ES2589960T3 - Procedimiento para la producción de una barra de silicio policristalino aleado con germanio - Google Patents

Procedimiento para la producción de una barra de silicio policristalino aleado con germanio Download PDF

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Abstract

Un procedimiento para producción de una barra con una longitud de 0,5 m a 4 m y con un diámetro de 25 mm a 220 mm, que comprende una barra delgada a base de silicio o de silicio aleado con germanio, sobre la que se deposita una aleación policristalina muy pura a base de germanio y silicio, conduciendo en un reactor de Siemens un gas de eductos que se compone de hidrógeno y de una mezcla de monosilano y monogermanio y contiene una proporción de germanio de menos que 20 % en moles, y poniéndolo en contacto allí con la barra delgada, que tiene una temperatura entre 400°C y 1.000°C, llegándose sobre la barra delgada a una deposición desde el gas de eductos, componiéndose la aleación depositada de 0,1 hasta menos que 20 % en moles de germanio y de 99,9 a 80 10 % en moles de silicio.

Description

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DESCRIPCION
Procedimiento para la produccion de una barra de silicio policristalino aleado con germanio
El invento se refiere a un procedimiento para la produccion de una barra de silicio policristalino aleado con germanio.
El silicio aleado con germanio presenta ventajas en diferentes usos con respecto al silicio policristalino. Asf, con aleaciones con germanio de un silicio para semiconductors se puede ajustar una laguna de banda entre 1,7 y 1,1 eV. Esto hace posible el aumento del grado de rendimiento de celulas apiladas de SiGe p.ej. en modulos solares, cuando la celula inferior posee una laguna de banda en torno a aproximadamente 1,2-1,4 eV y la superior posee una laguna de banda en aproximadamente 1,7 eV. En particular para un silicio para aplicaciones solares existe por lo tanto una necesidad de silicio aleado con germanio. A partir del resumen para el documento de patente japonesa JP5074783A2 (de Fujitsu) es conocido ademas que la adsorcion de impurezas metalicas en cristales de silicio aleado con germanio es mas eficaz que en cristales de Si puros. Se supone que el germanio puede influir ventajosamente sobre la formacion de defectos. Tambien la movilidad de los portadores de cargas es mas alta en estructuras estiradas de SSi que en un silicio monocristalino puro.
Hasta ahora las capas de SSi (SSi: acronimo de Strained Silicon, silicio estirado) se producen sobre capas de obleas de SiGe relajadas, con gasto adicional, mediante dopaje de cristales de germanio en instalaciones de estiramiento de cristales (vease p.ej. el documento de patente europea EP1777753) o mediante deposicion de gases que contienen germanio sobre silicio puro en un reactor Epi (vease p.ej. el documento de solicitud de patente de los EE. UU. US20050012088).
El documento de solicitud de patente suiza CH 509 824 A describe un procedimiento para la produccion de un material semiconductor de silicio y germanio aleados, en cuyo caso unos gases de eductos se conducen en un reactor de Siemens y allf se ponen en contacto con un cuerpo de soporte incandescente muy puro, llegandose sobre el cuerpo de soporte a una deposicion de silicio policristalino aleado con germanio. Este soporte se mantiene entonces en el estado calentado en una mezcla, que circula frente a el, de silicio cloroformo, tetracloruro de germanio e hidrogeno puro, de modo tal que sobre el soporte mantenido a una temperatura de incandescencia constante se precipita la deseada aleacion de silicio policristalino y germanio.
Una mision del presente invento es poner a disposicion un procedimiento sencillo y barato para la produccion de una barra muy pura de silicio policristalino aleado con germanio.
El problema planteado por esta mision se resuelve mediante un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 1.
Por el concepto de “muy pura” ha de entenderse en el sentido del presente invento que la barra de silicio aleado con germanio contiene como maximo 1 ppma de cada sustancia dopante, 0,3 ppma de carbono y como maximo 0,1 ppma de otros metales con excepcion de germanio.
Por el concepto de “sustancia dopante” se han de entender en este caso de manera preferida unos donantes poco profundos tales como P, As, Sb y/o unos aceptores poco profundos tales como B, Al, Ga, In.
De manera preferida, en la barra, la densidad de donantes poco profundos (la cantidad de P, As, Sb) se situa por debajo de 3 ppma, de manera preferida por debajo de 1 ppba, de manera especialmente preferida por debajo de 0,3 ppba y la densidad de aceptores poco profundos (la cantidad de B, Al, Ga, In) se situa por debajo de 3 ppma, de manera preferida por debajo de 1 ppma, de manera preferida por debajo de 0,3 ppma, de manera especialmente preferida por debajo de 0,1 ppba. Un tal material es especialmente apropiado para usos solares fotovoltaicos.
La mayor parte de las celdas solares se producen a partir de silicio del tipo p dopado con boro. Cuando la barra policristalina producida conforme al invento debe de ser compensada en exceso para ello, la densidad de donantes se situa de manera preferida por debajo de 1 ppma, de manera preferida por debajo de 0,3 ppma, con el fin de poder ajustar la densidad neta especificada de aceptores de 100-300 ppba con un pequeno dopaje con boro.
De manera preferida, la impurificacion con metales, con excepcion del germanio, no es de mas que 1 ppba.
Por el concepto de una “estructura policristalina” ha de entenderse, en el sentido del presente invento, que la barra se compone de unos cristales individuales, que estan separados unos de otros por lfmites entre granos, poseyendo los cristales individuales un tamano medio de granos comprendido entre 0,1 y 100 micrometres.
