FI121521B - Transponderin viritysmenetelmä ja transponderi - Google Patents

Description

Transponderin viritysmenetelmä ja transponderi

Keksinnön ala 5

Nyt esillä oleva keksintö koskee antennipiirin valmistusmenetelmää, jossa antennipiiriin muodostetaan resonanssipiirin induktanssi. Keksintö koskee myös menetelmää antennipiirin virittämiseksi, joka antennipiiri käsittää resonanssipiirin induktanssin sekä komponentin, joka käsittää siruimpedanssin. 10 Keksintö kohdistuu myös antennipiiriin, joka käsittää resonanssipiirin antenni-impedanssin, sekä komponenttiin, joka käsittää komponentti-impedanssin. Keksintö koskee myös transponderia, joka käsittää resonanssipiirin induktanssin, sekä komponenttia, joka käsittää komponentti-impedanssin.

15 Keksinnön tausta

Antennipiirejä käytetään esimerkiksi eri sovelluksiin tarkoitetuissa transpon-dereissa. Transponderi on yleensä pienikokoinen laite, joka käsittää antenni-piirin. Antennipiiri käsittää yleensä resonanssipiirin ja voi käsittää myös 20 antennin, tai esimerkiksi resonanssipiirin kela toimii antennina. Transponderi voi käsittää lisäksi sirun, johon voidaan tallentaa ja josta voidaan lukea tietoja langattomasti. Tiedot tallennetaan sirun muistiin tai muodostetaan pyynnöstä esimerkiksi sirun logiikkapiirin avulla. Energia lähetetään transponderiin yleensä ulkoapäin lukijalaitteesta, kun tietoja tallennetaan sirulle tai luetaan 25 sirulta. Energia lähetetään transponderiin radiotaajuisena (RF) energiana.

Transponderin antenni vastaanottaa energian. Antenni on osa resonanssi-piiriä, jolloin energialla on oltava tietty taajuus. Transponderissa vastaanotettu energia tallennetaan yleensä energiavarastoon, kuten kondensaattoriin. Tallennettu energia riittää tietojen tallennus-/lukutoimintoon, kun reso-30 nanssipiiri ja lukijalaitteen lähetystaajuus ovat lähellä toisiaan, eli resonanssi-piiri on viritetty lukijalaitteen lähetystaajuudelle.

Transpondereita käytetään erilaisissa järjestelmissä. Kaikkien järjestelmien lähetystaajuudet eivät kuitenkaan ole samoja. Tästä syystä eri järjestelmien 35 transpondereissa tarvitaan eri resonanssitaajuuksia. Lisäksi transponderien valmistusprosessien toleranssit voivat aiheuttaa sen, että resonanssitaajuu-det on viritettävä ennen kuin transponderi on käyttövalmis. Esimerkiksi sirun 2 ottoimpedanssi voi vaihdella eri tuotantoerissä. Lisäksi eri valmistajien sirujen ottoimpedanssit voivat vaihdella niin paljon, että eri valmistajien vastaavia siruja ei voida käyttää saman antennipiirin yhteydessä. Myös kelan/antennin valmistus ja sirun kokoonpanoprosessit voivat aiheuttaa vaihtelua 5 liitosimpedansseissa, jotka vaikuttavat transponderin resonanssitaajuuteen.

On myös muita tekijöitä, jotka voivat vaikuttaa transponderin resonanssi-taajuuteen. Esimerkiksi kun transponderi sijoitetaan koteloon, kotelon materiaali voi muuttaa resonanssitaajuutta. Lisäksi sovellus, jossa transponderia 10 käytetään, voi vaikuttaa resonanssitaajuuteen. Jotkin materiaalit, kuten muovit, vaikuttavat resonanssitaajuuteen enemmän kuin toiset materiaalit, kuten pahvi. Kun transponderi toimii UHF-alueella (ultrataajuuksilla), resonanssi-taajuus voi laskea noin 50-100 MHz muovisovelluksessa tai noin 10-20 MHz pahvisovelluksessa. Sama ilmiö esiintyy myös transpondereilla, jotka toimivat 15 HF-taajuuksilla.

