EP3096394B1 - Hochfrequenzfilter mit dielektrischen substraten zur übertragung von tm-moden in transversaler richtung - Google Patents

Hochfrequenzfilter mit dielektrischen substraten zur übertragung von tm-moden in transversaler richtung Download PDF

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EP3096394B1
EP3096394B1 EP16166149.1A EP16166149A EP3096394B1 EP 3096394 B1 EP3096394 B1 EP 3096394B1 EP 16166149 A EP16166149 A EP 16166149A EP 3096394 B1 EP3096394 B1 EP 3096394B1
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EP
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resonator
dielectric
frequency filter
resonators
coupling
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EP3096394A2 (de
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Frank Weiss
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Kathrein SE
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Kathrein SE
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Publication date
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    • H01P7/10—Dielectric resonators

Definitions

  • the invention relates to a high frequency filter, which is particularly suitable for the transmission of TM modes in the transverse direction.
  • TM modes or TM waves
  • only the electric field has components in the propagation direction and the magnetic fields are located only in the plane perpendicular to the direction of propagation.
  • TM waves are therefore also known as e-waves.
  • a dielectric rod resonator comprising various resonator chambers through which a common dielectric rod extends Stabs an OSM connector is attached in the form of a socket, wherein the inner conductor of a coaxial cable through the socket of the OSM connector is inserted into a small recess in the end faces of the dielectric rod.
  • a dielectric resonator comprising various stacked housing frames, which define a receiving space and are only partially coupled to each other by slotted separating elements, wherein in the individual receiving spaces dielectrics are arranged.
  • a dielectric resonator device which comprises a plurality of TM multi-mode dielectric resonators, each of which comprises a composite dielectric column. Via a window in a conductive wall, two adjacent resonators are coupled together.
  • the DE 697 22 570 T2 shows a structure of a dielectric filter with different resonators, in different resonator chambers, wherein the resonator chambers are spaced apart with partitions, wherein in the partitions windows are introduced for coupling.
  • the US 2002/0041221 A1 discloses a hollow chamber filter with dielectric resonators and a coaxial signal line terminal, wherein the inner conductor of the coaxial signal line terminal is inserted into a hole in the dielectric to achieve a better electromagnetic coupling.
  • a high-frequency filter which comprises a plurality of resonator chambers, which are connected to one another via openings.
  • each resonator chamber are a dielectric material and an inner conductor, wherein the inner conductor is formed integrally with the housing.
  • About a feed conductor of the inner conductor is excited, via which also the dielectric material is excited.
  • a disadvantage of this high-frequency filter is the complex structure, resulting in the necessarily larger deviations in the filter properties in production.
  • a disadvantage of this structure is that an increased space requirement is required in order to realize the desired filter properties.
  • FIG. 1 shows an embodiment of the high-frequency filter 1 according to the invention in an exploded view.
  • the high-frequency filter 1 according to the invention comprises a housing 2 which has a housing bottom 3 and a housing cover 4 spaced from the housing bottom 3 and a housing wall 5 encircling the housing bottom 3 and the housing cover 4.
  • Both the housing cover 4, as well as the housing bottom 3 have at least one opening, via which a signal line connection 30 1 , 30 2 , as will be shown later, can be introduced.
  • a first signal line connection 30 1 is fed through the opening of the housing cover 4 to the high-frequency filter 1 and a second signal line connection 30 2 through the opening in the housing bottom 3.
  • the openings in the housing cover 4 and in the housing bottom 3 need not in the center of the housing bottom 3 or the housing cover. 4 be arranged. It is also possible that the openings are arranged eccentrically. Preferably, both the housing cover 4, and the housing cover 3 opposite the housing cover 4 can be removed. In the assembled state of the high-frequency filter 1 the housing cover 4 and the housing bottom 3 are preferably screwed to the circumferential housing wall 5.
  • the high-frequency filter 1 also has a plurality of resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n , wherein each of the n resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n has at least one resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n includes.
  • N is a natural number ⁇ 1.
  • each resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n is at least one dielectric 8 1 , 8 2 , ..., 8 n .
  • This dielectric 8 1 , 8 2 ,..., 8 n is preferably disk-shaped or cylindrical. It extends over the entire volume of the respective resonator chamber 7 1 , 7 2 ,..., 7 n or only over a part thereof.
  • the individual resonator 7 1, 7 2, ..., 7 n are by separation devices 9 1, 9 2, ... 9 n-1 separated from each other.
  • These separating devices 9 1 , 9 2 ,... 9 n-1 are preferably cutting discs.
  • These separators 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 are made of an electrically conductive material or are coated with such.
  • Each of these separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 has at least one coupling opening 10.
  • the size, the geometric shape, the number and the arrangement of the coupling opening 10 within the respective separating device 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 can be chosen arbitrarily and by separating device 9 1 , 9 2 , ...
  • the diameter of the coupling openings 10 is, depending on the frequency range, for example, only a fraction of a millimeter. It can be several millimeters, especially at low frequencies.
  • the separators 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 are preferably thinner than the dielectrics 8 1 , 8 2 , ..., 8 n .
  • the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 are preferably only a few millimeters thick, preferably they are thinner than 3 millimeters, more preferably they are thinner than 2 millimeters.
  • the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 and the housing 2 are each formed as separate separate components.
  • the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 are completely surrounded by the circumferential housing wall 5 of the high-frequency filter 1 in the mounted state of the high-frequency filter 1 and are arranged only and exclusively inside the high-frequency filter 1. They are preferably not screwed to the housing 2.
  • the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 can be inserted into the housing cover 4 and / or the housing bottom 3 when the cover 4 is open. This means that they do not constitute part of the outer wall of the high-frequency filter 1.
  • the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 rest on the respective dielectrics 8 1 , 8 2 ,..., 8 n and are preferably supported exclusively on the housing bottom 3 and / or on the housing cover 4 of the high-frequency filter 1 from.
  • Each resonator chamber 7 1 , 7 2 ,..., 7 n can also comprise at least one insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n .
  • Such an insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n is preferably a ring which, with its outer surface, preferably bears in a form-fitting manner against an inner surface of the housing wall 5.
  • Such an insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n, which is electrically conductive can be used for adjusting the volume of the resonator chamber 7 1 , 7 2 ,..., 7 n and thus for adjusting the resonant frequency.
  • the housing 2 of the high-frequency filter 1 is preferably kept free of internal conductors, which are galvanically connected to the housing 2 at one end.
  • FIG. 1 In addition, a central axis 12 is shown, which passes through the high-frequency filter 1.
  • the signal transmission direction 21 corresponds to the central axis 12.
  • the resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n are arranged one above the other. Therefore, each resonator 6 1, 6 2, ..., 6 n maximum of two directly adjacent resonators 6 1, 6 2, ..., 6 n, wherein the resonators 6 1, 6 2, ..., 6 n from each other, are separated by the respective separation means 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 .
  • a coupling of the individual resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n is only possible via the respective coupling openings 10 within the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 .
  • the coupling of the individual resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n takes place parallel or predominantly parallel to the signal transmission direction 21.
  • the H field 20 propagates perpendicular or with a component predominantly perpendicular to the signal transmission direction 21.
  • All resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n are penetrated by the central axis 12.
  • the central axis 12 is perpendicular to the end face of the respective dielectrics 8 1 , 8 2 , ..., 8 n .
  • the inner wall of the housing 5 of the high-frequency filter 1 is preferably cylindrical in cross-section.
  • Other shapes in cross section are also possible.
  • FIG. 2 is a diagram explaining that a magnetic field 20 (H field) is disposed perpendicular to the signal transmission direction 21. As shown in FIG. The magnetic field lines thereby propagate radially outward about the signal transmission direction 21.
  • the central axis 12 and the signal transmission direction 21 are preferably congruent.
  • FIG. 3 shows a longitudinal section through the high-frequency filter 1 according to the invention, which shows a plurality of resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n with the respective resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n , via coupling openings 10 in the separators.
  • 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 are interconnected.
  • a first signal line connection 30 1 is passed through an opening in the housing cover 4.
  • a second signal line connection 30 2 is passed through an opening in the housing bottom 3.
  • the openings in the housing cover 4 and in the housing bottom 3 are preferably arranged centrally. An off-center arrangement is also possible.
  • the first signal line terminal 30 1 contacts an end face of the first dielectric 8 1 .
  • the first dielectric 8 1 is excited directly by the first signal line terminal 30. 1
  • the first signal line connection 30 1 is therefore in contact with the first dielectric 8 1 .
  • the end face of the first dielectric 8 1 is not in contact with the housing cover 4 in this exemplary embodiment, which means that the end face 8 1 does not touch the housing cover 4.
  • the second signal line connection 30 2 also touches an end face of the n-th dielectric 8 n, and is in contact with this.
  • the nth dielectric 8 n is excited directly by the second signal line connection 30 2 .
  • the end face of the n-th dielectric does not touch the housing bottom 3, so it is not in contact with this.
  • Each resonator 6 1 , 6 2 , 6 3 , 6 4 , ..., 6 n each having a resonator 7 1 , 7 2 , 7 3 , 7 4 , ..., 7 n possess.
  • Each resonator 6 1 , 6 2 , 6 3 , 6 4 ,..., 6 n is separated by a separator 9 1 , 9 2 , 9 3 ,..., 9 n-1 from the other resonators 6 1 , 6 2 , 6 3 , 6 4 , ..., 6 n separately.
  • Each resonator 6 1 , 6 2 , 6 3 , 6 4 ,..., 6 n comprises a dielectric 8 1 , 8 2 , 8 3 , 8 4 ,..., 8 n .
  • the signal line terminals 30 1 and 30 2 are arranged on different, in particular on opposite sides of the housing 2 at this.
  • the first signal line connection 30 1 penetrates the housing cover 4 and the second signal line connection 30 2 passes through the housing bottom 3 or vice versa.
  • the dielectrics 8 1 , 8 2 , 8 3 , 8 4 ,..., 8 n can all be made of the same material. It is also possible that only some of the dielectrics 8 1 , 8 2 , 8 3 , 8 4 ,..., 8 n are made of the same material and other dielectrics 8 1 , 8 2 , 8 3 , 8 4 , .. ., 8n of a different material. It is also possible to form all dielectrics 8 1 , 8 2 , 8 3 , 8 4 ,..., 8 n from different materials.
  • FIG. 3 fill the individual dielectrics 8 1, 8 2, ..., 8 n, the volume of each resonator 7 1, 7 2, ..., 7 n are not completely.
  • the dielectrics 8 1 , 8 2 , ..., 8 n point in this embodiment the same dimensions with respect to their respective height and their respective diameter.
  • the inserts 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4 , ..., 11 n all have the same outer diameter. Their wall thickness, so the inner diameter is different, however. This means that the volume of the individual resonator chambers 7 1 , 7 2 ,..., 7 n is different.
  • the electrically conductive housing cover 4 is both in electrical contact with a front side of the housing 5, as well with an end face of the first insert 11 1 .
  • the housing bottom 3 is also in electrical contact with the housing 5 and an end face of the nth insert 11 n .
  • the housing 5 may be electrically conductive, that is, for example, may be made of metal, but not necessarily.
  • the housing 5 can be made of any other material, in particular of an electrically non-conductive material such as a dielectric or plastic.
  • the function of the housing 5 is to mechanically hold together and mechanically fix the components located in the interior of the housing 5.
  • the housing 5 can only consist of a dielectric, if it is ensured that the resonator chambers 7 1 , 7 2 ,..., 7 n are shielded from the surroundings of the high-frequency filter 1. Such shielding can for example be done by the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n .
  • the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 have an outer diameter, which preferably has an inner diameter the housing wall 5 corresponds. This means that an outer surface, ie a circumferential wall of each separating device 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 touches the inner surface of the housing 5, ie is in mechanical contact therewith.
