FR2504288A1 - Procede et appareil d'alignement d'une tranche de semi-conducteur - Google Patents

Abstract

L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS. L'INVENTION PORTE SUR UNE TECHNIQUE POUR ALIGNER UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR 11 SUR LAQUELLE ON DOIT DEFINIR UN MOTIF AU MOYEN D'UN SYSTEME DE PHOTOLITHOGRAPHIE DU TYPE PHOTOREPETEUR. LA TECHNIQUE DE L'INVENTION EST CAPABLE DE COMPENSER UNE INCLINAISON LOCALE DE LA TRANCHE ETOU UN DEFAUT D'UNIFORMITE DE L'EPAISSEUR D'UNE MATIERE DE RESERVE PHOTOGRAPHIQUE PLACEE SUR LA TRANCHE. ELLE S'APPLIQUE A DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR QUI PORTENT, SUR UNE PARTIE DE LEUR SURFACE, UN OU PLUSIEURS REPERES D'ALIGNEMENT CONSISTANT EN RESEAUX ZONES DE FRESNEL 13. APPLICATION A LA FABRICATION DE CIRCUITS A TRES HAUTE DENSITE D'INTEGRATION.

Description

X 25 a 4288 La présente invention concerne un procédé pour aligner une

tranche de semiconducteur du type comprenant, sur une surface de la tranche, des moyens de formation d'image qui, lorsqu'ils sont éclairés par un rayonnement incident, forment plusieurs images focalisées et décalées

verticalement Ce procédé comprend les opérations consis-

tant à éclairer les moyens de formation d'image de façon à former plusieurs images focalisées, à projeter l'une des images focalisées sur un dispositif détecteur, et à déplacer la tranche sous la dépendance de la position de

l'image projetée sur le dispositif détecteur, afin d'ali-

gner l'image avec une position choisie à l'avance.

La fabrication de dispositifs et de circuits microminiatures nécessite souvent l'alignement précis

d'un masque par rapport à une tranche de semiconducteur.

Pour des dispositifs à très haute résolution, il est sou-

vent nécessaire de respecter des tolérances d'alignement inférieures au micron Un tel alignement présente une importance particulière pour l'utilisation des appareils d'impression par projection du type photorépéteur pour la

photolithographie, comme l'appareil GCA Mann DSW 4800.

Pour l'alignement, on emploie habituellement

des repères d'alignement sur la surface de la tranche.

Le réseau zoné de Fresnel est un type préféré de repère d'alignement (Voir l'ouvrage de Klein, M V, Optics, John Wiley and Sons, Inc, New York, 1970, pour un examen général des zones de Fresnel et des réseaux zonés de Fresnel Voir également le brevet U S 4 037 969 en ce qui concerne l'utilisation de réseaux zonés de Fresnel en tant que repères d'alignement sur une tranche de semiconducteur) A titre d'exemple, un réseau zoné de Fresnel situé sur la surface d'une tranche de semiconducteur

comprend des régions annulaires concentriques ayant alter-

nativement une réflectivité faible et élevée Selon une variante, le réseau zoné comprend des régions annulaires concentriques alternées qui font en sorte que la lumière

réfléchie produise des interférences soustractives et addi-

tives On peut former de telles figures par divers moyens connus, comme par exemple par exposition directe avec un faisceau d'électrons ou par exposition à la lumière d'une

matière de réserve photographique Les tranches qui doi-

vent être alignées pour l'utilisation dans un système du

type photorépéteur comportent habituellement deux repè-

res d'alignement, ou plus, sur une partie de la surface de la tranche Pour l'alignement puce par puce, il existe

un repère d'alignement sur chaque puce.

Les repères d'alignement consistant en réseaux zonés de Fresnel ont une propriété optique particulière qui leur permet d'agir simultanément à la manière d'une lentille convergente ayant des distances focales de f 3 f, et à la manière d'une lentille divergente 3 ' 5 f f

ayant des distances focales de -f, ïg, La va-

leur exacte de f est déterminée par la configuration géo-

métrique des réseaux (voir le brevet U S 4 037 969 pré-

cité) Ainsi, un rayonnement incident collimaté, parallè-

le à l'axe optique, est focalisé par un repère d'aligne-

ment à réseau zoné de Fresnel en un ensemble d'images réelles focalisées à des distances f f, f en avant 3, 5 de la surface de la tranche, et en un ensemble d'images virtuelles focalisées qui sont situées à des distances

-f., f en arrière de la surface de la tranche.

