KR20070081744A - 가압 접촉식 전력 반도체 모듈 - Google Patents

가압 접촉식 전력 반도체 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20070081744A
KR20070081744A KR1020070006581A KR20070006581A KR20070081744A KR 20070081744 A KR20070081744 A KR 20070081744A KR 1020070006581 A KR1020070006581 A KR 1020070006581A KR 20070006581 A KR20070006581 A KR 20070006581A KR 20070081744 A KR20070081744 A KR 20070081744A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power semiconductor
substrate
semiconductor module
contact
insulator
Prior art date
Application number
KR1020070006581A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101204630B1 (ko
Inventor
라이너 폽프
레더러 말코
Original Assignee
세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 filed Critical 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
Publication of KR20070081744A publication Critical patent/KR20070081744A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101204630B1 publication Critical patent/KR101204630B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board

Abstract

본 발명은 냉각 부품 상에 배치되는 가압 접촉식 전력 반도체 모듈에 관한 것이다. 부하 연결 요소는 각각 적어도 하나의 밴드형 구간 및 여기로부터 형성되어 있는 복수의 접촉 기부를 구비하는 금속형 몸체로서 형성되어 있다. 부하 연결 요소의 각 밴드형 구간은 기판 표면에 대해 평행하게 그리고 이로부터 이격되어 배치된다. 또한, 밴드형 구간의 접촉 기부는 기판까지 연장되고 여기에서 회로상 적합하게 부하 연결부의 접촉을 형성한다. 부하 연결 요소의 밴드형 구간과 기판 사이에는 절연체가 배치되며, 절연체는 접촉 기부를 통과시키기 위한 리세스를 포함한다.
냉각 부품, 가압 접촉식, 전력 반도체 모듈, 부하 연결 요소, 밴드형 구간

