EP0712147B1 - Procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ et source obtenue par ce procédé, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence - Google Patents

Procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ et source obtenue par ce procédé, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence Download PDF

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EP0712147B1
EP0712147B1 EP95402451A EP95402451A EP0712147B1 EP 0712147 B1 EP0712147 B1 EP 0712147B1 EP 95402451 A EP95402451 A EP 95402451A EP 95402451 A EP95402451 A EP 95402451A EP 0712147 B1 EP0712147 B1 EP 0712147B1
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EP
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diamond
carbon
source
electrically insulating
insulating layer
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Joel Danroc
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Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Definitions

  • the present invention relates to a method of fabrication of a field effect electron source.
  • the present invention applies to particular to the field of display devices dishes also called “flat screens”, as well as manufacture of pressure measurement gauges.
  • microtips These are the sources of microtip electrons ("microtips").
  • a source of microtip electrons includes at least one cathode conductor on a substrate electrically insulating, an electrically insulating layer which covers this cathode conductor and at least one grid formed on this electrically insulating layer.
  • Holes are formed through the grid and the insulating layer above the cathode conductor.
  • micro-tips are formed in these holes and carried by the cathode conductor.
  • each micro-tip is substantially in the plane of the grid, this grid used to extract electrons from micro-tips.
  • the holes have very small dimensions (they have a diameter less than 2 ⁇ m).
  • These other known display devices include a cathodoluminescent anode placed opposite of an electron source comprising carbon layers diamond or diamond-like intended to emit electrons.
  • Diamond or diamond carbon emits electrons much more easily than materials conventionally used for the manufacture of micro-tips.
  • the minimum electric field from which one can obtain an electron emission can be twenty times lower that the minimum electric field corresponding to metals such as molybdenum.
  • the deposits obtained are continuous layers and not micro-tips.
  • the object of the present invention is to remedy to the previous drawbacks.
  • the process which is the subject of the invention can be implemented used with large surface substrates and allows thus obtaining electron sources (and therefore screens large area (several dozen inches diagonally).
  • the temperature at which deposits are formed main is close to room temperature, around 20 ° C for electrophoresis and around 40 ° C to 60 ° C for electrochemical deposition.
  • the main deposits are covered with a secondary deposit of a metal, for example by electrochemical deposition, in order to consolidate these micro-clusters.
  • the carbon particles diamond or diamond type have a size of around 1 ⁇ m or less than 1 ⁇ m (but of course less the size of the micro-tips).
  • These particles can be obtained at from natural or artificial diamond or by a method chosen from laser synthesis, deposition chemical vapor phase and physical phase deposition steam.
  • the holes formed through the grid layer and the electrically insulating layer can have a circular or rectangular shape.
  • the size of these holes can be chosen in an interval of approximately 1 ⁇ m to several tens of micrometers.
  • the size of the holes that we form to put implementing the process which is the subject of the invention can be significantly higher than that required for implementing a process for manufacturing a source classic with micro-tips (not covered).
  • the source object of the present invention emits more of electrons than a microtip source, due to the use, in the present invention, of deposits of diamond or diamond-like carbon particles that have higher emissivity than emitting materials of conventional electrons such as molybdenum.
  • this device has a more greater brightness than a conventional micro-tip device (not covered), for the same voltage of ordered.
  • this device using a source according to the invention requires a voltage of lower order than that required for such classic micro-tip device.
  • Deposits main can be made of carbon particles diamond or diamond type or can be made of such particles dispersed in a metal.
  • Each of these main deposits can be covered with a deposit secondary of a metal intended to consolidate these deposits main.
  • Holes 10 are formed through these grids 8 and the insulating layer 6 above the cathode conductors 4.
  • Micro-tips 12 are formed in the holes 10 and carried by the cathode conductors 4.
  • Each of these micro-tips 12 is covered with a deposit 13 of carbon particles diamond or diamond type.
  • cathode conductors 4 are parallel and the grids 8 are parallel to each other and perpendicular to the conductors cathodic 4.
  • the holes 10 and therefore the micro-tips 12 are found in the areas where these grids cross the cathode conductors.
  • micro-tips of such an area covered with deposits 13, which emit electrons when an appropriate electrical voltage is applied, by means not shown, between the conductor cathode 4 and grid 8 which correspond to this zoned.
  • a display device by cathodoluminescence is schematically represented in section in Figure 2.
  • This device includes the source of electrons 14 in Figure 1.
  • the device of Figure 2 also includes a cathodoluminescent anode 16 placed opposite the source 14 and separated from it by a space 18 in which we made the vacuum.
  • the cathodoluminescent anode 16 comprises a electrically insulating and transparent substrate 20 which is provided with an electrically conductive layer and transparent 22 forming an anode.
  • this layer 24 emits light that a user of the viewing device observes through the transparent substrate 20.