Dans la description faite ici, on considère comme posi-

tives les distances en avant de la surface de la tranche

et comme négatives les distances en arrière de la surfa-

ce de la tranche.

A titre d'exemple, pour aligner la tranche de

semiconducteur conformément à une technique caractéris-

tique de l'art antérieur, on dirige un rayonnement sur

un réseau donné de Fresnel pour former un ensemble d'ima-

ges réelles focalisées situées à des distances fixées en

arrière de la surface de la tranche Une image sélection-

née parmi les images focalisées, habituellement l'image réelle associée à la distance focale +f ou l'image virtuelle

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associée à la distance focale -f, est projetée par un sys-

tème optique sur une structure de photodétecteur à quatre

quadrants qui, en association avec des circuits électro-

niques appropriés, fait fonction de moyens de détection de position Les moyens de détection de position sont conçus de façon à déterminer le moment auquel l'image projetée coïncide pratiquement avec une position choisie à l'avance qui, à titre d'exemple, se trouve à l'origine

de la structure à quatre quadrants La tranche est ensui-

te déplacée sous l'effet du signal de sortie des moyens de détection de position, de façon à faire coïncider l'image projetée avec la position choisie à l'avance, ce

qui réalise l'alignement.

La précision de la technique d'alignement par réseau zoné de l'art antérieur indiquée ci-dessus est

limitée par l'inclinaison locale de la tranche On dési-

gne de façon générale par inclinaison locale de la tran-

che des écarts par rapport à une configuration géométri-

que plane de la surface de la tranche, par opposition à une rotation en bloc de la tranche L'inclinaison locale de la tranche déplace à la fois les images réelles et virtuelles formées par les réseaux zonés, ce qui produit une erreur systématique Si par exemple le réseau zoné est formé sur une partie de la surface de la tranche ayant

une inclinaison locale, l'image réelle associée à la dis-

tanche focale +f peut être déplacée de façon que sa pro-

jection sur une structure de photodétecteur coïncide avec

une position choisie à l'avance, bien qu'un repère d'ali-

gnement similaire sur une surface plane exempte d'incli-

naison ne produise pas une image, associée à la distance

focale +f, dont la projection sur la structure de photo-

détecteur colncide avec la position choisie à l'avance,

ce qui introduit une erreur systématique A titre d'exem-

ple, une inclinaison locale de la tranche d'environ

1 pm/cm peut conduire à des erreurs d'alignement de l'or-

dre de 0,06 pm pour des réseaux zonés d'une distance fo-

cale de 300 pm Un problème similaire se manifeste si la matière de réserve photographique qui recouvre la tranche

de semiconducteur a une épaisseur qui n'est pas uniforme.

Dans ce cas, la réfraction de la lumière dans des régions d'épaisseur non uniforme de la matière de réserve peut conduire au déplacement d'images formées par des repères d'alignement situés sur la surface de la tranche, ce qui

conduit à des erreurs d'alignement systématiques -

Compte tenu de ce qui précède, on a cherché à trouver un moyen de compenser l'inclinaison locale de la tranche et/ou l'épaisseur non uniforme de la matière de réserve, dans l'alignement de tranches de semiconducteur

pour la formation de motif par des systèmes photolitho-

graphiques du type photorépéteur.

Conformément à l'invention, ces problèmes sont

résolus par un procédé du type décrit ci-dessus, carac-

térisé en ce qu'on projette sur le dispositif détecteur une paire d'images focalisées et décalées verticalement,

et on déplace la tranche de façon que chacune des posi-

tions projetées de la paire d'images focalisées soit décalée d'une distance prédéterminée par rapport à la

position choisie à l'avance Dans un mode de réalisa-

tion préféré, les deux images focalisées sont des images réelle et virtuelle du premier ordre qui sont décalées verticalement de façon égale et opposée par rapport à la surface de la tranche S'il n'y a pas d'inclinaison de

la surface, l'alignement est obtenu lorsque les deux ima-

ges focalisées et projetées sont superposées sur la posi-

tion choisie à l'avance Cependant, en présence d'une inclinaison locale de la tranche, on déplace la tranche

jusqu'à ce que les positions projetées des images foca-

lisées réelle et virtuelle soient décalées de façon éga-

le par rapport à la position choisie à l'avance, ce qui représente l'alignement de la tranche On utilise une lentille bifocale pour focaliser les deux images sur le détecteur.

