EP1428254A2 - Ic-chip mit schutzstruktur - Google Patents

Ic-chip mit schutzstruktur

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Publication number
EP1428254A2
EP1428254A2 EP02754526A EP02754526A EP1428254A2 EP 1428254 A2 EP1428254 A2 EP 1428254A2 EP 02754526 A EP02754526 A EP 02754526A EP 02754526 A EP02754526 A EP 02754526A EP 1428254 A2 EP1428254 A2 EP 1428254A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
chip
radiation
data line
data
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02754526A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christian AUMÜLLER
Marcus Janke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of EP1428254A2 publication Critical patent/EP1428254A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
    • H01L23/576—Protection from inspection, reverse engineering or tampering using active circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/073—Special arrangements for circuits, e.g. for protecting identification code in memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
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    • G06K19/073—Special arrangements for circuits, e.g. for protecting identification code in memory
    • G06K19/07309—Means for preventing undesired reading or writing from or onto record carriers
    • G06K19/07372—Means for preventing undesired reading or writing from or onto record carriers by detecting tampering with the circuit
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor chip with a protective structure against a malfunction caused by radiation, which is intended in particular for use in chip cards.
  • semiconductor chips are therefore provided with protective structures that, for. B. can be formed by shields on the top of the chip.
  • Such shields can be formed by protective layers made of a radiation-impermeable and electrically insulating material; instead, it is also possible to provide suitably structured electrical conductors which, in addition to shielding, also enable electronic detection of radiation.
  • Various technical implementations of protective structures are known, which comprise sensors with which an irradiation of a semiconductor chip is detected.
  • Such sensors are arranged in the vicinity of those areas of the integrated circuit which are adversely affected by radiation.
  • the radiation can be focused in such a way or can be directed to certain circuit parts using masks in such a way that malfunctions are caused but none of the sensors provided responds.
  • This problem occurs particularly in the case of semiconductor memory elements, such as, for. B. in EEPROMs.
  • DE 196 01 390 C2 specifies a microchip with a light-sensitive element, which can be an element that changes its electrical properties when light is incident, the changed electrical properties being used to implement a switching function.
  • EP 0 874 401 A2 describes a conductor track which is provided as an optical cover and is arranged in alternating, opposite directions and which covers the top of the IC chip. A connected circuit checks the integrity of this cover on the basis of an electrical voltage applied to the conductor track.
  • Specify protective structure which in particular also protects against concentrated radiation.
  • the IC chip according to the invention specifies possibilities of how the protective structure is distributed over the semiconductor chip in such a way that it is not possible to trigger a malfunction in a region of the integrated circuit by irradiation without the protective structure also being affected by the radiation in a determinable manner becomes.
  • a first of these possibilities which is particularly advantageous in connection with semiconductor memory components, provides that at least one electrical conductor present in the integrated circuit or at least one electrically conductive connection is redundantly provided with a further electrical conductor or with a similar connection which or the respective as endowed is richly formed in the semiconductor material. It is thus achieved that any external electromagnetic or radioactive radiation that strikes an electrical conductor of the integrated circuit also strikes the assigned doped region and generates free charge carriers there, by means of which a current flow is caused during operation of the circuit. This current flow can be detected by a connected circuit.
  • the doped regions below the data line can be aligned. Since the data lines form a dense grid on the top side of the IC chip, any radiation will generate charge carriers at least in a doped region which is parallel to these data lines and which leads to an unusually high current flow in the relevant data line. External radiation at any point on the upper side of the IC chip can be detected in this way.
  • An alternative protection mechanism for an IC chip provided with a memory uses the transmission of additional data, which is carried out anyway, as check digits or code number for the detection of external radiation. For error correction, redundant bits are also transmitted when memory cells are read out. This additional information is used to check whether the data transmitted on the data lines is corrupted.
  • the further data lines for these check digits or code numbers are arranged between the data lines which are provided for the transmission of the actual information.
  • An algorithm in which the further data are selected to be as complementary as possible to the data to be transmitted, is provided for correcting an incorrect learnable data transfer.
  • the check bit "F" of the number 15 is formed in a hexadecimal number system, for example.
