EP2130241A2 - Substrat porteur d'une electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications - Google Patents

Substrat porteur d'une electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications

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EP2130241A2
EP2130241A2 EP08762154A EP08762154A EP2130241A2 EP 2130241 A2 EP2130241 A2 EP 2130241A2 EP 08762154 A EP08762154 A EP 08762154A EP 08762154 A EP08762154 A EP 08762154A EP 2130241 A2 EP2130241 A2 EP 2130241A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
electrode
oxide
organic electroluminescent
substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP08762154A
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German (de)
English (en)
Inventor
Svetoslav Tchakarov
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Saint Gobain Glass France SAS
Compagnie de Saint Gobain SA
Original Assignee
Saint Gobain Glass France SAS
Compagnie de Saint Gobain SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Glass France SAS, Compagnie de Saint Gobain SA filed Critical Saint Gobain Glass France SAS
Publication of EP2130241A2 publication Critical patent/EP2130241A2/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

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Definitions

  • the present invention relates to a carrier substrate of a discontinuous electrode for organic electroluminescent device, the organic electroluminescent device incorporating it and their fabrications.
  • the subject of the present invention is a substrate for an organic electroluminescent device carrying, on a main surface, a discontinuous electrode comprising successively, from the substrate: a doped or non-doped metal oxide-based contact layer, single or mixed a metallic functional layer with intrinsic property of electrical conductivity, based on silver, having a functional layer thickness of less than 100 nm, an overlayer for the adaptation of the work function, in particular based on a metal oxide, doped or not, simple or mixed, the electrode having a square resistance of less than or equal to 5 ⁇ / square, or even less than or equal to 4 ⁇ / square, for a functional layer thickness of less than 100 nm, preferably less than or equal to 50 nm.
  • the electroconductive properties of the electrode according to the invention are made possible by the choice of a multilayer multilayer with a silver-based functional layer, which is also less expensive than an ITO functional layer because of the nature of the material used. electrode and manufacturing feasible at room temperature, for example, by spraying or evaporation.
  • each electrode zone provides a high fill factor without the need for photolithography to create the electrode areas. Since the electrode is organized in one or more rows, a defective electrode area does not interfere with the operation of the other electrode areas.
  • the thickness (total) of ITO, or even (mainly) oxide based on indium in the electrode may be less than or equal to 40 nm, or even 30 nm.
  • the total thickness of the electrode may be less than or equal to 250 ⁇ m; even more preferably at 150 nm to promote the extraction of light.
  • the electrode according to the invention may be over a large surface, for example an area greater than or equal to 0.02 m 2 or even 0.5 m 2 or 1 m 2 .
  • the insulating material preferably organic, in particular polymeric material, is chosen from screen-printed insulating material, in particular an acrylic or polyamide resin, insulating material deposited by ink jet, for example the ink described in patent US 6 986 982, or still deposited by roll coating.
  • the electrode comprises a plurality of rows parallel to each other, the rows of electrode zones being spaced apart by a so-called interangular distance less than or equal to 0.5 mm, preferably between 100 ⁇ m and 250 ⁇ m.
  • the electrode areas may be of substantially identical shape and / or size.
  • the electrode areas may be of substantially distinct shape and / or size.
  • the dimension of the electrode zone may be any, for example at least 3 cm, 5 cm or even about ten cm (10 cm and beyond).
  • the electrode according to the invention can present:
  • the overlay may be a monolayer or a multilayer. This layer is preferably of thickness (total) between 3 and 50 nm even more preferably between 5 and 20 nm.
  • the substrate may be preferably planar.
  • the substrate may be transparent (especially for emission through the susbtrate).
  • the substrate may be rigid, flexible or semi-flexible.
  • This substrate may be large, for example, top surface to 0.02 m 2, or even 0.5 m 2 or 1 m 2 and with an electrode substantially occupying the surface (the structuring zones).
  • the substrate is preferably glass, in particular of silicosodocalcic glass.
  • the substrate may advantageously be a glass having an absorption coefficient of less than 2.5 m 1 , preferably less than 0.7 m 1 at the wavelength of the OLED radiation (s).
  • the primer is preferably strong, easy and fast to deposit according to different techniques. It can be deposited, for example by a pyrolysis technique, especially in the gas phase (a technique often referred to by the abbreviation of CVD, for "Chemical Vapor Deposition”). This technique is interesting for the invention because appropriate settings of the deposition parameters make it possible to obtain a very dense layer for a reinforced barrier.
  • the primer may be optionally doped with aluminum to make its vacuum deposit more stable.
  • the bottom layer (monolayer or multilayer, optionally doped) may be between 10 and 150 nm thick, more preferably between 20 and 100 nm.
  • the bottom layer may preferably be:
  • It can be based on silicon oxycarbide and with tin to enhance the properties of anti acid etching in the case of a chemical screen printing.
  • Silicon nitride is very fast to deposit and forms an excellent barrier to alkalis, as already indicated.
  • it thanks to its high optical index relative to the carrier substrate, it allows to adapt the optical properties of the electrode by preferably playing on the thickness of the base layer / etch stop.
  • this layer dedicated to the protection allows a greater freedom in the choice of the overlayer only chosen to have optimal surface properties including surface work adaptation for OLEDs.
  • Blocking coating arranged (s) directly under, on or on each side of each functional metal layer including a base silver, the coating underlying the functional layer, towards the substrate, as a bonding, nucleation and / or protective coating, and the coating overlying the functional layer as a protective coating or "Sacrificial" in order to avoid the alteration of the functional metallic layer by etching and / or migration of oxygen of a layer which overcomes it, or even by oxygen migration if the layer which surmounts it is deposited by cathodic sputtering in the presence of oxygen.
  • blocking coating arranged (s) directly under, on or on each side of each functional metal layer including a base silver, the coating underlying the functional layer, towards the substrate, as a bonding, nucleation and / or protective coating, and the coating overlying the functional layer as a protective coating or "Sacrificial" in order to avoid the alteration of the functional metallic layer by etching and / or migration of oxygen of a layer which overcomes it, or even by
  • the functional metal layer can thus be disposed directly on at least one underlying blocking coating and / or directly under at least one overlying blocking coating, each coating having a thickness of preferably between 0.5 and 5 nm.
  • a layer or coating deposit (comprising one or more layers) is carried out directly under or directly on another deposit, it is that there can be no interposition of 'no layer between these two deposits.
  • Such a thin metal blocking layer also makes it possible to obtain excellent mechanical strength (resistance to abrasion, especially to scratches).
  • metal blocking layer it is necessary to limit the thickness of the metal layer and thus the light absorption to maintain a sufficient light transmission for the transparent electrodes.
  • the substoichiometric metal nitride it is also possible to choose a silicon nitride SiN x or aluminum AlNx or chromium Cr N x layer, or TiN x titanium or nitride of several metals such as NiCrN x .
  • the thin blocking layer may have an oxidation gradient, for example M (N) OH with variable X 1 , the part of the blocking layer in contact with the functional layer is less oxidized than the part of this layer furthest away of the functional layer using a particular deposition atmosphere.
  • the blocking coating may also be multilayer and in particular comprise: on the one hand an "interface" layer immediately in contact with said functional layer, this interface layer being made of a material based on oxide, nitride or non-stoichiometric metal oxynitride, such as those mentioned above, on the other hand, at least one layer of a metallic material, such as those mentioned above, layer immediately in contact with said "interface" layer.
  • a discontinuous upper electrode with an electroconductive layer in the form of electrode zones arranged on the electroluminescent layer areas.
  • the device can be organized into a plurality of substantially parallel electroluminescent rows spaced apart by less than 0.5 mm, each row being capable of being connected in series.
  • the distance between the electroluminescent zones of distinct rows may be greater than the distance between the zones of the same row, preferably from 100 ⁇ m, in particular between 100 ⁇ m and 250 ⁇ m.
  • the organic electroluminescent device according to the invention can be supplied with or without the current leads.
  • the lamination interlayer may make it possible to prevent bending of the bonnet, particularly for devices of large dimensions, for example with an area greater than 0.5 m 2 .
  • the OLED system can be preferably placed inside the double glazing, with a particularly inert gas blade (argon for example).
  • argon for example
  • - intended for urban or professional furniture such as a bus shelter panel, a wall of a display, a jewelery display or of a window, a wall of a greenhouse, an illuminating slab, - intended for interior furnishing, a shelf or furniture element, a facade of a piece of furniture, an illuminating slab, a ceiling lamp, an illuminating tablet refrigerator, an aquarium wall, - for the backlighting of electronic equipment, including display screen or display, possibly dual screen, such as a television or computer screen, a touch screen.
  • display screen or display possibly dual screen, such as a television or computer screen, a touch screen.
  • the small screen being preferably associated with a Fresnel lens to focus the light.
  • the electron transport layer may be composed of tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq ⁇ ) or bathophenanthroline (BPhen).
  • the upper electrode may be an Mg / Al or LiF / Al layer. Examples of organic electroluminescent stacks are for example described in US6645645.
  • PEDOT poly(styrenesulphonate)
  • phenyl poly (p-phenylenevinylenene) PH-PPV 50 nm.
  • the etching step without photolithography may comprise (consist of):
  • a step of forming the electroluminescent zones by deposition of the electroluminescent material (s) on a mask in the form of an organized network of lines, for example metallic, in particular aluminum or ferroelectric (chromium, nickel, etc.), following first and second directions crossed, the lines in the second direction being thicker.
  • lines for example metallic, in particular aluminum or ferroelectric (chromium, nickel, etc.)
  • the distance of 2 (along Y) between zones of adjacent electroluminescent layers of distinct rows is less than or equal to L'1, for example between 100 ⁇ m and 250 ⁇ m.
  • a first current feed band 61 is formed, preferably having a thickness of between 0.5 and 10 ⁇ m, for example 5 ⁇ m, with a width of X of 5 cm and under form for example of a metal layer in one of the metals following: Mo, Al, Cr, Nd or alloy such as MoCr, AlNd or multilayer such as MoCr / Al / MoCr,
  • the layers based on SnZn: SbO x are deposited by reactive sputtering using a target of zinc and antimony-doped tin containing by weight 65% Sn, 34% Zn and 1% Sb. at a pressure of 0.2 Pa and in an argon / oxygen atmosphere.

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Abstract

La présente invention a pour objet un substrat pour dispositif électroluminescent organique (10), porteur d'une électrode discontinue (2a à 2"c) à couche fonctionnelle métallique à propriété intrinsèque de conductivité électrique, entre une couche de contact et une surcouche, l'électrode présentant une résistance carrée inférieure ou égale à 5 O/carré pour une épaisseur de couche fonctionnelle inférieure à 100 nm, l'électrode étant sous forme d'au moins une rangée de zones d'électrode, chaque zone d'électrode présentant une première dimension (l) d'au moins 3 cm dans Ia direction (X) de ladite rangée, les zones d'électrode de chaque rangée étant espacées entre elles par une distance dite intrarangée (d1) inférieure ou égale à 0,5 mm. La présente invention a également pour objet un dispositif électroluminescent organique (10) l'incorporant ainsi que les fabrications de cette électrode et de ce dispositif.

Description

SUBSTRAT PORTEUR D'UNE ELECTRODE DISCONTINUE, DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE L'INCORPORANT,
ET LEURS FABRICATIONS
La présente invention a pour objet un substrat porteur d'une électrode discontinue pour dispositif électroluminescent organique, le dispositif électroluminescent organique l'incorporant et leurs fabrications.
Les systèmes électroluminescents organiques connus ou OLED (pour « Organic Light Emitting Diodes » en anglais) comportent un matériau ou un empilement de matériaux électroluminescents organiques alimenté en électricité par des électrodes l'encadrant sous forme de couches électroconductrices.
De manière classique, l'électrode supérieure est une couche métallique réfléchissante par exemple en aluminium, et l'électrode inférieure est une couche transparente à base d'oxyde d'indium, généralement l'oxyde d'indium dopé à l'étain plus connu sous l'abréviation ITO d'épaisseur de l'ordre de 100 à 150 nm. Cependant, cette couche d'ITO présente un certain nombre d'inconvénients. En premier lieu, la matière et le procédé de dépôt à température élevé (3500C) pour améliorer la conductivité engendrent des surcoûts. La résistivité par carré reste relativement élevée (de l'ordre de 10 Ω parcarré) à moins d'augmenter l'épaisseur des couches au delà de 150 nm ce qui résulte en une diminution de la transparence et en une augmentation de la rugosité de surface créant des défauts de pointes (spike effect en anglais) qui réduisent drastiquement la durée de vie et la fiabilité de l'OLED.