  • the coupling openings 10 of a separating device 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 may differ from the coupling openings of the other separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 with respect to their arrangement, ie orientation and / or their number and / or their size and / or their cross-sectional shape.
  • the coupling openings 10 of the individual separation devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 have a different diameter and are arranged, for example, at different locations of the separation devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 .
  • the coupling openings 10 connect the individual resonator chambers 7 1 , 7 2 ,..., 7 n to one another, wherein on the one hand they depend on the free volume of a resonator 6 1 , 6 2 ,..., 6 n or on the dielectric 8 1 , 8 2 , ..., 8 n of the resonator 6 1 , 6 2 , ..., 6 n are surrounded.
  • An electrically conductive insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n can not cover a coupling opening 10. It is also possible that the cross-sectional shape of the individual coupling openings 10 changes over the length, that is, over the height. Between the individual separation devices 9 1, 9 2, ..., 9 n-1 and the inserts 11 1, 11 2, ..., 11 n typically is no cavity. The same applies preferably also to the first insert 11 1 and the housing cover 4, as well as to the nth insert 11 n and the housing bottom 3.
  • the dielectrics 8 1 , 8 2 , ..., 8 n are also in contact with their respective separator 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 .
  • the dielectrics 8 1 , 8 2 ,..., 8 n can be pressed and / or soldered to the respective separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 .
  • the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n with the corresponding separating devices 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 pressed together form-fitting and / or soldered.
  • a rotation of the individual elements is prevented from each other, whereby the electrical properties of the high-frequency filter 1 does not change over a longer period.
  • FIG. 4 shows a longitudinal section through a further embodiment of the high-frequency filter according to the invention 1.
  • the first dielectric 8 1 is on its front side in contact with the housing cover 4. A distance between the first dielectric 8 1 and the housing cover 4 is not present.
  • the elements of the high-frequency filter 1 are preferably pressed together. This pressing manifests itself, for example, in that the individual dielectrics 8 1 , 8 2 ,..., 8 n partially protrude into the individual separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 .
  • the high-frequency filter 1 also has a plurality of tuning elements 40 1 , 40 2 , 40 3 , 40 4 ,..., 40 n .
  • At least one tuning element 40 1 , 40 2 ,..., 40 n is inserted into the resonator chamber 7 1 through an additional opening 41 1 , 41 2 , 41 3 , 41 4 ,. 7 2 , ..., 7 n of at least one of the n-resonators 6 1 , 6 2 , ... 6 n introduced.
  • the openings 41 1 , 41 2 ,..., 41 n extend through the housing wall 5 and through the corresponding insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n into the resonator chamber 7 1 , 7 2 ,. 7 n inside.
  • the corresponding tuning element 41 1, 41 2, ..., 41 n may then into the respective resonator 7 1, 7 2, ..., 7 n into or be unscrewed.
  • the distance between the tuning element 41 1 , 41 2 ,..., 41 n and the respective dielectric 8 1 , 8 2 ,..., 8 n is variable.
  • the respective opening 41 1 , 41 2 ,..., 41 n preferably runs perpendicular to the signal propagation direction 21 and thus likewise perpendicular to the central axis 12.
  • the first dielectric 8 1 in the first resonator 6 1 has a depression into which the first signal line 30 1 protrudes. This increases the coupling.
  • the first signal line 30 1 is preferably in contact with the dielectric 8 1 . However, it would also be possible for the first signal line 30 1 to be arranged without contact with the first dielectric 8 1 in the latter. The same applies to the nth dielectric 8 n n in the nth resonator. 6
  • the recess may be centrally or eccentrically attached to the dielectric 8 1 , 8 n .
  • FIG. 5 shows a longitudinal section through a further embodiment of the high-frequency filter 1 according to the invention.
  • the dielectric 8 1 in the first resonator chamber 7 1 has a continuous recess, through which the first signal line 30 1 extends.
  • the first signal line 30 1 comes directly into contact with the first separator 9 first
  • the second signal line connection 30 2 which extends through a continuous recess in the n-th dielectric 8 n of the n-th resonator 6 n and is in contact with the n-1 th separator 9 n-1 .
  • the respective signal line terminals 30 1 , 30 2 are also in contact with the respective dielectric 8 1 , 8 n, which is penetrated by them. However, they could also be arranged without contact to these.
  • the continuous recess may be mounted centrally or off-center on the dielectric 8 1 , 8 n .
  • the part of the signal line connection 30 1 , 30 2 which is in contact with the respective dielectric 8 1 , 8 n or with the respective separating device 9 1 , 9 n-1 , runs parallel to the central axis 12, or parallel to the signal transmission direction 21 other parts of the signal line connection 30 1 , 30 2 do not have to run parallel to the signal transmission direction 21 or to the central axis 12.
  • those parts of the two signal line connections 30 1 , 30 2 run parallel to the signal transmission direction 21, which are located within the first or n-th resonator chamber 7 1 , 7 n .
  • the second dielectric 8 2 in the second resonator chamber 7 2 also has a recess, so that a second tuning element 40 2 can dip into the second dielectric 8 2 .
  • the inserts 11 1 , 11 2 ,... , 11 n of at least two resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n which are not directly adjacent to one another have an opening 50 1 , 50 2 .
  • the at least two openings 50 1 , 50 2 are interconnected by a channel 51, this channel 51 preferably being parallel to the signal propagation direction 21, ie parallel to the central axis 12.
  • This channel 51 extends at least partially within the housing wall 5. It is also possible that this channel extends completely within the housing wall 5. It is also possible that this channel does not run within the housing wall 5, but only through the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n and the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n lying between them. 1 .
  • This electrical conductor 52 couples the at least two resonators 6 1 , 6 n capacitively and / or inductively with each other.
  • a first end 53 1 of the electrical conductor 52 is connected to the first separator 9 1 .
  • the first end 53 1 of the electrical conductor 52 preferably runs parallel to the signal propagation direction 21 and thus parallel to the central axis 12.
  • a second end 53 2 of the electrical conductor 52 is galvanically connected to the n-1 th separator 9 n-1 .
  • the second end 53 2 also preferably extends parallel to the signal propagation direction 21 and thus parallel to the central axis 12.
  • the first and the second end 53 1 , 53 2 can with the respective separation devices 9 1 , 9 2 , ...
  • the electrical conductor 52 which extends within the channel 51, is within this preferably via dielectric spacers, not shown, of the walls which surround the channel 51, electrically separated and held by this in its position.
  • FIG. 6 shows a longitudinal section through a further embodiment of the high-frequency filter according to the invention 1.
  • a first overcoupling takes place between the first resonator 6 1 and the n th resonator 6 n .
  • An electrical conductor 52 couples these two resonators 6 1 , 6 n together.
  • a first end 53 1 of the electrical conductor 52 is connected to the housing cover 4 this time.
  • a second over-coupling takes place between the second resonator 6 2 and the fourth resonator 6 4 .
  • An electrical conductor 60 couples these two resonators 6 2 , 6 4 together.
  • a first end 61 1 of the second electrical conductor 60 is connected to the second separator 9 2 .
  • a second end 61 2 of the electrical conductor is connected to the n-1-th separator 9 n-1 . Shown by dashed lines is a possibility that the second end 61 2 of the second electrical conductor 60 could also be connected to the third separator 9 3 .
  • the anti-rotation elements 62 may consist of a combination between a projection and a receiving opening.
  • the housing cover 4 may have a projection which engages in a corresponding receiving opening within the first insert 11 1 .
  • the anti-rotation elements 62 are preferably between at least one of the n-1 separators 9 1 , 9 2 , ..., 9 n and the at least one insert 11 1 , 11 2 , ..., 11 n and / or the adjacent dielectric. 8 1 , 8 2 , ..., 8 n attached.
  • a respective anti-rotation element 62 between the housing bottom 3 and / or the housing cover 4 and / or the housing wall 5 and the insert 11 1 in the first resonator chamber 7 1 and the insert 11 n in the n-th resonator chamber 7 n mounted the prevents the mutual rotation of those elements which are arranged closest to the first and / or the second signal line connection 30 1 , 30 2 . This also prevents twisting of those elements which are arranged further inside the high-frequency filter 1.
  • the high-frequency filter 1 is preferably realized in stacked construction, wherein all the resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n are arranged one above the other.
  • the anti-rotation elements 62 thereby prevent the electrical properties of the individual resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n , which include, for example, the resonance frequencies, from changing.
  • FIG. 7 shows a longitudinal section through a further embodiment of the high-frequency filter according to the invention 1.
  • the individual resonator 7 1 , 7 2 , ..., 7 n are completely filled by the respective dielectric 8 1 , 8 2 , ..., 8 n .
  • the height of each dielectric 8 1 , 8 2 , ..., 8 n corresponds to the height of the respective insert 11 1 , 11 2 , ..., 11 n .
  • the outer diameter of each dielectric 8 1 , 8 2 ,..., 8 n corresponds approximately to the inner diameter of the respective insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n .
  • the dielectric 8 1 , 8 2 , ..., 8 n lies with its peripheral wall on an inner wall of the respective insert 11 1 , 11 2 , ..., 11 n a form-fitting manner.
  • FIG. 8 shows a longitudinal section through a further embodiment of the high-frequency filter according to the invention 1.
  • the first signal line terminal 30 1 contacts the first dielectric 8 1 off-center.
  • the same applies to the second signal line connection 30 2 which contacts the nth dielectric off-center.
  • the dielectrics 8 1, 8 2, ..., 8, the volume of their respective resonator 7 1, 7 2, ..., 7 n completely fill n a cross-coupling between two may also not directly adjacent resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n can be achieved.
  • the first dielectric 8 1 and the third dielectric 8 3 that is to say the dielectrics 8 1 , 8 2 ,..., 8 n between their resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n should take place in the longitudinal direction a preferably continuous slot 80.
  • This continuous slot 80 can be introduced, for example, by means of a diamond saw in the existing of a ceramic dielectric 8 1 , 8 2 , ..., 8 n .
  • this slot 80 at least the first end 53 1 and the second end 53 2 of the electrical conductor 52 is arranged.
  • Figure 9A shows a longitudinal section through a further embodiment of the high-frequency filter according to the invention 1.
  • the separator 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 is an integral part of each dielectrics 8 1 , 8 2 , ..., 8 n .
  • This metal layer then represents one of the n-1 separation devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 .
  • a recess 90 within the metal layer, ie within the coating, thereby forms a coupling opening 10 between two resonators 6 1 , 6 2 ,..., 6 n .
  • Adjacent dielectrics 8 1 , 8 2 ,..., 8 n have the recesses 90 within the coating of the metal layer in each case at the same locations, so that a coupling in the signal propagation direction 21 is possible becomes.
  • FIG. 9B shows a modified embodiment of Figure 9A.
  • the housing 2 is formed in this case from the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n, the housing bottom 3 and the housing cover 4 .
  • the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n are preferably interconnected by screws 91, which further preferably extend parallel to the central axis 12.
  • a complementary or alternative connection by an adhesive or by a soldering and / or welding connection is also possible.
  • the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n could also be connected to each other by a latching connection without tools.
  • a protrusion on the surface of an insert 11 1 , 11 2 ,..., 11 n, which (the surface) extends parallel to the housing cover 4 or housing bottom 3, could in an opening of the adjacent insert 11 1 , 11 second , ..., 11 n are introduced, wherein the projection is moved by a rotational movement in the opening such that the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n no longer detach from each other when only a force along the central axis 12 is applied.
  • the separating means 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 are not formed in the form of a coating on the dielectrics 8 1 , 8 2 ,..., 8 n , they would be between the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n arranged. You could then represent either a part of the outer wall of the housing wall 5 or in a recess of the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n, in the area of the inserts 11 1 , 11 2 , ..., 11 n a reduced Thickness, be arranged. In this case, the separating devices 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 would be invisible from the outside.
