DE2719045B2

DE2719045B2 - Schichtwiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE2719045B2
Application number: DE19772719045
Authority: DE
Inventors: Shigeaki Kumano; Masaaki Matsuura
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1976-04-30
Filing date: 1977-04-28
Publication date: 1979-12-20
Also published as: JPS52132397A; JPS5551324B2; DE2719045A1

Description

Die Erfindung betrifft einen Schichtwiderstand mit einem Trägerkörper aus einem isolierenden Material,

ίο auf dem eine Schicht aus einer Mischung (Cermet) von mindestens einem Metall und mindestens einer dielektrischen Substanz als Widerstandsmaterial vorgesehen ist, und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Ein derartiger Schichtwiderstand ist bekannt aus »Einführung in die Mikroelektronik« von A. Lewicki, R-Oldenbourg Verlag München. Wien 1966. In dieser Druckschrift ist ein Schichtwiderstand angegeben, dessen Widerstandsschicht aus 70% Chrom und 30 SiO besteht und der bei einer Schichtstärke von mehr als 20 nm (200 A) einen FJächenwiderstand von 7500 Ohm bei einem Temperaturkoeffizienten von ±50 10-⁶ ■ ⁰C-' aufweist

Aus DE-AS 19 25 921 ist ein Schichtwiderstand mit einem Trägerkörper bekannt, auf dem eine Zwischenschicht aus SiO aufgebracht ist. Auf dieser Zwischenschicht befindet sich die Widerstandsschicht, welche aus Nickel oder Chrom besteht und die mit einer Schutzschicht aus SiO bedeckt ist. Durch die auf den Trägerkörper aufgebrachte Zwischenschicht soll verhindert werden, daß Alkaliionen oder andere schädliche Verunreinigungen in die Widerstandsschicht gelangen können. Die äußere, aus SiO bestehende Schutzschicht dient dazu, eine unkontrollierte Oxidation an der Außenfläche der Widerstandsschicht aus Metall zu

υ verhindern. Der Gesamtwiderstand der Widerstandsschicht wird durch die auf die Grenzschichten der Widerstandsschicht beschränkte Diffusion aus den anschließenden SiO-Schichten beeinflußt. Aufgrund von Ausführungen in der eingangs genannten Druckschrift

4(i »Einführung in die Mikroelektronik« kann davon ausgegangen werden, daß der Temperaturkoeffizient bei dem hier beschriebenen Schichtwiderstand in der Größenordnung von +50 bis +100 · 10^⁰C¹ beträgt.

In der DE-AS 14 90 481 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtwiderstandes angegeben, bei dem auf einen Trägerkörper eine Zwischenschicht aufgebracht wird. Auf dieser Zwischenschicht ist eine Widerstandsschicht und auf dieser wiederum eine Schutzschicht angeordnet. Die Zwischenschicht und die äußere Schutzschicht sind Glasuren.

Bei der Herstellung dieses bekannten Schichtwiderstandes wird auf der geschmolzenen, anorganischen, nichtleitenden Zwischenschicht eine metallhaltige orga-

>5 nische Verbindung abgelagert. Nach dem Herausbrennen einer in dieser Verbindung enthaltenen Kunstharzverbindung verbleibt die metallische Widerstandsschicht. Wenn bei diesem Herausbrennen Kohlendioxid aus der Verbindung entfernt wird, wird die Metallober-

M) fläche uneben oder rauh, so daß es sehr schwierig ist, den Widerstandswert des Schichtwiderstandes zu steuern bzw. festzulegen. Dies beeinträchtigt die Reproduzierbarkeit eines solchen Schichtwiderstandes.

Bei diesem bekannten Verfahren wird dann schließ-

ti5 lieh ein Überzug aus einer Glasur ähnlich der Zwischenschicht und mit demselben oder einem etwas kleineren Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Das Schmelzen der Glasur muß normalerweise bei einer

höheren Temperatur in einem Ofen erfoigen, in dem viele Verunreinigungen vorhanden sind, durch die der Widerstandswert beeinflußt werden kann.

