KR20070107754A

KR20070107754A - 트랜스폰더 튜닝 방법 및 트랜스폰더

Info

Publication number: KR20070107754A
Application number: KR1020077020646A
Authority: KR
Inventors: 마티 리타마키; 헤이키 아호카스
Original assignee: 유피엠 라플라탁 오이
Priority date: 2005-02-17
Filing date: 2006-02-06
Publication date: 2007-11-07
Also published as: JP2008530931A; EP1851822A4; EP1851822B1; CN101164196A; BRPI0608879B1; FI121521B; US20080316129A1; BRPI0608879A8; JP4871300B2; US7994995B2; FI20050191A0; CN101164196B; EP1851822A1; KR101197746B1; WO2006087423A1; BRPI0608879A2

Abstract

본 발명은 공진 회로의 인덕턴스 및 부품을 임피던스를 포함하는 부품을 포함하는 안테나 회로를 튜닝하는 것에 관한 것이다. 안테나 회로는 안테나 회로에 부품을 연결하기 위한 다수의 연결 영역들을 포함한다. 다수의 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역은 공진 회로의 일부분이다. 튜닝은 다수의 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역 중에서 부품을 위한 적어도 하나의 연결 영역을 선택함으로써 수행될 수 있다.

Description

트랜스폰더 튜닝 방법 및 트랜스폰더{TRANSPONDER TUNING METHOD AND A TRANSPONDER}

본 발명은 안테나 회로에 공진 회로의 인덕턴스를 형성하는 단계를 포함하는 안테나 회로 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 공진 회로의 인덕턴스 및 칩 임피던스를 포함하는 부품(component)을 포함하는 안테나 회로를 튜닝하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 공진 회로의 안테나 임피던스 및 부품 임피던스를 포함하는 부품을 포함하는 안테나 회로에 관한 것이다. 본 발명은 또한 공진 회로의 인덕턴스 및 부품 임피던스를 포함하는 부품을 포함하는 트랜스폰더(transponder)에 관한 것이다.

안테나 회로는 예를 들어, 상이한 애플리케이션들을 위해 트랜스폰더들에서 실행될 수 있다. 트랜스폰더는 일반적으로 안테나 회로를 포함하는 소형 장비이다. 안테나 회로는 일반적으로 공진 회로를 포함하며, 안테나를 포함할 수 있고, 또는 예를 들어, 공진 회로의 코일은 안테나로서 동작한다. 트랜스폰더는 정보가 무선으로 저장/판독될 수 있는 칩을 더 포함할 수 있다. 정보는 칩의 메모리에 저장되거나, 또는 예컨대 요구에 따라 칩의 논리 회로에 의해 생성된다. 에너지는 일반적으로 정보가 저장되거나 또는 칩으로부터 판독되는 판독기에 의해 트랜스폰 더로 외부적으로 제공된다. 에너지는 무선 주파수(RF) 에너지로서 트랜스폰더에 공급된다. 트랜스폰더의 안테나는 에너지를 수신한다. 안테나는 공진 회로의 일부이며, 에너지는 특정 주파수를 가져야만 한다. 트랜스폰더에서, 수신된 에너지는 일반적으로 캐패시터와 같은 에너지 저장부에 저장된다. 저장된 에너지는 공진 회로 및 판독기의 전송 주파수가 서로 가까울 때, 즉, 공진 회로가 판독기의 전송 주파수로 튜닝될 때, 정보의 저장/판독 동작에 충분하다.

