FI120544B - HVPE-reaktorijärjestely - Google Patents

HVPE-reaktorijärjestely Download PDF

Info

Publication number
FI120544B
FI120544B FI20075902A FI20075902A FI120544B FI 120544 B FI120544 B FI 120544B FI 20075902 A FI20075902 A FI 20075902A FI 20075902 A FI20075902 A FI 20075902A FI 120544 B FI120544 B FI 120544B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
pump
reaction chamber
reactor arrangement
hvpe
reactor
Prior art date
Application number
FI20075902A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20075902A (fi
FI20075902A0 (fi
Inventor
Maxim A Odnoblyudov
Vladislav E Bougrov
Vladimir Nikolaev
Arthur Cherenkov
Original Assignee
Optogan Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optogan Oy filed Critical Optogan Oy
Publication of FI20075902A0 publication Critical patent/FI20075902A0/fi
Priority to FI20075902A priority Critical patent/FI120544B/fi
Priority to KR1020107014260A priority patent/KR20100100910A/ko
Priority to US12/747,587 priority patent/US20100275843A1/en
Priority to EP08859678A priority patent/EP2231897A4/en
Priority to JP2010537482A priority patent/JP2011506765A/ja
Priority to CN2008801203646A priority patent/CN101896639B/zh
Priority to PCT/FI2008/050728 priority patent/WO2009074720A1/en
Priority to RU2010128094/02A priority patent/RU2484177C2/ru
Priority to TW097148364A priority patent/TW200937500A/zh
Publication of FI20075902A publication Critical patent/FI20075902A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI120544B publication Critical patent/FI120544B/fi
Priority to HK11105119.2A priority patent/HK1151072A1/xx

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04CROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04C19/00Rotary-piston pumps with fluid ring or the like, specially adapted for elastic fluids
    • F04C19/004Details concerning the operating liquid, e.g. nature, separation, cooling, cleaning, control of the supply
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04CROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04C29/00Component parts, details or accessories of pumps or pumping installations, not provided for in groups F04C18/00 - F04C28/00
    • F04C29/0092Removing solid or liquid contaminants from the gas under pumping, e.g. by filtering or deposition; Purging; Scrubbing; Cleaning
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04CROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04C2280/00Arrangements for preventing or removing deposits or corrosion
    • F04C2280/02Preventing solid deposits in pumps, e.g. in vacuum pumps with chemical vapour deposition [CVD] processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

