FI85783B - Kylningskonstruktion foer transistor. - Google Patents

Kylningskonstruktion foer transistor. Download PDF

Info

Publication number
FI85783B
FI85783B FI890791A FI890791A FI85783B FI 85783 B FI85783 B FI 85783B FI 890791 A FI890791 A FI 890791A FI 890791 A FI890791 A FI 890791A FI 85783 B FI85783 B FI 85783B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
transistor
circuit board
conductor
heat
metal body
Prior art date
Application number
FI890791A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI890791A0 (fi
FI890791A (fi
FI85783C (fi
Inventor
Timo Saarnimo
Original Assignee
Nokia Mobira Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Mobira Oy filed Critical Nokia Mobira Oy
Priority to FI890791A priority Critical patent/FI85783C/fi
Publication of FI890791A0 publication Critical patent/FI890791A0/fi
Priority to US07/473,920 priority patent/US5214309A/en
Priority to DE69026523T priority patent/DE69026523T2/de
Priority to EP90102984A priority patent/EP0384301B1/en
Priority to AT90102984T priority patent/ATE137065T1/de
Publication of FI890791A publication Critical patent/FI890791A/fi
Publication of FI85783B publication Critical patent/FI85783B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI85783C publication Critical patent/FI85783C/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/066—Heatsink mounted on the surface of the PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10166—Transistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