트랜스폰더가 이용되는 상이한 시스템들이 존재한다. 그러나, 전송 주파수들은 모든 시스템들에서 동일하지 않다. 따라서, 상이한 시스템들의 트랜스폰더들에서는 상이한 공진 주파수들이 필요하다. 또한, 트랜스폰더들의 제조 공정에서의 허용 오차(tolerance)는 트랜스폰더가 사용을 위해 준비되기 전에 공진 주파수들이 튜닝될 필요가 있도록 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 칩의 입력 임피던스는 상이한 제품 뱃치(batch)들에서 변할 수 있다. 또한, 상이한 제작자들의 칩들의 입력 임피던스들은 너무 커서 상이한 제작자들로부터의 유사한 칩들이 동일한 안테나 회로와 함께 사용될 수 없도록 변경될 수 있다. 또한, 코일/안테나 제조 및 칩 어셈블리 공정들은 트랜스폰더의 공진 주파수에 영향을 미치는 접속 임피던스에서의 변동에 영향을 미칠 수 있다.

트랜스폰더의 공진 주파수에 영향을 미칠 수 있는 다른 요소들이 또한 존재한다. 예를 들어, 트랜스폰더가 하우징내에 배치될 때, 하우징의 재료는 공진 주파수를 변화시킬 수 있다. 또한, 트랜스폰더가 사용될 애프리케이션은 공진 주파수에 영향을 미칠 수 있다. 플라스틱과 같은 몇몇 재료들은 카드보드(cardboard) 와 같은 몇몇 다른 재료들보다 공진 주파수에 더 많은 영향을 미친다. 트랜스폰더가 UHF 영역(Ultra High Frequencies)에서 동작할 때, 공진 주파수는 카드보드 애플리케이션상에서 약 10-20 MHz 또는 플라스틱 애플리케이션상에서 약 50-100 MHz 하강(drop)할 것이다. 동일한 현상이 HF 주파수에서 동작하는 트랜스폰더상에 또한 존재한다.

공진 회로의 코일 임피던스가 코일의 기계적인 변경에 의해 변화되는 몇몇 종래 튜닝 방법들이 존재한다. 예를 들어, 코일은 코일 임피던스를 변경시키도록 차단될 수 있는 다수의 단락 회로들을 가질 수 있다. 따라서, 트랜스폰더가 측정되고, 그것이 공진 상태가 아니라면, 한 단락 회로가 차단된다. 공진 주파수가 다시 측정되고, 필요하다면 또 다른 단락 회로가 차단된다. 이러한 종류의 튜닝 방법은 시간 소모적이며, 추가의 제작 단계를 필요로 한다.

종래 기술의 또 다른 단점은 동일한 안테나 및/또는 코일이 상이한 종류의 시스템들에 사용될 수 없으나, 각각의 시스템이 특정 안테나 및/또는 코일을 필요로 한다는 점이다.

본 발명은 공진 회로, 안테나 회로 및 트랜스폰더의 공진 주파수를 튜닝하기 위한 개선된 방법을 제공한다. 본 발명은 안테나 회로에 칩과 같은 부품을 위한 다중 연결 영역이 제공되어, 부품이 상기 연결 영역으로 조립될 때, 적어도 두 개의 상기 연결 영역들이 상이한 공진 주파수를 초래한다는 발상에 기초한다. 따라서, 안테나 회로에 부품을 연결하기 위한 연결 영역들의 선택은 안테나 회로를 위한 공진 주파수를 선택하기 위하여 사용될 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 본 발명에 따른 제조 방법은 안테나 회로에 부품을 연결하기 위한 다중 연결 영역을 형성하는 단계를 포함하며, 다중 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역이 공진 회로의 일부분인 방법을 주요한 특징으로 한다. 본 발명에 따른 튜닝 방법은 안테나 회로가 안테나 회로에 부품을 연결하기 위한 다중 연결 영역들을 포함하고, 다중 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역이 공진 회로의 일부분인 것을 주요한 특징으로 하며, 상기 방법은 다중 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역 중에 칩을 위한 적어도 하나의 연결 영역을 선택하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 안테나 회로는, 안테나 회로가 안테나 회로에 부품을 연결하기 위한 다중 연결 영역들을 더 포함하고, 부품이 부품 임피던스를 포함하며, 다중 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역이 공진 회로의 일부분인 것을 주요한 특징으로 한다. 본 발명에 따른 트랜스폰더는 안테나 회로가 트랜스폰더에 부품을 연결하기 위한 다중 연결 영역들을 더 포함하고, 다중 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역이 공진 주파수의 일부분인 것을 주요한 특징으로 한다.