Description

가압 접촉식 전력 반도체 모듈{POWER SEMICONDUCTOR MODULE IN PRESSURE CONTACT LAYOUT}
도 1은 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 분해 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 부하 연결 요소 및 기판의 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 전력 반도체 모듈
3: 하우징
5: 기판
30: 절연체
32: 리세스
40, 42, 44: 부하 연결 요소
400, 420, 440: 접촉 기부
402, 422, 442: 밴드형 구간
본 발명은 제어 가능한 전력 반도체 부품을 포함하는 가압 접촉식 전력 반도체 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 시작점은 전력 반도체 모듈에 관한 것이며, 이는 독일 특허 공보 제197 19 703 A1호에 개시되어 있다.
종래 기술에 따르면, 이와 같은 전력 반도체 모듈은 하우징으로 이루어지고, 상기 하우징은 그 안에 배치된 적어도 하나의 전기 절연식 기판을 포함하고, 상기 기판은 양호하게는 냉각 부품 상에 직접 장착된다. 기판은 절연체로 이루어지고, 상기 절연체는 그 위에 존재하는 복수의 서로 절연된 금속 결합 라인 및 그 위에 존재하여 상기 결합 라인과 회로상 적합하게 결합된 전력 반도체 부품을 포함한다. 또한, 상기 공지된 전력 반도체 모듈은 외부 부하 연결부 및 보조 연결부를 위한 연결 요소 및 내부에 배치된 결합 요소를 포함한다. 전력 반도체 모듈의 내부의 회로상 적합한 결합을 위한 상기 결합 요소는 대부분 와이어 본딩 결합부로서 형성된다.
마찬가지로 가압 접촉식 전력 반도체 모듈도 공지되어 있는데, 이는 독일 특허 공보 제42 37 632 A1호, 독일 특허 공보 제199 03 875 A1호 또는 독일 특허 공보 제101 27 947 C1호에 공지되어 있다. 처음으로 언급된 공보에서 가압 장치는 압력 구축을 위한 안정화된 양호하게는 금속 가압 요소, 압력 저장을 위한 탄성 쿠션 요소, 및 기판 표면의 분리된 영역 상으로 압력을 인가하기 위한 브릿지 요소를 포함한다. 브릿지 요소는 양호하게는 쿠션 요소쪽 표면을 구비하는 합성수지 몸체로서 형성되며, 상기 쿠션 요소쪽 표면으로부터 복수의 가압 핑거가 기판 표면 방향으로 연장된다.
이와 같은 가압 장치에 의해 기판은 냉각 부품 상으로 가압되어, 기판과 냉각 부품 사이에 열전도가 지속적으로 확실하게 이루어진다. 탄성 쿠션 요소는 열 부하가 상이할 때 전력 반도체 모듈의 전체 수명 사이클에 걸쳐 가압비가 일정하게 유지되도록 사용된다.
독일 특허 공보 제199 03 875 A1호는, 가압 요소가 한편으로는 특히 유리한 중량 및 안정성 비율을 갖고 다른 한편으로는 전기 절연식 통과부를 포함하도록, 공지된 가압 요소를 형성하였다. 이를 위해, 가압 요소는 내부에 위치된 금속 코어를 구비하는 합성수지 몸체로서 형성된다. 상기 금속 코어는 스프링 접촉식으로 연결 요소, 양호하게는 보조 연결 요소를 통과시키기 위한 리세스를 포함한다. 합성수지 몸체는, 보조 연결 요소가 합성수지 몸체에 의해 금속 코어로부터 전기적으로 절연되도록, 상기 리세스를 둘러싼다.
자체의 기판쪽 표면에 복수의 가압 핑거를 포함하는 개선된 가압 요소도 공지되어 있다. 양호하게는 금속 코어는 사전 설정된 만곡부를 포함한다. 상기 2개의 수단의 조합에 의해 상기 가압 요소는 상술된 가압 장치의 전체 기능성을 제공할 수 있다.
독일 특허 공보 제101 57 947 C1호에는 전력 반도체 모듈이 공지되어 있으 며, 여기에는 부하 연결 요소가 구비되어, 부하 연결 요소는 구간에서 밀접하게 인접되어 기판 표면에 수직하게 연장되고 여기로부터 접촉 기부를 포함하며, 상기 접촉 기부는 전도체에 대한 전기적 접촉을 형성하고 이와 동시에 기판 상에 압력을 가하여 냉각 부품에 대한 열 접촉을 형성한다. 압력은 종래 기술에 따른 수단에 의해 안내되어 저장된다.
