EP0712146B1 - Source d'électrons à effet de champ et procédé de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence - Google Patents

Source d'électrons à effet de champ et procédé de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence Download PDF

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EP0712146B1
EP0712146B1 EP95402450A EP95402450A EP0712146B1 EP 0712146 B1 EP0712146 B1 EP 0712146B1 EP 95402450 A EP95402450 A EP 95402450A EP 95402450 A EP95402450 A EP 95402450A EP 0712146 B1 EP0712146 B1 EP 0712146B1
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EP
European Patent Office
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diamond
electrically insulating
source
carbon
holes
Prior art date
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EP95402450A
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German (de)
English (en)
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EP0712146A1 (fr
Inventor
Joel Danroc
Danh Van Tran
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
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    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
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    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30457—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Definitions

  • the present invention relates to a source of field effect electrons.
  • the invention has the same fields of application than electron sources with microtips ("microtips").
  • the present invention applies to the field of display devices dishes also called “flat screens”, as well as manufacture of pressure measurement gauges.
  • a source of microtip electrons includes at least one cathode conductor on a substrate electrically insulating, an electrically insulating layer which covers this cathode conductor and at least one grid formed on this electrically insulating layer.
  • Holes are formed through the grid and the insulating layer above the cathode conductor.
  • micro-tips are formed in these holes and carried by the cathode conductor.
  • each micro-tip is substantially in the plane of the grid, this grid used to extract electrons from micro-tips.
  • the holes have very small dimensions (they have a diameter less than 2 ⁇ m).
  • These other known display devices include a cathodoluminescent anode placed opposite of an electron source comprising carbon layers diamond or diamond-like intended to emit electrons.
  • Diamond or diamond carbon emits electrons much more easily than materials conventionally used for the manufacture of micro-tips.
  • the minimum electric field from which one can obtain an electron emission can be twenty times lower that the minimum electric field corresponding to metals such as molybdenum.
  • the deposits obtained are continuous layers and not micro-tips.
  • the object of the present invention is to remedy to the previous drawbacks.
  • micro-cluster is meant a micro-heap composed of diamond or type carbon powder grains diamonds who are in direct contact with their closest neighbors and / or linked together by a metal.
  • the source object of the present invention emits more of electrons than a microtip source, due to the use, in the present invention, of particles carbon diamond or diamond type that have power higher emissivity than electron emitting materials conventional such as molybdenum.
  • this device has a more greater brightness than a micro-tip device, for same control voltage.
  • this device using a source according to the invention requires a voltage of order less than that required for a micro-tip device.
  • the micro-clusters can be made of diamond carbon particles or diamond type where such particles can be made dispersed in a metal.
  • the micro-clusters can be linked by a deposit of a metal intended to consolidate these micro-clusters, the particles of diamond or diamond-like carbon emerging from this deposit at the surface of micro-clusters.
  • the process which is the subject of the invention can be implemented used with large surface substrates and allows thus obtaining electron sources (and therefore screens large area (several dozen inches diagonally).
  • the temperature at which we form micro-clusters is close to room temperature (around 20 ° C).
  • baths that are necessary for the implementation of the process which is the subject of the invention have a long service life (several months).
  • the micro-clusters formed by electrophoresis are then linked using a metal by electrochemical deposition, in order to consolidate these micro-clusters.
  • the carbon particles diamond or diamond type have a size of around 1 ⁇ m or less than 1 ⁇ m.
  • These particles can be obtained at from natural or artificial diamond or by a method chosen from laser synthesis, deposition chemical vapor phase and physical phase deposition steam.
  • the holes formed through the grid layer and the electrically insulating layer can have a circular or rectangular shape.
  • the size of these holes can be chosen in an interval of approximately 1 ⁇ m to several tens of micrometers.
  • micro-clusters are formed according to the process object of the invention is comparable to the structure in which the micro-tips to make a micro-tip source.
  • the size of the holes that we form in the structure to implement the process subject of the invention may be significantly greater than that which is necessary for the implementation of a process manufacturing a micro-tip source.
  • Holes 10 are formed through these grids 8 and the insulating layer 6 above the cathode conductors 4.
  • Micro-clusters 12 containing particles carbon diamond or diamond type, are formed in the holes 10 and carried by the cathode conductors 4.
  • cathode conductors 4 are parallel and the grids 8 are parallel to each other and perpendicular to the conductors cathodic 4.
  • the holes 10 and therefore the micro-clusters 12 are found in the areas where these grids cross the cathode conductors.
  • micro-clusters in such an area that emit electrons when an electrical voltage appropriate is applied, by means not shown, between the cathode conductor 4 and the grid 8 which correspond to this zone.
  • a display device by cathodoluminescence is schematically represented in section in Figure 2.
  • This device includes the source of electrons 14 in Figure 1.
  • the device of Figure 2 also includes a cathodoluminescent anode 16 placed opposite the source 14 and separated from it by a space 18 in which we made the vacuum.
  • the cathodoluminescent anode 16 comprises a electrically insulating and transparent substrate 20 which is provided with an electrically conductive layer and transparent 22 forming an anode.
  • this layer 24 emits a light that a user of the device visualization observed through the transparent substrate 20.
  • the diameter D1 of holes (substantially circular) formed in the grid 8 and in the electrically insulating layer 6 can be advantageously greater than the diameter of the holes than contain micro-point electron sources described in documents (1) to (4).
  • this diameter D1 can take values on the order of 1 ⁇ m up to 20 ⁇ m.
  • Figure 4 schematically illustrates the makes the holes 10, instead of having a shape circular, may have a rectangular shape.
  • the width D2 of these holes 10 in the figure 4, rectangular, can be taken equal to diameter D1 mentioned above and can therefore be also significantly larger than the diameter of the holes micro-tip sources.
  • micro-clusters 12 we use diamond or diamond-like carbon powder.
  • This powder can be obtained by deposit chemical vapor phase, from a mixture hydrogen and light hydrocarbons.
  • This chemical vapor deposition can be assisted by an electron beam or be assisted by a plasma generated by microwaves.
  • the powder can also be synthesized by physical vapor deposition ("physical vapor” deposition "), from carbon targets (graphite for example) and a plasma gas such as argon alone or mixed with hydrogen, hydrocarbons without dopant or with a dopant like for example the diborane.
  • physical vapor deposition from carbon targets (graphite for example) and a plasma gas such as argon alone or mixed with hydrogen, hydrocarbons without dopant or with a dopant like for example the diborane.
  • This powder can also be obtained by laser ablation.
  • diamonds can be prepared carbon compression, high pressure and high temperature, then make the powder from of these artificial diamonds.
  • these carbon powders diamond and these diamond-like carbon powders are chosen so as to have a micronic particle size or submicron, preferably nanometric.
  • these carbon powders diamond or diamond type can be doped or not doped.
  • the deposition of the powder (particles of diamond or diamond type) leading to the formation of micro-clusters 12 in holes 10, on the cathode conductors 4, can be realized by electrophoresis (cataphoresis or anaphoresis), possibly supplemented by a metallic deposit electrochemical consolidation, or by co-deposit electrochemical of metal and carbon diamond or diamond type.
  • the structure provided with holes 10 is placed in a appropriate solution 26 and the bottom of each hole 10 is brought to positive potential during this phase of deposit.
  • drivers cathodics 4 are brought to this positive potential thanks to a suitable voltage source 28 whose terminal positive is connected to these cathode conductors 4 while the negative terminal of this source is connected to a platinum or steel counter electrode 32 stainless steel located in the bath at a distance from substrate about 1 to 5 cm.
  • the fine powder of carbon particles diamond or diamond type is suspended in solution 26 (before placing the structure in this solution).
  • the voltage supplied by the source 28 can go up to around 200 V.
  • this is the source 28 negative terminal which is connected to cathode conductors 4 while the positive terminal of the source 28 is connected to a counter-electrode 32 in platinum or stainless steel located in the bath a distance from the substrate of about 1 to 5 cm.
  • electrochemical deposition of a metal by example chosen from Ni, Co, Ag, Au, Rh or Pt or, more generally, among transition metals, alloys thereof and precious metals.
  • This electrode 33 is for example in nickel and solution 30 contains for example 300 g / l nickel sulfate, 30 g / l nickel chloride, 30 g / l of boric acid and 0.6 g / l of lauryl sulfate sodium.
  • an electric current of 4 A / dm 2 is used .
  • micro-clusters by electrochemical co-deposit of metal and carbon diamond or diamond type.
  • An appropriate current source is used, for example of the order of 4 A / dm 2 , and the negative terminal of this source is applied to the cathode conductors and the positive terminal of this source to a nickel electrode placed in the bath.
  • Nickel is deposited in the holes in bringing with it the diamond particles, hence the formation of nickel and diamond micro-clusters in these holes.
  • the tops of the micro-clusters are found substantially in the plane of the grids and these micro-clusters are not in contact with these grids.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Description

DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention concerne une source d'électrons à effet de champ.
L'invention a les mêmes domaines d'application que les sources d'électrons à micro-pointes ("microtips").
En particulier, la présente invention s'applique au domaine des dispositifs de visualisation plats encore appelés "écrans plats", ainsi qu'à la fabrication de jauges de mesure de pression.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
On connaít déjà des sources d'électrons à effet de champ.
Ce sont les sources d'électrons à micro-pointes mentionnées plus haut.
Une source d'électrons à micro-pointes comprend au moins un conducteur cathodique sur un substrat électriquement isolant, une couche électriquement isolante qui recouvre ce conducteur cathodique et au moins une grille formée sur cette couche électriquement isolante.
Des trous sont formés à travers la grille et la couche isolante au-dessus du conducteur cathodique.
Les micro-pointes sont formées dans ces trous et portées par le conducteur cathodique.
Le sommet de chaque micro-pointe se trouve sensiblement dans le plan de la grille, cette grille servant à extraire des électrons des micro-pointes.
Les trous ont de très petites dimensions (ils ont un diamètre inférieur à 2 µm).
Pour réaliser un dispositif de visualisation utilisant une telle source d'électrons à micro-pointes, on réalise un système de type "triode".
Plus précisément, on dispose, en face de la source, une anode cathodoluminescente.
Les électrons issus de la source viennent bombarder cette anode cathodoluminescente.
On connaít également d'autres dispositifs de visualisation ayant une structure de type "diode".
Ces autres dispositifs de visualisation connus comprennent une anode cathodoluminescente placée en regard d'une source d'électrons comprenant des couches de carbone diamant ou de type diamant destinées à émettre des électrons.
Ces couches sont obtenues par ablation laser ou par dépôt chimique en phase vapeur ("chemical vapour deposition").
Le carbone diamant ou de type diamant émet beaucoup plus facilement des électrons que les matériaux classiquement utilisés pour la fabrication des micro-pointes.
Avec le carbone diamant ou de type diamant, le champ électrique minimal à partir duquel on peut obtenir une émission d'électrons peut être vingt fois plus faible que le champ électrique minimal correspondant à des métaux comme par exemple le molybdène.
Malheureusement, le dépôt des couches de carbone diamant ou de type diamant, avec les méthodes mentionnées plus haut, a lieu à haute température (de l'ordre de 700°C).
De plus, il est impossible d'obtenir directement des micro-pointes par ces méthodes.
Les dépôts obtenus sont des couches continues et non pas des micro-pointes.
Les dispositifs de visualisation qui en résultent sont, comme on l'a vu plus haut, de type "diode", ce qui pose un problème en ce qui concerne leur adressage.
Il faut en effet réaliser des systèmes électroniques d'adressage permettant d'appliquer des tensions de l'ordre de plusieurs centaines de volts à ces dispositifs.
De plus, la température élevée à laquelle sont formées les couches de carbone diamant ou de type diamant interdit l'utilisation de verre standard en tant que substrat destiné à porter ces couches.
EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents.
Elle a pour objet une source d'électrons à effet de champ, cette source comprenant :
  • sur un substrat électriquement isolant, au moins une première électrode jouant le rôle de conducteur cathodique,
  • une couche électriquement isolante qui recouvre ce conducteur cathodique,
  • au moins une deuxième électrode jouant le rôle de grille, formée sur la couche électriquement isolante, des trous étant formés à travers cette grille et la couche électriquement isolante au-dessus du conducteur cathodique, et
  • des éléments qui sont susceptibles d'émettre des électrons et qui sont formés dans ces trous et portés par le conducteur cathodique,
cette source étant caractérisée en ce que ces éléments sont des micro-amas contenant des particules de carbone diamant ou de type diamant ("diamond like carbon" ou DLC dans les articles en langue anglaise).
Par "micro-amas", on entend un micro-tas composé de grains de poudre de carbone diamant ou de type diamant qui sont en contact direct avec leurs plus proches voisins et/ou liés entre eux par un métal.
Pour une même tension électrique de commande, la source objet de la présente invention émet plus d'électrons qu'une source à micro-pointes, du fait de l'utilisation, dans la présente invention, des particules de carbone diamant ou de type diamant qui ont un pouvoir émissif plus élevé que des matériaux émetteurs d'électrons classiques comme par exemple le molybdène.
Ainsi, dans le cas de l'utilisation d'une source conforme à l'invention pour fabriquer par exemple un dispositif de visualisation, ce dispositif a une plus grande luminosité qu'un dispositif à micro-pointes, pour même tension de commande.
A luminosités égales, ce dispositif utilisant une source conforme à l'invention nécessite une tension de commande inférieure à celle qui est nécessaire à un dispositif à micro-pointes.
De plus, l'utilisation d'une source conforme à l'invention conduit à un système de type "triode" qui nécessite des tensions de commande inférieures à celles qui sont nécessaires aux dispositifs de type "diode" mentionnés plus haut, qui utilisent des couches de carbone diamant ou de type diamant.
Dans la présente invention, les micro-amas peuvent être faits de particules de carbone diamant ou de type diamant ou peuvent être faits de telles particules dispersées dans un métal.
Dans la source objet de l'invention, les micro-amas peuvent être liés par un dépôt d'un métal destiné à consolider ces micro-amas, les particules de carbone diamant ou de type diamant émergeant de ce dépôt à la surface des micro-amas.
La présente invention concerne également un dispositif de visualisation par cathodoluminescence comprenant :
  • une source d'électrons à effet de champ, et
  • une anode cathodoluminescente comprenant une couche d'un matériau cathodoluminescent,
dispositif caractérisé en ce que la source est celle qui fait l'objet de l'invention.
On a vu plus haut les avantages d'un tel dispositif par rapport aux dispositifs connus utilisant des micro-pointes et aux dispositifs comprenant des couches de carbone diamant ou de type diamant.
La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ, procédé selon lequel :
  • on fabrique une structure comprenant un substrat électriquement isolant, au moins un conducteur cathodique sur ce substrat, une couche électriquement isolante qui recouvre chaque conducteur cathodique et une couche de grille électriquement conductrice qui recouvre cette couche électriquement isolante,
  • on forme des trous à travers la couche de grille et la couche électriquement isolante, au niveau de chaque conducteur cathodique, et
  • on forme, dans chaque trou, un élément susceptible d'émettre des électrons,
ce procédé étant caractérisé en ce que les éléments sont des micro-amas qui contiennent des particules de carbone diamant ou de type diamant et sont formés par électrophorèse ou par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
Le procédé objet de l'invention peut être mis en oeuvre avec des substrats de grande surface et permet ainsi l'obtention de sources d'électrons (et donc d'écrans de visualisation) de grande surface (plusieurs dizaines de pouces de diagonale).
De plus, dans le procédé objet de l'invention, la température à laquelle on forme les micro-amas est voisine de la température ambiante (de l'ordre de 20°C).
Il est ainsi possible d'utiliser, pour fabriquer une source conforme à l'invention, un substrat en verre ordinaire (sodocalcique), sans précautions particulières.
On notera aussi que le procédé objet de l'invention est plus simple que le procédé de fabrication des sources à micro-pointes car, contrairement à ce dernier, il n'utilise ni couche sacrificielle ("lift off layer") ni dépôt sous vide.
En outre, les bains qui sont nécessaires pour la mise en oeuvre du procédé objet de l'invention ont une durée de vie importante (plusieurs mois).
Selon un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, les micro-amas formés par électrophorèse sont ensuite liés à l'aide d'un métal par dépôt électrochimique, afin de consolider ces micro-amas.
De préférence, les particules de carbone diamant ou de type diamant ont une taille de l'ordre de 1 µm ou de moins de 1 µm.
Préférentiellement on utilise des poudres nanométriques.
Ces particules peuvent être obtenues à partir de diamant naturel ou artificiel ou par une méthode choisie parmi la synthèse par laser, le dépôt chimique en phase vapeur et le dépôt physique en phase vapeur.
Les trous formés à travers la couche de grille et la couche électriquement isolante peuvent avoir une forme circulaire ou rectangulaire.
La taille de ces trous peut être choisie dans un intervalle allant d'environ 1 µm jusqu'à plusieurs dizaines de micromètres.
La structure dans laquelle on forme les micro-amas conformément au procédé objet de l'invention est comparable à la structure dans laquelle on forme les micro-pointes pour fabriquer une source à micro-pointes.
En revanche, la taille des trous que l'on forme dans la structure pour mettre en oeuvre le procédé objet de l'invention peut être nettement supérieure à celle qui est nécessaire à la mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'une source à micro-pointes.
Ceci est très avantageux compte tenu des difficultés liées à l'obtention de trous calibrés de petite taille (inférieure à 2 µm) sur de grandes surfaces.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :
  • la figure 1 est une vue en coupe schématique d'une source d'électrons conforme à la présente invention,
  • la figure 2 est une vue en coupe schématique d'un dispositif de visualisation utilisant la source de la figure 1,
  • la figure 3 illustre schématiquement un procédé de fabrication d'une source d'électrons conforme à l'invention,
  • la figure 4 illustre schématiquement la possibilité d'utiliser des trous rectangulaires pour fabriquer une source conforme à l'invention, et
  • la figure 5 illustre schématiquement un autre procédé de fabrication d'une source d'électrons conforme à l'invention.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS
La source conforme à l'invention, qui est schématiquement représentée en coupe sur la figure 1, comprend :
  • sur un substrat électriquement isolant 2, des électrodes 4 jouant le rôle de conducteurs cathodiques (un seul conducteur cathodique est visible sur la figure 1),
  • une couche électriquement isolante 6 qui recouvre chaque conducteur cathodique, et
  • des électrodes 8 jouant le rôle de grilles et formées sur la couche électriquement isolante 6 (une seule grille est visible sur la figure 1).
Des trous 10 sont formés à travers ces grilles 8 et la couche isolante 6 au-dessus des conducteurs cathodiques 4.
Des micro-amas 12 contenant des particules de carbone diamant ou de type diamant, sont formés dans les trous 10 et portés par les conducteurs cathodiques 4.
On précise que les conducteurs cathodiques 4 sont parallèles et que les grilles 8 sont parallèles les unes aux autres et perpendiculaires aux conducteurs cathodiques 4.
Les trous 10 et donc les micro-amas 12 se trouvent dans les zones où ces grilles croisent les conducteurs cathodiques.
Ce sont les micro-amas d'une telle zone qui émettent des électrons lorsqu'une tension électrique appropriée est appliquée, par des moyens non représentés, entre le conducteur cathodique 4 et la grille 8 qui correspondent à cette zone.
Un dispositif de visualisation par cathodoluminescence est schématiquement représenté en coupe sur la figure 2.
Ce dispositif comprend la source d'électrons 14 de la figure 1.
Le dispositif de la figure 2 comprend aussi une anode cathodoluminescente 16 placée en regard de la source 14 et séparée de celle-ci par un espace 18 dans lequel on a fait le vide.
L'anode cathodoluminescente 16 comprend un substrat électriquement isolant et transparent 20 qui est pourvu d'une couche électriquement conductrice et transparente 22 formant une anode.
Celle-ci est disposée en regard de la source d'électrons 14 et revêtue, en face de cette source, d'une couche 24 d'un matériau cathodoluminescent ou "luminophore" ("phosphor" dans les publications en langue anglaise).
Sous l'impact des électrons émis par les micro-amas 12 de la source, cette couche 24 émet une lumière qu'un utilisateur du dispositif de visualisation observe à travers le substrat transparent 20.
Il s'agit d'un dispositif que l'on peut comparer aux dispositifs de visualisation décrits dans les documents (1) à (4) mentionnés ci-après mais qui présente des avantages par rapport à ces dispositifs, comme on l'a vu plus haut :
  • (1) FR-A-2 593 953 correspondant à EP-A-0 234 989 et à US-A-4 857 161
  • (2) FR-A-2 623 013 correspondant à EP-A-0 316 214 et à US-A-4 940 916
  • (3) FR-A-2 663 462 correspondant à EP-A-0 461 990 et à US-A-5 194 780
  • (4) FR-A-2 687 839 correspondant à EP-A-0 558 393 et à la demande de brevet américain du 26 février 1993, numéro de série 08/022,935 (Leroux et al.).
    • On explique ci-après un procédé de fabrication de la source d'électrons de la figure 1 en se référant à la figure 3 qui illustre schématiquement ce procédé.
    Pour fabriquer cette source, on commence par fabriquer une structure comprenant :
    • le substrat 2,
    • les conducteurs cathodiques 4,
    • la couche électriquement isolante 6,
    • une couche de grille 25, qui recouvre cette couche électriquement isolante 6, et
    • les trous 10 formés dans cette couche de grille 25 et la couche électriquement isolante 6.
    La fabrication d'une telle structure est connue et, à ce sujet, on se reportera aux documents (1) à (4) mentionnés plus haut.
    On précise cependant que le diamètre D1 des trous (sensiblement circulaires) formés dans la grille 8 et dans la couche électriquement isolante 6 peut être avantageusement supérieur au diamètre des trous que comportent les sources d'électrons à micro-pointes décrites dans les documents (1) à (4).
    Par exemple, ce diamètre D1 peut prendre des valeurs de l'ordre de 1 µm jusqu'à 20 µm.
    La figure 4 illustre schématiquement le fait que les trous 10, au lieu d'avoir une forme circulaire, peuvent avoir une forme rectangulaire.
    La largeur D2 de ces trous 10 de la figure 4, de forme rectangulaire, peut être prise égale au diamètre D1 mentionné plus haut et peut donc être également nettement supérieure au diamètre des trous des sources à micro-pointes.
