FI96084B - Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi - Google Patents

Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI96084B
FI96084B FI891651A FI891651A FI96084B FI 96084 B FI96084 B FI 96084B FI 891651 A FI891651 A FI 891651A FI 891651 A FI891651 A FI 891651A FI 96084 B FI96084 B FI 96084B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
thin film
electrodes
pattern
electroluminescent device
layer
Prior art date
Application number
FI891651A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI891651A (fi
FI891651A0 (fi
FI96084C (fi
Inventor
Takashi Nire
Satoshi Tanda
Original Assignee
Komatsu Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Mfg Co Ltd filed Critical Komatsu Mfg Co Ltd
Publication of FI891651A publication Critical patent/FI891651A/fi
Publication of FI891651A0 publication Critical patent/FI891651A0/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI96084B publication Critical patent/FI96084B/fi
Publication of FI96084C publication Critical patent/FI96084C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/06Electrode terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

96084
Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi
Tekniikan ala 5 Esillä oleva keksintö liittyy menetelmään ohutkalvo- EL(elektroluminenssi)-laitteen valmistamiseksi ja erityisesti menetelmään tällaisen laitteen elektrodien muodostamiseksi.
Tekninen tausta 10 Näinä vuosina on kiinnitetty paljon huomiota ohut- kalvoelektroluminenssilaitteisiin, jotka käyttävät ohut-kalvofosforikerrosta dispersioelektroluminenssilaitteen sijasta, joka käyttää sinkkisulfidi (ZnS) -yhdistefosfo-rijauhetta, koska edellinen voi aikaansaada voimakkaan 15 luminenssin.
Ohutkalvoelektroluminenssilaite, jossa luminoiva kerros on tehty ohuen kalvon muodossa varjokehien tai luminenssin sameuden minimoimiseksi, jotka johtuvat ulkoapäin osuvan valon ja luminoivan kerroksen sisätilasta emittoidun 20 valon siroutumisesta tarjoten siten korkean terävyyden ja kontrastin, on tullut esiin ajoneuvoihin asennettavaksi soveltuvana laitteena, kuten näyttöyksikkönä tietokonepäätteessä tai valaistuslaitteena.
Tapauksessa, jossa ohutkalvoelektroluminenssilai-25 tetta käytetään näyttönä, elektroluminenssilaite on konstruoitu pistematriisin tyyppisenä, joka on esitetty kuvioissa 2 (a), (b) ja (c) siten, että valoa läpäisevä pinta ja taustaelektrodit 101 ja 102 ovat kukin liuskakuvion muodossa järjestettyinä keskenäisesti ennalta määrätyille 30 etäisyyksille ja sovitettuina keskenään oikeaan kulmaan, luminoivan kerroksen 103 ollessa sijoitettuna pinta- ja taustaelektrodien väliin ja pinta- ja taustaelektrodiku-vioiden välisten leikkauksien muodostaessa yhden ohut-kalvoelektroluminenssilaitteen elementeistä. Kuvio 2(a) 35 on perspektiivikuva osittain aukileikattuna elektrolumi- 2 96084 nenssilaitteesta, kuvio 2(b) on tasokuva siitä ja kuvio 2(c) on sen poikkileikkauskuva.
Yksityiskohtaisemmin ensimmäinen ja toinen eristävä kerros 104 ja 105 on sijoitettu luminoivan kerroksen 103 5 ja vastaavasti pinta- ja taustaelektrodien 101, 102 väliin.
Tämän ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valon emit-tointiprosessi on seuraava.
Ensiksi, kun jännite kytketään pinta- ja tausta-elektrodien 101 ja 102 kuvioiden väliin sisääntulosignaa-10 lista riippuvaisesti, sähkökenttiä indusoidaan luminoivaan kerrokseen 103 näiden kuvioiden välisiin leikkauskohtiin siten, että tähän asti liitäntätasolle lukkiutuneet elektronit vapautuvat siitä ja virittyvät, jolloin elektronit saavat riittävästi energiaa pommittaakseen luminoivien 15 keskusten epäpuhtauksien rataelektroneja virittäen siten rataelektronit. Kun näin viritetyt luminoivien keskusten elektronit palaavat perus- tai normaalitilaansa, ne emittoivat valoa.