  • FIG. 1 A process in accordance with the invention, allowing the manufacture of the source of electrons of figure 1, referring to figure 3 which schematically illustrates this process.
  • the diameter D1 of holes (substantially circular) formed in the grid 8 and in the electrically insulating layer 6 can be advantageously greater than the diameter of the holes than contain micro-point electron sources described in documents (1) to (4).
  • this diameter D1 can take values on the order of 1 ⁇ m up to 50 ⁇ m.
  • Figure 4 schematically illustrates the makes the holes 10, instead of having a shape circular, may have a rectangular shape.
  • the width D2 of these holes 10 in the figure 4, rectangular, can be taken equal to diameter D1 mentioned above and can therefore be also significantly larger than the diameter of the holes micro-tip sources.
  • This powder can be obtained by deposit chemical vapor phase, from a mixture hydrogen and light hydrocarbons.
  • This chemical vapor deposition can be assisted by an electron beam or be assisted by a plasma generated by microwaves.
  • This powder can also be formed by a ultrasonic spraying process known as of "Pyrosol”, that is to say, more precisely by pyrolysis of an aerosol of a carbonaceous compound.
  • the powder can also be synthesized by physical vapor deposition ("physical vapor” deposition "), from carbon targets (graphite for example) and a plasma gas such as argon alone or mixed with hydrogen, hydrocarbons, without dopant or with a dopant like for example the diborane.
  • physical vapor deposition from carbon targets (graphite for example) and a plasma gas such as argon alone or mixed with hydrogen, hydrocarbons, without dopant or with a dopant like for example the diborane.
  • This powder can also be obtained by laser ablation.
  • diamonds can be prepared carbon compression, high pressure and high temperature, then make the powder from of these artificial diamonds.
  • these carbon powders diamond and these diamond-like carbon powders are chosen so as to have a micronic particle size or submicronic or nanometric but, of course, smaller than the size of the micro-tips.
  • micro-tips have a size of the order of 1 ⁇ m
  • a particle size is used submicron.
  • these carbon powders diamond or diamond type can be doped or not doped.
  • the deposition of the powder (particles of diamond or diamond type) leading to the formation of deposits 13, can be achieved by electrophoresis (cataphoresis or anaphoresis), possibly supplemented by a metallic deposit electrochemical consolidation, or by co-deposit electrochemical of metal and carbon diamond or diamond type.
  • micro-tips 12 In the case of anaphoresis filing, the structure provided with micro-tips 12 is placed in an appropriate solution 26 and each micro-tip 12 is brought to positive potential during this phase deposit.
  • drivers cathodics 4 are brought to this positive potential thanks to a suitable voltage source 28 whose terminal positive is connected to these cathode conductors 4 while the negative terminal of this source is connected to a platinum or steel counter electrode 32 stainless steel located in the bath at a distance from substrate about 1 to 5 cm.
  • the fine powder of carbon particles diamond or diamond type is suspended in solution 26 (before placing the structure in this solution).
  • the voltage supplied by the source 28 can go up to around 200 V.
  • micro-tips In the case of cataphoresis, a potential negative is applied to micro-tips.
  • this is the source 28 negative terminal which is connected to cathode conductors 4 while the positive terminal of the source 28 is connected to a counter-electrode 32 in platinum or stainless steel located in the bath a distance from the substrate of about 1 to 5 cm.
  • a metal for example chosen from Ni, Co, Ag, Au, Rh or Pt or, more generally, among the metals of transition, alloys thereof and metals precious.
  • This electrode 33 is for example in nickel and solution 30 contains for example 300 g / l nickel sulfate, 30 g / l nickel chloride, 30 g / l of boric acid and 0.6 g / l of lauryl sulfate sodium.
  • an electric current of 4 A / dm 2 is used .
  • deposits 13 by electrochemical co-deposit of metal and carbon diamond or diamond type.
  • An appropriate current source is used, for example of the order of 4 A / dm 2 , and the negative terminal of this source is applied to the cathode conductors and the positive terminal of this source to a nickel electrode placed in the bath.
  • Nickel is deposited on micro-tips 12 by bringing with it the diamond particles, hence the formation of deposits 13 of nickel and diamond on micro-tips 12.
  • tops of the micro-tips 12 covered with deposits 13 are found substantially in the plane of the grids and are not in contact with these grids.

Description

DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ.
La présente invention s'applique en particulier au domaine des dispositifs de visualisation plats encore appelés "écrans plats", ainsi qu'à la fabrication de jauges de mesure de pression.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
On connaít déjà des sources d'électrons à effet de champ.
Ce sont les sources d'électrons à micro-pointes ("microtips").
Une source d'électrons à micro-pointes comprend au moins un conducteur cathodique sur un substrat électriquement isolant, une couche électriquement isolante qui recouvre ce conducteur cathodique et au moins une grille formée sur cette couche électriquement isolante.
Des trous sont formés à travers la grille et la couche isolante au-dessus du conducteur cathodique.
Les micro-pointes sont formées dans ces trous et portées par le conducteur cathodique.
Le sommet de chaque micro-pointe se trouve sensiblement dans le plan de la grille, cette grille servant à extraire des électrons des micro-pointes.
Les trous ont de très petites dimensions (ils ont un diamètre inférieur à 2 µm).
Pour réaliser un dispositif de visualisation utilisant une telle source d'électrons à micro-pointes, on réalise un système de type "triode".
Plus précisément, on dispose, en face de la source, une anode cathodoluminescente.
Les électrons issus de la source viennent bombarder cette anode cathodoluminescente.
On connaít également d'autres dispositifs de visualisation ayant une structure de type "diode".
Ces autres dispositifs de visualisation connus comprennent une anode cathodoluminescente placée en regard d'une source d'électrons comprenant des couches de carbone diamant ou de type diamant destinées à émettre des électrons.
Ces couches sont obtenues par ablation laser ou par dépôt chimique en phase vapeur ("chemical vapour deposition").
Le carbone diamant ou de type diamant émet beaucoup plus facilement des électrons que les matériaux classiquement utilisés pour la fabrication des micro-pointes.
Avec le carbone diamant ou de type diamant, le champ électrique minimal à partir duquel on peut obtenir une émission d'électrons peut être vingt fois plus faible que le champ électrique minimal correspondant à des métaux comme par exemple le molybdène.
Malheureusement, le dépôt des couches de carbone diamant ou de type diamant, avec les méthodes mentionnées plus haut, a lieu à haute température (de l'ordre de 700°C).
De plus, il est impossible d'obtenir directement des micro-pointes par ces méthodes.
Les dépôts obtenus sont des couches continues et non pas des micro-pointes.
Les dispositifs de visualisation qui en résultent sont, comme on l'a vu plus haut, de type "diode", ce qui pose un problème en ce qui concerne leur adressage.
Il faut en effet réaliser des systèmes électroniques d'adressage permettant d'appliquer des tensions de l'ordre de plusieurs centaines de volts à ces dispositifs.
De plus, la température élevée à laquelle sont formées les couches de carbone diamant ou de type diamant interdit l'utilisation de verre standard en tant que substrat destiné à porter ces couches.
EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents.
Elle a pour objet un procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ, procédé selon lequel :
  • on fabrique une structure comprenant un substrat électriquement isolant, au moins un conducteur cathodique sur ce substrat, une couche électriquement isolante qui recouvre chaque conducteur cathodique et une couche de grille électriquement conductrice qui recouvre cette couche électriquement isolante,
  • on forme des trous à travers la couche de grille et la couche électriquement isolante, au niveau de chaque conducteur cathodique, et
  • on forme, dans chaque trou, une micro-pointe faite d'un matériau métallique émetteur d'électrons,
ce procédé étant caractérisé en ce que chacune de ces micro-pointes sont ensuite recouverte d'un dépôt principal de particules de carbone diamant ou de type diamant, et les dépôts principaux sont formés par électrophorèse ou par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
Le procédé objet de l'invention peut être mis en oeuvre avec des substrats de grande surface et permet ainsi l'obtention de sources d'électrons (et donc d'écrans de visualisation) de grande surface (plusieurs dizaines de pouces de diagonale).
La température à laquelle on forme les dépôts principaux est voisine de la température ambiante, de l'ordre de 20°C pour l'électrophorèse et de l'ordre de 40°C à 60°C pour le dépôt électrochimique.
Il est alors possible d'utiliser, pour fabriquer une source conforme à l'invention, un substrat en verre ordinaire (sodocalcique), sans précautions particulières.
On notera aussi que ces dépôts sont réalisables par des techniques simples qui ne nécessitent ni couche sacrificielle ("lift off layer") ni dépôt sous vide.
En outre, les bains qui sont nécessaires pour la mise en oeuvre de ces techniques ont une durée de vie importante (plusieurs mois).
Selon un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, les dépôts principaux sont recouverts d'un dépôt secondaire d'un métal, par exemple par dépôt électrochimique, afin de consolider ces micro-amas.
De préférence, les particules de carbone diamant ou de type diamant ont une taille de l'ordre de 1 µm ou de moins de 1 µm (mais bien entendu inférieure à la taille des micro-pointes).
Ces particules peuvent être obtenues à partir de diamant naturel ou artificiel ou par une méthode choisie parmi la synthèse par laser, le dépôt chimique en phase vapeur et le dépôt physique en phase vapeur.
Les trous formés à travers la couche de grille et la couche électriquement isolante peuvent avoir une forme circulaire ou rectangulaire.
La taille de ces trous peut être choisie dans un intervalle allant d'environ 1 µm jusqu'à plusieurs dizaines de micromètres.
La taille des trous que l'on forme pour mettre en oeuvre le procédé objet de l'invention peut être nettement supérieure à celle qui est nécessaire à la mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'une source classique à micro-pointes (non recouvertes).
Ceci est très avantageux compte tenu des difficultés liées à l'obtention de trous calibrés de petite taille (inférieure à 2 µm) sur de grandes surfaces.
La présente invention concerne aussi une source d'électrons à effet de champ, cette source comprenant :
  • sur un substrat électriquement isolant, au moins une première électrode jouant le rôle de conducteur cathodique,
  • une couche électriquement isolante qui recouvre ce conducteur cathodique,
  • au moins une deuxième électrode jouant le rôle de grille, formée sur la couche électriquement isolante, des trous étant formés à travers cette grille et la couche électriquement isolante au-dessus du conducteur cathodique, et
  • des micro-pointes qui sont faites d'un matériau métallique émetteur d'électrons et qui sont formées dans ces trous et portées par le conducteur cathodique,
cette source étant caractérisée en ce que chacune de ces micro-pointes est recouverte d'un dépôt principal de carbone diamant ou de type diamant ("diamond like carbon" ou DLC dans les articles en langue anglaise) formé conformément au procédé objet de l'invention.
Pour une même tension électrique de commande, la source objet de la présente invention émet plus d'électrons qu'une source à micro-pointes, du fait de l'utilisation, dans la présente invention, des dépôts de particules de carbone diamant ou de type diamant qui ont un pouvoir émissif plus élevé que des matériaux émetteurs d'électrons classiques comme par exemple le molybdène.
Ainsi, dans le cas de l'utilisation d'une source conforme à l'invention pour fabriquer par exemple un dispositif de visualisation, ce dispositif a une plus grande luminosité qu'un dispositif classique à micro-pointes (non recouvertes), pour une même tension de commande.
A luminosités égales, ce dispositif utilisant une source conforme à l'invention nécessite une tension de commande inférieure à celle qui est nécessaire à un tel dispositif classique à micro-pointes.
De plus, l'utilisation d'une source conforme à l'invention conduit à un système de type "triode" qui nécessite des tensions de commande inférieures à celles qui sont nécessaires aux dispositifs de type "diode" mentionnés plus haut, qui utilisent des couches de carbone diamant ou de type diamant.
Les dépôts principaux peuvent être faits de particules de carbone diamant ou de type diamant ou peuvent être faits de telles particules dispersées dans un métal.
Chacun de ces dépôts principaux peut être recouvert d'un dépôt secondaire d'un métal destiné à consolider ces dépôts principaux.
La présente invention concerne également un dispositif de visualisation par cathodoluminescence comprenant :
  • une source d'électrons à effet de champ, et
  • une anode cathodoluminescente comprenant une couche d'un matériau cathodoluminescent,
dispositif caractérisé en ce que la source est celle qui fait l'objet de l'invention.
On a vu plus haut les avantages d'un tel dispositif par rapport aux dispositifs connus utilisant des micro-pointes non recouvertes et aux dispositifs comprenant des couches de carbone diamant ou de type diamant.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :
  • la figure 1 est une vue en coupe schématique d'une source d'électrons conforme à la présente invention,
  • la figure 2 est une vue en coupe schématique d'un dispositif de visualisation utilisant la source de la figure 1,
  • la figure 3 illustre schématiquement un procédé de fabrication d'une source d'électrons conforme à l'invention,
  • la figure 4 illustre schématiquement la possibilité d'utiliser des trous rectangulaires pour fabriquer une source conforme à l'invention, et
  • la figure 5 illustre schématiquement un autre procédé de fabrication d'une source d'électrons conforme à l'invention.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS
La source conforme à l'invention, qui est schématiquement représentée en coupe sur la figure 1, comprend :
  • sur un substrat électriquement isolant 2, des électrodes 4 jouant le rôle de conducteurs cathodiques (un seul conducteur cathodique est visible sur la figure 1),
  • une couche électriquement isolante 6 qui recouvre chaque conducteur cathodique, et
  • des électrodes 8 jouant le rôle de grilles et formées sur la couche électriquement isolante 6 (une seule grille est visible sur la figure 1).
Des trous 10 sont formés à travers ces grilles 8 et la couche isolante 6 au-dessus des conducteurs cathodiques 4.
Des micro-pointes 12 sont formées dans les trous 10 et portées par les conducteurs cathodiques 4.
Chacune de ces micro-pointes 12 est recouverte d'un dépôt 13 de particules de carbone diamant ou de type diamant.
On précise que les conducteurs cathodiques 4 sont parallèles et que les grilles 8 sont parallèles les unes aux autres et perpendiculaires aux conducteurs cathodiques 4.