HVPE-REAKTORIJÄRJESTELY KEKSINNÖN ALA
Esillä oleva keksintö koskee alennetussa paineessa toimivia hydridikaasufaasiepitaksia (Hydride 5 Vapor Phase Epitaxy, HVPE) -reaktoreita, joita käytetään esimerkiksi GaN-pohjaisten puolijohdesubstraattien ja -komponenttien epitaksiaaliseen kasvatukseen. Erityisesti esillä oleva keksintö koskee järjestelmää reaktiokammion 10 tyhjentämiseksi.
KEKSINNÖN TAUSTA
Olemassa olevissa HVPE-reaktoreissa, jotka on tarkoitettu GaN-kasvatukseen, eräänä tyypillisenä ja 15 vakavana ongelmana on eri materiaalien, etenkin NH4Cl:n ja GaCl3:n, korkea parasiittisen kasvun määrä reaktorin sisäpinnoilla erityisesti prosessikaasujen poistoaukon lähellä ja sen jälkeen. Tämän seurauksena jotkut reaktorit tukkeutuvat jopa muutaman tunnin 20 toiminnan jälkeen. Tukkeutumisongelma koskee koko poistojärjestelmää, mutta erityisesti tyhjennyspumppua. Mainitut kiinteät yhdisteet tekevät normaalien tavanomaisten tyhjöpumppujen käytön reaktorin paineen alentamisessa erittäin vaikeaksi. 25 Tämä edellyttää erikoistuneita järjestelmiä, jotka puolestaan aiheuttavat korkeita kustannuksia. Eräs tunnettu ratkaisu, jolla pyritään välttämään pumpun tukkeutuminen, on suuren lauhdutuskammion (condensing chamber) asentaminen ennen pumppua. Lauhdutuskammio 30 toimii erottimena jäännöskaasuille, joista suuri määrä keräytyy lauhdutuskammion seinämille. Tämä ratkaisu kuitenkin luonnollisesti vain lykkää tukkeutumista ratkaisematta kuitenkaan ensisijaista ongelmaa.
Näin ollen on olemassa tarve tehokkaalle, 35 edullisesti kustannuksiltaan alhaiselle 2 tyhjennysjärjestelmälle, joka mahdollistaa HVPE-reaktorin jatkuvan toiminnan ilman kaasunpoistojärjestelmän tukkeutumisen aiheuttamia keskeytyksiä.
5 Esimerkkejä ehdotetuista ratkaisuista esitetään julkaisuissa JP 6342785 A ja US 6221164 B1. Ratkaisut käsittävät välineitä puhdistavien aineiden tuomiseksi pumppuun.
10 KEKSINNÖN TARKOITUS
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on aikaansaada tehokas, edullisesti kustannuksiltaan alhainen tyhjennysjärjestelmä HVPE-reaktoreille, joka tyhjennysjärjestelmä mahdollistaa reaktorin jatkuvan 15 toiminnan ilman kaasunpoistojärjestelmän tukkeutumisen aiheuttamia keskeytyksiä parasiittisen kasvun vuoksi.
KEKSINNÖN YHTEENVETO
Esillä olevalle keksinnölle on tunnusomaista 20 se, mitä on esitetty patenttivaatimuksessa 1.
Esillä olevan keksinnön HVPE- reaktorijärjestely käsittää reaktiokammion, kaasun tuloaukon prosessikaasujen tuomiseksi reaktiokammioon, jäännöskaasun poistoaukon ja pumpun jäännöskaasujen 25 tyhjentämiseksi reaktiokammiosta jäännöskaasun poistoaukon kautta, joka pumppu kykenee luomaan ja ylläpitämään reaktiokammiossa paineen, joka on pienempi tai yhtä suuri kuin noin 100 mbar. Edelleen järjestely käsittää välineet liuotusnesteen 30 syöttämiseksi pumppuun jäännöskaasujen aineiden mahdollisen parasiittisen kasvun liuottamiseksi pumpun sisäpinnoilta.
Näin ollen esillä olevan keksinnön eräänä keskeisenä ominaisuutena on mainitut välineet 35 liuotusnesteen syöttämiseksi pumppuun, jotka mahdollistavat kiinteän parasiittikasvun liuottamisen 3 ja sen huuhtelemisen pois pumpusta ja seuraavista poistokanavista. Pumpun puhdistaminen tällä tavoin voidaan suorittaa sekä prosessointijaksojen välissä että myös prosessiajojen aikana. Siinä tapauksessa, 5 että liuotusnestettä syötetään reaktorilaitteiston toiminnan aikana, voi liuotusnesteellä olla myös toinen tärkeä tehtävä sen liuottaessa jäännöskaasuja jo ennen pumppua, jolloin estetään niiden kerrostuminen tai tiivistyminen pumpun pinnoille.
10 Molemmat mainitut mekanismit suojaavat pumppua tukkeutumiselta mahdollistaen näin reaktorin pitkäkestoisen toiminnan keskeytyksettä. Tämä merkitsee huomattavaa etua verrattuna sellaisiin tunnetun tekniikan mukaisiin järjestelmiin, joissa 15 käytetään kalliita, mutta kuitenkin helposti tukkeutuvia ja vahingoittuvia tyhjiöpumppuja.
Esillä olevan keksinnön mukaisessa järjestelyssä käytettävä pumppu voi olla mitä tahansa tyyppiä, joka kykenee aikaansaamaan mainitun tyhjön ja 20 joka myös kykenee siirtämään kaasujen lisäksi nestettä ja höyryä. Mahdollisia pumpputyyppejä ovat esimerkiksi nesterengaspumput, kalvopumput ja mäntäannostuspumput. Esimerkiksi teollisesta keraamisesta materiaalista valmistettu nesterengastyhjöpumppu voisi olla hyvä 25 valinta. Mäntäannostuspumppu on pumppu, joka perustuu männän sykliseen edestakaiseen toimintaan.
Mäntäannostuspumppu ottaa yleensä männän liikkuessa yhteen suuntaan sisäänsä tietyn nestemäärän ja työntää sen ulos männän liikkuessa vastakkaiseen suuntaan. 30 Näin toiminnan voidaan sanoa olevan sykäyksittäistä jatkuvan nestesiirron sijaan.
Mäntäannostuspumpputyypin tapauksessa järjestelyssä on edullisesti vähintään kaksi pumppua, joita käytetään epäsynkronisesti pumpun sykäystyyppisestä toiminnasta 35 johtuvien paineen vaihtelujen minimoimiseksi.
4
Keksinnön mukaisesti välineet liuotusnesteen syöttämiseksi pumppuun käsittävät liuotusnestesäiliön, joka on virtausyhteydessä sekä pumpun sisäänottoaukon että poistoaukon kanssa muodostaen näin liuotusnesteen 5 kierrätysreitin, mikä mahdollistaa liuotusnesteen pidempiaikaisen käytön. Virtausyhteyttä ohjataan edullisesti venttiilillä. Järjestelyssä on edullisesti myös toinen liuotusnestesäiliö, joka toimii lisäsäiliönä puhtaan nesteen lisäämiseksi 10 nestekiertoon tarvittaessa.
Edullisesti esillä olevan keksinnön reaktorijärjestely käsittää myös toisen jäännöskaasun poistoaukon, jonka jälkeen on sijoitettu etyleeni-glykoli-pesupullo, jotka yhdessä toimivat 15 vaihtoehtoisena jäännöskaasun tyhjennysreittinä jäännöskaasujen tyhjentämiseksi esim. reaktorin puhdistamisen aikana ja muissa tilanteissa, joissa pumppu ei ole käytössä. Ammoniumkloridin ja muiden jätetuotteiden vesiliuos voi olla erittäin 20 vahingollista reaktorin osille, ja näiden liuosten höyryn takaisinvirtaus vähäisten prosessikaasuvirtausten aikana voi myös vaikuttaa kasvuprosessiin negatiivisesti. Etyleeni-glykoli-pesupullo toimii venttiilin tavoin estäen mainitun 25 takaisinvirtauksen.
KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN SELOSTUS
Seuraavaksi esillä olevaa keksintöä kuvataan yksityiskohtaisemmin viitaten oheiseen kuvaan 1, joka 30 on kaaviokuva esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesta HVPE-reaktorijärjestelystä.
Kuvan 1 reaktorijärjestely käsittää reaktiokammion 1 ja prosessikaasun tuloaukon 2 prosessikaasujen tuomiseksi kammioon.
35 Yksinkertaisuuden vuoksi kuvassa 1 on esitetty vain yksi prosessikaasun tuloaukko. Luonnollisesti 5 todellisissa laitteistoissa niitä on yleensä useita. Kammion läpi virranneiden prosessikaasujäännösten tyhjentämiseksi järjestelyssä on jäännöskaasun poistoaukko 3, jonka jälkeen on sijoitettu kokoonpano, 5 joka käsittää pumpun 4, jonka sisäänottoaukko on järjestetty virtausyhteyteen reaktiokammion kanssa jäännöskaasun poistoaukon kautta. Kokoonpanossa pumpun ja jäännöskaasun poistoaukon välissä on ensimmäinen kaksitieventtiili VI, jota käytetään reaktiokammion ja 10 pumpun välisen virtausyhteyden ohjaamiseen.
Ensimmäiseen kaksitieventtiiliin on myös yhdistetty inertin kaasun linja 5 typen tai muun inertin kaasun syöttämiseksi pumppuun sen toimintajaksojen välissä pumppulinjan eli pumpun ja/tai siihen tulevien ja 15 siitä lähtevien kanavien puhdistamiseksi ja kuivaamiseksi. Edelleen liitettynä virtausyhteyteen pumpun sisäänottoaukon kanssa toisen venttiilin V2 kautta on tislatun veden säiliö 6 tislatun veden varastoimiseksi ja syöttämiseksi pumppuun 20 jäännöskaasuista peräisin olevien materiaalien, joita on kertynyt pumpun sisäpinnoille parasiittikasvun vuoksi, liuottamiseksi ja huuhtelemiseksi pois pumpusta. Pumpun poistoaukko avautuu vesisäiliöön 7, joka vuorostaan on liitetty takaisin pumpun 25 sisäänottoaukkoon kolmannen venttiilin V3 kautta. Näin pumpun ja vesisäiliön 7 läpi kulkee veden kierrätysreitti. Vesisäiliöön 7 on yhdistetty myös neljäs venttiili V4 säiliöstä ulos virtaavan veden ohj aamiseksi.
30 Vaihtoehtoisena jäännöskaasun tyhjennysreittinä on toinen jäännöskaasun poistoaukko 8, jonka jälkeen on sijoitettu viides venttiili V5, etyleeni-glykoli-pesupullo 9 ja kuudes venttiili V6. Tätä vaihtoehtoista jäännöskaasun tyhjennysreittiä 35 voidaan käyttää esim. reaktorin puhdistusjaksojen aikana tai olosuhteissa, joissa paine on ilmanpainetta 6 korkeampi. Etyleeni-glykoli-pesupullo estää kemiallisesti aggressiivisten yhdisteiden takaisinvirtauksen kammioon. Lopuksi nämä kaksi jäännöskaasun tyhjennysreittiä kohtaavat avautuen 5 yhteiseen poistoputkeen 10 jäännöskaasujen kuljettamiseksi pesuriin (ei esitetty kuvassa 1).
Seuraavassa kuvataan lyhyesti kuvan 1 reaktorijärjestelyn toimintaa. Normaalissa prosessitoiminnassa jäännöskaasut tyhjennetään 10 jäännöskaasun poistoaukosta 3. Viides ja kuudes venttiili V5, V6 ovat suljettuja, kun taas ensimmäinen venttiili VI on auki. Reaktiokammion tyhjentämiseen käytetään pumppua 4. Kolmatta venttiiliä V3 käytetään ohjaamaan vedensyöttöä vesisäiliöstä 7 pumppuun pumpun 15 puhdistamiseksi liuottamalla ja huuhtelemalla pois parasiittikasvu pumpun sisäpinnoilta. Pumpun jälkeen vesi palaa vesisäiliöön 7, josta kontaminoitunut vesi voidaan poistaa neljännen venttiilin V4 kautta. Puhdasta tislattua vettä voidaan lisätä vesikiertoon 20 tislatun veden säiliöstä 6 toisen venttiilin V2 kautta. Pumppu voidaan puhdistaa prosessin aikana sekä prosessijaksojen välissä.
On tärkeää huomata, että vesi liuotusnesteenä on vain eräs yksinkertainen esimerkki. Luonnollisesti, 25 kuten alan asiantuntijalle on selvää, puhtaan veden sijasta voidaan käyttää mitä tahansa muuta sopivaa nestettä tai sopivan aineen vesiliuosta. Esimerkiksi HC1, ammoniakkikaasut ja ammoniumkloridi voidaan liuottaa tehokkaammin joillakin alkoholeilla kuin 30 vedellä.
Kun reaktoria puhdistetaan prosessiajojen välissä, ja muissa tilanteissa, joissa pumput eivät ole käytössä, ensimmäinen venttiili VI on suljettu reaktiokammiota vastaan ja viides ja kuudes venttiili 7 V5, V6 ovat auki. Näin jäännöskaasut virtaavat tällöin toisen jäännöskaasun poistoaukon 8 ja etyleeni-glykoli-pesupullon 9 läpi. Tällöin pumppu 4 voidaan kuivata esim. typpivirtauksella 5 kaksitieventtiilin VI läpi.
Alan asiantuntijalle on selvää, että esillä olevaa keksintöä ei rajata edellä kuvattuun esimerkkiin. Esillä olevan keksinnön suoritusmuodot voivat sen sijaan vaihdella vapaasti 10 patenttivaatimusten puitteissa.