본 발명은 종래 방법들, 안테나 회로들 및 트랜스폰더들에 비해 장점을 제공한다. 본 발명에 따른 트랜스폰더들을 제작할 때, 재료들 및 공정이 매우 균일한 품질을 갖기 때문에 제품의 모든 트랜스폰더들의 공진 주파수를 측정할 필요는 없으며, 그들 중 하나 또는 몇 개의 공진 주파수만을 측정하면 된다. 다른 트랜스폰더들이 제품 뱃치의 트랜스폰더들의 하나 또는 몇 개의 샘플들의 측정에 따라 제작된다. 다시 말해, 상기 칩을 위한 연결 영역들이 상기 측정에 따라 선택되고, 동일한 뱃치의 모든 다른 트랜스폰더들은 그에 따라서 제작될 수 있다. 상이한 공진 주파수가 필요할 때, 다른 연결 영역(들)이 칩에 대해 선택된다. 안테나 회로는 칩의 연결 영역의 선택에 의해 달성될 수 있는 최소 공진 주파수와 최대 공진 주파수 간의 차이가 매우 크도록 다수의 연결 영역들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 안테나 회로들이 다수의 상이한 트랜스폰더들에 사용될 수 있다. 따라서, 유사한 안테나 회로들의 더 큰 제작 체적들이 달성될 수 있다. 또한 트랜스폰더들은 그들의 각자의 제품에 트랜스폰더를 사용할 고객들의 요구에 따라 대량 맞춤제작될 수 있다. 언급될 또 다른 장점은 종래 방법에 비해 튜닝이 더욱 간단하다는 것이다.

동일한 안테나 회로는 상이한 기술 칩 부착 라인들에 사용될 수 있다. 고품질 라인들은 더욱 작은 기생(parasitic) 캐패시턴스를 갖는 트랜스폰더들을 제작하며, 이는 공진 주파수를 증가시킬 것이다. 다수의 연결 영역들은 다수의 제품 라인들에서 최적화된 트랜스폰더들을 제작할 수 있다.

하기에서 본 발명은 첨부 도면들을 참조로 하여 보다 상세히 설명될 것이다.

도 1a, 1b 및 1c는 본 발명에 따른 트랜스폰더의 연결 영역 및 인덕턴스에 대한 상이한 예시적인 패턴들을 도시한다.

도 2는 트랜스폰더의 예시적인 일실시예의 공진 회로의 등가 회로를 도시한다.

도 3은 공진 회로의 임피던스에 대한 상이한 연결 영역들의 효과의 측정 결 과값들을 도시한다.