In der DE-AS 1066 267 ist ein Schichtwiderstand mit einem keramischen Körper und einer auf der Oberfläche haftenden irisierenden Widerstandsschicht aus einem Metalloxid angegeben, bei dem die Widerstandsschicht mit einer glasartigen, keramischen Emailschicht überzogen ist

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Schichtwiderstand der eingangs genannten Art dahingehend weiterzuentwickeln, daß er bei einfachem Aufbau einen sehr kleinen Widerstandstemperaturkoeffizienten mit guter Reproduzierbarkeit aufweist, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.

Erfindungsgemäß zeichnet sich die Lösung aus durch die Gesamtheit der Merkmale, daß eine Schutzschicht aus einer isolierenden Substanz, die aus einem oder mehreren Metalloxiden aus der Gruppe Si^ciummonoxid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid und Ceroxid besteht, auf der Oberfläche der Widerstandsschicht angeordnet ist und daß der Schichtwiderstand mit auf dem Trägerkörper aufgebrachter Widerstandsschicht und Schutzschicht einer Temperung ausgesetzt worden ist.

Im Hinblick auf das Verfahren ist die Lösung dieser Aufgabe dadurch ausgezeichnet, daß auf die Widerstandsschicht eine isolierende Schutzschicht aus einem oder mehreren Metalloxiden aus der Gruppe Siliciummonoxid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid oder Ceroxid aufgedampft und anschließend der Trägerkörper mit der aufgedampften Widerstandsschicht und der Schutzschicht getempert wird.

Der erfindungsgemäße Schichtwiderstand zeichnet sich in vorteilhafter Weise durch einen äußerst kleinen Temperaturkoeffizienten aus. Zwar hat der in der DE-AS 14 90 581 angegebene Schichtwiderstand ebenfalls einen äußern kleinen, nahezu bei Null liegenden Widerstandstemperaturkoeffizienten, jedoch ist sein Aufbau wesentlich komplizierter als der des erfindungsgemäßen Schichtwiderstandes, da eine besondere Zwischenschicht zwischen dem Trägerkörper und der Widerstandsschicht vorgesehen ist. Der erfindungsgemäße Schichtwiderstand zeichnet sich durch eine sehr gute Reproduzierbarkeit im Hinblick auf den Wider- standswert aus, da für die Widerstandsschicht eine Mischung (Cermet) von mindestens einem Metall und mindestens einer dielektrischen Substanz verwandt wird. Ferner zeigt die Reproduzierbarkeit in bezug auf den Widerstandstemperaturkoeffizienten sehr günstige Werte.

Wenn es auch aus den DE-AS 10 66 267, 14 90 581 und 19 25 921 an sich bekannt ist, die Widerstandsschicht eines Schichtwiderstandes durch Schutzschichten zu überdecken, so läßt sich diesen Druckschriften jedoch keine Anregung dafür entnehmen, eine Widerstandsschicht, die aus Cermet besteht, mit einer Schutzschicht aus einer oder mehreren der angegebenen Oxide zu überziehen. Bei dem aus der DE-AS 19 25 921 bekannten Schichtwiderstand dessen Schutz- b schicht aus SiO besteht, erfährt die Widerstandsschicht, welche aus Nickel oder Chrom besteht, wegen der Diffusionsvorgänge zwischen der Schutzschicht und der Widerstandsschicht eine Änderung. Untersuchungen an Schichtwiderständen nach der Erfindung haben erge- h ben, daß der Widerstandswert der Cermet-Widerstandsschicht in etwa genau so groß ist, wie der Widerstandswert der Cermet-Schicht. nachdem eine Schutzschicht aus SiO aufgebracht und eine Temperung durchgeführt worden ist. Dies bedeutet, daß bei einem erfindungsgemäßen Widerstand die Diffusionsvorgänge zwischen den Schichten hinsichtlich des Widerstandswertes keine Rolle spielen, so daß sie nicht berücksichtigt zu werden brauchen und sich infolgedessen die Herstellung eines solchen Widerstandes vereinfacht.

Untersuchungen an Schichtwiderständen, die eine Cermet-Widerstandsschicht aufweisen und getempert worden sind, und an Schichtwiderständen, die gemäß der Erfindung ausgebildet worden sind, haben ergeben, daß der Betrag des Widerstandstemperaturkoeffizienten bei Widerständen nach der Erfindung um einen Faktor 3 kleiner ist als bei den erstgenannten Widerständen, die keine gemäß der Erfindung ausgebildete Schutzschicht aufweisen. Daraus folgt, daß die Verringerung des Betrages des Widerstandstemperaturkoeffizienten nicht allein durch eine Temperung zu erklären ist.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werden spezifische Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Diagramm, welches den Widerstandstemperaturkoeffiüienten von bekannten und von erfindungsgemäßen Schichtwiderständen erläutert, und

Fig. 2 eine Querschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Schichtwiderstandes.

Nachfolgend wird zuerst der Widerstandstemperaturkoeffizient beschrieben, der gemäß dem Stand der Technik bei Verwendung von Cermet als Widerstandsmaterial erhalten wurde. Das Cermet wurde auf einen Trägerkörper aus einem isolierenden Material, ζ. Β. Aluminiumoxid (Al₂Oj) oder Glas mittels einer Verdampfungseinrichtung aufgedampft. Die in diesem Falle gemessenen Widerstandstemperaturkoeffizienten

(TCR)sind in der nachfolgenden Tabelle I angegeben, in der die Meßwerte von TCR'.'.undTCR '!', die Änderung pro 1°C bei der Temperaturbedingung von 60⁰C oder -20⁰C in bezug auf die Vergleichstemperaturbedingung (20⁰C) darstellen. Insbesondere gilt dann, wenn die Widerstandswerte bei Temperaturen von 60"C, 20°C und -20°C mit /?60, R20 bzw. R-20 bezeichnet werden:

. „„ (K60) - (K20)

²⁽¹ " (R 20) χ (CiO C - 20 C)

TCR ^::; =

(«20) - (R 20)
(«20) χ j2<) C - ( - 20 C)

Diese werden nachfolgend als TCR"\ oder TCR-%\ bezeichnet. Die folgende Tabelle I zeigt die bei den verschiedenen Proben unter den gleichen Bedingungen gemessenen Werte von TCR"', und TCR-?,',. Die Einheit des Meßwertes beträgt ppm/⁰C.

Tabelle I

!'rohen

TCR"	,4	TCR^	=■■ ppm/ * )
	,9	(Kinheit
-143	.9	-155,1
-114	-139,1
-2HS	-404,1

ortset/iing

Proben

tcr'*\

TCR'Z

(lünhcii = ppm/ ( )

Durchschnittlich

-269,8
-323,1
-98,3
-139,5
-220,3
-337,5
-320,7

-225,3

-318,7
-384,1
-102,5
-151,1
-244,0
-361,1
-360,7

-299,9

Die F i g. 1 erläutert in Form eines Diagramms die Werte von TCR% und TCR-%, die in der vorstehenden Tabelle I angegeben sind. In dem Diagramm repräsentiert die Kurve a TCR% und die Kurve b repräsentiert TCR-Il₁. Wie aus den Daten der obigen Tabelle I oder den Kurven a und b der Fig. 1 hervorgeht, sind die Widerstandstemperaturkoeffizienten bei den bekannten Widerständen sehr hoch und sehr unregelmäßig.

Die F i g. 2 zeigt eine Querschnittsansicht des erfindungsgemäßen Schichtwiderstandes. Der erfindungsgemäße Schichtwiderstand wird nachfolgend zusammen mit einem Verfahren zu seiner Herstellung unter Bezugnahme auf die Fig.2 näher erläutert. Eine Widerstandsschicht 4 aus Cermet, die aus 60 bis 40 Gew.-°/o Cr und 40 bis 60 Gew.-°/o SiO besteht, wird auf einen Trägerkörper 2 aus einem isolierenden Material, wie z. B. Aluminiumoxid oder Glas, aufgedampft, bis das aufgedampfte Material eine Schicht mit einer Dicke innerhalb des Bereiches in der Größenordnung von 0,8 bis 2,00 μπι gebildet hat. Danach wird eine Anschlußelektrode 6 auf dem Trägerkörper 2 so aufgebracht, daß sie mit dem Cermet elektrisch verbunden ist. Ein Teil der Anschlußelektrode 6 und ein Teil der Oberfläche des Cermet liegen übereinander. Dann wird eine Schutzschicht 8 aus SiO, bei dem es sich um ein isolierendes Material handelt bis zu einer Dicke in der Größenordnung von 0,03 bis 1,50 μπι auf das Cermet aufgedampft. Die SiO-Schutzschicht 8 ist nicht bruchstückhaft, sondern bedeckt die gesamte Fläche des Cermet. Der auf diese Weise erzeugte Schichtwiderstand wird einer Wärmebehandlung unterworfen, indem man ihn bei etwa 300 bis etwa 350°C an der Luft beläßt. Detaillierte Daten der verschiedenen Beispiele sind nachfolgend angegeben. Das vorstehend angewendete Aufdampfungsverfahren kann sein ein Vakuumaufdampf- oder ein Zerstäubungsverfahren, wobei in der hier beschriebenen Ausführungsform das Vakuumaufdampfverfahren angewendet wurde.

Zur weiteren Erläuterung folgen ei .ige Beispiele.

Beispiel 1

Der Trägerkörper 2 wurde im Vakuum auf 300° C erhitzt und auf diesen wurde eine Widerstandsschicht 4 aus Cermet (aus 50 Gew.-% Chrom und 50 Gew.-% Siliciumoxid) bis zu einer Dicke von 0,20 μπι aufgedampft und der Trägerkörper mit dem Cermet wurde dann bis auf 300° C erhitzt und es wurde eine SiO-Schutzschicht 8 bis zu einer Dicke von 0,15 μπι aufgedampft und dann wärmebehandelt, indem man es 3 Stunden lang bei 300° C an der Luft beließ. Die Messungen von TCR"l und TCR-²,", wurden an 10 verschiedenen Proben, jedoch unter den gleichen Bedingungen wie in der folgenden Tabelle 11 angegeber durchgeführt.

Tabelle II

Proben

(Kinhcit = ppm/ ι )
7'CV?"! TCR-

Durchschnittlich

-6,6
-21,5

-5,0
-22,9

-7,8

-6,1
-15,4
-20,7
-23,7
-20,1

-14,98

-18,7
-24,0
-14,0
-32,9
-18,0
-17,6
-26,4
-33,2
-34,7
-33,3

-25,28

Die Meßwerte von TCR"\ und TCA-^₁ werden durc die Kurven c und d des Diagramms der beiliegende F i g. 1 repräsentiert. Die Kurven c und d liegen beid innerhalb des Bereiches von ±50 ppm/⁰ C und au einem Vergleich mit den Kurven a und b ist zu erseher daß die Widerstandstemperaturkoeffizienten sehr nied rig und relativ frei von Unregelmäßigkeiten waren.

Beispiel 2

Der Trägerkörper 2 wurde im Vakuum auf 300⁰C erhitzt und auf diesen wurde eine Widerstandsschich aus Cermet (aus 50 Gew.-°/o Chrom und 50 Gew.-⁰/; Siliciummonoxid) bis zu einer Dicke von 0,20 μπι unc dann eine Schutzschicht 8 aus SiO bis zu einer Dicke vor 0,15 μΐη aufgedampft; danach wurde der Schichtwider stand wärmebehandelt, indem man ihn 3 Stunden lanj bei 350° C der Luft aussetzte. Das Beispiel 2 unterschei det sich von dem Beispiel 1 nur dadurch, daß di« Wärmebehandlung bei 35O⁰C anstelle von 300° C durchgeführt wurde. Messungen von TCR"', wurden be 5 verschiedenen Proben, jedoch unter den in dei folgenden Tabelle III angegebenen gleichen Bedingen gen durchgeführt.

Tabelle III

Proben

(Kinheit = ppm/ ( TCR¹X

Durchschnittlich

+ 25,0
+ 20,1
+ 24,4
+ 23,4
+ 20,4

+ 22,66

Diese Messungen von TCRQ werden durch die Kurv e in dem Diagramm der F i g. 1 dargestellt Die Kurve liegt innerhalb des Bereiches von ±50 ppm/" C und au einem Vergleich mit der Kurve a ist zu ersehen, daß de Widerstandstemperaturkoeffizient sehr niedrig und fre von Unregelmäßigkeiten war.

Die Messung von TCR-l" unter den gleichen Bedingungen wurde nicht durchgeführt, aus den Kurven a und b der bekannten Schichtwiderstände ist jedoch zu erwarten, daß die Werte für TCR-^₁ etwa denjenigen von TCR'H entsprechen.

In den Beispielen 1 und 2 ist die Temperatur, auf die der Trägerkörper 2 und die Widerstandsschicht 4 erhitzt werden, nicht immer auf 300⁰C beschränkt, sondern sie kann innerhalb des Bereiches in der Größenordnung von 280 bis 315°C liegen.

In den Beispielen 1 und 2 wurden die Widerstandsschicht 4 aus Cermet und die SiO-Schutzschicht 8 auf den Trägerkörper 2 aufgedampft, während letzterer erhitzt wurde; nachfolgend wird jedoch ein Beispiel erläutert, bei dem Cermet und Siüciummonoxid auf den Trägerkörper 2 aufgedampft wurden, ohne daß letzterer erhitzt wurde.

Beispiel 3

Dieses Beispiel, bei dem das gleiche Material auf dem Trägerkörper 2 bis zu der gleichen Dicke wie in Beispiel 1 aufgedampft wurde, unterscheidet sich in dem Beispiel 1 nur dadurch, daß der Trägerkörper 2 nicht erhitzt wurde. Cermet und Siliciummonoxid wurden somit auf den Trägerkörper 2 aufgedampft, ohne daß letzterer erhitzt wurde, danach wurde der Trägerkörper mit dem Cermet und dem Siliciummonoxid wärmebehandelt, indem man ihn 3 Stunden lang bei 300° C der Luft aussetzte. Die nachfolgende Tabelle IV zeigt die Messungen von TCR"], die bei 5 verschiedenen Proben, jedoch unter den gleichen Bedingungen, durchgeführt wurden.

Tabelle IV

Proben

Durchschnittlich

-8,5
-7,8
-7,3
-6,1
-6,8

-7,3

350⁰C an der Luft beließ. Die Messungen von TCR"Ü wurden bei 5 verschiedenen Proben, jedoch unter den gleichen Bedingungen wie in der folgenden Tabelle V angegeben, durchgeführt.

Tabelle V

Proben

(Einheit = ppm/ t ) TCR'H

Die Daten von TCR"', in der vorstehenden Tabelle IV werden durch die Kurve /in dem Diagramm der Fi g. 1 dargestellt Auch in diesem Beispiel wurde die Messung von TCR-?_t\ wie in Beispiel 2 nicht durchgeführt, weil zu erwarten war, daß die Daten von TCR-IH im wesentlichen ähnlich sein würden den Werten von TCRyH aus den oben angegebenen Grün», tn. In diesem Beispiel war, wie aus den Daten der Tabelle FV und dem Diagramm der F i g. 1 hervorgeht, der Widerstandstemperaturkoeffizient niedriger als in jedem der Beispiele 1 und 2 und er war frei von Unregelmäßigkeiten.

Beispiel 4

Die einzige Bedingung des Beispiels 4, die sich von denjenigen des Beispiels 3 unterschied, war die, daß die Temperatur der Wärmebehandlung 350⁰C anstelle von 300⁰C betrug. In dem Beispiel 4 wurden Cermet und Siliciummonoxid auf den Trägerkörper 2 aufgedampft, ohne daß letzterer erhitzt wurde, danach wurde der Trägerkörper mit dem Cermet und dem Siliciummonoxid wärmebehandelt, indem man ihn 3 Stunden lang bei

(Kinheit = ppm/ < ) 7ΤΛ5!!

Durchschnittlich

+ 27,4
+ 20,6
+ 22,3
+ 22,5
+ 20,9

+ 22,7

Die Daten der Tabelle V werden durch die Kurve g in dem Diagramm der F i g. 1 repräsentiert. Wie aus der F i g. 1 hervorgeht, fällt die Kurve g im wesentlichen mit der Kurve e des Beispiels 2 zusammen, was bedeutet, daß das Beispiel 4 praktisch den gleichen Effekt ergab wie das Beispiel 2. Auch in diesem Beispiel wurde die Messung von TCR-f,\ nicht durchgeführt, weil zu erwarten war, daß die Werte von TCR-^₁] im wesentlichen ähnlich sein würden wie die Werte von TCR"', aus den oben angegebenen Gründen.

In jedem der bisher beschriebenen Beispiele betrug die Dauer der Erhitzungsbehandlung 3 Stunden, während in der Praxis eine Zeitdauer innerhalb des Bereiches von 2 bis 4 Stunden akzeptabel ist

Bei jedem der vorstehend beschriebener. Beispiele wurde zuerst Cermet auf den Trägerkörper 2 aufgedampft und dann wurde Siliciummonoxid auf das Cermet aufgedampft, wonach eine Wärmebehandlung durchgeführt wurde. Erfindungsgemäß kann jedoch ein ähnlirhpr Effekt auch dadurch erzielt werden, daß n?»n irgendeines der nachfolgenden isolierenden Materialien anstelle von Siliciummonoxid aufdampft und dann das Ganze einer Wärmebehandlung unterwirft Zuerst wird Chromoxid (Cr₂Oj) betrachtet. In der folgenden Tabelle VI beziehen sich die oberen Daten auf den Fall, bei dem die Temperatur an der Luft während der Wärmebehandlung 300⁰C betrug und die Wärmebehandlungsdauer 3 Stunden betrug, während die unteren Daten sich auf den Fall beziehen, bei dem die Temperatur der Luft während der Wärmebehandlung 350⁰C betrug und die Wärmebehandlungsdauer 3 Stunden betrug. Die Daten auf der rechten Seite gelten für TCR-*] und die Daten auf der linken Seite gelten für TCR"l Die untere Querspalte der Tabelle gibt die Schichtdicke an (diese Erläuterung gilt für die Tabellen VI bis X). Auch in jedem der folgenden Beispiele wurde das Aufdampfen nach einem Verfahren durchgeführt, bei dem der Trägerkörper 2 300° C erhitzt wird.

Tabelle VI
(Einheit = ppm/°C)

+ 1.8
+ 12.9

Schichtdicke

-8.5
-3.1

0.044 μτη

Als nächstes wird der Fall erläutert, bei dem Aluminiumoxid (Al₂O₃) verwendet wurde.

Tabelle VII	-26.2
(Einheit = ppm/°C)	-34.4
-26.2	0.085 ι
-23.4
Schichtdicke

Tabelle X

(Einheit = ppm/°C)

-22.5
+ 0.7

Schichtdicke

Als nächstes wird der Fall erläutert, bei dem Zirkoniumoxid (ZrCh) verwendet wurde.

Tabelle VIII
(Einheit = ppm/°C)

-28.8 -30.5

+ 1.3 -5.3

Schichtdicke 0.075 μΐη

Nachstehend wird der Fall erläutert, bei dem Ceroxid (CeO₂) verwendet wurde.

Tabelle IX
(Einheit = pprn/°C)

+ 11.4 +9.4

+ 3.3 -10.7

Schichtdicke 0.26 μπι

Nachfolgend wird der Fall beschrieben, bei dem eine Mischung aus Siliciummonoxid (SiO) und Chromoxid (Cr₂Oa) zusammen mit Cermet auf den Trägerkörper aufgedampft wurde.

