CN113186511B - 一种可量产氮化镓的全立式hpve设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,具体涉及氮化镓生产技术领域,包括支腿和外壳体,所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿,所述外壳体的内部设置有内壳体,所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽,所述外壳体的一端设置有盖板,所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块,所述盖板的另一端固定连接有把手,所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽,将镓源放进放置槽中,因放置槽设置有若干个,放置板为圆形,可放置多个镓源,利用放置槽中设置有加热片,可对镓源进行加热,在反应结束后,可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下,使其便于拿取更换新的镓源。

Description

一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备
技术领域
本发明涉及氮化镓生产技术领域,具体为一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备。
背景技术
氮化镓是一种半导体材料,可用于发光二级管、探测器中,在制备氮化镓时,需要通过HPVE设备进行生产,现有的HPVE设备在设计上仍有一些问题,导致在使用时不便,因此我们需要对一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备进行改进。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题没有得到解决:
(1)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备镓源的放置空间较少,影响产量,且不便于拿取;
(2)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备没有设置保温的功能,导致内部热量流失较快,无法保温;
(3)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备内部空间较小,量产较少,工作效率较低;
(4)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备气体散发不够均匀,影响镓源的生长效果;
(5)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备衬底受热不够均匀,影响镓源的生长。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,以解决上述背景技术中提出镓源的放置空间较少,影响产量,且不便于拿取的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,包括支腿和外壳体,所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿,所述外壳体的内部设置有内壳体,所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽,所述外壳体的一端设置有盖板,所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块,所述盖板的另一端固定连接有把手,所述外壳体的内壁固定连接有电热丝,所述外壳体和内壳体的内部设置有保温结构,所述内壳体的内部设置有辅助旋转结构,所述外壳体的顶端设置有第一气室,所述第一气室的底端设置有出气管,所述第一气室的顶端设置有第二气室,所述第二气室的顶端设置有生长室,所述生长室的一侧设置有进气口,所述生长室的顶端活动连接有密封盖,所述生长室与第二气室的内部之间设置有连接口,所述第二气室与第一气室的内部之间设置有辅助均匀结构,所述生长室的内部设置有便于拿取结构;
所述便于拿取结构包括固定柱,所述固定柱的底端与生长室内部的底端固定连接,所述固定柱的外部设置有套筒,所述套筒的顶端固定连接有凸块,所述套筒的外部固定连接有轴套,所述轴套的外部固定连接有放置板,所述放置板顶端的内部设置有放置槽。
优选的,所述保温结构由预留槽、安置槽、岩棉和卡块组成,所述安置槽设置在内壳体和支腿的内部之间,所述安置槽的内部设置有岩棉,所述岩棉的一端设置有卡块,所述卡块的一端设置有预留槽,所述卡块的底端与内壳体的外部分别固定连接。
优选的,所述预留槽嵌在支腿一端的内部,所述卡块的一端嵌在预留槽的内部,所述岩棉包裹在内壳体的外壁。
优选的,所述第一气室设置有两组,所述第一气室的大小相同,所述第一气室关于外壳体的中心线呈对称分布,所述出气管与内壳体的内部相连通。
优选的,所述辅助均匀结构由框架、圆槽、连接座、叶片和轴体组成,所述圆槽设置在第一气室与第二气室的内部之间,所述圆槽的顶端和底端固定连接有框架,所述框架的内部固定连接有连接座,所述连接座之间固定连接有轴体,所述轴体的外壁固定连接有叶片。
优选的,所述叶片设置有若干个,所述轴体的外壁呈等间距排列。
优选的,所述圆槽与第一气室之间相对应,所述圆槽与第一气室和第二气室之间相连通。
