ES2421189T3 - Proceso para galvanizado electrolítico de cobre. - Google Patents
Proceso para galvanizado electrolítico de cobre. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2421189T3 ES2421189T3 ES07716914T ES07716914T ES2421189T3 ES 2421189 T3 ES2421189 T3 ES 2421189T3 ES 07716914 T ES07716914 T ES 07716914T ES 07716914 T ES07716914 T ES 07716914T ES 2421189 T3 ES2421189 T3 ES 2421189T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- galvanizing
- copper
- solution
- process according
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
- H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0392—Pretreatment of metal, e.g. before finish plating, etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Un proceso para galvanizar electrolíticamente cobre sobre una superficie, comprendiendo dicho proceso: a) poner en contacto la superficie con una solución de pre-tratamiento que comprende una solución acuosa que comprende un compuesto orgánico que contiene azufre y de 0, 01 a 5, 0 g/l de iones cobre, donde el compuesto orgánico que contiene azufre comprende un grupo sulfonato o un grupo ácido sulfónico; y después b) poner en contacto dicha superficie como un cátodo con una solución de galvanizado electrolítico de cobre que comprende (i) iones cobre, (ii) un ácido alcanosulfónico; (iii) iones cloruro y, preferentemente, (iv) un compuesto de aldehído o cetona; y aplicar una corriente de galvanizado de manera que el cobre se galvanice sobre la superficie; donde el pH de la solución de pre-tratamiento está en el intervalo de 1, 0 a 3, 5.
Description
Proceso para galvanizado electrolítico de cobre
Esta invención se refiere a un proceso para galvanizar electrolíticamente cobre sobre superficies, particularmente para electrogalvanizado en áreas muy confinadas tales como orificios pasantes o conductos en tarjetas de circuitos impresos. El proceso de la invención es particularmente adecuado para galvanizar conductos muy pequeños de circuitos impresos.
El galvanizado electrolítico de cobre es un proceso que deposita cobre sobre sustratos conductores usando una corriente eléctrica externa. Las soluciones comerciales de galvanizado electrolítico de cobre conocidas incluyen soluciones acuosas de sulfato de cobre, fluoroborato de cobre o cianuro de cobre junto diversos aditivos que
15 mejoran las propiedades del depósito de cobre. El electrolito para galvanizado de cobre comercial usado más ampliamente está basado en una solución acuosa de sulfato de cobre, ácido sulfúrico y diversos aditivos galvanizados. Respecto a los baños y aditivos generales para galvanizado electrolítico de cobre, por favor, hágase referencia a las Patentes de Estados Unidos Nº 5.068.013; 5.174.886 y 5.051.154.
También se conoce el uso de ácidos alcanosulfónicos en el galvanizado electrolítico de cobre. La Patente de Estados Unidos Nº 6.605.204 analiza la deposición electrolítica de cobre sobre dispositivos electrónicos usando una solución que comprende sales de alcanosulfonato de cobre y ácidos alcanosulfónicos libres.
La miniaturización y el aumento de las demandas de funcionalidad han disminuido sustancialmente los tamaños de
25 los elementos electrónicos que es necesario galvanizar. Por ejemplo, muchos diseños de tarjetas de circuitos requieren el galvanizado eficaz de conductos ciegos con diámetros en el intervalo de 25 a aproximadamente 250 micrómetros, con una relación dimensional en el intervalo de 1:1 hasta aproximadamente 1,5:1, y simultáneamente galvanizado de orificios pasantes con una relación dimensional de hasta aproximadamente 8:1. Muchos baños de galvanizado electrolítico de cobres no son capaces de galvanizar tales espacios confinados. En algunos casos la humectabilidad es un problema, en otros casos el transporte de masa supone un aspecto a tener en cuenta y en otras áreas los efectos eléctricos causan dificultades. Históricamente, la fiabilidad de los orificios pasantes galvanizados simultáneamente, incorporados con diseños de tecnología mixta, no ha sido capaz de satisfacer las especificaciones industriales.