  • FIG. 10 shows a flowchart which explains how the resonance frequency and / or the coupling bandwidth for a resonator 6 1 , 6 2 , ..., 6 n is set to equalize the high-frequency filter 1 according to the invention.
  • a counter variable X is defined with 0.
  • method step S 1 is carried out.
  • all coupling openings 10 of the 1 + x th separator and / or the n-1 th separator are closed. Looking at the longitudinal section in FIG. 4 this would be the coupling openings 10 in the first separator 9 1 and in the last separator 9 n-1 .
  • the method step S 2 is carried out.
  • the reflection factor is measured at the first signal line connection 30 1 and / or at the second signal line connection 30 2 .
  • the measured reflection factor becomes unique the geometric properties of the first and the nth resonator 6 1 , 6 n determined.
  • method step S 3 is carried out.
  • the resonance frequency and / or the coupling bandwidth of the first and / or the nth resonator 6 1 , 6 n is set to a specific value.
  • the method step S 2 is again carried out in order to measure the changed reflection factor again to determine whether the method step S 3 must be repeated, or whether the set values for the resonant frequency and / or the coupling bandwidth already the desired values correspond.
  • the tuning of the high-frequency filter 1 according to the invention is carried out from outside to inside, that is to say beginning at the resonators 6 1 , 6 n arranged at the first and / or second signal line terminals 30 1 , 30 2 .
  • further resonators 6 2 , 6 3 ,..., 6 n-2 are successively added by opening the respective coupling openings. This process is for example in FIG. 11 described.
  • FIG. 11 shows a further flowchart, which explains how the resonance frequencies and / or the coupling bandwidths for the other resonators 6 2 , 6 3 , ..., 6 n-1 are set to equalize the high-frequency filter 1 according to the invention.
  • the method step S 4 is carried out. Within the method step S 4 is at least a coupling opening 10 of the 1 + X-th separator and / or the n-1-X-th separator opened. With regard to FIG. 4 this would be the coupling opening 10 in the separators 9 1 and 9 n-1 .
  • the method step S 5 is carried out.
  • the value of X is increased by 1.
  • the method step S 6 is listed, in which again the method steps S 1 , S 2 , S 3 , S 4 , S 5 are carried out, namely until all coupling openings 10 are opened. This means that subsequent to that FIG. 4 the coupling openings 10 of the separator 9 2 and the coupling openings 10 of the separator 9 3 are closed. Again, the reflection factor at the first signal line connection 30 1 and / or at the second signal line connection 30 2 is measured. Following this, the resonance frequency and / or the coupling bandwidth of the first and the last two resonators 6 1 , 6 2 and 6 n, 6 n-1 is set again.
  • the resonator 6 3 that is to say the resonator in the middle of the high-frequency filter 1 according to the invention, is used once for the calculation of the reflection factor at the first signal line connection 30 1 and once for the calculation of the reflection factor at the second signal line connection 30 2 in the method for balancing the high-frequency filter 1.
  • the coupling openings 10 of the X-th separator are opened and the coupling openings 10 of the X + 1-th separator closed.
  • the coupling openings would be opened in the separator 9 2 and closed in the separator 9 3 .
  • the reflection factor at the first signal line connection 30 1 is measured and the resonance frequency and / or the coupling bandwidth are adjusted accordingly.
  • the coupling opening 10 of the X + 1 th separator is opened and the coupling openings 10 of the X th separator are closed.
  • the coupling openings 10 would be closed in the separator 9 2 , whereas the coupling opening 10 would be opened within the separator 9 3 3 .
  • method step S 2 is carried out again and the reflection factor at the second signal line connection 30 2 is measured.
  • method step S 3 is carried out, in which the resonance frequency and / or the coupling bandwidth are set.
  • the resonant frequency and / or the coupling bandwidth of the resonator in the middle of the high-frequency filter 1 according to the invention must be set such that an acceptable value is achieved both for the reflection factor at the first signal line terminal 30 1 and for the reflection factor at the second signal line terminal 30 2 . Possibly. compromises must be made.
  • step S 9 is carried out and the coupling openings of the X-th and the X + 1-th separator are opened.
  • all coupling openings 10 in all separators 9 1 , 9 2 , ..., 9 n-1 are open. This condition automatically exits after passing through the flowchart FIG. 11 when there are an even number of resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n .
  • method step S 10 is carried out.
  • the forward transmission factor and / or the backward transmission factor are determined.
  • the resonance frequency and / or the coupling bandwidth are again set to a specific value, or finely adjusted. This takes place in method step S 3 .
  • Repetition of the method steps S 2 and S 10 is possible as often as the desired target value for the resonant frequency and / or the coupling bandwidth has not yet been reached in method step S 3 .
  • FIG. 14 shows a further flowchart, which explains by which measures the resonance frequency and / or the coupling bandwidth within a resonator 6 1 , 6 2 , ..., 6 n can be changed.
  • the following method steps can be carried out individually or in combination with one another.
  • the method step S 11 describes that the resonance frequency and / or the coupling bandwidth can be adjusted by the diameter of the respective resonator chamber 7 1 , 7 2 ,..., 7 n by exchanging the insert 11 1 , 11 2 , ... , 11 n can be done by another with changed dimensions, in particular with a changed inner diameter.
  • the method step S 12 can be carried out.
  • an intended separating device 9 1 , 9 2 ,..., 9 n-1 can be rotated so that the coupling openings 10 are arranged differently. It is also possible that the separating device 9 1 , 9 2 , ..., 9 n is replaced by another, wherein the coupling openings 10, a different arrangement and / or a different number and / or a different size and / or another Have geometry.
  • the method step S 13 can be carried out.
  • a change in the resonance frequency and / or the coupling bandwidth can also be achieved by further screwing and / or turning at least one tuning element 40 1 , 40 2 ,..., 40 n into the respective resonator chamber 7 1 , 7 2 , n take place.
  • a resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n and more than one tuning element 40 1 , 40 2 , ..., 40 n can be turned on or turned off.
  • the method step S 14 can also be carried out.
  • at least one dielectric 8 1 , 8 2 ,..., 8 n in a resonator chamber 7 1 , 7 2 ,..., 7 n can be replaced by another dielectric 8 1 , 8 2 ,. 8 n exchanged, which has changed dimensions, in particular in its height and / or its diameter.
  • step S 1 or each time when coupling openings 10 are to be closed, this is preferably done by the respective separation device 9 1 , 9 2 , ... 9 n is replaced by one which has no coupling openings 10.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Hochfrequenzfilter, das sich insbesondere zur Übertragung von TM-Moden in transversaler Richtung eignet. Wenn von der Übertragung von TM-Moden, bzw. TM-Wellen gesprochen wird, dann besitzt nur das elektrische Feld Anteile in der Ausbreitungsrichtung und die magnetischen Felder befinden sich ausschließlich in der Ebene senkrecht zur Ausbreitungsrichtung. TM-Wellen werden daher auch als E-Wellen bezeichnet.
  • Aus "Yoshio Kobayashi et Al: "Bandpass Filters Using Electrically-Coupled TM010 Dielectric Rod Resoantors", Electronics and Communications in Japan, Scripta Pub., Silver Spring, MD, US, Bd. 66, Nr. 3,1. März 1983, Seiten 33-42, ISSN: 0424-8368" ist ein dielektrischer Stab-Resonator bekannt, der verschiedene Resonatorkammern umfasst, durch die sich ein gemeinsamer dielektrischer Stab erstreckt. An den Stirnseiten des dielektrischen Stabs ist ein OSM-Stecker in Form einer Buchse befestigt, wobei der Innenleiter eines Koaxialkabels durch die Buchse des OSM-Steckers hindurch in eine kleine Ausnehmung in den Stirnseiten des dielektrischen Stabs einführbar ist.
  • In "Luca Pelliccia et al: "Ultra-Compact pseudoelliptic waveguide filters using TM dual-mode dielectric resonators", Miscrowave Conference Proceedings (APMC), 2011 Asia-Pacific, IEEE, 5. Dezember 2011, Seiten 143-146, ISBN: 978-1-4577-2034-5" ist ein dielektrischer Resonator gezeigt, der verschiedene aufeinandergestapelte Gehäuserahmen umfasst, die einen Aufnahmeraum umgrenzen und durch geschlitzte Trennelemente nur bedingt miteinander gekoppelt sind, wobei in den einzelnen Aufnahmeräumen Dielektrika angeordnet sind.
  • Aus der DE 195 47 006 C2 ist ein dielektrisches Resonatorbauelement bekannt, das eine Mehrzahl von TMmehrmodigen dielektrischen Resonatoren aufweist, von denen jeder eine zusammengesetzte dielektrische Säule umfasst. Über ein Fenster in einer leitfähigen Wand werden zwei benachbarte Resonatoren miteinander gekoppelt.
  • Die DE 697 22 570 T2 zeigt einem Aufbau eines dielektrischem Filters mit verschiedenen Resonatoren, in unterschiedlichen Resonatorkammern, wobei die Resonatorkammern mit Trennwänden voneinander beabstandet sind, wobei in den Trennwänden Fenster zur Kopplung eingebracht sind.
  • In "Chaloupka H et. Al: "Sequential Tuning of Microwave Filters Using Adaptive Models and Parameter Extraction", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE Service Center, Piscataway, NJ, US, Bd. 53, Nr. 1, 1. Januar 2005, Seiten 22-31, ISSN: 0018-9480" wird ein Verfahren beschrieben, um ein Filter abzustimmen. Es wird gesagt, dass ein Resonator nach dem anderen abgestimmt wird. Zuerst werden alle Abstimmschrauben entfernt, damit die Resonanzfrequenz außerhalb der späteren Nutzfrequenz liegt. Im Folgenden wird ein Resonator nach dem anderen abgestimmt, indem die Abstimmschrauben nacheinander eingesetzt werden.
  • In "John B Ness: "A Unified Approach to the Design Measurement, and Tuning of Coupled-Resonator Filters", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE Service Center, Piscataway, NJ, US, Bd. 46, Nr. 4, 1. April 1998, ISSN: 0018-9480" wird ein Verfahren beschrieben, um gekoppelte Resonator-Filter abzustimmen. Es wird gesagt, dass aus den Reflektionsparametern von nacheinander abgestimmten Resonatoren alle Informationen entnommen werden können, um das Filter zu entwerfen und abzustimmen.
  • In "Ming Hui Chen: "Short-Circuit Tuning Method for Singly Terminated Filters", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 25, No.12, 1. Dezember 1977, Seiten 1032-1036 wird ein Verfahren zum Abstimmen eines Filters beschrieben. Zuerst werden alle Abstimmschrauben entfernt, damit die Resonanzfrequenz außerhalb der späteren Nutzfrequenz liegt. Im Folgenden wird ein Resonator nach dem anderen abgestimmt, indem die Abstimmschrauben eingesetzt werden.
  • Die US 2002/0041221 A1 offenbart ein Hohlkammerfilter mit dielektrischen Resonatoren und einem koaxialen Signalleitungsanschluss, wobei der Innenleiter des koaxialen Signalleitungsanschlusses in ein Loch im Dielektrikum eingeführt wird, um eine bessere elektromagnetische Kopplung zu erzielen.
  • Aus der US 6,549,092 B1 ist ein Hochfrequenzfilter bekannt, das mehrere Resonatorkammern umfasst, die über Öffnungen miteinander verbunden sind. In jeder Resonatorkammer befinden sich ein dielektrisches Material und ein Innenleiter, wobei der Innenleiter einteilig mit dem Gehäuse ausgebildet ist. Über einen Speiseleiter wird der Innenleiter angeregt, wobei über diesen auch das dielektrische Material angeregt wird. Nachteilig an diesem Hochfrequenzfilter ist der aufwendige Aufbau, durch den sich zwingend größere Abweichungen bei den Filtereigenschaften in der Produktion ergeben.