On peut comparer la condition d'alignement ori-

ginale décrite ci-dessus, utilisée dans l'invention, avec

la condition d'alignement qui est utilisée dans la techni-

que d'alignement de l'art antérieur, mentionnée précédemment.

Dans la technique de l'art antérieur, la condition d'ali-

gnement est satisfaite lorsqu'une seule image projetée coïncide avec une position choisie à l'avance Comme on l'a indiqué précédemment, cette technique d'alignement est susceptible de donner lieu à une erreur systématique, du fait qu'elle ne peut pas tenir compte de l'inclinaison locale de la tranche et/ou d'une épaisseur non uniforme

de la matière de réserve Au contraire, la condition d'ali-

gnement de l'invention fait appel à l'utilisation de deux images projetées et elle est valide indépendamment de la valeur de l'inclinaison locale de la tranche et/ou de la valeur du défaut d'uniformité de l'épaisseur de la

matière de réserve.

L'invention sera mieux comprise à la lecture de

la description qui va suivre d'un mode de réalisation et

en se référant aux dessins annexés sur lesquels:

La figure 1 représente schématiquement un appa-

reil et un procédé d'alignement d'une tranche de semicon-

ducteur, conformément à un exemple de réalisation de l'in-

vention.

La figure 2 représente schématiquement un autre appareil pour l'alignement d'une tranche de semiconducteur,

conformément à un autre mode de réalisation de l'invention.

On peut comprendre les principes de la technique d'alignement de l'invention en considérant l'appareil qui est représenté sur la figure 1 De façon caractéristique,

l'appareil de l'invention fait partie d'un système photo-

litographique du type photorépéteur On va maintenant considérer la figure 1 sur laquelle on voit une tranche de semiconducteur 11 qui est placée sur une table mobile 12 Un réseau zoné de Fresnel 13 définissant un repère d'alignement est placé sur une partie de la surface 14 de la tranche qui a une inclinaison locale 9 A titre d'exemple, 6 est de l'ordre de 10-4 radian Une source de rayonnement 22 et un miroir 21

constituent des moyens qui dirigent le rayonnement inci-

dent 22 sur le repère d'alignement à réseau zoné A titre

d'exemple, le rayonnement incident 22 est collimaté parallè-

lement à l'axe optique 9.

Le rayonnement 22 est focalisé par le repère

d'alignement à réseau zoné de Fresnel en un ensemble d'ima-

ges réelles focalisées qui sont situées à des distances fixées q=f, f, f en avant de la surface de la tran- che, et en un ensemble d'images virtuelles focalisées qui sont situées à des distances fixées q=-f, -f, f en arrière de la surface de la tranche Sur la figure 1, les distances en avant de la surface de la tranche sont considérées comme positives et les distances en arrière

de la surface de la tranche sont considérées comme néga-

tives Les distances en avant de la tranche et en arrière

de la tranche sont mesurées à partir d'un plan 30 qui re-

présente la surface moyenne de la tranche Pour un repère d'alignement à réseau zoné de type caractéristique, f est

de l'ordre de 300 Pm.

Deux des images focalisées que forme le repère

d'alignement à réseau zoné sont représentées sur la figu-

re 1 La première est l'image réelle du premier ordre,

R, associée à la distance focale +f et située à une pre-

mière distance fixée q=+f en avant de la surface de la

tranche La seconde est l'image virtuelle du premier or-

dre, V, associée à la distance focale -f et située à une seconde distance fixée q=-f en arrière de la surface de la tranche Les images R et V sont décalées de façon

égale et opposée par rapport à l'axe optique 9 Pour effec-

tuer l'alignement, il est avantageux d'utiliser ces deux images du fait qu'elles sont plus lumineuses que les images réelles et virtuelles d'ordre supérieur qui ne sont

pas représentées sur la figure 1.