  • the part of the circuit in which the correction algorithm is implemented is preferably designed such that a signal is output in the event of a change in function or falsification of the transmitted data caused by irradiation, as is also emitted by a protective circuit provided with a sensor.
  • a protective shield which is present anyway on the chip and is formed from structured electrical conductors in such a way that external electromagnetic or radioactive radiation can be determined.
  • the shield is Usually present in an uppermost metallization level of the chip. If several metallization levels are provided for the electrical wiring, these are separated from one another by intermetallic dielectrics. These are usually oxide layers, e.g. B. silicon dioxide.
  • a passivation or protective layer against external stress can be provided on the upper side of the uppermost metallization level, that is to say the metallization level which is furthest away from the semiconductor material of the chip. Such a passivation is usually also made of electrically insulating material.
  • At least one of the layers above or below the top metallization level or in the spaces between the structured electrical conductors of this metallization level is a special dielectric material that undergoes a change in its relative dielectric number to an extent relevant to the circuitry when exposed to external electromagnetic or radioactive radiation. This can be done in particular by changing the number in the
  • Free charge carriers present in the material are made.
  • the relative dielectric constant changes in such a way that the change can be determined by circuitry, e.g. B. by determining the change in electrical capacitance between the electrical conductors which are embedded in this material or adjoin this material.
  • Another possibility is to provide a material between the electrical conductors, the electrical resistance of which is reduced when exposed to external radiation, so that a certain electrical conductivity between two previously insulated electrical conductors can be determined through this material or even a conductive connection , in extreme cases a short circuit between these conductors.
  • the features of the exemplary embodiments described above can be combined with one another in principle in any selection, which can lead to a considerable improvement in the protective effect.
  • a combination of all of the specified means can be preferred, in particular for protecting memory chips against radiation.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through an IC chip with redundant conductive connections.
  • FIG. 2 shows a schematic plan view of a memory component with distributed test lines.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section through an IC chip with connection structures made of dielectric material of radiation-dependent electrical resistance.
  • FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of an IC chip, the internal structure of which can be arbitrary in principle and is represented here by a semiconductor body or by a substrate 1.
  • Electrical conductors 2 which are indicated here by the cross sections of bit lines or word lines, are located on this substrate.
  • doped regions 3 underneath these conductors 2 there are strip-shaped doped regions 3 arranged in parallel in the semiconductor material. In the doped regions 3, certain electromagnetic or radioactive irradiations generate mobile charge carriers in the material from the outside. If an electrical current flows in the conductors 2, the current intensity is increased by the doped ones in the case of external radiation
  • Areas 3 occurring free charge carriers increased. This increased current strength can be determined and is an indication that the operation of the circuit is changed by external radiation.
  • the doped regions 3 need not be connected to the conductors in the manner shown in FIG. 1. There can be a distance between the conductors 2 and the doped regions 3, which can even be bridged by an electrically insulating material.
  • the doped regions 3 can also be laterally offset from the conductors, so that in the example shown in FIG. 1 the doped regions can also be arranged between the regions of the substrate provided with the conductors 2.
  • the doped regions 3 need not be present over the entire length of the conductor 2. It is sufficient if the doped regions are present in a section or a plurality of such sections possibly exposed to radiation and are arranged such that they are also detected by the radiation.
  • the doped areas are preferably provided with separate electrical connections to the circuit provided, so that on the one hand a low-resistance conductive connection to the conductors 2 can be dispensed with and on the other hand a more efficient detection of a current occurring in the doped areas during electromagnetic or radioactive radiation takes place can.
  • FIG. 2 shows the arrangement of data lines and further data lines of an IC memory chip 10.
  • the number of data lines and the additional data lines is arbitrary; in particular, only one data line and / or only one further data line need be present.
  • the further data lines are arranged in the vicinity of the data lines or are arranged or interlaced with them between the data lines, so that it is not possible, or at most with considerable effort, to separate the data carried on the data lines (here: bit lines) from the data on the others
  • Data lines here: test lines
  • the strips shown in Figure 2 can, for. B. be the bit lines of an EEPROM.