1 85783
Transistorin jäähdytysrakenne
Keksintö koskee jäähdytysrakennetta sellaista suu r taa juus teho-transistoria varten, jossa häviötehon lämpö johdetaan puolijohde-palalta ainakin pääosin pois koilektorijohtimen kautta.
Tällaiset suurtaajuustehotransistorit, joista lämmöksi muuttuva häviöteho tuodaan ulos transistorin koi1ektorijohtimen välityksellä ovat muovikoteloisia transistoreja, joiden häviöteho on tyypillisesti enintään muutama watti. Näissä transistoreissa on kotelosta esim. säteettäisesti ulkonevat kollektori-, emitteri-ja kantajohtimet, jotka liitetään esim. piirilevyyn sen pinnalle eikä piirilevyn reikiin, kuten sähköiset komponentit perinteisesti. Vielä suuritehoisemmat transistorit poikkeavat täysin näistä rakenteeltaan samoin kuin pientaajuustransistorit .
Eräs tunnettu tällaisen transistorin jäähdytysongelman ratkaisutapa on 3e, että transistori on sijoitettu eristetysti metalliseen, sitä varten muotoiltuun istukkaan, johon on kiinnitetty keraamiset, sähköä eristävät, mutta lämpöä johtavat palaset transistorin kannan ja kollektorin eristämiseksi maapotentiaalista ja lämmön johtamiseksi koilektorilta istukkaan ja lämmön johtamiseksi siitä edelleen tai haihduttamiseksi. Tämä tekniikan tason mukainen järjestely on esitetty kuviossa 1, jolloin viitenumerolla 1 on osoitettu istukka järjestely kokonaisuutena ja viitenumerolla 2 esimerkiksi alumiinioksidia tai beryl1iumoksidia olevat keraamiset palaset sähköiseksi eristämiseksi ja lämmön johtamiseksi sekä viitenumerolla 3 kupariset elementit transistorin kollektorin ja . ·_ kannan liitäntää varten sekä sovituspiirin liittämiseksi kollek-toriin. Tämä metallinen istukka 1 on sitten kiinnitetty transistorista poispäin olevasta alapinnastaan 4 piirilevyyn, johon on kiinnitetty myös suurtaajuustehotransistorin erillinen sovitus-piiri. Istukka 1 toimii tässä asussa sekä häviötehon haihduttami-seksi suoraan istukan pinnasta että lämmön johtamiseksi kollekto- 2 85783 ria huomattavaeti euurenunaeta pinta-alastaan piirilevyyn, jossa se johtuu laajemmalle ja mm. maatason puolelle ja haihtuu siis piirilevyn kautta.
Toinen menetelmä tällaisen muovikoteloisen transistorin jäähdyttämiseksi on käyttää muovisen, te. yleensä lasikuitu-epoksimate-riaalia olevan, piirilevyn sijasta jotakin oleellisesti lämpöä paremmin johtavaa eubstraattimateriaali, kuten jotakin keraamista materiaalia, esim. alumiinioksidia.
Edellä esitetyt jäähdytysmenetelmät ovat kylläkin tehokkaita, mutta ensin mainittu on sekä monimutkainen että hankala rakenteeltaan. Se on siten myös kallis ratkaisu. Jälkimmäinen menetelmä tuo mukanaan uusia ongelmia, kuten mm. keramiikan liittämisen joustavasti ja luotettavasti suurempaan ympäröivään piirilevyyn ja/tai koteloon. Tämäkin ratkaisu on siten suhteellisen kallis ja hankala.
Keksinnön tavoitteena on saada aikaan edellä kuvatun tyyppiselle transistorille jäähdytysrakenne, joka olisi sekä tehokas että osalukumäärältään ja niiden muotoilulta yksinkertainen ja siten halpa. Keksinnön tavoitteena on myöskin saada aikaan jääh-dytysrakenne, missä ei tarvita kalliita tai harvinaisia materiaaleja, kuten tällaisia sähköeristemateriaaleja. Vielä keksinnön tavoitteena on saada aikaan jäähdytysrakenne, joka on tuotantoteknisesti yksinkertainen, eikä edellytä piirilevyn kokoonpanon lisäksi erillisiä vaiheita eikä erillisiä 1isärakenneosia.
Keksinnön mukaisen jäähdytysrakenteen avulla saadaan aikaan ratkaiseva parannus edellä esitetyissä epäkohdissa ja saavutetaan määritellyt tavoitteet. Tämän toteuttamiseksi keksinnön mukaiselle ratkaisulle on tunnusomaista se, mitä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
I; 3 85783
Keksinnön tärkeimpänä etuna voidaan pitää eitä, että kuvatuntyyp-pisen transistorin jäähdytys saadaan tehokkaaksi hyvin yksinkertaisella järjestelyllä, jossa ei edellytetä kalliita lisäraken-neosia, eikä sovituspiirin ja piirilevyn kokoonpano edellytä li-sätyövaiheita.
Seuraavassa keksintöä kuvataan tarkemmin oheisiin piirustuksiin viittaamalla.
Kuvio 1 esittää tekniikan tason mukaista jäähdytysratkaisua.
Kuvio 2 esittää keksinnön mukaista jäähdytysratkaisua katsottuna transistorin asennuspuolelta kohti piirilevyn pintaa.
Kuvio 3 esittää kuvion 2 jäähdytysratkaisua leikkauksena.
Kuviossa 1 esitetty tekniikan tason mukainen ratkaisu on selostettu jo edellä.