En outre, pour séparer électriquement les électrodes, l'électrode inférieure est discontinue, formant typiquement des bandes parallèles d'électrodes, chaque bande éclairante étant connectée en série. Or, la demanderesse a constaté qu'il n'est possible d'avoir un éclairage uniforme sur des bandes éclairantes de grandes surfaces. En outre, pour obtenir un facteur de remplissage (« fill factor » en anglais) satisfaisant, correspondant au ratio surface éclairante sur la surface totale du dispositif, il est nécessaire de réduire drastiquement la distance entre les bandes d'électrodes en utilisant des techniques de photolithographie coûteuses. Le document EP1521305 propose ainsi une électrode inférieure à base d'ITO sous forme de zones d'électrodes connectées en série séparées par des lignes de gravure invisibles à l'œil nu et remplies par une matière isolante, ceci par photolithographie. Dans d'autres dispositifs connus, l'électrode supérieure est une électrode réfléchissante continue et l'électrode inférieure une couche d'ITO continue surmontée de lignes métalliques, généralement en aluminium et éventuellement organisées en grille, ces lignes métalliques visant à améliorer les propriétés d'électroconductivité de la couche d'ITO pour un éclairage plus uniforme sur des grandes surfaces. Et pour obtenir un facteur de remplissage satisfaisant, les lignes sont fines, de largeur de l'ordre de 100 μm, et sont obtenues par photolithographie avec un masquage en une résine photosensible typiquement d'épaisseur d'environ 400 nm. Cette résine photosensible est conservée sur les lignes à des fins de passivation afin d'éviter les courts circuits entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure.
Cette électrode inférieure est onéreuse et manque de fiabilité car un simple point de court circuit contamine toute la surface, rendant le dispositif électroluminescent défectueux.
Le but que se fixe l'invention est l'obtention d'une électrode inférieure qui, tout en garantissant une uniformité de l'éclairage sur des grandes surfaces, un facteur de remplissage satisfaisant, soit fiable, peu onéreuse et de préférence facile à fabriquer, notamment à l'échelle industrielle.
A cet effet, la présente invention a pour objet un substrat pour dispositif électroluminescent organique, porteur sur une face principale d'une électrode discontinue comportant successivement, à partir du substrat: une couche de contact à base d'oxyde métallique, dopée ou non, simple ou mixte une couche fonctionnelle métallique à propriété intrinsèque de conductivité électrique, à base d'argent, d'épaisseur de couche fonctionnelle inférieure à 100 nm, une surcouche pour l'adaptation du travail de sortie, notamment à base d'oxyde métallique, dopé ou non, simple ou mixte, l'électrode présentant une résistance par carré inférieure ou égale à 5 Ω/carré, voire inférieure ou égale 4 Ω/carré, pour une épaisseur de couche fonctionnelle inférieure à 100 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm.
L'électrode discontinue selon l'invention est en outre sous forme d'au moins une rangée de zones d'électrode, avec des zones d'électrodes (de préférence toutes les zones) présentant une première dimension d'au moins 3 cm dans la direction de ladite rangée, préférentiellement d'au moins 5 cm, les zones d'électrode de la rangée étant espacées entre elles par une distance dite intrarangée inférieure ou égale à 0,5 mm. Et de la matière isolante remplit l'espace entres les zones d'électrode de la rangée (et de préférence l'espace des rangées voisines éventuelles) et déborde sur les zones d'électrode.
Les propriétés électroconductrices de l'électrode selon l'invention sont rendues possibles par le choix d'un empilement multicouche à couche fonctionnelle à base d'argent, en outre moins onéreuse qu'une couche fonctionnelle en ITO de par la nature du matériau d'électrode et la fabrication réalisable à température ambiante, par exemple, par pulvérisation ou évaporation.
Les propriétés électronductrices permettent l'uniformité de l'éclairage pour chaque zone éclairante définie par les zones d'électrode choisies relativement étendues (au moins 3 cm), ceci sans pénaliser la transparence ni générer de la rugosité, l'épaisseur de couche fonctionnelle étant limitée.
Typiquement, pour une, des ou chaque zone éclairante associée à une zone d'électrode, le rapport entre la brillance (mesurée en Cd/ m2) au centre et sur un bord quelconque de cette zone éclairante peut être ainsi supérieur ou égal à 0,7, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 0,8.
La passivation par la matière isolante permet d'éviter les courts-circuits entre les électrodes de l'OLED. En outre, la résine couvre les bords éventuellement irréguliers des zones d'électrode. Ces zones recouvertes ne sont donc pas éclairantes ce qui renforce la possibilité d'un éclairage uniforme. Toutefois, pour un facteur de remplissage satisfaisant, la largeur de chaque bordure recouverte peut être de préférence de moins de 100 μm, voir inférieure ou égale à 50 μm par exemple entre 10 et 30 μm.
La limitation supérieure de la distance intrarangée et l'étendue de chaque zone d'électrode assure un facteur de remplissage élevé sans nécessité de recourir à de la photolithographie pour créer les zones d'électrode. L'électrode étant organisée en une ou plusieurs rangées, une zone d'électrode défectueuse ne perturbe pas le fonctionnement des autres zones d'électrode.
L'épaisseur (totale) d'ITO, voire d'oxyde (majoritairement) à base d'indium dans l'électrode peut être inférieure ou égale à 40 nm, voire à 30 nm. L'épaisseur totale de l'électrode peut être inférieure ou égale à 250 μm ; encore plus préférentiellement à 150 nm pour favoriser l'extraction de lumière.
L'électrode selon l'invention peut être sur une grande surface par exemple une surface supérieure ou égale à 0,02 m2 voire même 0,5 m2 ou 1 m2.
La distance intrarangée peut être d'au moins 20 μm, pour limiter les courts circuits entre les bords, de préférence entre 50 μm et 250 μm, notamment entre 100 et 250 μm.
De manière avantageuse, l'électrode discontinue peut être obtenue sans photolithographie par exemple :
- par gravure laser, formant typiquement des bourrelets, - et/ ou par sous masquage,
- et/ ou par sérigraphie chimique d'une pâte de gravure, notamment une pâte à base d'acide, formant typiquement des bords irréguliers qui sont ondulés du fait des mailles de T'écran de sérigraphie, techniques bien maitrisées industriellement et peu onéreuses. Le sous masquage consiste à déposer le masque discontinu, typiquement des lignes parallèles éventuellement en grille. Ce masque est en matière soluble par un solvant (eau, alcool, acétone...) neutre pour l'électrode. Le masque peut être déposé par sérigraphie, par jet d'encre. On dépose ensuite une pleine couche en matière d'électrode et on dissout le masque créant ainsi les espaces entre zones d'électrode (de préférence sous forme de lignes parallèles).
Dans une conception préférée de l'invention, la matière isolante couvre également les bords des zones d'électrode (les plus) périphériques. On peut choisir comme matière isolante par exemple une résine acrylique ou polyamide, par exemple les résines Wepelan dénommées SD2154E and SD2954.
Préférablement, pour réduire (encore) les coûts de fabrication; la matière isolante, de préférence organique, notamment polymérique, est choisie parmi de la matière isolante sérigraphiée, notamment une résine acrylique ou polyamide, de la matière isolante déposée par jet d'encre, par exemple l'encre décrite dans le brevet US6986982, ou encore déposée par enduction au rouleau.
La matière isolante sérigraphiée forme typiquement des bords irréguliers, qui sont ondulés du fait des mailles de T'écran de sérigraphie. La matière déposée par jet d'encre a typiquement un profil en forme de « coupe » (« coffee cups » en anglais), les bords étant épaissis.
Préférablement, pour une liberté de choix des connexions électriques, l'électrode comporte une pluralité de rangées parallèles entre elles, les rangées de zones d'électrode étant espacées entre elles par une distance dite interangée inférieure ou égale à 0,5 mm, de préférence entre 100 μm et 250μm.
Ces rangées peuvent être de préférence isolées électriquement entre elles par une résine isolante notamment telle que déjà décrite, notamment sérigraphiée ou déposée par jet d'encre. Comme les espaces intrarangées, les espaces entre rangées peuvent être fabriqués de préférence par laser ou sous masquage, par sérigraphie chimique avec la pâte de gravure.
Chaque zone d'électrode peut être un motif géométrique plein (carré, rectangle, rond...). D'une rangée à l'autre, les motifs peuvent être décalés, par exemple pour un arrangement en quinconce.
Au sein d'une même rangée, les zones d'électrodes peuvent être de forme et/ ou de taille sensiblement identiques.
D'une rangée à l'autre, les zones d'électrodes peuvent être de forme et/ ou de taille sensiblement distinctes. Dans la direction perpendiculaire à la rangée, la dimension de la zone d'électrode peut être quelconque, par exemple d'au moins 3 cm, 5 cm voire d'une dizaine de cm ( 10 cm et au-delà). Avantageusement, l'électrode selon l'invention peut présenter :
- une résistance carrée inférieure ou égale à 5 Ω/carré pour une épaisseur de (chaque) couche fonctionnelle inférieure ou égale à 20 nm, et une transmission lumineuse TL supérieure ou égale à 60%, encore plus préférentiellement à 70% et un facteur d'absorption A
(donné par 1 -RL-TL) inférieur à 10%, ce qui rend son utilisation en tant qu'électrode transparente particulièrement satisfaisante, pour un dispositif électroluminescent à émission par l'arrière (« bottom émission » en anglais), - une résistance carrée inférieure ou égale à 3 Ω/carré pour une épaisseur de (chaque) couche fonctionnelle à partir de 20 nm, de préférence inférieure ou égale à 1 ,8 Ω/carré, ainsi qu'un rapport TL sur RL entre 0, 1 et 0,7 et un facteur d'absorption A inférieur à 10%, ce qui rend son utilisation en tant qu'électrode semi transparente particulièrement satisfaisante, pour un dispositif électroluminescent à émission par l'arrière et l'avant,
- une résistance carrée inférieure ou égale à 1 Ω/carré pour une épaisseur de (chaque) couche fonctionnelle à partir de 50 nm, de préférence inférieure ou égale à 0,6 Ω/carré, combinée de préférence une réflexion lumineuse RL supérieure ou égale à 70%, encore plus préférentiellement à 80%, ce qui rend son utilisation en tant qu'électrode réfléchissante particulièrement satisfaisante, pour un dispositif électroluminescent à émission par l'avant (« top émission » en anglais). La TL peut être de préférence mesurée sur un substrat mince, par exemple de l'ordre du mm, et de TL de l'ordre de 90% par exemple un verre silicosodocalcique.
La surface de l'électrode peut être de rugosité RMS (autrement appelé Rq) de préférence inférieure ou égale à 2 nm, et encore plus préférentiellement inférieure ou égale à 1 ,5 nm voire inférieure ou égale à 1 nm afin d'éviter les défauts de pointes.
La rugosité R. M. S signifie rugosité « Root Mean Square ». Il s'agit d'une mesure consistant à mesurer la valeur de l'écart quadratique moyen de la rugosité. Cette rugosité R. M. S, concrètement, quantifie donc en moyenne la hauteur des pics et creux de rugosité, par rapport à la hauteur moyenne. Ainsi, une rugosité R. M. S de 2 nm signifie une amplitude de pic double. Elle peut être mesurée de différentes manières : par exemple, par microscopie à force atomique, par un système mécanique à pointe (utilisant par exemple les instruments de mesure commercialisés par la société VEECO sous la dénomination DEKTAK), par interférométrie optique La mesure se fait généralement sur un micromètre carré par microscopie à force atomique, et sur une surface plus importante, de l'ordre de 50 micromètres à 2 millimètres pour les systèmes mécaniques à pointe.
Cette faible rugosité est en particulier atteinte lorsque le substrat comporte entre la couche de fond et la couche de contact une couche de lissage non cristallisée en un oxyde mixte, ladite couche de lissage étant disposée immédiatement sous ladite couche de contact et étant en un autre matériau que celui de la couche de contact.
La couche de lissage est, de préférence, une couche d'oxyde mixte à base d'oxyde d'un ou de plusieurs des métaux suivants : Sn, Si, Ti, Zr, Hf, Zn, Ga, In et notamment est une couche d'oxyde mixte à base de zinc et d'étain éventuellement dopée ou une couche d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO) ou une couche d'oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO).
