FI69733C - Anordning foer att skydda ett halvledarorgan - Google Patents
Anordning foer att skydda ett halvledarorgan Download PDFInfo
- Publication number
- FI69733C FI69733C FI811919A FI811919A FI69733C FI 69733 C FI69733 C FI 69733C FI 811919 A FI811919 A FI 811919A FI 811919 A FI811919 A FI 811919A FI 69733 C FI69733 C FI 69733C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- protection transistor
- transients
- emitter
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Claims (9)
1. Anordning för att skydda ett halvledarorgan fran elektriska päkänningsskador till följd av falska högspännings- 5 transienter, varvid halvledarorganet innefattar en halvledar-övergäng som är kopplad till en kretspunkt där nämnda transienter kan uppträda och som kan utsättas för skador säsom följd av elektriska päkänningar när nämnda transienter över-skrider en given nivä, kännetecknad av en skydds-10 transistor (28) med en kollektorelektrod kopplad tili en drift-spänning, en baselektrod, och en emitterelektrod kopplad tili nämnda kretspunkt, och av organ för att pälägga en referens-förspänning pä baselektroden pä sä sätt att baselektrodens förspänning är fastställbar oberoende av förspänningen hos 15 halvledarorganet och av förspänningen vid nämnda kretspunkt, vilken referensförspänning är anordnad att bibringa skydds-transistorns kollektor-basövergäng förspänning i backrikt-ningen och att bibringa skyddstransistorns bas-emitteröver-gäng förspänning i backriktningen da nämnda transienter sak-20 nas, varigenom skyddstransistorn normalt blir oledande, varvid nivan hos referensförspänningen är sädan, att skyddstransistorns bas-emitterövergäng fär förspänning i ledriktningen säsom gensvar pä transienter som överskrider en tröskelvärdes-nivä under nämnda givna niva för att tilläta ledning i skydds-25 transistorns emitterkollektorbana för att avlänka transienta strömmar bort frän halvledarorganet.
2. Anordning enligt patentkrav 1, kännetecknad därav, att skyddstransistorns (28) emitter är ansluten tili halvledarorganet med en förskjutningsspänning som vä- 30 sentligen är noll mellan kretspunkten och halvledarorganet.
3. Anordning enligt patentkrav 2, kännetecknad därav, att halvledarorganet innefattar ett transistor-organ (22) med en första ingängselektrod kopplad tili nämnda kretspunkt och andra och tredje elektroden som bildar en 35 huvudströmledningsbana för transistororganet och att skydds- is 69733 transistorn (28) har en sädan förspänning att den blir le-dande seisoin gensvar pä transienter för att hindra transis-tororganet frän att leda alltför stora ingängsströmmar i backriktningen.
4. Anordning enligt patentkrav 3, känneteck- n a d därav, att transistororganet (22) inkluderar en bas-ingängselektrod samt kollektor- och emitterelektroder sora bildar huvudströmledningsbanan och att skyddstransistorn (28) har sädan förspänning att den leder säsora gensvar pä transien-10 ter för att hindra transistororganet frän att leda alltför stora övergängsströmmar mellan emitter och bas.
5. Anordning enligt patentkrav 3 eller 4, kanne-t e c k n a d därav, att skyddstransistorn och transistororganet är likartade organ med samma konduktivitetstyp.
6. Anordning enligt patentkrav 2, 3, 4 eller 5, kännetecknad därav, att nivän hos ström som leds av skyddstransistorn (28) säsom gensvar pä transienter i första hand är bestämd av den fördelade kollektoromrädesre-sistansen hos skyddstransistorn.
7. Anordning enligt patentkrav 1, känneteck nad därav, att halvledarorganet och skyddstransistorn in-gär i en videosignalbehandlingskrets i en televisionsmotta-gare som inkluderar ett bildätergivande bildrör, en kalla för arbetsspänning som inkluderar högspänning för bildröret, var-25 jämte nämnda kretspunkt är belägen pä ett sädant ställe där högspänningstransienter som fororsakas av 1jusbägbildning i bildröret kan uppträda.