Kuvioissa 2 ja 3 on esitetty piirilevy 5 ja sen toisella pinnalla kuparipinnoitteesta muodostuva maapotentiaa1issa oleva maataso 6 sekä toisella pinnalla myös piirilevyn kuparipinnoitteesta muodostuva sovituspiirin sovitusliuska 7. Kuvioissa on myös esitetty suurtaajuustehotransistori 8, joka on sitä tyyppiä, missä häviö-teho tuodaan ulos kollektorijohtimen välityksellä. Suurtaajuudel-la tarkoitetaan tässä radiotaajuuksia ja vastaavia. Transistorin 8 koi1ektorijohdin on merkitty kirjaimella C, kanta kirjaimella B ja emitterit kirjaimella E ja ne on pintaliitoksella kiinnitetty piirilevyn pinnoitteeseen sovitusliuskan 7 puolelle. Kyse ei kuitenkaan ole varsinaisesta ns. pintaliitoskomponentista. Piirilevy 5 voi olla tavanomaista epoksi-laeikuitutyyppiä normaalein molemminpuolisin metallipinnoittein 6, 7. Transistorin 8 kollektori-johtimeen liitetyn sovitusliuskan 7 kautta transistori on kytketty sinänsä tavanomaiseen ei-esitettyyn sovituspiiriinsä, joka tässä tapauksessa voidaan sijoittaa suoraan piirilevylle 5 tavanomaista piirilevytekniikkaa käyttäen.
4 85783
Kekeinnön mukaisesti on sovitue1iueka 7 muotoiltu pinta-alaltaan selvästi tavanomaista sovitusliuskaa suuremmaksi ja tämän lisäksi sovitusliuskan päälle sen kanssa kosketuksiin on kiinnitetty hyvin lämpöä johtava, siis yleensä metallinen, esim. kuparinen kappale tai paksuhko liuska 9. Tyypillisesti kappaleen 9 poikkipinta, joka muodostuu mitoista W ja S, on jonkin verran suurempi kuin transistorin Θ koilektorijohtimen C poikkipinta ja pituus huomattavan suuri verrattuna transistorin tai sen rakenneosien mittoihin tai poikkimittoihin nähden. Tyypillisesti kappaleen 9 pituus on 10-20 kertaa sen leveys.
Kappale 9 toimii seuraavasti. Transistorin koilektorijohtimesta C tuleva lämpö siirtyy kohdassa 10 sen kanssa kosketuksissa olevaan kappaleeseen 9 sekä päittäiskosketuksen että pinnoitteen 7 kautta. Kappale 9 jakaa hyvän lämmönjohtavuutensa vuoksi johtuneen lämmön pituutensa ja leveytensä määräämälle suurelle pinta-alalle. Tästä lämpö toisaalta haihtuu suoraan kappaleen 9 pinnasta ympäröivään ilmaan että johtuu piirilevyyn 5 ja sen läpi maatason 6 puolelle. Täältä lämpö voi haihtua ympäröivään ilmaan joko suoraan pinnasta 6 tai pintaa 6 vasten sijoitetusta erillisestä jäähdytyselemen-tistä 11, joka kuvioissa esitetty vain kaaviomaisesti katkoviivalla kautta ympäröivään ilmaan. Kekeinnön teho siis perustuu siihen, että piirilevyyn johtunut lämpömäärä on suoraan verrannollinen siihen poikkipintaan, jonka läpi lämpö johtuu, jona poikkipintana tässä tapauksessa on kappaleen pituuden L ja levey-.: den W määräämä pinta-ala. Myös suoraan kappaleen pinnasta haihtu vaan lämpömäärään vaikuttaa sekä kappaleen pituus L, sen leveys W, että sen paksuus S tai sen muu vastaava ulkopinta-ala.
. Edellä kuvatulla tavalla voidaan luopua esimerkiksi kuviossa 1 esitetystä tunnetun tekniikan mukaisesta monimutkaisesta istukasta sekä siihen liitetyistä erillisistä sovituspiireistä. Keksinnön ratkaisua käytettäessä sekä jäähdytyskappale 9 että sovitus-piiri on suoraan ja yksinkertaisesti sijoitettavissa piirilevylle 5 sovituspiiri sovitusliuskan kautta. Kappale 9 voi yksinkertai-____: eesti olla sopivan paksuisen kuparijohdon pala, joka juotetaan, 5 85783 hitsataan tai muulla vastaavalla tavalla liitetään piirilevylle» kuten kaikki muutkin sille tulevat komponentit ja samassa vaiheessa. Metallikappale 9 voidaan myös ennen transistorin asennusta piirilevylle kiinnittää pysyvästi, esim. pistehitsauksella tai juottamalla, transistorin kollektorijohtimeen C.
Keksinnön erään toteutusmuodon mukaan suurtaajuustehotransistorin koilektorijohdin C on itsessään mitoitettu riittävän suureksi muodostamaan jo sellaisenaan jäähdytyskappale 9. Tällöin kollektori joht imen C pituus ja leveys vastaavat kappaleen 9 mittoja L ja W.
Keksintö ei ole rajoitettu kuvioissa esitettyyn sovituspiirin liuskan ja/tai kappaleen 9 muotoon, vaan sen mitat L, W, S voivat vaihdella jäähdytystehon ja tilankäytön vaatimusten mukaan. MyÖe_ kään kappaleen 9 ei tarvitse olla suora, vaan se voidaan taivuttaa kaarelle tai mutkalle tai muuhun sopivaksi katsottavaan muotoon. Kappaleen 9 mitoitukselle ei voida antaa tarkkoja arvoja, vaan ne riippuvat transistorin yksityiskohtaisesta rakenteesta, häviöte-hosta, kappaleen materiaalista sekä piirilevyn 5 materiaalista ja mitoista. Mitoitus on suoritettava siten, että kappale 9 on riit-• tävän suuri pitämään transistorin 8 puolijohdepalan lämpötila riittävän alhaisena.
Keksinnön muunnoksena voidaan ajatella myös kappaleena 9 käytettävän esim. sopivaa, hyvin pientä profiilia tai vastaavaa kappaleen suoran konvektion parantamiseksi. Kappale 9 voi myöskin olla muuta materiaalia kuin kupari, kuten esim. alumiini, mutta tällöin on sen liitostekniikan sovitusliuskaan oltava toisentyyppinen.

Claims (5)

6 85783
1. Jäähdytysrakenne sellaista suurtaajuuetehotranaietoria varten, jossa häviötehon lämpö johdetaan puolijohdepalalta ainakin pääosin pois kollektorijohtimen kautta, tunnettu siitä, että kooltaan likimain sähköisen liitännän edellyttämän kollektorijohtimen (C) kanssa kosketuksissa tai sen jatkeena on sitä oleellisesti suurempi metallikappale (9), joka on asennuksen jälkeen kiinteästi liitetty transistorin <8> sovituspiirin sovitusliuskaan (7) lämmön johtamiseksi piirilevyyn <5> tai sen läpi tai lämmön haihduttamiseksi suoraan metallikappaleelta.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen rakenne, tunnettu siitä, että metallikappale (9> on kuparijohdin tai vastaava, joka on juotettu tai muulla vastaavalla tavalla liitetty piirilevyllä <5> olevaan, sen meta11lpinnoitteesta muodostuvaan sovitusliuskaan <7> .
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen rakenne, tunnettu siitä, että metallikappale <9) on koilektorijohtimen (C> rakenteellinen osa, jolloin se on joko samaa kappaletta koilektorijohtimen kanssa tai siihen pysyvästi ennen asennusta liitetty osa tai johdin .
4. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen rakenne, tunnettu siitä, että se lisäksi sisältää piirilevyn (5) maatason puolella elementtejä (11), jotka tehostavat jäähdytystä.
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen rakenne, tunnettu siitä, että metallikappaleen (9) poikkipinta piirilevyn (5) pinnan suunnassa on mitoitettu siirtämään riittävä lämpömäärä joko pelkästään tästä pinnasta piirilevyyn ja sen läpi tai myös jäähdytyselementteihin (11) transistorin jäähdyttämiseksi. l! 7 85783
FI890791A 1989-02-17 1989-02-17 Kylningskonstruktion foer transistor. FI85783C (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI890791A FI85783C (fi) 1989-02-17 1989-02-17 Kylningskonstruktion foer transistor.
US07/473,920 US5214309A (en) 1989-02-17 1990-01-31 Thermally conductive bar cooling arrangement for a transistor
DE69026523T DE69026523T2 (de) 1989-02-17 1990-02-15 Kühlungsanordnung für einen Transistor
EP90102984A EP0384301B1 (en) 1989-02-17 1990-02-15 Cooling arrangement for a transistor
AT90102984T ATE137065T1 (de) 1989-02-17 1990-02-15 Kühlungsanordnung für einen transistor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI890791 1989-02-17
FI890791A FI85783C (fi) 1989-02-17 1989-02-17 Kylningskonstruktion foer transistor.

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI890791A0 FI890791A0 (fi) 1989-02-17
FI890791A FI890791A (fi) 1990-08-18
FI85783B true FI85783B (fi) 1992-02-14
FI85783C FI85783C (fi) 1992-05-25

Family

ID=8527924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI890791A FI85783C (fi) 1989-02-17 1989-02-17 Kylningskonstruktion foer transistor.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5214309A (fi)
EP (1) EP0384301B1 (fi)
AT (1) ATE137065T1 (fi)
DE (1) DE69026523T2 (fi)
FI (1) FI85783C (fi)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI88452C (fi) * 1990-03-29 1993-05-10 Nokia Mobile Phones Ltd Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor
GB2297436B (en) * 1995-01-28 1999-06-09 Nokia Mobile Phones Ltd Mobile telephone apparatus
FI107850B (fi) * 1995-06-30 2001-10-15 Nokia Mobile Phones Ltd Kantoväline matkaviestimen kiinnityslaitetta varten
FI107849B (fi) * 1995-06-30 2001-10-15 Nokia Mobile Phones Ltd Soviteosa matkaviestimessä sen kiinnityslaitetta varten
FI953249A (fi) 1995-06-30 1996-12-31 Nokia Mobile Phones Ltd Puhelin ja sen teline
US6798882B2 (en) 1995-09-28 2004-09-28 Nokia Mobile Phones Limited Mobile station
DE19620834C1 (de) * 1996-05-23 1997-06-19 Nokia Mobile Phones Ltd Einrichtung für Schnurlostelefone
GB2317300B (en) 1996-09-12 2000-08-16 Nokia Mobile Phones Ltd A handset
ES2123435B1 (es) * 1996-10-29 1999-09-16 Mecanismos Aux Ind Sistema de disipacion termica en circuito impreso de 800 micras.
FI104927B (fi) 1997-10-02 2000-04-28 Nokia Mobile Phones Ltd Matkaviestin
GB2331866B (en) 1997-11-28 2001-08-29 Nokia Mobile Phones Ltd Radiotelephone
FI980303A (fi) * 1998-02-10 1999-08-11 Nokia Mobile Phones Ltd Pakkaus
GB9811381D0 (en) 1998-05-27 1998-07-22 Nokia Mobile Phones Ltd Predistortion control for power reduction
GB9811382D0 (en) 1998-05-27 1998-07-22 Nokia Mobile Phones Ltd A transmitter
GB2339113B (en) 1998-06-30 2003-05-21 Nokia Mobile Phones Ltd Data transmission in tdma system
EP2276329A1 (en) * 2009-07-16 2011-01-19 ABB Research Ltd. Electronic circuit board with a thermal capacitor
US8383946B2 (en) * 2010-05-18 2013-02-26 Joinset, Co., Ltd. Heat sink
US11133731B2 (en) 2012-06-28 2021-09-28 Aktiebolaget Electrolux Printed circuit board and electric filter
DE102018109920A1 (de) 2018-04-25 2019-10-31 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Kühlung von leistungselektronischen Schaltungen
IT202100003965A1 (it) 2021-02-22 2022-08-22 Riccardo Carotenuto “circuito per ridurre il riscaldamento e aumentare l’efficienza di rettificatori a semiconduttore”

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3192307A (en) * 1964-05-29 1965-06-29 Burndy Corp Connector for component and printed circuit board
US3479570A (en) * 1966-06-14 1969-11-18 Rca Corp Encapsulation and connection structure for high power and high frequency semiconductor devices
US3517272A (en) * 1968-12-24 1970-06-23 Rca Corp Microwave circuit with coaxial package semiconductor device
US3962719A (en) * 1974-12-05 1976-06-08 Plastronics, Inc. Mounting pad and semiconductor encapsulation device combination
US3982271A (en) * 1975-02-07 1976-09-21 Rca Corporation Heat spreader and low parasitic transistor mounting
US4030001A (en) * 1975-11-19 1977-06-14 E-Systems, Inc. Co-planar lead connections to microstrip switching devices
DE2801875A1 (de) * 1978-01-17 1979-07-19 Siemens Ag Kuehlkoerper fuer hochfrequenz-bauelemente
JPS56105668A (en) * 1980-01-28 1981-08-22 Hitachi Ltd Thick film hybrid ic
JPH0135482Y2 (fi) * 1985-03-26 1989-10-30
FR2584533A1 (fr) * 1985-07-05 1987-01-09 Acrian Inc Boitier de transistor a haute frequence
JPS63104360A (ja) * 1986-10-20 1988-05-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5012322A (en) * 1987-05-18 1991-04-30 Allegro Microsystems, Inc. Semiconductor die and mounting assembly
JPH0750753B2 (ja) * 1987-08-21 1995-05-31 株式会社東芝 トランジスタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
FI890791A0 (fi) 1989-02-17
EP0384301A3 (en) 1993-01-07
DE69026523T2 (de) 1996-09-12
ATE137065T1 (de) 1996-05-15
FI890791A (fi) 1990-08-18
US5214309A (en) 1993-05-25
EP0384301B1 (en) 1996-04-17
EP0384301A2 (en) 1990-08-29
FI85783C (fi) 1992-05-25
DE69026523D1 (de) 1996-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI85783B (fi) Kylningskonstruktion foer transistor.
US7258464B2 (en) Integral ballast lamp thermal management method and apparatus
US6492890B1 (en) Method and apparatus for cooling transformer coils
FI88452C (fi) Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor
KR950000203B1 (ko) 전력용 반도체 장치
RU2712938C1 (ru) Теплопроводный изолятор
JP2001143938A (ja) 発熱電子部品の固定放熱構造
JP2003188565A (ja) 表面実装用電子部品の放熱構造
US20040032312A1 (en) Transformer with an associated heat-dissipating plastic element
JPH11298177A (ja) 発熱部品の放熱構造及びそれを用いた無電極放電灯点灯装置
KR200235499Y1 (ko) 정 특성 서미스터 소자를 이용한 히터
US7180177B2 (en) Power supply component assembly on a printed circuit and method for obtaining same
KR20010050124A (ko) 전자 모듈 및 그 제조방법
CN210575314U (zh) 一种单引线法兰射频电阻
JP4770518B2 (ja) 高出力増幅器
JP2661511B2 (ja) 進行波管
CN115334704B (zh) 一种镇流器壳体
KR100373936B1 (ko) 파워 모듈 방열 구조
KR102432814B1 (ko) Rf 전력트랜지스터 방열 개선을 위한 에어 캐비티 패키지 및 제조 방법
JPH10189803A (ja) 放熱板への絶縁基板取付構造
CN211792222U (zh) 高导热的铝基电路板
JP2003304039A (ja) 電気回路基板
JP2008311253A (ja) フィルムコンデンサ及びフィルムコンデンサユニット
JP2002184919A (ja) 半導体パッケージ及びその取付方法
KR20020003619A (ko) 대용량 저항기의 방열구조

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: NOKIA-MOBIRA OY