Tällaisessa ohutkalvoelektroluminenssilaitteessa 20 elektroluminenssilaitteen elementtien elektrodit on varustettu toisista päistään liittimillä 106, jotka on kytkettävä ulkoiseen ohjaimeen (ei esitetty) asianomaisten johtimien kautta ja jotka liittimet on tavanomaisesti valmistettu nikkeli (Ni)-kalvosta.
25 Tällaiset liittimet 106 on tavanomaisesti muodos- • · tettu elektronisuihkuhöyrystysprosessilla pintaelektrodin 101 kuvion, ensimmäisen eristävän kerroksen 104, luminoivan kerroksen 103, toisen eristävän kerroksen 105 ja sitten taustaelektrodin 102 kuvion peräkkäisen muodostuksen jäl-30 keen.
Kuvioidenmuodostusprosessissa nikkeliohutkalvokuvio r 1 on tehty tavanomaisesti selektiivisellä höyrystysproses- silla, toisin sanoen elektronisuihkuhöyrystysprosessilla käyttäen metallimaskia.
35 Tällä selektiivisellä höyrystysprosessilla on kui- il a« i mu 111 «t — 3 96084 tenkin ollut sellainen ongelma, että kuvion reunat eivät vastaa tarkasti maskia, toisin sanoen kuvion muotoa ei voida terävästi määrittää johtaen huonoon kuvion tarkkuuteen.
5 Tällainen elektroluminenssilaite on ollut viallinen myös siinä suhteessa, että koska laitteen elektrodeilla on korkea jako noin 0,5 mm, on erittäin vaikeaa kohdistaa tällaista hienoa kuviota metallimaskilla ja siten sen saanto on vähentynyt johtuen kuvion paikkasiirtymästä.
10 Tällaisten ongelmien eliminoimiseksi on ehdotettu menetelmää, jossa liittimiin kuvioiden muodostaminen on suoritettu valolitografisella prosessilla.
Tässä menetelmässä, kuten on esitetty kuviossa 3(a), elementit on muodostettu ensin ja sitten ohut nikkelikalvo 15 106’ on muodostettu liuskan muodossa elektronisuihkuhöy- rystysprosessilla.
Tämän jälkeen kuvio on muodostettu valolitografisella prosessilla nikkeliliittimen 106 muodostamiseksi, kuten on esitetty kuviossa 3(b).
20 Tämä menetelmä on edullinen siinä suhteessa, että kuvion tarkkuus paranee, mutta epäsuotuisa siinä suhteessa, että epäpuhtausionit tai kosteus usein aiheuttavat elekt-roluminenssilaitteen elementtien vaurioitumisen etsaus-vaiheessa ja edelleen valolitografisen prosessin vaiheiden 25 lukumäärä on suuri johtaen siihen, että asianomaisen valo-maskin kustannukset ovat korkeat ja niin edelleen.
On yleisesti tunnettua, että ohutkalvoelektrolumi-nenssilaitteen elementit ovat alttiina vaurioille kosteuden tai epäpuhtausioneiden johdosta etsausvaiheessa. Tämä ilmiö 30 on ollut vakava ongelma elektroluminenssilaitteessa, koska ‘ laitetta käytetään erityisesti voimakkaan sähkökentän alai sena siten, että laitteen toistuva käyttö aiheuttaa sähkökentässä laitteelle adsorboidun kosteuden murtumisen ja tunkeutumisen kalvojen väleihin siten aiheuttaen kalvon 35 irtautumisen ja johtaen lyhentyneeseen käyttöikään.
4 96084
Yllä mainittujen olosuhteiden valossa esillä olevan keksinnön kohteena on aikaansaada ohutkalvoelektrolumi-nenssilaite, joka on helppo valmistaa ja erittäin luotettava.
5 Keksinnön yhteenveto
Esillä olevan keksinnön mukaisesti on aikaansaatu menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi, joka käsittää vaiheet, joissa peräkkäisesti muodos-tetaaan substraatille ensimmäisten elektrodien ensimmäinen 10 sähköä johtava kerros, ensimmäinen eristävä kerros, lumi-noiva kerros, toinen eristävä kerros ja toisten elektrodien toinen sähköä johtava kerros, jolloin ensimmäinen johtava kerroskuvio on ennalta muodostettu koko ensimmäisen elektrodin muodostusvyöhykkeelle ja elektrodiliittimen muodos-15 tusvyöhykkeelle ja upotettu sitten pinnoitusliitokseen liitinkuvion muodostamiseksi selektiivisesti ainoastaan ensimmäiselle johtavalle kerrokselle. Myöhemmät vaiheet voivat olla tunnettuja vaiheita ja toisten elektrodien päät on muodostettu osittain limittyvinä liitinkuvion kanssa.