Une lentille bifocale 25 constitue un moyen pour

projeter les images R et V sur un seul dispositif photodé-

tecteur 26, de façon à former une première image projetée R' et une seconde image projetée V', c'est-à-dire que R' et V' sont des images focalisées des images focalisées respectives R et V Il faut noter que bien que les images R' et V' soient représentées sous la forme de points sur la figure 1, elles ont effectivement une étendue spatiale

finie et sont, à titre d'exemple, des traces gaussiennes.

On utilise une lentille bifocale pour prcjeier R et V sur le dispositif détecteur 26, du fait que R et V ne sont pas équidistantes de la surface 27 du dispositif détecteur

26 La lentille bifocale forme sur la surface 27 de nou-

velles images des composantes en polarisation orthogonale

de R et V, pour former respectivement R' et V' L'utilisa-

tion de composantes en polarisation orthogonale pour former R' et V' est avantageuse dans la mesure o elle évite des effets d'interférences près de la surface 27 (Voir le

brevet U S 3 990 798 en ce qui concerne un élément à len-

tille bifocale) Il faut cependant noter que, dans des circonstances appropriées, on peut utiliser des moyens autres qu'une lentille bifocale pour projeter R et V sur

la surface du détecteur.

Le dispositif photodétecteur 26 et le circuit

comparateur 28, qui réagit aux signaux que génère le dis-

positif détecteur 26, forment des moyens de détection de position conçus de façon à déterminer le moment auquel la première image projetée R' et la seconde image projetée V' sont décalées par rapport à des positions choisies à l'avance pour chacune des images projetées, de valeurs

qui sont pratiquement proportionnelles à la première dis-

tance fixée q=f (distance de R à la surface de la tranche) et à la seconde distance fixée q = -f (distance de V à la surface de la tranche) Dans l'exemple de la figure 1, la même position P est choisie à l'avance pour chacune des deux images projetées Ainsi, l'alignement est obtenu conformément aux principes de l'invention, pour le cas représenté à titre d'exemple sur la figure 1, lorsque V'

et R' sont décalées de façon pratiquement égale et oppo-

sée par rapport à la position P choisie à l'avance Ceci vient du fait que les images focalisées R et V sont situées à des distances fixées égales et opposées, par rapport à la surface de la tranche Cette condition d'alignement est valide indépendamment de la valeur de l'inclinaison locale de la tranche I 1 faut noter que la position F choisie à

l'avance est choisie de façon qu'en l'absence d'inclinai-

son locale de la tranche, les deux images projetées R' et V' coïncident avec P.

Si la condition d'alignement mentionnée ci-

dessus n'est pas satisfaite, un micropositionneur 13 et une table mobile 12 forment un dispositif de déplacement

qui, sous l'effet du signal de sortie du circuit compa-

rateur 28, déplace la tranche jusqu'à ce que la condition

d'alignement soit remplie.

Le dispositif photodétecteur 26 consiste avanta-

geusement en une structure de photodétecteur à quatre qua-

drants La position choisie à l'avance P se trouve généra-

lement à l'origine de la structure à quatre quadrants Si R' et V' sont des traces gaussiennes, elles sont décalées de façon pratiquement égale et opposée par rapport à la

position choisie à l'avance P si les intensités de rayon-

nement dans les premier et troisième quadrants sont pra-

tiquement égales et si les intensités de rayonnement dans les seconds et quatrième quadrants sont pratiquement égales Le circuit comparateur 28, de type classique,

détermine le moment auquel cette condition est remplie.

Il faut noter que la configuration de la figure

1 n'est destinée qu'à illustrer les principes de l'inven-

tion et qu'on peut utiliser d'autres configurations pour

mettre en oeuvre ces principes Par exemple, au lieu d'uti-

liser l'image réelle associée à la distance focale +f et l'image virtuelle associée à la distance focale -f, on peut utiliser d'autres paires d'images formées par le

repère d'alignement à réseau zoné de Fresnel pour accom-

plir le processus d'alignement.

De plus, au lieu de projeter les première et seconde images focalisées sur un seul photodétecteur, on peut les projeter respectivement sur des premier et second photodétecteurs séparés, pour former les première et seconde images projetées Dans ce cas, on choisit à l'avance une position sur le premier photodétecteur pour la première image projetée et on choisit à L'avance une position sur le second photodétecteur pour la seconde image projetée. La figure 2 représente un autre système qu'on

peut utiliser pour mettre en oeuvre les principes de l'in-

vention Les paramètres numériques indiqués en relation avec le mode de réalisation de l'invention qui est repré- senté sur la figure 2 ne sont donnés qu'à titre d'exemple

et ne sont pas destinés à limiter le cadre de l'invention.

En considérant la figure 2, on voit qu'un repè-

re d'alignement à réseau zoné de Fresnel 31 se trouve sur une surface 32 d'une tranche de semiconducteur 33 La tranche est placée sur une table mobile 500 De façon caractéristique, l'appareil de la figure 2 fait partie d'un système photolithographique du type photorépéteur et le masque dont le motif doit être transféré sur la surface

de la tranche se trouve dans un plan de réticule 100.

Sur la figure 2, un rayonnement est dirigé vers

le repère d'alignement à réseau zoné de la manière sui-

vante La lumière provenant d'une source monochromatique

301 est focalisée à la position A par une lentille 302.

Le rayonnement focalisé en A est dirigé par une lentille

304 de façon à pénétrer dans un dispositif optique 305.

Le dispositif optique 305 est conçu de façon à séparer le rayonnement qui pénètre à l'intérieur en une première

et une seconde composantes de rayonnement ayant respec-

tivement des premier et second états de polarisation orthogonaux, et à introduire une différence de longueur

de chemin dans les chemins optiques que parcourent res-

pectivement les première et seconde composantes de rayon-

nement, grâce à quoi la première composante de rayonne-

ment est focalisée à la position B et la seconde compo-

sante de rayonnement est focalisée à la position C Le chemin optique de la première composante de rayonnement (polarisée de façon perpendiculaire) est représenté par

les lignes 310 et le chemin optique de la seconde compo-

sante de rayonnement (polarisée de façon parallèle) est

représenté par les lignes 320.

Dans l'exemple de réalisation de l'invention qui est représenté sur la figure 2, le dispositif optique 305 comprend des diviseurs de faisceau polarisants 400 et 410 et un prisme 420 Le diviseur de faisceau 400 comprend des prismes à angle droit 401 et 402 qui sont accolés pour former une frontière polarisante 403 De façon similaire, le diviseur de faisceau 410 comprend des prismes à angle

droit 411 et 412 qui sont accolés pour former une fron-

tière polarisante 413.

Le rayonnement incident qui arrive sur le dis-

positif 305, en étant polarisé parallèlement au plan 450 (plan de la figure 2), est transmis par les frontières 403 et 413 Le rayonnement polarisé de façon parallèle (rayonnement 320) est réfléchi par le miroir 470 et amené à un foyer au point C Le rayonnement incident qui arrive

sur le dispositif 305 en étant polarisé perpendiculaire-

ment au plan 450 (rayonnement 310), est réfléchi à la fron-

tière 403, dirigé à travers le prisme 420 et réfléchi à

nouveau à la frontière 413 A titre d'exemple, le rayonne-

ment polarisé de façon perpendiculaire est amené à un foyer au point B. Il faut noter qu'on peut régler la différence des longueurs des chemins optiques que parcourent les deux composantes de rayonnement orthogonales en changeant les positions relatives des diviseurs de faisceau 400 et 410 et du prisme 420 A titre d'exemple, les positions B

et C sont choisies de façon que l'objectif photc Uthographi-

que 306, qui a un grossissement M, soit capable d'amener le rayonnement provenant de la position B à un foyer réel au point D, à une distance q = 2 f au-dessus de la

surface de la tranche, et d'amener le rayonnement prove-

nant de la position C à un foyer virtuel à un point E, à

une distance q =-2 f au-dessous de la surface de la tran-

che De façon caractéristique, la différence entre les longueurs des chemins optiques parcourus par les deux composantes de rayonnement orthogonales est de l'ordre de

12 cm, l'objectif photo Jithographique 306 a un grossisse-

ment M d'environ 10 et le réseau zoné de Fresnel 31 a une

distance focale f d'environ 300 Fm.

En l'absence d'inclinaison de la tranche et en

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li

l'absence de défaut d'uniforr mité d i'paisseur de -la ma-

tière de réserve, le réseau zoné f ore aio aes images réelle et virtuelle, R et V, qui ovricident presque avec les points respectifs D et _ I: copred ais Crent ceci en appliquant l'équation des ientiiles la configura- tion géométrique conisidérée, dans laquellez les objets

sont respectivement à une distance de + 2 f et -2 f du re-

père d'alignement qui a des distances focales de +f et -f Les images réelles et virtuelles d'ordre supérieur que forme le repère d'alignement à partir du rayonnement

incident ne sont pas utilisées dans le mode de réalisa-

tion de l'invention représenté à titre d'exemple sur la figure 2) En réalité, du fait qu'on utilise un couteau pour séparer le rayonnement incident et le rayonnement

réfléchi dans le mode de réalisation de l'invention re-

présenté à titre d'exemple sur la figure 2, les deux

positions D et E sont légèrement décalées au-dessus (au-

dessous) du plan de la figure 2 et les images R et V sont toutes deux légèrement décalées au-dessous (au-dessus)

du plan de la figure 2 Après passage à travers l'objec-

tif 306 et le dispositif optique 305, on utilise le cou-

teau 312 et la lentille 313 pour projeter le rayonnement provenant de R et V sur la surface 311 du détecteur 310, pour former une paire d'images projetées R' et V' Dans

le cas o il n'y a pas d'inclinaison locale de la tran-

che et pas de défaut d'uniformité de l'épaisseur de la matière de réserve, R' et V' coïncident La raison de ceci consiste en ce que R et V sont coaxiales et n'ont aucun décalage latéral en l'absence d'inclinaison locale de la tranche et de défaut d'uniformité de l'épaisseur

de la matière de réserve L'alignement est obtenu lors-

que R' et V' coïncident avec la position P qui est choi-

sie à l'avance pour chacune des images projetées.

En présence d'une inclinaison locale de la tran-

che et/ou d'un défaut d'uniformité de l'épaisseur de la matière de réserve photographique, les images réelle et virtuelle R et V 1 formées par le repère d'alignement 31 de la figure 2 sont décalées de façon égale et opposée

par rapport aux positions occupées par R et V en l'absen-

ce d'inclinaison locale de la tranche et de défaut d'uni-

formité de l'épaisseur de la matière de réserve Dans ce cas, les projections de R 1 et V 1 sur la surface 311 se trouvent respectivement en R'I et V' L'alignement est obtenu lorsque R'1 et V' sont décalées de façon égale

et opposée par rapport à la position P choisie à l'avance.

Si la condition d'alignement n'est pas satisfaite, les signaux provenant du circuit comparateur 510 font en sorte que le micropositionneur 520 déplace la table 500 sur laquelle se trouve la tranche de semiconducteur, jusqu'à ce que la tranche soit positionnée de façon à

satisfaire la condition d'alignement.

Il faut noter que dans le mode de réalisation de l'invention qui est représenté sur la figure 2, les images R'1 et V'1 sont formées à partir d'un rayonnement

ayant des états de polarisation orthogonaux, afin d'évi-

ter les effets d'interférences près de la surface du détec-

teur Selon une variante, on peut également éviter les effets d'interférences en utilisant un rayonnement de deux fréquences différentes pour former l'image réelle

R 1 et l'image virtuelle V 1.

Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits

et représentés, sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (10)

REVENDICATIONS

1 Procédé d'alignement d'une tranche de semi-

conducteur du type comprenant, sur une surface de la

tranche, des moyens de formation d'image ( 13) qui, lors-

qu'ils sont éclairés par un rayonnement incident, for-

ment un ensemble d'images focalisées et décalées verti-

calement (R, V), ce procédé comprenant les opérations

qui consistent à éclairer les moyens de formation d'ima-

ge de façon à former un ensemble d'images focalisées, à projeter l'une des images focalisées sur un dispositif

détecteur ( 26), et à déplacer la tranche sous la dépen-

dance de la position de l'image projetée sur le disposi-

tif détecteur, afin d'aligner l'image avec une position choisie à l'avance, caractérisé en ce qu'on projette sur le dispositif détecteur une paire d'images focalisées et décalées verticalement, et on déplace la tranche de façon que chacune des positions projetées (V', R') de la paire d'images focalisées soit décalée d'une distance

prédéterminée par rapport à la position choisie à l'avan-

ce (P).

2 Procédé selon la revendication 1, caracté-

risé en ce que les images focalisées décalées verticale-

ment (V, R) sont des images réelle et virtuelle du même

ordre, et on déplace la tranche de façon que les posi-

tions des images réelle et virtuelle projetées (V', R') soit pratiquement décalées de façon équidistante par

rapport à la position choisie à l'avance (P).

3 Procédé selon la revendication 1, caracté-

risé en ce qu'on utilise une lentille bifocale ( 25) pour former simultanément des images de la paire d'images

focalisées sur une surface plane du dispositif détecteur.

4 Procédé selon la revendication 2, caracté-

risé en ce qu'on projette les images réelle et virtuelle sur des moyens de détection de position qui comprennent

des premier et second photodétecteurs séparés; la pre-

mière image projetée est formée sur le premier photodé-

tecteur et la seconde image projetée est formée sur le

second photodétecteur; et on choisit à l'avance une posi-

tion sur le premier photodétecteur pour la première image projetée et on choisit à l'avance une position sur le

second photodétecteur pour la seconde image projetée.

Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de formation d'image consistent en

un réseau zoné de Fresnel.

6 Appareil caractérisé en ce qu'il est destiné

à mettre en oeuvre le procédé de la revendication 1.

7 Appareil d'alignement d'une tranche de semi-

conducteur du type comprenant, sur une surface de la

tranche, des moyens de formation d'image ( 13) qui, lors-

qu'ils sont éclairés par un rayonnement incident, forment au moins une première image focalisée qui est située à une première distance fixée de cette surface, et une

seconde image focalisée qui est située à une seconde dis-

tance fixée de la surface; des moyens ( 20) destinés à détecter le rayonnement incident qui arrive sur les moyens de formation d'image pour former les première et seconde images focalisées; des moyens de détection de position ( 26); des moyens destinés à projeter la première image focalisée sur les moyens de détection de position pour former une première image projetée; et des moyens ( 13)

qui réagissent aux moyens de détection de position en dé-

plaçant la tranche, caractérisé en ce qu'il comporte dés moyens ( 25) destinés à projeter la seconde image focalisée sur les moyens de détection de position pour former une seconde image projetée, et les moyens de détection de position sont conçus de façon à indiquer les positions des première et seconde images projetées (V', R'), tandis que les moyens de déplacement ( 13, 28) sont conçus de

façon à déplacer la tranche afin que les première et se-

conde images projetées soient décalées par rapport à des

positions choisies à l'avance, avec des valeurs de décala-

ge respectivement proportionnelles aux première et seconde

distances fixées.

8 Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce que les première et seconde image focalisées sont respectivement des images réelle et virtuelle du premier

ordre, et les moyens de projection consistent en une len-

tille bifocale ( 25).

9 Appareil selon la reverni Jation 8, caracté-

risé en ce que les moyens de d 6 tectior: de pcsition com-

prennent au moins un photodétecteur ( 2) conçu de façon à générer des signaux électroniques sous la dépendance des images projetées; et un circuit comparateur ( 28) qui fonctionne sous la dépendance de ces signaux, de façon

à déterminer électroniquement le moment auquel les pre-

mière et seconde images projetées sont décalées par rapport auxdites positions, choisies à l'avance pour

chacune des images projetées, avec des valeurs de déca-

lage respectivement proportionnelles aux première et

seconde distances fixées.

10 Appareil selon la revendication 9, caracté-

rise en ce que les moyens de détection de position com-

prennent un seul photodétecteur sur lequel les images

réelle et virtuelle sont projetées pour former les pre-

mière et seconde images projetées; et la même position sur le photodétecteur unique est choisie à l'avance pour

chacune des images projetées.

11 Appareil selon la revendication 9, carac-

térisé en ce que les premier et second moyens de détec-

tion comprennent des premier et second photodétecteurs séparés sur lesquels les images réelle et virtuelle sont respectivement projetées pour former les première et seconde images projetées; une position est choisie à l'avance sur le premier photodétecteur pour la première image projetée et une position est choisie à l'avance sur

le second photodétecteur pour la seconde image projetée.