Claims (2)

1. Hydridikaasufaasiepitaksian (HVPE) reaktorijärjestely, joka käsittää reaktiokammion (1), 5 kaasun tuloaukon (2) prosessikaasujen tuomiseksi reaktiokammioon, jäännöskaasun poistoaukon (3) ja pumpun (4) jäännöskaasujen tyhjentämiseksi reaktiokammiosta jäännöskaasun poistoaukon kautta, joka pumppu kykenee luomaan ja ylläpitämään 10 reaktiokammiossa paineen, joka on pienempi tai yhtä suuri kuin noin 100 mbar, sekä välineet (6, 7, V2, V3) liuotusnesteen syöttämiseksi pumppuun jäännöskaasujen aineiden mahdollisen parasiittisen kasvun liuottamiseksi pumpun sisäpinnoilta, tunnettu 15 siitä, että mainitut välineet käsittävät liuotusnesteen säiliön (7), joka on virtausyhteydessä sekä pumpun (4) sisäänottoaukon että poistoaukon kanssa muodostaen näin liuotusnesteen kierron.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen HVPE- 20 reaktori j ärj estely, tunnettu siitä, että reaktorijärjestely käsittää toisen jäännöskaasun poistoaukon (8), jonka jälkeen on sijoitettu etyleeni-glykoli-pesupullo (9), jotka toimivat vaihtoehtoisena jäännöskaasun tyhjennysreittinä jäännöskaasujen 25 tyhjentämiseksi esim. reaktorin puhdistamisen aikana.
FI20075902A 2007-12-13 2007-12-13 HVPE-reaktorijärjestely FI120544B (fi)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20075902A FI120544B (fi) 2007-12-13 2007-12-13 HVPE-reaktorijärjestely
JP2010537482A JP2011506765A (ja) 2007-12-13 2008-12-11 Hvpeリアクターの構成
US12/747,587 US20100275843A1 (en) 2007-12-13 2008-12-11 hvpe reactor arrangement
EP08859678A EP2231897A4 (en) 2007-12-13 2008-12-11 HVPE REACTOR ARRANGEMENT
KR1020107014260A KR20100100910A (ko) 2007-12-13 2008-12-11 Hvpe 반응기 장치
CN2008801203646A CN101896639B (zh) 2007-12-13 2008-12-11 Hvpe反应器装置
PCT/FI2008/050728 WO2009074720A1 (en) 2007-12-13 2008-12-11 An hvpe reactor arrangement
RU2010128094/02A RU2484177C2 (ru) 2007-12-13 2008-12-11 Реакторная установка для эпитаксиального выращивания гибридов в паровой фазе
TW097148364A TW200937500A (en) 2007-12-13 2008-12-12 An HVPE reactor arrangement
HK11105119.2A HK1151072A1 (en) 2007-12-13 2011-05-23 An hvpe reactor arrangement hvpe

