EP1301937B1 - Dalle en verre munie d'electrodes en un materiau conducteur - Google Patents

Dalle en verre munie d'electrodes en un materiau conducteur Download PDF

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EP1301937B1
EP1301937B1 EP01945408A EP01945408A EP1301937B1 EP 1301937 B1 EP1301937 B1 EP 1301937B1 EP 01945408 A EP01945408 A EP 01945408A EP 01945408 A EP01945408 A EP 01945408A EP 1301937 B1 EP1301937 B1 EP 1301937B1
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EP
European Patent Office
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alloy
electrodes
plate according
dielectric layer
dopant
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
EP01945408A
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German (de)
English (en)
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EP1301937A1 (fr
Inventor
Agide Moi
Luc Berthier
Jean-Pierre Creusot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thomson Plasma SAS
Original Assignee
Thomson Plasma SAS
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Filing date
Publication date
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Publication of EP1301937B1 publication Critical patent/EP1301937B1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/22—Electrodes
    • H01J2211/225—Material of electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a slab comprising a glass substrate on which at least one electrode is made of a conductive material. It relates more particularly to the material for producing the electrodes, especially when the slab is used in the manufacture of display panels such as plasma panels.
  • the present invention will be described with reference to the manufacture of plasma panels.
  • the present invention is not limited to the plasma panel manufacturing method, but may be used in all types of processes requiring materials of the same type under similar conditions.
  • PDP Plasma panels generally called PDP for "Plasma Display Panel” in English are flat screen type of display screens.
  • PDPs There are several types of PDPs that all operate on the same principle of an electric discharge in a gas, accompanied by a light emission.
  • the PDPs consist of two insulating glass slabs, typically glass soda-lime type, each supporting at least one network of conductive electrodes and delimiting between them a gas space.
  • the slabs are joined to each other so that the electrode arrays are orthogonal, each electrode intersection defining an elementary luminous cell to which a gaseous space corresponds.
  • the electrodes of a plasma panel must have a number of features. Thus, they must have a low electrical resistivity. Indeed, the electrodes feeding several thousand cells, it circulates a high current inside the electrode which can go up to 500 mA at 1 A instantaneous. On the other hand, plasma panels having a large size up to 60 "diagonal, the length of the electrodes is large. cause a significant loss of light output due to the voltage drop associated with the current flow in the electrodes.
  • the electrode array is covered with a thick layer of a dielectric material, usually a borosilicate glass.
  • a dielectric material usually a borosilicate glass.
  • the electrodes must have a high resistance to corrosion, in particular during the baking of the dielectric layer; indeed, during this phase of the process, the reactions between the dielectric layer and the electrode, or even between the glass of the slab and the electrode, cause an increase in the electrical resistance of the electrode and the products of this reaction lead to degradation of the optical transmission, the dielectric constant and the breakdown voltage of the dielectric layer.
  • a first technique consists in depositing a paste or ink based on silver, gold or a similar material.
  • This conductive paste is deposited in a thickness generally greater than or equal to 5 microns, by means of screen printing, vaporization, various coating.
  • the electrodes are obtained directly during the deposition or by a photogravure process.
  • this technique requires a specific annealing at a temperature above 500 ° C to obtain the conduction and the use of several specific dielectric layers to minimize the diffusion of the electrode materials in the dielectric, this diffusion is likely to degrade the electrical and optical characteristics of the panel.
  • the second technique consists of thin-layer metal deposition.
  • the thickness of the layers is from a few hundred angstrom to a few microns.
  • the electrodes are obtained generally by photolithography or "lift-off" of a thin layer of copper or aluminum deposited by evaporation under vacuum or by sputtering.
  • the document EP1220267 published after the filing of the present application, describes the use of aluminum alloys, such as Al-Mn alloy, for this type of electrodes.
  • the document JP56-121254 describes the use of aluminum and copper. This thin film technology does not require annealing to obtain the conduction of the electrodes.
  • electrode resistances R ⁇ 5 to 12 m ⁇ ⁇ according to the materials used for electrodes having a thickness of 2 to 5 ⁇ m.
  • the materials used in this case although having high conductivity, react with the glass substrate and the dielectric layer when it is fired, which leads to an increase in the resistance of the electrodes and to an impairment of the performance of the layer dielectric due to diffusion in the dielectric of the reaction products between the material of the electrode and the dielectric layer. Formation of bubble strings is observed which degrades the transparency of the dielectric layer, its dielectric constant and its breakdown voltage.
  • multilayer deposits consisting of, for example, stacks of Al-Cr, Cr-Al-Cr, Cr-Cu-Cr layers have been proposed.
  • the present invention therefore aims to overcome the aforementioned drawbacks of the thin film deposition technique by providing a new material for producing an array of electrodes on a glass substrate.
  • the subject of the present invention is a slab comprising a glass substrate on which at least one electrode made of a conducting material is formed, characterized in that, at least at the interface between said electrodes and the glass and / or at least at the interface between said electrodes and the dielectric layer, the conductive material of the electrodes is constituted by a metal alloy based on aluminum and / or zinc having a melting point greater than 700 ° C.
  • the metal alloy based on aluminum and / or zinc comprises at least 0.01% by weight of at least one dopant whose nature and proportions in the alloy are adapted to obtain a point melting said higher alloy at 700 ° C; preferably, the nature of the dopant is adapted so that the corresponding alloy does not comprise a eutectic point; preferably, this dopant is selected from the group consisting of titanium, zirconium, vanadium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron (zinc alloy) and antimony.
  • the dopant is preferably chosen to obtain an alloy having an electrical resistivity as close as possible to that of the pure conductive material.
  • a substrate 10 which may be constituted for example by a glass called FLOAT GLASS.
  • the glass substrate may be optionally annealed or shaped.
  • Other types of flat glass may be used, in particular glasses of the borosilicate or alumino-silicate type.
  • a thin layer 20 of a conductive material is deposited on the substrate 10.
  • This layer 20 typically has a thickness of between 0.01 ⁇ m and 10 ⁇ m.
  • this layer is constituted by a metal alloy based on aluminum or zinc, which has a melting point greater than that of aluminum or pure zinc, in this case greater than 700 ° C. .
  • This metal alloy comprises between 0.01% and 49% by weight of at least one dopant; the nature and proportions of the dopants are adapted in a manner known per se to obtain a melting point of the alloy greater than 700 ° C .; preferably, these dopants are chosen so as to form alloys without eutectic point; preferably, these dopants are chosen so as to have expansion coefficients that are much smaller than those of the conductive material in order to reduce the coefficient of expansion of the alloy and to bring it closer to that of the substrate and also of the dielectric, as explained hereafter ; preferably, this dopant is chosen from the group comprising manganese, vanadium, titanium, zirconium, chromium, molybdenum, tungsten, iron (zinc-based alloy) and antimony; preferably, the proportions of dopant are of the order of 2% by weight in the alloy.
  • a conventional method of the prior art is used; a vacuum deposition method such as vacuum sputtering is preferably used, vacuum evaporation, vacuum CVD deposition for "Chemical Vapor Deposition" in English.
  • a variant of the present invention it is possible to perform vacuum deposition in the form of a multilayer, for example using several targets in the case of vacuum spraying.
  • a first layer of alloy will be deposited for the part in contact with the substrate and then a conductive layer of the base metal without doping aluminum or zinc, then again an alloy layer intended for be in contact with the dielectric layer, which may be of different composition than the first alloy layer.
  • FIG. 1b and 1c schematically shows the realization of the electrode array following the deposition of a metal layer 20, which in this case is an aluminum-based alloy having a melting point greater than 700 ° C.
  • the electrode patterns 21 are made using known methods of "lift off” or photoengraving type. As shown on the figure 1b the layer 20 is covered with a resin 30 and is etched. The pattern of the electrodes 21 is determined using a UV-illuminated mask, depending on the type of resin used, namely a positive or negative resin. Then, the electrodes themselves are etched with a single etching bath having a composition identical or similar to that used for pure aluminum.
  • the method of manufacturing the electrode array which has just been described makes it possible to obtain, for the different layers of the electrode, identical widths; a geometry of electrodes comparable to that obtained by producing pure aluminum electrodes is then obtained; much more regular flanks are obtained more precisely than in the case of multilayers such as the Al-Cr or Cr-Al-Cu or Cr-Cu multilayers known and previously mentioned; we only use a single etching bath, which is more economical.
  • the electrodes 21 are then covered by a thick layer 22 of a dielectric material in using a conventional method such as screen printing, roller coating or spraying a suspension or a dry powder.
  • the dielectric layer consists of a glass or enamel based on lead oxide, silica and boron, based on bismuth oxide, silica and lead-free boron, based on oxide of bismuth, lead, silica and boron as a mixture.
  • an aluminum-based metal alloy having a melting point greater than 700 ° C. and comprising, as dopant, an element chosen from titanium, zirconium, vanadium, chromium, molybdenum, Tungsten, manganese and antimony have a number of advantages. Titanium, zirconium, vanadium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese and antimony are alloys without eutectic point.
  • An aluminum alloy comprising 2% by weight of vanadium or titanium has a melting point of about 900 ° C., compared with 660 ° C. for pure aluminum.
  • the melting point of an aluminum alloy with 2% manganese is 700 C and it has a resistivity of about 4 ⁇ Cm against 2.67 ⁇ Cm for pure aluminum.
  • the above materials have expansion coefficients much lower than that of aluminum, which allows to reduce the coefficient of expansion of the alloy and bring it closer to that of the substrate and the dielectric layer. Thus, it reduces the risk of occurrence of cracks in the dielectric layer as well as in the magnesia layer during the various stages of cooking.
  • electrodes of aluminum alloy containing 2% titanium have a R ⁇ of 25 m ⁇ ⁇ after firing the dielectric layer at 585 ° C for 1 hour, a value close to that obtained before firing.
  • the electrode / glass interface has a uniform metallic appearance and the electrode / dielectric layer interface does not present a rosary of bubbles.
  • electrodes with a thickness of 3 ⁇ m in pure aluminum have an R ⁇ which goes from 10m ⁇ ⁇ before firing of the dielectric layer to 25 ⁇ ⁇ after firing of the dielectric layer at a temperature above 550 ° C for 1 hour.
  • the appearance of the metal / glass interface is greyish and nonuniform and many strings of bubbles are present at the electrode / dielectric layer interface.

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Abstract

La présente invention concerne une dalle, plus particulièrement pour panneaux à plasma, comportant un substrat (10) sur lequel est réalisée au moins une électrode (21) en un matériau conducteur constitué par un alliage métallique à base d'aluminium et/ou de zinc présentant un point de fusion supérieur à 700°C ; l'électrode (21) est destinée à être recouverte d'une couche diélectrique (22). On limite ainsi les effets néfastes provenant des réactions du matériau de l'électrode avec ceux de la couche diélectrique (22), notamment au cours de la cuisson de cette couche.

Description

  • La présente invention concerne une dalle comportant un substrat en verre sur lequel est réalisée au moins une électrode en un matériau conducteur. Elle concerne plus particulièrement le matériau de réalisation des électrodes, notamment lorsque la dalle est utilisée dans la fabrication de panneaux de visualisation tels que des panneaux à plasma.
  • Afin de simplifier la description et de mieux comprendre le problème posé, la présente invention sera décrite en se référant à la fabrication de panneaux à plasma. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que la présente invention ne se limite pas au procédé de fabrication de panneaux à plasma, mais peut être utilisée dans tous types de procédés nécessitant des matériaux de même type dans des conditions analogues.
  • Comme connu par l'état de la technique, les panneaux à plasma généralement appelés PDP pour « Plasma Display Panel » en langue anglaise sont des écrans de visualisation du type écran plat. Il existe plusieurs types de PDP qui fonctionnent tous sur le même principe d'une décharge électrique dans un gaz, accompagnée d'une émission de lumière. Généralement, les PDP sont constitués de deux dalles isolantes en verre, classiquement en verre de type sodocalcique, supportant chacune au moins un réseau d'électrodes conductrices et délimitant entre elles un espace gazeux. Les dalles sont assemblées l'une à l'autre de manière à ce que les réseaux d'électrodes soient orthogonaux, chaque intersection d'électrodes définissant une cellule lumineuse élémentaire à laquelle correspond un espace gazeux.
  • Les électrodes d'un panneau à plasma doivent présenter un certain nombre de caractéristiques. Ainsi, elles doivent avoir une résistivité électrique faible. En effet, les électrodes alimentant plusieurs milliers de cellules, il circule un courant élevé à l'intérieur de l'électrode qui peut aller jusqu'à 500 mA à 1 A instantané. D'autre part, les panneaux à plasma ayant une taille importante pouvant aller jusqu'à 60" de diagonale, la longueur des électrodes est grande. Dans ces conditions, une résistance trop élevée peut entraîner une perte de rendement lumineux significative due à la chute de tension liée au passage du courant dans les électrodes.
  • Le plus souvent dans les panneaux à plasma, le réseau d'électrodes est recouvert d'une couche épaisse d'un matériau diélectrique, en général un verre en borosilicate. De ce fait, les électrodes doivent présenter une résistance élevée à la corrosion, en particulier lors de la cuisson de la couche diélectrique ; en effet, pendant cette phase du procédé, les réactions entre la couche diélectrique et l'électrode, voire entre le verre de la dalle et l'électrode, entraînent une augmentation de la résistance électrique de l'électrode et les produits de cette réaction conduisent à une dégradation de la transmission optique, de la constante diélectrique et de la tension de claquage de la couche diélectrique.
  • Deux techniques sont actuellement utilisées pour réaliser les électrodes d'un panneau à plasma. Une première technique consiste à déposer une pâte ou encre à base d'argent, d'or ou d'un matériau similaire. Cette pâte conductrice est déposée sous une épaisseur généralement supérieure ou égale à 5 µm, par des procédés de sérigraphie, vaporisation, enduction divers. Dans ce cas, les électrodes sont obtenues directement lors du dépôt ou par un procédé de photogravure. Cette technologie de couche épaisse permet d'obtenir des résistances d'électrodes faibles qui ne sont pas affectées par les recuits de la couche diélectrique, à savoir 1R□ = 4 à 6 mΩ□ pour des électrodes en pâte d'argent de 4 à 6 µm d'épaisseur, déposées par sérigraphie. Toutefois, cette technique nécessite un recuit spécifique à une température supérieure à 500° C pour obtenir la conduction ainsi que l'emploi de plusieurs couches diélectriques spécifiques pour minimiser la diffusion des matériaux d'électrodes dans le diélectrique, cette diffusion étant susceptible de dégrader les caractéristiques électriques et optiques du panneau.
  • La deuxième technique consiste en un dépôt métallique en couches minces. Dans ce cas, l'épaisseur des couches est de quelques centaines d'angstrôm à quelques microns. Les électrodes sont obtenues généralement par photolithographie ou « lift-off » d'une couche mince de cuivre ou d'aluminium déposée par évaporation sous vide ou par pulvérisation cathodique. Le document EP1220267 , publié postérieurement au dépôt de la présente demande, décrit l'utilisation d'alliages d'aluminium, tel l'alliage Al-Mn, pour ce type d'électrodes. Le document JP56-121254 décrit l'utilisation d'aluminium et de cuivre. Cette technologie de couches minces ne nécessite pas de recuit pour obtenir la conduction des électrodes. Elle permet d'obtenir des résistances d'électrodes R□ = 5 à 12 mΩ □ suivant les matériaux utilisés pour des électrodes ayant une épaisseur de 2 à 5 µm. Toutefois, les matériaux utilisés dans ce cas bien qu'ayant une conductibilité élevée réagissent avec le substrat en verre et la couche diélectrique lors de sa cuisson, ce qui conduit à une augmentation de la résistance des électrodes et à une altération des performances de la couche diélectrique due à la diffusion dans le diélectrique des produits de réaction entre le matériau de l'électrode et la couche diélectrique. On observe la formation de chapelets de bulles qui dégradent la transparence de la couche diélectrique, sa constante diélectrique et sa tension de claquage. Pour remédier à cet inconvénient, on a proposé des dépôts multicouches constitués, par exemple, par des empilements de couches Al-Cr, Cr-Al-Cr, Cr-Cu-Cr. Ces multicouches permettent de limiter la dégradation de la couche diélectrique et l'augmentation de la résistance de l'électrode lors de la cuisson de ladite couche diélectrique. Toutefois, cette technique présente un certain nombre d'inconvénients. Elle nécessite la mise en oeuvre d'un procédé de gravure chimique plus complexe, avec l'emploi d'au moins deux solutions de gravure différentes. Ensuite, après la gravure chimique, la largeur de chacune des couches de l'empilement peut être différente, donnant des flancs d'électrodes très irréguliers, ce qui favorise le piégeage des bulles lors de la cuisson de la couche diélectrique.
  • La présente invention a donc pour but de remédier aux inconvénients mentionnés ci-dessus de la technique de dépôt en couches minces en proposant un nouveau matériau pour réaliser un réseau d'électrodes sur un substrat en verre.
  • Ainsi, la présente invention a pour objet une dalle comportant un substrat en verre sur lequel est réalisée au moins une électrode en un matériau conducteur, caractérisée en ce que, au moins au niveau de l'interface entre lesdites électrodes et le verre et/ou au moins au niveau de l'interface entre lesdites électrodes et la couche diélectrique, le matériau conducteur des électrodes est constitué par un alliage métallique à base d'aluminium et/ou de zinc présentant un point de fusion supérieur à 700°C.
  • D'autre part, l'alliage métallique à base d'aluminium et/ou de zinc comporte au moins 0,01% en poids d'au moins un dopant dont la nature et les proportions dans l'alliage sont adaptés pour obtenir un point de fusion dudit alliage supérieur à 700°C ; de préférence, la nature du dopant est adaptée pour que l'alliage correspondant ne comporte pas de point eutectique ; de préférence, ce dopant est choisi dans le groupe comprenant le titane, le zirconium, le vanadium, le chrome, le molybdène, le tungstène, le manganèse, le fer (alliage à base de zinc) et l'antimoine. L'utilisation d'un tel alliage pour la réalisation des électrodes permet d'augmenter la différence de température entre le point de fusion du matériau pour réaliser le réseau d'électrodes et la température de cuisson de la couche diélectrique déposée sur les électrodes, qui est généralement comprise entre 500° C et 600° C ; de ce fait, notamment lors de l'étape de cuisson de la couche diélectrique, on limite considérablement les effets néfastes provenant des réactions du matériau de l'électrode avec ceux de la couche diélectrique, voire avec le verre du substrat.
  • Le dopant est de préférence choisi pour obtenir un alliage ayant une résistivité électrique aussi proche que possible de celle du matériau conducteur pur.
  • D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la description faite ci-après d'un mode de réalisation de la présente invention, cette description étant faite avec référence au dessin ci-annexé, dans lequel :
    • Les figures 1a à 1d représentent en coupe les différentes étapes de réalisation d'une dalle pour panneau à plasma.
  • Pour une meilleure clarté, sur les figures les échelles ne sont pas respectées.
  • Comme représenté sur la figure 1a, la mise en oeuvre de la présente invention, est réalisée sur un substrat 10 qui peut être constitué par exemple, par un verre dénommé FLOAT GLASS. Le substrat en verre peut être éventuellement recuit ou façonné. D'autres types de verre plat peuvent être utilisés, notamment des verres du type borosilicate ou alumino-silicate.
  • Comme représenté sur la figure 1a, pour former un réseau d'électrodes, on dépose sur le substrat 10 une fine couche 20 d'un matériau conducteur. Cette couche 20 a, de manière typique, une épaisseur comprise entre 0,01 µm et 10 µm. Conformément à la présente invention, cette couche est constituée par un alliage métallique à base d'aluminium ou de zinc, qui présente un point de fusion supérieur à celui de l'aluminium ou du zinc pur, en l'occurrence supérieur à 700°C. Cet alliage métallique comporte entre 0,01 % et 49 % en poids d'au moins un dopant ; la nature et les proportions du dopants sont adaptés d'une manière connue en elle-même pour obtenir un point de fusion de l'alliage supérieur à 700°C ; de préférence, ces dopants sont choisis de manière à former des alliages sans point eutectique ; de préférence, ces dopants sont choisis de manière à présenter des coefficients de dilatation très inférieurs à celui du matériau conducteur pour diminuer le coefficient de dilatation de l'alliage et à le rapprocher de celui du substrat et aussi du diélectrique, comme expliqué ci-après ; de préférence, ce dopant est choisi dans le groupe comprenant le manganèse, le vanadium, le titane, le zirconium, le chrome, le molybdène, le tungstène, le fer (alliage à base de zinc) et l'antimoine ; de préférence, les proportions de dopant sont de l'ordre de 2 % en poids dans l'alliage.
  • Pour le dépôt de la couche de matériau conducteur 20, on utilise une méthode classique de l'art antérieur; on utilise de préférence une méthode de dépôt sous vide comme la pulvérisation cathodique sous vide, l'évaporation sous vide, le dépôt CVD sous vide pour « Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise.
  • Selon une variante de la présente invention non représentée, on peut réaliser le dépôt sous vide sous forme d'une multicouche, en utilisant par exemple plusieurs cibles dans le cas de la pulvérisation sous vide. Selon cette variante, on déposera tout d'abord une première couche d'alliage pour la partie en contact avec le substrat puis une couche conductrice du métal de base sans dopant en aluminium ou en zinc, puis à nouveau une couche d'alliage destinée à être en contact avec la couche diélectrique, qui peut être de composition différente de la première couche d'alliage.
  • Sur les figures 1b et 1c, on a représenté schématiquement la réalisation du réseau d'électrodes suite au dépôt d'une couche métallique 20, qui dans le présent cas, est un alliage à base d'aluminium présentant un point de fusion supérieur à 700°C. Les motifs d'électrodes 21 sont réalisés en utilisant des procédés connus de type « lift off » ou photogravure. Comme représenté sur la figure 1b, la couche 20 est recouverte d'une résine 30 puis est gravée. Le motif des électrodes 21 est déterminé à l'aide d'un masque 30 éclairé par des UV, en fonction du type de résine utilisée, à savoir une résine positive ou négative. Ensuite, les électrodes elles-mêmes sont gravées avec un seul bain de gravure présentant une composition identique ou voisine de celle utilisée pour l'aluminium pur.
  • La méthode de fabrication du réseau d'électrodes qui vient d'être décrite permet d'obtenir, pour les différentes couches de l'électrode, des largeurs identiques ; on obtient alors une géométrie d'électrodes comparable à celle qu'on obtient en fabricant des électrodes en aluminium pur ; on obtient plus précisément des flancs beaucoup plus réguliers que dans le cas de multicouches telles que les multicouches Al-Cr ou Cr-Al-Cu ou Cr-Cu connues et précédemment mentionnées ; on n'utilise par ailleurs qu'un seul bain de gravure, ce qui est plus économique.
  • Comme représenté sur la figure 1d, les électrodes 21 sont ensuite recouvertes par une couche épaisse 22 d'un matériau diélectrique en utilisant une méthode classique telle que la sérigraphie, le dépôt au rouleau ou la pulvérisation d'une suspension ou d'une poudre sèche. De manière connue, la couche diélectrique est constituée par un verre ou un émail à base d'oxyde de plomb, de silice et de bore, à base d'oxyde de bismuth, de silice et de bore sans plomb, à base d'oxyde de bismuth, de plomb, de silice et de bore sous forme de mélange. Une fois le dépôt de la couche diélectrique réalisé, l'ensemble est soumis, de manière connue, à un recuit à une température comprise entre 500° C et 600° C.
  • L'utilisation comme couche conductrice d'un alliage métallique à base d'aluminium présentant un point de fusion supérieur à 700°C et comportant comme dopant un élément choisi parmi le titane, le zirconium, le vanadium, le chrome, le molybdène, le tungstène, le manganèse et l'antimoine présente un certain nombre d'avantages. Le titane, le zirconium, le vanadium, le chrome, le molybdène, le tungstène, le manganèse et l'antimoine sont des alliages sans point eutectique. Un alliage d'aluminium comportant 2 % en masse de vanadium ou de titane a un point de fusion de 900° C environ, contre 660° C pour l'aluminium pur. D'autre part, le point de fusion d'un alliage d'aluminium à 2 % de manganèse est de 700 C et il présente une résistivité d'environ 4 µΩCm contre 2,67 µΩCm pour l'aluminium pur. De plus les matériaux ci-dessus ont des coefficients de dilatation très inférieurs à celui de l'aluminium, ce qui permet de diminuer le coefficient de dilatation de l'alliage et de le rapprocher de celui du substrat et de la couche diélectrique. Ainsi, on diminue donc les risques d'apparition de fissures dans la couche diélectrique ainsi que dans la couche de magnésie, lors des différentes étapes de cuisson.
  • On donnera ci-après un exemple permettant de comprendre les avantages de la présente invention. Des électrodes de 3 µm d'épaisseur en alliage d'aluminium contenant 2% de titane ont un R□ de 25 mΩ□ après cuisson de la couche diélectrique à 585° C pendant 1 heure, valeur voisine de celle obtenue avant cuisson. Dans ce cas, l'interface électrode / verre a un aspect métallique uniforme et l'interface électrode / couche diélectrique ne présente pas de chapelet de bulles. A titre de comparaison, les électrodes de 3 µm d'épaisseur en aluminium pur ont un R□ qui passe de 10mΩ□ avant cuisson de la couche diélectrique à 25µΩ□ après cuisson de la couche diélectrique à une température supérieure à 550° C pendant 1 heure. Dans ce cas, l'aspect de l'interface métal / verre est grisâtre et non uniforme et de nombreux chapelets de bulles sont présents à l'interface électrode / couche diélectrique.
  • Il est évident pour l'homme de l'art que la présente invention peut s'appliquer à d'autres types d'alliages d'aluminium et à des alliages de zinc.

Claims (10)

  1. - Dalle comportant un substrat (10) en verre, supportant un réseau d'électrodes conductrices (21) couvertes d'une couche diélectrique (22), caractérisée en ce que, au moins au niveau de l'interface entre lesdites électrodes (21) et le verre du substrat (10) et/ou au moins au niveau de l'interface entre lesdites électrodes (21) et la couche diélectrique (22), le matériau conducteur des électrodes est constitué par un alliage métallique à base d'aluminium et/ou de zinc présentant un point de fusion supérieur à 700°C.
  2. - Dalle selon la revendications 1, caractérisée en ce que ledit alliage comprend, outre ledit métal de base, au moins 0,01% en poids d'au moins un dopant dont la nature et les proportions dans l'alliage sont adaptés pour obtenir un point de fusion dudit alliage supérieur à 700°C.
  3. .- Dalle selon la revendication 2 caractérisée en ce que la nature de l'au moins un dopant est adaptée pour que l'alliage correspondant ne comporte pas de point eutectique.
  4. .- Dalle selon l'une quelconque des revendications 2 à 3 caractérisé en ce que l'au moins un dopant est choisi dans le groupe comprenant le titane, le zirconium, le vanadium, le chrome, le molybdène, le tungstène, le manganèse, le fer et l'antimoine.
  5. .- Dalle selon la revendication 4 caractérisée en ce que, ledit métal de base étant l'aluminium, l'au moins un dopant est choisi dans le groupe comprenant le vanadium, le titane et le manganèse.
  6. .- Dalle selon la revendication 5 caractérisée en ce que les proportions pondérales de l'au moins un dopant dans ledit alliage sont de l'ordre de 2%.
  7. - Dalle selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que les électrodes (21) sont constituées par au moins une couche mince dudit alliage.
  8. - Dalle selon la revendication 7, caractérisée en ce que les électrodes (21) sont constituées par un empilement de couches minces comprenant :
    - au moins une couche mince constituée dudit alliage au contact du verre du substrat et/ou au contact de la couche diélectrique
    - et une couche mince constituée dudit métal de base.
  9. - Dalle selon l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 8, caractérisée en ce que la couche diélectrique (22) est constituée par un verre ou un émail à base d'oxyde de plomb, de silice et de bore, à base d'oxyde de bismuth, de silice et de bore sans plomb ou à base d'oxyde de bismuth, de plomb, de silice et de bore sous forme de mélange.
  10. - Panneau de visualisation tel qu'un panneau à plasma caractérisé en ce qu'il comprend une dalle selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.
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