DE4208376A1 - Hochleistungsstrahler - Google Patents
HochleistungsstrahlerInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Hochleistungsstrahler,
insbesondere für ultraviolettes Licht, mit einem Entladungs
raum, der mit einem Füllgas gefüllt ist, das unter Entladungs
bedingungen Strahlung aussendet, wobei die Wand des Entla
dungsraums zumindest teilweise durch ein erstes Dielektrikum
gebildet ist, welches auf seiner dem Entladungsraum abgewand
ten Oberfläche mit metallischen gitter- oder netzförmigen Außenelektroden
versehen ist, und mit einer zweiten Elektrode,
die entweder selbst an den Entladungsraum angrenzt oder ein
zweites Dielektrikum aufweist, das an den Entladungsraum an
grenzt, und mit einer an die ersten und zweiten Elektroden an
geschlossenen Wechselstromquelle zur Speisung der Entladung.
Die Erfindung nimmt dabei Bezug auf einen Stand der Technik,
wie er sich etwa aus der europäischen Patentanmeldung mit der
Veröffentlichungsnummer 02 54 111 ergibt.
Der industrielle Einsatz photochemischer Verfahren hängt stark
von der der Verfügbarkeit geeigneter UV-Quellen ab. Klassische
UV-Strahler liefern niedrige bis mittlere UV-Intensitäten bei
einigen diskreten Wellenlängen. Wirklich hohe UV-Leistungen
erhält man nur aus Hochdrucklampen (Xe, Hg), die dann aber
ihre Strahlung über einen größeren Wellenlängenbereich ver
teilen. Neue Excimer-Laser haben einige neue Wellenlängen für
photochemische Grundlagenexperimente bereitgestellt, sind aber
z.Zt. aus Kostengründen für industrielle Prozesse nur in Aus
nahmefällen geeignet.
In der eingangs genannten EP-Patentanmeldung oder auch in der
Firmenschrift der Anmelderin "Neue UV-Strahler für industri
elle Anwendungen", Druckschrift CH-E 3.30833.0 D, einem Son
derdruck aus der Firmenzeitschrift "ABB TECHNIK" 3/91, S. 21-28,
wird ein neuer Excimerstrahlertyp beschrieben. Dieser neue
Strahler basiert auf der Grundlage, daß man Excimerstrahlung
auch in stillen elektrischen Entladungen erzeugen kann, einem
Entladungstyp, der in der Ozonerzeugung großtechnisch einge
setzt wird. In den nur kurzzeitig (< 1 Mikrosekunde) vorhan
denen Stromfilamenten dieser Entladung werden durch Elektronenstoß
Edelgasatome angeregt, die zu angeregten Molekülkom
plexen (Excimeren) weiterreagieren. Diese Excimere leben nur
einige 100 Nanosekunden und geben beim Zerfall ihre Bindungs
energie in Form von UV-Strahlung ab.
Der Gasentladungsraum derartiger Strahler ist regelmäßig
durch Quarzglaswände begrenzt. Aufgrund der Entladungen sind
diese Wände Mikroentladungen und damit einem ständigen Bombar
dement durch Elektronen und Ionen ausgesetzt. So besteht die
Gefahr, daß besonders bei Fehlstellenplätzen oder nicht mehr
fach gebundenen Zuständen Bindungsbrüche ("Erosion") einset
zen. Diese Bindungsbrüche können beispielsweise bei XeCl-
Strahlern zur Bildung von Chlor-Si oder anderen Chlorverbin
dungen an der Quarzoberfläche führen. Darüber hinaus können
sich auch flüchtige Fragmente bilden, die ihrerseits mit dem
Chlor oder anderen Komponenten des Einsatzgases zu stabilen
oder metastabilen Chlorverbindungen reagieren. In beiden Fäl
len ist die Folge eine Verminderung der Chlorkonzentration im
Entladungsraum und damit eine Abweichung von der optimalen Zu
sammensetzung des Einsatzgases. Die UV-Intensität läßt nach,
die Lebensdauer ist damit begrenzt.