  • the bit lines BL0, BL1, BL2, BL3, BL4, BL5, BL6 and BL7 are used as data lines for transmission. provision of information.
  • the test lines PLO, PL1, PL2 and PL3 are arranged between the bit lines in such a way that it is not possible, or at most only with considerable effort, to change the transmitted data on the bit lines without also changing the further data on the test lines. Any change to the data due to external electromagnetic or radioactive radiation therefore leads to the fact that the actually transmitted (randomly changed) check bits, check digits or code numbers for data correction indicate such a significant change in the (randomly changed) information transmitted on the data lines that an attempt at manipulation by external radiation can be assumed and appropriate countermeasures can be initiated.
  • a further exemplary embodiment is shown in a schematic cross section in FIG. 3, in which the IC chip is provided with a conductor structure with radiation-dependent electrical resistance on the upper side.
  • a semiconductor body or substrate 1 is shown here again, the more precise configuration of which is in principle arbitrary.
  • the conductors 4, 5 can in particular be parts of a structured shield.
  • the associated change in capacitance between the electrical conductors 4, 5 and / or an increase in the electrical conductivity of the can be determined between existing connection 6. If the resistance of the material of the connection 6 has decreased by at least a certain predetermined value, it can be assumed that the integrated circuit is manipulated by external radiation. In this case, appropriate countermeasures can be initiated as required.

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Abstract

Die Schutzstruktur wird so über den Halbleiterchip (1) verteilt, dass es nicht möglich ist, in der Schaltung durch Bestrahlung eine Fehlfunktion auszulösen, ohne dass auch die Schutzstruktur von der Bestrahlung betroffen wird. Dazu werden redundante Leiter (3) vorgesehen, oder es werden Verbindungen mit strahlungsabhängiger Leitfähigkeit oder Dielektrizitätszahl vorgesehen, oder die Prüfleitungen eines Speichers werden zwischen den Bitleitungen angeordnet.

Description

Beschreibung
IC-Chip mit Schutzstruktur
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterchip mit einer Schutzstruktur gegen eine durch Bestrahlung verursachte Fehlfunktion, der insbesondere für einen Einsatz in Chipkarten vorgesehen ist.
Integrierte Schaltungen in Halbleiterchips können durch eine elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung in ihrer Funktion beeinträchtigt werden. Durch die Bestrahlung können in dem Halbleitermaterial freie Ladungsträger erzeugt werden, die beim Anliegen von Potenzialdifferenzen unerwünschte Strö- me erzeugen. Diese Ströme verursachen eine Fehlfunktion oder zumindest eine Funktionsänderung in der integrierten Schaltung. Für sicherheitsrelevante Anwendungen werden Halbleiterchips daher mit Schutzstrukturen versehen, die z. B. durch Abschirmungen auf der Oberseite des Chips gebildet sein kön- nen. Derartige Abschirmungen können durch Schutzschichten aus einem für die Strahlung undurchlässigen und elektrisch isolierenden Material gebildet sein; statt dessen können auch geeignet strukturierte elektrische Leiter vorgesehen sein, die außer einer Abschirmung auch eine elektronische Detektion einer Bestrahlung ermöglichen. Es sind verschiedene technische Realisierungen von Schutzstrukturen bekannt, die Sensoren umfassen, mit denen eine Bestrahlung eines Halbleiterchips detektiert wird. Derartige Sensoren sind in der Nähe derjenigen Bereiche der integrierten Schaltung angeordnet, die durch eine Bestrahlung beeinträchtigt werden. Es hat sich jedoch gezeigt, dass die Bestrahlung so fokussiert werden kann oder unter Verwendung von Masken so auf bestimmte Schaltungsteile gerichtet werden kann, dass zwar Funktionsstörungen hervorgerufen werden, aber keiner der vorgesehenen Senso- ren anspricht. Dieses Problem tritt insbesondere bei Halbleiterspeicherelementen, wie z. B. bei EEPROMs, auf. In der DE 196 01 390 C2 ist ein Mikrochip mit einem lichtempfindlichen Element angegeben, das ein bei Lichteinfall seine elektrischen Eigenschaften veränderndes Element sein kann, wobei die veränderten elektrischen Eigenschaften zur Reali- sierung einer Schaltfunktion verwendet werden.
In der EP 0 874 401 A2 ist eine als optische Abdeckung vorgesehene und in wechselnden, einander entgegengesetzten Richtungen angeordnete Leiterbahn beschrieben, die die Oberseite des IC-Chips überdeckt. Eine angeschlossene Schaltung überprüft anhand einer an die Leiterbahn angelegten elektrischen Spannung die Unversehrtheit dieser Abdeckung.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen IC-Chip mit einer gegen äußere Bestrahlung ausreichend wirkungsvollen
Schutzstruktur anzugeben, die insbesondere auch gegen gebündelte Strahlung schützt.
Diese Aufgabe wird mit dem IC-Chip mit den Merkmalen des An- Spruches 1, des Anspruches 3, des Anspruches 6 oder des Anspruches 9 gelöst . Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Der erfindungsgemäße IC-Chip gibt Möglichkeiten an, wie die Schutzstruktur so über den Halbleiterchip verteilt wird, dass es nicht möglich ist, in einem Bereich der integrierten Schaltung durch Bestrahlung eine Fehlfunktion auszulösen, ohne dass auch die Schutzstruktur von der Bestrahlung in einer feststellbaren Weise betroffen wird.
Eine erste dieser Möglichkeiten, die insbesondere in Verbindung mit Halbleiterspeicherbauelementen vorteilhaft ist, sieht vor, dass mindestens ein in der integrierten Schaltung vorhandener elektrischer Leiter oder mindestens eine elek- trisch leitende Verbindung redundant mit einem weiteren elektrischen Leiter oder mit einer gleichartigen Verbindung versehen ist, der beziehungsweise die jeweils als dotierter Be- reich in dem Halbleitermaterial ausgebildet ist. So wird erreicht, dass jede äußere elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung, die einen elektrischen Leiter der integrierten Schaltung trifft, auch den zugeordneten dotierten Bereich trifft und dort freie Ladungsträger erzeugt, durch die im Betrieb der Schaltung ein Stromfluss hervorgerufen wird. Dieser Stromfluss kann durch eine angeschlossene Schaltung detek- tiert werden.
Diese Möglichkeit ist besonders vorteilhaft in Verbindung mit den Datenleitungen eines Speicherbauelementes . Es können die dotierten Bereiche unterhalb der Datenleitung, insbesondere der Bitleitungen, ausgerichtet sein. Da die Datenleitungen ein dichtes Gitter auf der Oberseite des IC-Chips bilden, wird jegliche Bestrahlung zumindest in einem zu diesen Datenleitungen parallel geführten dotierten Bereiche Ladungsträger erzeugen, die zu einem unüblich hohen Stromfluss in der betreffenden Datenleitung führen. Eine äußere Bestrahlung an einer beliebigen Stelle der Oberseite des IC-Chips kann auf diese Weise detektiert werden.
Ein alternativer Schutzmechanismus für einen mit einem Speicher, insbesondere mit einem EEPROM, versehenen IC-Chip nutzt die ohnehin vorgenommene Übermittlung zusätzlicher Daten als Prüfziffern oder Code-Zahl zur Detektion einer äußeren Bestrahlung. Zur Fehlerkorrektur werden nämlich beim Auslesen von Speicherzellen redundante Bits mit übertragen. Diese zusätzliche Information dient dazu, zu überprüfen, ob die auf den Datenleitungen übertragenen Daten verfälscht sind.
Die weiteren Datenleitungen für diese Prüfziffern oder Code- Zahlen sind zwischen den Datenleitungen angeordnet, die für die Übertragung der eigentlichen Information vorgesehen sind. Ein Algorithmus, bei dem die weiteren Daten möglichst komple- mentär zu den zu übertragenden Daten gewählt werden, wird dafür vorgesehen, anhand der auf den weiteren Datenleitungen übertragenen redundanten Bits ggf. eine Korrektur einer feh- lerhaften Datenübermittlung vorzunehmen. Zu einem abgespeicherten Wert "00" wird beispielsweise in einem hexadezimalen Zahlensystem das Prüfbit "F" der Zahl 15 gebildet. Bei einer derartigen Wahl der zur Korrektur vorgesehenen weiteren Daten wird erreicht, dass eine äußere Bestrahlung des IC-Chips die auf den Datenleitungen geführten Informationen alle in dieselbe Richtung verändert. Es werden z. B. alle Bits auf den logischen Wert "1" verändert, unabhängig davon, ob zunächst eine "0" oder eine "1" übertragen wurde.
Aus der besonderen Wahl der gebildeten Prüfziffern oder Code- Zahlen ergibt sich, dass bei einer Veränderung der Daten durch Bestrahlung die Prüfbits mit Ausnahme einer verschwindend geringen Zahl von Sonderfällen nicht zu der übertragenen Information passen. Der vorgesehene Korrektur-Algorithmus wird daher eine so weitgehende Verfälschung der übertragenen Daten ermitteln, dass von einer Korruption der Daten durch äußere Bestrahlung ausgegangen werden kann und eventuell entsprechende Gegenmaßnahmen eingeleitet werden können. Da die Prüfbits in eindeutig bestimmter Weise aus den zu übertragenden Daten berechnet werden, ist es bei dieser Ausgestaltung des IC-Chips praktisch nicht mehr möglich, das Auslösen einer in der Schaltung vorgesehenen Schutzfunktion dadurch zu verhindern, dass die weiteren Daten in passender Weise zusammen mit den übertragenen Informationen geändert werden. Derjenige Teil der Schaltung, in der der Korrektur-Algorithmus implementiert ist, ist vorzugsweise so ausgestaltet, dass bei einer durch eine Bestrahlung bewirkten Funktionsänderung oder Verfälschung der übertragenen Daten ein Signal ausgegeben wird, wie es auch eine mit einem Sensor versehene Schutzschaltung abgibt .
Ein weiteres Ausführungsbeispiel sieht vor, einen auf dem Chip ohnehin vorhandenen und aus strukturierten elektrischen Leitern gebildeten Schutzschirm (shield) dahingehend zu modifizieren, dass eine äußere elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung festgestellt werden kann. Die Abschirmung ist üblicherweise in einer obersten Metallisierungsebene des Chips vorhanden. Wenn mehrere Metallisierungsebenen für die elektrische Verdrahtung vorgesehen sind, werden diese durch Zwischenmetalldielektrika voneinander getrennt. Das sind üb- licherweise Oxidschichten, z. B. Siliziumdioxid. Es kann auf der Oberseite der obersten Metallisierungsebene, d. h. derjenigen Metallisierungsebene, die von dem Halbleitermaterial des Chips am weitesten entfernt ist, eine Passivierung oder Schutzschicht gegen äußere Beanspruchung vorgesehen sein. Ei- ne derartige Passivierung ist üblicherweise ebenfalls aus elektrisch isolierendem Material.
Zumindest eine der Schichten über oder unter der obersten Metallisierungsebene oder in den Zwischenräumen zwischen den strukturierten elektrischen Leitern dieser Metallisierungsebene ist ein besonderes dielektrisches Material, das bei Einwirkung einer äußeren elektromagnetischen oder radioaktiven Bestrahlung eine Änderung seiner relativen Dielektrizitatszahl in schaltungstechnisch relevantem Umfang erfährt. Das kann insbesondere durch eine Änderung der Anzahl der in dem
Material vorhandenen freien Ladungsträger erfolgen. In jedem Fall ändert sich die relative Dielektrizitatszahl derart, dass die Änderung schaltungstechnisch festgestellt werden kann, z. B. durch Bestimmen der Änderung der elektrischen Ka- pazität zwischen den elektrischen Leitern, die in dieses Material eingebettet sind oder an dieses Material angrenzen.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, zwischen den elektrischen Leitern ein Material vorzusehen, dessen elektrischer Widerstand sich bei einer äußeren Bestrahlung so vermindert, dass eine gewisse elektrische Leitfähigkeit zwischen zwei zuvor voneinander isolierten elektrischen Leitern durch dieses Material hindurch festgestellt werden kann oder sich sogar eine leitende Verbindung, im Extremfall ein Kurzschluss, zwi- sehen diesen Leitern ergibt. Die Merkmale der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele können in einer im Prinzip beliebigen Auswahl miteinander kombiniert werden, was zu einer erheblichen Verbesserung der Schutzwirkung führen kann. Insbesondere zur Absicherung von Speicherchips gegen Bestrahlung kann eine Kombination aller angegebenen Mittel bevorzugt sein.
Es folgt eine genauere Beschreibung von Ausführungsbeispielen der IC-Chips anhand der beigefügten Figuren 1 bis 3. Die Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen IC-Chip mit redundanten leitenden Verbindungen. Die Figur 2 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein Speicherbauelement mit verteilten Prüfleitungen. Die Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen IC-Chip mit Verbindungsstrukturen aus dielektrischem Material strahlungsabhängigen elektrischen Widerstandes .
In der Figur 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines IC- Chips dargestellt, dessen innere Struktur im Prinzip beliebig sein kann und hier durch einen Halbleiterkörper oder durch ein Substrat 1 wiedergegeben ist. Auf diesem Substrat befinden sich elektrische Leiter 2, die hier angedeutet sind durch die Querschnitte von Bitleitungen oder Wortleitungen. Unter diesen Leitern 2 befinden sich dazu parallel angeordnete, streifenformige dotierte Bereiche 3 in dem Halbleitermaterial . In den dotierten Bereichen 3 werden durch bestimmte elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlungen von außen in dem Material bewegliche Ladungsträger erzeugt. Wenn in den Leitern 2 ein elektrischer Strom fließt, wird bei einer äuße- ren Bestrahlung die Stromstärke durch die in den dotierten
Bereichen 3 auftretenden freien Ladungsträger erhöht. Diese erhöhte Stromstärke kann festgestellt werden und ist ein Indiz dafür, dass durch eine äußere Bestrahlung die Funktionsweise der Schaltung verändert wird.
Die dotierten Bereiche 3 brauchen nicht in der in der Figur 1 dargestellten Weise mit den Leitern in Verbindung zu stehen. Zwischen den Leitern 2 und den dotierten Bereichen 3 kann ein Abstand vorhanden sein, der sogar durch ein elektrisch isolierendes Material überbrückt werden kann. Die dotierten Bereiche 3 können auch seitlich gegen die Leiter versetzt sein, so dass in dem in der Figur 1 dargestellten Beispiel die dotierten Bereiche auch zwischen den mit den Leitern 2 versehenen Bereichen des Substrates angeordnet sein können. Die dotierten Bereiche 3 brauchen nicht über die gesamte Länge der Leiter 2 vorhanden zu sein. Es genügt, wenn die dotierten Be- reiche in einem möglicherweise einer Bestrahlung ausgesetzten Abschnitt oder mehreren solchen Abschnitten vorhanden und so angeordnet sind, dass die ebenfalls von der Bestrahlung er- fasst werden. Vorzugsweise werden die dotierten Bereiche mit separaten elektrischen Anschlüssen an die vorgesehene Schal - tung versehen, damit einerseits auf eine niederohmige leitende Verbindung mit den Leitern 2 verzichtet werden kann und andererseits eine effizientere Detektion eines bei einer elektromagnetischen oder radioaktiven Bestrahlung in den dotierten Bereichen auftretenden Stromes erfolgen kann.