-27.3
-8.7

0.082 μηι

Aus den vorstehenden Tabellen VI bis X geht hervor, daß der Widerstandstemperaturkoeffizient erfindungsgemäß minimal gemacht werden kann durch Aufdampfen einer Metalloxidschicht auf das Cermet und anschließende Durchführung einer Wärmebehandlung. Daraus ist auch zu ersehen, daß nicht nur die Aufdampfung eines einzelnen Metalloxids, sondern auch die Aufdampfung eines Gemisches aus mehr als einem Metalloxid zu dem gleichen Effekt führen kann. Jeder der vorstehend angegebenen Werte gilt für eine einzige Probe; wie in den früher beschriebenen Fällen, bei denen Siliciummonoxid verwendet wurde, wären jedoch die Widerstandstemperaturkoeffizienten frei von Unregelmäßigkeiten selbst dann, wenn die Messung mit einer Vielzahl von Proben durchgeführt worden wäre. Außerdem wurde keine Aufdampfung durchgeführt, während der Trägerkörper 2 erhitzt wurde, es war jedoch zu erwarten, daß das Aufdampfen ohne Erhitzen des Trägerkörpers zu einer völlig ähnlichen Tendenz führen würde. Zusätzlich zu dem oben genannten Material kann auch Titanoxid (TiO₂) als Metalloxidmateria! einzeln zusammen mit Cermet auf den Trägerkörper aufgedampft werden.

In jedem der vorstehend beschriebenen Beispiele der Tabellen VI bis X wurde zuerst Cermet auf den Trägerkörper aufgedampft und dann wurde das Metaüoxidmateria! auf das Cermet aufgedampft.

Hierzu 2 Blatt Zeiclinuncen

Claims

Patentansprüche:

ί. Schichtwiderstand mit einem Trägerkörper aus einem isolierenden Material, auf dem eine Schicht aus einer Mischung (Cermet) von mindestens einem Metall und mindestens einer dielektrischen Substanz als Widerstandsmaterial vorgesehen ist, gekennzeichnet durch die Gesamtheit der Merkmale, daß eine Schutzschicht (8) aus einer isolierenden Substanz, die aus einem oder mehreren Metailoxiden aus der Gruppe Siliciummonoxid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid und Ceroxid besteht, auf der Oberfläche der Widerstandsschicht (4) angeordnet ist und daß der Schichtwiderstand mit auf dem Trägerkörper (2) aufgebrachter Widerstandsschicht (4) und Schutzschicht (8) einer Temperung ausgesetzt worden ist.
2. Schichtwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anschlußelektrode (6) auf dem Trägerkörper (2) angeordnet und mit der Widerstandsschicht (4) elektrisch verbunden ist, wobei ein Teil der Anschlußelektrode (6) einen Teil der Oberfläche der Widerstandsschicht (4) überdeckt.
3. Schichtwiderstand nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (4) zu 60 bis 40 Gew.-% aus Chrom (Cr) und zu 40 bis bü Gew.-°/o aus Siliciummonoxid (SiO) besteht.
4. Schichtwiderstand nach Anspruch 1 und/oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (4) eine Dicke von 0,08 bis 2,00 μΐη und die Schutzschicht (8) eine Dicke von 0,03 bis 1,50 μίτι aufweist.
5. Schichtwiderstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (2) aus einem isolierenden Material aus Glas oder Aluminiumoxid besteht.
6. Verfahren zur Herstellung eines ScLichtwiderstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem auf einen Trägerkörper aus einem isolierenden Material eine aus einer Mischung (Cermet) von mindestens einem Metall und mindestens einer dielektrischen Substanz bestehende Widerstandsschicht aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Widerstandsschicht (4) eine isolierende Schutzschicht (8) aus einem oder mehreren Metalloxiden aus der Gruppe Siliciummonoxid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid oder Ceroxid aufgedampft und anschließend der Trägerkörper (2) mit der aufgedampften Widerstandsschicht (4) und der Schutzschicht (8) getempert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtwiderstand während eines Zeitintervalls von 2 bis 4 Stunden bei 300 bis 350° C an der Luft getempert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 und/oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß dei Trägerkörper (2) während des Aufdampfens der Widerstandsschicht (4) und der Schutzschicht (8) erwärmt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (2) auf eine Temperatur zwischen 285°C und 315°C erwärmt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6 und/oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufdampfen der Widerstandsschicht (4) eine Anschlußelektrode

(6) so aufgedampft wird, daß sich ein Teil der Widerstandsschicht (4) und ein Teil der Anschlußelektrode (6) überlappen.