La couche de lissage présente, de préférence, une épaisseur géométrique entre 0, 1 et 30 nm et de préférence encore comprise entre 0,2 et 10 nm.
La couche fonctionnelle est à base d'argent pur ou allié ou dopé avec Au, Al, Pt, Cu, Zn, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co, Sn, Pd. On peut citer par exemple de l'argent dopé au Pd ou un alliage or cuivre ou un alliage argent or.
On peut déposer la couche fonctionnelle par une technique de dépôt sous vide, notamment par évaporation ou de préférence par pulvérisation cathodique assistée par champ magnétique, notamment à température ambiante.
Si une haute conductivité est particulièrement recherchée on peut choisir de préférence un matériau pur. Si des propriétés mécaniques remarquables sont particulièrement recherchées, on peut choisir de préférence un matériau dopé ou allié.
On choisit une couche à base d'argent pour sa conductivité et sa transparence. L'épaisseur de la couche fonctionnelle à base d'argent peut être comprise entre 3 à 20 nm, préférentiellement comprise entre 5 à 15 nm. Dans cette gamme d'épaisseurs, l'électrode demeure transparente. L'épaisseur de la couche fonctionnelle à base d'argent peut en outre être comprise entre 20 à 50 nm pour basculer d'un fonctionnement principalement en transmission, à un fonctionnement principalement en réflexion. La surcouche d'adaptation du travail de sortie peut avoir un travail de sortie Ws à partir de 4,5 eV et de préférence supérieur ou égal à 5 eV.
La surcouche pour l'adaptation du travail de sortie peut être de préférence à base de l'un au moins des oxydes métalliques suivants : oxyde d'indium, oxyde de zinc, oxyde de molybdène et oxyde de nickel, qui sont préférence sous stoechiométriques pour l'adaptation du travail de sortie, oxyde d'aluminium, oxyde de titane, oxyde de zirconium, oxyde de tantale, oxyde d'étain, oxyde de silicium.
L'oxyde métallique peut être dopé typiquement, entre 0,5 et 5 %. Il s'agit en particulier d'oxyde d'étain dopé par S, ou d'oxyde de zinc dopé par Al (AZO), Ga (GZO), B, Sc, ou Sb pour une meilleure stabilité du procédé de dépôt, et/ ou augmenter la conductivité électrique.
La surcouche peut être à base d'oxyde mixte, notamment d'un oxyde mixte de zinc et d'étain SnxZnyOz généralement non stoechiométrique et sous phase amorphe, ou d'un oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO), d'un oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO).
La surcouche peut être une monocouche ou une multicouche. Cette couche est de préférence est d'épaisseur (totale) entre 3 et 50 nm encore plus préférentiellement entre 5 et 20 nm.
On choisit de préférence une surcouche avec une conductivité électrique supérieure à 10 6 S. cm- 1, voire ICH S. cm- 1, couche facile et/ou rapide à réaliser, transparente, notamment une surcouche, dopée ou non, à base d'ITO, IZO, SnxZnyOz, ZnO,, NiOx, MoOx, In2O3. Cette surcouche pouvant être de préférence la dernière couche, on préfère tout particulièrement une surcouche dlTO qui est stable et permet qui plus est de conserver les technologies existantes pour la fabrication et l'optimisation de la structure organique OLED tout en maîtrisant les coûts. Le substrat peut être de préférence plan.
Le substrat peut être transparent (en particulier pour une émission à travers le susbtrat). Le substrat peut être rigide, flexible ou semi-flexible.
Ses faces principales peuvent être rectangulaires, carrées ou même de toute autre forme (ronde, ovale, polygonale...). Ce substrat peut être de grande taille par exemple de surface supérieure à 0,02m2 voire même 0.5 m2 ou 1 m2 et avec une électrode occupant sensiblement la surface (aux zones de structuration près).
Le substrat peut être un plastique, par exemple un polycarbonate, un polyéthylène téréphtalate PET, un polyéthylène naphtalate PEN, unpolyméthacrylate de méthyle PMMA.
Le substrat est de préférence verrier, notamment en verre silicosodocalcique. Le substrat peut être avantageusement un verre présentant un coefficient d'absorption inférieur à 2,5 m 1, de préférence inférieur à 0,7 m 1 à la longueur d'onde du ou des rayonnements OLEDs. On choisit par exemple des verres silicosodocalciques avec moins de
0,05% de Fe III ou de Fe2θ3, notamment le verre Diamant de Saint-Gobain Glass, le verre Optiwhite de Pilkington, le verre B270 de Schott. On peut choisir toutes les compositions de verre extraclair décrites dans le document WO04/025334. Dans une configuration choisie d'une émission du système OLED à travers l'épaisseur du substrat transparent (émission par l'arrière), une partie du rayonnement émis est guidé dans le substrat.
Aussi, dans une conception avantageuse de l'invention, l'épaisseur du substrat choisi verrier peut être d'au moins 0,35 mm, de préférence d'au moins 1 mm, par exemple. Cela permet de diminuer le nombre de réflexions internes et extraire ainsi plus du rayonnement guidé dans le verre, augmentant ainsi la luminance de la zone lumineuse. Les bords de la tranche, peuvent en outre être réfléchissants, et comporter de préférence un miroir, pour assurer un recyclage optimal du rayonnement guidé et les bords, forme avec la face principale associée au système OLED un angle externe supérieur ou égal à 45° et inférieur à 90°, de préférence supérieur ou égal à 80°, pour rediriger les rayonnements sur une plus large zone d'extraction. La tranche peut être ainsi biseautée.
L'électrode peut comporter sous la couche fonctionnelle de préférence une couche de fond, susceptible de former une barrière aux alcalins
La couche de fond peut être une barrière aux alcalins sous jacents à l'électrode. Elle protège de toute pollution la couche de contact ou tout autre couche sus jacente (pollutions qui peuvent entraîner des défauts mécaniques tels que des délaminations), préserve en outre la conductivité électrique de la couche métallique fonctionnelle. Elle évite aussi que la structure organique d'un dispositif OLED ne soit polluée par les alcalins réduisant de fait considérablement la durée de vie de l'OLED.
La migration des alcalins peut intervenir pendant la fabrication du dispositif, engendrant un manque de fiabilité, et/ ou postérieurement, réduisant sa durée de vie.
La couche de fond améliore les propriétés d'accrochage de la couche de contact sans accroître notablement la rugosité de l'ensemble, de l'empilement de couches, même en cas d'interposition d'une ou de plusieurs couche entre la couche de fond et la couche de contact.
La couche de fond est de préférence robuste, facile et rapide à déposer suivant différentes techniques. On peut la déposer, par exemple par une technique de pyrolyse, notamment en phase gazeuse (technique souvent désignée par l'abréviation anglaise de C.V.D, pour « Chemical Vapor Déposition »). Cette technique est intéressante pour l'invention car des réglages appropriés des paramètres de dépôt permettent d'obtenir une couche très dense pour une barrière renforcée. La couche de fond peut être éventuellement dopée à l'aluminium pour rendre son dépôt sous vide plus stable. La couche de fond (monocouche ou multicouche, éventuellement dopée) peut être d'épaisseur entre 10 et 150 nm, encore plus préférentiellement entre 20 et 100 nm. La couche de fond peut être de préférence :
- à base d'oxyde de silicium (de formule générale SiO),
- à base d'oxycarbure de silicium (de formule générale SiOC), - à base de nitrure de silicium (de formule générale SiN), en particulier à
- à base d'oxynitrure de silicium (de formule générale SiON),
- à base d'oxycarbonitrure de silicium (de formule générale SiONC).
Il est possible que la nitruration de la couche de fond soit légèrement sous stœchiométrique.
Elle peut être à base d'oxycarbure de silicium et avec de l'étain pour renforcer des propriétés d'anti gravure acide dans le cas d'une sérigraphie chimique.
On peut préférer tout particulièrement une couche de fond (essentiellement) en nitrure de silicium SiβN/t, dopé ou non. Le nitrure de silicium est très rapide à déposer et forme une excellente barrière aux alcalins. En outre, grâce à son indice optique élevé par rapport au substrat porteur permet d'adapter les propriétés optiques de l'électrode en jouant de préférence sur l'épaisseur de cette couche de fond. Cela permet ainsi d'ajuster par exemple la couleur en transmission lorsque l'électrode est transparente ou en réflexion lorsque la face opposée du substrat porteur est un miroir.
L' électrode peut comprendre de manière préférentielle une couche d'arrêt de gravure, notamment chimique, sous la couche de contact (voire sur la couche de fond éventuelle et distincte), notamment une couche à base d'oxyde d'étain, cette couche d'arrêt de gravure étant notamment d'épaisseur entre 10 et
100 nm, encore plus préférentiellement entre 20 et 60 nm.
La couche d'arrêt de gravure peut protéger le substrat et/ ou la couche de fond, notamment dans le cas de la gravure par sérigraphie chimique.
Grâce la couche d'arrêt de gravure, la couche de fond reste présente même dans la les zones gravées (« patterned » en anglais)). Aussi, la migration des alcalins, par effet de bord, entre le substrat dans une zone gravée et une partie d'électrode adjacente (voire une structure organique) peut être stoppée. Tout particulièrement, par souci de simplicité, la couche d'arrêt de gravure peut faire partie ou être la couche de fond : elle peut être de préférence être à base de nitrure de silicium ou elle peut être une couche qui est à base de d'oxyde de silicium ou à base d'oxynitrure de silicium ou à base d'oxycarbure de silicium ou encore à base d'oxycarbonitrure de silicium et avec de l'étain pour renforcer par propriété d'anti gravure, couche de formule générale SnSiOCN.
On peut préférer tout particulièrement une couche de fond / arrêt de gravure (essentiellement) en nitrure de silicium SiβN/t, dopé ou non. Le nitrure de silicium est très rapide à déposer et forme une excellente barrière aux alcalins, comme déjà indiqué. En outre, grâce à son indice optique élevé par rapport au substrat porteur, il permet d'adapter les propriétés optiques de l'électrode en jouant de préférence sur l'épaisseur de cette couche de fond / arrêt de gravure.
Cela permet ainsi d'ajuster par exemple la couleur en transmission lorsque l'électrode est transparente ou en réflexion lorsque la face opposée du substrat porteur est un miroir.
La couche de contact peut être de préférence directement sous la couche fonctionnelle à base d'argent (hors fine couche de blocage éventuelle) et servir de couche d'adhésion et/ ou de mouillage de la couche fonctionnelle.
La couche de contact peut être de préférence à base de l'un au moins des oxydes métalliques suivants stoechiométriques ou non : oxyde de chrome, oxyde d'indium, oxyde de zinc, oxyde d'aluminium, oxyde de titane, oxyde de molybdène, oxyde de zirconium, oxyde d'antimoine, oxyde de tantale, oxyde de silice, voire oxyde d'étain.
L'oxyde métallique peut être dopé typiquement, entre 0,5 et 5 %. Il s'agit en particulier d'oxyde de zinc dopé par Al (AZO), Ga (GZO), voire par B, Sc, ou Sb pour une meilleure stabilité de procédé de dépôt voire d'oxyde d'étain dopé par F ou S.
La couche de contact peut être à base d'oxyde mixte notamment d'un oxyde mixte de zinc et d'étain SnxZnyOz généralement non stoechiométrique et sous phase amorphe, ou d'un oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO), d'un oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO). La couche de contact peut être une monocouche ou une multicouche. Cette couche est de préférence est d'épaisseur (totale) entre 3 et 30 nm encore plus préférentiellement entre 5 et 20 nm.
On choisit de préférence une couche qui n'est pas toxique, une couche facile et/ ou rapide à réaliser, éventuellement transparente si nécessaire, notamment une couche dopée ou non à base d'ITO, IZO, SnxZnyOz, ZnOx.
On choisit encore plus préférentiellement une couche de nature cristalline suivant une direction de croissance privilégiée pour favoriser l'hétéroépitaxie de la couche métallique fonctionnelle à base d'argent. On préfère ainsi une couche d'oxyde de zinc ZnOx, avec préférentiellement x inférieur à 1, encore plus préférentiellement compris entre de 0,88 à 0,98, notamment de 0,90 à 0,95. Cette couche peut être pure ou dopée par Al ou par Ga comme déjà indiqué.