Bei anderen Strahlertypen, die Halogene enthalten, gelten ähn
liche Reaktionen. So wird Quarz unter den genannten Bedingun
gen von fluorhaltigen Gasen relativ rasch angegriffen.
Ausgehend vom Bekannten liegt der Erfindung die Aufgabe zu
grunde, die an den Entladungsraum angrenzenden Wände des er
sten und zweiten Dielektrikums zuverlässig gegen Korrosion und
Erosion zu schützen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das
bzw. die Dielektrika auf der dem Entladungsraum zugewandten
Oberfläche(n) mit einer UV-transparenten Schutzschicht verse
hen ist bzw. sind.
Vorzugsweise kommen dabei Fluoride, vorzugsweise LiF, MgF2,
CaF2, BaF2, Chloride, vorzugsweise BeCl2, MgCl2, Alkali-Chlo
ride, vorzugsweise LiCl, NaCl, hochreines SiOx, Metall-Oxi-
Chloride und Metalloxide, z. B. Al2O3, Si3N4 oder auch PTFE als
Schutzschichtmaterialien in Frage.
Das Aufbringen der Schutzschicht erfolgt dabei vorteilhaft
durch CVD- oder Plasma-CVD-Methoden (CVD=Chemical Vapor Depo
sition).
Durch das Aufbringen einer derartigen Schutzschicht werden
Korrosion und Erosion an den Dielektrikumswänden verhindert.
Darüber hinaus verliert die Qualität der ursprünglichen
Quarzoberfläche an Bedeutung. Somit stehen auch preiswerte
Quarz- oder UV-transparente Glassorten, eventuell sogar UV-
transparente Kunststoffe als Dielektriumsmaterial für Excimer
strahler zur Verfügung.
Besondere Ausgestaltungen der Erfindung und die damit erziel
baren weiteren Vorteile werden nachstehend unter Bezugnahme
auf die Zeichnungen näher erläutert.
In der einzigen Figur der Zeichnung ist ein Hochleistungs-
Excimerstrahler in stark vereinfachter Form dargestellt.
Der in der Figur schematisch und ausschnittsweise dargestellte
UV-Hochleistungsstrahler besteht aus einem äußeren Dielektri
kumsrohr 1, z. B. aus Quarzglas, einem dazu konzentrisch ange
ordneten inneren Dielektrikumsrohr 2, dessen Innenwand mit
einer Innenelektrode 3 versehen ist. Der Ringraum zwischen den
beiden Rohren 1 und 2 bildet den Entladungsraum 4 des Strah
lers. Das innere Rohr 2 ist gasdicht in das äußere Rohr 1
eingesetzt, das vorgängig mit einem Gas oder Gasgemisch ge
füllt wurde, das unter Einfluß stiller elektrischer Entladun
gen UV oder VUV-Strahlung aussendet.
Als äußere Elektrode 5 dient ein Metallnetz oder Metallgit
ter, das sich über den gesamten Umfang des äußeren Rohres 1
erstreckt. Sowohl die äußere Elektrode 5 als auch das äußere
Dielektrikumsrohr 1 sind für die erzeugte UV-Strahlung durch
lässig.
Die Elektroden 3 und 5 sind an die beiden Pole einer Wechsel
stromquelle 6 geführt. Die Wechselstromquelle entspricht
grundsätzlich jenen, wie sie zur Anspeisung von Ozonerzeugern
verwendet werden. Typisch liefert sie eine einstellbare Wech
selspannung in der Größenordnung von mehreren 100 Volt bis
20 000 Volt bei Frequenzen im Bereich des technischen Wechsel
stroms bis hin zu einigen 1000 kHz - abhängig von der Elektro
dengeometrie, Druck im Entladungsraum 4 und Zusammensetzung
des Füllgases.
Das Füllgas ist, z. B. Quecksilber, Edelgas, Edelgas-Metall
dampf-Gemisch, Edelgas-Halogen-Gemisch, gegebenenfalls unter
Verwendung eines zusätzlichen weiteren Edelgases, vorzugsweise
Ar, He, Ne, als Puffergas.
Je nach gewünschter spektraler Zusammensetzung der Strahlung
kann dabei eine Substanz/Substanzgemisch gemäß nachfolgender
Tabelle Verwendung finden:
Füllgas | |
Strahlung | |
Helium|60-100 nm | |
Neon | 80-90 nm |
Argon | 107-165 nm |
Argon + Fluor | 180-200 nm |
Argon + Chlor | 165-190 nm |
Argon + Krypton + Chlor | 165-190, 200-240 nm |
Xenon | 160-190 nm |
Stickstoff | 337-415 nm |
Krypton | 124, 140-160 nm |
Krypton + Fluor | 240-255 nm |
Krypton + Chlor | 200-240 nm |
Quecksilber | 185, 254, 320-370, 390-420 nm |
Selen | 196, 204, 206 nm |
Deuterium | 150-250 nm |
Xenon + Fluor | 340-360 nm, 400-550 nm |
Xenon + Chlor | 300-320 nm |
Daneben kommen eine ganze Reihe weiterer Füllgase in Frage:
- - Ein Edelgas (Ar, He, Kr, Ne, Xe) oder Hg mit einem Gas bzw. Dampf aus F2, J2, Br2, Cl2 oder eine Verbindung, die in der Entladung ein oder mehrere Atome F, J, Br oder Cl abspaltet;
- - ein Edelgas (Ar, He, Kr, Ne, Xe) oder Hg mit O2 oder ei ner Verbindung, die in der Entladung ein oder mehrere O- Atome abspaltet;
- - ein Edelgas (Ar, He, Kr, Ne, Xe) mit Hg.
In der sich bildenden stillen elektrischen Entladung (silent
discharge) kann die Elektronenenergieverteilung durch Dicke
der Dielektrika und deren Eigenschaften Druck und/oder Tempe
ratur im Entladungsraum optimal eingestellt werden.
Bei Anliegen einer Wechselspannung zwischen den Elektroden 3,
5 bildet sich eine Vielzahl von Entladungskanälen (Teilent
ladungen) im Entladungsraum 4 aus. Diese treten mit den
Atomen/Molekülen des Füllgases in Wechselwirkung, was schlußendlich
zur UV oder VUV-Strahlung führt.
Beim Betrieb des Strahlers sind die dem Entladungsraum 4 zuge
wandten Oberflächen der Dielektrikumsrohre 1 und 2 der Einwir
kung der Mikroentladungen ausgesetzt. Dadurch kommt es sowohl
zum Elektronen- und Ionenbeschuß als auch zu chemischen Ein
wirkungen eventuell angeregter atomarer und molekularer Spe
zies.
Um nun diese Oberflächen gegen Angriffe zu schützen, sind die
dem Entladungsraum zugewandten Oberflächen der Dielektrikums
rohre 1 und 2 je mit einer Schutzschicht 7 versehen mit einer
Dicke von typisch 1 µm. Diese besteht vorzugsweise aus MgF2,
einer Substanz, die im hier interessierenden Wellenlängenbe
reich (172 nm bis 308 nm) sehr gut UV-transparent ist.
Neben MgF2 kommen verschiedene andere Schutzschichtmaterialien
wie Fluoride, z. B. LiF, CaF2, BaF2, Chloride, z. B. BeCl2,
MgCl2, Alkali-Chloride, z. B. LiCl, NaCl, hochreines SiOx, Me
tall-Oxy-Chloride und Metalloxide, z. B. Al2O3, Si3N4 oder auch
PTFE mit Schichtdicken zwischen 0,1 µm und 100 µm in Frage.
Das Aufbringen der Schutzschicht erfolgt dabei vorteilhaft
durch CVD- oder Plasma-CVD-Methoden (CVD=Chemical Vapor Depo
sition), einem Verfahren, wie es beispielsweise in der US-Pa
tentschrift 44 36 762 zur Erzeugung von Schutzschichten in
Glasgefäßen von Beleuchtungskörpers etc. beschrieben ist.