  • Die Veröffentlichung von M. Höft und T. Magath, "Compact Base-Station Filters Using TM-Mode Dielectric Resonators" beschreibt den Aufbau eines Hochfrequenzfilters, das mehrere dielektrische Resonatoren aufweist. Die Kopplung zwischen den einzelnen Resonatoren erfolgt dabei parallel zur Ausbreitungsrichtung des H-Fells.
  • Nachteilig an diesem Aufbau ist, dass ein erhöhter Platzbedarf erforderlich ist, um die gewünschten Filtereigenschaften realisieren zu können.
  • Es ist daher die Aufgabe der hier vorliegenden Erfindung ein Hochfrequenzfilter zu schaffen, das sich insbesondere zur Übertagung von TM-Moden in transversaler Richtung eignet, wobei dieses Hochfrequenzfilter einerseits platzsparend und andererseits einfach und kostengünstig aufgebaut werden soll.
  • Die Aufgabe wird bezüglich des Hochfrequenzfilters durch die Merkmale des unabhängigen Anspruches 1 gelöst. Innerhalb des Anspruchs 14 wird ein Verfahren zum Abgleichen eines solchen Hochfrequenzfilters beschrieben. In den Unteransprüchen sind vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters oder des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Abgleichen des Hochfrequenzfilters angegeben.
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beispielhaft beschrieben. Gleiche Gegenstände weisen dieselben Bezugszeichen auf. Die entsprechenden Figuren der Zeichnungen zeigen im Einzelnen:
    • Figur 1:
    eine Explosionszeichnung des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters;
    Figur 2:
    eine Darstellung die erläutert, dass ein Magnetfeld senkrecht zur Signalübertragungsrichtung angeordnet ist;
    Figur 3
    einen Längsschnitt durch das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter, der mehrere Resonatoren mit den jeweiligen Resonatorkammern zeigt, die über Koppelöffnungen in Trenneinrichtungen miteinander verbunden sind;
    Figur 4
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei Abstimmelemente unterschiedlich weit in die einzelnen Resonatorkammern eingeführt sind;
    Figur 5
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei eine Überkopplung zwischen zwei verschiedenen, nicht nebeneinander liegenden, Resonatorkammern stattfindet, und dabei das Abstimmelement in das Dielektrikum eintauchen kann;
    Figur 6
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei mehrere Überkopplungen zwischen zwei verschiedenen, nicht nebeneinander liegenden, Resonatorkammern stattfinden;
    Figur 7
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei die Resonatorkammern vollständig durch jeweils ein Dielektrikum ausgefüllt sind;
    Figur 8
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei die Resonatorkammern vollständig durch jeweils ein Dielektrikum ausgefüllt sind und wobei ein erster und ein zweiter Signalleitungsanschluss jeweils ein Dielektrikum außermittig kontaktiert;
    Figur 9A
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei die Dielektrika zumindest an ihrer Stirnseite einen elektrisch leitfähigen Überzug aufweisen und als Trenneinrichtung fungieren;
    Figur 9B
    einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters, wobei die Einsätze zusammen mit einem Gehäusedeckel und dem Gehäuseboden das Gehäuse bilden;
    Figur 10
    ein Flussdiagramm, das erläutert, wie die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite eines Resonators eingestellt wird, um das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter abzugleichen;
    Figur 11
    ein weiteres Flussdiagramm, das erläutert, wie die Resonanzfrequenzen und/oder die Koppelbandbreiten für die weiteren Resonatoren eingestellt werden, um das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter abzugleichen;
    Figur 12
    ein weiteres Flussdiagramm, das erläutert, wie die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite für den Resonator in der Mitte des Hochfrequenzfilters eingestellt wird;
    Figur 13
    ein weiteres Flussdiagramm, das erläutert, wie das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter abgeglichen wird, nachdem in jeder Trenneinrichtung zumindest eine Koppelöffnung geöffnet ist; und
    Figur 14
    ein weiteres Flussdiagramm, das erläutert, durch welche Maßnahmen die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite innerhalb eines Resonators verändert werden kann.
  • Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1 in Explosionsdarstellung. Das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter 1 umfasst ein Gehäuse 2, welches einen Gehäuseboden 3 und einen vom Gehäuseboden 3 beabstandeten Gehäusedeckel 4 und eine zwischen dem Gehäuseboden 3 und dem Gehäusedeckel 4 umlaufende Gehäusewand 5 aufweist. Sowohl der Gehäusedeckel 4, als auch der Gehäuseboden 3 weisen zumindest eine Öffnung auf, über die ein Signalleitungsanschluss 301, 302, wie er später dargestellt wird, eingeführt werden kann. Dabei wird ein erster Signalleitungsanschluss 301 durch die Öffnung des Gehäusedeckels 4 dem Hochfrequenzfilter 1 zugeführt und ein zweiter Signalleitungsanschluss 302 durch die Öffnung im Gehäuseboden 3. Die Öffnungen im Gehäusedeckel 4 und im Gehäuseboden 3 müssen nicht im Zentrum des Gehäusebodens 3 oder des Gehäusedeckels 4 angeordnet sein. Es ist auch möglich, dass die Öffnungen außermittig angeordnet sind. Vorzugsweise können sowohl der Gehäusedeckel 4, als auch der dem Gehäusedeckel 4 gegenüberliegende Gehäuseboden 3 abgenommen werden. Im montierten Zustand des Hochfrequenzfilters 1 sind der Gehäusedeckel 4 und der Gehäuseboden 3 vorzugsweise mit der umlaufenden Gehäusewand 5 verschraubt.
  • Das Hochfrequenzfilter 1 weist außerdem noch eine Vielzahl an Resonatoren 61, 62, ..., 6n auf, wobei jeder der n-Resonatoren 61, 62, ..., 6n zumindest eine Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n umfasst. Bei n handelt es sich dabei um eine natürliche Zahl ≥ 1.
  • Innerhalb jeder Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n befindet sich zumindest ein Dielektrikum 81, 82, ..., 8n. Dieses Dielektrikum 81, 82, ..., 8n ist bevorzugt scheiben- oder zylinderförmig ausgebildet. Es erstreckt sich über das gesamte Volumen der jeweiligen Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n oder nur über einen Teil davon.
  • Die einzelnen Resonatorkammern 71, 72, ..., 7n werden durch Trennreinrichtungen 91, 92, ... 9n-1 voneinander getrennt. Bei diesen Trenneinrichtungen 91, 92, ... 9n-1 handelt es sich bevorzugt um Trennscheiben. Diese Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 bestehen aus einem elektrisch leitfähigen Material oder sind mit einem solchen überzogen. Jede dieser Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 weist zumindest eine Koppelöffnung 10 auf. Die Größe, die geometrische Form, die Anzahl und die Anordnung der Koppelöffnung 10 innerhalb der jeweiligen Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 kann beliebig gewählt werden und sich von Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 zu Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 unterscheiden. Der Durchmesser der Koppelöffnungen 10 beträgt je nach Frequenzbereich beispielsweise nur den Bruchteil eines Millimeters. Er kann, insbesondere bei tiefen Frequenzen auch mehrere Millimeter betragen. Die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 sind bevorzugt dünner, als die Dielektrika 81, 82, ..., 8n. Die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 sind bevorzugt nur wenige Millimeter dick, bevorzugt sind sie dünner als 3 Millimeter, weiter bevorzugt sind sie dünner als 2 Millimeter.
  • Die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 und das Gehäuse 2 sind als jeweils separate voneinander getrennte Bauteile ausgebildet. Die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 werden im montierten Zustand des Hochfrequenzfilters 1 von der umlaufenden Gehäusewand 5 des Hochfrequenzfilters 1 vollständig umgeben und sind lediglich und ausschließlich im Inneren des Hochfrequenzfilters 1 angeordnet. Sie werden bevorzugt nicht mit dem Gehäuse 2 verschraubt. Die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 können bei geöffnetem Gehäusedeckel 4 und/oder Gehäuseboden 3 in diesen eingesetzt werden. Dies bedeutet, dass sie kein Teil der Außenwand des Hochfrequenzfilters 1 darstellen. In einer Ausführungsform der Erfindung liegen die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 auf den jeweiligen Dielektrika 81, 82, ..., 8n auf und stützen sich vorzugsweise ausschließlich über diese an dem Gehäuseboden 3 und/oder an dem Gehäusedeckel 4 des Hochfrequenzfilters 1 ab.
  • Jede Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n kann auch zumindest einen Einsatz 111, 112, ..., 11n umfassen. Bei einem solchen Einsatz 111, 112, ..., 11n handelt es sich bevorzugt um einen Ring, der sich mit seiner Außenfläche an einer Innenfläche der Gehäusewand 5 bevorzugt formschlüssig abstützt. Ein solcher Einsatz 111, 112, ..., 11n, welcher elektrisch leitfähig ist, kann zur Einstellung des Volumens der Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n und damit zur Einstellung der Resonanzfrequenz verwendet werden.
  • Das Gehäuse 2 des Hochfrequenzfilters 1 ist vorzugsweise frei von Innenleitern gehalten, die mit einem Ende galvanisch mit dem Gehäuse 2 verbunden sind.
  • In dem Ausführungsbeispiel aus Figur 1 ist außerdem noch eine Zentralachse 12 dargestellt, die durch das Hochfrequenzfilter 1 verläuft. Die Signalübertragungsrichtung 21 entspricht dabei der Zentralachse 12. Die Resonatoren 61, 62, ..., 6n sind dabei übereinander angeordnet. Jeder Resonator 61, 62, ..., 6n hat daher maximal zwei direkt benachbarte Resonatoren 61, 62, ..., 6n, wobei die Resonatoren 61, 62, ..., 6n voneinander durch die jeweiligen Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 getrennt sind. Eine Kopplung der einzelnen Resonatoren 61, 62, ..., 6n ist nur über die jeweiligen Koppelöffnungen 10 innerhalb der Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 möglich.
  • Die Kopplung der einzelnen Resonatoren 61, 62, ..., 6n erfolgt dabei parallel oder überwiegend parallel zur Signalübertragungsrichtung 21. Das H-Feld 20 breitet sich dabei senkrecht oder mit einer Komponente überwiegend senkrecht zur Signalübertragungsrichtung 21 aus.
  • Alle Resonatoren 61, 62, ..., 6n werden von der Zentralachse 12 durchsetzt. Die Zentralachse 12 trifft dabei senkrecht auf die Stirnseite der jeweiligen Dielektrika 81, 82, ..., 8n auf.
  • Die Innenwandung des Gehäuses 5 des Hochfrequenzfilters 1 ist im Querschnitt bevorzugt zylinderförmig. Gleiches gilt auch für die Innenwandung der jeweiligen Einsätze 111, 112, ..., 110. Andere Formen im Querschnitt sind allerdings auch möglich. Beispielsweise können die Innenwandungen im Querschnitt der Form eines Rechtecks oder eines Quadrats oder eines Ovals oder eines regelmäßigen oder unregelmäßigen n-Polygons entsprechen oder diesem angenähert sein.
  • Figur 2 zeigt eine Darstellung, die erläutert, dass ein Magnetfeld 20 (H-Feld), senkrecht zur Signalübertragungsrichtung 21 angeordnet ist. Die Magnetfeldlinien breiten sich dabei radial um die Signalübertragungsrichtung 21 nach außen hin aus. Die Zentralachse 12 und die Signalübertragungsrichtung 21 sind bevorzugt deckungsgleich.
