EP0471138B1 - Procédé de production d'une résistance de mesure électrique - Google Patents

Procédé de production d'une résistance de mesure électrique Download PDF

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platinum
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Karlheinz Dr. Wienand
Werner Englert
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Heraeus Sensor GmbH
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Heraeus Sensor GmbH
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    • H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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Claims (11)

  1. Procédé pour la réalisation d'une résistance de mesure électrique, avec un coefficient de température allouée, pour un thermomètre à résistance électrique, qui présente, sur un support, un film mince contenant du platine comme couche de résistance, la surface du support portant la couche de résistance consistant en une matière isolante électriquement, caractérisé en ce que, pour la formation de la couche de résistance (2′), un film mince de platine (2) est tout d'abord vaporisé ou pulvérisé sur le substrat (1), sur lequel, une couche d'une préparation contenant du résinate de platine et du sulforésinate de rhodium est déposée, avec une teneur de rhodium telle, dans le procédé de sérigraphie, qu'après le séchage et le brûlage en profondeur de cette couche de sérigraphie (3) et traitement thermique consécutif du support ainsi enduit, lors d'une température dans la plage de 1000 à 1400 °C, le rhodium est réparti uniformément dans la couche de résistance et est présent dans une quote-part dans la plage de 0,01 à 10 % en poids.
  2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que comme substrat (1), une céramique est employée.
  3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que comme céramique, de l'oxyde d'aluminium, de l'oxyde de magnésium, de l'oxyde de béryllium ou de la vitrocéramique sont employés.
  4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que comme substrat (1), un substrat de métal est employé, qui, sur la surface orientée vers le film mince de platine (2), présente un couche intermédiaire isolant électriquement.
  5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat (1) consiste en de l'acier, et la couche intermédiaire isolante électriquement en de la vitrocéramique, avec 40 à 65 % en poids de SiO₂, 25 à 40 % en poids de BaO, 5 à 20 % en poids de Al₂O₃ et un composé de matière colorante contenant du cobalt, inorganique.
  6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que comme acier, de l'acier ferritique est mis en oeuvre.
  7. Procédé selon une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'une préparation est employée, dont la teneur en rhodium se trouve dans la plage de 0,1 à 12 % en poids, rapporté sur la teneur de platine et de rhodium dans la préparation.
  8. Procédé selon une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la couche de sérigraphie (3) est séchée, lors d'une température dans la plage de 80 à 120 °C.
  9. Procédé selon une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche de sérigraphie (3) est brûlée intérieurement, lors d'une température dans la plage de 800 à 950 °C.
  10. Procédé selon une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le film mince de platine (2) est déposé dans une épaisseur de 0,8 à 1,2 µm.
  11. Procédé selon une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'une couche de résistance électrique (2′) est engendrée avec une épaisseur dans la plage de 0,85 à 1,3 µm.
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