Neben Zylinderstrahlern läßt sich die Erfindung auch bei den
Dielektrika von Flächenstrahlern mit Erfolg anwenden.
Die Erfindung wurde vorstehend anhand von Ausführungsbeispie
len erläutert, die sich auf sogenannte Außenstrahler bezie
hen. Die dabei vorgestellten Maßnahmen zum Schutz der Elek
troden gelten selbstverständlich auch für einen sogenannten
Innenstrahler. Abgesehen von der Lage der transparenten Elek
troden 5 entspricht ein solcher Innenstrahler dem in Fig. 1
dargestellten Außenstrahler.
Des weiteren sind auch Strahlerkonfigurationen möglich, bei
welchen die UV-Strahlung sowohl nach außen als auch nach in
nen abgestrahlt wird.
Außen- und Innenstrahler werden regelmäßig mit einem flüssi
gen Kühlmittel gekühlt. Dieses wird bei Außenstrahlern durch
das innere Dielektrikumsrohr 2 geleitet, bei Innenstrahlern
umspült das Kühlmittel das äußere Dielektrikumsrohr 1. Auch
hier können Schutzschichten der beschriebenen Art, den Erosi
onsangriff durch das Kühlmittel verhindern oder zumindest
vermindern.
Bezeichnungsliste
1 äußeres Dielektrikumsrohr
2 inneres Dielektrikumsrohr
3 Innenelektrode
4 Entladungsraum
5 Außenelektrode
6 Wechselstromquelle
7 Schutzschichten
2 inneres Dielektrikumsrohr
3 Innenelektrode
4 Entladungsraum
5 Außenelektrode
6 Wechselstromquelle
7 Schutzschichten
Claims (3)
1. Hochleistungsstrahler, insbesondere für ultraviolettes
Licht, mit einem Entladungsraum (4), der mit einem Füll
gas gefüllt ist, das unter Entladungsbedingungen Strah
lung aussendet, wobei die Wand des Entladungsraums (4)
zumindest teilweise durch ein erstes Dielektrikum (1) ge
bildet ist, welches auf seiner dem Entladungsraum (4) ab
gewandten Oberfläche mit metallischen gitter- oder netz
förmigen Außenelektroden (5) versehen ist, und mit einer
zweiten Elektrode (3), die entweder selbst an den Entla
dungsraum (4) angrenzt oder ein zweites Dielektrikum (2)
aufweist, das an den Entladungsraum (4) angrenzt, und mit
einer an die ersten (5) und zweiten Elektroden (3) ange
schlossenen Wechselstromquelle (6) zur Speisung der Ent
ladung, dadurch gekennzeichnet, daß das bzw. die Dielektrika
auf der dem Entladungsraum zugewandten Oberflä
che(n) mit einer UV-transparenten Schutzschicht (7) ver
sehen ist bzw. sind.
2. Hochleistungsstrahler nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Schutzschicht (7) im wesentlichen aus
Fluoriden, vorzugsweise LiF, MgF21 CaF2, BaF2, Chloriden,
vorzugsweise BeCl21 MgCl2, Alkali-Chloriden, vorzugsweise
LiCl, NaCl, hochreinem SiOx, Metall-Oxy-Chlorid, Metall
oxid, vorzugsweise Al2O3, Si3N4, oder PTFE besteht, mit
einer Schichtdicke zwischen 0,1 µm und 100 µm.
3. Hochleistungsstrahler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Schutzschichtmaterial durch CVD-
oder Plasma-CVD-Methoden aufgebracht ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924208376 DE4208376A1 (de) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Hochleistungsstrahler |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924208376 DE4208376A1 (de) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Hochleistungsstrahler |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4208376A1 true DE4208376A1 (de) | 1993-09-23 |
Family
ID=6454186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19924208376 Ceased DE4208376A1 (de) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Hochleistungsstrahler |
Country Status (1)
Country | Link |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH, 63801 KLEINOSTHEIM, DE |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |