EP1460710B1 - Dispositif hyperfréquence destiné à la dissipation ou à l'atténuation de puissance - Google Patents

Dispositif hyperfréquence destiné à la dissipation ou à l'atténuation de puissance Download PDF

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EP1460710B1
EP1460710B1 EP04290686.7A EP04290686A EP1460710B1 EP 1460710 B1 EP1460710 B1 EP 1460710B1 EP 04290686 A EP04290686 A EP 04290686A EP 1460710 B1 EP1460710 B1 EP 1460710B1
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EP
European Patent Office
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resistive layer
region
fact
substrate
ground
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
EP04290686.7A
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German (de)
English (en)
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EP1460710A1 (fr
Inventor
André Fournier
Laurent Boillot
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Radiall SA
Original Assignee
Radiall SA
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Filing date
Publication date
Application filed by Radiall SA filed Critical Radiall SA
Publication of EP1460710A1 publication Critical patent/EP1460710A1/fr
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Publication of EP1460710B1 publication Critical patent/EP1460710B1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/22—Attenuating devices
    • H01P1/227—Strip line attenuators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/24—Terminating devices
    • H01P1/26—Dissipative terminations
    • H01P1/268—Strip line terminations

Definitions

  • the present invention relates to a microwave device for the dissipation or attenuation of power.
  • the present invention relates in particular to a resistive load device of medium to high power, that is to say of the order of a few watts to 200 Watts, in particular for use in base stations of cellular radio or local networks wireless type WLAN.
  • Such a device used in a microwave system, serves in particular to dissipate, in the event of a malfunction, in the form of heat, the non-active energy of the system, in particular the energy transported in a microwave line.
  • Such a microwave line may be constituted by a dielectric substrate, one side carries a conductive strip and the other side a metal ground area, the conductive strip being connected to a resistive layer deposited on the substrate.
  • microstrip This embodiment is generally referred to as "microstrip".
  • the impedance of such a microwave line is generally 50 Ohms.
  • the resistive load device may be housed in a housing connected to the system by a cable, which allows the device to be in contact with a cooling radiator. This device is commonly called remote load.
  • the device can be attached directly to a system equipment, for example on a circuit thereof.
  • the patent EP 0 092 137 discloses a resistive load device having an insulating substrate on which adjacent resistive layers in the form of circular sectors are deposited.
  • the outer arc of a resistive layer constitutes the input of the device and the inner arc the output. This device aims to allow a uniform and greater dissipation of the caloric power.
  • the patent application FR 2,486,720 describes a device for terminating a microwave transmission line, comprising a dielectric substrate with, on one side, a resistive layer constituting a termination charge.
  • the resistive layer may have a trapezoid shape whose large base constitutes the input for the microwave line and whose small base is connected to a mass metallization.
  • a conductive, transverse strip may be deposited on the resistive layer, in contact with the conductive strip and connecting two metallizations for forming with a ground plane two capacitors.
  • the patent US 6,326,862 discloses an electrical termination system having a housing in which is disposed a dielectric substrate carrying a termination circuit element.
  • the housing has a relatively high first cavity, above the junction of the inner conductor of the coaxial cable on the dielectric substrate. This first cavity opens into a second cavity of lower height. This double cavity aims to correct the impedance defects.
  • the patent US 4,267,531 discloses a device comprising a resistive film sandwiched between two dielectrics, on which sheets are arranged.
  • the present invention aims in particular to provide a new microwave device, including a resistive charging device, type "microstrip”, to substantially reduce impedance defects, and this for a wide frequency range.
  • the invention thus relates to a microwave device, in particular a resistive load device or an attenuator, intended for power dissipation or attenuation, as defined in claims 1 or 13.
  • the first region may have a dimension transverse to the axis of the resistive layer, lower than that of the second region.
  • the capacitive fault at the input of the resistive layer is reduced.
  • the or each first region of the resistive layer has a shape converging towards the conductive strip, this first region may for example be substantially trapezoidal, the conductive strip or strips connecting to the resistive layer by the small base of the trapezoid.
  • the entire resistive layer may have a substantially trapezoidal shape, in which case the ground area is connected to this layer by the large base of the trapezium.
  • the second region is substantially rectangular and the mass zone is connected to this region by one side of the rectangle.
  • the resistive layer comprises two first regions each connected to a conductive strip and to a second rectangular central region connected to the ground zone.
  • the invention makes it possible to reduce the impedance defects by covering the resistive layer, at least partially, by a ground plane connected to the mass zone and isolated from the ground. resistive layer by an insulating layer.
  • the invention by combining the aforementioned forms of the resistive layer and the presence of the ground plane above the resistive layer, a reduction of the capacitance and induction defects is obtained, thus a better microwave adaptation, for frequencies up to about 8 GHz.
  • the device according to the invention may have a relatively low cost.
  • the ground plane does not completely cover the input region, being set back from the junction between the or a conductive strip and the resistive layer or layers.
  • the ground plane can completely cover the second region of the resistive layer or layers.
  • the ground plane extends transversely over the entire width of the resistive layer or layers.
  • the above ground plane advantageously comes into electrical contact with the ground zone, at the rear of the resistive layer.
  • the abovementioned ground plane connects to lateral zones of mass extending on slices of the substrate, in particular those which are parallel to the axis of the resistive layer.
  • These lateral zones of mass may consist of metallizations carried out on these slices.
  • the insulating layer may be a layer of glass deposited for example by screen printing on the resistive layer.
  • the mass zone on the substrate may be connected to a mass range on the other side of the substrate, in particular by one or more metallizations on a wafer of the substrate or, alternatively, by metallized bores made in the thickness of the substrate.
  • the device comprises an insert comprising a conductive wall that is applied to the insulating layer and defines the ground plane.
  • the insert comprises at least one lateral conductive arm connected to the ground plane and adapted to be applied on a wafer of the substrate and optionally, if necessary, on one side. aforementioned lateral conductive tracks.
  • the insert may comprise at least one elastically deformable and conductive tab adapted to be applied on a wall of the housing, thereby providing the electrical connection between the ground plane of the device and the wall of the housing .
  • the insert may also be arranged to retain the substrate on the bottom of the housing.
  • a metallurgical bond for example brazing
  • the substrate on the bottom of the housing its maintenance in the housing being of a mechanical nature.
  • the substrate can then be devoid of metallization on its face opposite to that carrying the resistive layer, the ground plane being connected to the body of the housing.
  • the insert may for example comprise at least one fixing portion for fixing it, in particular by brazing on a support.
  • the invention may comprise at least one elastically deformable and conductive tab adapted to be applied on a wall of a housing.
  • the insert may comprise at least one fixing part for fixing it, in particular by brazing, to a support.
  • the first region has a dimension transverse to the longitudinal axis of the resistive layer, lower than that of the second region.
  • the device may comprise two conductive strips and the resistive layer comprise two first trapezoidal regions each connected to a conductive strip and a second central rectangular region connected to the ground area.
  • a device 1 forming a microwave resistive load intended for power dissipation comprising a resistive layer 2 deposited on a face 4 of an insulating substrate 3, the resistive layer 2 being connected, on the one hand, to a conductive strip 5 and, on the other hand, to a mass zone 6 also deposited on the face 4 of the insulating substrate 3.
  • the device 1 is intended to be used in a microwave system.
  • the substrate 3 may be made of ceramic, in particular alumina or aluminum nitride (A1N).
  • the substrate 3 forms with the conductive strip 5 and a mass range 8 located on a face 7 opposite the face 4 a microwave line.
  • the mass range 8 can be brewed on a support, not shown.
  • the ground area 6 can be connected to the ground area 8 by one or more metallizations made on a wafer 3a of the substrate 3 or by metallized bores made in the thickness of the substrate 3.
  • the resistive layer 2 may be deposited on the substrate 3 by screen printing or in a thin layer, for example.
  • the resistive layer 2 comprises an input region 2a having a substantially isosceles trapezoidal shape, the conductive strip 5 being connected to this region 2a by the small base 10 of the trapezium.
  • the region 2a extends, on the opposite side to the small base 10, by a rectangular region 2b whose long side coincides with the large base of the trapezium.
  • the mass zone 6 is connected to the resistive layer 2 along a long side 11 of the rectangle.
  • the resistive layer 2 has a longitudinal axis X which is, in this example, parallel to the conductive strip 5.
  • This particular form of the resistive layer 2 notably makes it possible to reduce the capacitive defects at the input of the resistive layer.
  • FIGS. Figures 2 and 3 To further improve the microwave adaptation of the device 1, it is possible, as illustrated in FIGS. Figures 2 and 3 to extend the mass zone 4 by a ground plane 12 partially covering the resistive layer 2.
  • the resistive layer 2 is entirely covered with an insulating layer 13, which is constituted for example by a layer of glass deposited by screen printing.
  • the ground plane 12 has a rectangular shape of length substantially equal to the width of the substrate.
  • the ground plane 12 covers the ground area 6 and is set back from the small base 10 of the trapezium.
  • the ground plane 12 completely covers the region 2b of the resistive layer 2 and leaves clear the junction portion between the conductive strip 5 and the resistive layer 2.
  • the ground plane 12 is made from a conductive paste deposited on the insulating layer 13.
  • the ground area 6 can be connected to two lateral conductive tracks 14, 15, parallel to the axis X.
  • the ground plane 12 comes to cover these tracks 14, 15, being in contact with them.
  • the slices 3a of the substrate 3 parallel to the X axis may be metallized and be electrically connected to the ground plane 12.
  • the device 1 ' is housed in a housing 20, which may be remote from the microwave system to be brought into contact with a cooling radiator in particular.
  • the device 1 'differs from the device 1 previously described in that the ground plane does not consist of a layer of a conductive material deposited on the substrate, but is defined by a central wall 23 of a metal insert 22 being applied to the substrate 3.
  • the conductive strip 5 is intended to be connected to the central conductor of a coaxial cable 21 mounted at one end on the housing 20.
  • the insert 22 comprises on either side of the central wall 23 two lateral arms 24 intended to be applied on two parallel edges of the substrate 3 and on the conductive tracks 14, 15. These arms 24 each comprise a portion 24a vertical application on a wafer of the substrate 3.
  • the insert 22 has on its upper face an elastically deformable and conductive tab 25 adapted to be applied on a conductive cover 26 of the housing 20. According to the invention, it is possible to provide a plurality of conductive tabs 25.
  • the resistive layer 2 is obtained by depositing a conductive paste on the substrate 3.
  • the insert 22 in the example considered, keeps the substrate 3 on the bottom of the housing 20, the maintenance being of a mechanical nature.
  • the lug or tabs 25 also make it possible to make an electrical contact between the ground zone 6 and the housing 20.
  • the insert 22 ' may be free of an elastically deformable tab 25 and its lateral arms 24' may have extensions 31 allowing brazing the insert 22 on a support 30.
  • This support 30 may be constituted by a circuit or a metal flange fixed on the equipment of the system, for example.
  • the microwave device according to the invention can be further arranged as an attenuator.
  • An embodiment of an attenuator device is illustrated in FIG. figure 6 .
  • the resistive layer 2 ' has a symmetrical configuration comprising two trapezoidal regions 2'a connected by their large bases to the long sides of a rectangular central region 2'b whose short sides are connected to the ground.
  • the trapezoidal regions 2'b are connected by their small bases to conductive strips 5.

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

  • La présente invention a pour objet un dispositif hyperfréquence destiné à la dissipation ou à l'atténuation de puissance.
  • La présente invention concerne notamment un dispositif formant charge résistive de moyenne à forte puissance, c'est-à-dire de l'ordre de quelques Watts à 200 Watts, notamment pour une utilisation dans des stations de base de radiocommunication cellulaire ou de réseaux locaux sans fil de type WLAN.
  • Un tel dispositif, utilisé dans un système hyperfréquence, sert notamment à dissiper, en cas de dysfonctionnement, sous forme de chaleur, l'énergie non active du système, notamment l'énergie transportée dans une ligne hyperfréquence.
  • Une telle ligne hyperfréquence peut être constituée par un substrat diélectrique dont une face porte une bande conductrice et l'autre face une plage métallique de masse, la bande conductrice étant reliée à une couche résistive déposée sur le substrat.
  • Cette réalisation est généralement désignée sous le terme « microstrip ».
  • L'impédance d'une telle ligne hyperfréquence est en général de 50 Ohms.
  • Le dispositif formant charge résistive peut être logé dans un boîtier relié au système par un câble, ce qui permet de disposer le dispositif au contact d'un radiateur de refroidissement. Ce dispositif est communément appelé charge déportée.
  • En variante, le dispositif peut être fixé directement sur un équipement du système, par exemple sur un circuit de celui-ci.
  • Le brevet EP 0 092 137 décrit un dispositif formant charge résistive comportant un substrat isolant sur lequel sont déposées des couches résistives adjacentes en forme de secteurs de cercle. L'arc extérieur d'une couche résistive constitue l'entrée du dispositif et l'arc intérieur la sortie. Ce dispositif vise à permettre une dissipation uniforme et plus importante de la puissance calorique.
  • La demande de brevet FR 2 486 720 décrit un dispositif de terminaison d'une ligne de transmission en hyperfréquence, comportant un substrat diélectrique avec, sur une face, une couche résistive constituant une charge de terminaison. La couche résistive peut présenter une forme de trapèze dont la grande base constitue l'entrée pour la ligne hyperfréquence et dont la petite base se raccorde à une métallisation de masse. Une bande conductrice, transversale peut être déposée sur la couche résistive, en contact avec la bande conductrice et reliant deux métallisations destinées à former avec un plan de masse deux condensateurs.
  • Le brevet US 6 326 862 décrit un système de terminaison électrique comportant un boîtier dans lequel est disposé un substrat diélectrique portant un élément de circuit de terminaison. Le boîtier comporte une première cavité relativement haute, au-dessus de la jonction du conducteur intérieur du câble coaxial sur le substrat diélectrique. Cette première cavité débouche dans une deuxième cavité de moindre hauteur. Cette double cavité vise à corriger les défauts d'impédance.
  • Le brevet US 4 267 531 décrit un dispositif comportant un film résistif pris en sandwich entre deux diélectriques, sur lesquels sont disposées des feuilles.
  • Le brevet US 4 965 538 décrit un atténuateur avec une région résistive de forme rectangulaire sur laquelle se raccord deux électrodes.
  • La présente invention vise notamment à proposer un nouveau dispositif hyperfréquence, notamment un dispositif formant charge résistive, de type « microstrip », permettant de réduire de manière substantielle les défauts d'impédance, et ce, pour une large plage de fréquences.
  • L'invention a ainsi pour objet un dispositif hyperfréquence, notamment un dispositif formant charge résistive ou un atténuateur, destiné à la dissipation ou à l'atténuation de puissance, selon défini dans les revendications 1 ou 13.
  • La première région peut présenter une dimension transversale à l'axe de la couche résistive, inférieure à celle de la seconde région.
  • Grâce à l'invention, du fait que la première région est moins large que la seconde région, le défaut capacitif à l'entrée de la couche résistive est réduit.
  • De préférence, la ou chaque première région de la couche résistive présente une forme convergeant vers la bande conductrice, cette première région pouvant par exemple être sensiblement trapézoïdale, la ou les bandes conductrices se raccordant à la couche résistive par la petite base du trapèze.
  • Pour la réalisation d'une charge résistive, la couche résistive toute entière peut présenter une forme sensiblement trapézoïdale, auquel cas la zone de masse se raccorde à cette couche par la grande base du trapèze.
  • En variante, la seconde région est sensiblement rectangulaire et la zone de masse se raccorde à cette région par un côté du rectangle.
  • Pour la réalisation d'un atténuateur comportant deux bandes conductrices, la couche résistive comporte deux premières régions raccordées chacune à une bande conductrice et à une seconde région rectangulaire, centrale, raccordée à la zone de masse.
  • En variante ou en combinaison avec les formes précitées de la couche résistive, l'invention permet de réduire les défauts d'impédance en recouvrant la couche résistive, au moins partiellement, par un plan de masse relié à la zone de masse et isolé de la couche résistive par une couche isolante.
  • Grâce à l'invention, en combinant les formes précitées de la couche résistive et la présence du plan de masse au dessus de la couche résistive, on obtient une réduction des défauts de capacité et d'induction, donc une meilleure adaptation hyperfréquence, pour des fréquences allant environ jusqu'à 8 GHz.
  • De plus, le dispositif selon l'invention peut présenter un coût de revient relativement faible.
  • De préférence, le plan de masse ne recouvre pas entièrement la région d'entrée, se situant en retrait de la jonction entre la ou une bande conductrice et la ou les couches résistives.
  • Le plan de masse peut venir recouvrir entièrement la seconde région de la ou des couches résistives.
  • Avantageusement le plan de masse s'étend transversalement sur toute la largeur de la ou des couches résistives.
  • Dans le cas où la zone de masse est réalisée directement sur le substrat, en étant adjacente à la seconde région, le plan de masse précité vient avantageusement en contact électrique avec cette zone de masse, à l'arrière de la couche résistive.
  • Avantageusement, le plan de masse précité se raccorde à des zones latérales de masse s'étendant sur des tranches du substrat, notamment celles qui sont parallèles à l'axe de la couche résistive.
  • Ces zones latérales de masse peuvent être constituées par des métallisations réalisées sur ces tranches.
  • La couche isolante peut être une couche de verre déposée par exemple par sérigraphie sur la couche résistive.
  • La zone de masse sur le substrat peut être reliée à une plage de masse sur l'autre face du substrat notamment par une ou plusieurs métallisations sur une tranche du substrat ou, en variante, par des perçages métallisés réalisés dans l'épaisseur du substrat.
  • En variante, le dispositif comporte un insert comprenant une paroi conductrice venant s'appliquer sur la couche isolante et définissant le plan de masse.
  • Dans un exemple de mise en oeuvre de l'invention, l'insert comporte au moins un bras conducteur latéral relié au plan de masse et apte à venir s'appliquer sur une tranche du substrat et éventuellement, le cas échéant, sur l'une des pistes conductrices latérales précitées.
  • Lorsque le dispositif est une charge déportée, l'insert peut comporter au moins une patte élastiquement déformable et conductrice apte à venir s'appliquer sur une paroi du boîtier, assurant ainsi la liaison électrique entre le plan de masse du dispositif et la paroi du boîtier.
  • L'insert peut également être agencé pour retenir le substrat sur le fond du boîtier. Autrement dit, il n'est pas nécessaire de réaliser une liaison métallurgique, par exemple un brasage, du substrat sur le fond du boîtier, son maintien dans le boîtier étant de nature mécanique. Le substrat peut alors être dépourvu de métallisation sur sa face opposée à celle portant la couche résistive, le plan de masse étant relié à la masse du boîtier.
  • Notamment dans le cas où le dispositif est directement fixé sur un équipement du système, l'insert peut par exemple comporter au moins une partie de fixation permettant sa fixation notamment par brasage sur un support.
  • L'invention peut comporter au moins une patte élastiquement déformable et conductrice apte à venir s'appliquer sur une paroi d'un boîtier.
  • L'insert peut comporter au moins une partie de fixation permettant sa fixation, notamment par brasure, sur un support.
  • Avantageusement, la première région présente une dimension transversale à l'axe longitudinal de la couche résistive, inférieure à celle de la seconde région.
  • Le dispositif peut comporter deux bandes conductrices et la couche résistive comporter deux premières régions trapézoïdales raccordées chacune à une bande conductrice et une seconde région rectangulaire centrale raccordée à la zone de masse.
  • L'invention pourra être mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre, d'exemples de mise en oeuvre non limitatifs, et à l'examen du dessin annexé, sur lequel :
    • la figure 1 représente, schématiquement et partiellement, en vue de dessus, un dispositif formant charge résistive,
    • les figures 2 et 3 représentent, schématiquement et partiellement, respectivement en perspective et en vue de dessus, une mise en oeuvre de dispositif formant charge résistive selon l'invention,
    • la figure 4 représente, schématiquement et partiellement, en vue éclatée, un dispositif formant charge résistive conforme à l'invention, logé dans un boîtier,
    • la figure 5 représente, schématiquement et partiellement, en perspective, un dispositif formant charge résistive conforme à une variante de mise en oeuvre de l'invention, et
    • la figure 6 représente, schématiquement et partiellement, en perspective, un mode de réalisation d'atténuateur selon l'invention.
  • On a représenté sur la figure 1 un dispositif 1 formant charge résistive hyperfréquence destiné à la dissipation de puissance, comportant une couche résistive 2 déposée sur une face 4 d'un substrat isolant 3, la couche résistive 2 étant reliée, d'une part, à une bande conductrice 5 et, d'autre part, à une zone de masse 6 également déposée sur la face 4 du substrat isolant 3.
  • Le dispositif 1 est destiné à être utilisé dans un système hyperfréquence.
  • Le substrat 3 peut être réalisé en céramique, notamment en alumine ou en nitrure d'aluminium (A1N).
  • Le substrat 3 forme avec la bande conductrice 5 et une plage de masse 8 située sur une face 7 opposée à la face 4 une ligne hyperfréquence.
  • La plage de masse 8 peut être brassée sur un support, non représenté.
  • La zone de masse 6 peut être reliée à la plage de masse 8 par une ou plusieurs métallisations réalisées sur une tranche 3a du substrat 3 ou par des perçages métallisés réalisés dans l'épaisseur du substrat 3.
  • La couche résistive 2 peut être déposée sur le substrat 3 par sérigraphie ou en couche mince par exemple.
  • Dans l'exemple considéré, la couche résistive 2 comporte une région d'entrée 2a présentant une forme sensiblement trapézoïdale isocèle, la bande conductrice 5 se raccordant à cette région 2a par la petite base 10 du trapèze.
  • La région 2a se prolonge, du côté opposé à la petite base 10, par une région 2b rectangulaire dont le grand côté coïncide avec la grande base du trapèze.
  • La zone de masse 6 se raccorde à la couche résistive 2 le long d'un grand côté 11 du rectangle.
  • La couche résistive 2 présente un axe longitudinal X qui est, dans l'exemple considéré, parallèle à la bande conductrice 5.
  • Cette forme particulière de la couche résistive 2 permet notamment de réduire les défauts capacitifs à l'entrée de la couche résistive.
  • Pour améliorer encore l'adaptation hyperfréquence du dispositif 1, il est possible, comme illustré sur les figures 2 et 3, de prolonger la zone de masse 4 par un plan de masse 12 venant recouvrir partiellement la couche résistive 2.
  • A cet effet, la couche résistive 2 est entièrement recouverte d'une couche isolante 13, laquelle est constituée par exemple par une couche de verre déposée par sérigraphie.
  • Le plan de masse 12 présente une forme rectangulaire de longueur sensiblement égale à la largeur du substrat.
  • Le plan de masse 12 vient recouvrir la zone de masse 6 et se situe en retrait de la petite base 10 du trapèze.
  • Autrement dit, le plan de masse 12 recouvre entièrement la région 2b de la couche résistive 2 et laisse dégagée la partie de jonction entre la bande conductrice 5 et la couche résistive 2.
  • Dans l'exemple considéré, le plan de masse 12 est réalisé à partir d'une pâte conductrice déposée sur la couche isolante 13.
  • Comme on peut le voir sur les figures 2 et 3, la zone de masse 6 peut se raccorder à deux pistes conductrices latérales 14, 15, parallèles à l'axe X.
  • Le plan de masse 12 vient recouvrir ces pistes 14, 15, en étant en contact avec elles.
  • La présence de ces pistes 14, 15 reliées au plan de masse 12 permet d'améliorer encore l'adaptation hyperfréquence.
  • Les tranches 3a du substrat 3 parallèles à l'axe X peuvent être métallisées et être reliées électriquement au plan de masse 12.
  • On a représenté sur la figure 4 un dispositif 1' formant charge résistive déportée conforme à une variante de mise en oeuvre de l'invention.
  • Le dispositif 1' est logé dans un boîtier 20, lequel peut être éloigné du système hyperfréquence pour être mis au contact d'un radiateur de refroidissement notamment.
  • Le dispositif 1' diffère du dispositif 1 précédemment décrit par le fait que le plan de masse n'est pas constitué d'une couche d'un matériau conducteur déposée sur le substrat, mais est défini par une paroi centrale 23 d'un insert métallique 22 venant s'appliquer sur le substrat 3.
  • La bande conductrice 5 est destinée à être reliée au conducteur central d'un câble coaxial 21 monté, à une extrémité, sur le boîtier 20.
  • L'insert 22 comporte de part et d'autre de la paroi centrale 23 deux bras latéraux 24 destinés à venir s'appliquer sur deux bords parallèles du substrat 3 et sur les pistes conductrices 14, 15. Ces bras 24 comportent chacun une portion 24a verticale s'appliquant sur une tranche du substrat 3.
  • L'insert 22 comporte sur sa face supérieure une patte élastiquement déformable et conductrice 25 apte à venir s'appliquer sur un couvercle conducteur 26 du boîtier 20. Selon l'invention, il est possible de prévoir plusieurs pattes conductrices 25.
  • Dans l'exemple considéré, la couche résistive 2 est obtenue par le dépôt d'une pâte conductrice sur le substrat 3.
  • L'insert 22, dans l'exemple considéré, permet de maintenir le substrat 3 sur le fond du boîtier 20, ce maintien étant de nature mécanique.
  • La ou les pattes 25 permettent en outre de réaliser un contact électrique entre la zone de masse 6 et le boîtier 20.
  • Dans le cas où le dispositif formant charge résistive est fixé directement sur un équipement du système, sans être logé dans un boîtier spécifique, l'insert 22' peut être dépourvu de patte élastiquement déformable 25 et ses bras latéraux 24' comporter des extensions 31 permettant de braser l'insert 22 sur un support 30.
  • Ce support 30 peut être constitué par un circuit ou une bride métallique fixée sur l'équipement du système, par exemple.
  • Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de mise en oeuvre qui viennent d'être décrits.
  • On peut encore prévoir, directement sur la face de l'insert venant en regard de la couche résistive 2, une couche isolante qui remplace une couche isolante 13 déposée sur le substrat.
  • Le dispositif hyperfréquence selon l'invention peut encore être agencé en atténuateur. Un mode de réalisation d'un dispositif formant atténuateur est illustré à la figure 6.
  • La couche résistive 2' présente une configuration symétrique comportant deux régions trapézoïdales 2'a raccordées par leurs grandes bases aux grands côtés d'une région centrale rectangulaire 2'b dont les petits côtés sont reliés à la masse. Les régions trapézoïdales 2'b sont raccordées par leurs petites bases à des bandes conductrices 5.
  • Comme pour les modes de réalisation précédents, il est prévu un plan de masse, non représenté, ne recouvrant pas entièrement la couche résistive 2'.

Claims (16)

  1. Dispositif (1 ; 1') hyperfréquence destiné à la dissipation ou à l'atténuation de puissance, notamment un dispositif formant charge résistive ou un atténuateur, comportant :
    - un substrat isolant (3),
    - sur une face (4) du substrat (3), au moins une bande conductrice (5) d'une ligne hyperfréquence,
    - au moins une zone de masse (6),
    - au moins une couche résistive (2 ; 2') déposée sur la face (4) précitée du substrat, la couche résistive (2 ; 2') comportant au moins une première région (2a ; 2'a) à laquelle se raccorde ladite bande conductrice (5) et une seconde région (2b ; 2'b) reliée à la zone de masse (6), la couche résistive (2) présentant un axe longitudinal (X), dispositif dans lequel :
    - la couche résistive (2 ; 2') est recouverte, au moins partiellement, par un plan de masse (12) relié à la zone de masse (6) et isolé de la couche résistive (2 ; 2') par une couche isolante (13),
    - le plan de masse (12) comporte un matériau conducteur déposé par sérigraphie sur la couche isolante (13),
    caractérisé par le fait que le substrat (3) porte, de part et d'autre de la couche résistive (2 ; 2'), deux pistes conductrices latérales (14, 15) reliées à ladite zone de masse (6), le plan de masse (12) venant recouvrir ces pistes (14, 15).
  2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la première région (2a ; 2'a) de la couche résistive (2 ; 2') présente une forme convergeant vers la bande conductrice (5).
  3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que la ou chaque première région (2a ; 2'a) présente une forme sensiblement trapézoïdale, la ou les bandes conductrices (5) se raccordant à la couche résistive par la petite base (10) du trapèze.
  4. Dispositif selon la revendication 3, formant charge résistive, caractérisé par le fait que la couche résistive (2) toute entière présente une forme sensiblement trapézoïdale, la zone de masse (6) se raccordant à cette couche résistive (2) par la grande base du trapèze.
  5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, formant charge résistive, caractérisé par le fait que la seconde région (2b) est sensiblement rectangulaire et la zone de masse (6) se raccorde à cette région par un côté du rectangle.
  6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 formant atténuateur, caractérisé par le fait qu'il comporte deux bandes conductrices (5) et que la couche résistive (2') comporte deux premières régions trapézoïdales (2'a) raccordées chacune à une bande conductrice (5) et une seconde région rectangulaire centrale (2'b) raccordée à la zone de masse (6).
  7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le plan de masse (12) ne recouvre pas entièrement la première région (2a ; 2'a), se situant en retrait de la jonction entre la bande conductrice (5) et la couche résistive (2 ; 2').
  8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le plan de masse (12) vient recouvrir entièrement la seconde région (2b ; 2'b).
  9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le plan de masse (12) s'étend transversalement sur toute la largeur de la couche résistive (2 ; 2').
  10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, la zone de masse (6) étant réalisée sur le substrat, en étant adjacente à la seconde région (2b ; 2'b), caractérisé par le fait que le plan de masse (12) vient en contact électrique avec cette zone de masse, à l'arrière de la couche résistive.
  11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le plan de masse (12) se raccorde à des zones latérales de masse s'étendant sur des tranches du substrat (3).
  12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la première région (2a ; 2'a) présente une dimension transversale à l'axe longitudinal (X) de la couche résistive, inférieure à celle de la seconde région (2b ; 2'b).
  13. Dispositif (1 ; 1') hyperfréquence destiné à la dissipation ou à l'atténuation de puissance, notamment un dispositif formant charge résistive ou un atténuateur, comportant :
    - un substrat isolant (3),
    - sur une face (4) du substrat (3), au moins une bande conductrice (5) d'une ligne hyperfréquence,
    - au moins une zone de masse (6),
    - au moins une couche résistive (2 ; 2') déposée sur la face (4) précitée du substrat, la couche résistive (2 ; 2') comportant au moins une première région (2a ; 2'a) à laquelle se raccorde ladite bande conductrice (5) et une seconde région (2b ; 2'b) reliée à la zone de masse (6), la couche résistive (2) présentant un axe longitudinal (X), dispositif dans lequel :
    - la couche résistive (2 ; 2') est recouverte, au moins partiellement, par un plan de masse (12) relié à la zone de masse (6) et isolé de la couche résistive (2 ; 2') par une couche isolante (13),
    le dispositif étant caractérisé par le fait qu'il comporte un insert (22) comportant une paroi conductrice (23) venant s'appliquer sur la couche isolante (13) et définissant le plan de masse (12), et deux bras latéraux (24) de part et d'autre de la paroi conductrice_(23) et par le fait que l'insert (22) est agencé pour retenir le substrat (3) sur le fond d'un boîtier (20) dans lequel le dispositif est logé,
    et par le fait que le substrat (3) porte, de part et d' autre de la couche résistive (2 ; 2'), deux pistes conductrices latérales (14, 15) reliées à ladite zone de masse (6), le plan de masse (12) venant recouvrir ces pistes (14, 15), les deux bras latéraux de l'insert étant destinés à venir s'appliquer sur les pistes conductrices (14, 15).
  14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé par le fait que l'insert comporte au moins une patte élastiquement déformable et conductrice (25) apte à venir s'appliquer sur une paroi du boîtier (20).
  15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 13 et 14, caractérisé par le fait que l'insert comporte au moins une partie de fixation (31) permettant sa fixation, notamment par brasure, sur un support (30).
  16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, caractérisé par le fait que la première région (2a ; 2'a) présente une dimension transversale à l'axe longitudinal (X) de la couche résistive, inférieure à celle de la seconde région (2b ; 2'b).
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