Dans une conception préférée de l'invention, pour prévenir encore davantage la corrosion de la couche fonctionnelle, l'électrode peut comprendre, entre la couche fonctionnelle et la surcouche, une couche à base d'oxyde métallique de protection contre l'oxygène et/ ou l'eau, tout particulièrement lors que la surcouche est mince (inférieure ou égale à 20 nm).
La couche de protection peut être de préférence à base de l'un au moins des oxydes métalliques suivants : oxyde d'indium, oxyde de zinc, oxyde d'aluminium, oxyde de titane, oxyde de zirconium, oxyde de tantale, oxyde de silicium, oxyde d'étain.
L'oxyde métallique peut être dopé typiquement, entre 2 et 5 %. Il s'agit en particulier d'oxyde d'étain dopé par S, ou d'oxyde de zinc dopé ZnO(x) dopé par Al (AZO) pour une meilleure stabilité, Ga (GZO) pour augmenter la conductivité, voire par B, Sc, ou Sb.
La couche de protection peut être à base d'oxyde mixte notamment d'un oxyde mixte de zinc et d'étain SnxZnyOz généralement non stoechiométrique et sous phase amorphe, ou d'un oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO), d'un oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO). La couche de protection peut être une monocouche ou une multicouche Cette couche est de préférence est d'épaisseur (totale) entre 3 et 90 nm encore plus préférentiellement entre 5 et 30 nm.
Naturellement, l'ajout de cette couche dédiée à la protection permet une plus grande liberté dans le choix de la surcouche uniquement choisie pour avoir des propriétés de surface optimales notamment d'adaptation du travail de surface pour les OLEDs.
On choisit de préférence une couche de protection facile et/ ou rapide à réaliser, transparente, notamment une couche, dopée ou non, à base d'ITO, IZO, SnxZnyOz, ZnOx.
On préfère en particulier une couche à base d'oxyde de zinc ZnOx, avec x de préférence inférieur à 1 , préférentiellement compris entre de 0,88 à 0,98, notamment de 0,90 à 0,95. Cette couche peut être pure ou dopée comme déjà indiqué. Cette couche est tout particulièrement adaptée pour être directement sur la couche fonctionnelle sans dégrader sa transparence ou sa conductivité électrique.
Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, la couche de contact et la couche de protection sont de nature identique, en particulier de l'oxyde de zinc pur, dopé voire allié, et de préférence la surcouche est de l'ITO.
L'épaisseur totale (avec la couche de fond) peut être entre 30 nm et 250 nm, voire 150 nm.
L'empilement de couches minces réalisant le revêtement électrode est de préférence un revêtement monocouche fonctionnelle, c'est-à-dire à une seule couche fonctionnelle ; toutefois, il peut être pluri-couches fonctionnelles et notamment bi-couches fonctionnelles. Entre la couche fonctionnelle à base d'argent et la surcouche, l'électrode peut comprendre successivement : une couche séparatrice à base d'oxyde métallique comprenant éventuellement ladite couche de protection, ladite couche de lissage, une deuxième couche de contact (notamment similaire à la couche de contact ou à tout le moins en les matériaux déjà cités), une deuxième couche fonctionnelle à base d'argent (notamment similaire à la couche fonctionnelle), et un revêtement éventuel de blocage (notamment similaire au revêtement éventuel de surblocage ou à tout le moins en les matériaux déjà cités). L'électrode peut être obtenue par une succession de dépôts effectués par une technique utilisant le vide comme la pulvérisation cathodique éventuellement assistée par champ magnétique. Peuvent aussi être prévus un, voire deux, revêtement(s) très fin(s) appelé(s) « revêtement de blocage », disposé (s) directement sous, sur ou de chaque côté de chaque couche métallique fonctionnelle notamment à base d'argent, le revêtement sous-jacent à la couche fonctionnelle, en direction du substrat, en tant que revêtement d'accrochage, de nucléation et/ ou de protection, et le revêtement sus-jacent à la couche fonctionnelle en tant que revêtement de protection ou « sacrificiel » afin d'éviter l'altération de la couche métallique fonctionnelle par attaque et/ ou migration d'oxygène d'une couche qui le surmonte, voire aussi par migration d'oxygène si la couche qui le surmonte est déposée par pulvérisation cathodique en présence d'oxygène.
La couche métallique fonctionnelle peut ainsi être disposée directement sur au moins un revêtement de blocage sous-jacent et/ou directement sous au moins un revêtement de blocage sus-jacent, chaque revêtement présentant une épaisseur comprise de préférence entre 0,5 et 5 nm.
Au sens de la présente invention lorsqu'il est précisé qu'un dépôt de couche ou de revêtement (comportant une ou plusieurs couches) est effectué directement sous ou directement sur un autre dépôt, c'est qu'il ne peut y avoir interposition d'aucune couche entre ces deux dépôts.
Au moins un revêtement de blocage comprend, de préférence, une couche métallique, nitrure et/ ou oxyde métallique, à base d'au moins l'un des métaux suivants : Ti, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Zr, Hf, Al, Nb, Ni, Cr, Mo, Ta, W, ou à base d'un alliage d'au moins un desdits matériaux.
Par exemple, un revêtement de blocage peut être constitué d'une couche à base de niobium, tantale, titane, chrome ou nickel ou d'un alliage à partir d'au moins deux desdits métaux, comme un alliage de nickel-chrome.
Une fine couche de blocage forme une couche de protection voire même une couche « sacrificielle » qui permet d'éviter l'altération du métal de la couche métallique fonctionnelle, notamment dans l'une et/ ou l'autre des configurations suivantes : si la couche qui surmonte la couche fonctionnelle est déposée en utilisant un plasma réactif (oxygène, azote ...), par exemple si la couche d'oxyde qui la surmonte est déposée par pulvérisation cathodique, si la composition de la couche qui surmonte la couche fonctionnelle est susceptible de varier lors de la fabrication industrielle (évolution des conditions de dépôt type usure d'une cible etc.) notamment si la stœchiométrie d'une couche de type oxyde et/ou nitrure évolue, modifiant alors la qualité de la couche fonctionnelle et donc les propriétés de l'électrode (résistance carré, transmission lumineuse, ...), - si le revêtement électrode subit postérieurement au dépôt un traitement thermique.
Cette couche protectrice voire sacrificielle améliore significativement la reproductibilité des propriétés électriques et optiques de l'électrode. Cela est très important pour une démarche industrielle où seule une faible dispersion des propriétés des électrodes est acceptable.
On préfère en particulier une fine couche de blocage à base d'un métal choisi parmi le niobium Nb, le tantale Ta, le titane Ti, le chrome Cr ou le nickel Ni ou d'un alliage à partir d'au moins deux de ces métaux, notamment d'un alliage de niobium et de tantale (Nb /Ta), de niobium et de chrome (Nb /Cr) ou de tantale et de chrome (Ta/ Cr) ou de nickel et de chrome (Ni/ Cr). Ce type de couche à base d'au moins un métal présente un effet de piégeage (effet « getter ») particulièrement important.
Une fine couche de blocage métallique peut être aisément fabriquée sans altérer la couche fonctionnelle. Cette couche métallique peut être de préférence déposée dans une atmosphère inerte (c'est-à-dire sans introduction volontaire d'oxygène ou d'azote) constituée de gaz noble (He, Ne, Xe, Ar, Kr). Il n'est pas exclu ni gênant qu'en surface cette couche métallique soit oxydée lors du dépôt ultérieur d'une couche à base d'oxyde métallique.
La telle fine couche de blocage métallique permet en outre d'obtenir une excellente tenue mécanique (résistance à l'abrasion, aux rayures notamment).
Ceci est spécialement vrai pour des empilements qui subissent un traitement thermique, et donc une diffusion important d'oxygène ou d'azote lors de ce traitement.
Néanmoins, pour l'utilisation de couche de blocage métallique, il faut limiter l'épaisseur de la couche métallique et donc l'absorption lumineuse pour conserver une transmission lumineuse suffisante pour les électrodes transparentes.
La fine couche de blocage peut être partiellement oxydée. Cette couche est déposée sous forme non métallique et n'est donc pas déposée sous forme stœchiométrique, mais sous forme sous-stœchiométrique, du type MOx, où M représente le matériau et x est un nombre inférieur à la stœchiométrie de l'oxyde du matériau ou du type MNOx pour un oxyde de deux matériaux M et N (ou plus). On peut citer par exemple TiOx, NiCrOx. x est de préférence compris entre 0,75 fois et 0,99 fois la stœchiométrie normale de l'oxyde. Pour un monoxyde, on peut notamment choisir x entre 0,5 et 0,98 et pour un dioxyde x entre 1 ,5 et 1 ,98.
Dans une variante particulière, la fine couche de blocage est à base de TiOx et x peut être en particulier tel que 1 ,5 ≤ x ≤ 1 ,98 ou 1 ,5 < x < 1 ,7, voire 1 ,7 < x < 1 ,95.
La fine couche de blocage peut être partiellement nitrurée. Elle n'est donc pas déposée sous forme stœchiométrique, mais sous forme sous- stœchiométrique, du type MNy, où M représente le matériau et y est un nombre inférieur à la stœchiométrie de du nitrure du matériau, y est de préférence compris entre 0,75 fois et 0,99 fois la stœchiométrie normale du nitrure.
De la même manière, la fine couche de blocage peut aussi être partiellement oxynitrurée.
Cette fine couche de blocage oxydée et/ ou nitrurée peut être aisément fabriquée sans altérer la couche fonctionnelle. Elle est, de préférence, déposée à partir d'une cible céramique, dans une atmosphère non oxydante constituée de préférence de gaz noble (He, Ne, Xe, Ar, Kr). La fine couche de blocage peut être préférentiellement en nitrure et/ ou oxyde sous-stœchiométrique pour encore davantage de reproductibilité des propriétés électriques et optiques de l'électrode. La fine couche blocage choisie oxyde et/ ou nitrure sous stœchiométrique peut être, de préférence à base d'un métal choisi parmi l'un au moins des métaux suivants : Ti, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Zr, Hf, Al, Nb, Ni, Cr, Mo, Ta, W, ou d'un oxyde d'un alliage sous stœchiométrique à base d'au moins un de ces matériaux.
On préfère en particulier une couche à base d'un oxyde ou d'oxynitrure d'un métal choisi parmi le niobium Nb, le tantale Ta, le titane Ti, le chrome Cr ou le nickel Ni ou d'un alliage à partir d'au moins deux de ces métaux, notamment d'un alliage de niobium et de tantale (Nb/Ta), de niobium et de chrome (Nb /Cr) ou de tantale et de chrome (Ta/ Cr) ou de nickel et de chrome (Ni/Cr).
Comme nitrure métallique sous-stœchiométrique, on peut choisir aussi une couche en nitrure de silicium SiNx ou d'aluminium AlNx ou de chrome Cr Nx , ou de titane TiNx ou de nitrure de plusieurs métaux comme le NiCrNx. La fine couche de blocage peut présenter un gradient d'oxydation, par exemple M (N) OH avec X1 variable, la partie de la couche de blocage en contact avec la couche fonctionnelle est moins oxydée que la partie de cette couche la plus éloignée de la couche fonctionnelle en utilisant une atmosphère de dépôt particulière. Le revêtement de blocage peut aussi être multicouche et notamment comprendre : d'une part une couche « d'interface » immédiatement en contact avec ladite couche fonctionnelle, cette couche d'interface étant en un matériau à base d'oxyde, de nitrure ou d'oxynitrure métallique non stœchiométrique, tels que ceux précités, d'autre part, d'au moins une couche en un matériau métallique, tels que ceux précités, couche immédiatement en contact avec ladite couche « d'interface ».
La couche d'interface peut être un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure d'un métal ou de métaux qui est ou sont présent(s) dans la couche métallique adjacente éventuelle. Lïnvention a trait également à un dispositif électroluminescent organique comportant au moins un substrat porteur, notamment verrier, muni :
- d'une électrode inférieure discontinue telle que définie précédemment, formant ainsi au moins une rangée de zone d'électrode inférieure, - d'au moins une couche discontinue en matériau(x) électroluminescente (s) organique (s) sous forme des zones de couche électroluminescente agencées sur les zones d'électrode,
- d'une électrode supérieure discontinue à couche électroconductrice sous forme de zones d'électrode agencées sur les zones de couche électroluminescente .