优选的,所述套筒套接在固定柱的外部,所述放置板呈圆形,所述放置槽的底部设置有加热片。
优选的,所述辅助旋转结构由衬底、支撑板、支撑座、连接板、转轴、减速电机、安装块和安装槽组成,所述减速电机设置在支腿的底端,所述减速电机的输出端通过驱动轴贯穿支腿底端的内部并固定连接有转轴,所述转轴的顶端固定连接有连接板,所述连接板顶端的两侧固定连接有安装块,所述连接板的顶端设置有支撑座,所述支撑座底端的内部设置有安装槽,所述支撑座的顶端固定连接有支撑板,所述支撑板的顶端设置有衬底。
优选的,所述衬底设置有若干个,所述安装块嵌在安装槽的内部,所述安装块与安装槽之间构成拆卸安装结构。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:该可量产氮化镓的全立式HPVE设备不仅实现了镓源便于拿取,增大了镓源的放置空间,实现了保温性,实现了提高了制备效率,实现了气体在散发的均匀性,而且实现了镓源生长时均匀的受热;
(1)通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽,将镓源放进放置槽中,因放置槽设置有若干个,放置板为圆形,可放置多个镓源,利用放置槽中设置有加热片,可对镓源进行加热,在反应结束后,可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下,使其便于拿取更换新的镓源;
(2)通过保温结构由预留槽、安置槽、岩棉和卡块组成,利用岩棉具有的保温性,可对内壳体的外部进行保温,使得电热丝的温度流失的不会过快,对内壳体中的温度进行保温,因卡块嵌在预留槽的内部,需要更换时,可将岩棉从安置槽的内部取出更换,使得适用性更高;
(3)通过设置有第一气室、连接管,因第一气室设置有两组,通过出气管分别与衬底相对应,这样在制备时,可提高一定的制备效率,并且便于观察和比较两边镓源的生长情况;
(4)通过辅助均匀结构由框架、圆槽、连接座、叶片和轴体组成,因叶片在轴体的外壁呈等间距排列,通过圆槽将第一气室和第二气室进行连通,气体可从等间距排列的叶片中均匀排出,使得气体散发的更加均匀,镓源生长的更好;
(5)通过辅助旋转结构由衬底、支撑板、支撑座、连接板、转轴、减速电机、安装块和安装槽组成,打开驱动电机,利用驱动轴驱动转轴进行转动,这时通过连接板的连接,使得支撑板可进行转动,因支撑板上设置有衬底,使得衬底在旋转的过程中通过外壳体内部的电热丝进行均匀受热,使得生长的更好,之后若需要拆卸更换,可利用安装块和安装槽的卡合关系,将支撑板取出,提高适用性。
附图说明
图1为本发明的正视剖面结构示意图;
图2为本发明的辅助旋转机构正视结构示意图;
图3为本发明的保温结构正视结构示意图;
图4为本发明的放置板与套筒连接方式正视结构示意图;
图5为本发明的辅助均匀结构俯视结构示意图;
图6为本发明的第一气室正视结构示意图。
图中:1、支腿;2、外壳体;3、内壳体;4、盖板;5、电热丝;6、保温结构;601、预留槽;602、安置槽;603、岩棉;604、卡块;7、卡槽;8、圆块;9、出气管;10、第一气室;11、辅助均匀结构;1101、框架;1102、圆槽;1103、连接座;1104、叶片;1105、轴体;12、第二气室;13、连接口;14、生长室;15、进气口;16、密封盖;17、放置板;18、凸块;19、套筒;20、放置槽;21、轴套;22、固定柱;23、把手;24、辅助旋转结构;2401、衬底;2402、支撑板;2403、支撑座;2404、连接板;2405、转轴;2406、减速电机;2407、安装块;2408、安装槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:请参阅图1-6,一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,包括支腿1和外壳体2,外壳体2底端的四个拐角处固定连接有支腿1,外壳体2的内部设置有内壳体3,外壳体2一端四个拐角处的内部设置有卡槽7,外壳体2的一端设置有盖板4,盖板4一端的四个拐角处固定连接有圆块8,盖板4的另一端固定连接有把手23,外壳体2的内壁固定连接有电热丝5,外壳体2和内壳体3的内部设置有保温结构6,内壳体3的内部设置有辅助旋转结构24,第一气室10的顶端设置有第二气室12,第二气室12的顶端设置有生长室14,生长室14的一侧设置有进气口15,生长室14的顶端活动连接有密封盖16,生长室14与第二气室12的内部之间设置有连接口13,第二气室12与第一气室10的内部之间设置有辅助均匀结构11,生长室14的内部设置有便于拿取结构;
请参阅图1-6,一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备还包括便于拿取结构,便于拿取结构包括固定柱22,固定柱22的底端与生长室14内部的底端固定连接,固定柱22的外部设置有套筒19,套筒19的顶端固定连接有凸块18,套筒19的外部固定连接有轴套21,轴套21的外部固定连接有放置板17,放置板17顶端的内部设置有放置槽20;
套筒19套接在固定柱22的外部,放置板17呈圆形,放置槽20的底部设置有加热片;
具体地,如图1和图4所示,将镓源放进放置槽20中,因放置槽20设置有若干个,放置板17为圆形,可放置多个镓源,利用放置槽20中设置有加热片,可对镓源进行加热,在反应结束后,可利用凸块18将套接在固定柱22上的套筒19取下,使其便于拿取更换新的镓源。