도 1a에는, 부품(4)(도 1a에 점선으로 사각형 표시된)을 위한 연결 영역들(3.1, 3.2)(연결 패드들, 접속 패드들 등과 같은) 및 공진 회로의 코일(2)을 포함하는 안테나 회로(1)의 일실시예가 도시된다. 부품(4)은, 예를 들어, 칩 또는 칩을 포함하는 모듈이다. 하나 이상의 부품 및 복수의 부품들 중 하나 이상에 대한 다중 연결 영역들이 존재할 것임이 명백하다. 안테나 회로(10)는 기판(5.1)상에 형성된다. 이러한 종류의 안테나 회로는 HF 주파수, 즉, 약 3 MHz 내지 30 MHz 사이의, 일반적으로 약 13.56 MHz의 주파수에 대해 특히 적합하다. 코일(2)은 특정 기본 인덕턴스를 달성하기 위하여 다수의 루프들(2.1)을 갖는다. 코일(2)의 제1 단부(2.2)에는, 컨덕터(2.4)에 의해 코일(2)에 연결된 다수의 쇼트 컨덕터(short conductor)들(2.3)이 존재한다. 각각의 컨덕터(2.3)의 다른 단부에, 부품(4)을 위한 연결 영역(3.1)이 존재한다. 이러한 각각의 연결 영역들(3.1) 근처에는, 부품(4)을 위한 다른 연결 영역(3.2)이 존재한다. 이러한 다른 연결 영역들(3.2)은 컨덕터(2.6)에 의해 함께 교대로 전기 접속되는 다른 컨덕터 세트(2.5)의 단부에 형성된다. 이러한 컨덕터(2.6)는 예를 들어, 전선(2.8)에 의해 코일의 다른 단부(2.7)에 연결된다. 부품(4)은 부품(4)을 다른 전자 회로에 연결하기 위한 도선들, 연결 패드들 등과 같은 두 개 이상의 연결 엘리먼트들을 갖는다. 부품(4)이 예를 들어, 트랜스폰더의 연결 영역에 연결 엘리먼트들에서 결합될 때, 부품은 트랜스폰더에 고정되고, 일반적으로 다른 고정 수단은 필요치 않다.

부품(4)은 임의의 인접 연결 영역들(3.1, 3.2)의 쌍에 연결될 수 있다. 부품(4) 내부에는, 일반적으로 정류 다이오드들 및 일반적으로 거기에 존재하는 용량성 입력 임피던스에 영향을 미치는 다른 반도체 부품들(예를 들어, 스위칭 트랜지스터들, 메모리 등, 도 1a에 미도시됨)이 존재한다. 부품(4)을 위한 연결 영역들(3.1, 3.2)은 트랜드폰더(5)에 대해 설계된 공진 주파수에 따라 선택된다. 도 1a의 실시예에서, 최대 공진 주파수는 최단 코일을 형성하는 연결 영역들의 쌍, 즉, 도 1a의 컨덕터들(2.6)의 오른쪽 단부에 있는 연결 영역들에 상기 부품을 결합함으로써 달성될 수 있는데, 이는 이러한 대안에서 코일의 영역이 보다 작아지기 때문이다. 각각, 가장 낮은 공진 주파수는 최단 코일을 형성하는 연결 영역의 쌍, 즉, 도 1a의 연결 영역들의 가장 왼편의 쌍에 부품(4)을 결합함으로써 달성될 수 있는데, 이는 이러한 대안에서 코일의 영역이 보다 커지기 때문이다.

도 1b에는 본 발명에 따른 안테나 회로(1)의 다른 실시예가 도시된다. 이러한 종류의 안테나 회로는 UHF 주파수들, 즉, 300 MHz 이상 3000 MHz까지의 주파수, 일반적으로 약 900 MHz의 주파수에 특히 적합하다. 이러한 실시예에서, 코일(2)은 전기적으로 두 개의 래디에이터들(6.1, 6.2, radiator)을 갖는 2극 안테나와 같다. 2극 안테나의 두 개 래디에이터들(6.1, 6.2) 모두에는, 컨덕터들(2.4, 2.6) 및 컨덕터들(2.4, 2.6)의 상이한 위치에 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)이 존재한다. 연장 코일들(1.1, 1.2)의 다른 단부에서는, 컨덕터들(2.4, 2.6) 및 컨덕터들(2.4, 2.6)의 상이한 위치들에 있는 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)이 존재한다. 연결 영역들(3.1, 3.2)은 도 1a에 개시된 실시예와 유사한 방식으로 부품(4)의 연결 영역 의 선택을 허용한다. 연결 영역의 선택은 2극 안테나 및 부품(4)의 전도성 점(conducting point)들 사이의 캐패시턴스에 의해 주로 형성되는 공진 회로의 인덕턴스에 영향을 미친다.

원칙적으로, 안테나 회로에 대한 인덕턴스에 영향을 미치기 위한 적어도 두 가지 방법이 있다. 하나는 안테나의 조작(전기성) 길이를 변화시키는 것이고, 다른 방법은 안테나 회로의 직렬 인덕턴스를 변화시키는 것이다. 이들 모두를 사용하는 것 또한 가능하다.

도 1c에서, 본 발명에 따른 안테나 회로(1)의 또 다른 실시예가 개시된다. 또한 이러한 종류의 안테나 회로는 UHF 주파수들에도 특히 적합하다. 코일 또는 안테나(1)는 전기적으로 두 개의 래디에이터들(6.1, 6.2)을 갖는 2극 안테나와 같다. 래디에이터들(6.1, 6.2)의 한 단부에는 컨덕터들(2.4, 2.6) 및 컨덕터들(2.4, 2.6)의 상이한 위치들에 있는 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)이 존재한다. 연결 영역들(3.1, 3.2)은 도 1a 및 1b에 개시된 실시예들과 유사한 방식으로 부품(4)에 대한 연결 영역의 선택을 허용한다. 연결 영역의 선택은 선택된 연결 영역들(3.1, 3.2), 컨덕터들(2.4, 2.6), 및 루프 컨덕터(2.9)에 의해 형성된 루프의 영역에 영향을 미친다. 이에 따라, 공진 회로의 인덕턴스는 또한 부품(4)에 대한 연결 영역들(3.1, 3.2)의 선택에 따라 변경된다.

도 2는 본 발명에 따른 도 1b의 안테나 회로(1)의 일실시예의 등가 회로를 도시한다. 래디에이터들(6.1, 6.2) 및 연장된 코일들(1.1, 1.2)로 구성되는 인덕턴스들(L1, L2)이 존재한다. 또한 도 2에서 저항들(R1, R2)로 표시되는 코일들, 컨덕터들 및 래디에이터들에 얼마간의 저항이 존재한다. 저항들은 그 중에서도 특히 손실 저항 및 방사 저항으로 구성된다. 두 개의 연결 영역들(3.1, 3.2)을 연결하는 각각의 컨덕터들은 또한 얼마간의 인덕턴스(L3―L8)를 갖는다. 부품(4)은 얼마간의 용량성 입력 임피던스(R, C)을 가지며, 이는 트랜스폰더 회로의 동작에 영향을 미친다. 에너지 발생기(7)는 판독기 또는 트랜스폰더에 대한 RF 에너지를 생성하는 몇몇 다른 디바이스를 나타낸다. 발생기(7)는 도 2의 안테나에 연결되는 것으로 도시되나, 발생기(7)는 일반적인 동작시 트랜스폰더(5)에 연결되지 않고, 에너지는 발생기로부터 트랜스폰더(5)로 방출된다.

부품이 조립되는 연결 점들의 선택의 영향은 예컨대, 수학적으로 다음의 방정식으로 표현될 수 있다:

상기 방정식에서, fc라는 용어는 공진 주파수를 나타내고, C는 부품의 입력 임피던스의 용량을 나타내고,

라는 용어는 래디에이터의 인덕턴스를 나타내며,

라는 용어는 부품(4)을 안테나 회로(1)에 연결하기 위하여 선택되는 연결 점들의 인덕턴스들의 합을 나타낸다.