In der Figur 2 ist die Anordnung von Datenleitungen und weiteren Datenleitungen eines IC-Speicherchips 10 dargestellt. Die Anzahl der Datenleitungen und der weiteren Datenleitungen ist beliebig; es braucht insbesondere nur eine Datenleitung und/oder nur eine weitere Datenleitung vorhanden zu sein. Die weiteren Datenleitungen sind in der Nähe der Datenleitungen angeordnet beziehungsweise zwischen den Datenleitungen angeordnet oder damit verschränkt, so dass es nicht oder allenfalls mit erheblichem Aufwand möglich ist, die auf den Daten- leitungen (hier: Bitleitungen) geführten Daten getrennt von den auf den weiteren Datenleitungen (hier: Prüfleitungen) geführten Daten zu verändern und getrennt davon .die auf den weiteren Datenleitungen geführten Prüfbits ebenfalls zu verändern, so dass sie zu den geänderten Daten passen. Die in der Figur 2 eingezeichneten Streifen können z. B. die Bitleitungen eines EEPROMs sein. Die Bitleitungen BL0 , BL1, BL2 , BL3, BL4, BL5, BL6 und BL7 sind als Datenleitungen zur Über- tragung von Informationen vorgesehen. Die Prüfleitungen PLO, PL1, PL2 und PL3 sind so zwischen den Bitleitungen angeordnet, dass es nicht oder allenfalls mit erheblichem Aufwand möglich ist, die übertragenen Daten auf den Bitleitungen zu verändern, ohne auch die weiteren Daten auf den Prüfleitungen zu verändern. Jede Änderung der Daten durch äußere elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung führt daher dazu, dass die tatsächlich übertragenen (zufällig geänderten) Prüfbits, Prüfziffern oder Code-Zahlen zur Datenkorrektur auf eine so erhebliche Veränderung der auf den Datenleitungen übertragenen (zufällig geänderten) Informationen rückschließen lassen, dass von einem Versuch der Manipulation durch äußere Bestrahlung ausgegangen werden kann und eventuell entsprechende Gegenmaßnahmen eingeleitet werden können.
In der Figur 3 ist in einem schematisierten Querschnitt ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt, bei dem der IC-Chip mit einer Leiterstruktur mit strahlungsabhängigem elektrischem Widerstand auf der Oberseite versehen ist. Es ist hier wieder ein Halbleiterkörper oder Substrat 1 gezeigt, dessen genauere Ausgestaltung im Prinzip beliebig ist. Auf der Oberseite des Substrates, insbesondere auf der Oberseite der über dem eigentlichen Halbleiterkörper angeordneten Metallisierungsebenen und Intermetalldielektrika zur elektrischen Ver- drahtung, sind hier Leiter 4, 5 vorhanden, zwischen denen ein dielektrisches Material als Verbindung 6 angeordnet ist. Dieses Material wird bei einer bevorzugten Ausgestaltung so gewählt, dass sich dessen relative Dielektrizit tszahl bei einer äußeren elektromagnetischen oder radioaktiven Bestrahlung ändert oder sich dessen elektrischer Widerstand bei einer derartigen Bestrahlung vermindert. Die Leiter 4, 5 können insbesondere Anteile einer strukturierten Abschirmung (shield) sein.
Bei einer äußeren Bestrahlung kann die damit einhergehende Kapazitätsänderung zwischen den elektrischen Leitern 4, 5 und/oder eine Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der da- zwischen vorhandenen Verbindung 6 festgestellt werden. Wenn sich der Widerstand des Materials der Verbindung 6 mindestens um einen bestimmten vorgegebenen Wert verringert hat, kann davon ausgegangen werden, dass die integrierte Schaltung durch äußere Bestrahlung manipuliert wird. Es können in diesem Fall nach Bedarf entsprechende Gegenmaßnahmen eingeleitet werden.
Bezugszeichenliste
1 Substrat
2 Leiter 3 dotierter Bereich
4 Leiter
5 Leiter
6 Verbindung
10 IC-Speicherchip BLO Bitleitung
BL1 Bitleitung
BL2 Bitleitung
BL3 Bitleitung
BL4 Bitleitung BL5 Bitleitung
BL6 Bitleitung
BL7 Bitleitung
PLO Prüfleitung
PL1 Prüfleitung PL2 Prüfleitung
PL3 Prüfleitung

Claims

Patentansprüche
1. IC-Chip mit Schutzstruktur gegen eine durch Bestrahlung verursache Fehlfunktion, bei dem eine integrierte Schaltung vorhanden ist, die über mindestens einen elektrischen Leiter (2) verfügt, mindestens ein Bereich vorhanden ist, in dem durch eine äußere elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung eine Funktionsänderung hervorgerufen werden kann, und eine Schutzstruktur zur Detektion dieser Funktions nderung vorhanden ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s der elektrische Leiter (2) durch einen weiteren elektrischen Leiter ergänzt ist, der als Bereich (3) ausgebildet ist, in dem durch äußere elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung freie Ladungsträger erzeugt werden, durch die im Betrieb der Schaltung ein Stromfluss hervorgerufen wird, und die Schutzstruktur das Auftreten dieses Stromflusses detek- tiert .
2. IC-Chip nach Anspruch 1, bei dem die integrierte Schaltung Teil eines Speichers ist, eine Mehrzahl elektrisch leitender Verbindungen (2) vorhanden ist, die als Datenleitungen vorgesehen sind und Leiterbahnen umfassen, und eine jeweilige gleichartige Verbindung ein in Halbleitermaterial ausgebildeter dotierter Bereich ist, der parallel zu einer jeweiligen Leiterbahn angeordnet ist.
3. IC-Chip mit einem Speicher, mit mindestens einer Datenleitung (BLO, BL1 , BL2 , BL3 , BL4 ,
BL5, BL6, BL7) und mit mindestens einer weiteren Datenleitung (PL0, PL1 , PL2 , PL3) , die dafür vorgesehen ist, weitere Daten zu übertragen, mit denen überprüft wird, ob die auf der mindestens einen Datenleitung übertragenen Daten verfälscht sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die mindestens eine weitere Datenleitung in oder auf dem Chip in der Nähe der mindestens einen Datenleitung angeordnet ist beziehungsweise weitere Datenleitungen zwischen den Datenlei- tungen angeordnet oder damit verschränkt sind, so dass eine äußere elektromagnetische oder radioaktive Bestrahlung der Datenleitung zum Zweck einer Änderung der übertragenen. Daten auch die mindestens eine weitere Datenleitung in einem zu einer Änderung der übertragenen weiteren Daten ausreichenden Umfang trifft.
4. IC-Chip nach Anspruch 3, bei dem die mindestens eine weitere Datenleitung zur Übertragung einer Prüfziffer, einer Prüfzahl oder Code-Zahl vorgesehen ist, die sich in eindeutig bestimmter Weise aus den übertragenen Daten ergibt .
5. IC-Chip nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der Speicher ein EEPROM ist.
6. IC-Chip mit Halbleitermaterial und mit einer oder mehreren durch ein Dielektrikum voneinander getrennten und/oder abgedeckten Metallisierungsebenen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s als Dielektrikum zumindest über oder unter einer bestimmten Metallisierungsebene oder innerhalb einer durch diese Metallisierungsebene gebildeten Schichtlage ein Material gewählt ist, dessen relative Dielektrizitatszahl sich unter dem Ein- fluss einer äußeren elektromagnetischen oder radioaktiven Bestrahlung in schaltungstechnisch relevantem Umfang ändert .
7. IC-Chip nach Anspruch 6, bei dem zwei Metallisierungsebenen vorhanden sind, zwischen denen das besagte Dielektrikum vorhanden ist, und eine integrierte Schaltung dafür vorgesehen ist, eine Änderung der elektrischen Kapazität zwischen diesen Metallisierungsebenen festzustellen.
8. IC-Chip nach Anspruch 6, bei dem eine Metallisierungsebene in Anteile strukturiert ist, die gegeneinander durch besagtes Dielektrikum elektrisch isoliert sind, und eine integrierte Schaltung dafür vorgesehen ist, eine Ände- rung der elektrischen Kapazität zwischen diesen Anteilen festzustellen.
9. IC-Chip mit einer Struktur elektrischer Leiter (4, 5), zwischen denen eine Verbindung (6) aus einem Material, dessen elektrischer
Widerstand unter Einwirkung einer äußeren elektromagnetischen oder radioaktiven Bestrahlung abnimmt, so angeordnet ist, dass im Fall einer solchen Bestrahlung die Abnahme des elektrischen Widerstandes der Verbindung durch eine dafür vorge- sehene Schaltung festgestellt wird.
10. IC-Chip nach Anspruch 1 oder 2 und/oder nach einem der Ansprüche 3 bis 5 und/oder nach einem der Ansprüche 6 bis 8 und/oder nach Anspruch 9, der zum Einsatz in einer Chipkarte oder zur Ausbildung eines Chipmoduls vorgesehen ist.
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