독일 특허 공보 제10 2004 021 927 A1호에는 전력 반도체 모듈의 내부 절연을 위한 방법이 공지되어 있으며, 이전에 공지되었던 종래 기술과 대조적으로 한정된 충전 높이까지 절연 실리콘젤로 충전되지 않는다. 이와 대조적으로 여기서는 상당한 양의 실리콘젤을 절약하는 절연되는 부품 및 결합 요소를 코팅하는 방법이 제공된다.
본 발명의 목적은 내부 절연이 개선되고, 압력 접촉 구조의 형성이 단순화되며, 기판의 절연을 위한 코팅 방법을 유리하게 적용하기 위한 전력 반도체 모듈이 형성되는 가압 접촉식 전력 반도체 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 특허청구범위 제1항의 특징부의 수단을 통해 달성된다. 양호한 실시예는 종속항에 개시되어 있다.
본 발명에 따른 사상은 냉각 부품 상에 배치되는 가압 접촉식 전력 반도체 모듈에 관한 것으로서, 적어도 하나의 기판과, 적어도 2개의 제어 가능한 전력 반도체 부품, 예를 들면 양극 트랜지스터와, 하우징과, 외측으로 안내되는 부하 연결 요소 및 제어 연결 요소를 포함한다. 기판은 절연체를 포함하며, 전력 반도체 모듈의 내부쪽의 기판의 제1 주요면 상에는 부하 포텐셜을 갖는 전도체가 배치된다. 또한, 기판은 양호하게는 전력 반도체 부품의 제어를 위해 제어 포텐셜을 갖는 적어도 하나의 전도체도 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈은 부하 연결 요소를 포함하며, 상기 부하 연결 요소는 각각 밴드형 구간 및 여기로부터 형성되어 있는 복수의 접촉 기부를 구비하는 금속형 몸체로서 형성된다. 각 밴드형 구간은 기판 표면에 대해 평행하게 그리고 이로부터 이격되어 배치된다. 밴드형 구간으로부터 형성되는 접촉 기부는 기판까지 연장되고 여기에서 회로상 적합하게 부하 연결부의 접촉을 형성한다. 양호하게는 접촉 기부는 기판 상에서 부하 포텐셜을 갖는 전도체와 접촉하거나 각 전력 반도체 부품과도 직접 접촉한다.
또한, 여기서 스택(stack)을 형성하는 부하 연결 요소의 밴드형 구간과 기판 사이에는 절연체가 배치된다. 상기 절연체는 접촉 기부를 통과시키기 위한 리세스(recess)를 포함한다. 절연체는 양호하게는 전기적 연결 요소를 위한 리세스만을 포함하는 완전 차단된 표면을 형성한다. 또한, 절연체가 냉각 부품 상에 전력 반도체 모듈을 고정하는 고정 장치를 위한 리세스도 포함하는 것이 양호할 수 있다.
이와 같이 형성된 가압 접촉식 전력 반도체 모듈은 부하 연결 요소의 밴드형 구간과, 전력 반도체 부품 및 모듈 내부 연결부를 구비하는 기판 사이의 추가적 절연 중간층으로 인해 본질적으로 개선된 내부 절연성을 갖게 된다. 이는 전력 반도체 모듈의 지속적 작동에 있어서 개선된 작동 장애 방지 성능을 구현할 수 있다.
상기 중간층과 일체형으로 형성된 부하 연결 요소를 위한 유리한 추가적 안내 장치를 통해, 가압 접촉 구조의 형성도 동시에 단순화되며, 여기서 부하 연결 요소는 압력을 기판 상으로 안내하고 이에 따라 냉각 부품으로의 열적 결합을 위해 사용된다. 기판의 내부 절연을 위한 최신 코팅 방법과 조합되어, 상기 전력 반도체 모듈의 구조는 특히 유리한데, 왜냐하면 전체 내부 절연이 특히 유리하게 이루어지고 자동 제작을 위해서도 대중적으로 사용될 수 있기 때문이다.
본 발명에 따른 해결 수단이 도 1 내지 도 3의 실시예에 의해 보다 상세하게 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 A-A선(도2 참조)을 따른 단면도를 도시한다. 전력 반도체 모듈은 프레임형 하우징 부분을 구비하는 하우징(3)을 포함한다. 여기서 프레임형 하우징 부분은 적어도 하나의 기판(5)을 둘러싼다. 상기 기판(5)은 다시 절연체(52), 양호하게는 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물과 같은 절연 세라믹을 포함한다.
