System and method of monitoring with temperature stabilization | |
| JP2986381B2 (ja) | 電子チップ温度制御装置及び方法 | |
| US4402185A (en) | Thermoelectric (peltier effect) hot/cold socket for packaged I.C. microprobing | |
| JP5608922B2 (ja) | 電子部品の温度制御 | |
| US20130008883A1 (en) | Temperature control circuit of oven-controlled crystal oscillator | |
| US5875204A (en) | Temperature-controlled semiconductor laser apparatus and temperature control method therefor | |
| KR20030068633A (ko) | 열전소자를 이용한 집적회로 냉각장치 | |
| WO2005048664A3 (fr) | Circuits fonctionnant a hautes temperatures | |
| US20060083273A1 (en) | Temperature tuning the wavelength of a semiconductor laser using a variable thermal impedance | |
| CN211293575U (zh) | 投影装置 | |
| JPH05136095A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP3087813B2 (ja) | 温度制御装置及び方法 | |
| JP2001244545A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| US7081712B2 (en) | Thermal cooler for a laser diode package | |
| JP2008131803A (ja) | 携帯端末装置 | |
| US6868235B2 (en) | Optical transmission module with light element temperature control | |
| JP2004356449A (ja) | ペルチェ素子の制御方法およびペルチェ素子の制御回路 | |
| JPS6272148A (ja) | 集積回路の冷却方式 | |
| CN106972807A (zh) | 电动机驱动装置 | |
| JP2705657B2 (ja) | 人工衛星の熱制御方式 | |
| KR102188133B1 (ko) | 컴퓨터의 발열을 이용한 cpu 냉각장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ER | Errata listed in the french official journal (bopi) |
Free format text: 42/82 |
|
| ST | Notification of lapse |