EP1273046A2 - Dispositif semi-conducteur du type diode schottky - Google Patents

Dispositif semi-conducteur du type diode schottky

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EP1273046A2
EP1273046A2 EP01923789A EP01923789A EP1273046A2 EP 1273046 A2 EP1273046 A2 EP 1273046A2 EP 01923789 A EP01923789 A EP 01923789A EP 01923789 A EP01923789 A EP 01923789A EP 1273046 A2 EP1273046 A2 EP 1273046A2
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EP
European Patent Office
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islands
layer
type
schottky
semiconductor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP01923789A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Pierre Di Rossel
Frédéric MORANCHO
Nathalie Cezac
Henri Tranduc
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and it relates more particularly to improvements made to diodes, of the Schottky type, or of the "J35 rectifier" type. Junction Bar ⁇ er Schottky rectifier; .
  • the Schottky dio ⁇ es feels basically made of a metal or a metal alloy placed on a semiconductor.
  • the diode consists of an active region of type N or of type?, Placed on a region of the same type, that is to say or?, But much more heavily doped.
  • the metal making the Schottky contact constitutes the anode, while the other face of the substrate which is metallized and which constitutes an ohmic contact, is called the cathode.
  • the sustained voltage withstand in reverse depends on the doping of the N-type or P-type zone, and the lower this is, the higher the voltage withstand.
  • the limit of the withstand voltage is around 100 volts.
  • the voltage drop in the on state is in fact the sum of the voltage drop in the semiconductor layer charge associated with the Schottky barrier, and the ohmic voltage drop in the semiconductor.
  • the voltage drop values commonly encountered for Schottky diodes operating in the on state are of the order of 0.5 volts.
  • Schottky diodes of the "JBS rectifier" type In order to improve the operating characteristics both in the blocked state and in the on state of the Schottky diodes, it has been necessary to design Schottky diodes of the "JBS rectifier" type. These second generation diodes are globally structurally identical to the preceding Schottky diodes, but are nevertheless distinguished by the fact that they comprise semiconductor mserts of a type contrary to the type of the semiconductor layer associated with the Schottky barrier.
  • This arrangement makes it possible to limit the reduction mechanism of the Schottky barrier under high applied voltage and to limit the reverse current of the diode.
  • the capacity withstand voltage of these devices can reach approximately 200 volts and the voltage drop, in the on state, is of the order of 0.25 volts.
  • the present invention therefore aims to overcome the drawbacks of the devices known from the prior art, by proposing improvements to these devices, which make it possible to obtain improved operating characteristics, both in blocked mode and in on mode.
  • a semiconductor device of the Schottky diode type comprising a substrate consisting of first and second semiconductor layers of the same type of conduction superimposed in said substrate, the second layer being more heavily doped. that the first, said substrate having first and second main surfaces in contact with first and second electrodes, a Schottky barrier being formed between said first electrode and said first layer, a plurality of islands of opposite conduction type to that of said first layer being arranged in beds spaces in the thickness of said layer.
  • FIG. 1 illustrates the structure of a Schottky diode
  • FIG. 2 illustrates the structure of a diode of the JBS type rectifier
  • FIG. 3 illustrates the distribution of the electric field in an example of a structure comprising a volume floating island
  • FIG. 4 shows the evolution of the order of magnitude of doping as a function of the number of islets contained in a semiconductor device ob and of the invention
  • FIG. 5 is a sectional view illustrating a semiconductor device of the Schottky diode type, according to the invention.
  • FIG. 8 is a sectional view illustrating a semiconductor device, of the JBS diode type.
  • the semiconductor device which is the subject of the invention (see FIGS. 1 and 5), it comprises a substrate i- conductor 1 having two main surfaces 4, 5 arranged in opposition to one another.
  • the semiconductor substrate 1 is composed of a first semiconductor region 2, 3 of a first type of conduction having a first layer 2 doped with N type (first type or donor) or doped with P type (second type or acceptor), and a second layer 3 doped with type N (first type or donor) or doped with type P (second type acceptor).