도 3은 본 발명의 예시적인 일실시예의 몇몇 측정 결과값들을 도시한다. 도 3에서, 곡선(301)은 안테나 회로가 무저항 상태(free air)에 있을 때, 즉, 안테나 회로가 애플리케이션 재료에 부착되지 않을 때, 제1 주파수 영역(869 MHz)에서의 선택된 연결 점들(IC 위치)에 따라 표준화된 성능을 나타낸다. 이러한 비제한적인 실시예에서, 5개의 선택가능한 위치들이 측정된다. 본 실시예에서, 부품이 연결 영역들의 5번째 쌍에 연결될 때 최상의 결과값들이 달성된다는 것을 볼 수 있다. 곡선(302)은 안테나 회로가 플라스틱 판에 의해 커버될 때 제1 주파수 영역(869 MHz)에서 선택된 연결 점들에 따른 표준화된 성능을 나타낸다. 본 대안에서, 부품이 연결 영역들의 제1 쌍에 연결될 때 최상의 결과값들이 달성된다. 곡선(303)은 안테나 회로가 무저항 상태에 있을 때 제2 주파수 영역(902 MHz-928 MHz)에서 선택된 연결 점들에 따른 표준화된 성능을 나타낸다. 이러한 대안에서 연결 영역들의 제3 쌍은 최상의 결과값을 얻어낸다. 곡선(304)은 안테나 회로가 플라스틱 판에 의해 커버될 때 제2 주파수 영역(902 MHz-928 MHz)에서 선택된 연결 점들에 따른 표준화된 성능을 나타낸다. 본 대안에서 연결 영역들의 제1 쌍은 최상의 결과값들을 얻어낸다.

종래의 다수의 제작 방법들이 본 발명의 안테나 회로를 제작하는데 사용될 수 있다. 코일들(2), 래디에이터들(6.1, 6.2), 컨덕터들(2.4, 2.6), 연결 영역들(3.1, 3.2)과 같은 안테나 회로(1)상의 공진 회로의 상이한 부분들이 동일한 위상(phase)에서 제작될 수 있음이 또한 언급되어야 할 것이다. 따라서, 트랜스폰더(5)에 대한 튜닝 가능성을 제공하기 위하여 추가적인 단계들이 필요치 않다. 부품(4)은 또한 납땜, 접착제 또는 임의의 적절한 공지된 방법을 사용하여 안테나 회로(1)에 결합될 수 있다. 부품(4)은 또한 그 후 트랜스폰더에 접착되는 모듈로서 형성될 수 있다. 모듈은 예를 들어, 모듈의 칩을 트랜스폰더에 전기적으로 연결하 기 위한 필수적인 전기 연결부가 배열되는 스트랩(strap) 형태인 기판을 포함한다. 칩을 포함하는 이러한 종류의 모듈은 예를 들어, 스트랩 또는 스트랩 모듈로 불릴 수 있다.

공진 주파수는 크게 변경될 수 있다. 예를 들어, 트랜스폰더(5)는 UHF 주파수 영역에서 공통 주파수들인 869 MHz 시스템 및 915 MHz 시스템에서 동작하도록 설계될 수 있다. 본 발명은 또한 HF 주파수들, 일반적으로 13.56 MHz에서 적용가능하다.

본 발명에 대한 많은 애플리케이션 영역들에 존재한다. 애플리케이션 영역들의 비제한적인 실시예로서, 트랜스폰더는 소위 RFID 애플리케이션들(Radio Frequency Identification)에 대해 만들어질 수 있다.

본 발명은 상기 개시된 실시예들로 제한되지 않을 뿐만 아니라, 첨부된 청구항들의 범위 내에서 변경될 수도 있다.

Claims

안테나 회로에 공진 회로의 인덕턴스(2)를 형성하는 단계를 포함하는 안테나 회로(1) 제조 방법으로서,

상기 방법은, 상기 안테나 회로에 부품을 연결하기 위한 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2) 중 적어도 두 개의 영역은 상기 공진 회로의 일부인, 안테나 회로 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 부품으로서 칩을 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 회로 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 부품으로서 칩을 포함하는 모듈을 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 회로 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 공진 회로에 적어도 제1 단부(2.2) 및 제2 단부(2.7)를 포함하는 코일(2)을 형성하는 단계; 및

상기 코일의 상기 제2 단부(2.7)에서 상기 칩(4)을 위한 상기 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 회로 제조 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