35 Como resultado, sigue habiendo una necesidad de una solución de galvanizado electrolítico de cobre y un proceso que sea capaz de galvanizar eficazmente espacios confinados. La solución de galvanizado electrolítico de cobre y los procesos propuestos en este documento están diseñados particularmente y son adecuados para aplicaciones electrónicas donde se requiere un galvanizado eficaz en espacios confinados.
El documento EP-A-1126512 divulga un método y un aparato de galvanizado de una oblea. El documento EP-A1249861 divulga un método multi-etapa para deposición de metales. El documento US-A-2004/0231998 divulga deposición metálica superconformacional usando sustratos derivatizados. El documento EP-A-1598449 divulga un método de galvanizado mejorado.
La presente invención proporciona un proceso de acuerdo con la reivindicación 1 para galvanizar electrolíticamente cobre sobre una superficie. Las características preferidas se definen en las reivindicaciones dependientes.
Los inventores de este documento proponen un proceso de galvanizado electrolítico de cobre que comprende:
1. Poner en contacto una superficie con una solución de pre-tratamiento que comprende una solución de un antisupresor para una reducción electroquímica de cobre. El anti-supresor es un compuesto orgánico que contiene azufre que comprende un grupo sulfonato o un grupo ácido sulfónico, preferentemente un grupo alcanosulfonato
55 y/o un ácido alcanosulfónico; y después
2. Poner en contacto dicha superficie como un cátodo con una solución de galvanizado electrolítico de cobre y aplicar una corriente de galvanizado de manera que el cobre se galvanice sobre la superficie. La solución de galvanizado electrolítico de cobre comprende (i) iones cobre y (ii) un ácido alcanosulfónico; (iii) iones cloruro y, preferentemente, (iv) un compuesto aldehído o cetona.
Preferentemente, la solución de galvanizado electrolítico de cobre comprende también (i) un tensioactivo o humectante, (ii) un abrillantador que comprende un compuesto orgánico que contiene azufre que preferentemente incorpora un grupo o grupos sulfonato, y (iii) un agente de nivelación que comprende compuestos orgánicos que
65 contienen nitrógeno.
Se propone un proceso para galvanizar electrolíticamente cobre que comprende una etapa de pre-tratamiento y una etapa de galvanizado. El proceso es particularmente adecuado para galvanizar espacios muy confinados, tales 5 como micro-conductos en tarjetas de circuitos impresos y para galvanizar simultáneamente orificios pasantes en el mismo diseño de tarjeta. El proceso propuesto comprende:
- 1.
- Poner en contacto una superficie con una solución de pre-tratamiento que comprende una solución de un antisupresor, donde el anti-supresor comprende un compuesto orgánico que contiene azufre que comprende un grupo sulfonato o un grupo ácido sulfónico, preferentemente un grupo o grupos (alcano) sulfonato y/o un ácido alcanosulfónico; y después
- 2.
- Poner en contacto dicha superficie como un cátodo con una solución de galvanizado electrolítico de cobre que comprende (i) iones cobre y (ii) un ácido alcanosulfónico, (iii) iones cloruro y, preferentemente, (iv) un compuesto
15 de aldehído o cetona; y aplicar una corriente de galvanizado de manera que el cobre se galvanice sobre la superficie.
La solución de pre-tratamiento comprende un anti-supresor para la reducción electroquímica de cobre que comprende un compuesto orgánico que contiene azufre que comprende un grupo o grupos (alcano) sulfonato y/o un ácido (alcano) sulfónico. Los ejemplos de compuestos que son adecuados para su uso como anti-supresores en la solución de pre-tratamiento incluyen, sin limitación, 4,5-ditiooctano-1,8-disulfonato disódico, 2-mercapto-etano sulfonato sódico, 3-mercapto-1-propano sulfonato potásico, bis-(3-sulfopropil) disulfuro disódico, sal sódica del éster tetrapolipropoxi etoxi etilen diamina sulfosuccínico de bis(3-sulfopropil) disulfuro disódico o mezclas de los mismos. Preferentemente, la solución de pre-tratamiento anti-supresora es bis (3-sulfopropil) disulfuro disódico. La
25 concentración del anti-supresor en la solución de pre-tratamiento es preferentemente de 0,1 g/l a aproximadamente 10 g/l.
La solución de pre-tratamiento comprende también iones cobre. Los iones cobre pueden proporcionarse mediante sulfato de cobre, metanosulfonato de cobre o sales de cobre similares. El sulfato de cobre es una fuente preferida de iones cobre. La concentración de iones cobre en la solución de pre-tratamiento es de 0,01 a 5,0 g/l. En cualquier caso el pH de la solución de pre-tratamiento está en el intervalo de 1,5-3,5.
La solución de galvanizado electrolítico, que sigue a la solución de pre-tratamiento, comprende una solución acuosa de (i) iones cobre y (ii) ácido alcanosulfónico, (iii) iones cloruro y, preferentemente, (iv) un compuesto de aldehído o
35 cetona. El baño de galvanizado preferentemente comprende también (i) tensioactivo o humectante, (ii) un aditivo abrillantador y (iii) un aditivo de nivelación.
La fuente de iones cobre en la solución de galvanizado electrolítico de cobre puede ser sulfato de cobre, óxido de cobre, metanosulfonato de cobre o sales de cobre similares. Preferentemente, se usa metanosulfonato de cobre u óxido de cobre (disuelto en ácido alcanosulfónico). La concentración de iones cobre en la solución de galvanizado preferentemente es de aproximadamente de 20 a 60 g/l y, más preferentemente, de 40 a 55 g/l.
El ácido alcanosulfónico usado en la solución de galvanizado es preferentemente ácido metanosulfónico debido a su coste relativamente bajo. La concentración de ácido alcanosulfónico en la solución de galvanizado es
45 preferentemente de aproximadamente 40 a aproximadamente 200 g/l.
Las fuentes de ion cloruro incluyen sales cloruro que son solubles en la solución de electrogalvanizado. Los ejemplos de fuentes de ion cloruro son cloruro sódico, cloruro potásico, ácido clorhídrico o mezclas de los mismos. La concentración de ion cloruro preferentemente varía de 0,02 ppm a 125 ppm, preferentemente de 30 ppm a 90 ppm.
Los ejemplos del compuesto de aldehído o cetona que se incluye preferentemente en la solución de electrogalvanizado de cobre incluyen formaldehído, acetaldehído, succinaldehído y metiletilcetona o mezclas de los mismos. La concentración de estos compuestos está preferentemente en el intervalo de aproximadamente 0,005 a
55 aproximadamente 0,500 g/l.
La solución de galvanizado preferentemente comprende también un tensioactivo o un humectante. El tensioactivo o humectante se usa para reducir la tensión superficial de la solución de galvanizado. Esto puede ser particularmente importante para permitir que la solución de galvanizado humedezca orificios o conductos muy pequeños. Los tensioactivos o humectantes útiles incluyen polímeros de alto peso molecular, preferentemente polímeros y copolímeros de tipo poliglicol. Preferentemente se usan polietilenglicoles, polipropilenglicoles y copolímeros de los mismos. La concentración de tensioactivos y/o humectantes en la solución de galvanizado puede variar de 0,1 a aproximadamente 8 g/l.
65 La solución de galvanizado preferentemente comprende un aditivo abrillantador. En general, los aditivos abrillantadores para electrogalvanizado de cobre son compuestos orgánicos que contienen azufre y también pueden incorporar otros grupos funcionales. Los ejemplos incluyen 3-(benztiazolil-2-tio)-propilsulfonato sódico; etilenditiodipropilsulfonato sódico; bis-(3-sulfopropil) disulfuro disódico; sal disódica del éster (3-sulfopropílico) del ácido N,N-dimetilditiocarbámico; o mezclas de los mismos. Preferentemente, el aditivo abrillantador comprende bis(3-sulfopropil) disulfuro disódico. La concentración del aditivo abrillantador en la solución de galvanizado es
5 preferentemente de aproximadamente 0,001 ppm a aproximadamente 2,00 ppm.
La solución de galvanizado comprende también preferentemente un aditivo de nivelación. Los aditivos de nivelación para electrogalvanizado de cobre generalmente comprenden compuestos orgánicos que contienen nitrógeno. Se usan habitualmente compuestos con un grupo amino o grupos amino sustituidos. Los ejemplos incluyen aminas
10 poliméricas; triisopropanolamina, polialquilenimina alquilada y 4-mercaptopiridina. Preferentemente, el aditivo de nivelación es la sal sódica del éster tetrapolipropoxi etoxi etilen diamina sulfosuccínico. La concentración del aditivo de nivelación en la solución de galvanizado es preferentemente de aproximadamente 0,005 a aproximadamente 0,100 g/l.
15 La superficie a galvanizar se coloca en la solución de galvanizado electrolítico de cobre y se conecta al polo negativo de una fuente de corriente, convirtiéndola de esta manera en un cátodo. Los ánodos de cobre metálico también se colocan en la solución de galvanizado y se conectan al polo positivo de una fuente de corriente. La corriente de galvanizado resultante provoca que el cobre se galvanice sobre la superficie. El método descrito en este documento permite utilizar una corriente continua (CC), una corriente periódica pulsátil (PP), una corriente inversa de pulso
20 periódico (PPR) y/o combinaciones de las mismas durante el ciclo de galvanizado.
Los amperios usados en la corriente de galvanizado pueden ser constantes o variar como en el galvanizado por pulsos. En general, las densidades de corriente del cátodo útiles en esta solución de galvanizado varían de 0,005 a 0,032 A/cm2 (de 5 a 30 amperios por pie cuadrado) de área de cátodo, preferentemente las densidades de corriente
25 de cátodo varían de 0,009 a 0,016 A/cm2 (de 8 a 15 amperios por pie cuadrado) de área de cátodo.
Se prepararon las siguientes soluciones de pre-tratamiento y galvanizado: 30
Componente Concentración
Bis-(3-sulfopropil) disulfuro disódico 3 mmol/l (1,06 g/l) Cobre como sulfato 10,6 mmol/l (0,67 g/l) Agua hasta 1 l
Solución de galvanizado:
Cobre como Metano Sulfonato de cobre 45 g/l
Ácido metanosulfónico 110 g/l
Ion cloruro 65 ppm
Formaldehído 62 ppm
Poli (etilen glicol) de PEG 4000 1,1 g/l
Bis(3-sulfopropil) disulfuro disódico 0,5 ppm
Sal disódica del éster tetra polipropoxi-27 ppm etoxietilendiamina sulfosuccínico
Se procesaron dos tarjetas de circuitos impresos de 1,6 mm de espesor que incorporaban conductos de 50, 75, 100 y 150 micrómetros de diámetro, 75 y 100 micrómetros de profundidad y orificios pasantes con diámetros de 0,2, 0,25, 0,35 y 0,5 mm. Una se procesó mediante la solución de pre-tratamiento y mediante la solución de galvanizado.
40 La otra se procesó solo mediante la solución de galvanizado. En ambos casos se usó una corriente de PPR a una densidad de corriente de cátodo delantero de 0,013 A/cm2 (12 amperios por pie cuadrado) y una densidad de corriente inversa de 0,032 A/cm2 (30 amperios por pie cuadrado). Todos los conductos y orificios pasantes de la tarjeta procesada mediante la solución de pre-tratamiento se galvanizaron eficazmente mientras que no fue así para los conductos de la tarjeta procesada únicamente mediante la solución de galvanizado.
Claims (7)
- REIVINDICACIONES1. Un proceso para galvanizar electrolíticamente cobre sobre una superficie, comprendiendo dicho proceso:5 a) poner en contacto la superficie con una solución de pre-tratamiento que comprende una solución acuosa que comprende un compuesto orgánico que contiene azufre y de 0,01 a 5,0 g/l de iones cobre, donde el compuesto orgánico que contiene azufre comprende un grupo sulfonato o un grupo ácido sulfónico; y después b) poner en contacto dicha superficie como un cátodo con una solución de galvanizado electrolítico de cobre que comprende (i) iones cobre, (ii) un ácido alcanosulfónico; (iii) iones cloruro y, preferentemente, (iv) un compuesto10 de aldehído o cetona; y aplicar una corriente de galvanizado de manera que el cobre se galvanice sobre la superficie;donde el pH de la solución de pre-tratamiento está en el intervalo de 1,0 a 3,5.15 2. Un proceso de acuerdo con la reivindicación 1 donde la solución de galvanizado comprende también al menos un aditivo seleccionado entre el grupo que consiste en aditivos abrillantadores, aditivos de nivelación, tensioactivos y humectantes.
- 3. Un proceso de acuerdo con la reivindicación 2 donde los aditivos abrillantadores comprenden bis(3-sulfopropil)20 disulfuro disódico y los aditivos de nivelación comprenden sal sódica del éster tetrapropilpropoxi-etoxi etilendiamina sulfosuccínico.
- 4. Un proceso de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, donde el compuesto orgánico quecontiene azufre comprende bis(3-sulfopropil) disulfuro disódico. 25
- 5. Un proceso de acuerdo con la reivindicación 1 donde la corriente de galvanizado es una corriente continua constante.
- 6. Un proceso de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, donde la corriente de galvanizado varía 30 con el tiempo.
-
- 7.
- Un proceso de acuerdo con la reivindicación 1 donde la polaridad eléctrica del cátodo se invierte periódicamente.
-
- 8.
- Un proceso de acuerdo con la reivindicación 1 donde:
35 a) la solución de pre-tratamiento comprende iones cobre y bis(3-sulfopropil)disulfuro disódico; y b) la solución de galvanizado comprende sal sódica del éster tetrapolipropoxi etoxi etilen diamina sulfosuccínico de bis(3-sulfopropil) disulfuro disódico.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US398048 | 1982-07-14 | ||
| US11/398,048 US7575666B2 (en) | 2006-04-05 | 2006-04-05 | Process for electrolytically plating copper |
| PCT/US2007/001716 WO2007126453A2 (en) | 2006-04-05 | 2007-01-19 | Process for electrolytically plating copper |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2421189T3 true ES2421189T3 (es) | 2013-08-29 |
Family
ID=38574012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES07716914T Active ES2421189T3 (es) | 2006-04-05 | 2007-01-19 | Proceso para galvanizado electrolítico de cobre. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7575666B2 (es) |
| EP (1) | EP2010698B1 (es) |
| JP (1) | JP2009532586A (es) |
| CN (1) | CN101405436B (es) |
| ES (1) | ES2421189T3 (es) |
| WO (1) | WO2007126453A2 (es) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100832705B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2008-05-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시스템 인 패키지의 비아 도금방법 및 그 시스템 |
| TWI341554B (en) * | 2007-08-02 | 2011-05-01 | Enthone | Copper metallization of through silicon via |
| US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
| JP2009167506A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ebara Udylite Kk | 酸性電解銅めっき液およびこれを用いる微細配線回路の作製方法 |
| JP4857317B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2012-01-18 | 新光電気工業株式会社 | スルーホールの充填方法 |
| US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
| US9455139B2 (en) | 2009-06-17 | 2016-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US20100320081A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
| KR20120100947A (ko) * | 2009-09-28 | 2012-09-12 | 바스프 에스이 | 구리 전기도금을 하기 위한 웨이퍼의 전처리 방법 |
| EP2465976B1 (en) * | 2010-12-15 | 2013-04-03 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of electroplating uniform copper layer on the edge and walls of though holes of a substrate. |
| KR101705734B1 (ko) | 2011-02-18 | 2017-02-14 | 삼성전자주식회사 | 구리 도금 용액 및 이것을 이용한 구리 도금 방법 |
| JP5864161B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2016-02-17 | 石原ケミカル株式会社 | 銅フィリング方法及び当該方法を適用した電子部品の製造方法 |
| JP5903706B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2016-04-13 | 石原ケミカル株式会社 | 銅フィリング方法及び当該方法を適用した電子部品の製造方法 |
| CN103179806B (zh) * | 2011-12-21 | 2019-05-28 | 奥特斯有限公司 | 组合的通孔镀覆和孔填充的方法 |
| JP5502967B2 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-28 | 株式会社Jcu | 酸性電解銅めっき液 |
| CN103103585B (zh) * | 2012-12-29 | 2015-09-16 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种用于铜互连的高速凸点电镀方法 |
| US9613833B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| CN103103587B (zh) * | 2013-02-22 | 2016-02-17 | 陕西师范大学 | 含巯基杂环化合物的电镀铜溶液 |
| US20140262801A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of filling through-holes |
| CN103361681B (zh) * | 2013-08-08 | 2016-11-16 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 能改变tsv微孔镀铜填充方式的添加剂c及包含其的电镀液 |
| US10154598B2 (en) * | 2014-10-13 | 2018-12-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Filling through-holes |
| CN104947155B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-04-26 | 中南大学 | 基于电化学法从废旧电路板中回收铜制备高纯高强度铜箔的工艺 |
| JP6678490B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-04-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法 |
| EP3415664B1 (en) * | 2017-06-16 | 2019-09-18 | ATOTECH Deutschland GmbH | Aqueous acidic copper electroplating bath and method for electrolytically depositing of a copper coating |
| CN114277408B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-11-03 | 广东利尔化学有限公司 | 一种pcb电镀铜添加剂 |
| CN117964576A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-05-03 | 上海天承化学有限公司 | 一种光亮剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2525943A (en) * | 1947-09-24 | 1950-10-17 | Standard Oil Co | Copper plating bath and process |
| US3775176A (en) * | 1971-02-23 | 1973-11-27 | Amicon Corp | Method of forming an electroplatable microporous film with exposed metal particles within the pores |
| US4038042A (en) * | 1975-12-18 | 1977-07-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroplating of polypropylene compositions |
| US5068013A (en) * | 1988-08-23 | 1991-11-26 | Shipley Company Inc. | Electroplating composition and process |
| US5051154A (en) * | 1988-08-23 | 1991-09-24 | Shipley Company Inc. | Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power |
| US4954226A (en) * | 1988-12-21 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Additive plating bath and process |
| US5174886A (en) * | 1991-02-22 | 1992-12-29 | Mcgean-Rohco, Inc. | High-throw acid copper plating using inert electrolyte |
| JP3286744B2 (ja) * | 1993-05-24 | 2002-05-27 | 奥野製薬工業株式会社 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
| JP3263750B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-03-11 | 奥野製薬工業株式会社 | 酸性銅めっき浴及びこれを使用するめっき方法 |
| DE19624071A1 (de) * | 1996-06-17 | 1997-12-18 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von bahnförmigen metallbeschichteten Folien |
| WO1998033959A1 (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-06 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method for electroplating nonconductive material |
| WO1999057342A1 (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Ebara Corporation | Method and device for plating substrate |
| EP1126512A4 (en) | 1998-08-11 | 2007-10-17 | Ebara Corp | DEPOSIT METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTED DISCS |
| KR100665745B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2007-01-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리도금방법 및 그 장치 |
| US6444110B2 (en) * | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
| US20040045832A1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-03-11 | Nicholas Martyak | Electrolytic copper plating solutions |
| US6605204B1 (en) * | 1999-10-14 | 2003-08-12 | Atofina Chemicals, Inc. | Electroplating of copper from alkanesulfonate electrolytes |
| JP3594894B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2004-12-02 | 新光電気工業株式会社 | ビアフィリングめっき方法 |
| US6863795B2 (en) * | 2001-03-23 | 2005-03-08 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Multi-step method for metal deposition |
| US6652731B2 (en) * | 2001-10-02 | 2003-11-25 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| JP2003129273A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Applied Materials Inc | 電解めっき方法 |
| US6770558B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-08-03 | International Business Machines Corporation | Selective filling of electrically conductive vias for three dimensional device structures |
| AU2003252677A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-16 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | Tin-silver-copper plating solution, plating film containing the same, and method for forming the plating film |
| US7273540B2 (en) * | 2002-07-25 | 2007-09-25 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | Tin-silver-copper plating solution, plating film containing the same, and method for forming the plating film |
| KR100389061B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2003-06-25 | 일진소재산업주식회사 | 전해 동박 제조용 전해액 및 이를 이용한 전해 동박 제조방법 |
| JP2004342750A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | 電子デバイスの製造方法 |
| US7429401B2 (en) * | 2003-05-23 | 2008-09-30 | The United States of America as represented by the Secretary of Commerce, the National Insitiute of Standards & Technology | Superconformal metal deposition using derivatized substrates |
| US20050274622A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Zhi-Wen Sun | Plating chemistry and method of single-step electroplating of copper on a barrier metal |
| JP2005146314A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 金属膜形成方法及びめっき装置 |
| EP1598449B1 (en) | 2004-04-26 | 2010-08-04 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Improved plating method |
-
2006
- 2006-04-05 US US11/398,048 patent/US7575666B2/en active Active
-
2007
- 2007-01-19 WO PCT/US2007/001716 patent/WO2007126453A2/en not_active Ceased
- 2007-01-19 JP JP2009504184A patent/JP2009532586A/ja active Pending
- 2007-01-19 EP EP07716914.2A patent/EP2010698B1/en active Active
- 2007-01-19 ES ES07716914T patent/ES2421189T3/es active Active
- 2007-01-19 CN CN2007800097880A patent/CN101405436B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009532586A (ja) | 2009-09-10 |
| CN101405436A (zh) | 2009-04-08 |
| EP2010698A2 (en) | 2009-01-07 |
| EP2010698B1 (en) | 2013-07-03 |
| US20070235343A1 (en) | 2007-10-11 |
| US7575666B2 (en) | 2009-08-18 |
| WO2007126453A2 (en) | 2007-11-08 |
| WO2007126453A3 (en) | 2007-12-21 |
| CN101405436B (zh) | 2011-02-16 |
| EP2010698A4 (en) | 2012-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2421189T3 (es) | Proceso para galvanizado electrolítico de cobre. | |
| CN1540040B (zh) | 反向脉冲电镀组合物和方法 | |
| CN103703167B (zh) | 镀铜方法 | |
| JP6111241B2 (ja) | 銅の電解析出用水性酸浴、当該浴の使用、当該浴中のルテニウムイオンの使用、および、当該浴を用いた加工対象物上への銅の電解析出方法 | |
| CN102071443B (zh) | 铜电解镀覆浴和电解镀覆铜的方法 | |
| JP2001073182A (ja) | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 | |
| CN102409373B (zh) | 不含氰化物的银电镀液 | |
| ES2726013T3 (es) | Soluciones electrolíticas de ácido sulfónico de pureza elevada | |
| US9493886B2 (en) | Low internal stress copper electroplating method | |
| JP4588185B2 (ja) | アルカンスルホン酸塩電解質から銅の電気めっき | |
| CN103992235B (zh) | 用于电沉积的添加剂 | |
| US8545689B2 (en) | Gallium electrodeposition processes and chemistries | |
| JP2004107738A (ja) | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 | |
| KR101255911B1 (ko) | 전해동 도금액 조성물 | |
| US20120175744A1 (en) | Copper electroplating composition | |
| US20230142446A1 (en) | Acidic aqueous composition for electrolytically depositing a copper deposit | |
| KR20220107756A (ko) | 평탄제 및 광택제 기능을 동시에 갖는 유기 첨가제를 사용한 전해 구리 도금 약품 |