Les trous 10 et donc les micro-pointes 12 se trouvent dans les zones où ces grilles croisent les conducteurs cathodiques.
Ce sont les micro-pointes d'une telle zone, recouvertes des dépôts 13, qui émettent des électrons lorsqu'une tension électrique appropriée est appliquée, par des moyens non représentés, entre le conducteur cathodique 4 et la grille 8 qui correspondent à cette zone.
Un dispositif de visualisation par cathodoluminescence est schématiquement représenté en coupe sur la figure 2.
Ce dispositif comprend la source d'électrons 14 de la figure 1.
Le dispositif de la figure 2 comprend aussi une anode cathodoluminescente 16 placée en regard de la source 14 et séparée de celle-ci par un espace 18 dans lequel on a fait le vide.
L'anode cathodoluminescente 16 comprend un substrat électriquement isolant et transparent 20 qui est pourvu d'une couche électriquement conductrice et transparente 22 formant une anode.
Celle-ci est disposée en regard de la source d'électrons 14 et revêtue, en face de cette source, d'une couche 24 d'un matériau cathodoluminescent ou "luminophore" ("phosphor" dans les publications en langue anglaise).
Sous l'impact des électrons émis par les micro-pointes 12 de la source, recouvertes des dépôts 13, cette couche 24 émet une lumière qu'un utilisateur du dispositif de visualisation observe à travers le substrat transparent 20.
Il s'agit d'un dispositif que l'on peut comparer aux dispositifs de visualisation décrits dans les documents (1) à (4) mentionnés ci-après mais qui présente des avantages par rapport à ces dispositifs, comme on l'a vu plus haut :
  • (1) FR-A-2 593 953 correspondant à EP-A-0 234 989 et à US-A-4 857 161
  • (2) FR-A-2 623 013 correspondant à EP-A-0 316 214 et à US-A-4 940 916
  • (3) FR-A-2 663 462 correspondant à EP-A-0 461 990 et à US-A-5 194 780
  • (4) FR-A-2 687 839 correspondant à EP-A-0 558 393 et à la demande de brevet américain du 26 février 1993, numéro de série 08/022,935 (Leroux et al.).
    • On explique ci-après un procédé conforme à l'invention, permettant la fabrication de la source d'électrons de la figure 1, en se référant à la figure 3 qui illustre schématiquement ce procédé.
    Pour fabriquer cette source, on commence par fabriquer une structure comprenant :
    • le substrat 2,
    • les conducteurs cathodiques 4,
    • la couche électriquement isolante 6,
    • une couche de grille 25, qui recouvre cette couche électriquement isolante 6,
    • les trous 10 formés dans cette couche de grille 25 et la couche électriquement isolante 6,
    • les micro-pointes 12 formées dans les trous 10, sur les conducteurs cathodiques.
    La fabrication d'une telle structure est connue et, à ce sujet, on se reportera aux documents (1) à (4) mentionnés plus haut.
    On précise cependant que le diamètre D1 des trous (sensiblement circulaires) formés dans la grille 8 et dans la couche électriquement isolante 6 peut être avantageusement supérieur au diamètre des trous que comportent les sources d'électrons à micro-pointes décrites dans les documents (1) à (4).
    Par exemple, ce diamètre D1 peut prendre des valeurs de l'ordre de 1 µm jusqu'à 50 µm.
    La figure 4 illustre schématiquement le fait que les trous 10, au lieu d'avoir une forme circulaire, peuvent avoir une forme rectangulaire.
    La largeur D2 de ces trous 10 de la figure 4, de forme rectangulaire, peut être prise égale au diamètre D1 mentionné plus haut et peut donc être également nettement supérieure au diamètre des trous des sources à micro-pointes.
    Il s'agit ensuite de former, sur les micro-pointes 12, les dépôts 13 de particules de carbone diamant ou de type diamant (après quoi on formera les grilles, perpendiculairement aux conducteurs cathodiques, par gravure de la couche de grille 25).
    Pour former les dépôts 13, on utilise une poudre de carbone diamant ou de type diamant.
    Cette poudre peut être obtenue par dépôt chimique en phase vapeur, à partir d'un mélange d'hydrogène et d'hydrocarbures légers.
    Ce dépôt chimique en phase vapeur peut être assisté par un faisceau d'électrons ou être assisté par un plasma engendré par des micro-ondes.
    On peut aussi former cette poudre par un procédé de pulvérisation ultrasonore connu sous le nom de "Pyrosol", c'est-à-dire, plus précisément par pyrolyse d'un aérosol d'un composé carboné.
    On peut également synthétiser cette poudre au moyen d'un laser, c'est-à-dire, plus précisément, par dépôt chimique en phase vapeur comme précédemment mais assisté par laser.
    On peut également synthétiser la poudre par dépôt physique en phase vapeur ("physical vapour deposition"), à partir de cibles de carbone (graphite par exemple) et d'un gaz plasmagène tel que l'argon seul ou mélangé avec de l'hydrogène, des hydrocarbures, sans dopant ou avec un dopant comme par exemple le diborane.
    On peut également obtenir cette poudre par ablation laser.
    On peut également utiliser une poudre de diamant naturel.
    En variante, on peut préparer des diamants artificiels par compactage de carbone, à haute pression et haute température, puis fabriquer la poudre à partir de ces diamants artificiels.
    De préférence, ces poudres de carbone diamant et ces poudres de carbone de type diamant sont choisies de façon à avoir une granulométrie micronique ou submicronique ou nanométrique mais, bien entendu, inférieure à la taille des micro-pointes.
    Par exemple, si ces micro-pointes ont une taille de l'ordre de 1 µm, on utilise une granulométrie submicronique.
    On précise que ces poudres de carbone diamant ou de type diamant peuvent être dopées ou non dopées.
    On peut par exemple utiliser le bore en tant que dopant.
    Le dépôt de la poudre (particules de carbone diamant ou de type diamant) conduisant à la formation des dépôts 13, peut être réalisé par électrophorèse (cataphorèse ou anaphorèse), éventuellement complétée par un dépôt métallique électrochimique de consolidation, ou par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
    Dans le cas du dépôt par anaphorèse, la structure pourvue des micro-pointes 12 est placée dans une solution appropriée 26 et chaque micro-pointe 12 est portée à un potentiel positif pendant cette phase de dépôt.
    Plus précisément, les conducteurs cathodiques 4 sont portés à ce potentiel positif grâce à une source de tension appropriée 28 dont la borne positive est reliée à ces conducteurs cathodiques 4 tandis que la borne négative de cette source est reliée à une contre-électrode 32 en platine ou en acier inoxydable située dans le bain à une distance du substrat d'environ 1 à 5 cm.
    La poudre fine de particules de carbone diamant ou de type diamant est mise en suspension dans la solution 26 (avant de placer la structure dans cette solution).
    La solution 26 comporte par exemple :
    • de l'acétone,
    • un acide qui peut être de l'acide sulfurique à 8 µl par litre de solution, et
    • de la nitrocellulose qui joue le rôle de liant et de dispersant.
    L'immersion de la structure dans cette solution et l'application du potentiel positif aux micro-pointes conduit à l'obtention des dépôts 13.
    La tension fournie par la source 28 peut aller jusqu'à environ 200 V.
    Dans le cas de la cataphorèse, un potentiel négatif est appliqué aux micro-pointes.
    Plus précisément, dans ce cas, c'est la borne négative de la source 28 qui est reliée aux conducteurs cathodiques 4 tandis que la borne positive de la source 28 est reliée à une contre-électrode 32 en platine ou en acier inoxydable située dans le bain à une distance du substrat d'environ 1 à 5 cm.
    La solution 26 comporte alors par exemple :
    • de l'alcool isopropylique,
    • un liant minéral comme exemple Mg(NO3)2, 6H2O (de concentration 10-5 mole par litre), et
    • un dispersant tel que le glycérol (dont la concentration est de l'ordre de 1% en volume).
    On utilise alors une tension pouvant aller jusqu'à environ 200 V.
    On obtient le même type de dépôt que dans le cas de l'anaphorèse.
    Dans l'intention de consolider les dépôts 13 obtenus par électrophorèse, on peut, après la formation de ceux-ci, réaliser un dépôt électrochimique d'un métal par exemple choisi parmi Ni, Co, Ag, Au, Rh ou Pt ou, plus généralement, parmi les métaux de transition, les alliages de ceux-ci et les métaux précieux.
    Ceci est schématiquement illustré par la figure 5 où l'on voit la structure qui est pourvue des micro-pointes 12, recouvertes des dépôts 13, et qui est plongée dans une solution 30 permettant un tel dépôt électrochimique.
    Une tension électrique appropriée est alors appliquée entre les conducteurs cathodiques 4 et une électrode 33 placée dans cette solution, au moyen d'une source de tension 34.
    Cette électrode 33 est par exemple en nickel et la solution 30 contient par exemple 300 g/l de sulfate de nickel, 30 g/l de chlorure de nickel, 30 g/l d'acide borique et 0,6 g/l de lauryl sulfate de sodium.
    On utilise par exemple un courant électrique de 4 A/dm2.
    On voit sur la figure 5 le dépôt métallique 36 qui est formé sur chaque dépôt 13 après cette opération de dépôt électrochimique.
    On peut également former les dépôts 13 par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
    Pour ce faire, on utilise par exemple un bain contenant des ions de nickel et de la poudre de diamant en suspension dans ce bain.