기판(5)은 전력 반도체 모듈(1)의 내부쪽의 제1 주요면 상에서, 구조화된 금속 적층부를 포함한다. 양호하게는 구리 적층부로서 구성된 상기 금속 적층부의 각 부분은 전력 반도체 모듈(1)의 전도체(54)를 형성한다. 기판(5)의 제2 주요면은 종래 기술에 따르면 구조화되지 않은 구리 적층부(56)를 포함한다.
기판(5)의 전도체(54) 상에는, 예를 들면 프리 휠링 다이오드가 각각 비평행 하게 연결된 IGBTs(절연 게이트 양극 트랜지스터), 또는 MOS-FETs와 같은 제어 가능한 그리고/또는 제어되지 않는 전력 반도체 부품(60)이 배치되어 있다. 이들은 예를 들면 와이어 본딩 결합(62)에 의해 다른 전도체(54)와 회로상 적합하게 연결되어 있다.
상이하게 요구되는 포텐셜을 구비하는 부하 연결 요소(40, 42, 44)가 전력 반도체 모듈(1)의 내부에서 전력 전자 회로의 외부 연결을 위해 사용된다. 이를 위해 부하 연결 요소(40, 42, 44)는 금속형 몸체로서 형성되며, 기판 표면에 대해 평행하게 각각 밴드형 구간(402, 422, 442)을 포함한다. 밴드형 구간(402, 422, 442)은 스택(stack)을 형성하며, 각 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간은 예를 들면 합성수지 포일 형태의 필요한 절연체(46)에 의해서만 서로 이격되어 있다. 필요한 보조 연결 요소는 간략화를 위해 본 단면도에는 도시되어 있지 않다.
또한 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)은 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442)의 스택과 기판(5) 사이에서 절연체(30)로 형성된 중간층을 포함한다. 상기 절연체(30)는 본 실시예에서 프레임형 하우징(3)에 스냅 끼움-래칭-결합(90)에 의해 배치되어 있다.
절연체(30)는 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 접촉 기부(400, 420, 440)를 통과시키기 위해 자체측에 리세스(32)를 포함한다. 상기 리세스(32)가 상기 접촉 기부(400, 420, 440)를 위한 안내부로서 형성되는 것이 특히 양호하며, 이를 통해 부하 연결 요소(40, 42, 44)가 기판(5)에 대해 위치 설정되고 또는 그 전도체(54)가 한 번 더 소정의 구조에 대해 위치 설정되는 것이 간단한 리세스에 의해 개선된다.
절연체의 다른 특히 양호한 실시예에서, 접촉 기부를 통과시키기 위한 리세스(32)는 도관(34)으로서 형성되며, 상기 도관(34)은 기판(5)의 표면 근처까지 접근한다. 유리하게는 상기 도관(34)은 절연층, 예를 들면 실리콘젤 내로 연장되어 있으며, 상기 실리콘젤은 최신 코팅 방법에 의해 기판(5) 상에 도포되어 있다. 이를 통해, 전력 반도체 모듈(1)의 특히 효과적인 내부 절연이 이루어진다.
전력 반도체 모듈(1)과 냉각 부품(2)과의 열적 결합을 위한, 그리고 이와 동시에 부하 연결 요소(40, 42, 44)와 기판(5)의 전도체(54)와의 전기적 접촉을 위한 가압 장치(70)는 압력 구축을 위한 가압 요소(72) 및 압력 저장을 위한 도시되지 않은 탄성 쿠션 요소에 의해 형성된다. 압력은 쿠션 요소를 통해 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442)으로 이루어진 스택 상으로 도입되며, 이에 따라 상기 압력은 접촉 기부(400, 420, 440) 상에 가해진다. 이를 통해 상기 접촉 기부(400, 420, 440)는 전기 도전식으로 기판(5)의 전도체(54)와 연결된다.
이와 같은 압력 접촉 장치(70)는 전력 반도체 모듈(1)의 수명에 걸쳐 특히 접촉을 보장하는 것으로 증명되었다. 또한 절연체(30)의 리세스(32)를 안내부 또는 도관(34)으로서 형성하는 것이 압력 접촉을 위해 유리한데, 왜냐하면 이를 통해 접촉 기부(400, 420, 440)의 위치 설정이 특히 정확해지기 때문이다.
가압 요소(72)는 종래 기술에 따르면 예를 들면 바이메탈로 형성되어 내부에 위치된 적합한 금속 코어를 구비하는 합성수지 몸체로서 구현될 수 있으며, 압력을 저장하는 쿠션 요소가 제거될 수 있다. 또한, 가압 요소(72)가 동시에 전력 반도체 모듈(1)의 커버로서 사용되는 것이 유리하다.
도 2는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 부품들의 3차원적 분해도를 도시한다. 여기에는 냉각 부품 상에 고정되기 위한 장치(300)를 구비하는 합성수지 하우징(3)이 도시되어 있다. 하우징(3)은 하우징(3)과 일체형으로 형성된 절연체(30)를 포함하고, 상기 절연체(30)는 그 아래에 배치된 기판(5)과 그 위에 배치된 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442) 사이에서 중간층을 형성한다.
또한, 하우징(3)은 도시되지 않은 가압 요소(72)를 위한 고정 장치(302), 및 보조 연결 요소(80)를 위한 돔(dome)형 통과 장치(38)를 포함한다. 상기 압력 접촉식 전력 반도체 모듈(1)에 있어서, 보조 연결 요소를 접촉 스프링(80), 양호하게는 나사 스프링으로 형성하는 것이 특히 유리하다.
상이한 부하 포텐셜을 갖는 부하 연결 요소(40, 42, 44)는 각각 외부 연결을 위한 접촉 장치(404, 424, 444), 기판 표면에 평행하게 연장되는 적어도 하나의 밴드형 구간(402, 422, 442), 및 상기 구간으로부터 형성되는 복수의 접촉 기부(400, 420, 440)를 구비하는 금속형 몸체로서 형성된다. 각 부하 연결 요소(40, 42, 44)는 필요하다면 절연 합성수지 포일(46)에 의해 서로 이격되며 서로에 대해 전기적으로 절연된다. 또한, 교류 전류 연결 요소(40)는 접촉 장치(404)에 인접하게 배치된 전류 센서(410)를 포함한다.
부하 연결 요소(40, 42, 44)의 접촉 기부(400, 420, 440)는 안내부로서 형성된 절연체(30)의 리세스(32)를 통해 기판(5)의 전도체(54) 또는 전력 반도체 부 품(60)의 관련 접촉면까지 연장된다.
부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442) 또는 이에 관련되는 절연 합성수지 포일(46)은 자체측의 영역에 리세스(406, 426, 446, 466)를 포함하며, 상기 리세스(406, 426, 446, 466) 내에서 하우징(3)은 보조 연결 요소(80)를 위한 돔(38)을 포함한다. 도시되지 않은 가압 장치(70)도 마찬가지로 부하 연결 요소의 리세스와 정렬되어 보조 연결 요소를 통과시키는 리세스를 포함한다.
도 3은 하우징 및 가압 장치를 도시하지 않은 상태에서, 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 부하 연결 요소(40, 42, 44) 및 2개의 기판(5)에 대한 이들의 위치를 3차원적 도면으로 도시한다. 간략화를 위해, 각 부하 연결 요소(40, 42, 44) 사이의 절연 합성수지 포일도 마찬가지로 도시되지 않는다. 전력 반도체 모듈의 도시된 회로는 각 제1 및 제2 스위치를 형성하는 복수의 병렬 연결된 양극 트랜지스터(60)를 구비하는 반브릿지 회로이다. 마찬가지로 상기 회로는 필요한 프리 휠링 다이오드(64)를 포함한다. 반브릿지 회로의 제1 및 제2 스위치는 각각 2개의 동일한 기판상에 절반씩 분포되어 있다.
복수의 접촉 기부(400, 420, 440)가 도시되어 있으며, 상기 복수의 접촉 기부(400, 420, 440)는 각 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 관련된 밴드형 구간(402, 422, 442)으로부터 형성된다. 동일한 극성의 복수의 접촉 기부(400, 420, 440)는 각각 2개의 기판(5) 상에서 각 극성의 관련된 전도체(54)에 접촉된다. 영구적 접촉 보장 전기적 결합은 상술된 가압 장치에 의해 이루어진다.
도 2에 따른 보조 연결 요소(80)의 배치를 위해 제공되는, 부하 연결 요 소(40, 42, 44)로 이루어진 스택의 다른 리세스(406, 426, 446)가 도시되어 있다.
본 발명의 가압 접촉식 전력 반도체 모듈에 따르면, 내부 절연이 개선되고, 압력 접촉 구조의 형성이 단순화되며, 기판의 절연을 위한 코팅 방법을 유리하게 적용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 냉각 부품(2) 상에 배치되는 가압 접촉식 전력 반도체 모듈(1)이며,
    적어도 하나의 기판(5)과, 여기에 배치되는 적어도 2개의 전력 반도체 부품(60, 64)과, 하우징(3)과, 외측으로 안내되는 부하 연결 요소(40, 42, 44) 및 보조 연결 요소(80)와, 가압 장치(70)를 포함하고, 기판(5)은 절연체(52)를 포함하며, 전력 반도체 모듈의 내부쪽의 기판(5)의 제1 주요면 상에는 부하 포텐셜을 갖는 전도체(54)가 배치되고, 부하 연결 요소(40, 42, 44)는 각각 적어도 하나의 밴드형 구간(402, 422, 442) 및 여기로부터 형성되어 있는 복수의 접촉 기부(400, 420, 440)를 구비하는 금속형 몸체로서 형성되며, 부하 연결 요소의 각 밴드형 구간(402, 422, 442)은 기판 표면에 대해 평행하게 그리고 이로부터 이격되어 배치되고, 밴드형 구간(402, 422, 442)의 접촉 기부(400, 420, 440)는 기판(5)까지 연장되고 여기에서 회로상 적합하게 부하 연결부의 접촉을 형성하며, 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442)과 기판(5) 사이에는 절연체(30)가 배치되고, 절연체(30)는 접촉 기부(400, 420, 440)를 통과시키기 위한 리세스(32)를 포함하는 전력 반도체 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 접촉 기부(400, 420, 440)를 통과시키기 위한 절연체(30)의 리세스(32)는 이를 위한 안내부로서 형성되며, 접촉 기부(400, 420, 440)는 기 판(5)의 전도체(54)와 접촉되는 전력 반도체 모듈.
  3. 제1항에 있어서, 절연체(30) 및 하우징(3)은 일체형으로 형성되어 있는 전력 반도체 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 접촉 기부(400, 420, 440)를 통과시키기 위한 절연체(30)의 리세스(32)는 도관(34)으로서 형성되며, 상기 도관(34)은 기판(5)의 표면 근처까지 접근하여 절연층 내로 연장되는 전력 반도체 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442)은 스택을 형성하고, 서로에 대해 전기적으로 절연되어 있으며, 가압 장치(70)는 상기 스택 상으로 압력을 가하고, 이에 따라 접촉 기부(400, 420, 440)는 전기 도전식으로 기판(5)의 전도체(54)와 연결되는 전력 반도체 모듈.
  6. 제1항에 있어서, 가압 장치(70), 부하 연결 요소(40, 42, 44)의 밴드형 구간(402, 422, 442), 및 절연체(30)는 접촉 장치를 구비하는 나사 스프링으로 형성 된 보조 연결 요소(80)를 통과시키기 위한 리세스(32)를 포함하는 전력 반도체 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 절연체(30)는 보조 연결 요소(80)를 통과시키기 위한 리세스 주위에 돔(38)을 포함하는 전력 반도체 모듈.
KR1020070006581A 2006-02-13 2007-01-22 가압 접촉식 전력 반도체 모듈 KR101204630B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006006425.9 2006-02-13
DE102006006425A DE102006006425B4 (de) 2006-02-13 2006-02-13 Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070081744A true KR20070081744A (ko) 2007-08-17
KR101204630B1 KR101204630B1 (ko) 2012-11-23

Family

ID=38162580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070006581A KR101204630B1 (ko) 2006-02-13 2007-01-22 가압 접촉식 전력 반도체 모듈

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7589418B2 (ko)
EP (1) EP1843393B1 (ko)
JP (1) JP5114064B2 (ko)
KR (1) KR101204630B1 (ko)
CN (1) CN101064299B (ko)
DE (1) DE102006006425B4 (ko)
DK (1) DK1843393T3 (ko)
ES (1) ES2403072T3 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100114837A (ko) * 2009-04-16 2010-10-26 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 전력 전자 시스템에서 간섭 방출을 감소시키기 위한 장치
KR20170113172A (ko) * 2016-03-30 2017-10-12 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 3-레벨 컨버터 장치 및 이를 위한 연결 장치

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006006424B4 (de) * 2006-02-13 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102006006423B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102006052620B4 (de) * 2006-11-08 2009-07-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit einem Leistungsmodul, das mit einer Leiterplatte kombiniert ist.
DE102006057248B4 (de) 2006-12-05 2009-07-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleitermodul
DE102007026768A1 (de) * 2007-06-09 2008-12-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes dreiphasiges Stromrichtermodul
US9373563B2 (en) * 2007-07-20 2016-06-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor assembly having a housing
US7944033B2 (en) 2007-10-18 2011-05-17 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
EP2071626A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-17 ABB Research Ltd. Semiconductor module and connection terminal device
DE102008034068B4 (de) * 2008-07-22 2019-07-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102009005915B4 (de) 2009-01-23 2013-07-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102009035819A1 (de) 2009-08-01 2011-02-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit stromsymmetrischem Lastanschlusselement
DE102009050178B3 (de) 2009-10-21 2011-05-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem eine dreidimensionale Oberflächenkontur aufweisenden Substrat sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102009046403B4 (de) 2009-11-04 2015-05-28 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontakttechnik
DE102009057145B4 (de) * 2009-12-05 2013-12-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul mit teilweise bandartigen Lastanschlusselementen
DE102010000694B4 (de) 2009-12-18 2013-12-12 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Druckkontaktfedern
JP5702988B2 (ja) 2010-01-29 2015-04-15 株式会社 日立パワーデバイス 半導体パワーモジュール及びそれが搭載される電力変換装置並びに半導体パワーモジュール搭載用水路形成体の製造方法
DE102010035980B4 (de) * 2010-09-01 2014-03-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anschlusseinrichtung für ein Leistungshalbleitermodul
DE102010041849A1 (de) * 2010-10-01 2012-04-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul
DE102010043362A1 (de) 2010-11-04 2012-05-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat mit einer Mehrzahl gleichartig ausgebildeter Leiterbahngruppen
DE102013103116B3 (de) * 2013-03-27 2014-09-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102013104950B3 (de) 2013-05-14 2014-04-30 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Anordnung hiermit
DE102013104949B3 (de) 2013-05-14 2014-04-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
JP6480098B2 (ja) * 2013-10-31 2019-03-06 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102013113764B3 (de) * 2013-12-10 2014-09-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102014115565B3 (de) * 2014-10-27 2015-10-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Schalteinrichtung mit einer feuchtigkeitsdichten und elektrisch isolierenden Abdeckung und zur Herstellung einer Anordnung hiermit
US9431311B1 (en) 2015-02-19 2016-08-30 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package with elastic coupler and related methods
DE102015111204B4 (de) * 2015-07-10 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Modul mit Lastanschlusselementen
DE102015114188B4 (de) * 2015-08-26 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Submodul mit einem zweiteiligen Gehäuse
CN108604588B (zh) * 2016-02-03 2021-12-17 新电元工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN108010904B (zh) * 2016-11-02 2020-04-24 株洲中车时代电气股份有限公司 一种功率半导体模块
JP6825306B2 (ja) * 2016-11-02 2021-02-03 富士電機株式会社 半導体装置
JP6421859B2 (ja) * 2017-10-10 2018-11-14 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102019111145A1 (de) 2019-04-30 2020-11-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Anordnung dieses Leistungshalbleitermoduls auf einem Motor

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0138048B1 (en) * 1983-09-29 1993-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Press-packed semiconductor device
US5345107A (en) * 1989-09-25 1994-09-06 Hitachi, Ltd. Cooling apparatus for electronic device
US5243217A (en) * 1990-11-03 1993-09-07 Fuji Electric Co., Ltd. Sealed semiconductor device with protruding portion
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
JP2854785B2 (ja) * 1993-08-30 1999-02-03 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE19719703C5 (de) * 1997-05-09 2005-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat
DE19843309A1 (de) * 1998-09-22 2000-03-23 Asea Brown Boveri Kurzschlussfestes IGBT Modul
DE19903245A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-03 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
DE19903875C2 (de) * 1999-02-01 2001-11-29 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung
US6703707B1 (en) * 1999-11-24 2004-03-09 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure
DE10141114C1 (de) * 2001-06-08 2002-11-21 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
DE10127947C1 (de) * 2001-08-22 2002-10-17 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
EP1367643B1 (en) * 2002-05-15 2006-04-05 Tyco Electronics AMP GmbH Electronic module
JP2005012053A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Toshiba Corp 電力用半導体装置
DE102004018476B4 (de) * 2004-04-16 2009-06-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung
DE102004021927B4 (de) * 2004-05-04 2008-07-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur inneren elektrischen Isolation eines Substrats für ein Leistungshalbleitermodul
DE102004025609B4 (de) * 2004-05-25 2010-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102006006424B4 (de) * 2006-02-13 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102006006423B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100114837A (ko) * 2009-04-16 2010-10-26 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 전력 전자 시스템에서 간섭 방출을 감소시키기 위한 장치
KR20170113172A (ko) * 2016-03-30 2017-10-12 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 3-레벨 컨버터 장치 및 이를 위한 연결 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP1843393A3 (de) 2008-04-30
US7589418B2 (en) 2009-09-15
US20070194429A1 (en) 2007-08-23
DE102006006425A1 (de) 2007-08-23
CN101064299B (zh) 2010-12-22
DE102006006425B4 (de) 2009-06-10
JP2007221126A (ja) 2007-08-30
EP1843393B1 (de) 2013-03-13
EP1843393A2 (de) 2007-10-10
JP5114064B2 (ja) 2013-01-09
ES2403072T3 (es) 2013-05-13
DK1843393T3 (da) 2013-06-10
KR101204630B1 (ko) 2012-11-23
CN101064299A (zh) 2007-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101204630B1 (ko) 가압 접촉식 전력 반도체 모듈
KR101238542B1 (ko) 전력 반도체 모듈 및 이에 대한 제조 방법
US7592698B2 (en) Power semiconductor modules having a cooling component and method for producing them
KR101068703B1 (ko) 전기 절연된 접속 소자를 구비한 전력 반도체 모듈
US8283763B2 (en) Power semiconductor module and fabrication method thereof
US7780469B2 (en) Arrangement of at least one power semiconductor module and a printed circuit board
US7227259B2 (en) Low-inductance circuit arrangement for power semiconductor modules
US11239132B2 (en) Semiconductor power device with corresponding package and related manufacturing process
CN106953504B (zh) 电子的线路单元
US20080017907A1 (en) Semiconductor Module with a Power Semiconductor Chip and a Passive Component and Method for Producing the Same
US20070108575A1 (en) Semiconductor package that includes stacked semiconductor die
US8373197B2 (en) Circuit device
US10134654B2 (en) Double-encapsulated power semiconductor module and method for producing the same
KR20130086211A (ko) 광전자 조명 모듈 및 자동차 헤드라이트
CN107393892B (zh) 功率半导体装置
KR101695499B1 (ko) 하이브리드 축압기를 구비하는 압력 접속식 전력 반도체 모듈
EP3561867B1 (en) A power semiconductor device with a double island surface mount package
EP3477694A1 (en) Power semiconductor module with partially coated power terminals
US20190214340A1 (en) Power module
WO2021015050A1 (ja) 電気回路装置
KR20150037562A (ko) 전력 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151109

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161021

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171016

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181022

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191014

Year of fee payment: 8