20 Yllä mainitun menetelmän mukaisesti kuvioiden koh- distustoiminnan tarve voidaan eliminoida, pelkkä upotus pinnoitusliuokseen mahdollistaa erittäin tarkan liitin-kuvion helpon muodostamisen ja stabiilit ominaisuudet voidaan säilyttää pitkän aikaa laitteen vaurioitumatta.
25 Lyhyt piirustusten kuvaus
Kuviot 1(a) - 1(e) esittävät vastaavia eri vaiheita esillä olevan keksinnön yhden suoritusmuodon mukaisessa ohutkalvoelektroluminenssipaneelin valmistusprosessissa; kuviot 2(a) - 2(c) ovat diagrammeja tavanomaisen 30 ohutkalvoelektroluminenssipaneelin rakenteen selittämistä varten; ja kuviot 3(a) ja 3(b) esittävät elektrodiliittimen muodostusvaiheen tekniikan tason mukaisessa ohutkalvo-elektroluminenssilaitteen valmistusprosessissa.
· m.v etu i 11 se • » 5 96084
Paras tapa keksinnön toteuttamiseksi
Esillä olevan keksinnön suoritusmuoto kuvataan yksityiskohtaisesti viitaten oheisiin piirustuksiin.
Kuviot 1(a) - 1(e) esittävät esillä olevan keksinnön 5 suoritusmuodon mukaisen ohutkalvoelektroluminenssipaneelin valmistusmenetelmän vaiheet.
Viitaten ensin kuvioon 1(a) muodostetaan indiumtina-oksidia (ITO) oleva kerros lasisubstraatille 1 sputte-rointiprosessilla ja sitten se altistetaan kuvionmuodos-10 tukselle valolitografisella prosessilla pintaelektrodien 2 valoa läpäisevän liuskakuvion muodostamiseksi järjestettyinä ennalta määrätyin välein ja alla olevan liitti-menmuodostuskuvion 2U ollessa muodostettuna substraatin toiseen päähän ulottuen kohtisuorasti liuskakuvioon nähden.
15 Sitten, kuten on esitetty kuviossa 1(b) ensimmäinen eristävä kerros 3 valmistettuna tantalumpentoksidista (Ta205) muodostetaan substraatille, joka on saatu edeltävästä vaiheesta, sputterointiprosessilla, jonka aikana käytetään metallimaskia siten, että ei kateta pintaelek-20 trodien toisia päitä ja koko alla olevaa kuviota 2U, toisin sanoen ne paljastetaan.
Kuten on esitetty kuviossa 1(c) tuloksena oleva substraatti upotetaan seuraavaksi kokonaisuudessaan neljä kertaa sähköttömään nikkeligalvanointiliuokseen ennalta 25 määrätylle syvyydelle peräkkäisesti neljältä sivultaan • · siten, että substraatin kunkin sivun upotus aikaansaa liuoksen tason saavuttamaan syvyyden L, jolloin muodostuu nikkelipinnoitekerros 7. Tämän jälkeen nikkelipinnoite-kerros edelleen altistetaan samalla tavoin sähköttömään 30 kultapinnoitukseen kultapinnoitekerroksen 8 muodostamiseksi sille. Tämän tuloksena muodostuvat liittimet, joilla kullakin on kaksikerroksinen (nikkeli- ja kultakerrokset) rakenne (katso kuvio 1(d)).
Tässä yhteydessä nikkelipinnoitekerros voi käsittää 35 esimerkiksi 39g/l NiS04‘6H20:ta, 30g/l NaH2P02H20:ta, 20g/l 6 96084 NH2CH2COOH:ta, 20g/l Na3 C6 H5 07 2H2 O: ta ja 2ppm Pb(N03 )2 :ta seoksena ja liuoksen pH-taso ja lämpötila on vastaavasti aseteltu arvoihin 5-6 ja 80-90°C.
Kultapinnoiteliuos voi käsittää esimerkiksi 28g/l 5 kaliumkultasyanidia, 60g/l sitruunahappoa, 45g/l volframi-happoa, 16g/l natriumhydroksidia, 3,77g/l N-N-dietyyli-lysiininatriumia ja 25g/l kaliumftalaattia yhdisteenä ja saatettuna vastaavasti pH-arvoon 5-6 ja lämpötilaan 85-93° C.
10 Yllä mainittujen vaiheiden jälkeen muodostetaan luminoiva kerros 4 valmistettuna sinkkisulfidistä (ZnS) sisältäen terbiumia (Tb) luminoivien keskusten epäpuhtautena, toisin sanoen ZnS:Tb, toinen eristävä kerros 5 valmistettuna Ta205:sta ja taustaelektrodien 6 liuskamainen 15 kuvio valmistettuna alumiinista (AI) tavanomaisella menetelmällä tällaisen täplämatriisityyppisen ohutkalvoelekt-roluminenssipaneelin saattamiseksi valmiiksi, jollainen on esitetty kuviossa 1(e).
Taustaelektrodien 6 kuvio on järjestetty ulottumaan 20 kohtisuorasti edellä mainittuun pintaelektrodin kuvioon nähden ja myös osittain limittyneenä nikkeli- ja kulta-pinnoitekerroksista 7 ja 8 muodostuvien liittimien kanssa, jotta sallitaan liittimien päiden jääminen paljaaksi ja niiden sähköinen kytkeminen ulkoiseen laitteesen.
25 Tällaisessa ohutkalvoelektroluminenssipaneelissa, joka täten on saatu valmiiksi, kukin limittyvistä tai toisensa leikkaavista osista pinta- ja taustaelektrodien 2 ja 6 kuvioiden välillä vastaa yhtä paneelin kuvaelementtiä ja tehonsyöttö yhdestä liittimestä vastaten kuvainformaa-30 tiota sallii vastaavan kuvaelementin emittoida valoa.
Esillä olevan keksinnön menetelmän yhden suoritusmuodon mukaisesti voidaan toteuttaa erittäin tarkka lii-tinkuvio erittäin helposti aiheuttamatta vaurioita paneelin elementteihin.
35 Tämän mukaisesti on aikaansaatu ohutkalvoelektro- » 7 96084 luminenssipaneeli, joka voi vastustaa elementtien vaurioitumista paneelissa johtuen kalvon irtautumisesta tai vastaavasta myös kun paneelia käytetään pitkiä ajanjaksoja ja tämän johdosta voi säilyttää luotettavuuden ja kustan-5 nukset alhaisina ja voi pidentää käyttöikää.
Vaikka selitys on tehty tapauksen yhteydessä, jossa alla oleva tai substraattisivu vastaa läpinäkyviä elektrodeja edeltävässä suoritusmuodossa, esillä olevan keksinnön menetelmää voidaan soveltaa myös sen tyyppiseen ohutkal-10 voelektroluminenssilaitteeseen, jossa on läpinäkyvät elektrodit pintakerroksena.
Jälkimmäisessä tapauksessa, kun (tausta)elektrodit ja liittimien alla oleva kuvio on valmistettu alumiinista, tulee hankalaksi pinnoittaa liitinkuvio nikkelillä. Tämä 15 johtuu siitä, että alumiini on sähkönegatiivisempi kuin nikkeli ja siten liukenee nikkeliliuokseen. Siten täytyy valita jokin menetelmistä, joissa liitinkuvio valmistetaan muusta metallista kuin alumiinista, valitaan sellaisia materiaaleja, jotka eivät liukene käytettävään pinnoitus-20 liuokseen, kuten (tausta)elektrodien ja alla olevan kuvion materiaalit tai suoritetaan ennalta käsin erityinen esikäsittely, jotta sallitaan nikkelipinnoitus.
Pinnoitusvaihe on suoritettu ensimmäisen eristävän kerroksen muodostamisen jälkeen edeltävässä suoritusmuodos-25 sa, mutta se voidaan toteuttaa myös ennen ensimmäisen eristävän kerroksen muodostamista. Edelleen on tarpeetonta, että liitin aina käsittää kaksikerroksisen rakenteen ja liitin voi olla valmistettu olemaan esimerkiksi yhden nik-kelikerroksen omaavaa tyyppiä.
30 Edelleen edeltävä selitys on tehty koskien piste- matriisityyppistä ohutkalvoelektroluminenssipaneelia, mutta ei kuitenkaan todeta, että esillä oleva keksintö olisi rajoitettu tähän erityiseen suoritusmuotoon.
Kuten yllä on selitetty esillä olevan keksinnön 35 mukaisesti valmistettaessa ohutkalvoelektroluminenssilaite, 96034 8 joka käsittää ensimmäisten elektrodien ensimmäisen sähköä johtavan kerroksen, ensimmäisen eristävän kerroksen, lumi-noivan kerroksen, toisen eristävän kerroksen ja toisten elektrodien toisen sähköä johtavan kerroksen pinottuna 5 peräkkäin substraatille, ensimmäinen sähköä johtava kerros-kuvio on muodostettu ennalta koko ensimmäisen elektrodin muodostusvyöhykkeelle ja elektrodiliittimen muodostusvyö-hykkeelle ja liitinkuvio on muodostettu selektiivisesti ensimmäiselle johtavalle kerroskuviolle. Tämän tuloksena 10 voidaan aikaansaada ohutkalvoelektroluminenssilaite, joka on helppo valmistaa ja on käyttöiältään pitkä.
Teollinen sovellettavuus
Esillä olevan keksinnön menetelmä on tehokas muodostettaessa erityisesti pistematriisityyppistä ohutkalvo-15 elektroluminenssipaneelia.
Tämän menetelmän mukaisesti, myös kun halutaan valmistaa ohutkalvoelektroluminenssipaneeli, jossa on elekt-roluminenssielementit järjestettyinä erittäin tiheästi, voidaan toteuttaa ohutkalvoelektroluminenssipaneeli, joka 20 on helppo valmistaa ja luotettavuudeltaan hyvä.
• · j| ! · · ·· ! Hitti 1.1 Λ m . . 1

Claims (3)

9 96084
1. Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi käsittäen vaiheet 5 ensimmäisten elektrodien ensimmäisen sähköä johtavan kerroksen, ensimmäisen eristävän kerroksen, luminoivan kerroksen, toisen eristävän kerroksen ja toisten elektrodien toisen sähköä johtavan kerroksen peräkkäinen muodostaminen ja pinoaminen substraatille ja 10 ensimmäisten ja toisten elektrodiliittimien yhdis täminen vastaavasti ensimmäisiin ja toisiin elektrodeihin, tunnettu siitä, että ensimmäisen elektrodin muodostusvaihe sisältää ensimmäisen johtavan kerroksen kuvionmuodostusvai-15 heen ensimmäisten elektrodien ja ensimmäisten elektrodiliittimien muodostusvyöhykkeiden päälle ja toisten elektrodiliittimien muodostusvyöhykkeen päälle ja selektiivisen pinnoitusvaiheen pinnoitettujen kerrosten muodostamisen ensimmäisten ja toisten elektrodiliit-20 timien selektiiviseksi muodostamiseksi ensimmäiselle johtavalle kerroskuviolle.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä ohutkal-voelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi, tunnet-t u siitä, että ensimmäinen johtava kerros on valmistettu 25 indiumtinaoksidista (ITO) ja selektiivinen pinnoitusvaihe on sähkötön nikkelipinnoitusvaihe.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä ohutkal-voelektroluminanssilaitteen valmistamiseksi, tunnet-t u siitä, että ensimmäinen johtava kerros on valmistettu 30 indiumtinaoksidista (ITO) ja selektiivinen pinnoitusvaihe sisältää sähköttömän nikkelipinnoitusvaiheen ja sähköttömän kultapinnoitusvaiheen. 10 96084
FI891651A 1987-08-07 1989-04-06 Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi FI96084C (fi)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19771287 1987-08-07
JP62197712A JPS6441194A (en) 1987-08-07 1987-08-07 Manufacture of thin film electroluminescent element
PCT/JP1988/000780 WO1989001730A1 (en) 1987-08-07 1988-08-05 Production of thin-film el device
JP8800780 1988-08-05

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI891651A FI891651A (fi) 1989-04-06
FI891651A0 FI891651A0 (fi) 1989-04-06
FI96084B true FI96084B (fi) 1996-01-15
FI96084C FI96084C (fi) 1996-04-25

Family