On joitakin tekniikan tason mukaisia viritysmenetelmiä, joilla resonanssipiirin kelan induktanssia muutetaan muuttamalla kelaa mekaanisesti. Kelassa voi olla esimerkiksi joukko oikosulkuja, jotka voidaan kytkeä kelan induktanssin 20 muuttamiseksi. Tällöin transponderi mitataan, ja jos se ei ole resonanssissa, kytketään yksi oikosulku. Tämän jälkeen resonanssitaajuus mitataan uudelleen, ja tarvittaessa kytketään toinen oikosulku. Tällainen viritystäpä on aikaavievä ja vaatii ylimääräisiä tuotantovaiheita.

25 Toinen tekniikan tason epäkohta on se, että samaa antennia ja/tai kelaa ei voida käyttää erilaisissa järjestelmissä, vaan kukin järjestelmä vaatii tietynlaisen antennin ja/tai kelan.

Keksinnön yhteenveto 30

Nyt esillä oleva keksintö tarjoaa parannetun menetelmän resonanssipiirin resonanssitaajuuden virittämiseksi, antennipiirin ja transponderin. Keksintö perustuu siihen ajatukseen, että antennipiiriin järjestetään useita liitäntä-alueita komponenttia, kuten sirua, varten siten, että ainakin kahden tällaisen 35 liitäntäalueen avulla saadaan eri resonanssitaajuus, kun komponentti kootaan näihin liitäntäalueisiin. Näin ollen antennipiirin resonanssitaajuuden valitsemiseksi voidaan valita liitäntäalueita komponentin liittämiseksi antenni- 3 piiriin. Tarkemmin sanoen nyt esillä olevan keksinnön mukaiselle valmistusmenetelmälle on pääasiassa tunnusomaista se, että menetelmässä muodostetaan useita liitäntäalueita komponentin liittämiseksi antennipiiriin, jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntäalueista on osa resonanssipiiriä, ja 5 että resonanssipiirin induktanssi muodostetaan dipoliantenniksi, joka käsittää kaksi säteilijää, joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää, ja muodostetaan mainitut useat liitäntäalueet komponenttia varten säteilijöiden toisen pään yhteyteen. Nyt esillä olevan keksinnön mukaiselle viritysmenetelmälle on pääasiassa tunnusomaista se, että resonanssipiirin 10 induktanssi on dipoliantenni, joka käsittää kaksi säteilijää, joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää ja joka antennipiiri käsittää useita liitäntäalueita komponentin liittämiseksi antennipiiriin ja mainitut useat liitäntäalueet komponenttia varten ovat säteilijöiden toisen pään yhteydessä, jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntäalueista on osa 15 resonanssipiiriä, jolloin menetelmässä sirulle valitaan ainakin yksi liitäntäalue mainittujen ainakin kahden useista liitäntäalueista joukosta. Nyt esillä olevan keksinnön mukaiselle antennipiirille on pääasiassa tunnusomaista se, että antennipiiri käsittää lisäksi useita liitäntäalueita komponentin liittämiseksi antennipiiriin, jolloin komponentti käsittää komponentti-impedanssin, jolloin 20 ainakin kaksi mainituista useista liitäntäalueista ovat osa resonanssipiiriä, ja että resonanssipiirin induktanssi on dipoliantenni, joka käsittää kaksi säteilijää, joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää, ja mainitut useat liitäntäalueet komponenttia varten on muodostettu säteilijöiden toisen pään yhteyteen. Nyt esillä olevan keksinnön mukaiselle antennipiirille on 25 pääasiassa tunnusomaista se, että antennipiiri käsittää lisäksi useita liitäntäalueita komponentin liittämiseksi antennipiiriin, jolloin komponentti käsittää komponentti-impedanssin, jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntäalueista ovat osa resonanssipiiriä, ja että resonanssipiirin induktanssi on dipoliantenni, joka käsittää kaksi säteilijää, joissa on ainakin ensimmäinen 30 pää ja toinen pää, ja mainitut useat liitäntäalueet komponenttia varten on muodostettu säteilijöiden toisen pään yhteyteen.

Keksintö tarjoaa etuja tekniikan tason mukaisiin menetelmiin, antennipiireihin ja transpondereihin nähden. Tuotettaessa transpondereita nyt esillä olevan 35 keksinnön mukaisesti ei tarvitse mitata tuotantoerän kaikkien transponderien resonanssitaajuutta, vaan ainoastaan yhden tai joidenkin transponderien resonanssitaajuus, koska materiaaleilla ja prosessilla on täysin yhtenäinen 4 laatu. Muut transponderit tuotetaan tuotantoerän transponderien yhdestä tai muutamasta näytekappaleesta tehtyjen mittauksien mukaan. Toisin sanoen liitäntäalueet sirua varten valitaan mittausten perusteella, ja saman tuotanto-erän kaikki muut transponderit voidaan valmistaa vastaavasti. Kun tarvitaan 5 eri resonanssitaajuutta, valitaan eri liitäntäalue(et) sirua varten. Antennipiiri voi käsittää useita liitäntäalueita siten, että pienimmän ja suurimman reso-nanssitaajuuden välinen ero, joka voidaan saavuttaa valitsemalla sirun lii-täntäalue, voi olla hyvin suuri. Tällöin samoja antennipiirejä voidaan käyttää monissa eri transpondereissa. Näin ollen voidaan saada suurempia 10 valmistusmääriä samanlaisia antennipiirejä. Transponderit voidaan myös räätälöidä suurina erinä esimerkiksi niiden asiakkaiden tarpeiden mukaan, jotka käyttävät transpondereita tuotteissaan. Vielä yhtenä etuna mainittakoon se, että viritys on yksinkertaisempaa kuin tekniikan tason mukaisissa menetelmissä.

15

Samaa antennipiiriä voidaan käyttää eri tekniikan mukaisissa sirun-kiinnityslinjoissa. Korkealuokkaisissa linjoissa tuotetaan transpondereita, joiden kapasitanssihäiriöt ovat pienempiä, mikä nostaa resonanssitaajuutta. Useiden liitäntäalueiden ansiosta voidaan tuottaa optimaa-20 lisiä transpondereita monissa tuotantolinjoissa.

Piirustusten kuvaus

Keksintöä selostetaan seuraavassa tarkemmin viitaten samalla oheisiin pii-25 rustuksiin, joissa kuvat 1 a, 1b ja 1c esittävät erilaisia esimerkkimalleja nyt esillä olevan keksinnön mukaisen transponderin induktanssista ja liitäntäaiueista, 30 kuva 2 esittää transponderin esimerkkisuoritusmuodon resonanssi- piirin vastaavaa piiriä, ja kuva 3 esittää mittaustuloksia eri liitäntäalueiden vaikutuksista 35 resonanssipiirin impedanssiin.

5

Keksinnön yksityiskohtainen kuvaus

Kuvassa 1a on esitetty esimerkki antennipiiristä 1, joka käsittää reso-nanssipiirin kelan 2 ja liitäntäalueitä 3.1, 3.2 (kuten kytkentätäpliä, 5 liitäntätäpliä, jne) komponenttia 4 varten (esitetty pisteviivoitettuna neliönä kuvassa 1a). Komponentti 4 on esimerkiksi siru tai sirun käsittävä moduuli. On selvää, että komponentteja voi olla myös useampia kuin yksi ja että yhtä tai useampaa komponenttia varten voi olla myös useita Iiitäntäalueita. Antennipiiri 1 on muodostettu alustalle 5.1. Tällai-10 nen antennipiiri soveltuu erityisesti HF-taajuuksille eli taajuuksille, jotka ovat suunnilleen välillä 3-30 MHz, tyypillisesti noin 13.56 MHz. Kelassa 2 on useita silmukoita 2.1 tietyn perusinduktanssin aikaansaamiseksi. Kelan 2 ensimmäisessä päässä 2.2 on joukko lyhyitä johtimia 2.3, jotka on kytketty kelaan 2 johtimen 2.4 avulla. Kunkin johtimen 2.3 toisessa 15 päässä on liitäntäalue 3.1 komponenttia 4 varten. Näiden liitäntäaluei-den 3.1 lähellä on toinen liitäntäalue 3.2 komponenttia 4 varten. Nuo toiset liitäntäalueet 3.2 on muodostettu vielä yhden johdinsarjan 2.5 päähän, jotka johtimet puolestaan on kytketty sähköisesti toisiinsa johtimella 2.6. Tämä johdin 2.6 on liitetty kelan toiseen päähän 2.7 esi-20 merkiksi johtimella 2.8. Komponentissa 4 on kaksi tai useampia liitän-täelementtejä, kuten johdin, kytkentätäplä tms. komponentin 4 liittämiseksi muuhun sähköiseen piiriin. Kun komponentti 4 on esim. liitetty kytkentäelementtien kohdalla transponderin liitäntäalueisiin, komponentti on kiinni transponderissa, eikä muita kiinnityselimiä yleensä tar-25 vita.

Komponentti 4 voidaan liittää mihin tahansa vierekkäisten liitäntäaluei-den 3.1, 3.2 muodostamaan pariin. Komponentin 4 sisällä on yleensä tasasuuntausdiodeja ja muita puolijohdekomponentteja (esim. kytken-30 tätransistoreja, muistia yms, joita ei ole esitetty kuvassa 1a), jotka tyypillisesti saavat aikaan kapasitiivisen ottoimpedanssin. Liitäntäalueet 3.1, 3.2 komponenttia 4 varten valitaan transponderille 5 suunnitellun resonanssitaajuuden mukaan. Kuvan 1a suoritusmuodossa suurin resonanssitaajuus voidaan saavuttaa liitämällä komponentti niiden lii-35 täntäalueiden muodostamaan pariin, jotka muodostavat pisimmän kelan, eli liitäntäalueisiin, jotka ovat kuvassa 1a johtimien 2.6. oikeanpuoleisessa päässä, koska tässä vaihtoehdossa kelan pinta-ala piene- 6 nee. Vastaavasti pienin resonanssitaajuus voidaan saavuttaa liittämällä komponentti 4 niiden liitäntäalueiden muodostamaan pariin, jotka muodostavat lyhyimmän kelan, eli kuvassa 1a vasemmanpuoleisimpaan liitäntäalueiden pariin, koska tässä vaihtoehdossa kelan pinta-ala suu-5 renee.

Kuvassa 1b on esitetty toinen esimerkki nyt esillä olevan keksinnön mukaisesta antennipiiristä 1. Tällainen antennipiiri soveltuu erityisesti UHF-taajuuksille eli taajuuksille, jotka ovat yli 300 MHz ja jopa 10 3000 MHz, tyypillisesti noin 900 MHz. Tässä suoritusmuodossa kela 2 toimii sähköisesti dipoliantennina, jossa on kaksi säteilijää 6.1, 6.2. Dipoliantennin kummassakin säteilijässä 6.1, 6.2 on pidennyskelat 1.1, 1.2, jotka pidentävät dipoliantennin sähköistä pituutta. Pidennyskelojen 1.1, 1.2 toisessa päässä on johtimia 2.4 2.6 ja joukko liitäntäalueita 3.1, 15 3.2 eri kohdissa johtimia 2.4, 2.6. Liitäntäalueiden 3.1, 3.2 ansiosta komponentin 4 liitäntäalue voidaan valita samaan tapaan kuin edellä selostetussa kuvan 1a esimerkissä. Liitäntäalueen valinta vaikuttaa resonanssipiriin induktanssiin, jonka resonanssipiirin muodostavat pääasiassa dipoliantenni ja komponentin 4 johdinpisteiden välinen 20 kapasitanssi.

Periaatteessa on ainakin kaksi tapaa vaikuttaa antennipiirin induktanssiin. Toinen on antennin toiminnallisen (sähköisen) pituuden muuttaminen, ja toinen on antennipiirin sarjainduktanssin muuttaminen. On 25 myös mahdollista käyttää näitä molempia.

Kuvassa 1c on esitetty vielä yksi esimerkki nyt esillä olevan keksinnön mukaisesta antennipiiristä 1. Tällainen antennipiiri myös soveltuu erityisesti UHF-taajuuksille. Kela tai antenni 1 toimii sähköisesti dipoli-30 antennina, jossa on kaksi säteilijää 6.1, 6.2. Säteilijöiden 6.1, 6.2 toisessa päässä on johtimia 2.4 2.6 ja joukko liitäntäalueita 3.1, 3.2 eri kohdissa johtimia 2.4, 2.6. Liitäntäalueiden 3.1, 3.2 ansiosta komponentin 4 liitäntäalue voidaan valita samaan tapaan kuin edellä selostetuissa kuvien 1a ja 1b esimerkeissä. Liitäntäalueen valinta vaikuttaa 35 sen silmukan pinta-alaan, joka muodostuu liitäntäalueista 3.1, 3.2, joh-timista 2.4, 2.6 ja silmukkajohtimesta 2.9. Näin ollen myös resonanssi- 7 piirin induktanssi vaihtelee komponentille 4 valittavien liitäntäalueiden 3.1,3.2 mukaan.

Kuvassa 2 on esitetty vastaava piiri esimerkkinä nyt esillä olevan kek-5 sinnön mukaisen kuvan 1b antennipiiristä. Siinä on induktanssit L1, L2, jotka koostuvat säteilijöistä 6.1, 6.2 ja pidennyskeloista 1.1,1.2. Keloissa, säteilijöissä ja johtimissa on myös jonkin verran resistanssia, joka on merkitty kuvassa 2 vastuksina R1, R2. Resistanssit koostuvat mm. häviöresistanssista ja säteilyresistanssista. Kullakin kahta liitäntä-10 aluetta 3.1, 3.2 yhdistävällä johtimella on myös induktanssia L3-L8. Komponentilla 4 on kapasitiivista ottoimpedanssia R, C, mikä vaikuttaa transponderin piirin toimintaan. Energialähteenä 7 toimii lukijalaite tai jokin muu laite, joka tuottaa transponderille radiotaajuista säteily-energiaa. Vaikka energialähde 7 on kuvassa 2 esitetty antenniin kyt-15 kettynä, sitä ei ole kytketty transponderiin 5 normaalina toimintana, vaan energia lähetetään säteilynä lähteestä transponderiin 5.

Vaikutus, joka on niiden kytkentäpisteiden valinnalla, joihin komponentti muodostetaan, voidaan esittää matemaattisesti esimerkiksi seu-20 raavan yhtälön avulla: f° - * 2ft^C{Lant + Σ (-connection po int)

Yhtälössä termi fc on resonanssitaajuus, C on komponentin ottoimpe-25 danssin kapasitanssi, termi Lant on säteilijöiden induktanssi, ja termi Σ (-connectionpoint on niiden kytkentäpisteiden induktanssien summa, jotka on valittu komponentin 4 kytkemiseksi antennipiiriin 1.

Kuvassa 3 on esitetty mittaustuloksia nyt esillä olevan keksinnön esi-30 merkkisuoritusmuodosta. Kuvassa 3 käyrä 301 esittää normalisoitua suorituskykyä valittujen kytkentäpisteiden (IC-piirin sijainti) funktiona ensimmäisellä taajuusalueella (869 MHz), kun antennipiiri on vapaasti ilmassa, eli sitä ei ole liitetty sovellusmateriaaliin. Tässä ei-rajoittavassa esimerkissä mittaukset on tehty viidestä kohtaa, jotka ovat valittavissa. 35 Kuvasta voidaan nähdä, että tässä esimerkissä parhaat tulokset saa- 8 vutettiin, kun komponentti oli kytkettynä liitäntäalueiden viidenteen pariin. Käyrä 302 esittää normalisoitua suorituskykyä valittujen kytkentäpisteiden funktiona ensimmäisellä taajuusalueella (869 MHz), kun antennipiiri oli peitettynä muovilevyllä. Tässä vaihtoehdossa 5 parhaat tulokset saavutettiin, kun komponentti oli kytketty liitäntäalueiden ensimmäiseen pariin. Käyrä 303 esittää normalisoitua suorituskykyä valittujen kytkentäpisteiden funktiona toisella taajuusalueella (902-928 MHz), kun antennipiiri oli vapaasti ilmassa. Tässä vaihtoehdossa parhaat tulokset saatiin liitäntäalueiden 10 kolmannella parilla. Käyrä 304 esittää normalisoitua valittujen kytkentäpisteiden funktiona suorituskykyä toisella taajuusalueella (902-928 MHz), kun antennipiiri oli peitettynä muovilevyllä. Tässä vaihtoehdossa parhaat tulokset saatiin liitäntäalueiden ensimmäisellä parilla.

15

Nyt esillä olevan keksinnön mukaisten antennipiirien valmistuksessa voidaan käyttää erilaisia tekniikan tason mukaisia valmistusmenetelmiä. Mainittakoon myös, että antennipiirissä 1 olevan resonanssipiirin eri osat, kuten kelat 2, säteilijät 6.1,6.2, johtimet 2.4, 2.6 ja liitäntäalueet 3.1,3.2, voidaan valmistaa 20 samassa vaiheessa. Näin ollen ei tarvita mitään ylimääräisiä vaiheita trans-ponderin 5 virityksen mahdollistamiseksi. Komponentti 4 voidaan myös liittää antennipiiriin 1 juottamalla, liimaamalla tai millä tahansa sinänsä tunnetulla sopivalla menetelmällä. Komponentti 4 voidaan myös muodostaa moduuliksi, joka sitten kiinnitetään transponderiin. Tällainen moduuli käsittää esimerkiksi 25 nauhamaisen alustan, johon on järjestetty tarpeelliset sähköiset kytkennät moduulin sirun kytkemiseksi sähköisesti transponderiin. Tällaisesta sirun sisältävästä moduulista voidaan myös käyttää esimerkiksi nimitystä nauha tai nauhamoduuli.

30 Resonanssitaajuus voi vaihdella suuresti. Transponderi 5 voidaan esimerkiksi suunnitella toimimaan 869 MHz järjestelmissä ja 915 MHz järjestelmissä, jotka ovat yleisiä taajuuksia UHF-taajuusalueella. Keksintö soveltuu myös HF-taajuuksille, tyypillisesti 13,56 MHz.

35 Nyt esillä olevalle keksinnölle on useita sovellusalueita. Ei-rajoittavana esimerkkinä sovellusalueista transponderi voidaan valmistaa ns. RFID-sovelluk-sia (Radio Frequency Identification) varten.

9

Nyt esillä oleva keksintö ei rajoitu pelkästään edellä kuvattuihin esimerkkeihin, vaan sitä voidaan muunnella oheisten patenttivaatimusten puitteissa.

5

Claims (14)

1. Menetelmä antennipiirin (1) valmistamiseksi, jossa antennipiiriin muodostetaan resonanssipiirin induktanssi (2), tunnettu siitä, että menetelmässä 5 muodostetaan useita liitäntäalueita (3.1, 3.2) komponentin (4) liittämiseksi antennipiiriin, jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntäalueista (3.1,3.2) on osa resonanssipiiriä, ja että resonanssipiirin induktanssi (2) muodostetaan dipoliantenniksi (2), joka käsittää kaksi säteilijää (6.1, 6.2), joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää (2.4, 2.6), ja muodostetaan mainitut 10 useat liitäntäalueet (3.1, 3.2) komponenttia (4) varten säteilijöiden toisen pään (2.4, 2.6) yhteyteen.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmässä lisäksi käytetään mainittuna komponenttina piisirua. 15

3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmässä lisäksi käytetään mainittuna komponenttina piisirun käsittävää moduulia.

4. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmässä muodostetaan pidennyskeloja (1.1) dipoliantennin säteilijöiden (6.1, 6.2) kytkemiseksi mainittuihin useisiin liitäntäalueisiin sirua varten.

5. Menetelmä antennipiirin (1) virittämiseksi, jossa antennipiirissä on reso nanssipiirin induktanssi (2) ja komponentti (4), joka käsittää komponentti-impedanssin, tunnettu siitä, että resonanssipiirin induktanssi (2) on dipoliantenni (2), joka käsittää kaksi säteilijää (6.1, 6.2), joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää (2.4, 2.6) ja joka antennipiiri (1) käsittää 30 useita liitäntäalueita (3.1,3.2) komponentin (4) kytkemiseksi antennipiiriin (1) ja mainitut useat liitäntäalueet (3.1, 3.2) komponenttia (4) varten ovat säteilijöiden toisen pään (2.4, 2.6) yhteydessä, jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntäalueista (3.1, 3.2) ovat osa resonanssipiiriä, jolloin menetelmässä valitaan ainakin yksi liitäntäalue (3.1, 3.2) komponenttia (4) 35 varten mainituista ainakin kahdesta useiden liitäntäalueiden (3.1, 3.2) joukosta.

6. Antennipiiri, joka käsittää resonanssipiirin antenni-impedanssin, tunnettu siitä, että antennipiiri käsittää lisäksi useita liitäntäalueita (3.1, 3.2) komponentin (4) kytkemiseksi antennipiiriin (1), jolloin komponentti (4) käsittää komponentti-impedanssin, jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntä- 5 alueista ovat osa resonanssipiiriä, ja että resonanssipiirin induktanssi (2) on dipoliantenni (2), joka käsittää kaksi säteilijää (6.1, 6.2), joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää (2.4, 2.6), ja mainitut useat liitäntäalueet (3.1, 3.2) komponenttia (4) varten on muodostettu säteilijöiden toisen pään (2.4, 2.6) yhteyteen. 10

7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen antennipiiri, tunnettu siitä, että antennipiiri käsittää pidennyskeloja (1.1, 1.2), jotka on kytketty toisesta päästä säteilijöiden (6.1, 6.2) toiseen päähän ja toisesta päästä liitäntäalueisiin, ja että liitäntäalueet on kytketty toiseen 15 liitäntäalueeseen johtimella, jolla on impedanssi.

8. Patenttivaatimuksen 6 mukainen antennipiiri, tunnettu siitä, että antennipiiri käsittää säteilijöiden välisen silmukkajohtimen (2.9), ja että liitäntäalueet on muodostettu siten, että kukin liitäntäalue yhdessä 20 silmukkajohtimen kanssa muodostaa silmukan, ja että silmukoiden poikkileikkauspinta-alat eroavat toisistaan.

9. Transponder! (5), joka käsittää resonanssipiirin induktanssin (2) ja komponentin (4), jolla on komponentti-induktanssi, tunnettu siitä, että transpon- 25 deri (5) käsittää lisäksi useita liitäntäalueita (3.1, 3.2) komponentin (4) liittämiseksi transponderiin (5), jolloin ainakin kaksi mainituista useista liitäntä-alueista ovat osa resonanssipiiriä, ja että resonanssipiirin induktanssi (2) on dipoliantenni (2), joka käsittää kaksi säteilijää (6.1, 6.2), joissa on ainakin ensimmäinen pää ja toinen pää (2.4, 2.6), ja mainitut useat liitäntäalueet (3.1, 30 3.2) komponenttia (4) varten on muodostettu säteilijöiden toisen pään (2.4, 2.6) yhteyteen.

10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen transponderi, tunnettu siitä, että komponentti (4) on siru. 35

11. Patenttivaatimuksen 9 mukainen transponderi, tunnettu siitä, että komponentti (4) on sirun käsittävä moduuli.

12. Patenttivaatimuksen 9, 10 tai 11 mukainen transponderi, tunnettu siitä, että transponderi (5) käsittää pidennyskeloja (1.1, 1.2), jotka on kytketty toisesta päästä säteilijöiden (6.1, 6.2) toiseen päähän ja 5 toisesta päästä liitäntäalueisiin, ja että liitäntäalueet on kytketty toiseen liitäntäalueeseen johtimella, jolla on impedanssi.

13. Patenttivaatimuksen 9, 10 tai 11 mukainen transponderi, tunnettu siitä, että transponderi (5) käsittää säteilijöiden välisen silmukka- 10 johtimen (2.9), ja että liitäntäalueet on muodostettu siten, että kukin liitäntäalue yhdessä silmukkajohtimen kanssa muodostaa silmukan, ja että silmukoiden poikkileikkauspinta-alat eroavat toisistaan.

14. Patenttivaatimuksen 9, 10, 11 tai 12 mukainen transponderi, tunnettu 15 siitä, että se käsittää moduulin, joka käsittää sirun (4), ja että moduuli on kiinnitetty transponderiin (5).