안테나 회로에 두 개의 래디에이터들(6.1, 6.2)을 포함하는 2극 안테나를 형성하는 단계; 및

상기 칩을 위한 상기 다수의 연결 영역들과 상기 2극의 상기 래디에이터들(6.1, 6.2)을 연결하는 연장 코일들(1.1)을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 회로 제조 방법.
공진 회로의 인덕턴스(2) 및 부품 임피던스를 포함하는 부품(4)을 포함하는 안테나 회로(10)를 튜닝하기 위한 방법으로서,

상기 안테나 회로(1)는 상기 안테나 회로(1)에 상기 부품(4)을 연결하기 위하여 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)을 포함하고, 상기 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2) 중 적어도 두 개 영역은 상기 공진 회로의 일부이며,

상기 방법은, 상기 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2) 중 상기 적어도 두 개 영역 중에서 상기 부품(4)을 위한 적어도 하나의 연결 영역(3.1, 3.2)을 선택하는 단계

를 포함하는 안테나 회로 튜닝 방법.
공진 회로의 안테나 임피던스를 포함하는 안테나 회로로서,

상기 안테나 회로는 상기 안테나 회로(1)에 부품(4)을 연결하기 위한 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)을 더 포함하고, 상기 부품(4)은 부품 임피던스를 포함하며, 상기 다수의 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역은 상기 공진 회로의 일부인, 안테나 회로.
제7항에 있어서,

상기 안테나 회로는 래디에이터들(6.1, 6.2), 한쪽 단부에서는 상기 래디에이터들(6.1, 6.2)과 연결되고, 다른쪽 단부에서는 상기 연결 영역들 중 한 영역에 연결되는 연장 코일들(1.1, 1.2)을 포함하며,

상기 연결 영역들은 임피던스를 갖는 컨덕터에 의해 다른 연결 영역에 연결되는 것을 특징으로 하는 안테나 회로.
제7항에 있어서,

상기 안테나 회로는 한쪽 단부에서는 상기 연결 영역들에 연결되는 래디에이터들(6.1, 6.2), 상기 래디에이터들 사이의 루프 컨덕터(2.9)를 포함하고,

상기 연결 영역들은 상기 루프 컨덕터와 함께 각각의 연결 영역이 루프를 형성하고, 상기 루프들의 단면적이 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나 회로.
공진 회로의 인덕턴스(2) 및 부품 임피던스를 포함하는 부품(4)을 포함하는 트랜스폰더(5)로서,

상기 트랜스폰더(5)는 상기 부품(4)을 상기 트랜스폰더(5)에 연결하기 위한 다수의 연결 영역들(3.1, 3.2)을 더 포함하고, 상기 다수의 연결 영역들 중 적어도 두 개 영역은 상기 공진 회로의 일부인, 트랜스폰더.
제10항에 있어서,

상기 부품(4)은 칩인 것을 특징으로 하는 안테나 회로.
제10항에 있어서,

상기 부품(4)은 칩을 포함하는 모듈인 것을 특징으로 하는 안테나 회로.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 트랜스폰더(5)는 래디에이터들(6.1, 6.2), 한쪽 단부에서는 상기 래디에이터들(6.1, 6.2)과 연결되고, 다른 쪽 단부에서는 상기 연결 영역들 중 한 영역에 연결되는 연장 코일들(1.1, 1.2)을 포함하고,

상기 연결 영역들은 임피던스를 갖는 컨덕터에 의해 다른 연결 영역에 연결되는 것을 특징으로 하는 트랜스폰더.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 트랜스폰더(5)는 한쪽 단부에서는 상기 연결 영역들에 연결되는 래디에이터들(6.1, 6.2), 상기 래디에이터들 사이의 루프 컨덕터(2.9)를 포함하고, 상기 연결 영역들은 상기 루프 컨덕터와 함께 각각의 상기 연결 영역이 루프를 형성하고, 상기 루프들의 단면적이 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜스폰더.
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,

칩(4)을 포함하는 모듈을 포함하며, 상기 모듈은 상기 트랜스폰더(5)에 부착되는 것을 특징으로 하는 트랜스폰더.