  • Figur 3 zeigt einen Längsschnitt durch das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter 1, der mehrere Resonatoren 61, 62, ..., 6n mit den jeweiligen Resonatorkammern 71, 72, ..., 7n zeigt, die über Koppelöffnungen 10 in den Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 miteinander verbunden sind. Ein erster Signalleitungsanschluss 301 wird durch eine Öffnung im Gehäusedeckel 4 geführt. Ein zweiter Signalleitungsanschluss 302 wird dagegen durch eine Öffnung im Gehäuseboden 3 geführt. Die Öffnungen im Gehäusedeckel 4 und im Gehäuseboden 3 sind bevorzugt mittig angeordnet. Eine außermittige Anordnung ist ebenfalls möglich. Der erste Signalleitungsanschluss 301 berührt eine Stirnseite des ersten Dielektrikums 81. Dadurch wird das erste Dielektrikum 81 direkt durch den ersten Signalleitungsanschluss 301 angeregt. Der erste Signalleitungsanschluss 301 steht daher in Kontakt mit dem ersten Dielektrikum 81. Die Stirnseite des ersten Dielektrikums 81 steht in diesem Ausführungsbeispiel nicht in Kontakt mit dem Gehäusedeckel 4, was bedeutet, dass die Stirnseite 81 den Gehäusedeckel 4 nicht berührt. Der zweite Signalleitungsanschluss 302 berührt ebenfalls eine Stirnseite des n-ten Dielektrikums 8n, und steht mit diesem in Kontakt. Dadurch wird das n-te Dielektrikum 8n direkt durch den zweiten Signalleitungsanschluss 302 angeregt. Die Stirnseite des n-ten Dielektrikums berührt den Gehäuseboden 3 nicht, steht also mit diesem nicht in Kontakt. Das Hochfrequenzfilter 1 aus Figur 3 weist fünf Resonatoren 61, 62, 63, 64, ..., 6n auf, die jeweils eine Resonatorkammer 71, 72, 73, 74, ..., 7n besitzen. Jeder Resonator 61, 62, 63, 64, ..., 6n ist durch eine Trenneinrichtung 91, 92, 93, ..., 9n-1 von den anderen Resonatoren 61, 62, 63, 64, ..., 6n getrennt. Jeder Resonator 61, 62, 63, 64, ..., 6n umfasst ein Dielektrika 81, 82, 83, 84, ..., 8n.
  • Die Signalleitungsanschlüsse 301 und 302 sind an verschiedenen, insbesondere an gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses 2 an diesem angeordnet. Insbesondere durchsetzt der erste Signalleitungsanschluss 301 den Gehäusedeckel 4 und der zweite Signalleitungsanschluss 302 den Gehäuseboden 3 oder umgekehrt.
  • Die Dielektrika 81, 82, 83, 84, ..., 8n können alle aus dem gleichen Material bestehen. Es ist auch möglich, dass nur einige der Dielektrika 81, 82, 83, 84, ..., 8n aus dem gleichen Material bestehen und andere Dielektrika 81, 82, 83, 84, ..., 8n aus einem anderen Material. Es können auch alle Dielektrika 81, 82, 83, 84, ..., 8n aus verschiedenen Materialien gebildet sein.
  • In dem Ausführungsbeispiel aus Figur 3 füllen die einzelnen Dielektrika 81, 82, ..., 8n das Volumen der jeweiligen Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n nicht vollständig aus. Die Dielektrika 81, 82, ..., 8n weisen in diesem Ausführungsbeispiel die gleichen Abmessungen bezüglich ihrer jeweiligen Höhe und ihres jeweiligen Durchmessers auf. Die Einsätze 111, 112, 113, 114, ..., 11n weisen alle den gleichen Außendurchmesser auf. Ihre Wandstärke, also der Innendurchmesser ist allerdings unterschiedlich. Dies bedeutet, dass das Volumen der einzelnen Resonatorkammern 71, 72, ..., 7n unterschiedlich ist. Die Außenflächen der Einsätze 111, 112, ..., 11n, also die Umfangswandung, steht in Kontakt mit einer Innenfläche der Gehäusewand 5. Der elektrisch leitfähige Gehäusedeckel 4 steht sowohl in elektrischem Kontakt mit einer Stirnseite des Gehäuses 5, als auch mit einer Stirnseite des ersten Einsatzes 111. Der Gehäuseboden 3 steht ebenfalls in elektrischem Kontakt mit dem Gehäuse 5 und einer Stirnseite des n-ten Einsatzes 11n.
  • Es wird an dieser Stelle angemerkt, dass das Gehäuse 5 elektrisch leitfähig sein kann, also beispielsweise aus Metall bestehen kann, aber nicht muss. Mit anderen Worten kann das Gehäuse 5 aus jedem anderen beliebigen Material, insbesondere aus einem elektrisch nicht leitfähigen Material wie einem Dielektrikum oder Kunststoff, bestehen. Die Funktion des Gehäuses 5 ist, die im Inneren des Gehäuses 5 befindlichen Komponenten mechanisch zusammenzuhalten und mechanisch zu fixieren. Das Gehäuse 5 kann allerdings nur dann aus einem Dielektrikum bestehen, wenn sichergestellt ist, dass die Resonatorkammern 71, 72, ..., 7n gegenüber der Umgebung des Hochfrequenzfilters 1 geschirmt sind. Eine solche Schirmung kann beispielsweise durch die Einsätze 111, 112, ..., 11n erfolgen.
  • Die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 weisen einen Außendurchmesser auf, der bevorzugt einem Innendurchmesser der Gehäusewand 5 entspricht. Dies bedeutet, dass eine Außenfläche, also eine Umfangswandung jeder Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 die Innenfläche des Gehäuses 5 berührt, also in mechanischem Kontakt mit dieser steht. Die Koppelöffnungen 10 einer Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 können sich von den Koppelöffnungen der anderen Trenneirichtungen 91, 92, ..., 9n-1 bezüglich ihrer Anordnung, also Ausrichtung und/oder ihrer Anzahl und/oder ihrer Größe und/oder ihrer Querschnittsform unterscheiden. Innerhalb des Ausführungsbeispiels aus Figur 3 weisen die Koppelöffnungen 10 der einzelnen Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 einen unterschiedlichen Durchmesser auf und sind beispielsweise an unterschiedlichen Stellen der Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 angeordnet. Die Koppelöffnungen 10 verbinden die einzelnen Resonatorkammern 71, 72, ..., 7n miteinander, wobei sie einerseits von dem freien Volumen eines Resonators 61, 62, ..., 6n oder von dem Dielektrikum 81, 82, ..., 8n des Resonators 61, 62, ..., 6n umgeben sind. Ein elektrisch leitfähiger Einsatz 111, 112, ..., 11n kann eine Koppelöffnung 10 nicht überdecken. Es ist auch möglich, dass sich die Querschnittsform der einzelnen Koppelöffnungen 10 über die Länge, also über die Höhe verändert. Zwischen den einzelnen Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 und den Einsätzen 111, 112, ..., 11n besteht üblicherweise kein Hohlraum. Gleiches gilt bevorzugt auch für den ersten Einsatz 111 und den Gehäusedeckel 4, sowie für den n-ten Einsatz 11n und den Gehäuseboden 3.
  • Zwischen den Einsätzen 111, 112, ..., 11n sowie den Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 und der Gehäusewand 5 besteht üblicherweise ebenfalls kein Abstand.
  • Die Dielektrika 81, 82, ..., 8n stehen ebenfalls in Kontakt mit ihrer jeweiligen Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1. Die Dielektrika 81, 82, ..., 8n können dabei mit den jeweiligen Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 verpresst und/oder verlötet sein.
  • Bevorzugt sind auch die Einsätze 111, 112, ..., 11n mit den entsprechenden Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 formschlüssig miteinander verpresst und/oder verlötet. Dadurch wird auch ein Verdrehen der einzelnen Elemente zueinander verhindert, wodurch sich die elektrischen Eigenschaften des Hochfrequenzfilters 1 über einen längeren Zeitraum nicht verändern.
  • Figur 4 zeigt einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1. Das erste Dielektrikum 81 steht an seiner Stirnseite in Kontakt mit dem Gehäusedeckel 4. Ein Abstand zwischen dem ersten Dielektrikum 81 und dem Gehäusedeckel 4 liegt nicht vor. Gleiches gilt auch für das n-te Dielektrikum 8n, welches mit seiner Stirnseite ebenfalls in Kontakt mit dem Gehäuseboden 3 steht. Ein Abstand zwischen dem n-ten Dielektrikum 8n und dem Gehäuseboden 3 liegt nicht vor. Die Elemente des Hochfrequenzfilters 1 sind bevorzugt miteinander verpresst. Dieses Verpressen äußert sich beispielsweise dadurch, dass die einzelnen Dielektrika 81, 82, ..., 8n teilweise in die einzelnen Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 hinein ragen.
  • Das Hochfrequenzfilter 1 weist außerdem mehrere Abstimmelemente 401, 402, 403, 404, ..., 40n auf. Zumindest je ein Abstimmelement 401, 402, ..., 40n ist durch eine zusätzliche Öffnung 411, 412, 413, 414, ..., 41n in die Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n des zumindest einen der n-Resonatoren 61, 62, ... 6n eingeführt. Die Öffnungen 411, 412, ..., 41n erstrecken sich durch die Gehäusewand 5 und durch den entsprechenden Einsatz 111, 112, ..., 11n in die Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n hinein. Das entsprechende Abstimmelement 411, 412, ..., 41n kann dann in die jeweilige Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n hinein oder herausgedreht werden. Der Abstand zwischen dem Abstimmelement 411, 412, ..., 41n und dem jeweiligen Dielektrikum 81, 82, ..., 8n ist veränderbar. Die jeweilige Öffnung 411, 412, ..., 41n verläuft bevorzugt senkrecht zur Signalausbreitungsrichtung 21 und damit ebenfalls senkrecht zur Zentralachse 12.
  • Der Abstand des zumindest einen Abstimmelements 401, 402, ..., 40n zu dem jeweiligen Dielektrikum 81, 82, ..., 8n in der Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n ist soweit verringerbar, dass es mit dem Dielektrikum 81, 82, ..., 8n in Kontakt steht, also dieses berührt.
  • Das erste Dielektrikum 81 in dem ersten Resonator 61 weist eine Vertiefung auf, in die die erste Signalleitung 301 hinein ragt. Dadurch wird die Kopplung verstärkt. Vorzugsweise steht die erste Signalleitung 301 in Kontakt mit dem Dielektrikum 81. Es wäre allerdings auch möglich, dass die erste Signalleitung 301 berührungsfrei zu dem ersten Dielektrikum 81 in diesem angeordnet ist. Gleiches gilt auch für das n-te Dielektrikum 8n im n-ten Resonator 6n. Die Vertiefung kann mittig oder außermittig an dem Dielektrikum 81, 8n angebracht sein.
  • Figur 5 zeigt einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1.
  • Das Dielektrikum 81 in der ersten Resonatorkammer 71 weist eine durchgängige Ausnehmung aus, durch die sich die erste Signalleitung 301 hindurch erstreckt. Die erste Signalleitung 301 kommt dabei direkt in Kontakt mit der ersten Trenneinrichtung 91. Gleiches gilt auch für den zweiten Signalleitungsanschluss 302, welcher sich durch eine durchgängige Ausnehmung in dem n-ten Dielektrikum 8n des n-ten Resonators 6n hindurch erstreckt und in Kontakt mit der n-1-ten Trenneinrichtung 9n-1 steht. Vorzugsweise stehen die jeweiligen Signalleitungsanschlüsse 301, 302 auch in Kontakt mit dem jeweiligen Dielektrikum 81, 8n, das von diesen durchsetzt wird. Sie könnten allerdings zu diesen auch berührungsfrei angeordnet sein. Die durchgängige Ausnehmung kann mittig oder außermittig an dem Dielektrikum 81, 8n angebracht sein.