Et pour une connexion en série de la rangée, les zones de couche électroluminescente sont décalées des zones d'électrode inférieure dans la direction de la rangée et les zones d'électrode inférieure sont décalées des zones d'électrode électroluminescentes dans la direction de la rangée. On rappelle que dans une connexion série, le courant passe d'une zone d'électrode supérieure à la zone d'électrode inférieure adjacente.
L'électrode inférieure peut former une seule rangée de zones d'électrode inférieure, et suivant la direction perpendiculaire à cette rangée, l'électrode supérieure et la couche électroluminescente peuvent être discontinues pour former une pluralité de rangées parallèles.
Ainsi, de manière avantageuse, le dispositif peut être organisé en une pluralité de rangées électroluminescentes sensiblement parallèles et espacées entre elles de moins de 0,5 mm, chaque rangée étant susceptible d'être connectée en série. La distance entre les zones électroluminescentes de rangées distinctes peut être supérieure à la distance entre les zones d'une même rangée, de préférence à partir de 100 μm, notamment entre 100 μm et 250 μm.
Chaque rangée peut être ainsi indépendante. Si une des zones dans chaque rangée est défectueuse, la rangée entière fonctionne quand même. Et les rangées adjacentes sont intactes. Alternativement, l'électrode inférieure peut comprendre une pluralité de rangées de zones d'électrode inférieure et la couche électroluminescente et l'électrode supérieure reproduisent ces rangées (en décalé suivant la direction des rangées).
Divers types de connexions sont possibles : - une seule connexion en série de l'ensemble des zones électroluminescentes , un ensemble de connexion séries et parallèles, des connexions série propres à chaque rangée.
Dans un mode de réalisation préféré, des plages de jonction électrique sous forme d'une couche électroconductrice en matériau identique au matériau d'électrode supérieure sont en liaison avec des bords périphériques de zones d'électrode inférieure, en recouvrent éventuellement une résine isolante sous jacente.
Le dispositif électroluminescent organique selon l'invention peut être fourni avec ou sans les amenées de courant.
Deux bandes d'amenée de courant, continues ou discontinues, formant une partie d'un collecteur ou d'un distributeur de courant peuvent être respectivement en liaison électrique avec des bords périphériques de zones d'électrode inférieure, de préférence via de plages de jonction, et avec des bords périphériques de zones d'électrode supérieure.
Ces bandes d'amenée de courant peuvent être de préférence d'épaisseur comprise entre 0,5 à 10 μm et larges de 0,5 mm et peuvent être sous diverses formes :
- une monocouche métallique en l'un des métaux suivants : Mo, Al, Cr, Nd ou en alliage de métaux tels que MoCr, AlNd,
- une multicouche métallique à partir des métaux suivants : Mo, Al, Cr, Nd, telle que MoCr/ Al/ MoCr,
- de préférence en émail conducteur par exemple à l'argent et sérigraphié, - de préférence en matière conductrice ou chargée de particules conductrices et déposée par jet d'encre, par exemple encre à l'argent telle que l'encre TEC PA 030™ de InkTec Nano Silver Paste Inks, - en polymère conducteur dopé ou non par des métaux, de l'argent par exemple.
On peut aussi utiliser une couche mince métallique dite « TCC » (pour Transparent conductive coating en anglais) par exemple en Ag, Al, Pd, Cu, Pd, Pt In, Mo, Au et typiquement d'épaisseur entre 5 et 50 nm en fonction de la transmission/ réflexion lumineuse souhaitée.
L'électrode supérieure peut être une couche électroconductrice avantageusement choisie parmi les oxydes métalliques notamment les matériaux suivants : l'oxyde de zinc dopé, notamment à l'aluminium ZnO: Al ou au gallium ZnO:Ga, ou encore l'oxyde d'indium dopé, notamment à l'étain (ITO) ou l'oxyde d'indium dopé au zinc (IZO).
On peut utiliser plus généralement tout type de couche électroconductrice transparente, par exemple une couche dite TCO' (pour Transparent Conductive Oxyde en anglais), par exemple d'épaisseur entre 20 et 1000 nm.
Le dispositif OLED peut produire de la lumière monochromatique, notamment bleu et/ou verte et/ou rouge, ou être adaptée pour produire une lumière blanche.
Pour produire de la lumière blanche plusieurs méthodes sont possibles : mélange de composés (émission rouge vert, bleu) dans une seule couche, empilement sur la face des électrodes de trois structures organiques (émission rouge vert, bleu) ou de deux structures organiques (jaune et bleu), série de trois structures organiques adjacentes organiques (émission rouge vert, bleu), sur la face des électrodes une structure organique dans une couleur et sur l'autre face des couches luminophores adaptés.
Le dispositif OLED peut comprendre une pluralité de systèmes électroluminescents organiques adjacents, chacun émetteur de lumière blanche ou, par série de trois, de lumière rouge, verte et bleu, les systèmes étant par exemple connectés en série. Chaque rangée peut par exemple émettre suivant une couleur donnée.
Le dispositif peut faire partie d'un vitrage multiple, notamment un vitrage sous vide ou avec lame d'air ou autre gaz. Le dispositif peut aussi être monolithique, comprendre un vitrage monolithique pour gagner en compacité et/ ou en légèreté.
Le système OLED peut être collé ou de préférence feuilleté avec un autre substrat plan dit capot, de préférence transparent tel qu'un verre, à l'aide d'un intercalaire de feuilletage, notamment extraclair.
Les vitrages feuilletés sont usuellement constitués de deux substrats rigides entre lesquels est disposée une feuille ou une superposition de feuilles de polymère du type thermoplastique. L'invention inclut aussi les vitrages feuilletés dits « asymétriques » utilisant un substrat notamment porteur rigide du type verre et comme substrat couvrant une ou des feuilles protectrices de polymère.
L'invention inclut aussi les vitrages feuilletés ayant au moins une feuille intercalaire à base d'un polymère adhésif simple ou double face du type élastomère (c'est-à-dire ne nécessitant pas une opération de feuilletage au sens classique du terme, feuilletage imposant un chauffage généralement sous pression pour ramollir et rendre adhérente la feuille intercalaire thermoplastique) .
Dans cette configuration, le moyen pour solidariser capot et substrat porteur peut être alors un intercalaire de feuilletage notamment une feuille de matière thermoplastique par exemple en polyuréthane (PU), en polyvinylbutyral (PVB), en éthylène vinylacétate (EVA), ou être en résine pluri ou monocomposants réticulable thermiquement (époxy, PU) ou aux ultraviolets (époxy, résine acrylique). Elle est de préférence (sensiblement) de même dimension que le capot et le substrat.
L'intercalaire de feuilletage peut permettre d'éviter un fléchissement du capot notamment pour des dispositifs de grande dimension par exemple de surface supérieure à 0,5m2.
L'EVA offre en particulier de multiples avantages :
- il n'est pas ou peu chargé en eau en volume,
- il ne nécessite pas nécessairement une mise sous pression élevée pour sa mise en œuvre.
Un intercalaire de feuilletage thermoplastique peut être préféré à une couverture en résine coulée car elle est à la fois plus facile à mettre en oeuvre, plus économique et est éventuellement plus étanche.
L'intercalaire comporte éventuellement un réseau de fils électroconducteurs incrustés sur sa surface, dite interne, en regard de l'électrode supérieure, et/ ou une couche électroconductrice ou des bandes électroconductrices sur la surface interne du capot.
Le système OLED peut être disposé de préférence à l'intérieur du double vitrage, avec une lame de gaz notamment inerte (argon par exemple).
En outre, il peut être avantageux d'ajouter un revêtement ayant une fonctionnalité donnée sur la face opposée du substrat porteur de l'électrode selon l'invention ou sur un substrat additionnel. Il peut s'agir d'une couche anti-buée (à l'aide d'une couche hydrophile), anti-salissures (revêtement photocatalytique comprenant du TiCb au moins partiellement cristallisé sous forme anatase), ou encore un empilement anti-reflet du type par exemple
Si3N4/Siθ2/Si3N4/SiC>2 ou encore un filtre aux UV comme par exemple une couche d'oxyde de titane (TiCb). Il peut en outre s'agir une ou plusieurs couches luminophores, d'une couche miroir, d'au moins une zone diffusante d'extraction de lumière.
L'invention concerne également les diverses applications que l'on peut trouver à ces dispositifs OLEDS, formant une ou des surface lumineuses transparentes et/ ou réfléchissantes (fonction miroir) disposés aussi bien en extérieur qu'en intérieur.
Le dispositif peut former (choix alternatif ou cumulatif) un système éclairant, décoratif, architectural, (etc.), un panneau d'affichage de signalisation - par exemple du type dessin, logo, signalisation alphanumérique, notamment un panneau d'issue de secours.
Le dispositif OLED peut être arrangé pour produire une lumière uniforme, notamment pour un éclairage homogène, ou pour produire différentes zones lumineuses, de même intensité ou d'intensité distincte.
Inversement, on peut rechercher un éclairage différencié. Le système électroluminescent organique (OLED) produit une zone de lumière directe, et une autre zone lumineuse est obtenue par extraction du rayonnement OLED qui est guidé par réflexions totales dans l'épaisseur du substrat choisi verrier. Pour former cette autre zone lumineuse, la zone d'extraction, peut être adjacente, au système OLED ou de l'autre côté du substrat. La ou les zones d'extraction peuvent servir par exemple pour renforcer l'éclairage fourni par la zone de lumière directe, notamment pour un éclairage de type architectural, ou encore pour signaler le panneau lumineux. La ou les zones d'extraction sont de préférence sous forme de bande(s) de lumière, notamment uniforme(s), et préférentiellement disposée(s) en périphérie d'une des faces. Ces bandes peuvent par exemple former un cadre très lumineux.
L'extraction est obtenue par l'un au moins des moyens suivants disposés dans la zone extraction : une couche diffusante, de préférence à base de particules minérales et de préférence avec un liant minéral, le substrat rendu diffusant, notamment texture ou rugueux.
Les deux faces principales peuvent avoir chacune une zone de lumière directe. Lorsque les électrodes et la structure organique du système OLED sont choisies transparentes, on peut réaliser notamment une fenêtre éclairante. L'amélioration de l'éclairage de la pièce n'est alors pas réalisée au détriment de la transmission lumineuse. En limitant en outre la réflexion lumineuse notamment du côté extérieur de la fenêtre éclairante, cela permet aussi de contrôler le niveau de réflexion par exemple pour respecter les normes anti- éblouissement en vigueur pour les façades de bâtiments.
Plus largement, le dispositif, notamment transparent par partie (s) ou entièrement, peut être
- destiné au bâtiment, tel qu'un vitrage lumineux extérieur, une cloison lumineuse interne ou une (partie de) porte vitrée lumineuse notamment coulissante,
- destiné à un véhicule de transport, tel qu'un toit lumineux, une (partie de) vitre latérale lumineuse, une cloison lumineuse interne d'un véhicule terrestre, aquatique ou aérien (voiture, camion train, avion, bateau etc),
- destiné au mobilier urbain ou professionnel tel qu'un panneau d'abribus, une paroi d'un présentoir, d'un étalage de bijouterie ou d'une vitrine, une paroi d'une serre, une dalle éclairante, - destiné à l'ameublement intérieur, un élément d'étagère ou de meuble, une façade d'un meuble, une dalle éclairante, un plafonnier, une tablette éclairante de réfrigérateur, une paroi d'aquarium, - destiné au rétroéclairage d'un équipement électronique, notamment d'écran de visualisation ou d'affichage, éventuellement double écran, comme un écran de télévision ou d'ordinateur, un écran tactile. On peut par exemple concevoir un rétro éclairage d'un écran double face avec des tailles différentes, l'écran de petite taille étant de préférence associé à une lentille de Fresnel pour concentrer la lumière.
Pour former un miroir éclairant, l'une des électrodes peut être réfléchissante ou un miroir peut être disposé sur la face opposée au système OLED, si l'on souhaite privilégier un éclairage d'un seul côté dans la zone de lumière directe. II peut être aussi un miroir. Le panneau lumineux peut servir à l'éclairage d'une paroi de salle de bains ou d'un plan de travail de cuisine, être un plafonnier.