    Il s'agit ensuite de former dans les trous 10 les micro-amas 12 de carbone diamant ou de type diamant (après quoi on formera les grilles, perpendiculairement aux conducteurs cathodiques, par gravure de la couche de grille 25).
    Pour former les micro-amas 12, on utilise une poudre de carbone diamant ou de type diamant.
    Cette poudre peut être obtenue par dépôt chimique en phase vapeur, à partir d'un mélange d'hydrogène et d'hydrocarbures légers.
    Ce dépôt chimique en phase vapeur peut être assisté par un faisceau d'électrons ou être assisté par un plasma engendré par des micro-ondes.
    On peut également synthétiser cette poudre au moyen d'un laser, c'est-à-dire, plus précisément, par dépôt chimique en phase vapeur comme précédemment mais assisté par laser.
    On peut également synthétiser la poudre par dépôt physique en phase vapeur ("physical vapour deposition"), à partir de cibles de carbone (graphite par exemple) et d'un gaz plasmagène tel que l'argon seul ou mélangé avec de l'hydrogène, des hydrocarbures sans dopant ou avec un dopant comme par exemple le diborane.
    On peut également obtenir cette poudre par ablation laser.
    On peut également utiliser une poudre de diamant naturel.
    En variante, on peut préparer des diamants artificiels par compactage de carbone, à haute pression et haute température, puis fabriquer la poudre à partir de ces diamants artificiels.
    De préférence, ces poudres de carbone diamant et ces poudres de carbone de type diamant sont choisies de façon à avoir une granulométrie micronique ou submicronique, de préférence nanométrique.
    On précise que ces poudres de carbone diamant ou de type diamant peuvent être dopées ou non dopées.
    On peut par exemple utiliser le bore en tant que dopant.
    Le dépôt de la poudre (particules de carbone diamant ou de type diamant) conduisant à la formation des micro-amas 12 dans les trous 10, sur les conducteurs cathodiques 4, peut être réalisé par électrophorèse (cataphorèse ou anaphorèse), éventuellement complétée par un dépôt métallique électrochimique de consolidation, ou par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
    Dans le cas du dépôt par anaphorèse, la structure pourvue des trous 10 est placée dans une solution appropriée 26 et le fond de chaque trou 10 est porté à un potentiel positif pendant cette phase de dépôt.
    Plus précisément, les conducteurs cathodiques 4 sont portés à ce potentiel positif grâce à une source de tension appropriée 28 dont la borne positive est reliée à ces conducteurs cathodiques 4 tandis que la borne négative de cette source est reliée à une contre-électrode 32 en platine ou en acier inoxydable située dans le bain à une distance du substrat d'environ 1 à 5 cm.
    La poudre fine de particules de carbone diamant ou de type diamant est mise en suspension dans la solution 26 (avant de placer la structure dans cette solution).
    La solution 26 comporte par exemple :
    • de l'acétone,
    • un acide qui peut être de l'acide sulfurique à 8 µl par litre de solution, et
    • de la nitrocellulose qui joue le rôle de liant et de dispersant.
    L'immersion de la structure dans cette solution et l'application du potentiel positif au fond des trous conduit à l'obtention des micro-amas 12.
    La tension fournie par la source 28 peut aller jusqu'à environ 200 V.
    Dans le cas de la cataphorèse, un potentiel négatif est appliqué au fond des trous.
    Plus précisément, dans ce cas, c'est la borne négative de la source 28 qui est reliée aux conducteurs cathodiques 4 tandis que la borne positive de la source 28 est reliée à une contre-électrode 32 en platine ou en acier inoxydable située dans le bain à une distance du substrat d'environ 1 à 5 cm.
    La solution 26 comporte alors par exemple :
    • de l'alcool isopropylique,
    • un liant minéral comme exemple Mg(NO3)2, 6H2O (de concentration 10-5 mole par litre), et
    • un dispersant tel que le glycérol (dont la concentration est de l'ordre de 1% en volume).
    On utilise alors une tension pouvant aller jusqu'à 200 V environ.
    On obtient le même type de dépôt que dans le cas de l'anaphorèse.
    Dans l'intention de consolider le dépôt obtenu par électrophorèse, on peut, après celui-ci, réaliser un dépôt électrochimique d'un métal par exemple choisi parmi Ni, Co, Ag, Au, Rh ou Pt ou, plus généralement, parmi les métaux de transition, les alliages de ceux-ci et les métaux précieux.
    Ceci est schématiquement illustré par la figure 5 où l'on voit la structure pourvue des micro-amas 12 et plongée dans une solution 30 permettant un tel dépôt électrochimique.
    Une tension électrique appropriée est alors appliquée entre les conducteurs cathodiques 4 et une électrode 33 placée dans cette solution, au moyen d'une source de tension 34.
    Cette électrode 33 est par exemple en nickel et la solution 30 contient par exemple 300 g/l de sulfate de nickel, 30 g/l de chlorure de nickel, 30 g/l d'acide borique et 0,6 g/l de lauryl sulfate de sodium.
    On utilise par exemple un courant électrique de 4 A/dm2.
    On voit sur la figure 5 le dépôt métallique 36 qui est formé sur chaque micro-amas 12 après cette opération de dépôt électrochimique, laissant apparaítre des parties émergeantes des particules du micro-amas.
    On peut également former les micro-amas par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
    Pour ce faire, on utilise par exemple un bain contenant des ions de nickel et de la poudre de diamant en suspension dans ce bain.
    On peut utiliser jusqu'à 60% en poids de diamant en suspension dans le bain.
    On utilise une source de courant appropriée, par exemple de l'ordre de 4 A/dm2, et l'on applique la borne négative de cette source aux conducteurs cathodiques et la borne positive de cette source à une électrode de nickel placée dans le bain.
    Le nickel se dépose dans les trous en entraínant avec lui les particules de diamant, d'où la formation de micro-amas de nickel et de diamant dans ces trous.
    Bien entendu, les sommets des micro-amas (éventuellement recouverts d'un dépôt métallique de consolidation) se trouvent sensiblement dans le plan des grilles et ces micro-amas sont sans contact avec ces grilles.

    Claims (10)

    1. Source d'électrons à effet de champ, cette source comprenant :
      sur un substrat électriquement isolant (2), au moins une première électrode (4) jouant le rôle de conducteur cathodique,
      une couche électriquement isolante (6) qui recouvre ce conducteur cathodique,
      au moins une deuxième électrode (8) jouant le rôle de grille, formée sur la couche électriquement isolante, des trous (10) étant formés à travers cette grille et la couche électriquement isolante au-dessus du conducteur cathodique, et
      des éléments (12) qui sont susceptibles d'émettre des électrons et qui sont formés dans ces trous et portés par le conducteur cathodique,
      cette source étant caractérisée en ce que ces éléments sont des micro-amas (12) composé de grains de poudre de carbone diamant ou de type diamant qui sont en contact direct avec leurs plus proches voisins et/ou liés entre eux par un métal.
    2. Source selon la revendication 1, caractérisée en ce que les micro-amas (12) sont faits de particules de carbone diamant ou de type diamant ou sont faits de telles particules dispersées dans un métal.
    3. Source selon la revendication 2, caractérisée en ce que ces micro-amas (12) sont liés par un dépôt d'un métal, les particules de carbone diamant ou de type diamant émergeant de ce dépôt à la surface des micro-amas.
    4. Dispositif de visualisation par cathodoluminescence comprenant :
      une source d'électrons (14) à effet de champ, et
      une anode cathodoluminescente (16) comprenant une couche d'un matériau cathodoluminescent (24), dispositif caractérisé en ce que la source (14) est conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 3.
    5. Procédé de fabrication d'une source d'électrons à effet de champ, procédé selon lequel :
      on fabrique une structure comprenant un substrat électriquement isolant (2), au moins un conducteur cathodique (4) sur ce substrat, une couche électriquement isolante (6) qui recouvre chaque conducteur cathodique et une couche de grille électriquement conductrice (25) qui recouvre cette couche électriquement isolante,
      on forme des trous (10) à travers la couche de grille et la couche électriquement isolante, au niveau de chaque conducteur cathodique, et
      on forme, dans chaque trou, un élément (12) susceptible d'émettre des électrons,
      ce procédé étant caractérisé en ce que les éléments sont des micro-amas (12) composé de grains de poudre de carbone diamant ou de type diamant qui sont en contact direct avec leurs plus proches voisins et/ou liés entre eux par un métal et sont formés par électrophorèse ou par co-dépôt électrochimique de métal et de carbone diamant ou de type diamant.
    6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que les micro-amas (12) formés par électrophorèse sont ensuite liés à l'aide d'un métal par dépôt électrochimique.
    7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que les particules de carbone diamant ou de type diamant ont une taille de l'ordre de 1 µm ou de moins de 1 µm.
    8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les particules sont obtenues à partir de diamant naturel ou artificiel ou par une méthode choisie parmi la synthèse par laser, le dépôt chimique en phase vapeur et le dépôt physique en phase vapeur.
    9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé en ce que les trous (10) ont une forme circulaire ou rectangulaire.
    10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, caractérisé en ce que la taille des trous (10) est choisie dans un intervalle allant d'environ 1 µm à plusieurs dizaines de micromètres.
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    Families Citing this family (23)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    WO1997018576A1 (fr) * 1995-11-15 1997-05-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Emetteurs de champ en poudres de diamant et cathodes d'emission de champ produites a partir de ces poudres
    CN1202271A (zh) * 1995-11-15 1998-12-16 纳幕尔杜邦公司 利用颗粒状场致发射材料制造场致发射阴极的方法
    GB2322471A (en) * 1997-02-24 1998-08-26 Ibm Self stabilising cathode
    WO1999040601A1 (fr) * 1998-02-09 1999-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif emetteur d'electrons, son procede de production, et son procede d'excitation; afficheur d'images comprenant ledit emetteur d'electrons et son procede de fabrication
    JPH11329217A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Sony Corp 電界放出型カソードの製造方法
    JP2000182508A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Sony Corp 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法
    JP3595718B2 (ja) * 1999-03-15 2004-12-02 株式会社東芝 表示素子およびその製造方法
    JP2000306492A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Hitachi Powdered Metals Co Ltd 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法
    EP1073090A3 (fr) * 1999-07-27 2003-04-16 Iljin Nanotech Co., Ltd. Dispositif d'affichage à émission de champ utilisant des nanotubes de carbone, et procédé de fabrication
    JP2001043790A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子の製造方法及び冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
    US6342755B1 (en) * 1999-08-11 2002-01-29 Sony Corporation Field emission cathodes having an emitting layer comprised of electron emitting particles and insulating particles
    GB9919737D0 (en) * 1999-08-21 1999-10-20 Printable Field Emitters Limit Field emitters and devices
    US6384520B1 (en) 1999-11-24 2002-05-07 Sony Corporation Cathode structure for planar emitter field emission displays
    JP2001185019A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Powdered Metals Co Ltd 電界放出型カソード、電子放出装置、及び電子放出装置の製造方法
    JP3953276B2 (ja) * 2000-02-04 2007-08-08 株式会社アルバック グラファイトナノファイバー、電子放出源及びその作製方法、該電子放出源を有する表示素子、並びにリチウムイオン二次電池
    JP3730476B2 (ja) 2000-03-31 2006-01-05 株式会社東芝 電界放出型冷陰極及びその製造方法
    KR100366705B1 (ko) * 2000-05-26 2003-01-09 삼성에스디아이 주식회사 전기 화학 중합을 이용한 탄소나노튜브 에미터 제조 방법
    WO2002103737A2 (fr) * 2001-06-14 2002-12-27 Hyperion Catalysis International, Inc. Dispositif a emission de champ utilisant nanotubes de carbone des bombardes par des ions
    US7210978B2 (en) * 2004-04-14 2007-05-01 Teco Nanotech Co., Ltd. Electron-emission type field-emission display and method of fabricating the same
    CN100405523C (zh) * 2004-04-23 2008-07-23 清华大学 场发射显示器
    US7736209B2 (en) * 2004-09-10 2010-06-15 Applied Nanotech Holdings, Inc. Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation
    CN100370571C (zh) * 2004-11-12 2008-02-20 清华大学 场发射阴极和场发射装置
    TWI309843B (en) * 2006-06-19 2009-05-11 Tatung Co Electron emission source and field emission display device

    Family Cites Families (12)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    US2293593A (en) 1941-07-25 1942-08-18 Albert Shelby Hair treating apparatus
    US4084942A (en) * 1975-08-27 1978-04-18 Villalobos Humberto Fernandez Ultrasharp diamond edges and points and method of making
    FR2593953B1 (fr) 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
    FR2623013A1 (fr) 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
    US5225820A (en) * 1988-06-29 1993-07-06 Commissariat A L'energie Atomique Microtip trichromatic fluorescent screen
    FR2663462B1 (fr) 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
    JP3255960B2 (ja) * 1991-09-30 2002-02-12 株式会社神戸製鋼所 冷陰極エミッタ素子
    US5199918A (en) * 1991-11-07 1993-04-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of forming field emitter device with diamond emission tips
    US5252833A (en) * 1992-02-05 1993-10-12 Motorola, Inc. Electron source for depletion mode electron emission apparatus
    FR2687839B1 (fr) * 1992-02-26 1994-04-08 Commissariat A Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ utilisant cette source.
    US5289086A (en) * 1992-05-04 1994-02-22 Motorola, Inc. Electron device employing a diamond film electron source
    US5473218A (en) * 1994-05-31 1995-12-05 Motorola, Inc. Diamond cold cathode using patterned metal for electron emission control

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