实施例2:保温结构6由预留槽601、安置槽602、岩棉603和卡块604组成,安置槽602设置在内壳体3和支腿1的内部之间,安置槽602的内部设置有岩棉603,岩棉603的一端设置有卡块604,卡块604的一端设置有预留槽601,卡块604的底端与内壳体3的外部分别固定连接;
预留槽601嵌在支腿1一端的内部,卡块604的一端嵌在预留槽601的内部,岩棉603包裹在内壳体3的外壁;
具体地,如图1和图3所示,利用岩棉603具有的保温性,可对内壳体3的外部进行保温,使得电热丝5的温度流失的不会过快,对内壳体3中的温度进行保温,因卡块604嵌在预留槽601的内部,需要更换时,可将岩棉603从安置槽602的内部取出更换,使得适用性更高。
实施例3:外壳体2的顶端设置有第一气室10,第一气室10的底端设置有出气管9;
第一气室10设置有两组,第一气室10的大小相同,第一气室10关于外壳体2的中心线呈对称分布,出气管9与内壳体3的内部相连通;
具体地,如图1和图6所示,因第一气室10设置有两组,通过出气管9分别与衬底2401相对应,这样在制备时,可提高一定的制备效率,并且便于观察和比较两边镓源的生长情况。
实施例4:辅助均匀结构11由框架1101、圆槽1102、连接座1103、叶片1104和轴体1105组成,圆槽1102设置在第一气室10与第二气室12的内部之间,圆槽1102的顶端和底端固定连接有框架1101,框架1101的内部固定连接有连接座1103,连接座1103之间固定连接有轴体1105,轴体1105的外壁固定连接有叶片1104;
叶片1104设置有若干个,轴体1105的外壁呈等间距排列;
圆槽1102与第一气室10之间相对应,圆槽1102与第一气室10和第二气室12之间相连通;
具体地,如图1和图5所示,因叶片1104在轴体1105的外壁呈等间距排列,通过圆槽1102将第一气室10和第二气室12进行连通,气体可从等间距排列的叶片1104中均匀排出,使得气体散发的更加均匀,镓源生长的更好。
实施例5:辅助旋转结构24由衬底2401、支撑板2402、支撑座2403、连接板2404、转轴2405、减速电机2406、安装块2407和安装槽2408组成,减速电机2406设置在支腿1的底端,该减速电机2406的型号可为5IK120RGN-CF,减速电机2406的输出端通过驱动轴贯穿支腿1底端的内部并固定连接有转轴2405,转轴2405的顶端固定连接有连接板2404,连接板2404顶端的两侧固定连接有安装块2407,连接板2404的顶端设置有支撑座2403,支撑座2403底端的内部设置有安装槽2408,支撑座2403的顶端固定连接有支撑板2402,支撑板2402的顶端设置有衬底2401;
衬底2401设置有若干个,安装块2407嵌在安装槽2408的内部,安装块2407与安装槽2408之间构成拆卸安装结构;
具体地,如图1和图2所示,打开减速电机2406,利用驱动轴驱动转轴2405进行转动,这时通过连接板2404的连接,使得支撑板2402可进行转动,因支撑板2402上设置有衬底2401,使得衬底2401在旋转的过程中通过外壳体2内部的电热丝5进行均匀受热,使得生长的更好,之后若需要拆卸更换,可利用安装块2407和安装槽2408的卡合关系,将支撑板2402取出,提高适用性。
工作原理:本发明在使用时,首先,将镓源放进放置槽20中,因放置槽20设置有若干个,放置板17为圆形,可放置多个镓源,利用放置槽20中设置有加热片,可对镓源进行加热,在反应结束后,可利用凸块18将套接在固定柱22上的套筒19取下,使其便于拿取更换新的镓源。
之后,因叶片1104在轴体1105的外壁呈等间距排列,通过圆槽1102将第一气室10和第二气室12进行连通,气体可从等间距排列的叶片1104中均匀排出,使得气体散发的更加均匀,镓源生长的更好。
因第一气室10设置有两组,通过出气管9分别与衬底2401相对应,这样在制备时,可提高一定的制备效率,并且便于观察和比较两边镓源的生长情况。
利用岩棉603具有的保温性,可对内壳体3的外部进行保温,使得电热丝5的温度流失的不会过快,对内壳体3中的温度进行保温,因卡块604嵌在预留槽601的内部,需要更换时,可将岩棉603从安置槽602的内部取出更换,使得适用性更高。
最后,打开减速电机2406,利用驱动轴驱动转轴2405进行转动,这时通过连接板2404的连接,使得支撑板2402可进行转动,因支撑板2402上设置有衬底2401,使得衬底2401在旋转的过程中通过外壳体2内部的电热丝5进行均匀受热,使得生长的更好,之后若需要拆卸更换,可利用安装块2407和安装槽2408的卡合关系,将支撑板2402取出,提高适用性。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (8)