  • the first layer 2 of the first or second type is adjacent to the first main surface 4, while the second layer 3 of the first or second type is adjacent to the second main surface 5.
  • the semiconductor substrate comprises a first layer 2 and a second layer 3 which are of identical types, that is to say both of the first type, or of the second type.
  • the first main surface 4 is covered on the one hand with a peripheral film 7 based in particular on oxide and is arranged so as to be in ohmic contact with the first layer 2 at the level of a central electrode 8.
  • This central electrode 8 forms the anode of the device and is produced by means of a material forming a Schottky-type contact with the semiconductor.
  • This material is chosen from in particular molybdenum, tungsten platinum, palladium or equivalent, it may also be a metallic alloy (silicide, etc.).
  • This electrode 8 is arranged so as to be adjacent to the peripheral film 7 and forms a Schottky barrier with the first layer 2, at the level of the substantially central zone of the semiconductor substrate 1.
  • the second main surface 5 also cooperates with a second electrode 6 which is arranged so as to be in ohmic contact with the second layer 3.
  • This electrode 6 made of a metal constitutes the cathode of the semiconductor device which is the subject of the invention.
  • the second layer 3 of the first type or of the second type exhibits a greater doping, in terms of quantity of impurities introduced into the layer, compared to the first layer of the first or second type.
  • the impurities introduced into the first type layer will in particular be arsenic, phosphorus, while the impurities introduced into the second type layer will in particular be boron.
  • the semiconductor device which is the subject of the invention (see FIGS. 2 and 8), it comprises a semiconductor substrate 1 identical in its constitution to the semiconductor device 1 as described in the first preferred embodiment, and differs from it in that it comprises, in the first layer 2 of first type (N) or of second type (P), a plurality of semiconductor regions 10 of opposite type of conduction to those surrounding it, the plurality of regions 10 extending from the first main surface 4 and from the electrode 8 to the interior of the first layer 2.
  • N first type
  • P second type
  • the semiconductor device which is the subject of the invention, it comprises in a much more general manner a semiconductor substrate 1 comprising at least one layer 2 or 3 of first type or second type of conduction in which and according to an advantageous characteristic of the invention, there is incorporated or included within the layer 2 of the semiconductor substrate 1 of the first type or of the second type, a plurality of islands 9 of a type opposite to that of the semiconductor in which they are placed. So these islets 9 can be of the first type (N) or of the second type (P).
  • These islands 9 are arranged in space beds, in the thickness of at least layer 2 by localized epitaxy techniques, epitaxy by successive layers, by high energy ion implantation, by MBE (Beam Epitaxy Molecule) in association with pnotolithography procedures by masking or conventional procedures (oxidation, thermal diffusion, ion implantation with energy breakage).
  • MBE Beam Epitaxy Molecule
  • these islands 9 can take various profiles (square, rectangle, triangle, circle, hexagon, octagon, or more generally polygon ”) or be arranged in the form of bands of homogeneous patterns or plumes, possibly overlapping each other according to the layers or being positioned randomly, thus being able, depending on the shape of the patterns, to have overlapping zones in the thickness of the superimposed layers.
  • the islands 9 can be aligned or non-aligned, equid stants or non-equidistant, homogeneous or non-homogeneous, from the point of view of their characteristic directions (thickness, length and width).
  • the islands 9, of the first type or of the second type may have a uniform doping or a non-uniform doping: there may thus be a doping gradient or this doping may be distributed according to a Gaussian law or another distribution.
  • the islands 9 can have a geometric shape, when they have a polygonal section, which rounds in the corners.
  • FIG. 7 illustrates different configurations and distributions of islands 9.
  • the islands shown are hexagonal in a, in rhombus in b, squares in c and i, circular in d and g, octagonal in e and rectangular in f and triangular in h.
  • an island 9 may have in one of its characteristic directions, a dimension comprised for example in the range of 2 to 100 ⁇ m, and in the other of its characteristic directions, a dimension comprised for example in a range of 2 to 10 ⁇ , or practically in a ratio of 1 to 10 between the two characteristic directions.
  • each bed comprising between 1 and 500 islands 9, N varying from 1 to 50.
  • the inclusion of a plurality of 9-doped islands within a layer 2 of the first type or second type semiconductor substrate 1 makes it possible to create, in reverse operating mode (blocked state), a reduction in the global electric field by a distribution mechanism thereof at each of the islands.
  • the islands 9 are in the form of spaced networks (cf. FIG. 5).
  • FIG. 5 which illustrates a section of a Schottky diode according to the invention, the layer 3 of semiconductor of first or second type is shown in ohmic contact with the cathode, the other first or second type semiconductor layer 2, forming a Schottky barrier with the anode and in which the plurality of islands 9 are included.
  • These islands 9 are constituted in particular by semiconductor strips of the first type or of the second type; the choice of the type of islands 9 being however of the opposite type with respect to the type of the semiconductor layer in which they are included.
  • the inclusion of the islands 9 in the semiconductor substrate is therefore not continuous and therefore has mter-island spaces through which the current can flow between the anode and the cathode.
  • FIG. 6 shows the evolution of the value of the series resistance created in the layer within which the islands are incorporated, as a function of the reverse voltage withstand of the dipole; in this example, the dipole is a Schottky diode. From this FIG.
  • the operating mechanisms previously studied for a dipole, in particular of the Schottky diode type comprising a plurality of floating islands, are identical when these islands are included in a dipole structure of type, for example JBS diode, and the operating values, both in blocked mode and in passing mode, for such a dipole (cf. FIG. 8;, are identical to those found for equivalent devices of the prior art, but for a value of reverse voltage withstand which is of the order of 600 volts (100 to 200 volts approximately for the devices of the prior art), and which can go up to 1000 volts.
  • the main applications envisaged using this new semiconductor component substrate structure are in particular in the field of current rectification.
  • This component can find in particular developments in the field of lighting (electronic ballast).
  • This electronic component can also be used at the level of engine control, automotive electronics (rectifier component for alternator, or component integrated in integrated power circuits.

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Abstract

Dispositif semi-conducteur du type diode Schottky, comprenant un substrat constitué de première (2) et deuxième (3) couches semi-conductrices d'un même type de conduction superposées dans ledit substrat, la deuxième couche (3) étant plus fortement dopée que la première (2), ledit substrat présentant des première (4) et deuxième (5) surfaces principales en contact avec des première (8) et deuxième (6) électrodes, une barrière de Schottky étant formée entre ladite première électrode (8) et ladite première couche, caractérisé en ce que la pluralité d'îlots (9) de type de conduction opposé à celui de ladite première couche (2) sont disposés en lits espacés dans l'épaisseur de ladite couche (2).

Description

DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE DIODE SCHOTTKY
La présente invention est relative à un dispositif semiconducteur et elle vise plus particulièrement des perfectionnements apportés à des diodes, du type Schottky, ou du type "J35 rectifier" Junction Barπer Schottky rectifier; .
En effet, les dioαes Schottky sent basiqnement constituées d'un métal ou d'un alliage métallique placé sur un semiconducteur. Classiquement, la diode est constituée d'une région active de type N ou de type ?, placée sur une région de même type, c'est-à-dire ou ?, mais oeaucoup plus fortement dopée. Le métal réalisant le contact Schottky constitue l'anode, tandis que l'autre face du substrat qui est métallisée et qui constitue un contact ohmique, s'appelle la cathode.
On a l'habitude de définir pour les diodes, et notamment pour les diodes Schottky, deux types de fonctionnement, l'un en état bloqué, l'autre en état passant. Chacun de ces états est défini par ailleurs par une caractéristique de fonctionnement : la tenue en tension pour l'état bloqué et la chute de tension pour l'état passant.
Ainsi, la tenue en tension soutenue en inverse (état bloqué) dépend du dopage de la zone de type N ou de type P, et plus celui-ci est faible, plus la tenue en tension est élevée. Pour les diodes Schottky connues de l'art antérieur, fonctionnant en état bloqué, classiquement la limite de la tenue en tension se situe aux environs de 100 volts.
La chute de tension à l'état passant est en fait la somme de la chute de tension dans la charge de couche de semiconducteur associée à la barrière Schottky, et de la chute de tension ohmique dans le semi-conducteur voiumique. Les valeurs de chute de tension communément rencontrées pour les diodes Schottky fonctionnant en état passant sont de l'ordre de 0,5 volt.
Afin d'améliorer les caractéristiques de fonctionnement tant dans l'état bloque que dans l'état passant des diodes Schottky, on a été amené à concevoir des diodes Schottky de type "JBS rectifier". Ces diodes de deuxième génération sont globalement structurellement identiques aux diodes Schottky précédentes, mais s'en distinguent néanmoins par le fait qu'elles comportent des mserts semi-conducteurs de type contraire au type de la couche de semi-conducteur associée à la barrière Schottky.
Cette disposition permet de limiter le mécanisme de réduction de la barrière Schottky sous haute tension appliquée et de limiter le courant inverse de la diode.
Classiquement, la capacité en tenue en tension de ces dispositifs peut atteindre 200 volts environ et la chute de tension, à l'état passant, est de l'ordre de 0.25 volt.
La présente invention vise donc à pallier les inconvénients des dispositifs connus de l'art antérieur, en proposant des perfectionnements apportés à ces dispositifs, qui permettent d'obtenir des caractéristiques de fonctionnement améliorées, tant en régime bloqué qu'en régime passant.
On atteint ce but de l'invention avec un dispositif semi- conducteur du type diode Schottky, comprenant un substrat constitué de première et deuxième couches semi-conductrices d'un même type de conduction superposées dans ledit substrat, la deuxième couche étant plus fortement dopée que la première, ledit substrat présentant des première et deuxième surfaces principales en contact avec des première et deuxième électrodes, une barrière de Schottky étant formée entre ladite première électrode et ladite première couche, une pluralité d'îlots de type de conduction opposé a celui de ladite première couche étant disposes en lits espaces dans l'épaisseur de ladite couche.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la descriptior faite ci-apres, en référence aux dessins annexes qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures :
- la figure 1 illustre la structure d'une diode Schottky ;
- la figure 2 illustre la structure d'une diode du type JBS rectifier ;
- la figure 3 illustre la répartition du champ électrique dans un exemple d'une structure comportant un îlot flottant volumique ;
- la figure 4 montre l'évolution de l'ordre de grandeur du dopage en fonction du nombre d'îlots contenus dans un dispositif semi-conducteur ob et de l'invention ;
- la figure 5 est une vue en coupe illustrant un dispositif semi-conducteur du type diode Schottky, selon l'invention ;
- la figure 6 illustre l'évolution de l'ordre de grandeur de la résistance série en fonction de la tenue en tension inverse pour différents nombres de lits d'îlots flottants ;
- la figure 7 illustre quelques formes géométriques d'îlots flottants ;
- la figure 8 est une vue en coupe illustrant un dispositif semi-conducteur, du type diode JBS.
Selon un premier mode préfère de réalisation du dispositif semi-conducteur objet de l'invention (se reporter aux figures 1 et 5) , celui-ci comporte un substrat se i- conducteur 1 ayant deux surfaces principales 4, 5 disposées en opposition l'une par rapport à l'autre. Le substrat semi-conducteur 1 est composé d'une première région semi- conductrice 2, 3 d'un premier type de conduction ayant une première couche 2 dopée de type N (premier type ou donneur) ou dopée de type P (deuxième type ou accepteur) , et une seconde couche 3 dopée de type N (premier type ou donneur) ou dopée de type P (deuxième type accepteur) . La première couche 2 de premier type ou de second type, est adjacente à la première surface principale 4, tandis que la seconde couche 3, de premier ou de second type, est adjacente à la seconde surface principale 5.
Néanmoins, le substrat semi-conducteur comporte une première couche 2 et une seconde couche 3 qui sont de types identiques, c'est-à-dire toutes les deux de premier type, ou de second type.
La première surface principale 4 est recouverte d'une part avec un film périphérique 7 à base notamment d'oxyde et est agencée de manière à être en contact ohmique avec la première couche 2 au niveau d'une électrode centrale 8.
Cette électrode centrale 8 forme l'anode du dispositif et est réalisée au moyen d'un matériau formant un contact de type Schottky, avec le semi-conducteur.
Ce matériau est choisi parmi notamment le molybdène, le tungstène le platine, le palladium ou équivalent, il peut s'agir encore d'alliage métallique (siliciure .... ) .
Cette électrode 8 est agencée de manière à être adjacente avec le film périphérique 7 et forme une barrière Schottky avec la première couche 2, au niveau de la zone sensiblement centrale du substrat semi-conducteur 1.
La seconde surface principale 5 coopère également avec une seconde électrode 6 qui est agencée de manière à être en contact ohmique avec la seconde couche 3. Cette électrode 6 réalisée dans un métal constitue la cathode du dispositif semi-conducteur objet de l'invention.
Selon une autre caractéristique la seconde couche 3 de premier type ou de second type présente un dopage plus important, en termes de quantité d'impuretés introduites dans la couche, par rapport a la première couche de premier ou de second type.
On peut noter par exemple que les impuretés introduites dans la couche de premier type seront notamment de l'arsenic, du phosphore, tandis que les impuretés introduites dans la couche de second type seront notamment du bore .
Selon un deuxième mode préfère de réalisation du dispositif semi-conducteur objet de l'invention (se reporter aux figures 2 et 8), celui-ci comporte un substrat semiconducteur 1 identique dans sa constitution au dispositif semi-conducteur 1 tel que décrit dans le premier mode préféré de réalisation, et diffère de celui-ci en ce qu'il comporte, dans la première couche 2 de premier type (N) ou de second type (P), une pluralité de régions semi- conductπces 10 de type contraire de conduction a celles qui l'entoure, la pluralité de régions 10 s 'étendant depuis la première surface principale 4 et depuis l'électrode 8 jusqu'à l'intérieur de la première couche 2.
Selon un troisième mode préféré de réalisation du dispositif semi-conducteur objet de l'invention, celui-ci comporte de manière beaucoup plus générale un substrat semi-conducteur 1 comprenant au moins une couche 2 ou 3 de premier type ou de second type de conduction dans laquelle et selon une caractéristique avantageuse de l'invention, on incorpore ou on inclut au sein de la couche 2 du substrat semi-conducteur 1 de premier type ou de second type, une pluralité d'îlots 9 de type contraire à celui du semiconducteur dans lequel ils sont places. Ainsi, ces îlots 9 peuvent être de premier type (N) ou de second type (P) . Ces îlots 9 sont disposes en lits espaces, dans l'épaisseur d'au moins la couche 2 par des techniques d'epitaxie localisée, d'epitaxie par couches successives, par implantation ionique a haute énergie, par MBE (Molécule Beam Epitaxy) en association avec des procèdes de pnotolithographie par masquage ou des procèdes classiques (oxydation, diffusion thermique, implantation ionique à casse énergie) .
Selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention, ces îlots 9 peuvent prendre des profils varies (carre, rectangle, triangle, cercle, hexagone, octogone, ou plus généralement polygone...) ou être disposes sous forme de bandes de motifs homogènes ou panaches, se superposant éventuellement mutuellement suivant les couches ou étant positionnes de manière aléatoire, pouvant ainsi, suivant la forme des motifs, présenter des zones de recouvrement dans l'épaisseur des couches superposées.
Les îlots 9 peuvent être alignes ou non alignes, equid stants ou non equidistants, homogènes ou non homogènes, du point de vue de leurs directions caractéristiques (épaisseur, longueur et largeur) .
Les îlots 9, de premier type ou de second type, peuvent présenter un dopage uniforme ou un dopage non uniforme : il peut exister ainsi un gradient de dopage ou ce dopage peut être réparti selon une loi gaussienne ou une autre distribution.