La barra de silicio aleado con germanio, producida conforme al invento, se puede utilizar para el estiramiento de cristales FZ (acronimo de Float-Zone = zona de flotacion) o para el cargamento posterior segun el procedimiento de Czochralski. Tales procedimientos se llevan a cabo de una manera analoga a la produccion de monocristales a partir de silicio, tal como se describe por ejemplo en Semiconductor Silicon Crystal Technology [Tecnologfa de cristales de silicio para semiconductores] de F. Shimura (Academic Press, London 1988, paginas 124-127, 130-131, 135 y 179).
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La barra de silicio aleado con germanio, producida conforme al invento, se puede desmenuzar en fragmentos mediante unos procedimientos conocidos. Tales procedimientos se describen por ejemplo en el documento US2006/0088970A1 o US2007/0235574A1. Estos fragmentos se pueden utilizar, sin el adicional dopaje con germanio que hasta ahora era necesario, como material de partida para la produccion de SSi relajadas y/o para productos multicristalinos moldeados por colada en forma de bloques.
El procedimiento conforme al invento hace posible producir un silicio policristalino aleado con germanio en habituales reactores de Siemens, como los que se emplean para la produccion de silicio policristalino punsimo. Las barras delgadas se componen de silicio o de silicio aleado con germanio.
Mediante variacion de la relacion de monogermanio a monosilano en el gas de eductos y de la temperatura de la barra delgada o respectivamente del substrato, sobre el que se efectua la deposicion, se pueden ajustar la composicion y la morfologfa del material depositado.
Al realizar la deposicion de la barra de silicio policristalino aleado con germanio en el reactor de Siemens mediando empleo de una mezcla de monogermanio y monosilano en el gas de eductos, a partir de esta mezcla gaseosa se convierte qmmicamente de manera preferida el monogermanio. Este procedimiento, por motivos economicos, es menos adecuado para la produccion de una barra de silicio policristalino aleado con germanio con alto contenido de germanio, pero no obstante ofrece ventajas cuando se debe de producir una barra de silicio policristalino aleado con germanio con bajo contenido de germanio, por cuyo concepto se ha de entender de manera preferida un contenido de germanio < 20 % en moles, En el caso de un contenido de germanio de menos que 20 % en moles en la mezcla de monogermanio y monosilano, el monogermanio se convierte qmmicamente por completo y el gas de escape que circula saliendo desde el reactor esta correspondientemente exento de germanio. Esto simplifica el tratamiento del gas de escape y hace posible su utilizacion ulterior sin ningun adicional procedimiento de separacion en el sistema compuesto, que se emplea casi siempre en el caso de la produccion comercial de silicio punsimo (vease p.ej. el documento US4826668). De manera preferida, en esta variante del procedimiento se emplea por lo tanto una mezcla de monogermanio con monosilano en una relacion molar de 0,1:99,9 a 50:50.
Las condiciones de deposicion corresponden, en el caso de esta variante procedimiento, de manera preferida, a las que se utilizan en la produccion de silicio punsimo a partir de SiH4: La temperatura del substrato esta situada entre 400°C y 1.000°C y la saturacion con el gas de eductos esta situada de manera preferida entre 0,1 % en moles y 10 % en moles. Es ventajoso, escoger las cantidades anadidas del gas de eductos de tal manera que la velocidad de sedimentacion de SiGe sea de 0,1 a 1,5 mm por hora. Esta velocidad de sedimentacion se ajusta en el caso de la temperatura y la saturacion indicadas, cuando el caudal de paso de GeH4 y SiH4 en la suma esta situado entre 10 y 150 moles por m2 de la superficie del substrato.
Los siguientes ejemplos sirven para la explicacion adicional del invento. Todos los ejemplos se llevaron a cabo en un reactor de Siemens con 8 barras delgadas. Las barras delgadas utilizadas para la deposicion se compoman de silicio punsimo, teman una longitud de 1 m y teman una seccion transversal cuadratica de 5x5 mm. Puesto que la proporcion de la barra delgada en la barra depositada gruesa es muy pequena (< 0,5 %), su influencia sobre toda la composicion de la barra despues de la deposicion es despreciablemente pequena. En todos los ejemplos, el caudal de paso del gas se regulo de tal manera que la velocidad de sedimentacion se situase en el intervalo optimo de 0,1 a 1,5 mm/h. En el caso de la utilizacion de unos reactores con otro numero u otra longitud de las barras delgadas es necesario adaptar correspondientemente el caudal de paso del gas, cuando se desea la misma velocidad de sedimentacion. Lo mismo es valido, cuando se utilizan otros substratos (p.ej. tubos o polfgonos) u otras temperaturas. En los siguientes ejemplos la cantidad anadida de gas se regulo en dependencia de la velocidad de crecimiento. La velocidad de crecimiento se controlo mediante el aumento del diametro de la barra. Alternativamente la velocidad de deposicion se puede calcular con ayuda de la composicion del gas de escape que circula saliendo del reactor.
Ejemplo 1
Como compuestos de partida se utilizaron GeH4 y SiH4. Junto con hidrogeno (proporciones molares de: GeH4 0,5 %, SiH4 4,5 %, el resto H2) estos compuestos de partida se inyectaron en el reactor de Siemens. La deposicion se llevo con una velocidad de crecimiento constante y duro 200 horas a una temperatura de la barra de 700°C. Las barras alcanzaron en este caso un diametro de alrededor de 135 mm y teman un contenido de Ge de 18 % en moles.

Claims (2)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Un procedimiento para produccion de una barra con una longitud de 0,5 m a 4my con un diametro de 25 mm a 220 mm, que comprende una barra delgada a base de silicio o de silicio aleado con germanio, sobre la que se
    5 deposita una aleacion policristalina muy pura a base de germanio y silicio, conduciendo en un reactor de Siemens un gas de eductos que se compone de hidrogeno y de una mezcla de monosilano y monogermanio y contiene una proporcion de germanio de menos que 20 % en moles, y poniendolo en contacto allf con la barra delgada, que tiene una temperatura entre 400°C y 1.000°C, llegandose sobre la barra delgada a una deposicion desde el gas de eductos, componiendose la aleacion depositada de 0,1 hasta menos que 20 % en moles de germanio y de 99,9 a 80 10 % en moles de silicio.
  2. 2. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 1, caracterizado por que el gas de eductos se aporta al reactor de Siemens con una saturacion del gas de eductos de 0,1 % en moles a 10 % en moles, estando situado el caudal de paso de monogermanio y monosilano entre 10 y 150 moles por m2 de superficie del substrato, de manera
    15 tal que la aleacion de silicio y germanio se deposita sobre la barra con una velocidad de 0,1 a 1,5 mm por hora.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018108257A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-21 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium
CN110184490A (zh) * 2019-06-19 2019-08-30 四川大学 一种纯相硅锗合金固溶体颗粒及其制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL246576A (es) * 1954-05-18 1900-01-01
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
US3030189A (en) * 1958-05-19 1962-04-17 Siemens Ag Methods of producing substances of highest purity, particularly electric semiconductors
GB1368868A (en) * 1971-11-25 1974-10-02 Siemens Ag Optical wave guides
US4148931A (en) * 1976-03-08 1979-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Process for depositing elemental silicon semiconductor material from a gas phase
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
US4826668A (en) * 1987-06-11 1989-05-02 Union Carbide Corporation Process for the production of ultra high purity polycrystalline silicon
US5801396A (en) 1989-01-18 1998-09-01 Stmicroelectronics, Inc. Inverted field-effect device with polycrystalline silicon/germanium channel
JPH0574783A (ja) 1991-09-13 1993-03-26 Fujitsu Ltd シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法
JPH0873297A (ja) * 1994-09-05 1996-03-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池用基板材料の製法とこれを用いた太陽電池
JP3357675B2 (ja) * 1996-05-21 2002-12-16 株式会社 トクヤマ 多結晶シリコンロッドおよびその製造方法
US6791106B2 (en) 2001-12-26 2004-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE102004048948A1 (de) 2004-10-07 2006-04-20 Wacker Chemie Ag Vorrichtung und Verfahren zum kontaminationsarmen, automatischen Brechen von Siliciumbruch
US7557027B2 (en) * 2005-01-24 2009-07-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method of producing microcystalline silicon germanium suitable for micromachining
JP2007019209A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Sumco Solar Corp 太陽電池用多結晶シリコンおよびその製造方法
EP1777753B1 (en) 2005-10-21 2011-07-13 Sumco Solar Corporation SiGe Solar-cell single-crystal silicon substrate, SiGe solar cell element, and method for producing the same
US7514726B2 (en) * 2006-03-21 2009-04-07 The United States Of America As Represented By The Aministrator Of The National Aeronautics And Space Administration Graded index silicon geranium on lattice matched silicon geranium semiconductor alloy
DE102006016323A1 (de) 2006-04-06 2007-10-11 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von Polysilicium
DE102007023041A1 (de) * 2007-05-16 2008-11-20 Wacker Chemie Ag Polykristalliner Siliciumstab für das Zonenziehen und ein Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US20160369393A1 (en) 2016-12-22
DE102008054519A1 (de) 2010-06-17
CA2686640A1 (en) 2010-06-11
EP2196435A2 (de) 2010-06-16
JP5340902B2 (ja) 2013-11-13
KR101145788B1 (ko) 2012-05-16
EP2196435A3 (de) 2010-10-27
KR20100067613A (ko) 2010-06-21
JP2010138065A (ja) 2010-06-24
CN101787565B (zh) 2016-06-15
CA2686640C (en) 2012-10-02
US20100147209A1 (en) 2010-06-17
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