EP0324953B1 - Hochleistungsstrahler - Google Patents

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EP0324953B1
EP0324953B1 EP88121055A EP88121055A EP0324953B1 EP 0324953 B1 EP0324953 B1 EP 0324953B1 EP 88121055 A EP88121055 A EP 88121055A EP 88121055 A EP88121055 A EP 88121055A EP 0324953 B1 EP0324953 B1 EP 0324953B1
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
dielectric
discharge chamber
electrode
high power
wall
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
EP88121055A
Other languages
English (en)
French (fr)
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EP0324953A1 (de
Inventor
Baldur Dr. Eliasson
Ulrich Dr. Kogelschatz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Noblelight GmbH
Original Assignee
Heraeus Noblelight GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Noblelight GmbH filed Critical Heraeus Noblelight GmbH
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/046Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel

Definitions

  • the invention is based on a high-power radiator with a discharge space filled under filling conditions forming excimers, defined by a first and a second wall, the first wall being formed by a dielectric which directly delimits the discharge space, the dielectric on its side facing away from the discharge space Surface is provided with a first electrode, and the second wall is formed either by a second electrode or by a further dielectric, which is provided with a second electrode on its surface facing away from the discharge space, with a to the said electrodes (6.2 ) connected AC power source.
  • the starting point for the present invention is a UV high-power radiator, as described, for example, in the lecture by U.Kogelschatz "New UV and VUV excimer radiators" at the 10th lecture conference of the Society of German Chemists, Photochemistry Group, from November 18-20 Was introduced in Würzburg in 1987.
  • This high-performance radiator can be operated with high electrical power densities and high efficiency. Its geometry is widely adaptable to the process in which it is used. In addition to large, flat spotlights, cylindrical ones that radiate inwards or outwards are also possible.
  • the discharges can be operated at high pressure (0.1 - 10 bar). With this design, electrical power densities of 1-50 KW / m can be realized. Since the electron energy in the discharge can be largely optimized, the efficiency of such emitters is very high, even if one excites resonance lines of suitable atoms.
  • the wavelength of the radiation can be set by the type of fill gas, e.g.
  • Mercury (185 nm, 254 nm), nitrogen (337-415 nm), selenium (196, 204.206 nm), arsenic (189, 193 nm), iodine (183 nm), xenon (119, 130, 147 nm), krypton (142 nm). As with other gas discharges, it is also advisable to mix different types of gas.
  • the advantage of these emitters is the areal radiation of large radiation outputs with high efficiency. Almost all of the radiation is concentrated in one or a few wavelength ranges. It is important in all cases that the radiation can escape through one of the electrodes.
  • This problem can be solved with transparent, electrically conductive layers or else by using a fine-mesh wire mesh or applied conductor tracks as an electrode. which on the one hand ensure the current supply to the dielectric, but on the other hand are largely transparent to the radiation.
  • a transparent electrolyte, e.g. H2O are used as a further electrode, which is particularly advantageous for the irradiation of water wastewater, since in this way the radiation generated passes directly into the liquid to be irradiated and this liquid also serves as a coolant.
  • the object of the present invention is to modify the generic high-power radiator in such a way that it preferably emits light in the wavelength range from 400 nm to 800 nm, i.e. in the range of visible light. emits.
  • the invention is based on the same discharge geometry as that of the UV high-power lamp described in the patent applications mentioned.
  • the UV photons generated by excimer radiation in the discharge space cause the layer to fluoresce or phosphoresce upon impact and thus generate visible radiation. With modern phosphors this conversion process into visible light can be very efficient (quantum yield up to 95%).
  • the layer is advantageously applied to the inside of the dielectric, because this means that the dielectric itself can only consist of ordinary glass. All difficulties that arise in connection with a UV source with UV-transparent materials do not arise.
  • the luminescent layer is protected against the attack of the discharge by a thin UV-transparent layer.
  • the desired UV wavelength can be selected with the gas filling.
  • excimers can be used as radiating molecules (noble gases, mixtures of noble gases and halogens, mercury, cadmium or zinc) or mixtures of metals with strong resonance lines (mercury, selenium etc.) in very small quantities and noble gases, the mercury-free filling gases being the Preference should be given since this does not create any disposal problems.
  • a mercury lamp can be built with properties similar to those on which the conventional fluorescent tube and the new gas discharge lamps are based.
  • a quartz or sapphire plate 1 consists essentially of a quartz or sapphire plate 1 and a metal plate 2, which are separated from one another by spacers 3 made of insulating material, and delimit a discharge space 4 with a typical gap width between 1 and 10 mm.
  • the outer surface of the quartz plate 1 is covered with a luminescent layer 5, which is followed by a relatively wide-mesh wire network 6, of which only the warp or weft threads are visible.
  • This wire mesh 6 and the metal plate 2 form the two electrodes of the radiator.
  • the electrical feed is provided by an alternating current source 7 connected to these electrodes.
  • a current source use can generally be made of those that have long been used in connection with ozone generators.
  • the discharge space 5 is closed on the side in the usual way, was evacuated before closing and filled with an inert gas or a substance which forms excimers under discharge conditions, e.g. Mercury, noble gas, noble gas-metal vapor mixture, noble gas-halogen mixture, filled, optionally using an additional further noble gas (Ar, He, Ne) as a buffer gas.
  • an inert gas or a substance which forms excimers under discharge conditions e.g. Mercury, noble gas, noble gas-metal vapor mixture, noble gas-halogen mixture, filled, optionally using an additional further noble gas (Ar, He, Ne) as a buffer gas.
  • a substance according to the following table can be used: FILLING GAS RADIATION helium 60-100 nm neon 80 - 90 nm argon 107 - 165 nm xenon 160-190 nm nitrogen 337 - 415 nm krypton 124 nm, 140-160 nm Krypton + fluorine 240 - 255 nm Mercury + argon 235 nm deuterium 150-250 nm Xenon + fluorine 400 - 550 nm Xenon + chlorine 300-320 nm Xenon + iodine 240-260 nm
  • noble gas-metal mixtures are also possible, with metals with strong resonance lines being preferred: zinc 213 nm cadmium 228.8 nm mercury 185 nm, 254 nm
  • the amount of metal in the gas mixture is very small in relation to the amount of noble gas, so that as little self-absorption as possible occurs.
  • the following relationship can serve as a guideline for the upper limit dx P M ⁇ 1333 Pa ⁇ mm (10 Torr ⁇ mm) where d is the gap width of the discharge space in millimeters (typically 1 - 10 mm), P M is the metal vapor pressure.
  • the upper limit for the metal vapor is the excimer formation such as HgXe, HgAr, HgKr, for which already 133-2 666 Pa (1 - 20 Torr) Hg in e.g. 40 kPa (300 Torr) noble gas are sufficient. These excimers radiate at 140 - 220 nm and are also very efficient UV lamps. At higher mercury pressure, the Hg2 excimer forms, which radiates at 235 nm.
  • the lower limit for the above relationship is about 1.33 Pa ⁇ mm (10 ⁇ Torr ⁇ mm).
  • the electron energy distribution can be optimally adjusted by varying the gap width of the discharge space, pressure and / or temperature.
  • plate materials such as magnesium fluoride and calcium fluoride can also be used.
  • a wire mesh there can also be a transparent, electrically conductive layer, the layer of indium or tin oxide being used for visible light and a 5-10 nm (50-100 angstroms) thick gold layer for visible and UV light.
  • the luminescent layer 5 preferably consists of modern phosphors, i.e. phosphor doped with rare earths, which enable a quantum yield of up to 95% (cf. E. Kauer and E. Schnedler “Possibilities and Limits of Light Generation” in "Phys. Bl. 42 (1986), No. 5, p. 128 - 133, especially p. 132).
  • the metal electrode 2 itself can be made of UV-reflecting material, e.g. Aluminum or be provided with a UV-reflective layer 8.
  • the embodiment according to FIG. 2 differs from that according to FIG. 1 only in the sequence of the layers.
  • the luminescent layer 5 is on the surface of the plate 1 facing the discharge space 4 and is preferably protected against the discharge attack by a protective layer 9. It must be UV-transparent and e.g. made of magnesium fluoride (MgF2) or Al2O3. Such layers are applied in a known manner by "sputtering" (ion sputtering).
  • the UV-visible light is converted before it passes through the dielectric (plate 1), it can be made of a "normal" translucent material, e.g. GlaS, exist.
  • the discharge space 4 is delimited on both sides by plates 4, 10 made of UV-transparent material, for example quartz or sapphire glass. Both outer surfaces are covered with a luminescent layer 5 or 11.
  • the electrodes are formed by wire networks 6 and 12, each of which is connected to the alternating current source 7. Analogous to the embodiments according to FIGS. 1 and 2, the wire networks 6, 12 can also be formed by transparent electrically conductive layers, for example made of indium or tin oxide, for visible light and UV a 5-10 nm (50 - 100 angstroms) thick gold layer can be replaced.
  • the dielectric i.e. the plates 1, 10 are made of glass.
  • FIG. 5 cylindrical high power radiator is shown schematically in cross section.
  • a metal tube 14 (inner electrode) is surrounded at a distance (1-10 mm) concentrically by a dielectric tube 15; the outer surface of the tube 15 is provided with a luminescent layer 16. This is followed by an outer electrode in the form of a wire mesh 17.
  • the AC power source 7 is connected to both electrodes 14, 17.
  • the metal tube 14 is made of aluminum or is provided with an aluminum layer 18 which reflects UV light.
  • the luminescent layer 16 is provided on the inner wall of the tube 15 and covered against the discharge space 4 with a protective layer 19 made of MgF2 or Al2O3.
  • a cooling medium can be passed through the interior of the tube 14.
  • the type and composition of filling gas and luminescent layer correspond to those of the previous exemplary embodiments.
  • the invention is particularly suitable for generating visible light.

Description

    TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung geht aus von einem Hochleistungsstrahler mit einem unter Entladungsbedingungen Excimere bildenden Füllgas gefüllten Entladungsraum, definiert durch eine erste und eine zweite Wand, wobei die erste Wand durch ein Dielektrikum, das den Entladungsraum unmittelbar begrenzt, gebildet wird, welches Dielektrikum auf seiner dem Entladungsraum abgewandten Oberfläche mit einer ersten Elektrode versehen ist, und die zweite Wand entweder durch eine zweite Elektrode oder durch ein weiteres Dielektrikum, das auf seiner dem Entladungsraum abgewandten Oberfläche mit einer zweiten Elektrode versehen ist, gebildet wird, mit einer an die genannten Elektroden (6,2) angeschlossenen Wechselstromquelle.
  • TECHNOLOGISCHER HINTERGRUND UND STAND DER TECHNIK
  • Ausgangspunkt für die vorliegende Erfindung ist ein UV-Hochleistungsstrahler, wie er bespielsweise in dem Vortrag von U.Kogelschatz "Neue UV- und VUV-Excimerstrahler" an der 10.Vortragstagung der Gesellschaft Deutscher Chemiker, Fachgruppe Photchemie, vom 18. - 20.November 1987 in Würzburg vorgestellt wurde. In der Europäischen Anmeldung 87109674.9 vom 6.7.1987 mit der Veröffentlichungsnummer 0 245 111, einem Dokument gemäss Art 54(3) EPÜ, ist der an der genannten Vortragstagung vorgestellte UV-Hochleistungsstrahler detailliert beschrieben.
  • Dieser Hochleistungsstrahler kann mit grossen elektrischen Leistungsdichten und hohem Wirkungsgrad betrieben werden. Seine Geometrie ist in weiten Grenzen dem Prozess anpassbar, in welchem er eingesetzt wird. So sind neben grossflächigen ebenen Strahlern auch zylindrische, die nach innen oder nach aussen strahlen, möglich. Die Entladungen können bei hohem Druck (0.1 - 10 bar) betrieben werden. Mit dieser Bauweise lassen sich elektrische Leistungsdichten von 1-50 KW/m realisieren. Da die Elektronenenergie in der Entladung weitgehend optimiert werden kann, liegt der Wirkungsgrad solcher Strahler sehr hoch, auch dann, wenn man Resonanzlinien geeigneter Atome anregt. Die Wellenlänge der Strahlung lässt sich durch die Art des Füllgases einstellen z.B. Ouecksilber (185 nm, 254 nm), StickstoFF (337-415 nm), Selen (196, 204.206 nm), Arsen (189, 193 nm), Jod (183 nm), Xenon (119, 130, 147 nm), Krypton (142 nm). Wie bei anderen Gasentladungen empfiehlt sich auch die Mischung verschiedener Gasarten.
  • Der Vorteil dieser Strahler liegt in der flächenhaften Abstrahlung grosser Strahlungsleistungen mit hohem Wirkungsgrad. Fast die gesamte Strahlung ist auf einen oder wenige Wellenlängenbereiche konzentriert. Wichtig ist in allen Fällen, dass die Strahlung durch eine der Elektroden austreten kann. Dieses Problem ist lösbar mit transparenten, elektrisch leitenden Schichten oder aber auch, indem man ein feinmaschiges Drahtnetz oder aufgebrachte Leiterbahnen als Elektrode benützt. die einerseits die Stromzufuhr zum Dielektrikum gewährleisten, andererseits für die Strahlung aber weitgehend transparent sind. Auch kann ein transparenter Elektrolyt, z.B. H₂O, als weitere Elektrode verwendet werden, was insbesondere für die Bestrahlung von Wasser Abwasser vorteilhaft ist, da auf diese Weise die erzeugte Strahlung unmittelbar in die zu bestrahlende Flüssigkeit gelangt und diese Flüssigkeit gleichzeitig als Kühlmittel dient.
  • KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, den gattungsgemässen Hochleistungsstrahler derart zu modifizieren, dass er vorzugsweise Licht im Wellenlängengebiet von 400 nm - 800 nm, d.h. im Bereich des sichtbaren Lichts. abstrahlt.
  • Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die in den unabhängigen Patentansprüche 1 und 2 gekennzeichneten Merkmale.
  • Die Erfindung basiert auf der gleichen Entladungsgeometrie wie diejenige des in den genannten Patentanmeldungen beschriebenen UV-Hochleistungsstrahler.
  • Die durch Excimerstrahlung im Entladungsraum erzeugten UV Photonen bringen beim Aufprallen auf die Schicht diese zum Fluoreszieren oder Phosphoreszieren und erzeugen damit sichtbare Strahlung. Mit modernen Phosphoren kann dieser Umwandlungsprozess in sichtbares Licht sehr effizient sein (Quantenausbeute bis zu 95 %). Mit Vorteil ist die Schicht auf die Innenseite des Dielektrikums aufgebracht, weil dadurch das Dielektrikum selber nur aus gewöhnlichem Glas bestehen kann. Alle Schwierigkeiten, die man im Zusammenhang mit einer UV-Quelle mit UV-durchlässigen Materialien hat, treten dabei nicht auf. Die lumineszierende Schicht ist mit einer dünnen UV-transparenten Schicht gegen den Angriff der Entladung geschützt.
  • Die gewünschte UV-Wellenlänge kann mit der Gasfüllung ausgewählt werden. Es kommen z.B. Excimere als strahlende Moleküle in Frage (Edelgase, Mischungen von Edelgasen und Halogenen, Quecksilber, Cadmium oder Zink) oder Mischungen von Metallen mit starken Resonanzlinien (Quecksilber, Selen etc.) in ganz kleinen Mengen und Edelgasen, wobei den quecksilberfreien Füllgasen der Vorzug zu geben ist, da hiermit keine Entsorgungsprobleme entstehen. Auf die Weise kann man z.B. einen Quecksilberstrahler bauen mit ähnlichen Eigenschaften, wie derjenige, der der herkömmlichen Fluoreszenz-Röhre und den neuen Gasentladungslampen zugrunde liegt.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • In der Zeichnung sind Ausführungsbeispiele der Erfindung schematisch dargestellt, und zwar zeigt:
  • Fig. 1
    ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in Gestalt eines ebenen einseitig abstrahlenden Flächenstrahlers im Schnitt;
    Fig. 2
    ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 mit innenliegender Lumineszenzschicht im Schnitt;
    Fig. 3
    ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in Gestalt eines ebenen nach zwei Seiten abstrahlenden Flächenstrahlers im Schnitt;
    Fig. 4
    eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 3 mit innenliegenden Lumineszenzschichten im Schnitt;
    Fig. 5
    ein Ausführungsbeispiel eines zylindrischen nach aussen abstrahlenden Strahlers;
    Fig. 6
    eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 5 mit innenliegender Lumineszenzschicht.
    AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN DER ERFINDUNG
  • Der plattenförmige Hochleistungsstrahler nach Fig. 1 besteht im wesentlichen aus einer Quarz- oder Saphirplatte 1 und einer Metallplatte 2, die durch Distanzstücke 3 aus Isoliermaterial voneinander getrennt sind, und einen Entladungsraum 4 mit einer typischen Spaltweite zwischen 1 und 10 mm begrenzen. Die äussere Oberfläche der Quarzplatte 1 ist mit einer lumineszierenden Schicht 5 bedeckt, an die sich ein relativ weitmaschiges Drahtnetz 6 anschliesst, von dem nur die Kett- oder Schussfäden sichtbar sind. Dieses Drahtnetz 6 und die Metallplatte 2 bilden die beiden Elektroden des Strahlers. Die elektrische Anspeisung erfolgt durch eine an diese Elektroden angeschlossene Wechselstromquelle 7. Als Stromquelle können generell solche verwendet werden, wie sie im Zusammenhang mit Ozonerzeugern seit langem eingesetzt werden.
  • Der Entladungsraum 5 ist seitlich in üblicher Weise geschlossen, wurde vor dem Verschliessen evakuiert und mit einem inerten Gas, oder einer bei Entladungsbedingungen Excimere bildenden Substanz, z.B. Quecksilber, Edelgas, Edelgas-Metalldampf-Gemisch, Edelgas-Halogen-Gemisch, gefüllt, gegebenenfalls unter Verwendung eines zusätzlichen weiteren Edelgases (Ar, He, Ne) als Puffergas.
  • Je nach gewünschter spektraler Zusammensetzung der Strahlung und Lumineszenzschicht kann dabei z.B. eine Substanz gemäss nachfolgender Tabelle Verwendung finden:
    FÜLLGAS STRAHLUNG
    Helium 60 - 100 nm
    Neon 80 - 90 nm
    Argon 107 - 165 nm
    Xenon 160 - 190 nm
    Stickstoff 337 - 415 nm
    Krypton 124 nm, 140 - 160 nm
    Krypton + Fluor 240 - 255 nm
    Quecksilber + Argon 235 nm
    Deuterium 150 - 250 nm
    Xenon + Fluor 400 - 550 nm
    Xenon + Chlor 300 - 320 nm
    Xenon + Jod 240 - 260 nm
    Neben den obigen Gasen bzw. Gasgemischen kommen auch Edelgas-Metallgemische in Betracht, wobei Metalle mit starken Resonanzlinien bevorzugt werden:
    Zink 213 nm
    Cadmium 228.8 nm
    Quecksilber 185 nm, 254 nm
  • Für die Resonanzlinien-Strahler ist die Menge Metalls im Gasgemisch dabei bezogen auf die Edelgasmenge sehr klein, damit möglichst wenig Selbstabsorption auftritt. Als Richtwert für die obere Grenze kann dabei folgende Beziehung d x P M ≤ 1333 Pa·mm (10 Torr·mm)
    Figure imgb0001
    worin d die Spaltweite des Entladungsraums in Millimetern (typisch 1 - 10 mm), PM den Metalldampfdruck bedeutet.
  • Die obere Grenze für den Metalldampf bildet die Excimerbildung wie HgXe, HgAr, HgKr, wofür schon 133-2 666 Pa (1 - 20 Torr) Hg in z.B. 40 kPa (300 Torr) Edelgas ausreichen. Diese Excimere strahlen bei 140 - 220 nm und sind auch sehr effiziente UV-Strahler. Bei höherem Quecksilberdruck bildet sich das Hg₂-Excimere, das bei 235 nm strahlt.
  • Die untere Grenze für die obengenannte Beziehung liegt etwa bei 1.33 Pa·mm (10⁻ Torr·mm).
  • In der sich bildenden stillen Entladung (dielectric barrier discharge) kann die Elektronenenergieverteilung durch Variation der Spaltweite des Entladungsraumes, Druck und/oder Temperatur optimal eingestellt werden.
  • Für sehr kurzwellige Strahlungen kommen auch Platten-Materialien, wie z.B. Magnesiumfluorid und Calziumfluorid in Frage. Anstelle eines Drahtnetzes kann auch eine transparente elektrisch leitende Schicht vorhanden sein, wobei für sichtbares Licht die Schicht aus Indium- oder Zinnoxid, für sichtbares und UV-Licht eine 5-10 nm (50 - 100 Angström) dicke Goldschicht verwendet werden kann.
  • Die Lumineszenzschicht 5 besteht vorzugsweise aus modernen Phosphoren, d.h. mit seltenen Erden dotiertem Leuchtstoff, die eine Quantenausbeute bis zu 95 % ermöglichen (vgl. E.Kauer und E.Schnedler "Möglichkeiten und Grenzen der Lichterzeugung¨ in "Phys. Bl. 42 (1986), Nr. 5, S. 128 - 133, insbesondere S. 132).
  • Um die nutzbare Strahlung praktisch zu verdoppeln, kann die Metallelektrode 2 selbst aus UV-reflektierendem Material, z.B. Aluminium bestehen oder mit einer UV-reflektierenden Schicht 8 versehen sein.
  • Die Ausführungsform gemäss Fig. 2 unterscheidet sich von derjenigen nach Fig. 1 lediglich in der Aufeinanderfolge der Schichten. Die Lumineszenzschicht 5 ist auf der dem Entladungsraum 4 zugewandten Oberfläche der Platte 1 und ist vorzugsweise durch eine Schutzschicht 9 gegen den Entladungsangriff geschützt. Sie muss UV-transparent sein und besteht z.B. aus Magnesiumfluorid (MgF₂) oder Al₂O₃. Derartige Schichten werden in bekannter Weise durch "Sputtern" (Ionenzerstäubung) aufgebracht.
  • Weil in dieser Ausführungsform die Umsetzung UV-sichtbares Licht vor dem Durchtritt durch das Dielektrikum (Platte 1) erfolgt, kann diese aus einem "normalen" lichtdurchlässigen Material, z.B. GlaS, bestehen.
  • Der Hochleistungsstrahler nach Fig. 3 strahlt sichtbares Licht nach beiden Seiten ab. Der Entladungsraum 4 wird beidseits von Platten 4, 10 aus UV-durchlässigem Material, z.B. Quarz oder Saphirglas begrenzt. Beide äusseren Oberflächen sind mit einer Lumineszenzschicht 5 bzw. 11 bedeckt. Die Elektroden sind durch Drahtnetze 6 bzw. 12 gebildet, die je mit der Wechselstromquelle 7 verbunden sind. Analog zu den Ausführungsformen nach Fig. 1 und 2 können die Drahtnetze 6, 12 auch durch transparente elektrisch leitende Schichten z.B. aus Indium- oder Zinnoxid, für sichtbares Licht und UV eine 5-10 nm (50 - 100 Angström) dicke Goldschicht, ersetzt werden.
  • Analog zu Fig. 2 besteht auch hier die Möglichkeit, die Lumineszenzschichten 5 und 11 auf den dem Entladungsraum 4 zugewandten Oberflächen der dielektrischen Platten 1, 10 anzubringen und sie mit einer Schutzschicht 9 bzw. 13 aus MgF₂ oder Al₂0₃ gegen den Entladungsangriff zu schützen. Wie bei Fig. 2 kann auch hier das Dielektrikum, d.h. die Platten 1, 10, aus Glas bestehen.
  • In Fig. 5 ist zylindrischer Hochleistungsstrahler im Querschnitt schematisch dargestellt. Ein Metallrohr 14 (innere Elektrode) ist mit Abstand (1 - 10 mm) konzentrisch von einem Dielektrikumsrohr 15 umgeben; die äussere Oberfläche des Rohres 15 ist mit einer Lumineszenzschicht 16 versehen. Daran schliesst sich eine äussere Elektrode in Form eines Drahtnetzes 17 an. Die Wechselstromquelle 7 ist mit beiden Elektroden 14, 17 verbunden. Das Metallrohr 14 besteht aus Aluminium oder ist mit einer Aluminiumschicht 18 versehen, die UV-Licht reflektiert.
  • Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 ist die Lumineszenzschicht 16 an der Innenwandung des Rohres 15 vorgesehen und gegen den Entladungsraum 4 hin mit einer Schutzschicht 19 aus MgF₂ oder Al₂O₃ bedeckt.
  • Im Bedarfsfall kann durch das Innere des Rohres 14 ein Kühlmedium geleitet werden. Art und Zusammensetzung von Füllgas und Lumineszenzschicht entsprechen denen der vorangegangenen Ausführungsbeispiele.
  • Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Erzeugung von sichtbarem Licht. Abhängig von der Zusammensetzung des Füllgases und/oder der lumineszierenden Schicht ist es jedoch auch möglich, UV-Strahlung einer Wellenlänge in UV-Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln.

Claims (7)

  1. Hochleistungsstrahler mit einem unter Entladungsbedingungen Excimere bildenden Füllgas gefüllten Entladungsraum (4), definiert durch eine erste und eine zweite Wand, wobei zumindest die erste Wand durch ein erstes Dielektrikum (1), das den Entladungsraum (4) unmittelbar begrenzt, gebildet wird, welches erste Dielektrikum (1) auf seiner dem Entladungsraum (4) abgewandten Oberfläche mit einer ersten Elektrode (6) versehen ist, und die zweite den Entladungsraum (4) begrenzende Wand durch eine zweite Elektrode (2) oder ein zweites Dielektrikum (10), das auf seiner dem Entladungsraum (4) abgewandten Oberfläche mit einer weiteren Elektrode (12) versehen ist, gebildet wird, wobei zumindest die erste Wand und die ihr zugehörige erste Elektrode (5) strahlungsdurchlässig sind, und wobei zum Betrieb des Hochleistungsstrahles an die genannten Elektroden (6,2) eine Wechselstromquelle anschließbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest das erste Dielektrikum (1) auf seiner dem Entladungsraum (4) zugewandten Oberfläche mit einer lumineszierenden Schicht (5) versehen ist, welche Schicht (5) durch eine UV-transparente Schutzschicht (9,13) gegen den Entladungsangriff geschützt ist.
  2. Hochleistungsstrahler mit einem unter Entladungsbedingungen Excimere bildenden Füllgas gefüllten Entladungsraum (4), definiert durch eine erste und eine zweite Wand, wobei zumindest die erste Wand durch ein erstes Dielektrikum (1), das den Entladungsraum (4) unmittelbar begrenzt, gebildet wird, welches erste Dielektrikum (1) auf seiner dem Entladungsraum (4) abgewandten Oberfläche mit einer ersten Elektrode (6) versehen ist, und die zweite den Entladungsraum (4) begrenzende wand durch eine zweite Elektrode (2) oder ein zweites Dielektrikum (10), das auf seiner dem Entladungsraum (4) abgewandten Oberfläche mit einer weiteren Elektrode (12) versehen ist, gebildet wird, wobei zumindest die erste Wand und die ihr zugehörige erste Elektrode (5) strahlungsdurchlässig sind, und wobei zum Betrieb des Hochleistungsstrahles an die genannten Elektroden (6,2) eine Wechselstromquelle anschließbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest das erste Dielektrikum (1) auf seiner dem Entladungsraum (4) abgewandten Oberfläche mit einer lumineszierenden Schicht (5) versehen ist.
  3. Hochleistungsstrahler nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode(n) aus Drahtnetzen (6) oder elektrisch leitende strahlungsdurchlässige Schichten sind.
  4. Hochleistungsstrahler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Füllmedium Quecksilber, Stickstoff, Selen, Deuterium oder ein Gemisch dieser Substanzen allein oder mit einem Edelgas ist.
  5. Hochleistungsstrahler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Füllgas Beimengungen von Schwefel, Zink, Arsen, Selen, Cadmium, Jod oder Quecksilber enthält.
  6. Hochleistungsstrahler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallelektrode (2) und das Dielektrikum (1) plattenförmig ausgebildet sind und die metallische Elektrode (2) von der dielektrischen Platte (1) mittels Distanzstücken (3) distanziert ist.
  7. Hochleistungsstrahler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallelektrode (14) und das Dielektrikum (15) rohrförmig ausgebildet sind und zwischen sich den Entladungsraum (4) bilden.
EP88121055A 1988-01-15 1988-12-16 Hochleistungsstrahler Expired - Lifetime EP0324953B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH152/88 1988-01-15
CH152/88A CH675504A5 (de) 1988-01-15 1988-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0324953A1 EP0324953A1 (de) 1989-07-26
EP0324953B1 true EP0324953B1 (de) 1996-03-06

Family

ID=4180433

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Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4010190A1 (de) * 1990-03-30 1991-10-02 Asea Brown Boveri Bestrahlungseinrichtung
DE4010191C2 (de) * 1990-03-30 1994-10-13 Heidelberger Druckmasch Ag Strahlereinrichtung zur Trocknung und/oder Härtung von Farb- und/oder Lackschichten auf Druckträgern
US5062116A (en) * 1990-05-17 1991-10-29 Potomac Photonics, Inc. Halogen-compatible high-frequency discharge apparatus
CH680099A5 (de) * 1990-05-22 1992-06-15 Asea Brown Boveri
EP0482230B1 (de) * 1990-10-22 1995-06-21 Heraeus Noblelight GmbH Hochleistungsstrahler
DE59010169D1 (de) * 1990-12-03 1996-04-04 Heraeus Noblelight Gmbh Hochleistungsstrahler
US5220236A (en) * 1991-02-01 1993-06-15 Hughes Aircraft Company Geometry enhanced optical output for rf excited fluorescent lights
EP0521553B1 (de) * 1991-07-01 1996-04-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hochdrucksglimmentladungslampe
US5319282A (en) * 1991-12-30 1994-06-07 Winsor Mark D Planar fluorescent and electroluminescent lamp having one or more chambers
DE4208376A1 (de) * 1992-03-16 1993-09-23 Asea Brown Boveri Hochleistungsstrahler
DE4235743A1 (de) * 1992-10-23 1994-04-28 Heraeus Noblelight Gmbh Hochleistungsstrahler
EP0607960B2 (de) * 1993-01-20 2001-05-16 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Entladungslampe mit dielektrischer Sperrschicht
DE4311197A1 (de) * 1993-04-05 1994-10-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
JP2775697B2 (ja) * 1993-06-25 1998-07-16 ウシオ電機株式会社 誘電体バリヤ放電ランプ
TW348262B (en) * 1993-09-08 1998-12-21 Ushio Electric Inc Dielectric barrier discharge lamp
JP3546610B2 (ja) * 1996-09-20 2004-07-28 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電装置
JPH1125921A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Stanley Electric Co Ltd 蛍光ランプ
US5903096A (en) * 1997-09-30 1999-05-11 Winsor Corporation Photoluminescent lamp with angled pins on internal channel walls
US5914560A (en) * 1997-09-30 1999-06-22 Winsor Corporation Wide illumination range photoluminescent lamp
US5945790A (en) * 1997-11-17 1999-08-31 Schaefer; Raymond B. Surface discharge lamp
US6015759A (en) * 1997-12-08 2000-01-18 Quester Technology, Inc. Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation
JP3353684B2 (ja) 1998-01-09 2002-12-03 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
US6114809A (en) * 1998-02-02 2000-09-05 Winsor Corporation Planar fluorescent lamp with starter and heater circuit
US6075320A (en) * 1998-02-02 2000-06-13 Winsor Corporation Wide illumination range fluorescent lamp
US6100635A (en) * 1998-02-02 2000-08-08 Winsor Corporation Small, high efficiency planar fluorescent lamp
US6091192A (en) * 1998-02-02 2000-07-18 Winsor Corporation Stress-relieved electroluminescent panel
US6127780A (en) * 1998-02-02 2000-10-03 Winsor Corporation Wide illumination range photoluminescent lamp
US6049086A (en) * 1998-02-12 2000-04-11 Quester Technology, Inc. Large area silent discharge excitation radiator
JP3521731B2 (ja) 1998-02-13 2004-04-19 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
US6416319B1 (en) 1998-02-13 2002-07-09 Britesmile, Inc. Tooth whitening device and method of using same
JP3296284B2 (ja) 1998-03-12 2002-06-24 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置およびその給電装置
DE19817480B4 (de) * 1998-03-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern
DE19817478B4 (de) 1998-04-20 2004-03-18 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flache Entladungslampe und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19826809A1 (de) 1998-06-16 1999-12-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren
JP3346291B2 (ja) * 1998-07-31 2002-11-18 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ、および照射装置
DE19919169A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Philips Corp Intellectual Pty Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe
DE19919363A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Abstandshalter
JP2001015287A (ja) 1999-04-30 2001-01-19 Ushio Inc 誘電体バリア放電ランプ光源装置
AU7867200A (en) * 1999-10-08 2001-04-23 Britesmile, Inc. Apparatus for simultaneous illumination of teeth
EP1176853B1 (de) 1999-10-18 2008-04-02 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Dielektrisch behinderte entladungslampe und lichtquelle
WO2001082331A1 (en) 2000-04-19 2001-11-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. High-pressure discharge lamp
IES20000339A2 (en) * 2000-05-05 2001-11-14 G A Apollo Ltd Apparatus for irradiating material
DE10026913A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht
DE10048187A1 (de) * 2000-09-28 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Stützelementen zwischen einer Bodenplatte und einer Deckenplatte
US20020067130A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-06 Zoran Falkenstein Flat-panel, large-area, dielectric barrier discharge-driven V(UV) light source
JP2002239484A (ja) * 2001-02-16 2002-08-27 Ushio Inc 誘電体バリア放電ランプを使った基板処理装置
JP4293409B2 (ja) * 2001-05-25 2009-07-08 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ点灯装置
JP3929265B2 (ja) * 2001-07-31 2007-06-13 富士通株式会社 ガス放電管内への電子放出膜形成方法
JP2003144913A (ja) 2001-11-13 2003-05-20 Ushio Inc 誘電体バリア放電ランプによる処理装置、および処理方法
US6670619B2 (en) * 2001-12-12 2003-12-30 Alex Waluszko Transilluminator
DE10209191A1 (de) * 2002-03-04 2003-09-18 Philips Intellectual Property Vorrichtung zur Erzeugung von UV-Strahlung
CN1643643A (zh) * 2002-04-03 2005-07-20 李桂承 平板式荧光灯
KR100721067B1 (ko) * 2002-06-17 2007-05-23 하리손 도시바 라이팅구 가부시키가이샤 저압 방전 램프 및 그 제조 방법
DE10235036A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. UV-Lichtquelle
FR2843483B1 (fr) * 2002-08-06 2005-07-08 Saint Gobain Lampe plane, procede de fabrication et application
TW574721B (en) * 2002-12-24 2004-02-01 Delta Optoelectronics Inc Flat lamp structure
US20070040508A1 (en) * 2002-12-24 2007-02-22 Delta Optoelectronics, Inc. Flat fluorescent lamp
JP2005005258A (ja) * 2003-05-19 2005-01-06 Ushio Inc エキシマランプ発光装置
WO2004110932A2 (en) * 2003-05-27 2004-12-23 Abq Ultraviolet Pollution Solutions, Inc. Method and apparatus for a high efficiency ultraviolet radiation source
EP1519406A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-30 Delta Optoelectronics, Inc. Flache Lampenstruktur
US7196473B2 (en) * 2004-05-12 2007-03-27 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
US20060006804A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Lajos Reich Dielectric barrier discharge lamp
JP5054517B2 (ja) * 2004-07-09 2012-10-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射器を備えるuvc/vuv誘電体バリア放電ランプ
US20080203891A1 (en) * 2005-01-07 2008-08-28 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Dielectric Barrier Discharge Lamp With Protective Coating
EP1859472A2 (de) * 2005-01-07 2007-11-28 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Segmentierte dielektrisch behinderte entladungslampe
JP2006236623A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Lecip Corp 誘電体バリア放電管を用いた表示装置
JP5103728B2 (ja) * 2005-11-24 2012-12-19 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
FR2915314B1 (fr) * 2007-04-17 2011-04-22 Saint Gobain Lampe plane uv a decharges et utilisations.
WO2010020923A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Dielectric barrier discharge lamp
JP2010177014A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Ushio Inc 超高圧水銀ランプ
US8164263B2 (en) * 2009-04-10 2012-04-24 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Excimer discharge lamp
DE102009025667A1 (de) * 2009-06-17 2010-12-23 Heraeus Noblelight Gmbh Lampeneinheit
CN105070640A (zh) * 2015-07-30 2015-11-18 安徽中杰信息科技有限公司 真空无极紫外灯的激发方式

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6913956A (de) * 1968-09-19 1970-03-23
US4266167A (en) * 1979-11-09 1981-05-05 Gte Laboratories Incorporated Compact fluorescent light source and method of excitation thereof
US4778581A (en) * 1981-12-24 1988-10-18 Gte Laboratories Incorporated Method of making fluorescent lamp with improved lumen output
CH670171A5 (de) * 1986-07-22 1989-05-12 Bbc Brown Boveri & Cie
EP0269016A3 (de) * 1986-11-26 1990-05-09 Hamai Electric Lamp Co., Ltd. Flache Fluoreszenzlampe mit transparenten Elektroden

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0787093B2 (ja) 1995-09-20
EP0324953A1 (de) 1989-07-26
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CH675504A5 (de) 1990-09-28
JPH027353A (ja) 1990-01-11
CA1310686C (en) 1992-11-24
US4983881A (en) 1991-01-08

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