1.一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,包括支腿(1)和外壳体(2),其特征在于:所述外壳体(2)底端的四个拐角处固定连接有支腿(1),所述外壳体(2)的内部设置有内壳体(3),所述外壳体(2)一端四个拐角处的内部设置有卡槽(7),所述外壳体(2)的一端设置有盖板(4),所述盖板(4)一端的四个拐角处固定连接有圆块(8),所述盖板(4)的另一端固定连接有把手(23),所述外壳体(2)的内壁固定连接有电热丝(5),所述外壳体(2)和内壳体(3)的内部设置有保温结构(6),所述内壳体(3)的内部设置有辅助旋转结构(24),所述外壳体(2)的顶端设置有第一气室(10),所述第一气室(10)的底端设置有出气管(9),所述第一气室(10)的顶端设置有第二气室(12),所述第二气室(12)的顶端设置有生长室(14),所述生长室(14)的一侧设置有进气口(15),所述生长室(14)的顶端活动连接有密封盖(16),所述生长室(14)与第二气室(12)的内部之间设置有连接口(13),所述第二气室(12)与第一气室(10)的内部之间设置有辅助均匀结构(11),所述第一气室(10)设置有两组,每一组上均设置有辅助均匀结构(11),所述第一气室(10)的大小相同,所述第一气室(10)关于外壳体(2)的中心线呈对称分布,所述出气管(9)与内壳体(3)的内部相连通;所述生长室(14)的内部设置有便于拿取结构;所述便于拿取结构包括固定柱(22),所述固定柱(22)的底端与生长室(14)内部的底端固定连接,所述固定柱(22)的外部设置有套筒(19),所述套筒(19)的顶端固定连接有凸块(18),所述套筒(19)的外部固定连接有轴套(21),所述轴套(21)的外部固定连接有放置板(17),所述放置板(17)顶端的内部设置有放置槽(20)。
2.根据权利要求1所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述保温结构(6)由预留槽(601)、安置槽(602)、岩棉(603)和卡块(604)组成,所述安置槽(602)设置在内壳体(3)和支腿(1)的内部之间,所述安置槽(602)的内部设置有岩棉(603),所述岩棉(603)的一端设置有卡块(604),所述卡块(604)的一端设置有预留槽(601),所述卡块(604)的底端与内壳体(3)的外部分别固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述预留槽(601)嵌在支腿(1)一端的内部,所述卡块(604)的一端嵌在预留槽(601)的内部,所述岩棉(603)包裹在内壳体(3)的外壁。
4.根据权利要求1所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述辅助均匀结构(11)由框架(1101)、圆槽(1102)、连接座(1103)、叶片(1104)和轴体(1105)组成,所述圆槽(1102)设置在第一气室(10)与第二气室(12)的内部之间,所述圆槽(1102)的顶端和底端固定连接有框架(1101),所述框架(1101)的内部固定连接有连接座(1103),所述连接座(1103)之间固定连接有轴体(1105),所述轴体(1105)的外壁固定连接有叶片(1104)。
5.根据权利要求4所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述叶片(1104)设置有若干个,所述轴体(1105)的外壁呈等间距排列。
6.根据权利要求4所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述圆槽(1102)与第一气室(10)之间相对应,所述圆槽(1102)与第一气室(10)和第二气室(12)之间相连通。
7.根据权利要求1所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述套筒(19)套接在固定柱(22)的外部,所述放置板(17)呈圆形,所述放置槽(20)的底部设置有加热片。
8.根据权利要求1所述的一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,其特征在于:所述辅助旋转结构(24)由衬底(2401)、支撑板(2402)、支撑座(2403)、连接板(2404)、转轴(2405)、减速电机(2406)、安装块(2407)和安装槽(2408)组成,所述减速电机(2406)设置在支腿(1)的底端,所述减速电机(2406)的输出端通过驱动轴贯穿支腿(1)底端的内部并固定连接有转轴(2405),所述转轴(2405)的顶端固定连接有连接板(2404),所述连接板(2404)顶端的两侧固定连接有安装块(2407),所述连接板(2404)的顶端设置有支撑座(2403),所述支撑座(2403)底端的内部设置有安装槽(2408),所述支撑座(2403)的顶端固定连接有支撑板(2402),所述支撑板(2402)的顶端设置有衬底(2401)。
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FI120544B (fi) * 2007-12-13 2009-11-30 Optogan Oy HVPE-reaktorijärjestely
CN105568386B (zh) * 2015-12-31 2018-04-20 上海澜烨材料技术有限公司 一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法
CN108914202B (zh) * 2018-08-10 2021-02-19 北京镓数智能科技有限公司 一种可批量生产氮化镓的hvpe设备
CN110923669B (zh) * 2019-11-26 2022-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 气体喷淋装置以及化学气相沉积方法
CN111549375A (zh) * 2020-05-14 2020-08-18 华厦半导体(深圳)有限公司 一种可量产氮化镓的全立式hpve设备

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