8. Anordning enligt patentkrav 7, kännetecknad av en reglerbar spänningsdelare (59), som är inkopplad 30 mellan första och andra punkter med driftspänning, varvid nämnda spänningsdelare inkluderar ett inställbart uttag som är kopplat tili nämnda kretspunkt, och av organ (56) för att ge skyddstransistorn förspänning sä att skyddstransistorn förblir oledande dä transienter saknas efter hand som spän-35 ningsdelaren inregleras mellan minimi- och maximigränser.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/163,149 US4302792A (en) | 1980-06-26 | 1980-06-26 | Transistor protection circuit |
US16314980 | 1980-06-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI811919L FI811919L (fi) | 1981-12-27 |
FI69733B FI69733B (fi) | 1985-11-29 |
FI69733C true FI69733C (fi) | 1986-03-10 |
Family
ID=22588701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI811919A FI69733C (fi) | 1980-06-26 | 1981-06-18 | Anordning foer att skydda ett halvledarorgan |
Country Status (22)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4302792A (sv) |
JP (1) | JPS5739622A (sv) |
KR (1) | KR880002637B1 (sv) |
AT (1) | AT395921B (sv) |
AU (1) | AU545703B2 (sv) |
BE (1) | BE889367A (sv) |
CA (1) | CA1164961A (sv) |
DE (1) | DE3125198A1 (sv) |
DK (1) | DK172525B1 (sv) |
ES (1) | ES8204225A1 (sv) |
FI (1) | FI69733C (sv) |
FR (1) | FR2485824A1 (sv) |
GB (1) | GB2079085B (sv) |
HK (1) | HK17587A (sv) |
IT (1) | IT1136756B (sv) |
MY (1) | MY8500798A (sv) |
NL (1) | NL192902C (sv) |
NZ (1) | NZ197533A (sv) |
PL (1) | PL136801B1 (sv) |
PT (1) | PT73071B (sv) |
SE (1) | SE445281B (sv) |
ZA (1) | ZA813576B (sv) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1210916B (it) * | 1982-08-05 | 1989-09-29 | Ates Componenti Elettron | Transistore integrato protetto contro le sovratensioni. |
US4441137A (en) * | 1982-08-30 | 1984-04-03 | Rca Corporation | High voltage protection for an output circuit |
DE3240280A1 (de) * | 1982-10-30 | 1984-05-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schutzschaltung fuer analog- und digitalsignale |
US4499673A (en) * | 1983-03-07 | 1985-02-19 | Ford Motor Company | Reverse voltage clamp circuit |
JPS6030660A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-16 | Aoba Kasei Kk | 桜桃の容器内着色法 |
DE3422132C1 (de) * | 1984-06-14 | 1986-01-09 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | Schutzschaltungsanordnung |
IT1218852B (it) * | 1984-10-31 | 1990-04-24 | Ates Componenti Elettron | Stabilizzatore elettronico di tensione, particolarmente per uso automobilistico, con protezione contro le sovratensioni transitorie di polarita' opposta a quella del generatore |
US4705322A (en) * | 1985-07-05 | 1987-11-10 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Protection of inductive load switching transistors from inductive surge created overvoltage conditions |
US4644293A (en) * | 1985-11-06 | 1987-02-17 | E-Systems, Inc. | RF pulse modulated amplifier having conduction angle control |
GB2204445B (en) * | 1987-03-06 | 1991-04-24 | Texas Instruments Ltd | Semiconductor switch |
JPH02280621A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-11-16 | Siemens Ag | トランジスタ回路 |
JPH02280622A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-11-16 | Siemens Ag | トランジスタ回路 |
IT1244209B (it) * | 1990-12-20 | 1994-07-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito di controllo di caratteristiche tensione/corrente particolarmente per la protezione di transistori di potenza |
IT1253683B (it) * | 1991-09-12 | 1995-08-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo a bassa corrente di perdita per la protezione di un circuito integrato da scariche elettrostatiche. |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1815617C3 (de) * | 1968-12-19 | 1978-11-30 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Einrichtung zum Entregen von Generatoren |
US3819952A (en) * | 1973-01-29 | 1974-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS5321838B2 (sv) * | 1973-02-28 | 1978-07-05 | ||
DE2323183C2 (de) * | 1973-05-08 | 1986-01-30 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Überspannungsschutzschaltung für geregelte Stromversorgungsanlagen |