    On peut utiliser jusqu'à 60% en poids de diamant en suspension dans le bain.
    On utilise une source de courant appropriée, par exemple de l'ordre de 4 A/dm2, et l'on applique la borne négative de cette source aux conducteurs cathodiques et la borne positive de cette source à une électrode de nickel placée dans le bain.
    Le nickel se dépose sur les micro-pointes 12 en entraínant avec lui les particules de diamant, d'où la formation des dépôts 13 de nickel et de diamant sur les micro-pointes 12.
    Bien entendu, les sommets des micro-pointes 12 recouvertes des dépôts 13 (éventuellement recouverts eux-mêmes d'un dépôt métallique de consolidation) se trouvent sensiblement dans le plan des grilles et sont sans contact avec ces grilles.
    On notera que les techniques précédemment décrites pour former les dépôts 13 sont sélectives : ces dépôts ne sont formés que sur les micropointes, aucun dépôt ne se formant sur les parties non polarisées de la structure comprenant les micro-pointes.

    Claims (11)

    1. Procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ, procédé selon lequel :
      on fabrique une structure comprenant un substrat électriquement isolant (2), au moins un conducteur cathodique (4) sur ce substrat, une couche électriquement isolante (6) qui recouvre chaque conducteur cathodique et une couche de grille électriquement conductrice (25) qui recouvre cette couche électriquement isolante,
      on forme des trous (10) à travers la couche de grille et la couche électriquement isolante, au niveau de chaque conducteur cathodique, et
      on forme, dans chaque trou, une micro-pointe (12) faite d'un matériau métallique émetteur d'électrons,
      ce procédé étant caractérisé en ce que chacune de ces micro-pointes (12) sont ensuite recouverte d'un dépôt principal (13) de particules de carbone diamant ou de type diamant, et les dépôts principaux (13) sont formés par électrophorèse ou par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
    2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les dépôts principaux (13) sont ensuite recouverts d'un dépôt secondaire (36) d'un métal.
    3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ce dépôt secondaire est formé par dépôt électro-chimique.
    4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les particules de carbone diamant ou de type diamant ont une taille de l'ordre de 1 µm ou de moins de 1 µm.
    5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les particules sont obtenues à partir de diamant naturel ou artificiel ou par une méthode choisie parmi la synthèse par laser, le dépôt chimique en phase vapeur et le dépôt physique en phase vapeur.
    6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les trous (10) ont une forme circulaire ou rectangulaire.
    7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la taille des trous (10) est choisie dans un intervalle allant d'environ 1 µm à plusieurs dizaines de micromètres.
    8. Source d'électrons à effet de champ, cette source comprenant :
      sur un substrat électriquement isolant (2), au moins une première électrode (4) jouant le rôle de conducteur cathodique,
      une couche électriquement isolante (6) qui recouvre ce conducteur cathodique,
      au moins une deuxième électrode (8) jouant le rôle de grille, formée sur la couche électriquement isolante, des trous (10) étant formés à travers cette grille et la couche électriquement isolante au-dessus du conducteur cathodique, et
      des micro-pointes (12) qui sont faites d'un matériau métallique émetteur d'électrons et qui sont formées dans ces trous et portées par le conducteur cathodique,
      cette source étant caractérisée en ce que chacune de ces micro-pointes est recouverte d'un dépôt principal (13) de carbone diamant ou de type diamant formé conformément au procédé selon la revendication 1.
    9. Source selon la revendication 8, caractérisée en ce que les dépôts principaux (13) sont faits de particules de carbone diamant ou de type diamant ou sont faits de telles particules dispersées dans un métal.
    10. Source selon la revendication 9, caractérisée en ce que chacun de ces dépôts principaux (13) est recouvert d'un dépôt secondaire (36) d'un métal.
    11. Dispositif de visualisation par cathodoluminescence comprenant :
      une source d'électrons (14) à effet de champ, et
      une anode cathodoluminescente (16) comprenant une couche d'un matériau cathodoluminescent (24),
      dispositif caractérisé en ce que la source (14) est conforme à l'une quelconque des revendications 8 à 10.