  • Der Teil des Signalleitungsanschlusses 301, 302, welcher in Kontakt mit den jeweiligen Dielektrikum 81, 8n oder mit der jeweiligen Trenneinrichtung 91, 9n-1 steht, verläuft parallel zur Zentralachse 12, bzw. parallel zur Signalübertragungsrichtung 21. Die anderen Teile des Signalleitungsanschlusses 301, 302 müssen nicht parallel zur Signalübertragungsrichtung 21, bzw. zur Zentralachse 12 verlaufen. Bevorzugt verlaufen diejenigen Teile der beiden Signalleitungsanschlüsse 301, 302 parallel zur Signalübertragungsrichtung 21, die sich innerhalb der ersten oder n-ten Resonatorkammer 71, 7n befinden.
  • Das zweite Dielektrikum 82 in der zweiten Resonatorkammer 72 weist außerdem eine Einbuchtung auf, so dass ein zweites Abstimmelement 402 in das zweite Dielektrikum 82 eintauchen kann.
  • Die Einsätze 111, 112, ..., 11n von zumindest zwei nicht direkt aneinander angrenzenden Resonatoren 61, 62, ..., 6n weisen eine Öffnung 501, 502 auf. Die zumindest beiden Öffnungen 501, 502 werden durch einen Kanal 51 miteinander verbunden, wobei dieser Kanal 51 bevorzugt parallel zu der Signalausbreitungsrichtung 21, also parallel zur Zentralachse 12 verläuft. Dieser Kanal 51 verläuft zumindest teilweise innerhalb der Gehäusewand 5. Es ist auch möglich, dass dieser Kanal vollständig innerhalb der Gehäusewand 5 verläuft. Es ist auch möglich, dass dieser Kanal nicht innerhalb der Gehäusewand 5 verläuft, sondern einzig durch die Einsätze 111, 112, ..., 11n und die dazwischen liegenden Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1.
  • Innerhalb dieses Kanals 51 verläuft ein elektrischer Leiter 52. Dieser elektrische Leiter 52 koppelt die zumindest beiden Resonatoren 61, 6n kapazitiv und/oder induktiv miteinander. Ein erstes Ende 531 des elektrischen Leiters 52 ist mit der ersten Trenneinrichtung 91 verbunden. Das erste Ende 531 des elektrischen Leiters 52 verläuft dabei bevorzugt parallel zur Signalausbreitungsrichtung 21 und damit parallel zur Zentralachse 12. Ein zweites Ende 532 des elektrischen Leiters 52 ist mit der n-1-ten Trenneinrichtung 9n-1 galvanisch verbunden. Das zweite Ende 532 verläuft ebenfalls bevorzugt parallel zur Signalausbreitungsrichtung 21 und damit parallel zur Zentralachse 12. Das erste und das zweite Ende 531, 532 können mit den jeweiligen Trenneinrichtungen 91, 92, ... 9n-1 beispielsweise mittels einer Lötverbindung verbunden werden. Durch den elektrischen Leiter 52 wird eine Überkopplung zwischen zwei Resonatoren 61, 62, ... 6n erreicht, wodurch eine steilere Filterflanke des Hochfrequenzfilters 1 erreicht werden kann.
  • Der elektrische Leiter 52, der innerhalb des Kanals 51 verläuft, ist innerhalb diesem bevorzugt über nicht dargestellte dielektrische Abstandselemente von den Wänden, die den Kanal 51 umschließen, elektrisch getrennt und durch diese in seiner Position gehalten.
  • Figur 6 zeigt einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1. In diesem Ausführungsbeispiel gibt es zwei Überkopplungen. Eine erste Überkopplung findet zwischen dem ersten Resonator 61 und dem n-ten Resonator 6n statt. Ein elektrischer Leiter 52 koppelt diese beiden Resonatoren 61, 6n miteinander. Ein erstes Ende 531 des elektrischen Leiters 52 ist diesmal allerdings mit dem Gehäusedeckel 4 verbunden.
  • Eine zweite Überkopplung findet zwischen dem zweiten Resonator 62 und dem vierten Resonator 64 statt. Ein elektrischer Leiter 60 koppelt diese beiden Resonatoren 62, 64 miteinander. Ein erstes Ende 611 des zweiten elektrischen Leiters 60 ist mit der zweiten Trenneinrichtung 92 verbunden. Ein zweites Ende 612 des elektrischen Leiters ist mit der n-1-ten Trenneinrichtung 9n-1 verbunden. Gestrichelt dargestellt ist eine Möglichkeit, dass das zweite Ende 612 des zweiten elektrischen Leiters 60 auch mit der dritten Trenneinrichtung 93 verbunden sein könnte.
  • Damit sich die Filtereigenschaften während des Betriebs nicht ändern, sind die innerhalb des Hochfrequenzfilters 1 angeordneten Elemente gegen Verdrehen gesichert. Dies geschieht durch mehrere Verdrehschutzelemente 62, die ein Verdrehen verhindern. Die Verdrehschutzelemente 62 können aus einer Kombination zwischen einem Vorsprung und einer Aufnahmeöffnung bestehen. Beispielsweise kann der Gehäusedeckel 4 einen Vorsprung aufweisen, der in eine entsprechende Aufnahmeöffnung innerhalb des ersten Einsatzes 111 eingreift. Die Verdrehschutzelemente 62 sind bevorzugt zwischen zumindest einer der n-1-Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n und dem zumindest einen Einsatz 111, 112, ..., 11n und/oder dem angrenzenden Dielektrikum 81, 82, ..., 8n angebracht. Bevorzugt wird allerdings je ein Verdrehschutzelement 62 zwischen dem Gehäuseboden 3 und/oder dem Gehäusedeckel 4 und/oder der Gehäusewand 5 und dem Einsatz 111 in der ersten Resonatorkammer 71 und dem Einsatz 11n in der n-ten Resonatorkammer 7n angebracht, der das gegenseitige Verdrehen derjenigen Elemente verhindert, die am nächsten am ersten und/oder am zweiten Signalleitungsanschluss 301, 302 angeordnet sind. Dadurch wird auch ein Verdrehen derjenigen Elemente verhindert, die weiter innen in dem Hochfrequenzfilter 1 angeordnet sind.
  • Das Hochfrequenzfilter 1 ist bevorzugt in Stapelbauweise realisiert, wobei alle Resonatoren 61, 62, ..., 6n übereinander angeordnet sind. Die Verdrehschutzelemente 62 verhindern dabei, dass sich die elektrischen Eigenschaften der einzelnen Resonatoren 61, 62, ..., 6n zu denen beispielsweise die Resonanzfrequenzen gehören, verändern.
  • Figur 7 zeigt einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1. Die einzelnen Resonatorkammern 71, 72, ..., 7n sind dabei vollständig durch das jeweilige Dielektrikum 81, 82, ..., 8n ausgefüllt. Die Höhe jedes Dielektrikums 81, 82, ..., 8n entspricht der Höhe des jeweiligen Einsatzes 111, 112, ..., 11n. Der Außendurchmesser jedes Dielektrikums 81, 82, ..., 8n entspricht in etwa dem Innendurchmesser des jeweiligen Einsatzes 111, 112, ..., 11n. Das Dielektrikum 81, 82, ..., 8n liegt mit seiner Umfangswandung an einer Innenwandung des jeweiligen Einsatzes 111, 112, ..., 11n formschlüssig an.
  • Figur 8 zeigt einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1. Der erste Signalleitungsanschluss 301 kontaktiert das erste Dielektrikum 81 außermittig. Gleiches gilt für den zweiten Signalleitungsanschluss 302, welcher das n-te Dielektrikum außermittig kontaktiert. Trotz der Tatsache, dass die Dielektrika 81, 82, ..., 8n das Volumen ihrer jeweiligen Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n vollständig ausfüllen, kann ebenfalls eine Überkopplung zwischen zwei nicht direkt benachbarten Resonatoren 61, 62, ..., 6n erreicht werden. Innerhalb des Ausführungsbeispiels aus Figur 8 findet eine Überkopplung zwischen dem ersten Resonator 61 und dem dritten Resonator 63 statt. Das erste Dielektrikum 81 und das dritte Dielektrikum 83, also die Dielektrika 81, 82, ..., 8n zwischen deren Resonatoren 61, 62, ..., 6n eine Überkopplung stattfinden soll, weisen in Längsrichtung einen bevorzugt durchgehenden Schlitz 80 auf. Dieser durchgehende Schlitz 80 kann beispielsweise mittels einer Diamantsäge in das aus einer Keramik bestehende Dielektrikum 81, 82, ..., 8n eingebracht werden. Innerhalb dieses Schlitzes 80 ist zumindest das erste Ende 531 und das zweite Ende 532 des elektrischen Leiters 52 angeordnet.
  • Figur 9A zeigt einen Längsschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1. Die Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 ist dabei integraler Bestandteil jedes Dielektrika 81, 82, ..., 8n. Dies bedeutet, dass eine oder beide Stirnseiten jedes der n-Dielektrika 81, 82, ..., 8n mit einer Metallschicht überzogen sind. Diese Metallschicht stellt dann eine der n-1-Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 dar. Eine Ausnehmung 90 innerhalb der Metallschicht, also innerhalb des Überzugs, stellt dabei eine Koppelöffnung 10 zwischen zwei Resonatoren 61, 62, ..., 6n dar. Aneinander angrenzende Dielektrika 81, 82, ..., 8n besitzen die Ausnehmungen 90 innerhalb des Überzugs aus der Metallschicht jeweils an den gleichen Stellen, so dass eine Kopplung in Signalausbreitungsrichtung 21 ermöglicht wird.
  • Figur 9B zeigt eine abgewandelte Ausführungsform aus Figur 9A. Im Unterschied zu Figur 9A bilden die Einsätze 111, 112, ..., 11n die Gehäusewand 5. Das Gehäuse 2 wird in diesem Fall aus den Einsätzen 111, 112, ..., 11n, dem Gehäuseboden 3 und dem Gehäusedeckel 4 gebildet. Die Einsätze 111, 112, ..., 11n werden vorzugsweise durch Schrauben 91 miteinander verbunden, die sich weiter vorzugsweise parallel zur Zentralachse 12 erstrecken. Eine ergänzende oder alternative Verbindung durch einen Kleber oder durch eine Löt- und/oder Schweißverbindung ist ebenfalls möglich. Die Einsätze 111, 112, ..., 11n könnten ebenfalls durch eine Rastverbindung werkzeugfrei miteinander verbunden werden. In diesem Fall könnte ein Vorsprung an der Oberfläche eines Einsatzes 111, 112, ..., 11n, die (die Oberfläche) parallel zu dem Gehäusedeckel 4 oder Gehäuseboden 3 verläuft, in eine Öffnung des benachbarten Einsatzes 111, 112, ..., 11n eingeführt werden, wobei der Vorsprung durch eine Drehbewegung derart in der Öffnung verschoben wird, dass sich die Einsätze 111, 112, ..., 11n nichtmehr voneinander lösen, wenn lediglich eine Kraft entlang der Zentralachse 12 aufgebracht wird.
  • Für den Fall, dass die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 nicht in Form einer Beschichtung auf den Dielektrika 81, 82, ..., 8n ausgebildet sind, wären diese zwischen den Einsätzen 111, 112, ..., 11n angeordnet. Sie könnten dann entweder einen Teil der Außenwandung der Gehäusewand 5 darstellen oder in einer Einbuchtung der Einsätze 111, 112, ..., 11n, in deren Bereich die Einsätze 111, 112, ..., 11n eine verringerte Dicke aufweisen, angeordnet sein. In diesem Fall wären die Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 von außen unsichtbar.
  • Figur 10 zeigt ein Flussdiagramm, welches erläutert, wie die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite für einen Resonator 61, 62, ..., 6n eingestellt wird, um den erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilter 1 abzugleichen. Zu Beginn wird eine Zählervariable X mit 0 definiert. Anschließend wird der Verfahrensschritt S1 ausgeführt. Innerhalb des Verfahrensschritts S1 werden alle Koppelöffnungen 10 der 1+x-ten Trenneinrichtung und/oder der n-1-ten Trenneinrichtung geschlossen. Mit Blick auf den Längsschnitt in Figur 4 wären dies die Koppelöffnungen 10 in der ersten Trenneinrichtung 91 und in der letzten Trenneinrichtung 9n-1.
  • Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S2 ausgeführt. Innerhalb des Verfahrensschritts S2 wird der Reflexionsfaktor an dem ersten Signalleitungsanschluss 301 und/oder an dem zweiten Signalleitungsanschluss 302 gemessen. Der gemessene Reflexionsfaktor wird einzig aus den geometrischen Eigenschaften des ersten und des n-ten Resonators 61, 6n bestimmt.
  • Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S3 ausgeführt. Innerhalb des Verfahrensschritts S3 wird die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite des ersten und/oder des n-ten Resonators 61, 6n auf einen bestimmten Wert eingestellt. Im Wechsel dazu wird wiederum der Verfahrensschritt S2 ausgeführt, um den geänderten Reflexionsfaktor erneut zu messen, um dann festzustellen, ob der Verfahrensschritt S3 abermalig ausgeführt werden muss, oder ob die eingestellten Werte für die Resonanzfrequenz und/oder der Koppelbandbreite den gewünschten Werten bereits entsprechen.
  • Das Abgleichen des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1 erfolgt von außen nach innen, also beginnend bei den Resonatoren 61, 6n die an den ersten und/oder zweiten Signalleitungsanschlüssen 301, 302 angeordnet sind. Nach und nach werden sukzessiv weitere Resonatoren 62, 63, ..., 6n-2 durch Öffnen der jeweiligen Koppelöffnungen hinzu geschalten. Dieser Vorgang wird beispielsweise in Figur 11 beschrieben.
  • Figur 11 zeigt ein weiteres Flussdiagramm, welches erläutert, wie die Resonanzfrequenzen und/oder die Koppelbandbreiten für die weiteren Resonatoren 62, 63, ..., 6n-1 eingestellt werden, um den erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilter 1 abzugleichen. Für den Fall, dass die Resonanzfrequenzen und/oder die Koppelbandbreite für den ersten Resonator 61 und/oder für den n-ten Resonator 6n eingestellt worden sind, wird der Verfahrensschritt S4 ausgeführt. Innerhalb des Verfahrensschritts S4 wird zumindest eine Koppelöffnung 10 der 1+X-ten Trenneinrichtung und/oder der n-1-X-ten Trenneinrichtung geöffnet. Mit Hinblick auf Figur 4 wäre dies die Koppelöffnung 10 in den Trenneinrichtungen 91 und 9n-1.
  • Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S5 ausgeführt. Innerhalb des Verfahrensschritts S5 wird der Wert von X um 1 erhöht. Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S6 aufgeführt, in dem erneut die Verfahrensschritte S1, S2, S3, S4, S5 ausgeführt werden und zwar so lange, bis alle Koppelöffnungen 10 geöffnet sind. Dies bedeutet, dass im Anschluss daran mit Blick auf Figur 4 die Koppelöffnungen 10 der Trenneinrichtung 92 und die Koppelöffnungen 10 der Trenneinrichtung 93 geschlossen werden. Es wird abermals der Reflexionsfaktor am ersten Signalleitungsanschluss 301 und/oder am zweiten Signalleitungsanschluss 302 gemessen. Im Anschluss daran wird abermals die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite der beiden ersten und der beiden letzten Resonatoren 61, 62 und 6n, 6n-1 eingestellt.
  • Im Anschluss daran wird der Wert für X abermals um 1 erhöht, also der Verfahrensschritt S5 erneut durchgeführt.
  • Anhand von Figur 4 ist zu sehen, dass es eine ungerade Anzahl an Resonatoren 61, 62, ..., 6n gibt. Der Resonator 63, also der Resonator in der Mitte des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1 wird beim Verfahren zum Abgleichen des Hochfrequenzfilters 1 einmal für die Berechnung des Reflexionsfaktors an dem ersten Signalleitungsanschluss 301 und einmal für die Berechnung des Reflexionsfaktors an dem zweiten Signalleitungsanschluss 302 verwendet.
  • Dieser Sachverhalt findet sich in dem Flussdiagramm aus Figur 12 wieder, welches erläutert, wie die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite für den Resonator in der Mitte des Hochfrequenzfilters 1 eingestellt wird. Für den Fall, dass X den Wert (n-1) /2 erreicht, was in dem Ausführungsbeispiel aus Figur 4 dem Wert "2" entspricht, werden die Verfahrensschritte S7 und/oder S8 und S9 durchgeführt.
  • Innerhalb des Verfahrensschritts S7 werden die Koppelöffnungen 10 der X-ten Trenneinrichtung geöffnet und die Koppelöffnungen 10 der X+1-ten Trenneinrichtung geschlossen. In dem Ausführungsbeispiel aus Figur 4 würden die Koppelöffnungen in der Trenneinrichtung 92 geöffnet und in der Trenneinrichtung 93 geschlossen werden. Im Anschluss daran wird der Reflexionsfaktor am ersten Signalleitungsanschluss 301 gemessen und die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite entsprechend eingestellt werden.
  • Stattdessen oder alternativ dazu wird in dem Verfahrensschritt S8 die Koppelöffnung 10 der X+1-ten Trenneinrichtung geöffnet und die Koppelöffnungen 10 der X-ten Trenneinrichtung geschlossen. In dem Ausführungsbeispiel aus Figur 4 würden in diesem Fall die Koppelöffnungen 10 in der Trenneinrichtung 92 geschlossen werden, wohingegen die Koppelöffnung 10 innerhalb der Trenneinrichtung 93 geöffnet werden würden. Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S2 erneut ausgeführt und der Reflexionsfaktor am zweiten Signalleitungsanschluss 302 gemessen. Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S3 ausgeführt, in welchem die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite eingestellt werden.
  • Die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite des Resonators in der Mitte des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters 1 muss derart eingestellt werden, dass sowohl für den Reflexionsfaktor am ersten Signalleitungsanschluss 301, als auch für den Reflexionsfaktor am zweiten Signalleitungsanschluss 302 ein annehmbarer Wert erreicht wird. Ggf. müssen hierzu Kompromisse eingegangen werden.
  • Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S9 ausgeführt und es werden die Koppelöffnungen der X-ten und der X+1-ten Trenneinrichtung geöffnet. In diesem Zustand sind alle Koppelöffnungen 10 in allen Trenneinrichtungen 91, 92, ..., 9n-1 geöffnet. Dieser Zustand tritt automatisch nach Durchlaufen des Flussdiagrams aus Figur 11 ein, wenn es eine gerade Anzahl von Resonatoren 61, 62, ..., 6n gibt.
  • Für den Fall, dass in jeder Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n mindestens eine Koppelöffnung 10 geöffnet ist, werden die Verfahrensschritte S2, S10 und S3 ausgeführt, die in dem Flussdiagramm aus Figur 13 dargestellt sind. Der Verfahrensschritt S2, welcher bereits mit Bezug auf Figur 10 erläutert worden ist, wird ausgeführt. Innerhalb dieses Verfahrensschritts wird ein Reflexionsfaktor am ersten Signalleitungsanschluss 301 und/oder am zweiten Signalleitungsanschluss 302 gemessen.
  • Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S10 ausgeführt. Innerhalb des Verfahrensschritts S10 werden der Vorwärts-Transmissionsfaktor und/oder der Rückwärts-Transmissionsfaktor ermittelt.
  • Im Anschluss daran werden nochmals die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite auf einen bestimmten Wert eingestellt, bzw. fein justiert. Dies erfolgt in dem Verfahrensschritt S3. Eine Wiederholung der Verfahrensschritte S2 und S10 ist dabei so oft möglich, wie im Verfahrensschritt S3 noch nicht der gewünschte Zielwert für die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite erreicht worden ist.
  • Figur 14 zeigt ein weiteres Flussdiagramm, welches erläutert, durch welche Maßnahmen die die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite innerhalb eines Resonators 61, 62, ..., 6n verändert werden kann. Innerhalb des Verfahrensschritts S3 können die nachfolgenden Verfahrensschritte einzeln oder in Kombination miteinander durchgeführt werden. Der Verfahrensschritt S11 beschreibt, dass die Resonanzfrequenz und/oder die Koppelbandbreite dadurch eingestellt werden können, dass der Durchmesser der jeweiligen Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n durch Austauschen des Einsatzes 111, 112, ..., 11n durch einen anderen mit geänderten Abmessungen, insbesondere mit einem geänderten Innendurchmesser erfolgen kann.
  • Alternativ oder in Ergänzung zu dem Verfahrensschritt S11 kann der Verfahrensschritt S12 durchgeführt werden. Innerhalb des Verfahrensschritts S12 kann eine vorgesehene Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n-1 gedreht werden, so dass die Koppelöffnungen 10 anders angeordnet sind. Es ist auch möglich, dass die Trenneinrichtung 91, 92, ..., 9n durch eine andere ausgetauscht wird, wobei die Koppelöffnungen 10 eine andere Anordnung und/oder eine andere Anzahl und/oder eine andere Größe und/oder eine andere Geometrie aufweisen.
  • Optional und/oder in Ergänzung zu den Verfahrensschritten S11 und/oder S12 kann der Verfahrensschritt S13 ausgeführt werden. Eine Änderung der Resonanzfrequenz und/oder der Koppelbandbreite kann auch durch ein weiteres Eindrehen und/oder Ausdrehen von zumindest einem Abstimmelement 401, 402, ..., 40n in die jeweilige Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n erfolgen. In eine Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n können auch mehr als ein Abstimmelement 401, 402, ..., 40n ein- oder ausgedreht werden.
  • In Ergänzung oder alternativ zu den Verfahrensschritten S11, S12 und/oder S13 kann auch der Verfahrensschritt S14 ausgeführt werden. Innerhalb des Verfahrensschritts S14 kann zumindest ein Dielektrikum 81, 82, ..., 8n in einer Resonatorkammer 71, 72, ..., 7n durch ein anderes Dielektrikum 81, 82, ..., 8n getauscht werden, welches geänderte Abmessungen, insbesondere in seiner Höhe und/oder seines Durchmessers aufweist.
  • Innerhalb des Verfahrensschritts S1, oder jedes Mal wenn Koppelöffnungen 10 geschlossen werden sollen, geschieht dies bevorzugt dadurch, dass die jeweilige Trenneinrichtung 91, 92, ... 9n durch eine solche getauscht wird, welche über keine Koppelöffnungen 10 verfügt.

Claims (18)

  1. Hochfrequenzfilter (1) mit einem Gehäuse (2) mit den folgenden Merkmalen:
    - zumindest n Resonatoren (61, 62, ..., 6n), die je eine Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) umfassen, die von dem Gehäuse (2) umschlossen sind, wobei n ≥ 2, oder n ≥ 3, oder n ≥ 4, oder n ≥ 5 ist;
    - zumindest n Dielektrika (81, 82, ..., 8n), von denen zumindest je eines in einer Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) angeordnet ist;
    - das Hochfrequenzfilter (1) weist n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) auf;
    - die Resonatorkammern (71, 72, ..., 7n) der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) sind aneinander in Signalübertragungsrichtung (21) angeordnet, die senkrecht zum H-Feld (20) liegt, wobei jede Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) maximal an zwei andere Resonatorkammern (71, 72, ..., 7n) angrenzt und von jeder durch eine Trenneinrichtung (91, 92, ..., 9n-1) getrennt ist;
    - jede der n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) weist zumindest eine Koppelöffnung (10) auf, über die die angrenzenden Resonatorkammern (71, 72, ..., 7n) miteinander gekoppelt sind;
    - die Kopplung zwischen den Resonatorkammern (71, 72, ..., 7n) erfolgt senkrecht oder mit einer Komponente überwiegend senkrecht zum H-Feld (20);
    - ein erster Signalleitungsanschluss (301) ist über eine erste Öffnung im Gehäuse (2) mit dem zumindest einen Dielektrikum (81) des ersten Resonators (61) gekoppelt; das Dielektrikum (81) in der Resonatorkammer (71) des ersten Resonators (61) weist eine durchgängige Ausnehmung auf, durch die sich der erste Signalleitungsanschluss (301) hindurch erstreckt, wodurch der erste Signalleitungsanschluss (301) in Kontakt mit der ersten Trenneinrichtung (91) steht;
    und/oder
    - ein zweiter Signalleitungsanschluss (302) ist über eine zweite Öffnung im Gehäuse (2) mit dem Dielektrikum (8n) des n-ten Resonators (6n) gekoppelt;
    das Dielektrikum (8n) in der Resonatorkammer (7n) des n-ten Resonators (6n) weist eine durchgängige Ausnehmung auf, durch die sich der zweite Signalleitungsanschluss (302) hindurch erstreckt, wodurch der zweite Signalleitungsanschluss (302) in Kontakt mit der n-1-ten Trenneinrichtung (9n-1) steht.
  2. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale:
    - der erste Signalleitungsanschluss (301), der in die durchgängige Ausnehmung des Dielektrikums (81) in der Resonatorkammer (71) des ersten Resonators (61) eingreift, steht mit diesem Dielektrikum (81) in Kontakt oder ist berührungsfrei zu diesem Dielektrikum (81) angeordnet; und/oder
    - der zweite Signalleitungsanschluss (302), der in die durchgängige Ausnehmung des Dielektrikums (8n) in der Resonatorkammer (7n) des n-ten Resonators (6n) eingreift, steht mit diesem Dielektrikum (8n) in Kontakt oder ist berührungsfrei zu diesem Dielektrikum (8n) angeordnet.
  3. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch das folgende Merkmal:
    - die n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) sind in Signalübertragungsrichtung (21) und/oder entlang einer Zentralachse (12) angeordnet, wobei sich das H-Feld (20) radial um die Zentralachse (12) und/oder um die Signalübertragungsrichtung (21) nach außen hin erstreckt.
  4. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch das folgende Merkmal:
    - zumindest eine der n Resonatorkammern (71, 72, ..., 7n) und/oder eines der n Dielektrika (81, 82, ..., 8n) ist zylinderförmig.
  5. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch die folgende Merkmale:
    - jede der n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) besteht aus einem Trennblättchen, das aus Metall und/oder aus einer Metalllegierung besteht oder Metall und/oder eine Metalllegierung umfasst; oder
    - eine oder beide Stirnseiten jedes der n Dielektrika (81, 82, ..., 8n) ist mit einer Metallschicht überzogen, wobei diese Metallschicht dann eine der n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) darstellt, wobei das zumindest eine Dielektrikum (81, 82, ..., 8n) mit der zumindest einen der n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) einteilig ausgebildet ist und wobei zumindest eine Ausnehmung (90) in dem Überzug der Metallschicht die zumindest eine Koppelöffnung (10) bildet.
  6. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale:
    - das Gehäuse (2) umfasst einen Gehäuseboden (3) und einen vom Gehäuseboden (3) beabstandeten Gehäusedeckel (4) ;
    - zwischen dem Gehäuseboden (3) und dem Gehäusedeckel (4) :
    a) ist eine umlaufende Gehäusewand (5) angeordnet; oder
    b) sind zumindest ein Einsatz (111, 112, ..., 11n) und eine umlaufende Gehäusewand (5) angeordnet, wobei der zumindest eine Einsatz (111, 112, ..., 11n) von der umlaufenden Gehäusewand (5) umschlossen ist; oder
    c) ist zumindest ein Einsatz (111, 112, ..., 11n) angeordnet, der eine Gehäusewand (5) bildet.
  7. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch das weitere Merkmal:
    - ein Durchmesser zumindest einer Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) wird durch zumindest einen Einsatz (111, 112, ..., 11n), der sich an der Gehäusewand (5) anlehnt, vorgegeben.
  8. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch die weiteren Merkmale:
    - die Einsätze (111, 112, ..., 11n) von zumindest zwei nicht direkt aneinander angrenzenden n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) weisen eine Öffnung (501, 502) auf;
    - die zumindest beiden Öffnungen (501, 502) werden durch einen Kanal (51) miteinander verbunden, wobei dieser zumindest teilweise innerhalb der Gehäusewand (5) verläuft;
    - ein elektrischer Leiter (52) verläuft innerhalb des Kanals (51);
    - der elektrische Leiter (52) koppelt die zumindest beiden Resonatoren (61, 62, ..., 6n) kapazitiv und/oder induktiv miteinander.
  9. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 6 bis 8, gekennzeichnet durch das weitere Merkmal:
    - das Dielektrikum (81) im ersten Resonator (61) steht mit der ersten Trenneinrichtung (91) in Kontakt und das Dielektrikum (8n) im n-ten Resonator (6n) steht mit der n-1-ten Trenneinrichtung (9n-1) in Kontakt oder die Dielektrika (82, ..., 8n-1) der übrigen n-2 Resonatoren (62, ..., 6n-1) stehen mit beiden, die jeweilige Resonatorkammer (72, ..., 7n-1) begrenzenden Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) in Kontakt.
  10. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch die weiteren Merkmale:
    - die n Dielektrika (81, 82, ..., 8n) sind scheibenförmig; oder
    - alle oder zumindest eines der n Dielektrika (81, 82, ..., 8n) füllen ein Volumen der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) ihrer jeweiligen n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) vollständig oder teilweise aus.
  11. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch das weitere Merkmal:
    - die Anordnung oder die Größe zumindest einer Koppelöffnung (10) einer der n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1) ist vollständig oder teilweise unterschiedlich zu der Anordnung oder der Größe einer Koppelöffnung (10) einer anderen der n-1 Trenneinrichtungen (91, 92, ..., 9n-1).
  12. Hochfrequenzfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 11, gekennzeichnet durch die weiteren Merkmale:
    - die Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) zumindest eines der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) weist zumindest eine zusätzliche Öffnung (411, 412, ..., 41n) nach außerhalb des Gehäuses (2) auf;
    - zumindest ein Abstimmelement (401, 402, ..., 40n) ist durch diese zumindest eine zusätzliche Öffnung (411, 412, ..., 41n) in die Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) des zumindest einen der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) eingeführt;
    - der Abstand zwischen dem Abstimmelement (401, 402, ..., 40n), das durch die zumindest eine zusätzliche Öffnung (411, 412, ..., 41n) in die Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) des zumindest einen der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) eingeführt ist, ist zu dem jeweiligen Dielektrikum (81, 82, ..., 8n) innerhalb der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) veränderbar.
  13. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch die weiteren Merkmale:
    - der Abstand des zumindest einen Abstimmelements (401, 402, ..., 40n) zu dem jeweiligen Dielektrikum (81, 82, ..., 8n) in der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) des zumindest einen der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) ist soweit verringerbar, dass es mit diesem in Kontakt steht; oder
    - das Dielektrikum (81, 82, ..., 8n) in der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) des zumindest einen der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) weist eine Einbuchtung auf, wobei der Abstand des zumindest einen Abstimmelements (401, 402, ..., 40n) zu dem jeweiligen Dielektrikum (81, 82, ..., 8n) in der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) des zumindest einen der n Resonatoren (61, 62, ..., 6n) soweit verringerbar ist, dass dieses in die Einbuchtung des jeweiligen Dielektrikums (81, 82, ..., 8n) eintaucht.
  14. Verfahren zum Abgleichen eines Hochfrequenzfilters, der nach einem der Ansprüche 1 bis 13 aufgebaut ist, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
    - Schließen (S1) aller Koppelöffnungen (10) der 1+X-ten Trenneinrichtung und/oder der n-1-X-ten Trenneinrichtung, mit X = 0;
    - Messen (S2) eines Reflexionsfaktors am ersten Signalleitungsanschluss (301) und/oder Messen eines Reflexionsfaktors am zweiten Signalleitungsanschluss (302);
    - Einstellen (S3) der Resonanzfrequenz und/oder der Koppelbandbreite auf einen gewünschten Wert.
  15. Verfahren zum Abgleichen eines Hochfrequenzfilters, nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
    - Öffnen (S4) zumindest einer der Koppelöffnungen (10) der 1+X-ten Trenneinrichtung und/oder der n-1-X-ten Trenneinrichtung;
    - Erhöhen (S5) von X um eins;
    - Erneutes Ausführen (S6) der Verfahrensschritte Schließen (S1), Messen (S2), Einstellen (S3), Öffnen (S4) und Erhöhen (S5), bis alle Koppelöffnungen (10) geöffnet sind.
  16. Verfahren zum Abgleichen eines Hochfrequenzfilters, nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt erneutes Ausführen (S6) bei einer ungeraden Anzahl an Resonatorkammern (71, 72, ..., 7n) die folgenden Verfahrensschritte umfasst wenn X den Wert (n-1)/2 erreicht:
    - Öffnen (S7) zumindest einer der Koppelöffnungen (10) der X-ten Trenneinrichtung und Schließen aller Koppelöffnungen (10) der X+1-ten Trenneinrichtung und Messen (S2) eines Eingangsreflexionsfaktors am ersten Signalleitungsanschluss (301) und Einstellen (S3) der Resonanzfrequenz und/oder der Koppelbandbreite auf einen gewünschten Wert und/oder
    - Öffnen (S8) zumindest einer der Koppelöffnungen (10) der X+1-ten Trenneinrichtung und Schließen aller Koppelöffnungen (10) der X-ten Trenneinrichtung und Messen (S2) eines Eingangsreflexionsfaktors am zweiten Signalleitungsanschluss (302) und Einstellen (S3) der Resonanzfrequenz und/oder der Koppelbandbreite auf einen gewünschten Wert; und
    - Öffnen (S9) der zumindest einen Koppelöffnung (10) der X-ten und X+1-ten Trenneinrichtungen.
  17. Verfahren zum Abgleichen eines Hochfrequenzfilters, nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass für den Fall, dass in jeder Trenneinrichtung (91, 92, ..., 9n-1) zumindest eine Koppelöffnung (10) geöffnet ist folgende Verfahrensschritte ausgeführt werden:
    - Messen (S2) eines Reflexionsfaktors am ersten Signalleitungsanschluss (301) oder Messen eines Reflexionsfaktors am zweiten Signalleitungsanschluss (302); oder Messen (S10) eines Vorwärts-Transmissionsfaktors oder Messen eines Rückwärts-Transmissionsfaktors; und
    - Einstellen (S3) der Resonanzfrequenzen oder der Koppelbandbreite auf einen gewünschten Wert.
  18. Verfahren zum Abgleichen eines Hochfrequenzfilters, nach Anspruch 14, 15, 16 oder 17 unter Berücksichtigung zumindest einem der Ansprüche 7, 8, 10, 12, 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt Einstellen die folgenden Verfahrensschritte umfasst:
    - Verändern des Durchmessers (S11) der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) von zumindest einem Resonator (61, 62, ..., 6n) durch Austauschen des zumindest einen Einsatzes (111, 112, ..., 11n) durch einen anderen Einsatz (111, 112, ..., 11n) mit geänderten Abmessungen; oder
    - Austauschen (S14) des Dielektrikums (81, 82, ..., 8n) in der Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) von zumindest einem Resonator (61, 62, ..., 6n) durch ein anderes Dielektrikum (81, 82, ..., 8n) mit geänderten Abmessungen.
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