Selon encore une autre caractéristique, les îlots 9 peuvent présenter une forme géométrique, lorsqu'ils possèdent une section polygonale, qui s'arrondit dans les coins.
A titre d'exemple, on pourra se reporter à la figure 7 qui illustre différentes configurations et distributions d'îlots 9. Les îlots représentes sont hexagonaux en a, en losange en b, carres en c et i, circulaire en d et g, octogonaux en e et rectangulaire en f et triangulaire en h.
En outre, un îlot 9 peut présenter dans l'une de ses directions caractéristiques, une dimension comprise par exemple dans un intervalle de 2 a 100 μm, et dans l'autre de ses directions caractéristiques, une dimension comprise par exemple dans un intervalle de 2 a 10 μ , soit pratiquement dans un rapport de 1 a 10 entre les deux directions caractéristiques.
Par ailleurs, on prévoit de disposer, par diode, N lits espacés d'îlots 9 dans la première couche 2, chaque lit comportant entre 1 et 500 îlots 9, N variant de 1 a 50.
L'inclusion d'une pluralité d'îlots 9 dopes au sein d'une couche 2 du substrat semi-conducteur 1 de premier type ou de second type, permet de créer, en régime de fonctionnement inverse (état bloque) , une réduction du champ électrique global par un mécanisme de répartition de celui-ci au niveau de chacun des îlots.
Dans une telle structure (cf. figure 3), le champ électrique est divise par le nombre d'îlots et la tenue en tension inverse est donc accrue.
On démontre également que pour une tenue en tension fixée, le dopage de la couche dans laquelle sont incorporés les îlots est une fonction croissante du nombre d'îlots (cf. figure 4) .
En régime de fonctionnement direct (état passant) et afin de permettre le passage du courant entre l'anode et la cathode, les îlots 9 se présentent sous la forme de reseaux espacés (cf. figure 5) . Sur cette figure, qui illustre une coupe d'une diode Schottky selon l'invention, on a représenté la couche 3 de semi-conducteur de premier ou de second type en contact ohmique avec la cathode, l'autre couche de semi-conducteur 2 de premier ou de second type, formant une barrière Schottky avec l'anode et dans laquelle est incluse la pluralité d'îlots 9.
Ces îlots 9 sont constitues notamment par des bandes semi- conductπces de premier type ou de second type ; le choix du type des îlots 9 étant cependant du type contraire par rapport au type de la couche de semi-conducteur dans laquelle ils sont inclus.
L'inclusion des îlots 9 dans le substrat de semi-conducteur n'est donc pas continu et elle présente donc des espaces mter-îlots par lesquels le courant peut circuler entre l'anode et la cathode.
Compte tenu que, globalement, le dopage de la zone de conduction est plus élevé que dans un dispositif standard, il en résulte une diminution de la resistivite et donc de la résistance, ce qui conduit a une chute de tension plus faible. A titre d'exemple, on pourra se reporter à la figure 6 qui montre l'évolution de la valeur de la résistance série créée dans la couche au sein de laquelle sont incorporés les îlots, en fonction de la tenue en tension inverse du dipôle ; dans cet exemple, le dipôle est une diode Schottky. A partir de cette figure 6, on peut en déduire que plus le nombre d'îlots est important, plus la résistance diminue, et par exemple, les dipôles selon l'invention (notamment les diodes Schottky) possédant des îlots 9 (N=20) , ayant une tenue en tension inverse de l'ordre de 600 volts, présentent des performances de résistance série et donc de chute de tension directe, identiques aux diodes Schottky de 100 volts de tenue en tension selon l'art antérieur.
Les mécanismes de fonctionnement précédemment étudiés pour un dipôle notamment du type diode Schottky comportant une pluralité d'îlots flottants, sont identiques lorsque ces îlots se trouvent inclus dans une structure de dipôle de type par exemple diode JBS, et les valeurs de fonctionnement, tant en régime bloque qu'en régime passant, pour un tel dipôle (cf. figure 8;, sont identiques a celles trouvées pour des dispositifs équivalents de l'art antérieur, mais pour une valeur de tenue en tension inverse qui est de l'ordre de 600 volts (100 a 200 volts environ pour les dispositifs de l'art antérieur), et qui peut aller jusqu'à 1000 volts.
Les principales applications envisagées utilisant cette nouvelle structure de substrat de composant semi-conducteur sont notamment dans le domaine du redressement de courant
(alternatif/continu) , ou en tant que diode de roue libre en montage intègre ou en montage discret avec un autre composant qui assure une fonction d'interrupteur de puissance (commande des bobines ou bras de pont, hacheur, onduleur... ) .
Ce composant peut trouver notamment des développements dans le domaine de l'éclairage (ballast électronique) . On peut également utiliser ce composant électronique au niveau de la commande des moteurs, de l'électronique automobile (composant redresseur pour alternateur, ou composant intègre dans les circuits intègres de puissance.
Il demeure bien entendu que la présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits et représentes ci-dessus, mais qu'elle en englobe toutes les variantes.

Claims

RE VE N D I CAT I ON S
1. Dispositif semi-conducteur du type diode Schottky, comprenant un substrat constitué de première (2) et deuxième (3) couches semi-conductrices d'un même type de conduction superposées dans ledit substrat, la deuxième couche (3) étant plus fortement dopée que la première \ 2 ) , ledit substrat présentant des première (4) et deuxième (5) surfaces principales en contact avec des première ( Q et deuxième (6) électrodes, une barrière de Schottky étant formée entre ladite première électrode (8) et ladite première couche (2), caractérise en ce que la pluralité d'îlots (9) de type de conduction opposé à celui de ladite première couches (2) sont disposes en lits espacés oans l'épaisseur de ladite couche (2) .
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte, dans la première couche (2), une pluralité de régions semi-conductrices (10) de type de conduction contraire a celui des parties de la couche (2) qui les entoure, la pluralité de régions (10) s 'étendant depuis la surface principale (4) et depuis l'électrode (8) jusqu'à l'intérieur de la couche (2) .
3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 , caractérisé en ce que les îlots (9) sont de profils variés.
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à
3, caractérisé en ce que les îlots (9) sont disposés sous forme de bandes de motifs homogènes ou panachés, se superposant éventuellement mutuellement suivant les couches ou étant positionnés de manière aléatoire, pouvant ainsi, suivant la forme des motifs, présenter des zones de recouvrement dans l'épaisseur des couches superposées.
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à
4, caractérisé en ce que les îlots (9) sont alignés. o. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, caractérise en ce que les îlots (9) sont non alignes.
7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, caractérise en ce que les îlots (9) sont equidistants.
3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a
4, caractérise en ce que les îlots (9) sont non equidistants.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, caractérise en ce que les îlots (9) sont homogènes.
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, caractérise en ce que les îlots (9) sont non homogènes .
11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 10, caractérise en ce que les îlots (9) présentent un dopage uniforme.
12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 10, caractérise en ce que les îlots (9) présentent un dopage non uniforme.
13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 12, caractérise en ce que les îlots (9) présentent une forme géométrique qui s'arrondit dans les coins.
14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 13, caractérise en ce que la première couche (2) comprend N lits espaces d'îlots (9) chaque lit comportant entre 1 et 500 îlots (9), N variant de 1 a 50.
15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 14, caractérise en ce qu'il possède une tenue en tension inverse pouvant être comprise entre 103 et 1000 volts, de préférence 600 volts.
16. Application du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 15, caractérisée en ce que le dispositif est utilise dans le domaine du redressement de courant.
17. Application du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 15, caractérisée en ce que le dispositif est utilise en tant que diode de roue libre en montage intégre ou en montage discret avec le composant interrupteur de puissance.
18. Application du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 15, caractérisée en ce que le dispositif est utilise dans le domaine de l'éclairage.
19. Application du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 15, caractérisée en ce que le dispositif est utilisé au niveau de la commande des moteurs, de l'électronique automobile.
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