JPS50117347A (sv) * | 1974-02-28 | 1975-09-13 | ||
FR2320635A1 (fr) * | 1975-08-05 | 1977-03-04 | Thomson Csf | Dispositif de protection pour transistor, notamment pour transistor de circuit integre monolithique, et transistor pourvu d'un tel dispositif |
US4017882A (en) * | 1975-12-15 | 1977-04-12 | Rca Corporation | Transistor having integrated protection |
NL176322C (nl) * | 1976-02-24 | 1985-03-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met beveiligingsschakeling. |
US4133000A (en) * | 1976-12-13 | 1979-01-02 | General Motors Corporation | Integrated circuit process compatible surge protection resistor |
US4106048A (en) * | 1977-04-27 | 1978-08-08 | Rca Corp. | Integrated circuit protection device comprising diode having large contact area in shunt with protected bipolar transistor |
DE2832766A1 (de) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum schutz einer elektrischen schaltungsanordnung gegen stoerimpulse |
-
1980
- 1980-06-26 US US06/163,149 patent/US4302792A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-05-21 PT PT73071A patent/PT73071B/pt unknown
- 1981-05-25 IT IT21938/81A patent/IT1136756B/it active
- 1981-05-27 ZA ZA00813576A patent/ZA813576B/xx unknown
- 1981-06-18 FI FI811919A patent/FI69733C/fi not_active IP Right Cessation
- 1981-06-18 CA CA000380150A patent/CA1164961A/en not_active Expired
- 1981-06-18 SE SE8103869A patent/SE445281B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-06-19 AU AU71986/81A patent/AU545703B2/en not_active Expired
- 1981-06-19 ES ES503211A patent/ES8204225A1/es not_active Expired
- 1981-06-22 KR KR1019810002263A patent/KR880002637B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1981-06-23 GB GB8119310A patent/GB2079085B/en not_active Expired
- 1981-06-23 JP JP56098165A patent/JPS5739622A/ja active Granted
- 1981-06-24 PL PL1981231846A patent/PL136801B1/pl unknown
- 1981-06-24 BE BE0/205203A patent/BE889367A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-06-25 NL NL8103084A patent/NL192902C/nl not_active IP Right Cessation
- 1981-06-25 DK DK198102814A patent/DK172525B1/da not_active IP Right Cessation
- 1981-06-25 FR FR8112551A patent/FR2485824A1/fr active Granted
- 1981-06-25 NZ NZ197533A patent/NZ197533A/en unknown
- 1981-06-26 AT AT0286181A patent/AT395921B/de not_active IP Right Cessation
- 1981-06-26 DE DE19813125198 patent/DE3125198A1/de active Granted
-
1985
- 1985-12-30 MY MY798/85A patent/MY8500798A/xx unknown
-
1987
- 1987-02-26 HK HK175/87A patent/HK17587A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI69733C (fi) | Anordning foer att skydda ett halvledarorgan | |
FI78581C (sv) | Halvledarkonstruktion och skyddskrets för skyddande av en integrerad k rets. | |
US4567500A (en) | Semiconductor structure for protecting integrated circuit devices | |
JPH069018B2 (ja) | 半導体構造 | |
US5781392A (en) | Balanced overvoltage protector for a dual-wire system | |
CA1162239A (en) | Latch-up prevention circuit for power output devices using inductive loads | |
FI114053B (sv) | Halvledarkomponent för att begränsa transientspänningar och telefonkrets | |
FI74166C (sv) | Skyddskrets för integrerade kretsanordningar | |
US5274253A (en) | Semiconductor protection device against abnormal voltage | |
FI82328C (sv) | Högspänningsskydd för en utgångskrets | |
US7714389B2 (en) | Semiconductor device having two bipolar transistors constituting electrostatic protective element | |
JPH0378787B2 (sv) | ||
US3466390A (en) | Protective device for transistor televisions | |
JPH07226486A (ja) | 半導体装置の保護回路 | |
JPH05267588A (ja) | 半導体保護装置 | |
JPS6410101B2 (sv) | ||
US4261000A (en) | High voltage semiconductor device having an improved dv/dt capability | |
JPS59138354A (ja) | 集積回路 | |
JPS6132561A (ja) | 静電破壊防止素子 | |
JPS6246987B2 (sv) | ||
JPH04343464A (ja) | 過電圧保護装置 | |
JPH0468785B2 (sv) | ||
JPS6242394B2 (sv) | ||
JPS6384146A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05308534A (ja) | フライバックトランスの過電流保護回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MA | Patent expired |
Owner name: RCA LICENSING CORPORATION |