ES2403072T3 - Módulo de semiconductor de potencia del tipo de contacto pore presión - Google Patents

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Abstract

Módulo de semiconductor de potencia (1) en una forMódulo de semiconductor de potencia (1) en una forma de realización de contacto por presión, para loma de realización de contacto por presión, para los propósitos de la instalación en un componente des propósitos de la instalación en un componente de refrigeración (2), con por lo menos un sustrato ( refrigeración (2), con por lo menos un sustrato (5), por lo menos dos componentes del semiconductor5), por lo menos dos componentes del semiconductor de potencia (60, 64) instalados en el mismo, un a de potencia (60, 64) instalados en el mismo, un alojamiento (3) y elementos de conexión de la cargalojamiento (3) y elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y elementos de conexión auxiliares ( (40, 42, 44) y elementos de conexión auxiliares (80) que dirigen hacia fuera, y con un dispositivo 80) que dirigen hacia fuera, y con un dispositivo de presión (70), en el que el sustrato (5) tiene ude presión (70), en el que el sustrato (5) tiene un cuerpo de material aislante (52) en su primera sn cuerpo de material aislante (52) en su primera superficie primaria, encarada hacia el interior deluperficie primaria, encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, están instal módulo de semiconductor de potencia, están instaladas pistas conductoras (54) a la carga del potencadas pistas conductoras (54) a la carga del potencial, en el que los elementos de conexión de la carial, en el que los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) en cada caso están diseñados como ga (40, 42, 44) en cada caso están diseñados como moldeados de metal con por lo menos una sección demoldeados de metal con por lo menos una sección del tipo de cinta (402, 422, 442) y con una serie del tipo de cinta (402, 422, 442) y con una serie de patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de l patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de las últimas; en cada caso una sección del tipo de cas últimas; en cada caso una sección del tipo de cinta (402, 422, 442) del elemento de conexión de linta (402, 422, 442) del elemento de conexión de la carga está instalada paralela a la superficie dea carga está instalada paralela a la superficie del sustrato y separada del último y las patas de col sustrato y separada del último y las patas de contacto (400, 420, 440) se extienden desde la seccintacto (400, 420, 440) se extienden desde la sección del tipo de cinta (402, 422, 442) hasta el sustón del tipo de cinta (402, 422, 442) hasta el sustrato (5) y ahí forman los contactos de las conexiorato (5) y ahí forman los contactos de las conexiones de la carga de una manera apropiada al circuitnes de la carga de una manera apropiada al circuito, y en el que entre la sección del tipo de cinta o, y en el que entre la sección del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la(402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y el sustrato (5) está instala carga (40, 42, 44) y el sustrato (5) está instalado un moldeado de material aislante (30) separado do un moldeado de material aislante (30) separado del propio sustrato y el moldeado de material aisldel propio sustrato y el moldeado de material aislante tiene orificios (32) para los propósitos de dante tiene orificios (32) para los propósitos de dirigir al través las patas de contacto (400, 420, irigir al través las patas de contacto (400, 420, 440). 440).

Description

Módulo de semiconductor de potencia del tipo de contacto por presión.
La invención describe un módulo de semiconductor de potencia en una forma de realización de contacto por presión con componentes del semiconductor de potencia controlables. Módulos de semiconductor de potencia, como son conocidos en la técnica a partir del documento DE 197 19 703 A1, por ejemplo, forman la base de la invención.
Según la técnica anterior los módulos de semiconductor de potencia de este tipo consisten en un alojamiento con por lo menos un sustrato eléctricamente aislante instalado en su interior, preferiblemente para el montaje directo sobre un componente de refrigeración. El sustrato por su parte consiste en un cuerpo de material aislante con una serie de pistas de conexión metálicas aisladas colocadas en el mismo una al lado de la otra y componentes del semiconductor de potencia colocados en las pistas de conexión y conectados a ellas de una manera apropiada al circuito. Adicionalmente, los módulos de semiconductor de potencia de la técnica conocida tienen elementos de conexión para conexiones de carga y auxiliares exteriores y también para elementos de conexión instalados en el interior de los módulos. Para las conexiones en el interior del módulo de semiconductor de potencia, de una manera apropiada al circuito, dichos elementos de conexión generalmente están diseñados como conexiones unidas por cable.
Igualmente son de la técnica conocida los módulos de semiconductor de potencia de contacto por presión, como son conocidos en la técnica a partir de los documentos DE 42 37 632 A1, DE 199 03 875 A1 o DE 101 27 947 C1. En el primer documento citado el dispositivo de presión tiene un elemento de presión preferiblemente metálico, resistente para los propósitos de crear presión, un elemento de amortiguación elástico para los propósitos de almacenaje de la presión y un elemento que forma puente para los propósitos de introducir presión en zonas separadas de la superficie del sustrato. El elemento en puente preferiblemente está configurado como un moldeado de plástico con una superficie encarada hacia el elemento de amortiguación, desde el cual emanan una multiplicidad de dedos de presión en la dirección de la superficie del sustrato.
Por medio de un dispositivo de presión de esta clase el sustrato es presionado sobre un componente de refrigeración y de ese modo la transferencia de calor entre el sustrato y el componente de refrigeración se establece de forma fiable de una manera duradera. El elemento de amortiguación elástico por lo tanto sirve para mantener condiciones de presión constante bajo diferentes cargas térmicas y sobre el ciclo de vida entero del módulo de semiconductor de potencia.
El documento DE 199 03 875 A1 desarrolla adicionalmente el elemento de presión de la técnica conocida, de tal modo que por una parte tiene una relación particularmente ventajosa del peso con respecto a la resistencia, y por otra parte tiene terminales de plomo eléctricamente aislados. Para este propósito, el elemento de presión está diseñado como un moldeado de plástico con un núcleo de metal interno. Dicho núcleo metálico tiene orificios para los terminales de plomo de los elementos de conexión, preferiblemente elementos de conexión auxiliares realizados en forma de contactos de resorte. El moldeado de plástico encierra estos orificios de tal modo que los elementos de conexión auxiliares están eléctricamente aislados del núcleo de metal por el moldeado de plástico.
Existen también elementos de presión en la técnica conocida que han sido desarrollados adicionalmente, los cuales tienen una multiplicidad de dedos de presión en su superficie encarada hacia el sustrato. En este caso el núcleo de metal también preferiblemente tiene curvatura previamente establecida. En la combinación de estas dos medidas un elemento de presión de este tipo puede proporcionar toda la funcionalidad de un dispositivo de presión como se ha citado antes en este documento.
A partir del documento DE 101 27 947 C1 es conocido en la técnica un módulo de semiconductor de potencia, en el que los elementos de conexión de la carga están diseñados de tal modo que corren próximamente adyacentes en secciones en ángulos rectos a la superficie del sustrato y tienen patas de contacto que emanan desde la última que hacen contacto eléctrico con las pistas conductoras y al mismo tiempo ejercen presión sobre el sustrato, estableciendo de ese modo el contacto térmico entre el sustrato y un componente de refrigeración. La presión es introducida y almacenada de ese modo con medios según la técnica anterior.
A partir del documento DE 10 2004 021 927 A1 es de la técnica conocida un procedimiento para el propósito del aislamiento interno de módulos de semiconductor de potencia, en el que, al contrario que en la técnica anterior previamente conocida, los últimos no están rellenos hasta una altura de relleno definida con un gel de silicona aislante. Al contrario que en el último, en este caso se presenta un procedimiento para el propósito del recubrimiento de los componentes que se tienen que aislar y los elementos de conexión, el cual ahorra una cantidad significante de gel de silicona.
El objeto que forma la base de la invención es aquél de presentar un módulo de semiconductor de potencia en una forma de realización de contacto por presión en el que el aislamiento interno se mejora, el diseño de la forma de realización del contacto de presión se simplifica y el módulo de semiconductor de potencia está diseñado de forma ventajosa para la aplicación de un procedimiento de recubrimiento para el propósito del aislamiento del sustrato.
Este objeto se consigue de forma ingeniosa por medio de las medidas de las características de la reivindicación 1.
Formas preferidas de la forma de realización se describen en las reivindicaciones subordinadas.
El concepto ingenioso emana a partir de un módulo de semiconductor de potencia en una forma de realización de contacto por presión para los propósitos de la instalación de un componente de refrigeración, con por lo menos un sustrato, por lo menos dos componentes de semiconductor de potencia controlables, por ejemplo, transistores bipolares, un alojamiento y una carga y elementos de conexión de control que conducen hacia fuera. El propio sustrato tiene un cuerpo de material aislante y tiene en su primera superficie primaria, encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, pistas conductoras al potencial de la carga. Adicionalmente el sustrato preferiblemente también tiene por lo menos una pista conductora al potencial de control para los propósitos de la activación de los componentes del semiconductor de potencia.
El módulo de semiconductor de potencia ingenioso adicionalmente tiene elementos de conexión de la carga, en cada caso diseñados como moldeados de metal con una sección del tipo de cinta y con una serie de patas de contacto que emanan desde la última. Las respectivas secciones del tipo de cinta están instaladas paralelas a la superficie del sustrato y están separadas de la última. Las patas de contacto, las cuales emanan a partir de la sección del tipo de cinta, se extienden tan lejos como el sustrato y ahí forman los contactos de las conexiones de la carga de una manera apropiada al circuito. Para este propósito preferiblemente hacen contacto en el sustrato con las pistas conductoras al potencial de la carga, o también directamente con los componentes individuales del semiconductor de potencia.
Adicionalmente un moldeado de material aislante está instalado entre las secciones del tipo de cinta de los elementos de conexión de la carga, los cuales de ese modo forman un apilamiento, y el sustrato. Dicho moldeado de material aislante tiene orificios para el propósito de dirigir al través las patas de contacto. El moldeado de material aislante de ese modo preferiblemente forma una superficie completamente cerrada, la cual únicamente tiene orificios para los elementos de conexión eléctrica. Adicionalmente es preferible que el moldeado de material aislante también tenga orificios para dispositivos para fijar el módulo de semiconductor de potencia al componente de refrigeración.
Los diseños de este tipo de los módulos de semiconductor de potencia en una forma de realización de contacto por presión, junto con los componentes del semiconductor de potencia y las conexiones internas al módulo, han mejorado significativamente el aislamiento interno, en virtud de la capa aislante intermedia adicional entre las secciones del tipo de cinta de los elementos de conexión de la carga y el sustrato. Esto proporciona una fiabilidad mejorada contra el fallo cuando el módulo de semiconductor de potencia está en funcionamiento continuo.
Por medio de los dispositivos de guía adicionales ventajosos para los elementos de conexión de la carga, los cuales están diseñados integralmente con dicha capa intermedia, el diseño de la forma de realización del contacto por presión se simplifica al mismo tiempo, en donde los elementos de conexión de la carga sirven para introducir presión sobre el sustrato y de ese modo proporcionar su conexión térmica a un componente de refrigeración. En combinación con procedimientos de recubrimiento modernos para los propósitos del aislamiento del sustrato interiormente dicha configuración del módulo de semiconductor de potencia es particularmente preferible, puesto que de ese modo el aislamiento interno completo se diseña de una manera particularmente ventajosa y es adaptable a una producción automática.
La solución ingeniosa se aclara con más detalle con la ayuda de los ejemplos de la forma de realización de las figuras 1 a 3.
La figura 1 muestra una sección a través de un módulo de semiconductor de potencia ingenioso.
La figura 2 muestra una vista en despiece tridimensional de un módulo de semiconductor ingenioso.
La figura 3 muestra los elementos de conexión de la carga y el sustrato de un módulo de semiconductor de potencia ingenioso en una representación tridimensional.
La figura 1 muestra una sección a lo largo de la línea A – A (véase la figura 2) a través de un módulo de semiconductor de potencia ingenioso (1). El último tiene un alojamiento (3) con un componente del alojamiento del tipo de bastidor. El componente del alojamiento del tipo de bastidor en este caso encierra por lo menos un sustrato (5). El último a su vez tiene un cuerpo de material aislante (52), preferiblemente una cerámica aislante tal como óxido de aluminio o nitruro de aluminio.
En la primera superficie primaria encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia (1) el sustrato
(5)
tiene una laminación metálica intrínsecamente estructurada. Las secciones individuales de esta laminación metálica, preferiblemente configurada como una laminación de cobre, forman de ese modo las pistas conductoras
(54)
del módulo de semiconductor de potencia (1). La segunda superficie primaria del sustrato (5) tiene una laminación de cobre no estructurada (56) según la técnica anterior.
En las pistas conductoras (54) del sustrato (5) están instalados componentes del semiconductor de potencia controlables o incontrolados (60), tales como, por ejemplo, transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), con diodos de rueda libre o transistores de efecto de campo de óxidos de metal MOS-FET, en cada caso conectados enanti paralelo. Éstos están conectados con pistas conductoras adicionales (54), por ejemplo por medio de conexiones unidas por cable (62), de una manera apropiada al circuito.
Los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) con los diversos potenciales necesarios sirven para proporcionar las conexiones exteriores del circuito electrónico de potencia en el interior del módulo de semiconductor de potencia (1). Para este propósito los elementos de conexión de la carga (40, 42, 34) están diseñados como moldeados de metal, los cuales en cada caso tienen una sección del tipo de cinta (402, 422, 442) paralela a la superficie del sustrato. Las secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de este modo forman un apilamiento, en donde las secciones del tipo de cinta de los elementos de conexión de la carga individuales (40, 42, 44) están únicamente separados unos de otros por medio del aislamiento necesario (46), en forma de una película de plástico, por ejemplo. Elementos de conexión auxiliares necesarios no están representados en este dibujo en sección en interés de la claridad.
Adicionalmente el módulo de semiconductor de potencia ingenioso (1) tiene una capa intermedia diseñada como un moldeado de material aislante (30) entre el apilamiento de secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y el sustrato (5). En dicha configuración dicho moldeado de material aislante (30) está instalado en el alojamiento del tipo de bastidor (3) por medio de una conexión de bloqueo engatillado (90).
El moldeado de material aislante (30) por su parte tiene orificios (32) para el propósito de dirigir al través las patas de contacto (400, 420, 440) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44). Es particularmente preferible que estos orificios (32) estén diseñados como guías para dichas patas de contacto (400, 420, 440), por lo que la colocación de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) con relación a sustrato (5), esto es, con relación a sus pistas conductoras (54), se mejora una vez más con relación a una instalación con orificios simples.
En una configuración particularmente preferida adicional del moldeado de material aislante los orificios (32) para los propósitos de dirigir al través las patas de contacto están diseñados como árboles (34), en donde dichos árboles (34) se extienden aproximadamente tan lejos como la superficie del sustrato (5). De forma ventajosa estos árboles (34) se extienden en el interior de la capa de material aislante, por ejemplo un gel de silicona, en el que el gel de silicona es aplicado sobre el sustrato (5) por medio de un procedimiento de recubrimiento moderno. Por este medio se diseña un aislamiento interior particularmente eficaz del módulo de semiconductor de potencia (1).
El dispositivo de presión (70) para los propósitos de la conexión del módulo de semiconductor de potencia (1) térmicamente con un componente de refrigeración (2) y al mismo tiempo para los propósitos de hacer el contacto eléctrico entre los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y las pistas conductoras (54) del sustrato (5), está formado en términos de un elemento de presión (72) para proporcionar la creación de presión y también un elemento de amortiguación elástico, no representado, para los propósitos del almacenaje de la presión. La presión se dirige a través del elemento de amortiguación sobre el apilamiento de las secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y por lo tanto ejerce presión sobre las patas de contacto (400, 420, 440). Las últimas de ese modo conectadas de una manera eléctricamente conductora con las pistas conductoras (54) del sustrato (5).
Los contactos de presión de este tipo (70) han probado proporcionar contactos particularmente fiables durante la vida de servicio de los módulos de semiconductor de potencia (1). También ventajoso para el contacto de presión es el diseño como guías de los orificios (32) del moldeado de material aislante (30), esto es árboles (34), puesto que de ese modo la colocación de las patas de contacto (400, 420, 440) es particularmente precisa.
Según la técnica anterior el elemento de presión (72) puede ser realizado como un moldeado de plástico con un núcleo metálico interno adecuado, diseñado por ejemplo como una cinta bimetálica, por lo que de ese modo también se puede prescindir de un elemento de amortiguación de almacenaje de la presión. Es adicionalmente preferido que el elemento de presión (72) al mismo tiempo sirva para cubrir el módulo de semiconductor de potencia (1).
La figura 2 muestra una vista del despiece tridimensional de una parte del módulo de semiconductor ingenioso (1). Lo que se representa en este caso es un alojamiento de plástico (3) con dispositivos (300) para los propósitos de la fijación a un componente de refrigeración. El alojamiento (3) tiene un moldeado de material aislante (30) diseñado integralmente con dicho alojamiento, el cual forma una capa intermedia entre el sustrato (5), instalado por debajo de dicha capa intermedia, y las secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44), instalados por encima de dicha capa intermedia.
Adicionalmente el alojamiento (3) tiene dispositivos de fijación (302) para un elemento de presión (72), no representado, y también terminales de plomo del tipo de husillo (38) para elementos de conexión auxiliares (80). Es particularmente preferible en los módulos de semiconductor de potencia de contacto por presión de este tipo (1) que los elementos de conexión auxiliares que estén diseñados como resortes de contacto (80), preferiblemente resortes helicoidales.
Los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) de los diversos potenciales de carga están en cada caso diseñados como moldeados de metal con dispositivos de contacto (404, 424, 444) para los propósitos de las conexiones exteriores, por lo menos una sección del tipo de cinta (402, 422, 442) corriendo paralela a la superficie del sustrato y también con una serie de patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de dicha sección. Los elementos respectivos de conexión de la carga (40, 42, 44) están, en la medida en que es necesario, separados unos de otros por medio de una película de plástico aislante (46), y están aislados eléctricamente unos de otros. El elemento de conexión de la corriente alterna tiene adicionalmente un sensor de corriente (410) instalado adyacente al dispositivo de contacto (404).
Las patas de contacto (400, 420, 440) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) se extienden a través de los orificios (32) del moldeado de material aislante (30), diseñados como guías, hasta las superficies de contacto asociadas de las pistas conductoras (54) del sustrato (5), esto es de los componentes del semiconductor de potencia (60).
Las secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y también sus películas de plástico aislante asociadas (46) por su parte tienen orificios (406, 426, 446, 466) en aquellas zonas en las cuales el alojamiento (3) tiene husillos (38) para los elementos de conexión auxiliares (80). El dispositivo de presión asociado (70), no representado, por su parte también tiene orificios correspondientes, alineados con los orificios de los elementos de conexión de la carga, para los propósitos de dirigir al través los elementos de conexión auxiliares.
La figura 3 muestra los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) de un módulo de semiconductor de potencia ingenioso (1), y su posición con relación a dos sustratos (5) en una vista tridimensional, sin ninguna representación del alojamiento o del dispositivo de presión. En interés de la claridad las películas de plástico aislante entre los elementos individuales de conexión de la carga (40, 42, 44) tampoco se han representado. El circuito del módulo de semiconductor de potencia que está representado es un circuito de medio puente con una serie de transistores bipolares (60) que forman los respectivos conmutadores primero y segundo, conectados en paralelo. El circuito también tiene los diodos de rueda libre necesarios (64). En este caso los conmutadores primero y segundo del circuito de medio puente están en cada caso igualmente divididos en dos sustratos idénticos.
Están representadas una serie de patas de contacto (400, 420, 440), éstas emanando de las secciones del tipo de cinta asociadas (402, 422, 442) de los respectivos elementos de conexión de la carga (40, 42, 44). En cada caso una serie de patas de contacto (400, 420, 440) de la misma polaridad de ese modo hacen contacto con las pistas conductoras asociadas (54) de la polaridad respectiva en ambos sustratos (5). Una conexión eléctrica con un contacto fiable de forma duradera se forma por medio del dispositivo de presión descrito antes en este documento.
Están representados orificios adicionales (406, 426, 446) en el apilamiento de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44), éstos están provistos para la instalación de elementos de conexión auxiliares (80) según la figura 2.

Claims (7)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Módulo de semiconductor de potencia (1) en una forma de realización de contacto por presión, para los propósitos de la instalación en un componente de refrigeración (2), con por lo menos un sustrato (5), por lo menos dos componentes del semiconductor de potencia (60, 64) instalados en el mismo, un alojamiento (3) y elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y elementos de conexión auxiliares (80) que dirigen hacia fuera, y con un dispositivo de presión (70), en el que el sustrato (5) tiene un cuerpo de material aislante (52) en su primera superficie primaria, encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, están instaladas pistas conductoras
    (54) a la carga del potencial, en el que los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) en cada caso están diseñados como moldeados de metal con por lo menos una sección del tipo de cinta (402, 422, 442) y con una serie de patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de las últimas; en cada caso una sección del tipo de cinta (402, 422, 442) del elemento de conexión de la carga está instalada paralela a la superficie del sustrato y separada del último y las patas de contacto (400, 420, 440) se extienden desde la sección del tipo de cinta (402, 422, 442) hasta el sustrato (5) y ahí forman los contactos de las conexiones de la carga de una manera apropiada al circuito, y en el que entre la sección del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y el sustrato (5) está instalado un moldeado de material aislante (30) separado del propio sustrato y el moldeado de material aislante tiene orificios (32) para los propósitos de dirigir al través las patas de contacto (400, 420, 440).
  2. 2. Módulo de semiconductor de potencia (1) según la reivindicación 1 en el que los orificios (32) del moldeado de material aislante (30) para los propósitos de dirigir al través las patas de contacto (400, 420, 440) están diseñados como guías para este propósito y las patas de contacto (400, 420, 440) hacen contacto con las pistas conductoras
    (54) del sustrato (5).
  3. 3.
    Módulo de semiconductor de potencia (1) según la reivindicación 1 en el que el moldeado de material aislante (30) y el alojamiento (3) están diseñados integralmente.
  4. 4.
    Módulo de semiconductor de potencia (1) según la reivindicación 1 en el que los orificios (32) del moldeado de material aislante (30) para los propósitos de dirigir al través las patas de contacto están diseñados como árboles (34) y dichos árboles (34) se extienden casi tan lejos como la superficie del sustrato (5) y se extienden en el interior de la capa de aislante.
  5. 5.
    Módulo de semiconductor de potencia (1) según la reivindicación 1 en el que las secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) forman un apilamiento, en el que están eléctricamente aislados unos de otros y en el que el dispositivo de presión (70) ejerce presión sobre dicho apilamiento y de ese modo las patas de contacto (400, 420, 440) se conectan con las pistas conductoras (54) del sustrato (5) de una manera conductora de la electricidad.
  6. 6.
    Módulo de semiconductor de potencia (1) según la reivindicación 1 en el que el dispositivo de presión (70), las secciones del tipo de cinta (402, 422, 442) de los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) y el moldeado de material aislante (30) tiene orificios (32) para los propósitos de dirigir al través los elementos de conexión auxiliares
    (80) diseñados como resortes helicoidales con dispositivos de contacto.
  7. 7. Módulo de semiconductor de potencia (1) según la reivindicación 6 en el que dicho moldeado de material aislante
    (30) tiene husillos (38) alrededor de los orificios para los propósitos de dirigir al través los elementos de conexión auxiliares (80).
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