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    Families Citing this family (24)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    US5853492A (en) * 1996-02-28 1998-12-29 Micron Display Technology, Inc. Wet chemical emitter tip treatment
    KR100442982B1 (ko) * 1996-04-15 2004-09-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전계방출형전자원및그제조방법
    ATE279782T1 (de) * 1996-06-25 2004-10-15 Univ Vanderbilt Strukturen, anordnungen und vorrichtungen mit vakuum-feldemissions-mikrospitzen und verfahren zu deren herstellung
    US5858478A (en) * 1997-12-02 1999-01-12 The Aerospace Corporation Magnetic field pulsed laser deposition of thin films
    US5944573A (en) * 1997-12-10 1999-08-31 Bav Technologies, Ltd. Method for manufacture of field emission array
    FR2778757B1 (fr) * 1998-05-12 2001-10-05 Commissariat Energie Atomique Systeme d'inscription d'informations sur un support sensible aux rayons x
    JPH11329217A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Sony Corp 電界放出型カソードの製造方法
    JP2000021287A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Sharp Corp 電界放出型電子源及びその製造方法
    JP3595718B2 (ja) 1999-03-15 2004-12-02 株式会社東芝 表示素子およびその製造方法
    US6935917B1 (en) * 1999-07-16 2005-08-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Discharge surface treating electrode and production method thereof
    US6342755B1 (en) * 1999-08-11 2002-01-29 Sony Corporation Field emission cathodes having an emitting layer comprised of electron emitting particles and insulating particles
    US6462467B1 (en) * 1999-08-11 2002-10-08 Sony Corporation Method for depositing a resistive material in a field emission cathode
    US6384520B1 (en) * 1999-11-24 2002-05-07 Sony Corporation Cathode structure for planar emitter field emission displays
    KR100480771B1 (ko) * 2000-01-05 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 전계방출소자 및 그 제조방법
    KR100464314B1 (ko) * 2000-01-05 2004-12-31 삼성에스디아이 주식회사 전계방출소자 및 그 제조방법
    JP3737696B2 (ja) 2000-11-17 2006-01-18 株式会社東芝 横型の電界放出型冷陰極装置の製造方法
    FR2843241A1 (fr) * 2002-07-31 2004-02-06 Framatome Connectors Int Dispositif de retention de contact ameliore
    US8048789B2 (en) * 2005-04-26 2011-11-01 Northwestern University Mesoscale pyramids, arrays and methods of preparation
    JP2007273270A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp 電界放出型表示装置およびその製造方法
    EP1884978B1 (fr) * 2006-08-03 2011-10-19 Creepservice S.à.r.l. Procédé pour la revêtement des substrats avec des couches de carbone de type diamant
    US20100261058A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Applied Materials, Inc. Composite materials containing metallized carbon nanotubes and nanofibers
    GB2482728A (en) * 2010-08-13 2012-02-15 Element Six Production Pty Ltd Polycrystalline superhard layer made by electrophoretic deposition
    TWI435360B (zh) * 2011-10-17 2014-04-21 Au Optronics Corp 場發射顯示器及其顯示陣列基板的製造方法
    CN107098342A (zh) * 2017-04-07 2017-08-29 河南黄河旋风股份有限公司 金刚石粉体分离装置和分离方法

    Family Cites Families (18)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    US2293593A (en) 1941-07-25 1942-08-18 Albert Shelby Hair treating apparatus
    US4084942A (en) * 1975-08-27 1978-04-18 Villalobos Humberto Fernandez Ultrasharp diamond edges and points and method of making
    FR2593953B1 (fr) 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
    FR2623013A1 (fr) 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
    JPH0275902A (ja) * 1988-09-13 1990-03-15 Seiko Instr Inc ダイヤモンド探針及びその成形方法
    FR2663462B1 (fr) 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
    US5141460A (en) * 1991-08-20 1992-08-25 Jaskie James E Method of making a field emission electron source employing a diamond coating
    US5129850A (en) * 1991-08-20 1992-07-14 Motorola, Inc. Method of making a molded field emission electron emitter employing a diamond coating
    US5199918A (en) * 1991-11-07 1993-04-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of forming field emitter device with diamond emission tips
    US5180951A (en) * 1992-02-05 1993-01-19 Motorola, Inc. Electron device electron source including a polycrystalline diamond
    US5252833A (en) * 1992-02-05 1993-10-12 Motorola, Inc. Electron source for depletion mode electron emission apparatus
    US5290610A (en) * 1992-02-13 1994-03-01 Motorola, Inc. Forming a diamond material layer on an electron emitter using hydrocarbon reactant gases ionized by emitted electrons
    FR2687839B1 (fr) 1992-02-26 1994-04-08 Commissariat A Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ utilisant cette source.
    US5278475A (en) * 1992-06-01 1994-01-11 Motorola, Inc. Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites
    EP0691032A1 (fr) * 1993-03-11 1996-01-10 Fed Corporation Structure de tete d'emetteur, dispositif d'emission de champ comprenant cette structure et procede associe
    KR100314830B1 (ko) * 1994-07-27 2002-02-28 김순택 전계방출표시장치의제조방법
    US5623180A (en) * 1994-10-31 1997-04-22 Lucent Technologies Inc. Electron field emitters comprising particles cooled with low voltage emitting material
    US5616368A (en) * 1995-01-31 1997-04-01 Lucent Technologies Inc. Field emission devices employing activated diamond particle emitters and methods for making same

    Also Published As

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