Les OLED sont généralement dissociés en deux grandes familles suivant le matériau organique utilisé. Si les couches électroluminescentes sont des petites molécules on parle de
SM-OLED (Small Mollecule Organic Light Emitting Diodes en anglais). Le matériau électroluminescent organique de la couche mince est constitué à partir de molécules évaporées comme par exemple le complexe d'AlQ_3 (tris(8- hydroxyquinoline) aluminium), le DPVBi (4,4'-(diphényl vinylène biphényl)), le DMQA (diméthyl quinacridone) ou le DCM (4-(dicyanométhylène)-2-méthyl-6-(4- diméthylaminostyryl)-4//-pyran).La couche émissive peut être aussi par exemple par une couche de 4,4',4!"-tri(N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA) dopé au fac tris(2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)3].
D'une manière générale la structure d'une SM-OLED consiste en un empilement de couche d'injection de trous ou « HIL » pour « HoIe Injection
Layer » en anglais, couche de transport de trous ou « HTL » pour « HoIe Transporting Layer » en anglais, couche émissive, couche de transport d'électron ou « ETL » pour « Electron Transporting Layer » en anglais.
Un exemple de couche d'injection de trous est le phthalocyanine de cuivre (CuPC), la couche de transport de trous peut être pare exemple le N,N'- Bis(naphthalen- l -yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB).
La couche de transport d'électron peut être composée de tris-(8- hydroxyquinoline) aluminum (Alqβ) ou le bathophenanthroline (BPhen). L'électrode supérieure peut être une couche de Mg/ Al ou LiF/ Al. Des exemples d'empilements électroluminescents organiques sont par exemple décrits dans le document US6645645.
Si les couches électroluminescentes organiques sont des polymères, on parle de PLED (Polymer Light Emitting Diodes en anglais).
Le matériau électroluminescent organique de la couche mince est constitué à partir de CES polymères (pLEDs) comme par exemple le PPV pour poly(pαra-phénylène vinylène), le PPP (poly(pαrα-phénylène), le DO-PPP (poly(2- décyloxy- l ,4-phénylène), le MEH-PPV (poly[2-(2'-éthylhexyloxy)-5-méthoxy- l ,4- phénylène vinylène)]), le CN-PPV (poly[2,5-bis(hexyloxy)- l ,4-phénylène-( l - cyanovinylène)]) ou les PDAF (poly (dialkylfluorène) , la couche de polymère est associée également à une couche qui favorise l'injection des trous (HIL) constituée par exemple du PEDT/ PSS (poly (3,4-ethylène-dioxythiophène/ poly (4 -styrène sulfonate)).
Un exemple de PLED consiste en un empilement suivant :
- une couche de poly(2,4-ethilene dioxythiophene) dopé au poly(styren sulphonate) (PEDOT :PSS) de 50nm, - une couche de phenyl poly (p-phenylenevynilene) Ph-PPV de 50nm.
L'électrode supérieure peut être une couche de Ca.
L'invention porte aussi sur le procédé de fabrication de l'électrode inférieure discontinue telle que définie précédemment comportant :
- une étape de gravure sans photolithographie, pour former les zones d'électrode inférieure suivant une ou plusieurs rangées parallèles, - une étape de remplissage de résine isolante (de la matière organique, polymérique étant préférée) par sérigraphie et/ ou par jet d'encre, entre les zones d'électrode et débordant sur les bords des zones d'électrodes,
Ce procédé est rapide, peu coûteux et fiable. L'étape de gravure sans photolithographie, peut comprendre (être constituée de) :
- une gravure laser ou sous-masquage,
- et/ ou une sérigraphie chimique avec une pâte de gravure à l'acide, par exemple avec l'encre HiperEtch™ 04S isishape™ vendue par la société Merck.
La gravure par ablation laser peut s'utiliser de préférence quand la distance minimale est supérieure ou égale à 150 μm. Le sous-masquage par sérigraphie est préféré si les zones à graver sont plus larges que 100 μm. On préfère le sous- masquage par jet d'encre si les zones à graver sont plus étroites que 100 μm. Le procédé peut aussi comprendre une étape de fabrication de bande (s) d'amenée de courant par exemple par sérigraphie et/ ou par jet d'encre comme déjà indiqué.
L'invention porte également sur le procédé du dispositif électroluminescent organique comportant : - une étape de formation de ladite électrode inférieure discontinue, suivant une ou plusieurs rangées parallèles, tel que défini précédemment,
- une étape de formation des zones électroluminescentes par dépôt du ou des matériaux électroluminescent sur un masque sous forme d'un réseau organisé de lignes, par exemple métalliques notamment aluminium ou ferroélectrique (chrome, nickel...), suivant des premières et deuxièmes directions croisées, les lignes suivant la deuxième direction étant plus épaisses.
Ce masque peut être fabriqué par exemple à partir d'une feuille métallique qui est réalisée par exemple par électrogravure. Les lignes épaisses renforcent la rigidité des lignes minces destinés à créer les espaces intra rangées. Cela facilite l'alignement et limite les risques de courts circuits. Avantageusement, pendant l'étape de formation des zones d'électrode supérieure, le procédé peut comprendre la formation des plages de jonction électriques au niveau des zones d'électrode inférieure périphériques de rangée distincte, par dépôt du ou des matériaux d'électrode supérieure. L'invention sera maintenant décrite plus en détails à l'aide d'exemples non limitatifs et de figures :
La figure 1 est une vue schématique en coupe d'un dispositif électroluminescent organique, lequel comprend une électrode inférieure conforme à l'invention, - La figure 2 illustre une vue schématique de dessus du dispositif de la figure 1.
On précise que par souci de clarté les différents éléments des objets (y compris les angles) représentés ne sont pas reproduits à l'échelle.
La figure 1 , volontairement très schématique, représente en coupe un dispositif électroluminescent organique 10 (à émission à travers le substrat ou « bottom émission » en anglais). La figure 2 illustre une vue schématique de dessus du dispositif 10.
Le dispositif électroluminescent organique 10 comprend un substrat plan de verre silico-sodo-calcique 1 clair ou extraclair de 0,7 mm d'épaisseur, doté sur l'une de ses faces principales successivement :
- d'une électrode inférieure multicouches 2a à 2"c, d'épaisseur totale entre 50 et 100 nm, électrode discontinue sous forme de trois rangées parallèles suivant une direction X ayant chacune trois zones d'électrode 2a à 2c, 2'a à 2'c, 2"a à 2"c en un motif géométrique, par exemple des carrés, de 3 cm par 3 cm, la distance d l (suivant X) entre zones d'électrode inférieure adjacentes d'une même rangée étant de l'ordre de 150 μm, la distance d'1 (suivant Y) entre zones d'électrode inférieure adjacentes de rangées distinctes étant par exemple identique à d l , de l'ordre de 150 μm, ces espaces étant obtenus de préférence par gravure laser d'une électrode homogène,
- d'un système électroluminescent organique 4a à 4"c, de 100 nm d'épaisseur, système discontinue sous forme de trois rangées parallèles suivant la direction X ayant chacune trois zones de couches électroluminescentes 4a à 4c, 4 'a à 4'c, 4 "a à 4"c en carrés de 3 cm par 3 cm environ (ou plus suivant Y pour limiter les effets de bords, par exemple 10 à 20 μm de plus), la distance d2 (suivant X) entre zones de couches électroluminescentes adjacentes d'une même rangée étant inférieure à 50 μm, par exemple de l'ordre de 25 μm, pour un facteur de remplissage satisfaisant,
- d'une électrode supérieure réfléchissante 5a à 5c discontinue, de 200 nm d'épaisseur, discontinue sous forme de trois rangées parallèles suivant la direction X ayant chacune trois zones d'électrode supérieure 5a à 5c, 5 'a à 5'c, 5 "a à 5"c, en carrés de 3 cm par 3 cm environ, la distance d3 (suivant X) entre zones d'électrode supérieure adjacentes d'une même rangée étant inférieure à 50 μm, par exemple de l'ordre de 25 μm, pour un facteur de remplissage satisfaisant. Le espaces entre les zones d'électrode inférieure 2a à 2"c et les bords des zones d'électrode inférieure 2a à 2"c sont passives par une résine isolante 3, telle qu'une résine acrylique, polyamide, de quelques microns d'épaisseur, de largeurs Ll suivant X (au sein d'une même rangée) et L'1 suivant Y (entre deux rangées distinctes) respectivement supérieures ou égales à d l et d'1 , par exemple de l'ordre de 250 μm, résine déposée par sérigraphie.
La distance d'2 (suivant Y) entre zones de couches électroluminescentes adjacentes de rangées distinctes est inférieure ou égale à L'1 , par exemple entre 100 μm et 250 μm.
La distance d'3 (suivant Y) entre zones d'électrode supérieure adjacentes de rangées distinctes étant inférieure ou égale à L'1 , par exemple entre 100 μm et 200 μm.
Chaque rangée est connectée en série. Aussi, les carrés électroluminescents 4a à 4c, 4'a à 4'c, 4"a à 4"c sont décalés de 25 à 60 μm suivant X par rapport aux carrés d'électrodes inférieures 2a à 2c, 2 'a à 2'c, 2 "a à 2"c et les carrés d'électrodes supérieures 5a à 5c, 5'a à 5'c, 5"a à 5"c sont décalés de 25 à 60 μm suivant X par rapport aux carrés électroluminescents 4a à 4c, 4'a à 4'c, 4"a à 4"c. Le courant passe ainsi d'une zone d'électrode supérieure à la zone d'électrode inférieure adjacente 5a à 2b, 5b à 2c.
Une manière simple et fiable de réaliser les carrés électroluminescents consiste à disposer sur l'électrode inférieure, notamment en s'aidant de repères sur les 4 coins du verre 1 , un masque métallique sous forme de premières et deuxièmes lignes perpendiculaires. Les premières lignes sont minces, de largeur inférieure à 50 μm (donnant d2), par exemple de l'ordre de 25 μm, et sont positionnées parallèlement à Y à proximité des bords passives.
Les deuxième lignes sont plus épaisses de largeur (donnant d'2) entre 100 μm et 250 μm et sont positionnées parallèlement à X. Ces lignes épaisses renforcent les premières lignes, les tendent, les espaces entre zones électroluminescents de même rangée sont ainsi des lignes nettes et droites.
Une manière simple et faible de réaliser les carrés d'électrodes supérieures consiste à disposer sur les carrés électroluminescents le masque déjà utilisé, décalé suivant X de 25 à 60 μm. Dans cet exemple, le facteur de remplissage est d'environ 0,98. Le rapport entre la brillance (mesurée en Cd/m2) au centre de chaque carré éclairant et sur un bord quelconque de ce carré éclairant est de l'ordre de 0,8. La brillance du dispositif 10 peut être d'au moins 1000 Cd/m2.
Le dispositif est alimenté avec une tension faible, par exemple 24 V ou 12 V (applications automobile, etc) et le courant est de l'ordre de 50 mA et fluctue peu au sein d'une rangée.
Sur un coté du verre 1 , les bords d'électrode inférieure périphériques 2a, 2 'a, 2 "a ne sont pas couverts par les carrés électroluminescents et sont en liaison électrique avec des bandes de jonctions électriques 5a à 5d, par exemple de largeur de l'ordre du cm suivant X et de l'ordre 3 cm suivant Y. Ces bandes de jonctions 5a à 5d peuvent être réalisées en même temps que l'électrode supérieure, notamment en le (s) même (s) matériau (x). Pour des connexions séries et parallèles :
- on forme sur ces bandes de jonctions 5a à 5d, une première bande d'amenée de courant 61 , de préférence d'épaisseur comprise entre 0,5 à 10 μm, par exemple 5 μm, de largeur suivant X de 5 cm et sous forme par exemple d'une couche métallique en l'un des métaux suivants : Mo, Al, Cr, Nd ou en alliage tel que MoCr, AlNd ou en multicouche tel que MoCr /Al/ MoCr,
- de l'autre côté du verre, on forme sur les bords périphériques des zones d'électrode supérieure 5c, 5'c, 5"c, une deuxième bande d'amenée de courant 62 similaire.
Pour ces connexions séries et parallèles, d'1 peut être nul. Pour une connexion série de toutes les rangées, la première bande d'amenée de courant 61 est discontinue entre 2a et 2'a et la deuxième bande d'amenée de courant 62 est discontinue entre 5'c et 5"c. Pour une connexion série propre à chaque rangée, la première bande d'amenée de courant 61 est discontinue entre 2a et 2'a, 2'a et 2 "a et la deuxième bande d'amenée de courant 62 est discontinue entre 5c et 5'c, 5'c et 5"c.
L'électrode inférieure 2 a à 2"c discontinue, choisie transparente, comporte un empilement de couches du type - une couche de contact (d'adhésion) choisie parmi ZnOx dopée ou non,
SnxZnyOz, ITO ou IZO,
- une couche fonctionnelle en argent de préférence pur,
- une couche de protection choisie parmi ZnOx, SnxZnyOz, ITO ou IZO, la couche de contact et la couche de protection contre l'eau et/ ou l'oxygène étant de nature identique,
- une surcouche d'adaptation du travail de sortie, soit de préférence l'empilement ZnO :A1/Ag/Znθ :A1/ITO d'épaisseurs respectives 5 à 20 nm pour le ZnO :A1, 5 à 15 nm pour l'argent, 5 à 20 nm pour le ZnO :A1, 5 à 20 nm pour l'ITO, L'électrode inférieure 2a à 2"c présente les caractéristiques suivantes :
- une résistance carré inférieure ou égale à 5 Ω/carré,
- une transmission lumineuse TL supérieure ou égale à 70% (mesure sur pleine couche, avant la structuration), et une réflexion lumineuse RL inférieure ou égale à 20%, - une rugosité RMS (ou Rq) inférieure ou égale à 3 nm mesurée par interférométrie optique, sur un micromètre carré par microscopie à force atomique. Une couche de fond en nitrure de silicium d'épaisseur entre 10 nm et 80 nm et peut être entre l'électrode inférieure 2a à 2"c et le substrat 1.
Pour l'empilement Si3N420nm/ZnO :A1 20nm/Ag i2 nm/ZnO :Al4onm/ITO 20 nm, on obtient une TL de 75%, une RL= 15%, une résistance carré de 4,5 Ohm/carré, une rugosité RMS de 1,2 nm.
Pour un empilement SiaN420 nm/ SnZnSb :Ox5nm/ ZnO :A1 5nm/Ag i2nm/Ti inm/ ZnO :A1 20nm/ITO 20 nm, on obtient une TL de 85%, une RL=8%, une résistance carré de 3,3 Ohm/carré, une rugosité RMS de 0,7 nm.
Pour un empilement Si3N420 nm/ SnZnSb :Ox5nm/ ZnO :A1 5nm/Ag i2nm/Ti o,5nm/ITO 20 nm, on obtient une TL de 65%, une RL=29%, une résistance carré de 3,3 Ohm/carré, une rugosité RMS de 0,7 nm.
Les couches à base de SnZn: SbOx sont déposées par pulvérisation réactive à l'aide d'une cible de zinc et d'étain dopée à l'antimoine comportant en masse 65 % de Sn, 34 % de Zn et 1 % de Sb, sous une pression de 0,2 Pa et dans une atmosphère argon/ oxygène.
Les couches de Ti sont déposées à l'aide d'une cible titane, sous une pression de 0,8 Pa dans une atmosphère d'argon pur.
L'électrode inférieure 2 a à 2"c peut en variante aussi être une électrode semi-transparente. Pour Si3N4 2onm/ZnO :A1 20nm/Ag 3onm/ZnO :Al40 nm/ITO 20 nm, on obtient une TL de 16%, une RL=81%, une résistance carré de 0,9 Ohm/ carré.
Le système électroluminescent organique 4a à 4"c discontinue est par exemple un SM-OLED de structure suivante
- une couche en alpha-NPD,
- une couche en TCTA + Ir(ppy)3, - une couche en BPhen,
- une couche en LiF.
L'électrode supérieure réfléchissante 5a à 5c discontinue, peut être notamment métallique notamment à base d'argent ou d'aluminium.
L'ensemble des couches 2, 4 et 5 a été déposé par pulvérisation cathodique assistée par champ magnétique, à température ambiante.
Une feuille type EVA peut permettre de feuilleter le verre 1 à un autre verre de préférence de mêmes caractéristiques que le verre 1. Optionnellement, Ia face du verre tournée vers la feuille d'EVA est munie d'un empilement de fonctionnalité donnée.
Il va de soi que l'invention s'applique de la même manière aux utilisant d'autres systèmes électroluminescents organiques que ceux décrits dans l'exemple.

Claims

REVENDICATIONS
1. Substrat, pour dispositif électroluminescent organique, porteur sur une face principale d'une électrode discontinue (2a à 2"c) comportant successivement, à partir du substrat:
- une couche de contact à base d'oxyde métallique,
- une couche fonctionnelle métallique à propriété intrinsèque de conductivité électrique, à base d'argent, d'épaisseur de couche fonctionnelle inférieure à 100 nm,
- une surcouche pour l'adaptation du travail de sortie, l'électrode présentant une résistance carrée inférieure ou égale à 5 Ω/carré, l'électrode étant sous forme d'au moins une rangée de zones d'électrode, avec des zones d'électrode présentant une première dimension (t) d'au moins 3 cm dans la direction (X) de ladite rangée, les zones d'électrode de la rangée étant espacées entre elles par une distance (dl) inférieure ou égale à 0,5 mm, et de la matière isolante (3) remplissant l'espace entres les zones d'électrode et déborde sur les zones d'électrode.
2. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la matière isolante (3), de préférence polymérique, est sérigraphiée, notamment une résine acrylique, polyamide, ou est une encre isolante est déposée par jet d'encre et de préférence la matière isolante couvre les bords des zones d'électrode périphériques.
3. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'électrode discontinue (2a à 2"c) est obtenue sans photolithographie, notamment par gravure laser, par sérigraphie chimique avec une pâte de gravure, ou par sous masquage de préférence avec un masque en matière sérigraphiée ou déposée par jet d'encre.
4. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la résistance par carré est inférieure ou égale à 5 Ω/carré pour une épaisseur de couche fonctionnelle inférieure ou égale à 20 nm et une transmission lumineuse TL supérieure ou égale à 60% et un facteur d'absorption A inférieur à 10%.
5. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche fonctionnelle métallique à base d'argent pur, allié ou dopé avec Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd,
In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co, Sn, notamment un alliage or et argent ou or et cuivre.
6. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la surcouche est à base de l'un au moins des oxydes métalliques suivants, éventuellement dopé : oxyde de chrome, oxyde d'indium, oxyde de zinc éventuellement sous stœchiométrique, oxyde d'aluminium, oxyde de titane, oxyde de molybdène, oxyde de zirconium, oxyde d'antimoine, oxyde d'étain, oxyde de tantale, oxyde de silicium et en ce que la surcouche présente de préférence une épaisseur comprise entre 3 et 50 nm.
7. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la surcouche est en ITO d'épaisseur inférieure ou égale à 30 nm.
8. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche de contact à base d'oxyde métallique dopée ou non, notamment à base dTTO, IZO, SnxZnyOz ou de préférence à base de ZnOx.
9. Substrat pour dispositif électroluminescent organique selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche métallique fonctionnelle (32) est disposée directement sur au moins un revêtement de blocage (31 ) sous-jacent qui est sur la couche de contact et/ ou directement sous au moins un revêtement de blocage (32^ sus-jacent.
10. Substrat selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'au moins un revêtement de blocage comprend une couche métallique, nitrure et/ ou oxyde métallique, à base d'au moins l'un des métaux suivants : Ti, V, Mn, Fe, Co, Cu,
Zn, Zr, Hf, Al, Nb, Ni, Cr, Mo, Ta, W, ou à base d'un alliage d'au moins un desdits matériaux.
1 1. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de lissage non cristallisée en un oxyde mixte, ladite couche de lissage étant disposée immédiatement sous ladite couche de contact et étant en un matériau autre que celui de la couche de contact.
12. Substrat selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la couche de lissage est une couche d'oxyde mixte à base d'oxyde d'un ou de plusieurs des métaux suivants : Sn, Si, Ti, Zr, Hf, Zn, Ga, In et notamment est une couche d'oxyde mixte à base de zinc et d'étain éventuellement dopée ou une couche d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO) ou une couche d'oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO).
13. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte sous la couche de contact une couche de fond notamment susceptible de former une barrière aux alcalins, de préférence choisie à base d'oxyde de silicium, d'oxycarbure de silicium, à base de nitrure de silicium, d'oxynitrure de silicium, d'oxycarbonitrure de silicium, le matériau de ladite couche de fond étant éventuellement dopé et ladite couche de fond présentant de préférence une épaisseur comprise entre 10 et 150 nm.
14. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte sous la couche de contact, une couche d'arrêt de gravure, notamment à base d'oxyde d'étain.
15. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, entre la couche fonctionnelle et la surcouche, il comprend successivement : une couche séparatrice à base d'oxyde métallique comprenant éventuellement ladite couche de protection, ladite couche de lissage, une deuxième couche de contact, une deuxième couche fonctionnelle à base d'argent, et un revêtement éventuel de blocage.
16. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que des plages de jonction électrique (5d à 5"d), sous forme d'une couche électroconductrice en matériau identique au matériau d'électrode supérieure, sont en liaison avec des bords périphériques de zones d'électrode inférieure
(2a, 2'a, 2"a).
17. Substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat est plan, notamment verrier, plastique, de préférence en verre silicosodocalcique (1), notamment clair ou extraclair.
18. Dispositif électroluminescent organique (10) comportant au moins un substrat porteur, notamment verrier, muni : d'une électrode inférieure discontinue (2a à 2"c) selon l'une des revendications précédentes, formant ainsi au moins une rangée de zones d'électrode inférieure, d'au moins une couche électroluminescente (4a à 4"c) discontinue en matériau(x) électroluminescent(s) organique(s) sous forme de zones de couche électroluminescente agencées sur les zones d'électrode, d'une électrode supérieure discontinue à couche électroconductrice sous forme de zones d'électrode (5a à 5"c) agencées sur les zones de couche électroluminescente , et, pour une connexion en série de la rangée, les zones de couche électroluminescente sont décalées des zones d'électrode inférieure dans la direction de la rangée (X) et les zones d'électrode inférieure sont décalées des zones de couche électroluminescente dans la direction de la rangée (X).
19. Dispositif électroluminescent organique (10) selon la revendication 18 caractérisé en ce que le dispositif est organisé en une pluralité de rangées électroluminescentes sensiblement parallèles et espacées entre elles de moins de 0,5 mm, chaque rangée étant susceptible d'être connectée en série.
20. Dispositif électroluminescent organique (10) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la distance entre les zones de couche électroluminescente (d'2) de rangées distinctes est supérieure à la distance (d2) entre les zones d'une même rangée, de préférence entre 100 μm et 250 μm.
21. Dispositif électroluminescent organique (10) selon l'une des revendications 18 à 20 caractérisé en ce que pour chaque zone éclairante associée à une zone d'électrode le rapport entre la brillance (mesurée en Cd/ m2) au centre et sur un bord quelconque de cette zone éclairante est supérieur ou égal à 0,7.
22. Dispositif électroluminescent organique (1O5) selon l'une des revendications 18 à 21 caractérisé en ce que des plages de jonction électrique (5d à 5"d), sous forme d'une couche électroconductrice en matériau identique au matériau d'électrode supérieure, sont en liaison avec des bords périphériques de zones d'électrode inférieure (2a, 2 'a, 2 "a).
23. Dispositif électroluminescent organique (10) selon l'une des revendications 18 à 22 caractérisé en ce que le dispositif est un vitrage simple, un double vitrage, un vitrage multiple, ou un vitrage feuilleté.
24. Dispositif électroluminescent organique (10) selon l'une des revendications 18 à 23 caractérisé en ce qu'il forme une ou des surfaces lumineuses transparentes et/ou réfléchissantes, notamment un système éclairant, décoratif, architectural, un panneau d'affichage de signalisation par exemple du type dessin, logo, signalisation alphanumérique, le système produisant une lumière uniforme ou des zones lumineuses différenciées notamment par extraction de lumière guidée dans le substrat verrier.
25. Dispositif électroluminescent organique (10) selon l'une des revendications 18 à 24 caractérisé en ce qu'il est : destiné au bâtiment, tel qu'un vitrage lumineux extérieur, une cloison lumineuse interne ou une (partie de) porte vitrée lumineuse notamment coulissante, destiné à un véhicule de transport, tel qu'un toit lumineux, une (partie de) vitre latérale lumineuse, une cloison lumineuse interne d'un véhicule terrestre, aquatique ou aérien (voiture, camion, train, avion, bateau etc). destiné au mobilier urbain ou professionnel tel qu'un panneau d'abribus, une paroi d'un présentoir, d'un étalage de bijouterie ou d'une vitrine, une paroi d'une serre, une dalle éclairante, - destiné à l'ameublement intérieur, un élément d'étagère ou de meuble, une façade d'un meuble, une dalle éclairante, un plafonnier, une tablette éclairante de réfrigérateur, une paroi d'aquarium, destiné au rétroéclairage d'un équipement électronique, notamment d'un écran de visualisation ou d'affichage éventuellement double écran, comme un écran de télévision ou d'ordinateur, un écran tactile, un miroir éclairant, notamment pour l'éclairage d'une paroi de salle de bains ou d'un plan de travail de cuisine, ou pour être un plafonnier.
26. Procédé de fabrication de l'électrode discontinue (2a à 2"c) selon l'une des revendications 1 à 17 comportant : une étape de gravure sans photolithographie pour former les zones d'électrode inférieure suivant une ou plusieurs rangées parallèles, - une étape de remplissage de résine isolante (3) par sérigraphie ou jet d'encre entre les zones d'électrode et débordant sur les bords des zones d'électrodes.
27. Procédé de fabrication du de l'électrode discontinue selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'étape de gravure comprend une sérigraphie d'une pâte de gravure à l'acide.
28. Procédé de fabrication de l'électrode discontinue selon l'une des revendications 26 à 27 caractérisé en ce que l'étape de gravure comprend une gravure laser.
29. Procédé de fabrication de l'électrode discontinue selon l'une des revendications 26 à 28 caractérisé en ce qu'il comprend une étape de fabrication de bande(s) d'amenée de courant (61) par sérigraphie.
30. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique (10) caractérisé en ce qu'il comporte : une étape de formation de ladite électrode inférieure discontinue (2 a à 2"c), suivant une ou plusieurs rangées parallèles, selon l'une des revendications 26 à 29, une étape de formation des zones de couche électroluminescente (4a à 4"c) par dépôt du ou des matériaux électroluminescents sur un masque sous forme d'un réseau organisé de lignes suivant des premières et deuxièmes directions croisées (X, Y), les lignes suivant la deuxième direction (Y) étant plus épaisses.
31. Procédé de fabrication du dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comporte une étape de formation des zones d'électrode supérieure par dépôt du ou des matériaux d'électrode supérieure sur ledit masque décalé suivant la première direction (X).
32. Procédé de fabrication du dispositif selon l'une des revendications 30 ou 31 caractérisé en ce qu'il comprend, pendant l'étape de formation des zones d'électrode supérieure (5a à 5"c), la formation des plages de jonction électrique (5d à 5"d) au niveau des zones d'électrode inférieure périphériques (2a, 2 'a, 2 "a) de rangée distincte, par dépôt du ou des matériaux d'électrode supérieure.
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101047925B1 (ko) 2007-04-19 2011-07-08 주식회사 엘지화학 아크릴계 점착제 조성물 및 이를 포함하는 편광판
FR2924274B1 (fr) 2007-11-22 2012-11-30 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication
FR2925981B1 (fr) * 2007-12-27 2010-02-19 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant.
FR2936358B1 (fr) 2008-09-24 2011-01-21 Saint Gobain Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque a ouverture submillimetriques, grille electroconductrice submillimetrique.
FR2936362B1 (fr) 2008-09-25 2010-09-10 Saint Gobain Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une grille surgrille, grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille
WO2010094775A1 (fr) * 2009-02-19 2010-08-26 Agc Glass Europe Susbstrat transparent pour dispositifs photoniques
FR2944145B1 (fr) 2009-04-02 2011-08-26 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee
DE102009019524B4 (de) 2009-04-30 2023-07-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem
WO2011073189A2 (fr) * 2009-12-18 2011-06-23 Novaled Ag Dispositif électroluminescent de grande surface comprenant des diodes électroluminescentes organiques
FR2955575B1 (fr) 2010-01-22 2012-02-24 Saint Gobain Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat.
BE1019243A3 (fr) * 2010-02-19 2012-05-08 Agc Glass Europe Substrat transparent pour dispositifs photoniques.
JP5857961B2 (ja) * 2010-07-26 2016-02-10 旭硝子株式会社 無アルカリカバーガラス組成物及びそれを用いた光取り出し部材
US8388852B2 (en) * 2010-07-30 2013-03-05 Apple Inc. Method for fabricating touch sensor panels
FR2965407A1 (fr) 2010-09-27 2012-03-30 Saint Gobain Procédé de connexion(s) électrique(s) d'un dispositif a diode électroluminescente organique encapsule et un tel dispositif oled
FR2969391B1 (fr) * 2010-12-17 2013-07-05 Saint Gobain Procédé de fabrication d'un dispositif oled
WO2012090798A1 (fr) * 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Unité électroluminescente, dispositif électroluminescent, dispositif d'éclairage, et procédé de fabrication d'unité électroluminescente
WO2012090889A1 (fr) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Unité électroluminescente, dispositif électroluminescent, et dispositif d'éclairage
JP5709540B2 (ja) * 2011-01-14 2015-04-30 三菱重工業株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP5677117B2 (ja) * 2011-02-08 2015-02-25 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置及びその製造方法
WO2012108366A1 (fr) 2011-02-10 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dispositif émetteur de lumière et procédé de fabrication de celui-ci, dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage
JP5488849B2 (ja) 2011-06-24 2014-05-14 三菱マテリアル株式会社 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット
CN102856503A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP5724828B2 (ja) * 2011-10-31 2015-05-27 株式会社デンソー 発光素子
EP2783402A1 (fr) * 2011-11-23 2014-10-01 AGC Glass Europe Substrat à couche fonctionnelle comprenant un composé soufré
TWI461104B (zh) * 2011-12-20 2014-11-11 友達光電股份有限公司 有機電致發光元件
WO2013104514A1 (fr) * 2012-01-11 2013-07-18 Imec Couches de semiconducteur organique à motif
FR2986372B1 (fr) * 2012-01-31 2014-02-28 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage d'un element a puce micro-electronique sur un element filaire, installation permettant de realiser l'assemblage
KR20130108027A (ko) * 2012-03-23 2013-10-02 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판의 제조방법
CN102628945B (zh) * 2012-03-30 2013-10-16 瑞声声学科技(深圳)有限公司 光距传感装置的制作方法
KR101982073B1 (ko) * 2012-10-12 2019-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치
WO2014109265A1 (fr) * 2013-01-11 2014-07-17 コニカミノルタ株式会社 Électrode transparente et dispositif électronique
US20140273525A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Intermolecular, Inc. Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films
EP2985803B1 (fr) * 2013-05-16 2019-03-06 LG Display Co., Ltd. Dispositif électroluminescent organique et son procédé de fabrication
CN104346010B (zh) * 2013-08-08 2017-08-08 群创光电股份有限公司 阵列基板及应用其的显示面板
KR102104371B1 (ko) * 2013-12-03 2020-04-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150071318A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10186559B2 (en) * 2014-03-31 2019-01-22 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence module and information device
TWI612707B (zh) * 2015-07-02 2018-01-21 友達光電股份有限公司 有機發光二極體顯示器
JP2017123235A (ja) * 2016-01-05 2017-07-13 住友化学株式会社 マザー基板及び照明装置の製造方法
CN106356394B (zh) 2016-10-27 2018-09-04 北京小米移动软件有限公司 显示基板及其制作方法和电子设备
FR3066324B1 (fr) * 2017-05-11 2021-09-10 Isorg Dispositif electronique a tenue au vieillissement amelioree
CN113451335B (zh) * 2021-06-30 2022-09-23 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
WO2023132259A1 (fr) * 2022-01-06 2023-07-13 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Procédé de traitement de surface d'oxyde métallique, procédé de fabrication de cellule solaire en pérovskite et dispositif de traitement de surface d'oxyde métallique

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158780A (ja) * 1984-01-27 1985-08-20 Sony Corp 表示装置
DE69230189T2 (de) * 1991-02-14 2000-02-10 Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo Laminierte Glaskonstruktion
US5280373A (en) * 1991-07-24 1994-01-18 Mitsubishi Kasei Corporation Light modulating device including a liquid crystal, a polymer and dichroic dyes having maximum absorption in the different wavelength regions
EP0733931B1 (fr) * 1995-03-22 2003-08-27 Toppan Printing Co., Ltd. Film conductif multicouche, substrat transparent muni d'électrodes et dispositif d'affichage à cristal liquide qui l'utilisent
DE19520843A1 (de) * 1995-06-08 1996-12-12 Leybold Ag Scheibe aus durchscheinendem Werkstoff sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH09283866A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付き基板
JPH10100303A (ja) * 1996-06-07 1998-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付き基板およびそれを用いた表示素子
FR2757151B1 (fr) * 1996-12-12 1999-01-08 Saint Gobain Vitrage Vitrage comprenant un substrat muni d'un empilement de couches minces pour la protection solaire et/ou l'isolation thermique
EP0924966A1 (fr) * 1997-06-30 1999-06-23 Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG Electrode à couche mince pour dispositifs électroluminescentes organiques plains et procédé de fabrication
JP2001035660A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
TWI263336B (en) * 2000-06-12 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Thin film transistors and semiconductor device
US20030186064A1 (en) * 2000-09-29 2003-10-02 Kenji Murata Transparent laminate having low emissivity
JP2002313572A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ表示装置
US20030049464A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-13 Afg Industries, Inc. Double silver low-emissivity and solar control coatings
WO2003036657A1 (fr) * 2001-10-19 2003-05-01 Asahi Glass Company, Limited Substrat a couche d'oxyde conductrice transparente, son procede de production et element de conversion photoelectrique
CN1620841A (zh) * 2001-12-24 2005-05-25 法国圣戈班玻璃厂 具有透明表面电极与电致发光元件的多层元件的生产方法
US6841433B2 (en) * 2001-12-29 2005-01-11 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating polysilicon thin film transistor
US6811815B2 (en) * 2002-06-14 2004-11-02 Avery Dennison Corporation Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
CN102522509B (zh) * 2002-08-02 2016-01-20 出光兴产株式会社 溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机el元件及其所用的衬底
US7049757B2 (en) * 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
US6693296B1 (en) * 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
KR100662297B1 (ko) * 2002-10-18 2007-01-02 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
GB0226401D0 (en) * 2002-11-12 2002-12-18 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent devices and their manufacture
GB0229653D0 (en) * 2002-12-20 2003-01-22 Cambridge Display Tech Ltd Electrical connection of optoelectronic devices
US20040149984A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved emission
KR100527191B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자
JP2005116193A (ja) * 2003-10-02 2005-04-28 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス
US7268485B2 (en) * 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
KR20050039014A (ko) * 2003-10-23 2005-04-29 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2005259820A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法
DE102004025578B4 (de) * 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
TWI237525B (en) * 2004-08-30 2005-08-01 Au Optronics Corp Electro-luminescence display device and method for forming the same
KR100673744B1 (ko) * 2004-10-28 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조 애노드
KR100700642B1 (ko) * 2004-12-13 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
DE202005000979U1 (de) * 2005-01-20 2006-06-01 Schott Ag Elektro-optisches Element mit gesteuerter, insbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung
JP4161374B2 (ja) * 2005-02-25 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US20060209551A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Robert Schwenke Light emissive plastic glazing
EP1717876A1 (fr) * 2005-04-27 2006-11-02 C.S.E.M. Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa Interconnexion dans des diodes électroluminescents polymériques ou détecteurs de lumière polymériques ou cellules solaires
KR101152127B1 (ko) * 2005-05-27 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법
KR101140241B1 (ko) * 2005-06-27 2012-04-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 마크를 포함한 액정표시소자
EP2426552A1 (fr) * 2006-03-03 2012-03-07 Gentex Corporation Éléments électro-optiques incorporant des revêtements améliorés à couche mince
US20080100202A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Cok Ronald S Process for forming oled conductive protective layer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101617418B (zh) 2013-12-25
US20100117523A1 (en) 2010-05-13
WO2008119899A3 (fr) 2009-03-26
FR2913146B1 (fr) 2009-05-01
TW200904246A (en) 2009-01-16
WO2008119899A2 (fr) 2008-10-09
KR20090125095A (ko) 2009-12-03
CN101617418A (zh) 2009-12-30
FR2913146A1 (fr) 2008-08-29
JP2010519699A (ja) 2010-06-03
JP5723529B2 (ja) 2015-05-27

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