ID=16379103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI891651A FI96084C (fi) 1987-08-07 1989-04-06 Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5164225A (fi)
EP (1) EP0331736B1 (fi)
JP (1) JPS6441194A (fi)
DE (1) DE3884940T2 (fi)
FI (1) FI96084C (fi)
WO (1) WO1989001730A1 (fi)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0397898U (fi) * 1990-01-24 1991-10-09
GB2305005B (en) * 1995-09-07 2000-02-16 Planar Systems Inc Use of topology to increase light outcoupling in amel displays
JP3160205B2 (ja) * 1996-09-02 2001-04-25 科学技術振興事業団 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP3948082B2 (ja) * 1997-11-05 2007-07-25 カシオ計算機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20070144045A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Lexmark International, Inc. Electroluminescent display system
US7629742B2 (en) * 2006-03-17 2009-12-08 Lexmark International, Inc. Electroluminescent displays, media, and members, and methods associated therewith

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731353A (en) * 1972-02-16 1973-05-08 A Vecht Method of making electroluminescent devices
US4082908A (en) * 1976-05-05 1978-04-04 Burr-Brown Research Corporation Gold plating process and product produced thereby
US4122215A (en) * 1976-12-27 1978-10-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface
US4153518A (en) * 1977-11-18 1979-05-08 Tektronix, Inc. Method of making a metalized substrate having a thin film barrier layer
US4344817A (en) * 1980-09-15 1982-08-17 Photon Power, Inc. Process for forming tin oxide conductive pattern
JPS5871589A (ja) * 1981-10-22 1983-04-28 シャープ株式会社 薄膜el素子
US4614668A (en) * 1984-07-02 1986-09-30 Cordis Corporation Method of making an electroluminescent display device with islands of light emitting elements
US4693906A (en) * 1985-12-27 1987-09-15 Quantex Corporation Dielectric for electroluminescent devices, and methods for making
JP3465278B2 (ja) * 1992-11-20 2003-11-10 カシオ計算機株式会社 イメージデータ送信装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0331736B1 (en) 1993-10-13
WO1989001730A1 (en) 1989-02-23
FI891651A (fi) 1989-04-06
US5164225A (en) 1992-11-17
DE3884940T2 (de) 1994-02-03
FI891651A0 (fi) 1989-04-06
EP0331736A4 (en) 1989-11-14
FI96084C (fi) 1996-04-25
DE3884940D1 (de) 1993-11-18
JPS6441194A (en) 1989-02-13
EP0331736A1 (en) 1989-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100517851B1 (ko) 유기 전계 발광 장치
US6592933B2 (en) Process for manufacturing organic electroluminescent device
US6469439B2 (en) Process for producing an organic electroluminescent device
US7678590B2 (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing same
KR20050072401A (ko) 적층체, 배선이 부착되어 있는 기체, 유기 el 표시소자, 유기 el 표시 소자의 접속 단자 및 이들의 제조방법
FI96084B (fi) Menetelmä ohutkalvoelektroluminenssilaitteen valmistamiseksi
US4289384A (en) Electrode structures and interconnecting system
JPH11214154A (ja) 有機電界発光装置の製造方法
GB2332985A (en) Organic electroluminescent display panel with reduced pixel cross-talk
JP3268819B2 (ja) 有機電界発光素子
GB2266621A (en) A Method for manufacturing a thin-film electro-luminescence element
JP2001006881A (ja) 有機電界発光装置
JPS60185395A (ja) 薄膜el素子
JPS60126687A (ja) 固体映像表示板およびその製造法
JPH04341795A (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JPH11195490A (ja) 有機電界発光装置およびその製造方法
JPS614094A (ja) 電気光学的機能素子及びその製造方法
CN117751692A (zh) 布线基板及制备方法、背板、显示装置
JPS61176011A (ja) 透明電極の形成方法
JPS58126574A (ja) 薄膜el素子の背面電極形成法
JPH04296488A (ja) 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPS5927497A (ja) 薄膜el素子の電極形成方法
JPH0378632B2 (fi)
JPH02142089A (ja) 薄膜elパネルの製造方法
JPS61188890A (ja) 誘電体膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO