FR2332618A1 - Procede de realisation de regions d'oxyde de silicium encastrees et dispositifs semi-conducteurs obtenus selon ce procede - Google Patents

Procede de realisation de regions d'oxyde de silicium encastrees et dispositifs semi-conducteurs obtenus selon ce procede

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4096619A (en) * 1977-01-31 1978-06-27 International Telephone & Telegraph Corporation Semiconductor scribing method
US4278987A (en) * 1977-10-17 1981-07-14 Hitachi, Ltd. Junction isolated IC with thick EPI portion having sides at least 20 degrees from (110) orientations
FR2408914A1 (fr) * 1977-11-14 1979-06-08 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur monolithique comprenant deux transistors complementaires et son procede de fabrication
US4118250A (en) * 1977-12-30 1978-10-03 International Business Machines Corporation Process for producing integrated circuit devices by ion implantation
JPS60253268A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Meidensha Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
JPS6156446A (ja) * 1984-08-28 1986-03-22 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3031117B2 (ja) * 1993-06-02 2000-04-10 日産自動車株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3728166A (en) * 1967-01-11 1973-04-17 Ibm Semiconductor device fabrication method and product thereby
JPS507909B1 (enExample) * 1969-08-04 1975-03-31
JPS4844830B1 (enExample) * 1969-08-21 1973-12-27 Tokyo Shibaura Electric Co
DE2120388A1 (de) * 1970-04-28 1971-12-16 Agency Ind Science Techn Verbindungshalbleitervorrichtung
US3765969A (en) * 1970-07-13 1973-10-16 Bell Telephone Labor Inc Precision etching of semiconductors
US3810796A (en) * 1972-08-31 1974-05-14 Texas Instruments Inc Method of forming dielectrically isolated silicon diode array vidicon target
US3883948A (en) * 1974-01-02 1975-05-20 Signetics Corp Semiconductor structure and method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RCA REVIEW, JUIN 1970, PRINCETON. A.I.STOLLER "THE ETCHING OF DEEP VERTICAL-WALLED PATTERNS IN SILICON", PAGES 271-275) *

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