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20075902A FI120544B (fi) 2007-12-13 2007-12-13 HVPE-reaktorijärjestely
FI20075902 2007-12-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20075902A0 FI20075902A0 (fi) 2007-12-13
FI20075902A FI20075902A (fi) 2009-06-14
FI120544B true FI120544B (fi) 2009-11-30

Family

ID=38951597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20075902A FI120544B (fi) 2007-12-13 2007-12-13 HVPE-reaktorijärjestely

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20100275843A1 (fi)
EP (1) EP2231897A4 (fi)
JP (1) JP2011506765A (fi)
KR (1) KR20100100910A (fi)
CN (1) CN101896639B (fi)
FI (1) FI120544B (fi)
HK (1) HK1151072A1 (fi)
RU (1) RU2484177C2 (fi)
TW (1) TW200937500A (fi)
WO (1) WO2009074720A1 (fi)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102383106B (zh) * 2010-09-03 2013-12-25 甘志银 快速清除残余反应气体的金属有机物化学气相沉积反应腔体
CN106367733B (zh) * 2015-07-24 2019-02-22 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种清除hvpe设备管道尾气沉积物的装置及方法
CN113186511B (zh) * 2020-12-06 2022-12-13 无锡英诺赛思科技有限公司 一种可量产氮化镓的全立式hpve设备
CN113521953B (zh) * 2021-07-21 2023-06-02 苏州纳维科技有限公司 尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及hvpe反应器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1092208A1 (ru) * 1982-04-16 1984-05-15 Предприятие П/Я В-8061 Устройство дл нанесени покрытий из паровой (газовой) фазы
JPH05154334A (ja) * 1991-12-11 1993-06-22 Fujitsu Ltd 半導体製造装置の排気ポンプシステム
JP3013652B2 (ja) * 1993-06-01 2000-02-28 富士通株式会社 排気装置とその清浄化方法
JPH08296800A (ja) * 1994-12-30 1996-11-12 L'air Liquide 腐蝕を最少に止める超高純度ガスの分配方法
JPH10195659A (ja) * 1996-11-14 1998-07-28 Toshiba Corp 薄膜の製造方法及び製造装置
JP2922181B1 (ja) * 1998-01-26 1999-07-19 株式会社宇野澤組鐵工所 粉体捕集機能を有する真空ポンプ装置
US20070119816A1 (en) * 1998-04-16 2007-05-31 Urquhart Karl J Systems and methods for reclaiming process fluids in a processing environment
US6290774B1 (en) * 1999-05-07 2001-09-18 Cbl Technology, Inc. Sequential hydride vapor phase epitaxy
US6221164B1 (en) * 2000-01-25 2001-04-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method of in-situ cleaning for LPCVD teos pump
JP2002217118A (ja) * 2001-01-22 2002-08-02 Japan Pionics Co Ltd 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備
US6806144B2 (en) * 2002-08-13 2004-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for improved gate oxide uniformity with reducing system contaminants
EP1552152B1 (en) * 2002-10-14 2013-03-20 Edwards Limited Rotary piston vacuum pump with washing installation
JP4417056B2 (ja) * 2003-08-28 2010-02-17 株式会社荏原製作所 結晶の回収及び移送装置
US8047817B2 (en) * 2003-09-23 2011-11-01 Edwards Limited Cleaning method of a rotary piston vacuum pump
DE102004063058A1 (de) * 2004-12-22 2006-07-13 Leybold Vacuum Gmbh Verfahren zum Reinigen einer Vakuum-Schraubenpumpe
GB0525136D0 (en) * 2005-12-09 2006-01-18 Boc Group Plc Method of inhibiting a deflagration in a vacuum pump
KR101213689B1 (ko) * 2006-06-12 2012-12-18 주식회사 테라텍 반도체 및 lcd 제조장치의 공정 반응 챔버의 배기부 및진공펌프의 세정장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100100910A (ko) 2010-09-15
WO2009074720A1 (en) 2009-06-18
RU2010128094A (ru) 2012-01-20
CN101896639B (zh) 2012-04-18
FI20075902A (fi) 2009-06-14
RU2484177C2 (ru) 2013-06-10
FI20075902A0 (fi) 2007-12-13
HK1151072A1 (en) 2012-01-20
CN101896639A (zh) 2010-11-24
EP2231897A4 (en) 2012-12-05
TW200937500A (en) 2009-09-01
JP2011506765A (ja) 2011-03-03
US20100275843A1 (en) 2010-11-04
EP2231897A1 (en) 2010-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI120544B (fi) HVPE-reaktorijärjestely
EP1448319B1 (en) Source liquid supply apparatus having a cleaning function
KR102260100B1 (ko) Scr 촉매 컨버터의 환원제 이송 시스템의 완전 배출 방법
KR20110084519A (ko) 진공 펌프 세정 방법
CN104066989A (zh) 用于排空腔室并净化从所述腔室抽取的气体的装置和方法
WO2003030219A2 (en) High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates
JP4913643B2 (ja) タンク洗浄システム
JP2002336677A (ja) 洗浄機能を有する原料液供給装置
JP3577580B2 (ja) 空気駆動式液体供給装置
CN211227272U (zh) 液体转移装置及贵金属提纯装置
US20060191636A1 (en) Valve assembly, semiconductor device manufacturing apparatus comprising the same, and method of cleaning a trap of a semiconductor device manufactuing apparatus
KR102156486B1 (ko) 세정액 카트리지 및 그 세정액 카트리지를 사용한 세정 방법
CN117926220A (zh) 去除气体管线内的沉积后残余的前驱物的设备和方法
JP2002195161A (ja) ポンプ構造
JP4347787B2 (ja) 基板処理装置
JP5999904B2 (ja) バルブ一体型エジェクタ
KR100313601B1 (ko) 반도체 제조용 공정가스 공급장치
KR200241406Y1 (ko) 반도체웨이퍼의 린스장치
JP2001193664A (ja) 反応性液体送液装置
EP1139389A1 (en) Arrangement for etching a semiconductor substrate and method for cleaning a filter in the arrangement
KR20000025272A (ko) 반도체소자 제조용 가스공급시스템
JPH07257692A (ja) 液体連続移送方法及びその装置
JP2006156672A (ja) 基板処理装置
JP2000178742A (ja) Cvd成膜装置
KR19990041140U (ko) 반도체 장비

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 120544

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed